JP2011528564A - 導電性材料内に電場を印加するプロセスおよびデバイス - Google Patents
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Abstract
Description
処置される導電性材料内に、かつ/または、導電性材料の近傍に導入されることを意図された導電性主本体および電気絶縁性被膜を含む少なくとも1つの電極と、
1015V/m/sより大きな傾斜(dE/dt)を有するパルスを電極に送出するパルス発生器とを備える。
−導電性主本体および電気絶縁性被膜を含む少なくとも1つの電極を、処置される導電性材料内に、かつ/または、導電性材料の近傍に配置するステップと、
−1015V/m/sより大きな傾斜(dE/dt)を有するパルスを電極に送出ステップとを含む。
−(ブレオマイシンまたはシスプラチンのような)非透過性抗癌薬を、身体内に全身にあるいは腫瘍の近傍内でまたは腫瘍の近傍で局所的に注入するステップ、
−事前に検出された腫瘍(または、その近傍)内に少なくとも1つの電極(針など)を導入するステップ、
−約10〜200kV/cmの振幅およびナノ秒未満または数ナノ秒のパルス長を有する少なくとも1つのパルス状電場を発生するステップ
に存在する。
−事前に検出された腫瘍内に少なくとも1つの電極(針など)を導入するステップ、
−前記腫瘍を破壊するために、約10〜200kV/cmの振幅および数ナノ秒のパルス長を有する少なくとも1つのパルス状電場を発生するステップ
に存在する。
−電極によって包囲される組織内に、特異的遺伝子または短鎖核酸を含む材料を注入するステップ、
−古典的な電気的遺伝子導入手技によって、または、本発明による電極を使用した電気パルスによってエレクトロポレーションが達成される手技によって細胞内に材料を導入するステップ、
−電気的遺伝子導入の効率を改善するために、電気的遺伝子導入の前または後に、約1〜200kV/cmの振幅および百から数百ピコ秒〜十または数十あるいは数百ナノ秒のパルス長を有する少なくとも1つの補助パルス状電場を発生するステップ
に存在する。
本調査の目的は、nsPEFの数、nsPEF繰返し周波数、DNA電気的導入とnsPEF送達との間の遅延、DNAの振幅および量のようないくつかのパラメータを分析して、nsPEFが、インビトロでプラスミド電気的導入効率に実際に影響を及ぼすかどうかを詳しく調べることであった。次に、本発明者等は、(i)細胞内カルシウム放出に及ぼすnsPEFの影響、(ii)核膜孔輸送に及ぼすnsPEFの影響、および(iii)プラスミド転写に及ぼすnsPEFの影響を調査することによって、関係するメカニズムを確定したいと思った。
nsPEF暴露システム
nsPEFは、高電圧発生器FPG 10−30MS(FID technology,ロシア)によって送達された。nsPEFは、1000オームのインピーダンスの出力について、2.5kV〜10kVの電気パルスを送達することができ、4つの同様な電気パルスを有する。パルスは、10ns続き、3nsの遷移時間を有する。TTYからの外部トリガーが使用されて、nsPEF発生器が始動される(図3)。印加される信号は、オシロスコープLeCroy WavePro 7000および2つの高電圧プローブTektronix P6015A(1000×、40kV最大)によって可視化された。細胞懸濁液は、2つのタイプのエレクトロポレーションキュベット(電極間が1mmまたは2mm)内でnsPEFに暴露された(図4)。
DC−3F細胞(チャイニーズハムスター肺線維芽細胞)およびLPB細胞(マウス線維肉腫)が、完全培地内で成長した。10%ウシ胎児血清(Invitrogen)、500U/mlペニシリン、500μg/mlストレプトマイシン(Invitrogen)を補充された最小必須培地(Invitrogen, Cergy−pontoise,フランス)が完全培地として規定される。培養は、5%CO2 37℃で加湿雰囲気に維持された。細胞は、2日ごとに通された。
プラスミドpCMV−Luc(Clontech, Montigny−les−Bretonneux,フランス)が、製造業者のプロトコルに従って、内毒素がないプラスミドDNA(Macherey−Nagel, Hoerdt, フランス)を使用して調整された。
細胞は、トリプシンによって収集され、細胞懸濁液は、低導電率培地(250mMショ糖、10mMトリス、1mM MgCl2、pH=7)内のエレクトロポレーションキュベット内に設置された(エレクトロポレーションキュベット当たり1×106個の細胞)。細胞は、ルシフェラーゼについてのDNAコーディングの存在下でCliniporator(IGEA, Carpi,イタリア)によって送達された2つの電気的透過化パルス(1250V/cm、100μs、1Hz)に暴露された。これらのパルス後、細胞は、5%CO2の下で室温または37℃で30〜180分の間、インキュベートされた。
細胞は、1mmまたは2mmの電極間ギャップを有するエレクトロポレーションキュベット(Molecular BioProducts, VWR,フランス)内でnsPEFに暴露された。nsPEF送達後、細胞は、エレクトロポレーションキュベットから取り外され、5%CO2の下で37℃で24時間または48時間の間、完全培地内で培養された。ルシフェラーゼ活性および総たんぱく質濃度は、以下で述べるように測定された。
DNA電気的導入後、細胞は、室温で1時間の間、40mM TCHD(Sigma−Aldrich, L’lsle−d’Abeau−Chesne,フランス)によってインキュベートされ、その後、1または10Hzの繰返し周波数を有する100kV/cmの20個のnsPEFに暴露されるかまたは暴露されなかった。nsPEFに対する暴露後、非導電性培地が取り除かれ、完全培地に置き換えられた。細胞は、5%CO2の下で37℃で24時間の間、培養され、ルシフェラーゼ活性および総たんぱく質濃度が測定された。
ルシフェラーゼ発現は、ルシフェラーゼ・アッセイシステム(Promega, Charbonnieres,フランス)を使用して判定された。細胞は、収集され、10分間、1000rpmで遠心分離された。ペレットは、その後、1分間、11000rpmで遠心分離された、200μl溶解バッファ内(Promega)で再懸濁され、上澄み液が収集された。キュベット当たりの細胞の量を補正するために、細胞上澄み液内のたんぱく質濃度が、Micro BCA(商標)たんぱく質アッセイキット(Pierce, Perbio Science France SAS, Brebieres,フランス)によって確定された。
蛍光指示薬カルシウムグリーン−1−AM(Invitrogen,フランス)が、分光蛍光計(SFM 25, Kontron Instruments)と共に使用された。細胞は、培養皿内で、37℃で45分間、増殖培地内のカルシウムグリーン−1−AM(1μM)と共にインキュベートされた。細胞は、その後、PBS内で洗浄され、非導電性ショ糖バッファ内でトリプシン処理され、再懸濁された。細胞は、最初に、基線の読みを確定するために、蛍光計キュベット内に設置され、その後、蛍光計キュベットからエレクトロポレーションキュベットに移された。細胞は、nsPEFによって処置され、そして即座に、エレクトロポレーションキュベットから蛍光計キュベットに移され(分光蛍光計はパルス発生器の非常に近くに位置し、手技は5秒と10秒との間の時間がかかった)、蛍光測定が実現された。
結果は、暴露(電気的導入プラスnsPEF)における総たんぱく質のmg当たりのルシフェラーゼのpgと、対照(電気的導入だけ)における総たんぱく質のmg当たりのルシフェラーゼのpgとの比率として報告された。
nsPEFの数
ルシフェラーゼ遺伝子電気的導入後45分して、10nsおよび60kV/cmの1個、2個、5個、10個、または20個のnsPEFが、DC−3F細胞に印加された。nsPEF暴露に関連する細胞生存の減少は全く見出されなかった。ルシフェラーゼ活性の読みに関する結果は、キュベットが、電極間に1mmギャップを有するか、2mmギャップを有するかで異なった。
DC−3F細胞は、電極間に2mmを有するエレクトロポレーションキュベット内でDNA電気的導入後45分して、45kV/cmの20個のnsPEFに暴露された。古典的なエレクトロポレーションキュベットでは、得られた結果は、100Hzを超える周波数で効果が大きいことを示す。この値を超えると、効果は、(10000Hzまでの)nsPEF繰返し周波数に無関係である(図7)。隔離されたキュベットでは、予備実験で得られた効果は、1Hz以上の周波数について周波数に依存しないように見える(図11)。
DC−3F細胞が、電極間に2mmを有するエレクトロポレーションキュベット内で60kV/cmの20個のnsPEF、1Hzに暴露された。DNA電気的導入とnsPEF送達との間の時間(15分と180分との間)は、関連性がなく、nsPEFの効果が、DNA取込みのレベルにないことを示しているように思える。
DNA電気的導入後60分して、DC−3F細胞が、電極間が1mmのキュベット内で45kV/cmの1個のnsPEFに暴露された。使用されたDNAの量がどれだけであっても(キュベット当たり、0.5、1、2、3、または4μg)、nsPEFは、対照に比較して、ルシフェラーゼ発現を増加させた。それでも、最も重要な増加は、DNAの2μgについて観測された(図9)。
DNA電気的導入後30分して、LPB細胞が、TCHD(40mM)±nsPEF(1または10Hzの繰返し周波数を有する100kV/cmで20個のnsPEF)に暴露された。TCHDに対する暴露は、Vandenbroucke等(2007)に従って予見されるように、遺伝子発現の2倍の増加をもたらした。nsPEF繰返し周波数どれだけであっても、nsPEFだけに暴露された細胞は、やはり(これらの実験の対照の約2倍のレートの)遺伝子発現の増加を示し、TCHDに暴露された細胞において観測された増加に似ていた。細胞がnsPEF+TCHDに暴露されると、相加的効果が観測された(図10)。
そのアセトキシメチルエステルの形態では、カルシウムグリーン−1−AMは、非蛍光性でかつ膜透過性がある。細胞内で、エステラーゼが、アセトキシメチルエステルを開裂させる。DC−3F細胞が、2mmまたは1mmのキュベット内で1個または20個(1Hz)のnsPEFに暴露された。蛍光が、パルスの前と後で測定された。
この報告において、本発明者等は、電気nsPEF送達による細胞操作が、遺伝子電気的導入の総合効率を効率的に増加させる可能性があることを確認した。レポータ遺伝子の産生の3倍の増加が達成された。しかし、ルシフェラーゼ活性のこの増加が厳密な条件下で達成されたことを述べるに値する。実際には、あるパラメータ(DNA電気的導入とnsPEF送達との間の時間またはいくつかのnsPEFが送達されるときの繰返し周波数)は重要であるように見えないが、他のパラメータは非常に重要である。特に、本発明者等は、効果を達成するのに必要なnsPEFの数と電極間の距離との間の相関を見出した。1mmのギャップの場合、ルシフェラーゼ遺伝子電気的導入後のルシフェラーゼ産生をシュミレートするのに1個のnsPEFで十分である。2mmのギャップの場合、20個のnsPEFが必要とされる。本発明者等は、現在、この意外な観測結果を分析中である。nsPEFの持続時間が非常に短いため、本発明者等は、これらの調査で使用されたナノパルス発生器によって生成されるパルスの形状を分析中である。必要とされるパルスの数は、パルス中のキュベット内の電場の分布に関連し得る。nsPEFパルスが、長方形でも、さらに台形でもなく、むしろ三角形であったことが強調されなければならない。このことは、パルス中に、定常状態に達しないことを意味する。本明細書で報告された効果に達するために必要とされるnsPEFの数に及ぼすパルス形状の影響についての調査を、本発明者等がまだ終えていなくても、DNA電気的導入の効率における報告された増加を達成するのに、暴露条件が極めて重要であることがメッセージである。
相加性−nsPEFによってもたらされる有効性の増加に影響を及ぼさず、nsPEFの効果が、シトソールから核へのDNA導入のレベルにないことを示唆する。
パルス送達後のCa++ピークが、文献に既に記載されるように観測された。
2 セレクタスイッチ
3 コントロールユニット
4 電極
5 高電圧電源
6 金属性主本体
7 電気絶縁性被膜
Claims (13)
- 生物学的材料などの導電性材料を処置するための、前記導電性材料の特性を変更するように前記導電性材料に電場が印加されることを可能にする電気パルスアプリケータであって、
処置される前記導電性材料内に、かつ/または、前記導電性材料の近傍に導入されることを意図された導電性主本体および電気絶縁性被膜を含む少なくとも1つの電極と、
1015V/m/sより大きな傾斜(dE/dt)を有するパルスを前記電極に送出するパルス発生器とを備える電気パルスアプリケータ。 - 前記パルスは、約10〜200kV/cmの振幅および百または数百ピコ秒〜十または数十あるいは数百ナノ秒のパルス長を有する請求項1に記載の電気パルスアプリケータ。
- 前記パルスは、1ナノ秒と10ナノ秒との間からなる長さを有する請求項1または2に記載の電気パルスアプリケータ。
- 前記電気絶縁性被膜は絶縁性無機膜である請求項1から3のいずれか一項に記載の電気パルスアプリケータ。
- 前記電気絶縁性被膜は、ガラス膜、酸化物膜、窒化物膜などの絶縁性鉱物膜である請求項4に記載の電気パルスアプリケータ。
- 前記電気絶縁性被膜は、絶縁性セルロース膜または絶縁性脂質膜などの絶縁性有機膜である請求項1から3のいずれか一項に記載の電気パルスアプリケータ。
- 前記電気絶縁性被膜はパリレンから作られる請求項6に記載の電気パルスアプリケータ。
- 処置される導電性材料内に、かつ/または、前記導電性材料の近傍に導入されることを意図された、導電性材料を処置するための電気パルスアプリケータのための電極であって、前記電気パルスアプリケータは、1015V/m/sより大きな傾斜(dE/dt)を有するパルスを電極に送出するパルス発生器を備え、前記電極は、導電性主本体および電気絶縁性被膜を含む電極。
- 前記電気絶縁性被膜は、請求項4から7のいずれか一項で規定される請求項8に記載の電極。
- 導電性材料の特性を変更するように、前記導電性材料内に電場を印加する方法であって、少なくとも以下のステップ、すなわち、
−導電性主本体および電気絶縁性被膜を含む少なくとも1つの電極を、処置される前記導電性材料内に、かつ/または、前記導電性材料の近傍に配置するステップと、
−1015V/m/sより大きなレイジングフロントの傾斜(dE/dt)を有するパルスを前記電極に送出するステップとを含む方法。 - 前記パルスは、約10〜200kV/cmの振幅および十または数十あるいは数百ピコ秒〜十または数十あるいは数百ナノ秒のパルス長を有する請求項10に記載の方法。
- 前記パルスは、1ナノ秒と10ナノ秒との間からなる長さを有する請求項10に記載の方法。
- 前記電極は、請求項8または9のいずれか一項で規定される請求項10から12のいずれか一項に記載の方法。
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