JP2011524000A - マッピングエリプソメーターなどにおける迅速なサンプル高さ、aoiおよびpoiアライメント - Google Patents
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- 238000013507 mapping Methods 0.000 title abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 42
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims description 131
- GKJZMAHZJGSBKD-NMMTYZSQSA-N (10E,12Z)-octadecadienoic acid Chemical compound CCCCC\C=C/C=C/CCCCCCCCC(O)=O GKJZMAHZJGSBKD-NMMTYZSQSA-N 0.000 claims description 7
- 101000728115 Homo sapiens Plasma membrane calcium-transporting ATPase 3 Proteins 0.000 claims description 7
- 102100029744 Plasma membrane calcium-transporting ATPase 3 Human genes 0.000 claims description 7
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 7
- 238000011835 investigation Methods 0.000 claims description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 6
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 claims description 4
- 238000013178 mathematical model Methods 0.000 claims description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 claims description 4
- JBYXPOFIGCOSSB-GOJKSUSPSA-N 9-cis,11-trans-octadecadienoic acid Chemical compound CCCCCC\C=C\C=C/CCCCCCCC(O)=O JBYXPOFIGCOSSB-GOJKSUSPSA-N 0.000 claims description 3
- 101000577080 Homo sapiens Mitochondrial-processing peptidase subunit alpha Proteins 0.000 claims description 3
- 101000740659 Homo sapiens Scavenger receptor class B member 1 Proteins 0.000 claims description 3
- 102100025321 Mitochondrial-processing peptidase subunit alpha Human genes 0.000 claims description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 235000017284 Pometia pinnata Nutrition 0.000 description 2
- 240000007653 Pometia tomentosa Species 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 238000000711 polarimetry Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000002798 spectrophotometry method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
- G01N21/211—Ellipsometry
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J4/00—Measuring polarisation of light
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
- G01N21/211—Ellipsometry
- G01N2021/213—Spectrometric ellipsometry
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- Analytical Chemistry (AREA)
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
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- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
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Abstract
Description
TAN(Ψ)e(iΔ)=rp/rs
Finarovへの(特許文献11);
Finarovへの(特許文献12);
Vurensへの(特許文献13);
Schulzへの(特許文献14);
Chowへの(特許文献15);
Nakaらへの(特許文献16)。
調査するサンプル上の各スポットにおいて、サンプルの高さ、入射角度および入射面を著しく迅速に(例えば1秒または2秒程度の)設定することを可能とするエリプソメーターシステム、およびアライメントシステムを適用するサンプルマッピングシステムと;
回転機能を含む、三次元設定における複数の点に前記選択されたシステムを位置決めするための三次元位置設定手段に機能的に搭載されているエリプソメーターシステムと
が必要とされている。
電磁放射線ビームの光源;
偏光子;
サンプルを支持するためのステージ;
検光子;
データ検出器;
前記サンプルを支持するためのステージと、ユニットとしての、前記電磁放射線ビームの光源およびデータ検出器との間での相対的「高さ」位置決めを調整する手段;ならびに電磁放射線のエリプソメータービームの前記光源と前記データ検出器とに対する前記サンプルの相対的位置を2つの直交軸に沿って移動させる手段、および任意選択的ではあるが、前記サンプルに対してエリプソメーターシステムの相対的方位を調整して前記サンプルの表面に対して前記エリプソメータービームの入射角度および入射面を設定する手段。
a)前記エリプソメーターシステムにサンプルアライメントシステムを機能的に搭載するステップであって、当該サンプルアライメントシステムは:
電磁放射線のアライメントビームのアライメント光源;
前記アライメント光源からもたらされる電磁放射線のアライメントビームを、前記エリプソメーターシステムのサンプルを支持するためのステージ上のサンプルに焦点調節するための第1アライメントビーム焦点調節手段;
前記サンプルから反射する電磁放射線のアライメントビームを二次元検出器アレイに焦点調節するための第2アライメント焦点調節手段;および
前記二次元検出器アレイ;
を含み、
使用中、前記アライメント光源からの電磁放射線のアライメントビームを、前記サンプルに斜めの入射角度で焦点調節し、かつ当該サンプルから反射させて、前記二次元検出器アレイに焦点調節する、ステップを含む。
前記第2アライメント焦点調節手段と前記二次元検出器アレイとの間に、前記サンプルから反射するアライメントビーム電磁放射線の一部を第2二次元検出器アレイに向けるビームスプリッターと、当該第2二次元検出器アレイとを含むことができる。
ステップeの前に、ステップbおよびcを少なくとも1回実施することを含むことができ、前記ステップbおよびcは:
b)前記データ検出器からの出力強度を監視して前記電磁放射線ビームの光源からの電磁放射線ビームを前記サンプルに斜めの入射角度で到達させ、かつ当該サンプルから前記データ検出器に反射させるようにする間に、
前記データ検出器からの出力が望ましい強度になるまで、前記サンプルを支持するためのステージと、ユニットとしての、前記電磁放射線ビームの光源およびデータ検出器との間での相対的「高さ」位置決めを調整する手段を調整するステップ、;および
c)前記光源からの電磁放射線のアライメントビームの光源を、前記サンプルに斜めの入射角度で到達させ、かつ該サンプルから前記二次元検出器アレイに反射させて、前記二次元検出器アレイ上での位置を整列位置として認識するステップ
である。
d)ユニットとしての、電磁放射線のエリプソメータービームの前記光源と前記データ検出器とに対する前記サンプルの相対的位置を2つの直交軸に沿って移動させる前記手段を使用して、前記サンプルの相対的移動を前記直交軸の少なくとも1つに沿って行って、前記サンプル上の新しいスポットを前記エリプソメータービームによって調査し、およびステップcにおいて、前記サンプルの表面から反射されるアライメントビームの位置が、二次元検出器アレイ上の、おそらくは前記整列位置とは異なる位置で現れるようにする、ステップ;
e)必要な場合には、ステップcにおいて、前記サンプル表面から反射する前記アライメントビームが二次元検出器アレイに前記整列位置で現れるまで、前記サンプルを支持するためのステージと、ユニットとしての、前記電磁放射線ビームの光源およびデータ検出器との間での相対的「高さ」位置決めを調整する手段を調節するステップ;
f)上述の調節セットを行って、前記データ検出器からエリプソメトリックデータを取得するステップ
である。
前記第2アライメント焦点調節手段と前記二次元検出器アレイとの間に、前記サンプルから反射するアライメントビーム電磁放射線の一部を第2二次元検出器アレイに向けるビームスプリッター、および当該第2二次元検出器アレイとを設け;および
前記サンプルに対してエリプソメーターの相対的方位を調整して、前記サンプルの表面に対して前記エリプソメータービームの入射角度および入射面を設定する手段を設ける
ことを含むことができる。
前記光源からの電磁放射線ビームを前記サンプルに斜めの入射角度で到達させ、かつ当該サンプルから前記データ検出器へ反射させるようにする間に、データ検出器からの出力を監視し、かつ、データ検出器の出力の強度が最大になるまで、前記サンプルに対してエリプソメーターの相対的方位を調整する手段を調整して、前記サンプルの表面に対して前記エリプソメータービームの入射角度および入射面を設定し、それにより、前記アライメント光源からの電磁放射線を前記サンプルから反射させ、前記ビームスプリッターを経由して、前記第2二次元検出器アレイ上に現れるようにし、および前記第2二次元検出器アレイ上の位置を整列位置として認識すること;
を含むことができ、
および前記方法においては、前記直交軸の少なくとも1つに沿って前記サンプルの相対的移動を行い、それにより、前記サンプル上の新しいスポットを前記エリプソメータービームによって調査するステップdの実施後に、ステップeを実施し、そのステップeはさらに:
e)前記サンプルに対してエリプソメーターの相対的方位を調整する手段を調整して、ステップcにおいて、前記サンプル表面から反射される前記アライメントビームが二次元検出器アレイ上に前記整列位置で現れるまで、前記サンプルの表面に対して前記エリプソメーターのビームの入射角度および入射面を設定すること;
を含み、その後にステップfの実施が続く。
偏光子;
サンプルを支持するためのステージ;
検光子;
データ検出器;
前記サンプルを支持するためのステージと、ユニットとしての、前記電磁放射線ビームの光源およびデータ検出器との間での相対的「高さ」位置決めを調整する手段;ならびに電磁放射線のエリプソメータービームの前記光源と前記データ検出器とに対する前記サンプルの相対的位置を2つの直交軸に沿って移動させる手段、および前記サンプルに対してエリプソメーターの相対的方位を調整して、前記サンプルの表面に対して前記エリプソメータービームの入射角度および入射面を設定する手段。
a)前記エリプソメーターシステムにサンプルアライメントシステムを機能的に搭載するステップであって、当該サンプルアライメントシステムは:
電磁放射線のアライメントビームのアライメント光源;
前記アライメント光源からもたらされる電磁放射線のアライメントビームを、前記エリプソメーターシステムのサンプルを支持するためのステージ上のサンプルに、焦点調節するための第1アライメントビーム焦点調節手段;
前記サンプルから反射するアライメントビーム電磁放射線を二次元検出器アレイに焦点調節するための第2アライメント焦点調節手段;および
前記二次元検出器アレイ、
を含み、
使用中、前記アライメント光源からの電磁放射線のアライメントビームを前記サンプルに斜めの入射角度で焦点調節し、かつ当該サンプルから反射させて、前記二次元検出器アレイに焦点調節する、ステップを含む。
前記第2アライメント焦点調節手段と前記二次元検出器アレイとの間に、前記サンプルから反射する電磁放射線のアライメントビームの一部を第2二次元検出器アレイに向けるビームスプリッターと、当該第2二次元検出器アレイと;
を含み、
前記エリプソメーターシステムおよびアライメントシステムは、電磁放射線のエリプソメータービームおよび前記電磁放射線のアライメントビームが前記サンプル上の実質的に同じ位置に入射するように、互いに搭載されている。
b)前記電磁放射線ビームの光源からの電磁放射線ビームを前記サンプルに斜めの入射角度で到達させ、かつ当該サンプルから前記データ検出器へ反射させる間に、データ検出器からの出力を監視し、かつ、前記サンプルに対してエリプソメーターの相対的方位を調整して、データ検出器の出力の強度が最大になるまで、前記サンプルの表面に対して前記エリプソメータービームの入射角度および入射面を設定する手段を調整し、それにより、前記アライメント光源からの電磁放射線を前記サンプルから反射させ、および前記ビームスプリッターを経由して、前記第2二次元検出器アレイに現れるようにし、および前記第2二次元検出器アレイ上の位置を整列位置として認識するステップ;および
c)前記データ検出器からの出力強度を監視する間に、前記電磁放射線ビームの光源からの電磁放射線ビームを前記サンプルに斜めの入射角度で到達させ、かつ当該サンプルから前記データ検出器へ反射させ、前記データ検出器からの出力が望ましい強度になるまで、前記サンプルを支持するためのステージと、ユニットとしての、前記電磁放射線ビームの光源およびデータ検出器との間での相対的「高さ」位置決めを調整する手段を調整し、かつ前記二次元検出器アレイ上の位置を整列位置として認識するステップ
である。
d)ユニットとしての、電磁放射線のエリプソメータービームの前記光源および前記データ検出器に対する前記サンプルの相対的位置を2つの直交軸に沿って移動させる前記手段を使用して、前記サンプルの相対的移動を前記直交軸の少なくとも1つに沿って行って、前記サンプル上の新しいスポットを前記エリプソメータービームによって調査し、およびステップcにおいて、前記サンプル表面から反射されるアライメントビームの位置が、二次元検出器アレイ上に、おそらくは前記整列位置とは異なる位置で現れるようにするステップ;
e)必要な場合には、ステップcにおいて前記サンプル表面から反射される前記アライメントビームが二次元検出器アレイ上の前記整列位置に現れるまで、前記サンプルを支持するためのステージと、ユニットとしての、前記電磁放射線ビームの光源およびデータ検出器との間での相対的「高さ」位置決めを調整する手段を調整し、およびステップcにおいて、前記サンプルの表面から反射される前記アライメントビームが第2二次元検出器アレイ上に前記整列位置で現れるまで、前記サンプルに対してエリプソメーターの相対的方位を調整する手段を調整して、前記サンプルの表面に対して前記エリプソメーターのビームの入射角度および入射面を設定するステップ;
f)上述の調節セットを行って、前記データ検出器からエリプソメトリックデータを取得するステップ
である。
前記データ検出器によってもたらされたデータの少なくとも一部を解析し、かつ前記解析の結果の少なくとも一部を機械可読媒体に記憶すること;
前記データ検出器によってもたらされた少なくとも一部のデータを電子的なおよび/または非電子的な手段によって表示すること;
前記データ検出器によってもたらされたデータの少なくとも一部を解析し、かつ前記解析の結果の少なくとも一部を電子的なおよび/または非電子的な手段によって表示すること;
前記データ検出器によってもたらされた少なくとも一部のデータが、具体的な目に見える結果をもたらすように適用される信号を生成するようにすること;
前記データ検出器によってもたらされたデータの少なくとも一部を解析し、かつその少なくとも一部が、具体的な目に見える結果をもたらすように適用される信号を生成するようにすること。
エリプソメーター;
偏光計;
反射率計;
スペクトロフォトメーター;および
ミュラー行列測定システム
などのいずれかの材料系調査システムを含むものとして広く解釈される必要がある。
エリプソメーター;
偏光計;
反射率計;
スペクトロフォトメーター;および
ミュラー行列測定システム;
からなるの群から選択されるものを含む、サンプル調査システムとアライメントシステムとの複合型システムを含むものとしても説明できる。
電磁放射線のサンプル調査ビームの光源;
サンプルを支持するためのステージ;
データ検出器;
前記サンプルを支持するためのステージと、ユニットとしての、電磁放射線のサンプル調査ビームの前記光源およびデータ検出器との間での相対的「高さ」位置決めを調整する手段;ならびに、任意選択的ではあるが、電磁放射線のサンプル調査ビームの前記光源と前記データ検出器とに対する前記サンプルの相対的位置を2つの直交軸に沿って移動させる手段、および任意選択的ではあるが、前記サンプルに対してサンプル調査システムの相対的方位を調整して、前記サンプルの表面に対して前記電磁放射線のサンプル調査ビームの入射角度および入射面を設定する手段
を含む。
電磁放射線のアライメントビームのアライメント光源;
前記アライメント光源からもたらされる電磁放射線のアライメントビームを、サンプルを支持するための、前記エリプソメーターシステムのステージ上のサンプルに、焦点調節するための第1アライメントビーム焦点調節手段;
前記サンプルから反射するアライメントビーム電磁放射線を、二次元検出器アレイ上に焦点調節するための第2アライメント焦点調節手段;および
当該二次元検出器アレイ;
を含むアライメントシステムを任意選択的に含み、使用中、前記アライメント光源からの電磁放射線のアライメントビームを、前記サンプル上に斜めの入射角度で焦点調節し、かつ当該サンプルから反射させて、前記二次元検出器アレイに焦点調節するようにする。
前記第2アライメント焦点調節手段と前記二次元検出器アレイとの間に、前記サンプルから反射するアライメントビーム電磁放射線の一部を第2二次元検出器アレイに向けるビームスプリッターと、当該第2二次元検出器アレイと;
を含み、前記サンプル調査システムとアライメントシステムは、電磁放射線のサンプル調査ビームおよび前記電磁放射線のアライメントビームが前記サンプル上の実質的に同じ位置に入射するように、互いに搭載されている。
前記サンプル調査システムとアライメントシステムとの複合型システムを支持する搭載フレームを含むことができ、前記搭載フレームは、立体図でみると水平に向けられた支持体から垂直に上方に突出しており、および当該搭載フレームには、前記サンプルを支持するためのステージと、ユニットとしての、前記電磁放射線ビームの光源およびデータ検出器との間での相対的「高さ」位置決めを調整する前記手段、ならびに、前記電磁放射線ビームの光源と前記データ検出器とに対する、前記サンプルの相対的位置を2つの直交軸に沿って移動させる前記手段、および前記サンプルに対してエリプソメーターの相対的方位を調整して、前記サンプルの表面に対する、前記ビームの入射角度および入射面を設定する、任意選択的な前記手段が固定されており、
前記サンプルを支持するためのステージは、サンプルを、前記搭載フレームの前記垂直に上方に突出した平面からわずかにオフセットした平面に固定するように向けられており、そのため、そこに入るサンプルは、そこから外れないようになっており、前記ステージは、サンプルの縁にのみ接触するように構成されている。
サンプルが前記ステージに接触する当該ステージの縁における複数のクランプ手段を含み、それにより、当該サンプルをステージの前記縁によりしっかりと固定しかつ当該サンプルにおける非平坦な反りを減らすようにする。
電磁放射線ビームの光源(ELS);
偏光子(P);
サンプルを支持するためのステージ(SAM/STG);
検光子(A);
データ検出器(DDET);および
前記サンプルを支持するためのステージ(SAM/STG)と、ユニットとしての、前記電磁放射線のエリプソメータービーム(EB)の光源(ELS)およびデータ検出器(DDET)との間での相対的「高さ」(H)位置決めを調整する手段;ならびにユニットとしての、電磁放射線のエリプソメータービーム(EB)の前記光源(ELS)および前記データ検出器に対する前記サンプル(SAM/STG)の相対的位置を2つの直交軸に沿って移動例えば平行移動させる手段;および任意選択的ではあるが、エリプソメーターの、前記サンプル(SAM/STG)に対する相対的方位を調整して、前記エリプソメータービーム(EB)の入射角度(AOI)および入射面(POI)(図3bを参照)を前記サンプル(SAM/STG)の表面に対して設定する手段、
を含むものとして例示する。
電磁放射線のアライメントビーム(AB)のアライメント光源(ALS);
前記エリプソメーターシステムのサンプル(SAM)を支持するためのステージ(STG)上のサンプル(SAM/STG)に、前記アライメントアライメントビーム光源からもたらされる電磁放射線のアライメントビーム(AB)をフォーカシングすなわち焦点調節するための第1のアライメントビーム(AB)焦点調節手段(CLA1);
前記サンプル(SAM)から反射するアライメントビーム電磁放射線を二次元検出器アレイ(SCRN1)に焦点調節するための第2アライメント焦点調節手段(CLA2);および
前記二次元検出器アレイ(SCRN1)
を含む。
前記第2アライメント焦点調節手段(CLA2)と前記二次元検出器アレイ(SCRN1)との間に、前記サンプル(SAM)から反射する電磁放射線のアライメントビームの一部を第2二次元検出器アレイ(SCRN2)に向けるビームスプリッター(BS)
を含む。
前記エリプソメーターシステム(ES)とアライメントシステム(AL)との複合型システムを支持する搭載フレーム(MF)を含み、この搭載フレームは、立面図で分かるように、水平方向に向いた支持体から垂直方向に上方に突出している。図4cは、サンプル(SAM)を支持するための前記ステージ(STG)と、ユニットとしての、前記電磁放射線ビームの光源およびデータ検出器(まとめて(ES)で示す)との間での相対的「高さ」(H)位置決めを調整する手段が存在することを示す。その上、前記電磁放射線ビームの光源および前記データ検出器に対する前記サンプルの相対的位置を2つの直交軸に沿って移動例えば平行移動させる前記手段(HR)(DR)がある。前記サンプルに対してエリプソメーターの相対的方位を調整して、前記エリプソメーターのビームの入射角度および入射面を前記サンプル(SAM)の表面に対して設定するための前記任意選択的な手段(丸い矢印で示す)がある。
エリプソメーター;
偏光計;
反射率計;
スペクトロフォトメーター;および
ミュラー行列測定システム;
などのいずれの材料系調査システムも含むものとして広く解釈されるべきであり、これらは、
VUV(真空紫外);
UV(紫外);
可視;
赤外;
遠赤外;
無線波
などの少なくとも1つの波長帯における少なくとも1つの波長で動作する。
Claims (11)
- エリプソメーター;
偏光計;
反射率計;
スペクトロフォトメーター;および
ミュラー行列測定システム;
からなる群から選択されるサンプル調査システム(ES)においてサンプルを整列させる方法であって、このシステムは:
電磁放射線のサンプル調査ビームの光源(ELS);
サンプル(SAM)を支持するためのステージ(STG);
データ検出器(DDET);
サンプル(SAM)を支持するための前記ステージ(STG)と、ユニットとしての、電磁放射線のサンプル調査ビームの前記光源(ELS)およびデータ検出器(DDET)との間での相対的「高さ」(H)位置決めを調整する手段;ならびに電磁放射線のサンプル調査ビームの前記光源と前記データ検出器(DDET)とに対する前記サンプル(SAM)の相対的位置を2つの直交軸に沿って移動させる手段、および任意選択的ではあるが、前記サンプルに対してシステムの相対的方位を調整して、前記サンプル調査ビームの入射角度および入射面を前記サンプル(SAM)の表面に対して設定する手段;
を含み、
前記システムは、任意選択的ではあるが、電磁放射線のサンプル調査ビームの前記光源(ELS)と前記データ検出器(DDET)との間に少なくとも1つの偏光子(P)、検光子(A)、補償子(RC)および/または焦点調節手段(CL1)(CL2)(C13)(CL4)を含み;
使用中、前記サンプル調査ビームの光源(ELS)からの電磁放射線のサンプル調査ビームは、前記サンプル(SAM)に斜めの入射角度で到達し、かつ当該サンプルから前記データ検出器(DDET)へ反射し;
前記方法は、
a)前記サンプル調査システム(ES)にサンプルアライメントシステム(AS)を機能的に搭載するステップを含み、そのサンプルアライメントシステム(AS)が:
電磁放射線のアライメントビームのアライメント光源(ALS);
前記アライメント光源(ALS)からもたらされる電磁放射線のアライメントビームを、サンプルを支持する前記システムのステージ(STG)上のサンプル(SAM)に、焦点調節するための第1アライメントビーム焦点調節手段(CLA1);
前記サンプル(SAM)から反射するアライメントビーム電磁放射線を二次元検出器アレイ(SCRN1)に焦点調節するための第2アライメント焦点調節手段(CLA2);および
前記二次元検出器アレイ(SCRN1);
を含んでいて、
使用中、前記アライメント光源(ALS)からの電磁放射線のアライメントビームを、前記サンプル(SAM)に斜めの入射角度で焦点調節し、かつ当該サンプルから反射させて前記二次元検出器アレイ(SCRN1)に焦点調節し;
前記サンプルアライメントシステム(AS)は、任意選択的ではあるが、さらに:
前記第2アライメント焦点調節手段(CLA2)と前記二次元検出器アレイ(SCRN1)との間に、前記サンプル(SAM)から反射する電磁放射線のアライメントビームの一部を第2二次元検出器アレイ(SCRN2)に向けるビームスプリッター(BS)と、当該第2二次元検出器アレイ(SCRN2)と
を含み;
前記サンプル調査システム(ES)とアライメントシステム(AS)は、電磁放射線のサンプル調査ビームおよび前記電磁放射線のアライメントビームが前記サンプル(SAM)に実質的に同じ位置で入射するように、互いに搭載されており;
前記方法はさらに:
ステップeの前にステップbおよびcを少なくとも1回実行することを含み、ここでステップbおよびcは:
b)前記データ検出器(DDET)からの出力強度を監視する間に、前記電磁放射線ビームの光源(ELS)からの電磁放射線のサンプル調査ビームを前記サンプル(SAM)に斜めの入射角度で到達させ、かつ当該サンプルから前記データ検出器(DDET)に反射させ、前記データ検出器(DDET)からの出力が望ましい強度になるまで、前記サンプルを支持するためのステージ(STG)と、ユニットとしての、電磁放射線のサンプル調査ビームの前記光源(ELS)およびデータ検出器(DDET)との間での相対的「高さ」位置決めを調整する手段を調節するステップ;および
c)前記アライメント光源(ALS)からの電磁放射線のアライメントビームの光源を斜めの入射角度で前記サンプル(SAM)に到達させ、かつ当該サンプルから前記二次元検出器アレイ(SCRN1)上に反射させ、および前記二次元検出器アレイ(SCRN1)上の位置を整列位置として認識するステップであり、
前記方法はさらに、ステップd、eおよびfを複数回実施することを含み、ここでステップd、eおよびfは:
d)ユニットとしての、電磁放射線のサンプル調査ビームの前記光源(ELS)および前記データ検出器(DDET)に対する前記サンプル(SAM)の相対的位置を2つの直交軸に沿って移動させる前記手段を使用して、前記サンプル(SAM)の相対的移動を前記直交軸の少なくとも1つに沿って行って、前記サンプル(SAM)上の新しいスポットを前記サンプル調査ビームによって調査し、かつステップcにおいて、前記サンプル(SAM)の表面から反射されるアライメントビームの位置が、二次元検出器アレイ(SCRN1)上に、おそらくは前記整列位置とは異なる位置で現れるようにするステップ;
e)必要な場合には、ステップcにおいて、前記サンプル(SAM)の表面から反射する前記アライメントビームが前記整列位置で二次元検出器アレイ(SCRN1)に現れるまで、サンプル(SAM)を支持するための前記ステージ(STG)と、ユニットとしての、電磁放射線ビームの前記光源(LS)およびデータ検出器(DDET)との間での相対的「高さ」位置決めを調整する手段を調整するステップ;
f)上述の調整セットを用いて、前記データ検出器からのデータを取得するステップ
である、方法。 - 前記サンプルアライメントシステム(AS)がさらに:
前記第2アライメント焦点調節手段(CLA2)と前記二次元検出器アレイ(SCRN1)との間における、前記サンプル(SAM)から反射するアライメントビーム電磁放射線の一部を第2二次元検出器アレイ(SCRN2)に向けるビームスプリッター(BS)と、当該第2二次元検出器アレイ(SCRN2);および
前記サンプル(SAM)に対してサンプル調査システム(ES)の相対的方位を調整して、前記サンプル(SAM)の表面に対して前記サンプル調査ビームの入射角度および入射面を設定する手段;
を備えて設けられる方法であって、前記方法がさらに、ステップeの前に:
前記光源(ELS)からの電磁放射線のサンプル調査ビームを、前記サンプルに斜めの入射角度で到達させ、かつ当該サンプルから前記データ検出器(DDET)へ反射させるようにする間に、データ検出器(DDET)からの出力を監視し、かつデータ検出器(DDET)出力の強度が最大になるまで、前記サンプル(SAM)に対してサンプル調査システム(ES)の相対的方位を調整する手段を調整して、前記サンプル(SAM)の表面に対する前記サンプル調査システム(ES)ビームの入射角度および入射面を設定し、それによりアライメントビームの前記光源(ALS)からの電磁放射線を前記サンプル(SAM)に反射させ、かつ、前記ビームスプリッター(BS)を経由して、前記第2二次元検出器アレイ(SCRN2)上に現れるようにし、および前記第2二次元検出器アレイ(SCRN2)上の位置を整列位置として認識すること;
を含み、
ここで前記方法においては、前記直交軸の少なくとも1つに沿って前記サンプルの相対的移動を行い、それにより、前記サンプル(SAM)上の新しいスポットを前記サンプル調査システム(ES)ビームによって調査するステップdの実施後に、ステップeを実施し、このステップeはさらに:
e)前記サンプルに対してシステムの相対的方位を調整する手段を調整して、ステップcにおいて、前記サンプル(SAM)の表面から反射する前記アライメントビームが二次元検出器アレイ(SCRN2)上に前記整列位置で現れるまで、前記サンプル(SAM)の表面に対して前記ビームの入射角度および入射面を設定すること
を含み、その後にステップfの実施が続く、請求項1に記載の方法。 - 電磁放射線ビームの光源(ELS)を提供するステップが、分光用光源を提供することを伴う、請求項1に記載の方法。
- さらに、ステップfにおいて、前記データ検出器(DDET)から取得したデータを解析することを含む、請求項1に記載のサンプルの調査方法。
- データの取得には、前記サンプル(SAM)上の少なくとも2つのスポットからデータを獲得するためにステップb〜fを少なくとも2回繰り返すことを伴い、および解析は、前記サンプル(SAM)上の前記少なくとも2つのスポットから獲得したデータでの同時回帰(simultaneous regression onto data)を含む、請求項4に記載のサンプルの調査方法。
- さらに、公知の物理的性質および/または光学的性質を有する少なくとも1つの標準サンプルの調査中に前記データ検出器(DDET)から獲得したデータに回帰手順を使用して、前記システムの数学的モデルにおいてパラメータを評価することによって前記システムを較正するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- サンプル調査システム(ES)の提供は、前記光源からの電磁放射線のサンプル調査ビームの前記光源(ELS)と前記サンプル(SAM)との間に偏光子(P)を、および前記サンプル(SAM)とデータ検出器(DDET)との間に検光子(A)を設けることを含み、システムはエリプソメーターまたは偏光計である、請求項1に記載の方法。
- ステップc、および任意選択的ではあるが、ステップbは、ステップd、eおよびfが実施される度に実施される、請求項1に記載の方法。
- サンプル調査システム(ES)とアライメントシステム(AS)との複合型システムであって、
エリプソメーター;
偏光計;
反射率計;
スペクトロフォトメーター;および
ミュラー行列測定システム;
からなる群から選択されるサンプル調査システムを含み、
当該サンプル調査システムは、
電磁放射線のサンプル(SAM)調査ビームの光源(ELS);
サンプル(SAM)を支持するためのステージ(STG);
データ検出器(DDET);
前記サンプル(SAM)を支持するためのステージ(STG)と、ユニットとしての、電磁放射線のサンプル調査ビームの前記光源(ELS)およびデータ検出器(DDET)との間での相対的「高さ」位置決めを調整する手段;ならびに電磁放射線のサンプル調査ビームの前記光源(ELS)と前記データ検出器(DDET)とに対する前記サンプル(SAM)の相対的位置を2つの直交軸に沿って移動させるための、任意に設けられる手段、および任意選択的ではあるが、前記サンプル(SAM)に対してサンプル調査サンプル調査システム(ES)の相対的方位を調整して、前記サンプル(SAM)の表面に対して前記電磁放射線のサンプル(SAM)調査ビームの入射角度および入射面を設定する手段;
を含み、
前記サンプル調査システム(ES)は、任意選択的ではあるが、電磁放射線のサンプル(SAM)調査ビームの前記光源(ELS)と前記データ検出器(DDET)との間に少なくとも1つの偏光子(P)、検光子(A)、補償子(RC)および/または焦点調節手段(CL1)(CL2)(CL3)(CL4)を含み;
使用中、前記サンプル調査ビーム光源(ELS)からの電磁放射線のサンプル調査ビームが前記サンプル(SAM)に斜めの入射角度で到達し、かつ当該サンプルから前記データ検出器(DDET)へ反射するようにし;および
アライメントシステム(AS)は:
電磁放射線のアライメントビームのアライメント光源(ALS);
前記アライメント光源(ALS)からもたらされた電磁放射線のアライメントビームを、前記サンプル調査システム(ES)のサンプル(SAM)を支持するためのステージ(STG)上のサンプル(SAM)に焦点調節するための第1アライメントビーム焦点調節手段(CLA1);
前記サンプルから反射するアライメントビーム電磁放射線を、二次元検出器アレイ(SCRN1)上に焦点調節するための第2アライメント焦点調節手段(CLA2);および
当該二次元検出器アレイ(SCRN1);
を含み、
使用中、前記アライメント光源(ALS)からの電磁放射線のアライメントビームを、前記サンプル(SAM)上に斜めの入射角度で焦点調節し、かつ当該サンプルから反射させて、前記二次元検出器アレイ(SCRN1)に焦点調節するようにし;
前記サンプルアライメントシステム(AS)は、任意選択的ではあるが、さらに:
前記第2アライメント焦点調節手段(CLA2)と前記二次元検出器アレイ(SCRN1)との間に、前記サンプル(SAM)から反射するアライメントビーム電磁放射線の一部を第2二次元検出器アレイ(SCRN2)に向けるビームスプリッター(BS)と、当該第2二次元検出器アレイ(SCRN2)と;
を含み、
前記サンプル(SAM)調査システム(ES)およびアライメントシステム(AS)は、電磁放射線のサンプル調査ビームおよび前記電磁放射線のアライメントビームが前記サンプル(SAM)上の実質的に同じ位置で入射するように、互いに搭載されている、サンプル調査システム(ES)とアライメントシステム(AS)との複合型システム。 - さらに
前記サンプル(SAM)調査システム(ES)とアライメントシステム(AS)との複合型システムを支持する搭載フレーム(MF)を含み、当該搭載フレーム(MF)は、立体図でみると水平に向けられた支持体から垂直に上方に突出し、および当該搭載フレームには、サンプル(SAM)を支持するための前記ステージ(STG)と、ユニットとしての、電磁放射線ビームの前記光源(ELS)およびデータ検出器(DDET)との間での相対的「高さ」位置決めを調節する前記手段、ならびに電磁放射線ビームの前記光源(ELS)と前記データ検出器(DDET)とに対する、前記サンプルの相対的位置を2つの直交軸に沿って移動させる前記手段、および前記サンプル(SAM)に対してサンプル調査システム(ES)の相対的方位を調整して、前記サンプル(SAM)の表面に対して前記ビームの入射角度および入射面を設定するための前記任意に設けられる手段が固定されており、
およびサンプル(SAM)を支持するための前記ステージ(STG)は、前記搭載フレーム(MF)の前記垂直に上方に突出した平面からわずかにオフセットした平面内にサンプル(SAM)を固定して、当該搭載フレーム内に入るサンプル(SAM)は、それから外れることないように向けられており、前記ステージ(STG)は、サンプル(SAM)の縁にのみ接触するように構成されている、請求項9に記載のサンプル調査システムとアライメントシステムとの複合型システム。 - さらに:
サンプル(SAM)が前記ステージ(STG)に接触する前記ステージの縁に複数のクランプ手段(LTCH)を含み、それによりサンプル(SAM)をステージ(STG)の前記縁に固定して前記サンプル(SAM)をしっかりと固定し、かつ当該サンプルの非平坦な反りを減らす、請求項10に記載のサンプル調査システムとアライメントシステムとの複合型システム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12706208P | 2008-05-09 | 2008-05-09 | |
US61/127,062 | 2008-05-09 | ||
PCT/US2008/012931 WO2009136901A1 (en) | 2008-05-09 | 2008-11-20 | Fast sample height, aoi and poi alignment in mapping ellipsometer or the like |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011524000A true JP2011524000A (ja) | 2011-08-25 |
Family
ID=41264812
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011508458A Pending JP2011524000A (ja) | 2008-05-09 | 2008-11-20 | マッピングエリプソメーターなどにおける迅速なサンプル高さ、aoiおよびpoiアライメント |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2283401B1 (ja) |
JP (1) | JP2011524000A (ja) |
WO (1) | WO2009136901A1 (ja) |
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- 2008-11-20 EP EP08874227.5A patent/EP2283401B1/en active Active
- 2008-11-20 JP JP2011508458A patent/JP2011524000A/ja active Pending
- 2008-11-20 WO PCT/US2008/012931 patent/WO2009136901A1/en active Application Filing
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Publication number | Publication date |
---|---|
EP2283401A1 (en) | 2011-02-16 |
EP2283401A4 (en) | 2012-02-01 |
WO2009136901A1 (en) | 2009-11-12 |
EP2283401B1 (en) | 2015-03-04 |
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A977 | Report on retrieval |
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|
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|
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