JP2012004594A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の金属部材(リード端子5,6)が、第1の貴金属を含む第1の金属体(Auバンプ8)を介して、半導体素子(半導体チップ1)の第1の電極(ソース電極2)と接続され、かつ、第2の金属部材(ダイ端子7)が、第2の貴金属を含む第2の金属体(貴金属メッキ14及びAgメッキ15)を介して、第2の電極(裏面電極4)と接続される。裏面電極に接続される金属部材を有し、配線基板との半導体装置の実装面が回路形成面側であり、金属部材が折り曲げ加工されている。
【選択図】図1
Description
(1)式でチップの内部抵抗R4を除いた部分が実装抵抗となる。バンプの抵抗R6は、
R6=(ρ×h/S)/n …(2)
(ここでρ:バンプの固有抵抗,h:バンプ高さ,S:断面積,n:バンプ数)で表わされる。Auバンプの寸法は、Alパッド上にバンプを低コストで直接形成できるワイヤのボールボンディングで作るとすると、直径:150μm,厚さ:20μmが標準的な寸法になる。この場合のバンプの抵抗は(0.026/n)mΩとなり、十分小さくできる。次にAl電極膜の抵抗R5は、
R5≒(ρ/4πt)ln(r2/r1) …(3)
(ここで、ρ:電極膜の固有抵抗,t:電極膜厚,r2:電極外径,r1:バンプ径)で表わされる。電極外径r2は、バンプを均等にn個配置した場合ほぼ1/(n1/2)に比例するためn数を増せばr2/r1は1に近づき、電極膜厚を厚くしてバンプ数を多くすれば、R5は十分に小さくできる。外部接続端子の抵抗(R1+R7)は、単純に、
(R1+R7)=ρ×L/S …(4)
(ここでρ:リードの固有抵抗,L:リードの通電長さ,S:通電断面積)で表わされ、前述したように標準的な表面実装用のSOPパッケージの場合(厚さ:0.16mm/幅:0.3mm/長さ:2mm×2)で1.4mΩ程度になる。すなわち、実装抵抗が1mΩ以下のレベルでは、単にバンプ構造を採用するだけでは実装抵抗を下げられず、外部接続端子の抵抗を下げる構造を採用しなければならない。そこで、本発明による半導体装置においては、外部接続端子の抵抗を下げると同時に、外部接続端子と配線基板の接続部の信頼性を確保し得る構造とした。
以下、上記の実施形態の具体的構造を示す本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
Claims (13)
- MOSFETが形成され、前記MOSFETのソース電極およびゲート電極が形成された表面と、前記MOSFETのドレイン電極が形成され、前記表面とは反対側の裏面と、を有する半導体チップと、
前記半導体チップが搭載された第1表面と、前記第1表面とは反対側の第1裏面とを有し、前記半導体チップの前記ドレイン電極と電気的に接続されたドレイン用外部接続端子と、
第2表面と、前記第2表面とは反対側であって、前記半導体チップの前記ソース電極と電気的に接続された第2裏面とを有するソース用外部接続端子と、
第3表面と、前記第3表面とは反対側であって、前記半導体チップの前記ゲート電極と電気的に接続された第3裏面とを有するゲート用外部接続端子と、
上面、前記上面と対向する下面、前記上面と前記下面との間に位置する第1側面、前記第1側面に対向する第2側面、とを有し、前記半導体チップ、前記ドレイン用外部接続端子の一部、前記ソース用外部接続端子の一部、および前記ゲート用外部接続端子の一部を封止する樹脂筐体と、を有し、
前記ドレイン用外部接続端子の前記第1裏面は、前記樹脂筐体の前記下面より露出し、
前記ソース用外部接続端子は、第1部分、第2部分、第3部分、第4部分、および第5部分、を有し、
前記ソース用外部接続端子の前記第1部分は、前記半導体チップの前記ソース電極と第1接続部材を介して電気的に接続されており、
前記ソース用外部接続端子の前記第3部分は、前記樹脂筐体の前記第1側面側に位置し、かつ前記第1部分よりも下方に位置し、
前記ソース用外部接続端子の前記第5部分は、前記樹脂筐体の前記第2側面側に位置し、かつ前記第1部分よりも下方に位置し、
前記ソース用外部接続端子の前記第2部分は、前記第1部分と前記第3部分との間に位置し、
前記ソース用外部接続端子の前記第4部分は、前記第1部分と前記第5部分との間に位置することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記ドレイン用外部接続端子の前記第1裏面、前記ソース用外部接続端子の前記第3部分の裏面、および前記ソース用外部接続端子の前記第5部分の裏面は、同一平面内にあることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
平面視において、前記ドレイン用外部接続端子は、前記ソース用外部接続端子の前記第3部分と前記第5部分との間に位置することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記ゲート用外部接続端子は、第6部分、第7部分、第8部分、第9部分、および第10部分、を有し、
前記ゲート用外部接続端子の前記第6部分は、前記半導体チップの前記ゲート電極と第2接続部材を介して電気的に接続されており、
前記ゲート用外部接続端子の前記第8部分は、前記樹脂筐体の前記第1側面側に位置し、かつ前記第1部分よりも下方に位置し、
前記ゲート用外部接続端子の前記第10部分は、前記樹脂筐体の前記第2側面側に位置し、かつ前記第1部分よりも下方に位置し、
前記ゲート用外部接続端子の前記第7部分は、前記第6部分と前記第8部分との間に位置し、
前記ゲート用外部接続端子の前記第9部分は、前記第6部分と前記第10部分との間に位置することを特徴とする半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置において、
前記ドレイン用外部接続端子の前記第1裏面、前記ゲート用外部接続端子の前記第8部分の裏面、および前記ゲート用外部接続端子の前記第10部分の裏面は、同一平面内にあることを特徴とする半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置において、
平面視において、前記ドレイン用外部接続端子は、前記ゲート用外部接続端子の前記第8部分と前記第10部分との間に位置することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記ソース用外部接続端子の前記第1部分の一部は、前記樹脂筐体で封止されており、それ以外の部分は、前記樹脂筐体から露出していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記ソース用外部接続端子の前記第1部分の一部は、前記樹脂筐体の前記第1および第2側面から突出していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置において、
前記ゲート用外部接続端子の前記第6部分の一部は、前記樹脂筐体で封止されており、それ以外の部分は、前記樹脂筐体から露出していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置において、
前記ゲート用外部接続端子の前記第6部分の一部は、前記樹脂筐体の前記第1および第2側面から突出していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1接続部材は、複数の金属バンプであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置において、
前記第2接続部材は、複数の金属バンプであることを特徴とする半導体装置。 - MOSFETが形成され、前記MOSFETのソース電極およびゲート電極が形成された表面と、前記MOSFETのドレイン電極が形成され、前記表面とは反対側の裏面と、を有する半導体チップと、
前記半導体チップが搭載され、前記半導体チップの前記ドレイン電極と電気的に接続されたドレイン用外部接続端子と、
前記半導体チップの前記ソース電極と電気的に接続されたソース用外部接続端子と、
前記半導体チップの前記ゲート電極と電気的に接続されたゲート用外部接続端子と、
上面、前記上面と対向する下面、前記上面と前記下面との間に位置する第1側面、前記第1側面に対向する第2側面、とを有し、前記半導体チップ、前記ドレイン用外部接続端子の一部、前記ソース用外部接続端子の一部、および前記ゲート用外部接続端子の一部を封止する樹脂筐体と、を有し、
前記ソース用外部接続端子の一部は、前記樹脂筐体の前記第1および第2側面から突出していることを特徴とする半導体装置。
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Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
US9536855B2 (en) | 2013-07-10 | 2017-01-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method of fabricating same |
JP2018107481A (ja) * | 2018-04-09 | 2018-07-05 | ローム株式会社 | パワーモジュール半導体装置 |
JP2019134178A (ja) * | 2014-04-09 | 2019-08-08 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0171429U (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-12 | ||
JPH0547958A (ja) * | 1991-08-12 | 1993-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
JPH0864634A (ja) * | 1994-08-23 | 1996-03-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH08148623A (ja) * | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0171429U (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-12 | ||
JPH0547958A (ja) * | 1991-08-12 | 1993-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
JPH0864634A (ja) * | 1994-08-23 | 1996-03-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH08148623A (ja) * | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9536855B2 (en) | 2013-07-10 | 2017-01-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method of fabricating same |
DE112014003203B4 (de) | 2013-07-10 | 2019-08-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitereinheit und Verfahren zur Herstellung derselben |
JP2019134178A (ja) * | 2014-04-09 | 2019-08-08 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP2020129700A (ja) * | 2014-04-09 | 2020-08-27 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP7022784B2 (ja) | 2014-04-09 | 2022-02-18 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP2018107481A (ja) * | 2018-04-09 | 2018-07-05 | ローム株式会社 | パワーモジュール半導体装置 |
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