JP2011520041A - Hybrid layer to be used for coating on the electronic device or other article - Google Patents

Hybrid layer to be used for coating on the electronic device or other article Download PDF

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シグルド・ワグナー
ジュリア・ジェイ・ブラウン
プラシャント・マンドリク
リン・ハン
ルイキン・マ
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ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ
ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション
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Abstract

有機デバイス本体を含む電子デバイスを保護するための方法。 Method for protecting an electronic device comprising an organic device body. この方法は化学気相成長法によって蒸着されたハイブリッド層の使用を伴う。 This method involves the use of hybrid layer deposited by chemical vapor deposition. ハイブリッド層はポリマー材料と非ポリマー材料との混合物を含み、ポリマー材料の非ポリマー材料に対する重量比は95:5〜5:95の範囲であり、ポリマー材料及び非ポリマー材料は同一の前駆体物質原料から形成される。 Hybrid layer comprises a mixture of polymeric material and non-polymeric material, the weight ratio of non-polymeric material of the polymeric material 95: in the range of 95, polymeric materials and non-polymeric materials are the same precursor materials raw It is formed from. また、環境汚染物の横方拡散を防ぐための技術が開示される。 Also, techniques for preventing lateral diffusion of environmental contaminants is disclosed.

Description

関連出願の相互参照 本願は、2008年5月7日に出願された米国仮特許出願第61/051,265号明細書の利益を主張するものであり、その内容は参照により本明細書に援用される。 CROSS-REFERENCE TO RELATED APPLICATIONS This application claims the benefit of filed on May 7, 2008 U.S. Provisional Patent Application No. 61 / 051,265 Pat, the contents of incorporated herein by reference It is.

政府の権利 37C. GOVERNMENT RIGHTS 37C. F. F. R. R. §401.14(f)(4)で求められた特定の言語の使用:本発明は、米国陸軍研究所によって与えられた認可番号W911QX−06−C−0017による政府助成によってなされた。 §401.14 (f) the use of specific language obtained in (4): The present invention was made with government support by grant number W911QX-06-C-0017 given by the US Army Research Laboratory. 政府は、本発明においてある種の権利を有する。 The Government has certain rights in this invention.

共同研究契約 権利請求されている発明は、産学共同研究契約の当事者であるプリンストン大学、南カリフォルニア大学、Universal Display Corporationのうちの1つまたは複数を代表して、及び/又は該当事者の1つまたは複数と関わってなされた。 Invention, which is a joint research contract rights claims, Princeton University, is a party of industry-academia joint research agreement, the University of Southern California, on behalf of one or more of the Universal Display Corporation, and / or one of the relevant parties or It has been made in involved with multiple. 本契約は、権利請求されている発明がなされた日及びそれ以前に効力が発生しており、権利請求されている発明は本契約の範囲内で取り組んだ活動の結果として行われた。 This Agreement rights date claimed by which the invention was made and efficacy it previously has occurred, the invention being claimed is made as a result of activities worked within the scope of the agreement.

本発明は、電子デバイス用のバリアコーティングに関する。 The present invention relates to barrier coatings for electronic devices.

有機発光デバイス(OLED)等の有機電子デバイスは、水蒸気又は酸素に触れたときに劣化しやすい。 Organic electronic devices such as organic light emitting devices (OLED) are susceptible to degradation when touched water vapor or oxygen. 水蒸気又は酸素にOLEDが晒されるのを少なくするためにOLEDを覆うバリアコーティングは、デバイスの寿命及び性能を向上させるのに役立つ可能性がある。 Barrier coating over the OLED in order to reduce the the OLED to water vapor or oxygen is exposed may help to improve the life and performance of the device. 食品の包装での使用に成功を収めている酸化シリコン、窒化シリコン、又は酸化アルミニウムの膜が、OLEDに対するバリアコーティングとして使用されると考えられている。 Silicon oxide has been successful for use in food packaging, silicon nitride, or aluminum oxide film is believed to be used as a barrier coating for OLED. 但し、こうした無機膜は、膜を通して水蒸気及び酸素を拡散させてしまう微視的欠陥を内包する傾向がある。 However, these inorganic films tend containing the microscopic defects would steam and oxygen to diffuse through the membrane. 場合によっては、この欠陥が脆性薄膜のクラックとして開裂する。 In some cases, the defect cleaves a crack of the brittle film. このレベルの水蒸気及び酸素の拡散は食品にとっては許容し得るものであるが、OLEDにとっては許容できない。 Although diffusion of the level of water vapor and oxygen are those acceptable for the food, not acceptable for OLED. こうした問題に対処するため、無機層とポリマー層を交互に使用する多層バリアコーティングがOLEDに対して試験され、水蒸気及び酸素の侵入に対して高い耐性を有することが判明している。 To address these problems, tested multilayer barrier coating against an OLED employing the inorganic and polymer layers alternately, have been found to have a high resistance to penetration of water vapor and oxygen. しかし、このような多層コーティングは複雑さ及びコストの面で問題を有する。 However, such multilayer coating has a problem in terms of complexity and cost. したがって、OLEDの保護に使用するのに適したバリアコーティングを形成する他の方法が必要である。 Therefore, there is a need for other methods of forming a barrier coating suitable for use in the protection of the OLED.

米国仮特許出願第61/051,265号明細書 U.S. Provisional Patent Application No. 61 / 051,265 米国特許第6,597,111号明細書 US Pat. No. 6,597,111 米国特許第7,187,119号明細書 US Pat. No. 7,187,119 米国特許第7,002,294号明細書 US Pat. No. 7,002,294

一態様において、本発明は表面上にコーティングを形成する方法を提供する。 In one aspect, the present invention provides a method of forming a coating on the surface. この方法は、ポリマー材料と非ポリマー材料との混合物を備えたハイブリッド層を、表面上に堆積する工程を含む。 The method includes a hybrid layer comprising a mixture of a polymeric material and a non-polymeric material, depositing on the surface. ハイブリッド層は単相又は多相を備えてよい。 The hybrid layer may comprise a single phase or multi-phase.

本明細書において使用される「非ポリマー」という用語は、1つの明確な分子量で、明確な1つの化学式を有する分子から形成された材料を示す。 The term "non-polymeric" as used herein, in one distinct molecular weight, indicative of the formation of molecules with a distinct one of Formula material. 「非ポリマー」分子は、著しく大きな分子量を有することが可能である。 "Non-polymeric" molecule can have a significantly larger molecular weight. 一部の状況では、非ポリマー分子は繰り返しユニットを含んでよい。 In some situations, non-polymeric molecules may include repeat units. 本明細書において使用される「ポリマー」という用語は、共有結合している繰り返しサブユニットを有する分子から形成された材料であり、重合反応がそれぞれの分子に対して異なる数の繰り返しユニットをもたらすことにより分子毎に異なる分子量を有する分子から形成された材料を示す。 The term "polymer" as used herein is a material formed of molecules with repeating subunits covalently bound, the polymerization reaction results in repeat units of different numbers for each molecule It shows a material formed of molecules with different molecular weight for each molecule by. ポリマーは、ホモポリマー、及びブロック、グラフト、ランダム又は交互コポリマー等のコポリマー、並びにそれらの混合物及び改質物を含むが、これに限定されるものではない。 Polymers, homopolymers, and block, graft, copolymers such as random or alternating copolymers, and including mixtures and reformate thereof, but is not limited thereto. ポリマーは、炭素又はシリコンのポリマーを含むが、これらに限定されない。 Polymers, including polymers of carbon or silicon, but are not limited to.

本明細書で使用される「ポリマー材料と非ポリマー材料との混合物」は、当業者が、純ポリマーでも純非ポリマーでもないと理解する組成を示す。 As used herein, a "mixture of a polymeric material and a non-polymeric material" refers to a composition by those skilled in the art, be pure polymers understood to not be pure non-polymeric. 「混合物」という用語は、(例えば、もちろんポリマー材料の隙間に存在し得る)付随的な量の非ポリマー材料を含むポリマー材料であるが、当業者が、それでもなお、純ポリマーである考え得るいずれのポリマー材料も除外することを意図したものである。 The term "mixture", one is a (e.g., of course be present in the gaps of the polymeric material) polymeric material comprising a non-polymeric material incidental amounts, those skilled in the art, nevertheless, the possible is pure polymer also of polymeric material are intended to exclude. 同様に、これは、付随的な量のポリマー材料を含む非ポリマー材料であるが、当業者が、それでもなお、純非ポリマーであると考え得るいずれの非ポリマー材料も除外することを意図したものである。 Similarly, this is what is a non-polymeric material comprising incidental amounts of polymeric materials, those skilled in the art, nonetheless, that was also intended to exclude any non-polymeric materials that may considered a pure non-polymeric it is. 場合によっては、ハイブリッド層におけるポリマー材料と非ポリマー材料との重量比が、95:5〜5:95の範囲であり、好ましくは、90:10〜10:90の範囲であり、さらに好ましくは、25:75〜10:90の範囲である。 In some cases, the weight ratio of the polymeric material and the non-polymeric material in the hybrid layer, 95: 5 to 5:95 in the range of 95, preferably 90: 10 to 10: in the range of 90, more preferably, 25: 75-10: in the range of 90.

層のポリマー/非ポリマー組成は、水滴のぬれ接触角度、IR吸収、硬度、及び柔軟性を含む、様々な手法を使用して決定され得る。 Polymer / non-polymeric composition of the layers, wetting contact angle of a water drop, IR absorption, hardness, and flexibility can be determined using various techniques. 場合によっては、ハイブリッド層は30°〜85°の範囲のぬれ接触角度を有し、好ましくは30°〜60°の範囲、更に好ましくは36°〜60°の範囲である。 In some cases, the hybrid layer has a wetting contact angle in the range of 30 ° to 85 °, preferably in the range of range of 30 ° to 60 °, more preferably 36 ° to 60 °. 成膜されたままの膜の表面で決定された場合、ぬれ接触角は、組成の尺度であることに留意されたい。 If it is determined at the surface of the formed left film, the wetting contact angle, it should be noted that a measure of the composition. ぬれ接触角は成膜後の処理によって大きく変化する可能性があるので、このような処理の後の測定は、層の組成を正確に示さない場合もある。 Since the wetting contact angle can vary greatly depending on the process after the film formation, measured after such treatment, it may not show the composition of the layers precisely. これらのぬれ接触角は、有機シリコン前駆体から形成される広範囲の層に適用できると考えられている。 These wetting contact angle is believed to be applicable to a wide range of the layer formed from organosilicon precursors. 場合によっては、ハイブリッド層は、3〜20GPaの範囲の、好ましくは10〜18GPaの範囲のナノインデンテーション硬度を有する。 In some cases, the hybrid layer is in the range of 3~20GPa, preferably have a nanoindentation hardness in the range of 10~18GPa. 場合によっては、ハイブリッド層は0.1nm〜10nmの範囲の、好ましくは0.2nm〜0.35nmの範囲の表面粗度(二乗平均平方根)を有する。 In some cases, the hybrid layer is in the range of 0.1 nm to 10 nm, preferably has a surface roughness ranging 0.2Nm~0.35Nm (root mean square). 場合によっては、ハイブリッド層が50μmの厚さのポリイミド箔基板上に4μmの厚さの層として堆積された場合、ハイブリッド層は、0.2%の引っ張り歪み(ε)、或いは0.1%の引っ張り歪み(ε)における直径1インチのロールでの少なくとも55,000のローリングサイクルの後においても微細構造に関する変化が観察されないという十分な柔軟性を有する。 Sometimes, if the hybrid layer is deposited as a layer of 4μm on a polyimide foil substrate having a thickness of 50μm thickness, the hybrid layer is 0.2% tensile strain (epsilon), or 0.1% It has sufficient flexibility to be changed regarding the microstructure at least after the 55,000 rolling cycles in tensile strain (epsilon) 1 inch diameter roll in is not observed. 場合によっては、ハイブリッド層は、少なくとも0.35%の引っ張り歪み(ε)(当業者が、通常、4μmの純酸化シリコン層にクラックが生じると考える引っ張り歪みレベル)においてもクラックが現われない十分な柔軟性を有する。 In some cases, the hybrid layer is sufficient at least 0.35% of tensile strain (epsilon) cracks does not appear even (those skilled in the art, typically, distortion levels tensile considered cracking in pure silicon oxide layer of 4 [mu] m) having flexibility.

「混合物」という用語は、単相を有する組成物及び多相を有する組成物を含むことを意図する。 The term "mixture" is intended to include compositions and compositions having multiphase having a single phase. したがって、「混合物」は、ポリマーと非ポリマー層が順次に交互に堆積したものを含まない。 Accordingly, "mixture" does not include those polymers and non-polymeric layer are sequentially deposited alternately. 言い換えると、「混合物」とみなされるためには、同じ反応条件及び/又は同じ時間に層が蒸着されなければならない。 In other words, in order to be considered a "mixture", a layer in the same reaction conditions and / or the same time must be deposited.

ハイブリッド層は、前駆体物質の単一の原料を使用した化学気相成長法によって形成される。 Hybrid layer is formed by chemical vapor deposition using a single raw material of the precursor material. 本明細書において、「前駆体物質の単一原料」とは、反応ガスの有無に関係なく、前駆体物質がCVDにより堆積されたときにポリマー材料と非ポリマー材料の両方を形成するために必要なあらゆる前駆体物質を提供する原料を指す。 In the present specification, "single material precursor material", regardless of the reaction gas, necessary for the precursor material to form both polymeric materials and non-polymeric material when deposited by CVD It refers to Do feedstock to provide all precursor materials. これは、ある前駆体物質を使用してポリマー材料が形成され、別の前駆体物質を使用して非ポリマー材料が形成される方法を除外するためのものである。 This is a polymer material using a certain precursor material forms, is intended to exclude a method non-polymeric materials used are form another precursor material. 前駆体物質の単一原料を使用することで、堆積プロセスが簡易化される。 By using a single material of the precursor material, the deposition process is simplified. 例えば、前駆体物質の単一原料は、前駆体物質の流れを分離する必要性、及び分離した流れを提供し制御するという付随する必要性をなくす。 For example, a single raw material of the precursor materials, eliminating the need to separate the flow of precursor materials, and the need for concomitant of controlling providing separate streams.

前駆体物質は単一の化合物であっても、又は化合物の混合物であってもよい。 Precursor material may be a mixture of even a single compound, or a compound. 前駆体物質が化合物の混合物である場合、場合によっては、その混合物の異なる化合物それぞれが単独で独立して前駆体物質としての役割を果たすことができる。 When the precursor material is a mixture of compounds, in some cases, the compounds having different mixture each independently alone can serve as a precursor material. 例えば、前駆体物質はヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)とジメチルシロキサン(DMSO)の混合物であってよい。 For example, the precursor material may be a mixture of hexamethyl disiloxane (HMDSO) and dimethyl siloxane (DMSO).

場合によっては、プラズマCVD(PE−CVD)をハイブリッド層の堆積に使用し得る。 In some cases, it may use a plasma CVD to (PE-CVD) deposition of the hybrid layer. 低温堆積、均一なコーティング形成、及び制御可能な工程パラメータ等、様々な理由によりPE−CVDが好まれ得る。 Low temperature deposition, uniform coating formation, and controllable process parameters, etc., may PE-CVD is preferred for a variety of reasons. RFエネルギーを使用してプラズマを生成するもの等、本発明での使用に適した様々なPE−CVD工程が当技術分野において知られている。 Such as to generate a plasma using RF energy, various PE-CVD process suitable for use in the present invention are known in the art.

前駆体物質とは、化学気相成長法によって堆積された場合に、ポリマー材料と非ポリマー材料の両方を形成することが可能な材料である。 The precursor material, when deposited by chemical vapor deposition, a material capable of forming both a polymeric material and non-polymeric material. こうした様々な前駆体物質が本発明での使用に適し、その様々な特性から選択される。 These various precursor materials suitable for use in the present invention are selected from the various properties. 例えば、前駆体物質は、化学元素のその含量、化学元素の化学量論比、及び/又はCVD下で形成されるポリマー材料と非ポリマー材料によって選択されてよい。 For example, the precursor material, the content of chemical elements, stoichiometry chemical elements, and / or may be selected by the polymeric material and non-polymeric material formed under CVD. 例えば、シロキサン等の有機シリコン化合物が、前駆体物質としての使用に適した化合物の類である。 For example, organic silicon compounds such as siloxane is a class of compounds suitable for use as the precursor material. シロキサン化合物の代表例として、ヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)及びジメチルシロキサン(DMSO)が挙げられる。 Representative examples of siloxane compounds, hexamethyl disiloxane (HMDSO) and dimethyl siloxane (DMSO). CVDによって堆積されたときに、こうしたシロキサン化合物は、シリコーンポリマー等のポリマー材料と酸化シリコン等の非ポリマー材料を形成することができる。 When deposited by CVD, such siloxane compound can form a non-polymeric material such as silicon oxide and a polymeric material such as silicone polymer. また、コスト、非毒性、取扱特性、室温において液相を維持する能力、揮発度、分子量等のその他の様々な特性により、前駆体物質を選択してもよい。 Moreover, the cost, non-toxic, handling characteristics, ability to maintain liquid phase at room temperature, volatility, by various other properties such as molecular weight, may be selected precursor material.

前駆体物質としての使用に適した他の有機シリコン化合物としては、メチルシラン、ジメチルシラン、ビニルトリメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、エチルシラン、ジシラノメタン、ビス(メチルシラノ)メタン、1,2−ジシラノエタン、1,2−ビス(メチルシラノ)エタン、2,2−ジシラノプロパン、1,3,5−トリシラノ−2,4,6−トリメチレン、及びこれらの化合物のフッ素化誘導体が挙げられる。 Other organic silicon compounds suitable for use as a precursor material, methylsilane, dimethylsilane, vinyl trimethylsilane, trimethylsilane, tetramethylsilane, ethylsilane, Jishiranometan, bis (Mechirushirano) methane, 1,2 Jishiranoetan, 1 , 2- bis (Mechirushirano) ethane, 2,2-silanolate propane, 1,3,5 Torishirano 2,4,6-trimethylene, and include fluorinated derivatives of these compounds. 前駆体物質としての使用に適したフェニル基含有の有機シリコン化合物としては、ジメチルフェニルシラン及びジフェニルメチルシランが挙げられる。 The organosilicon compounds of the phenyl group-containing suitable for use as a precursor material, dimethylphenylsilane and diphenylmethyl silane. 前駆体物質としての使用に適した酸素含有の有機シリコン化合物としては、ジメチルジメトキシシラン、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン、1,3−ジメチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ビス(シラノメチレン)ジシロキサン、ビス(1−メチルジシロキサニル)メタン、2,2−ビス(1−メチルジシロキサニル)プロパン、2,4,6,8−テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、2,4,6,8,10−ペンタメチルシクロペンタシロキサン、1,3,5,7−テトラシラノ−2,6−ジオキシ−4,8−ジメチレン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、1,3,5,7,9−ペンタメチルシクロペンタシロキサン、ヘキサメト The organic silicon compound of the oxygen-containing suitable for use as a precursor material, dimethyldimethoxysilane, 1,3,5,7, 1,3-dimethyl disiloxane, 1,1,3, 3-tetramethyldisiloxane, 1,3-bis (silano-methylene) disiloxane, bis (1-disiloxanyl) methane, 2,2-bis (1-disiloxanyl) propane, 2,4 , 6,8-tetramethyl-cyclotetrasiloxane, octamethyl cyclotetrasiloxane, 2,4,6,8,10-pentamethylcyclopentasiloxane, 1,3,5,7 Tetorashirano 2,6-dioxy -4 , 8-dimethylene, hexamethylcyclotrisiloxane, 1,3,5,7,9 pentamethyl cyclopentasiloxane, Hekisameto シジシロキサン、及びこれらの化合物のフッ素化誘導体が挙げられる。 Siji siloxanes, and include fluorinated derivatives of these compounds. 前駆体物質としての使用に適した窒素含有の有機シリコン化合物としては、ヘキサメチルジシラザン、ジメチルシラザン、ジビニルテトラメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン等のシラザン、ジメチルビス(N−メチルアセトアミド)シラン、ジメチルビス−(N−エチルアセトアミド)シラン、メチルビニルビス(N−メチルアセトアミド)シラン、メチルビニルビス(N−ブチルアセトアミド)シラン、メチルトリス(N−フェニルアセトアミド)シラン、ビニルトリス(N−エチルアセトアミド)シラン、テトラキス(N−メチルアセトアミド)シラン、ジフェニルビス(ジエチルアミノキシ)シラン、メチルトリス(ジエチルアミノキシ)シラン、及びビス(トリメチルシリル)カルボジイミドが挙げられる。 The organic silicon compound of the nitrogen-containing suitable for use as a precursor material, hexamethyldisilazane, dimethyl silazane, divinyltetramethyldisilazane, hexamethylcyclotrisilazane silazanes such as dimethyl bis (N- methyl acetamide) silane , dimethyl bis - (N- ethyl-acetamide) silane, methyl vinyl bis (N- methyl acetamide) silane, methyl vinyl bis (N- butyl acetamide) silane, methyl tris (N- phenylacetamide) silane, vinyltris (N- ethylacetamido) silane, tetrakis (N- methyl acetamide) silane, diphenyl bis (diethylamino) silane, methyl tris (diethylamino) silane, and include bis (trimethylsilyl) carbodiimide.

CVDによって堆積された場合、前駆体物質が、前駆体物質の種類、任意の反応ガスの存在、及び他の反応条件によって決まる様々な量の様々な種類のポリマー材料を形成し得る。 When deposited by CVD, the precursor material, the type of precursor material, the presence of any reactant gases, and can form a variety of different types of polymeric materials in an amount determined by the other reaction conditions. ポリマー材料は、無機であっても有機であってもよい。 Polymeric material may be inorganic or organic. 例えば、前駆体物質として有機シリコン化合物が使用される場合、堆積されたハイブリッド層は、ポリシロキサン、ポリカルボシラン、及びポリシランを形成するためのSi−O結合、Si−C結合、又はSi−O−C結合のポリマー鎖、及び有機ポリマーを含み得る。 For example, if the organic silicon compound is used as a precursor material, the deposited hybrid layer, polysiloxanes, polycarbosilanes, and Si-O bonds to form a polysilane, Si-C bonds, or Si-O -C binding of the polymer chains, and may include an organic polymer.

CVDによって堆積された場合、前駆体物質は、前駆体物質の種類、任意の反応ガスの存在、及び他の反応条件によって決まる様々な量の様々な種類の非ポリマー材料を形成し得る。 When deposited by CVD, the precursor material, the type of precursor material, the presence of any reactant gases, and can form various amounts of various types of non-polymeric material that is determined by other reaction conditions. 非ポリマー材料は無機であっても有機であってもよい。 Non-polymeric material may be an organic be inorganic. 例えば、酸素含有反応ガスと組み合わせて、前駆体物質として有機シリコン化合物が使用される場合、非ポリマー材料が、SiO、SiO 及び混合原子価酸化物SiO のような酸化シリコンを含んでよい。 For example, in combination with an oxygen-containing reaction gas, when the organic silicon compound is used as a precursor material, non-polymeric materials, SiO, it may comprise a silicon oxide such as SiO 2 and mixed-valence oxides SiO x. 窒素含有反応ガスと共に堆積された場合、非ポリマー材料が、窒化シリコン(SiN )を含んでよい。 When deposited with a nitrogen-containing reaction gas, a non-polymeric material may include silicon nitride (SiN x). 形成され得る他の非ポリマー材料は、シリコンオキシカーバイド及び酸窒化シリコンを含んでよい。 Other non-polymeric materials that may be formed may comprise silicon oxycarbide and silicon oxynitride.

PE−CVDを使用する場合、前駆体物質は、PE−CVDプロセスで前駆体物質と反応する反応ガスとともに使用されてよい。 When using PE-CVD, the precursor material may be used with the reaction gas that reacts with the precursor material by PE-CVD process. PE−CVDでの反応ガスの使用は当技術分野では周知であり、酸素含有ガス(O 、オゾン、水等)及び窒素含有ガス(アンモニア等)等、様々な反応ガスが本発明での使用に適している。 Use of the reaction gas in the PE-CVD is well known in the art, using an oxygen-containing gas (O 2, ozone, water, etc.) and a nitrogen-containing gas (such as ammonia), etc., various reactive gases in the present invention It is suitable for. 反応ガスを使用することで、反応混合物内に存在する化学元素の化学量論比を変化させることができる。 The reaction gas by using, it is possible to change the stoichiometric ratios of the chemical elements present in the reaction mixture. 例えば、シロキサン前駆体物質を酸素又は窒素含有の反応ガスと一緒に使用した場合、反応ガスは、反応混合物のケイ素及び炭素に対する酸素又は窒素の化学量論比を変化させる。 For example, when using a siloxane precursor material together with the oxygen or nitrogen-containing reactive gas, the reactive gas changes the stoichiometric ratio of oxygen or nitrogen to silicon and carbon in the reaction mixture. 反応混合物の様々な化学元素(ケイ素、炭素、酸素、窒素等)間のこの化学量論的関係は、いくつかの方法で変化し得る。 Various chemical elements of the reaction mixture (silicon, carbon, oxygen, nitrogen, etc.) This stoichiometric relation between may vary in several ways. 1つの方法は、反応における前駆体物質又は反応ガスの濃度を変化させることである。 One method is to vary the concentration of the precursor material or the reaction gas in the reaction. 他の方法は、反応における前駆体物質又は反応ガスの流量を変化させることである。 Another way is to vary the flow rate of the precursor material or the reaction gas in the reaction. 他の方法は、反応で使用する前駆体物質又は反応ガスの種類を変えることである。 Another method is to vary the type of precursor material or a reactive gas used in the reaction.

反応混合物内の元素の化学量論比を変化させることにより、堆積されたハイブリッド層のポリマー材料と非ポリマー材料の特性及び相対量に影響を及ぼすことができる。 By varying the stoichiometric ratio of the elements in the reaction mixture can affect the properties and relative amounts of polymeric materials and non-polymeric materials in the deposited hybrid layer. 例えば、シロキサンガスを様々な量の酸素と結合させ、ハイブリッド層のポリマー材料に対する非ポリマー物質の相対量を調整することができる。 For example, to bind the siloxane gas with varying amounts of oxygen, it is possible to adjust the relative amounts of non-polymeric material in the hybrid layer to the polymeric material. ケイ素又は炭素に対する酸素の化学量論比を増加させることにより、酸化シリコン等の非ポリマー材料の量を増やし得る。 By increasing the oxygen stoichiometry to silicon or carbon, it may increase the amount of non-polymeric material such as silicon oxide. 同様に、酸素の化学量論比を減らすことで、ケイ素及び炭素含有のポリマー材料の量を増やし得る。 Similarly, by reducing the oxygen stoichiometry may increase the amount of silicon and carbon-containing polymeric materials. その他の反応条件を調整することにより、ハイブリッド層の組成も変え得る。 By adjusting the other reaction conditions may alter the composition of the hybrid layer. 例えば、PE−CVDの場合、RF出力及び周波数、堆積力、堆積時間、並びにガス流量といったプロセスパラメータを変化させることが可能である。 For example, in the case of PE-CVD, RF output and frequency, deposition power, deposition time, and it is possible to vary the process parameters such as gas flow rate.

したがって、本発明の方法を使用することにより、ポリマー/非ポリマーのハイブリッド特性で、様々な用途での使用に適した特性を有するハイブリッド層を形成することができる。 Accordingly, by using the method of the present invention, a hybrid properties of the polymer / non-polymeric, it is possible to form a hybrid layer having properties suitable for use in a variety of applications. このような特性は、光透過性(例えば、場合によって、ハイブリッド層は光学的に透明である)、不浸透性、柔軟性、厚さ、接着性、及び他の機械的特性を含む。 Such properties include optical transparency (e.g., in some cases, the hybrid layer is optically transparent), impervious, flexible, thickness, adhesion, and other mechanical properties. 例えば、1つ又は複数のこれらの特性は、ハイブリッド層内のポリマー材料の重量%を、残りの非ポリマー材料と共に、変化させることによって調整され得る。 For example, one or more of these properties, the weight percent of the polymeric material in the hybrid layer, with the rest of the non-polymeric material can be adjusted by varying. 例えば、所望のレベルの柔軟性及び不浸透性を実現するために、wt%のポリマー材料は好ましくは5〜95%の範囲、更に好ましくは10〜25%の範囲であってよい。 For example, in order to achieve the flexibility and impermeability desired level, wt% of the polymeric material is preferably in the range of 5% to 95%, more preferably it may range from 10 to 25%. 但し、用途によっては、他の範囲も可能である。 However, some applications, other ranges are also possible.

酸化シリコン等の純粋に非ポリマー材料から形成されるバリア層は、光透過性、良好な接着性、及び良好な膜応力に関して様々な利点を有することができる。 Barrier layer formed from a purely non-polymeric material, such as silicon oxide, optically transparent, can have a variety of advantages with respect to good adhesion, and good film stress. 但し、こうした非ポリマー層は、層を介して水蒸気及び酸素を拡散させてしまう微視的欠陥を内包する傾向がある。 However, such non-polymeric layers tend containing the microscopic defects resulting by diffusing water vapor and oxygen through the layer. 非ポリマー層に対してある種のポリマー特性を提供することで、純粋な非ポリマー層の有利な特性を著しく変更させることなく、層の浸透性を低下させることが可能である。 By providing certain polymer properties relative to non-polymeric layer, without changing considerably the advantageous properties of pure non-polymeric layer, it is possible to reduce the permeability of the layer. 理論に縛られることを意図するものではないが、ポリマー/非ポリマーのハイブリッド特性を有する層により、欠陥(特に微小クラック)の数及び/又は大きさを減らすことによって層の浸透性が低下すると、本発明者らは考えている。 While not intending to be bound by theory, the layer having a hybrid properties of the polymer / non-polymeric, the permeability of the layer by reducing the number and / or size of the defect (especially microcracks) decreases, the present inventors have thought.

場合によっては、本発明のコーティングは複数のハイブリッド層を有してよく、各ハイブリッド層の組成が独立して変化することが可能である。 Optionally, the coating of the present invention may have a plurality of hybrid layers, it is possible that the composition of the hybrid layer varies independently. 場合によっては、あるハイブリッド層の重量%比率が、コーティングにおける他のハイブリッド層と少なくとも10重量%だけ異なる。 In some cases, the weight% ratio of a hybrid layer differ by at least 10% by weight with other hybrid layer in the coating. 各ハイブリッド層の厚さも、独立して変化することが可能である。 The thickness of each hybrid layer also can be varied independently. ハイブリッド層の堆積に使用する反応条件を順に調整することにより、異なるハイブリッド層を形成することができる。 By adjusting the reaction conditions used for the deposition of the hybrid layer in this order, it is possible to form the different hybrid layer. 例えば、PE−CVDプロセスでは、反応混合物に提供される反応ガスの量を順次に調整することにより、それぞれが分離し異なる組成を有する複数のハイブリッド層を形成することができる。 For example, the PE-CVD process, by adjusting the amount of the reaction gas provided to the reaction mixture sequentially, each capable of forming a plurality of hybrid layers with and different composition separated.

コーティングの組成がある高さから他の高さへ実質的に連続的に変化する領域をコーティングが有する場合、この領域内のハイブリッド層は、極めて薄く、それもコーティング内の最小の分子単位と同じ薄さになり得る。 When having substantially continuously varying coating areas have composition of the coating from a height to another height, hybrid layer in this region is very thin, it is also the same as the smallest molecular unit of the coating It may become thin. 例えば、コーティングは、非ポリマー材料に対するポリマー材料のwt%比率が連続して変動する領域を有してよい。 For example, the coating may have an area wt% ratio of polymeric material to the non-polymeric material varies continuously. 連続的な変化は、線形(例えば、ポリマー材料の非ポリマー材料に対するwt%比が、高さが高くなるにつれて増加し得る)又は非線形(例えば、循環的に増加及び減少する)であってよい。 Continuous change is linear (e.g., wt% ratio to non-polymeric materials of the polymeric material, increasing may as height increases) may be or non-linear (e.g., cyclically increasing and decreasing).

この複数のハイブリッド層が真空下で堆積されている場合、ハイブリッド層の堆積間で真空が破られ得る。 If the plurality of hybrid layers are deposited under vacuum, vacuum can be broken between the hybrid layer deposition. この工程は、層間の不連続部を最小にして形成する、別々に堆積される層の能力を高める場合に有用となり得る。 This step can be useful when formed by a discontinuity between the layers to minimize, enhance the ability of the layer to be separately deposited. 例えば、堆積された層を、真空を破る間に大気中の酸素に触れさせることで、層を酸化させ、その接着性を上げ得る。 For example, the deposited layer, by being exposed to atmospheric oxygen while breaking vacuum, to oxidize the layer may increase its adhesive properties.

複数のハイブリッド層を使用する場合は、次に堆積されるハイブリッド層を、その基礎であるハイブリッド層のエッジ上に延在させることができる(即ち、次に堆積されるハイブリッド層の占有面積は基礎となるハイブリッド層より広くなる)。 When using multiple hybrid layers, the hybrid layer to be subsequently deposited, the area occupied by the underlying can extend over the edges of hybrid layer is (i.e., a hybrid layer is then deposited basis wider than the hybrid layer serving as a). この構成は、環境汚染物(例えば、水分又は酸素)の側方侵入からハイブリッド層のエッジを保護する際に有用となり得る。 This configuration, environmental contaminants (e.g., moisture or oxygen) may be useful in protecting the edges of hybrid layer from the side intrusion. 更に、この複数のハイブリッド層の間に他のポリマー層を配置し得る。 Furthermore, it may place the other polymer layer between the plurality of hybrid layers. 例えば、図21に示した実施形態を参照すると、電子デバイス240は基板242上に実装されたOLED本体244(有機層の積層を含む)を備えている。 For example, referring to the embodiment shown in FIG. 21, the electronic device 240 includes an OLED body 244 mounted on the substrate 242 (including a stack of organic layers). 第1のハイブリッド層250を、OLED本体244のエッジを超えて延びるようにOLED本体244にコーティングする。 A first hybrid layer 250 is coated OLED body 244 so as to extend beyond the edges of OLED body 244. 第1のハイブリッド層250はポリマー層254でコーティングされる。 The first hybrid layer 250 is coated with a polymer layer 254. ポリマー層254は第2のハイブリッド層252でコーティングされ、この第2のハイブリッド層は、ポリマー層254及びOLED本体244のエッジを超えて延びて、基板242の表面と接触する。 Polymer layer 254 is coated with a second hybrid layer 252, the second hybrid layer may extend beyond the edges of the polymeric layer 254 and OLED body 244 and contacts the surface of the substrate 242. 第2のハイブリッド層252は、第1のハイブリッド層250のエッジを覆い隠すことにより、第1のハイブリッド層250からの環境汚染物の側方侵入を防止する。 Second hybrid layer 252, by obscuring the edges of the first hybrid layer 250, preventing lateral ingress of environmental contaminants from the first hybrid layer 250.

ハイブリッド層は、様々なタイプの物品上に堆積されてよい。 Hybrid layer may be deposited on various types of articles. 場合によっては、この部品はOLED等の有機電子デバイスであってよい。 Optionally, the component may be an organic electronic devices such as OLED. OLEDでは、ハイブリッド層が水蒸気及び酸素の浸透を抑えるバリアコーティングとしての役割を果たし得る。 In OLED, the hybrid layer may serve as a barrier coating to reduce the permeation of water vapor and oxygen. 例えば、1日あたり10 −6 g/m 未満の水蒸気透過率及び/又は1日あたり10 −3 cm /m 未満(或いは、場合によっては1日あたり10 −4 cm /m 未満)の酸素透過率を有するハイブリッド層がOLEDを保護するのに適し得る。 For example, 10 -3 cm 3 / m less than 2 per water vapor transmission rate of less than 10 -6 g / m 2 and / or 1 day per day (or, 10 -4 cm 3 / m less than 2 per day in some cases hybrid layer having an oxygen permeability of) may be suitable to protect the OLED. 場合によっては、ハイブリッド層の厚さを、0.1〜10μmの範囲とすることが可能であるが、用途に応じて、それ以外の厚さも使用可能である。 Optionally, the thickness of the hybrid layer, it is possible in the range of 0.1 to 10 [mu] m, depending on the application, it can be used other than thickness. また、光透過性を与える厚さ及び材料組成を有するハイブリッド層が、OLEDとの使用に適したものとなり得る。 The hybrid layer having a thickness and material composition gives the optical transparency, may become suitable for use with OLED. 柔軟なOLEDで使用する場合、ハイブリッド層は、所望の柔軟性を有するように設計されてよい。 When using a flexible OLED, the hybrid layer may be designed to have the desired flexibility. 場合によっては、調合薬、医療機器若しくはインプラント、生物学的作用物質、生物サンプル、バイオセンサー、又は精密測定装置等、環境への暴露によって劣化しやすい他の物品上にハイブリッド層を使用してもよい。 Sometimes, pharmaceuticals, medical devices or implants, be used biological agents, biological samples, biosensors, or accurate measurement device or the like, the hybrid layer over the other articles likely to deteriorate by exposure to environmental good.

場合によっては、ハイブリッド層は、非混合ポリマー層又は非混合非ポリマー層等の、前駆体物質の同じ単一原料を使用することによって形成され得る非混合層と組み合わせて使用してもよい。 In some cases, the hybrid layer, such as a non-mixed polymer layer or unmixed non-polymeric layer, may be used in combination with non-mixed layer may be formed by using the same single material of the precursor material. 非混合層は、ハイブリッド層が堆積される前又はハイブリッド層が堆積された後に堆積してもよい。 Unmixed layer may be deposited after the previous or hybrid layer hybrid layer is deposited is deposited.

本発明の特定の実施形態を使用するために使用可能なPE−CVD装置の概略図を示す。 It shows a schematic diagram of a particular embodiment of the available PE-CVD apparatus for use in the present invention. 一実施形態に係るハイブリッド層の光の透過スペクトルを示す。 The transmission spectrum of light of a hybrid layer according to one embodiment. 膜上の水滴の接触角の測定方法を示す。 Illustrating a method of measuring the contact angle of a water droplet on the film. 様々なO /HMDSOガス流量比下で形成された数個のハイブリッド層の接触角のプロットを示す。 It shows a plot of the contact angles of several hybrid layers formed under various O 2 / HMDSO gas flow ratios. PE−CVDプロセス中に様々な出力レベルの適応下で形成された複数個のハイブリッド層の接触角のプロットを示す。 During PE-CVD process is illustrated a plot of the contact angle of the plurality of hybrid layers formed by the adaptive of varying power levels. 純SiO (熱酸化物)の膜又は純ポリマーの膜と比較した、相対的に高いO 流量及び相対的に低いO 流量を使用して形成されたハイブリッド層の赤外吸収スペクトルを示す。 It was compared with film or neat polymer film of pure SiO 2 (thermal oxide), an infrared absorption spectrum of the hybrid layer formed using a relatively high O 2 flow rate and a relatively low O 2 flow rate . 純SiO 膜の硬度と比較した、様々なO /HMDSOガス流量比下で形成された様々なハイブリッド層のナノインデンテーション硬度のプロットを示す。 Was compared with the hardness of a pure SiO 2 film shows a plot of the nano-indentation hardness of various hybrid layers formed under various O 2 / HMDSO gas flow ratios. 様々なO /HMDSOガス流量比下で形成された数個のハイブリッド層の表面粗度のプロットを示す。 It shows a plot of the surface roughness of the various O 2 / HMDSO gas flow ratios under several hybrid layers formed by. 様々な出力レベル下で形成された数個のハイブリッド層の表面粗度のプロットを示す。 It shows a plot of the surface roughness of several hybrid layers formed under various power levels. 50μmの厚さのKaptonポリイミド箔に堆積された4μmのハイブリッド層の表面の光学顕微鏡写真を示す。 It shows an optical micrograph of the surface of the thickness 4μm hybrid layer deposited on Kapton polyimide foil of 50 [mu] m. 50μmの厚さのKaptonポリイミド箔に堆積された4μmのハイブリッド層の表面の光学顕微鏡写真を示す。 It shows an optical micrograph of the surface of the thickness 4μm hybrid layer deposited on Kapton polyimide foil of 50 [mu] m. 一実施形態に係る封入されたOLEDの一部の断面図を示す。 It shows a partial sectional view of the encapsulated OLED according to one embodiment. バリアコーティングを備えた完成したOLEDの加速環境試験の結果を示す。 The results of the completed accelerated environmental test of OLED with a barrier coating. 他の実施形態に係る封入されたOLEDを示す。 It shows an encapsulated OLED according to another embodiment. 他の実施形態に係るハイブリッド層の断面の走査型電子顕微鏡写真を示す。 It shows a scanning electron micrograph of a cross-section of a hybrid layer according to another embodiment. 他の実施形態に係る封入されたOLEDを示す。 It shows an encapsulated OLED according to another embodiment. 他の実施形態に係るハイブリッド層の断面の走査型電子顕微鏡写真を示す。 It shows a scanning electron micrograph of a cross-section of a hybrid layer according to another embodiment. 他の実施形態に係るハイブリッド層の断面の走査型電子顕微鏡写真を示す。 It shows a scanning electron micrograph of a cross-section of a hybrid layer according to another embodiment. 一条件下で堆積されたハイブリッド層の断面の走査型電子顕微鏡写真を示す。 It shows a scanning electron micrograph of a cross-section of a hybrid layer deposited in one condition. 他の条件下で堆積されたハイブリッド層の断面の走査型電子顕微鏡写真を示す。 It shows a scanning electron micrograph of a cross-section of a hybrid layer deposited under other conditions. ポリイミド基板とその上に堆積された様々なハイブリッド層との間の不整合歪みのプロットを示す。 It shows a plot of mismatch strain between the polyimide substrate and the various hybrid layer deposited thereon. ポリイミド基板とその上に堆積された様々なハイブリッド層との間の不整合歪みのプロットを示す。 It shows a plot of mismatch strain between the polyimide substrate and the various hybrid layer deposited thereon. ポリイミド基板とその上に堆積された様々なハイブリッド層との間の不整合歪みのプロットを示す。 It shows a plot of mismatch strain between the polyimide substrate and the various hybrid layer deposited thereon. 他の実施形態に係る封入されたOLEDを示す。 It shows an encapsulated OLED according to another embodiment. 他の実施形態に係る封入されたOLEDを示す。 It shows an encapsulated OLED according to another embodiment. 他の実施形態に係る封入されたOLEDを示す。 It shows an encapsulated OLED according to another embodiment. 他の実施形態に係る封入されたOLEDを示す。 It shows an encapsulated OLED according to another embodiment. 他の実施形態に係る封入されたOLEDを示す。 It shows an encapsulated OLED according to another embodiment. 他の実施形態に係る封入されたOLEDを示す。 It shows an encapsulated OLED according to another embodiment. 他の実施形態に係る封入されたOLEDを示す。 It shows an encapsulated OLED according to another embodiment. 他の実施形態に係る封入されたOLEDを示す。 It shows an encapsulated OLED according to another embodiment. 他の実施形態に係る封入されたOLEDを示す。 It shows an encapsulated OLED according to another embodiment. 他の実施形態に係る封入されたOLEDを示す。 It shows an encapsulated OLED according to another embodiment. 他の実施形態に係る封入されたOLEDを示す。 It shows an encapsulated OLED according to another embodiment. 他の実施形態に係る封入されたOLEDを示す。 It shows an encapsulated OLED according to another embodiment. 他の実施形態に係る封入されたOLEDを示す。 It shows an encapsulated OLED according to another embodiment. 他の実施形態に係る封入されたOLEDを示す。 It shows an encapsulated OLED according to another embodiment. 他の実施形態に係る封入されたOLEDを示す。 It shows an encapsulated OLED according to another embodiment. ハイブリッド層をコーティングする間、基板ホルダー上に保持されるOLEDを示す。 During coating the hybrid layer, shows an OLED that is held on the substrate holder. OLEDにハイブリッド層をコーティングする方法を示す。 Illustrating a method of coating a hybrid layer OLED. OLEDにハイブリッド層をコーティングする方法を示す。 Illustrating a method of coating a hybrid layer OLED. OLEDにハイブリッド層をコーティングする方法を示す。 Illustrating a method of coating a hybrid layer OLED. OLEDにハイブリッド層をコーティングする他の方法を示す。 It shows another method of coating a hybrid layer OLED. 単一の基板シート上に複数のOLEDを形成する方法を示す。 Illustrating a method of forming a plurality of OLED on a single substrate sheet. 単一の基板シート上に複数のOLEDを形成する方法を示す。 Illustrating a method of forming a plurality of OLED on a single substrate sheet. 単一の基板シート上に複数のOLEDを形成する方法を示す。 Illustrating a method of forming a plurality of OLED on a single substrate sheet. OLEDのカットエッジにコーティングする方法を示す。 Illustrating a method of coating the cut edges of the OLED. OLEDのカットエッジにコーティングする他の方法を示す。 It shows another method for coating the cut edge of the OLED. 単一の基板シート上に複数のOLEDを形成する他の方法を示す。 It shows another method of forming a plurality of OLED on a single substrate sheet. 単一の基板シート上に複数のOLEDを形成する他の方法を示す。 It shows another method of forming a plurality of OLED on a single substrate sheet. ハイブリッド層の堆積時にOLEDから熱を逃がす方法を示す。 It shows a method for releasing heat from the OLED when the hybrid layer deposition.

様々なタイプのCVD炉のいずれかを使用して、本発明の方法を実現できる。 Using any of a variety of types of CVD reactors can be realized a method of the present invention. 一例として、図1は、本発明の特定の実施形態を実現するために使用できるPE−CVD装置10を示す。 As an example, Figure 1 shows a PE-CVD apparatus 10 that can be used to achieve a particular embodiment of the present invention. PE−CVD装置10は、反応室20を備え、ここでは電子デバイス30がホルダー24上に取付けられる。 PE-CVD apparatus 10 includes reaction chamber 20, here mounted to the electronic device 30 is a holder 24 on. 反応室20は真空を含むように設計され、真空ポンプ70が反応室20に接続され、適切な圧力とする及び/又は適切な圧力を維持する。 The reaction chamber 20 is designed to include a vacuum, the vacuum pump 70 is connected to the reaction chamber 20, to maintain and / or suitable pressure with the appropriate pressure. ガスタンク50は、パージ装置10にN ガスを提供する。 N 2 gas tank 50 provides a N 2 gas purge device 10. 反応室20は更に、反応によって生じる熱を減らすための冷却システムを含んでよい。 The reaction chamber 20 may further include a cooling system for reducing the heat generated by the reaction.

ガスの流れを操作するために、装置10はまた、手動又は自動制御であり得る様々な流れ制御装置(質量流量制御装置80、遮断弁82、及び逆止め弁84等)を含む。 To manipulate the flow of gas, the apparatus 10 also includes a manual or various flow control device which may be automatically controlled (mass flow controller 80, isolation valve 82, and check valve 84, etc.). 前駆体物質源40は、蒸発されて反応室20内に供給される前駆体物質(例えば、液状のHMDSO)を提供する。 Precursor material source 40 provides a precursor material supplied is vaporized in the reaction chamber 20 (e.g., liquid HMDSO). 場合によっては、アルゴン等の搬送ガスを使用して、前駆体物質を反応室20に搬送できる。 In some cases, using a carrier gas such as argon, it can transfer the precursor material into the reaction chamber 20. 反応ガスタンク60は反応ガス(例えば、酸素)を提供し、これも反応室20に送られる。 The reaction gas tank 60 provides a reactive gas (e.g., oxygen), which is also fed to the reaction chamber 20. 前駆体物質と反応ガスが反応室20に流れ込み、反応混合物42を形成する。 The reaction gas and the precursor material flows into the reaction chamber 20 to form a reaction mixture 42. 前駆体物質と反応ガスは別々に反応室20に流れ込んでも、又は反応室20に入る前に前もって混合されてもよい。 Also it flows into the precursor material and the reaction gas are separately reaction chamber 20, or may be pre-mixed before entering the reaction chamber 20. 反応室20内の圧力を更に調整して、堆積圧を実現してもよい。 Further adjusting the pressure in the reaction chamber 20, it may be realized the deposition pressure. 反応室20は、導体又は絶縁体であり得る電極スタンドオフ26上に取付けられた一組の電極22を含む。 The reaction chamber 20 includes a pair of electrodes 22 mounted on electrode standoffs 26 which may be a conductor or insulator. デバイス30と電極22の様々な配置が可能である。 Various arrangements of the device 30 and the electrode 22 are possible. 二極管若しくは三極管の電極、又は遠隔電極を使用し得る。 Bipolar tube or triode electrodes, or using a remote electrode. 図1に示すように、デバイス30は、離れて位置してよく、又は、二極管構成の一方若しくは両方の電極上に取付けられてもよい。 As shown in FIG. 1, the device 30 may be located remotely, or may be mounted on one or both of the electrodes of the bipolar tube configuration.

反応混合物42内にプラズマ条件を作り出すために、電極22にRF出力が供給される。 To create plasma conditions in the reaction mixture 42, RF power is supplied to the electrode 22. プラズマによって形成された反応生成物が電子デバイス30上に堆積される。 Reaction products formed by the plasma is deposited on the electronic device 30. 電子デバイス30上にハイブリッド層を堆積するために十分な時間の間、この反応が進行されてよい。 For a time sufficient to deposit a hybrid layer to the electronic device 30 on, the reaction may be advanced. 反応時間は、電極22に対するデバイス30の位置、堆積させるハイブリッド層の種類、反応条件、ハイブリッド層の所望の厚さ、前駆体物質、及び反応ガス等、様々な要因に依存する。 The reaction time, the position of the device 30 to the electrode 22, the type of hybrid layer deposited, the reaction conditions, the desired thickness of the hybrid layer, the precursor material, and reaction gas or the like, depending on various factors. 反応時間は5秒から5時間までの期間が可能であるが、用途に応じて、これよりも長い又は短い時間も使用可能である。 The reaction time can be a period of from 5 seconds to 5 hours, depending on the application, it can also be used longer or shorter than this.

以下の表1は、3つの実施例によるハイブリッド層を形成するために使用された反応条件を示す。 Table 1 below shows the reaction conditions used to form a hybrid layer according to three embodiments. 水滴のぬれ接触角から決定された際に、実施例1のハイブリッド層は、約7%のポリマー材料と93%の非ポリマー材料を含むものであった。 When it is determined from the wetting contact angle of a water droplet, the hybrid layer of Example 1, were those containing about 7% of polymeric material and 93% of the non-polymeric material. 水滴のぬれ接触角から決定された際に、実施例2のハイブリッド層は、約94%のポリマー材料及び6%の非ポリマー材料を含むものであった。 When it is determined from the wetting contact angle of a water droplet, the hybrid layer of Example 2, was comprised of about 94% polymeric material and 6% of non-polymeric material. 水滴のぬれ接触角から決定された際に、実施例3のハイブリッド層は、約25%のポリマー材料及び75%の非ポリマー材料を含むものであった。 When it is determined from the wetting contact angle of a water droplet, the hybrid layer of Example 3 was comprised of about 25% polymeric material and 75% of non-polymeric material. 実施例1〜3のそれぞれにおいては、堆積プロセスを通して反応条件は一定に維持され、ハイブリッド層は、全体を通して均質な組成を持つ単一相にある。 In each of Examples 1 to 3, the reaction conditions throughout the deposition process is kept constant, the hybrid layer is in a single phase with a homogenous composition throughout. また、実施例1〜3に示したように、ハイブリッド層は、厚さが少なくとも800Åにわたって、場合によっては、厚さが800Å〜60,000Åの範囲にわたって均質な組成を持つ単一相となり得る。 Further, as shown in Example 1-3, the hybrid layer, over a thickness of at least 800 Å, in some cases, the thickness may be single phase with a homogenous composition over a range of 800A~60,000A. しかし、他の実施形態では、前述のように反応条件を変化させることにより、ハイブリッド層は、それぞれが異なる組成を有する複数の異なる副層を用いて、複数の相を持つことができる。 However, in other embodiments, by changing the reaction conditions as described above, the hybrid layer can be respectively using a plurality of different sub-layers having different compositions, having a plurality of phases.

図2は、実施例3のハイブリッド層の光透過率スペクトルを示す。 Figure 2 shows the light transmittance spectrum of the hybrid layer of Example 3. 近紫外線から近赤外線スペクトルにおいて、このハイブリッド層は90%を超える透過率を有する。 In the near infrared spectrum from the near ultraviolet, the hybrid layer has a transmittance greater than 90%. 図3は、膜上における水滴の接触角の算出方法を示す。 Figure 3 illustrates a method of calculating the contact angle of a water droplet on the film. 図4は、純SiO 膜及び純ポリマー膜の接触角と比較した、様々なO /HMDSOガス流量下において形成された複数のハイブリッド層の接触角のプロットである。 4, compared to the contact angle of pure SiO 2 film and the net polymer film, is a plot of the contact angles of several hybrid layers formed in a variety of O 2 / HMDSO gas flow rate under. ハイブリッド層の接触角は、堆積プロセスの酸素流量が増えるのに伴い、純SiO 膜の接触角度に接近している。 The contact angle of the hybrid layer, as the oxygen flow rate of the deposition process increases, approaching the contact angle of pure SiO 2 film.

図5は、PE−CVDプロセスの間において適用される様々な出力レベル下で形成された複数のハイブリッド層の接触角のプロットである。 Figure 5 is a plot of the contact angles of several hybrid layers formed under various power levels applied during the PE-CVD process. 出力レベルが増加するにつれて、ハイブリッド層の接触角が、純SiO 膜のそれに接近しているが、これは、高い出力レベルが、O を強い酸化剤にするという事実によるものと考えられる。 As the output level increases, the contact angle of the hybrid layer, it is close to that of pure SiO 2 film, which is higher output levels, presumably due to the fact that the O 2 in the strong oxidizing agent. 図6は、純SiO (熱酸化物)又は純ポリマーの膜と比較した、相対的に大きなO 流量及び相対的に小さなO 流量を使用して形成されたハイブリッド層の赤外線吸収スペクトルを示す。 6, compared to pure SiO 2 (thermal oxide) or pure polymer film, an infrared absorption spectrum of the relatively large O 2 flow rate and a relatively small flow rate of O 2 hybrid layer formed using the show. 高O ハイブリッド層は、Si−O−Si結合における強いピークを示す。 High O 2 hybrid layer shows a strong peak at Si-O-Si bonds. 熱酸化物(純SiO )膜に対するSi−CH 結合でのわずかなピークは、Si−O振動に関連すると考えられる。 Slight peak at Si-CH 3 bond with respect to thermal oxide (pure SiO 2) film is believed to be related to the SiO vibration. 図7は、純SiO 膜の硬度と比較した、様々なO /HMDSOガス流量下において形成された様々なハイブリッド層のナノインデンテーション硬度のプロットである。 7, was compared with the hardness of a pure SiO 2 film, is a plot of the nano-indentation hardness of various hybrid layers formed in a variety of O 2 / HMDSO gas flow rate under. 堆積プロセスにおける酸素流量が増加するにつれてハイブリッド層の硬度が増加し、これらのハイブリッド層は、靭性を有し高い柔軟性があるにもかかわらず、硬い純SiO 膜と同程度となることが可能である。 Hardness of the hybrid layer is increased as the oxygen flow rate increases in the deposition process, these hybrid layers, despite the high flexibility has toughness, can be a stiff pure SiO 2 film and the same degree it is.

図8は、原子間力顕微鏡法によって測定された、様々なO /HMDSOガス流量下で形成された複数のハイブリッド層の表面粗度(二乗平均平方根)のプロットであり、堆積プロセスで使用されるO 流量が増加するとともに、表面粗度が減少することを示す。 8 was measured by atomic force microscopy, is a plot of the surface roughness (root mean square) of the various O 2 / HMDSO gas flow rate under a plurality of hybrid layers formed in, it is used in the deposition process with O 2 flow rate increases that indicate that the surface roughness is reduced. 図9は、原子間力顕微鏡法によって測定された、様々な出力レベル下で形成された複数のハイブリッド層の表面粗度(二乗平均平方根)のプロットであり、堆積プロセスで使用される出力レベルが増加するとともに、表面粗度が減少することを示す。 9 was measured by atomic force microscopy, is a plot of the surface roughness (root mean square) of the plurality of hybrid layers formed under various power levels, the output level to be used in the deposition process with increasing, indicating that the surface roughness is reduced.

図10A及び図10Bは、厚さ50μmのKaptonポリイミド箔上の4μmのハイブリッド層(上記実施例3の同じ原料温度、ガス流量、圧力、及びRF出力下で堆積された)の表面の光学顕微鏡写真を示す。 10A and 10B, the hybrid layer of 4μm on Kapton polyimide foil having a thickness of 50 [mu] m (the same material temperature of Example 3, the gas flow rate, pressure, and RF output under deposited at) optical micrograph of the surface of the It is shown. 図10Aに示す画像は、コーティングされた箔が直径1インチのロール(引っ張り歪みε=0.2%)でのローリングサイクルにさらされる前後に得られたものである。 Image shown in FIG. 10A are those obtained before and after the coated foil is exposed to a rolling cycle on a 1 inch diameter roll (tensile strain ε = 0.2%). 58,600のローリングサイクルの後で、微細構造の変化は観察されなかった。 After rolling cycle of 58,600, the change in the microstructure was observed. 図10Bでは、コーティングされた箔が、増加する引っ張り歪みにさらされ、画像が、第1のクラッキングが現われた後(14mmのロール直径)及び大きなクラッキングの後(2mmのロール直径)に得られた。 In FIG. 10B, the coated foil is exposed to tensile strain increases, the image was obtained after first cracking appeared after and large cracking (14 mm roll diameter) (roll diameter of 2 mm) . これらの柔軟性の結果は、本発明の方法が、高い柔軟性を有するコーティングを提供することが可能であることを示す。 The results of these flexible, indicates that the method of the present invention, it is possible to provide a coating having a high flexibility.

図11は、封入されたOLED100の一部の断面図を示し、このOLED100は基板150上のOLEDプロパー140と、バリアコーティング110としての上記実施例3のハイブリッド層とを含む。 Figure 11 shows a cross-sectional view of a portion of OLED100 sealed, this OLED100 includes the OLED proper 140 on the substrate 150, and a hybrid layer of Example 3 as a barrier coating 110. 図12は、バリアコーティングを備えた完成したOLEDの加速環境試験の結果を示す。 Figure 12 shows the results of accelerated environmental tests of the finished OLED with a barrier coating. 底部発光OLED及び透明OLEDは両方とも、実施例3の厚さ6μmのハイブリッド層でコーティングされた。 Both bottom emitting OLED and transparent OLED is coated with a hybrid layer of thickness 6μm of Example 3. 次に、温度65℃及び相対湿度85%の環境チャンバ内にデバイスが格納された。 The device is stored in a temperature 65 ° C. and a relative humidity of 85% within the chamber. 画像は、初めの時点及び指示された時間間隔の後でのOLEDの状態を示す。 The images show the state of the OLED after the beginning of time and indicated time intervals. OLEDは1000時間をはるかに超えて機能し続けた。 OLED continued to function far beyond the 1000 hours. したがって、環境暴露の劣化の影響から効果的に保護するコーティングを本発明の方法により提供可能であることが示された。 Therefore, it has been shown that can be provided by the method of the present invention the coating to effectively protect from the effects of degradation of environmental exposure.

電子デバイスの環境バリアとしてハイブリッド層が使用される場合、ハイブリッド層は、電子デバイスが配置される表面、電子デバイスのカバー、又はその両方としての役割を果たし得る。 If the hybrid layer as an environmental barrier electronic devices are used, the hybrid layer, the surface of the electronic device is arranged, the cover of the electronic device, or may serve as both. 例えば、一つのハイブリッド層を電子デバイスの上に堆積することでこれを覆うことができ、他のハイブリッド層を電子デバイスの下の基板上に堆積することで電子デバイスが配置される表面を提供することができる。 For example, to provide a surface that can be covered this by depositing one hybrid layer on the electronic device, an electronic device by depositing another hybrid layer on the substrate underneath the electronic device is arranged be able to. このようにして、2つのハイブリッド層の間に電子デバイスが密閉される。 In this way, the electronic device between the two hybrid layers is sealed.

例えば、図13に示す実施形態を参照すると、封入されたOLED160は、基板150とそこに堆積されたハイブリッド層162とを含む。 For example, referring to the embodiment shown in FIG. 13, OLED160 encapsulated includes a hybrid layer 162 deposited thereon and the substrate 150. OLED(電極を含む)の本体140が、ハイブリッド層162の表面に配置される。 Body 140 of the OLED (including the electrodes) is disposed on the surface of hybrid layer 162. もう1つのハイブリッド層164(ハイブリッド層162と同じ組成を有していても、有していなくてもよい)が、コンフォーマルなコーティングとしてOLED本体140上に堆積される。 (May have the same composition as the hybrid layer 162 has may not) Another hybrid layer 164 is deposited over OLED body 140 as a conformal coating. したがって、ハイブリッド層164は、OLED本体140の上面を覆うことに加え、OLED本体140の側面を下方に延びて、ハイブリッド層162の表面と接する。 Thus, the hybrid layer 164, in addition to covering the upper surface of the OLED body 140, extending the sides of OLED body 140 downward in contact with the surface of hybrid layer 162. このようにして、OLED本体140がハイブリッド層162とハイブリッド層164との間に挟まれる。 In this way, OLED body 140 is sandwiched between the hybrid layer 162 and the hybrid layer 164.

特定の実施形態では、表面とハイブリッド層との間の界面結合を増加するために、ハイブリッド層を堆積する前に、ハイブリッド層が堆積される表面を前処理してよい。 In certain embodiments, in order to increase the interfacial bonding between the surface and the hybrid layer, before depositing the hybrid layer may be pretreated surfaces hybrid layer is deposited. 表面の前処理を行うことにより、表面の接着性の強化、表面の化学的性質の改善(例えば、表面の活性化)、表面粗度の変更、表面エネルギーの増大、表面の平坦化、及び/又は表面の洗浄等、様々な表面特性を改善することができる。 By performing the pretreatment of the surface, enhance adhesion of the surface, improving the surface chemistry (e.g., surface activation), changes in surface roughness, increase of the surface energy, surface planarization, and / or cleaning of the surface, it is possible to improve various surface properties. 表面とハイブリッド層との間の界面結合を増加させることにより、この機構は、ハイブリッド層のエッジからの環境汚染物(水分又は酸素等)の側方拡散を減らすのに有用となり得る。 By increasing the interfacial bond between the surface and the hybrid layer, this mechanism can be useful in reducing the lateral diffusion of environmental contaminants from the edges of the hybrid layer (moisture or oxygen).

表面とハイブリッド層との間の界面結合を増大することが可能な種々の表面処理が本発明での使用に適している。 Various surface treatment capable of increasing the surface bond between the surface and the hybrid layer are suitable for use in the present invention. 例として、機械的摩耗、化学的処理(例えば、酸化剤への暴露、官能基の導入による活性化)、又は物理化学的処理(例えば、プラズマへの露出、コロナ放電、又はUV照射)等が挙げられる。 As an example, mechanical wear, chemical treatment (e.g., exposure to oxidizing agents, activated by introduction of a functional group), or a physicochemical treatment (e.g., exposure to plasma, corona discharge, or UV irradiation) and the like and the like. プラズマ処理を使用する場合は、ハイブリッド層の堆積に使用されるのと同じチャンバ内で処理を行うことも、別個の装置内でプラズマ処理を行うこともできる。 When using a plasma treatment, by performing the process in the same chamber as used for the deposition of the hybrid layer may also be subjected to plasma treatment in a separate device. 別個の装置内で処理を行う場合は、バレル型プラズマシステムや平行板型プラズマシステム等、当技術分野において周知である種々のプラズマ処理装置のいずれも使用できる。 When performing the processing in a separate device, a barrel-type plasma system and a parallel plate type plasma system or the like, any of a variety of plasma processing apparatus is known in the art can be used.

プラズマ処理において従来から使用されている種々ガスのいずれも表面の前処理に適すると考えられ、例として、酸素、水素、窒素、アルゴン、アンモニア、又はこれらの混合物等が挙げられる。 Any of a variety gas conventionally used in the plasma treatment is believed to be suitable for pre-treatment of the surface, as an example, oxygen, hydrogen, nitrogen, argon, ammonia, or mixtures thereof. 特に好ましいガスとしては、酸素やアルゴンがある。 Particularly preferred gas is oxygen or argon. 異なるガスを使用することで、表面を様々に修正し得る。 By using different gas, may variously modify the surface. 例えば、アルゴンガスを用いたプラズマ処理では、表面をアルゴンイオンで照射する。 For example, a plasma treatment using argon gas, the surface is irradiated with argon ions. アルゴンイオンは、表面を洗浄すること、又は表面を原子スケールで粗くすることが可能であり、これによりハイブリッド層へのその接着能力が改善される。 Argon ions, washing the surface or surfaces it is possible to roughen an atomic scale, which its adhesion ability to the hybrid layer is improved by. 酸素を用いたプラズマ処理では、ハイブリッド層との結合を形成し得る酸素含有官能基を使用して表面を化学的に活性化することが可能である。 Plasma treatment using oxygen, it is possible to chemically activate the surface using an oxygen-containing functional group capable of forming a bond with the hybrid layer. 所望の表面特性を達成するために、プラズマ処理プロセスの他の各種パラメータを調整することが可能であり、例として、出力、周波数、継続時間、圧力、温度等のパラメータが挙げられる。 To achieve the desired surface properties, it is possible to adjust the other various parameters of the plasma treatment process, as an example, output, frequency, duration, pressure, and parameters such as temperature.

場合によっては、表面とハイブリッド層との間に介在層を配置させることで、表面を前処理し得る。 In some cases, by arranging the intermediate layer between the surface and the hybrid layer can pretreated surface. 介在層は、表面とハイブリッド層との間の界面結合を改善する役割を果たし得る種々の材料を含む。 Intervening layer includes a variety of materials may serve to improve the interfacial bonding between the surface and the hybrid layer. 例えば、介在層での使用に適した材料には、窒化シリコン、クロム、チタン、ニッケルチタン合金、又は誘電体が挙げられる。 For example, materials suitable for use in intermediate layers, silicon nitride, chromium, titanium, nickel titanium alloys, or dielectric thereof. この層は、化学気相成長法、プラズマ蒸着、又はスパッタリング等、薄膜の堆積に従来使用されている様々な手法のいずれかを使用して堆積され得る。 This layer is deposited using chemical vapor deposition, plasma deposition, or sputtering may be deposited using any of various techniques conventionally used in the deposition of thin films. 介在層の厚さは、特定の用途に応じて変動する。 The thickness of the intermediate layer varies depending on the particular application. 場合によっては、介在層は単原子層であっても単分子層であってもよく、又は最大50nmの厚さを有し得るが、他の例ではこれ以外の厚さも可能である。 In some cases, the intervening layer may be a monolayer may be a single atomic layer, or may have a thickness of up to 50nm, in other examples are possible other thickness. 介在層内の材料は、介在層の上または下にある層又は構造内の材料と化学反応を起こし得る。 Material intervening layers may cause material and chemical reaction layers or structure above or below the intermediate layer.

図14は、エッチングされたシリコンウエハに堆積されたハイブリッド層の断面の走査電子顕微鏡写真(SEM)を示す。 Figure 14 shows a scanning electron micrograph of a cross-section of a hybrid layer deposited on the etched silicon wafer (SEM). シリコンウエハのエッチングされていない部分(ステップ高5μmで隆起したエッジとして、図14の左側に示される)が、シリコンウエハのエッチング中にエッチングマスクとしても機能する80nmのクロム膜でコーティングされている。 (As the edge of the raised at step height 5 [mu] m, are shown on the left side of FIG. 14) unetched portions of the silicon wafer is coated with a chromium film of 80nm, which also functions as an etching mask during the etching of the silicon wafer. シリコンウエハのエッチングされた部分(図14の右側に示す)は、クロム膜で前処理されていない。 Etched portion of the silicon wafer (shown on the right side of FIG. 14) is not pretreated with a chromium film. ハイブリッド層は、以下の条件下で、シリコンウエハの両方の部分の上にPE−CVDによって堆積されている。 Hybrid layer, under the following conditions, are deposited by PE-CVD on both portions of the silicon wafer.

断続的な堆積プロセスの加熱及び冷却サイクルを通しての、シリコンウエハ基板の平均温度は、80℃より高かった(開始温度は約22℃、終了温度は約160℃)。 Through heating and cooling cycles of the intermittent deposition process, the average temperature of the silicon wafer substrate was higher than 80 ° C. (starting temperature of about 22 ° C., end temperature of about 160 ° C.). クロム処理表面上では、ハイブリッド層が緻密な微細構造を有した。 On chroming the surface, the hybrid layer having a dense microstructure. しかしながら、処理されていない表面上では、バリア層は一様でない、円柱状の微細構造を有する。 However, on the surface not treated, the barrier layer is not uniform, with a columnar microstructure. 形態学的差異に基づくと、クロム処理表面上のハイブリッド層(緻密な微細構造を有する)は、処理されていない表面上に堆積されたハイブリッド層と比較して、水分及び酸素に対する浸透性が低いと予想される。 Based on morphological differences (having a dense microstructure) hybrid layer over the chromium treated surface, as compared to the hybrid layer deposited on a surface that is not treated, low permeability to moisture and oxygen It is expected to be.

場合によっては、介在層は、1つ又は複数の平坦化副層と1つ又は複数の接着促進副層を含む多層構造であってよい。 In some cases, the intervening layer may be a multilayer structure comprising one or more flattened sublayers and one or more adhesion promoting sublayer. 例えば、米国特許第6,597,111号明細書(Silvernailら)及び米国特許第7,187,119号明細書(Weaver)では、交互に連続するポリマー平坦化副層と高密度副層とから形成されるバリア層について説明している。 For example, in U.S. Patent No. 6,597,111 (Silvernail et al.) And U.S. Pat. No. 7,187,119 (Weaver), and a high density sublayer and a polymeric planarizing sublayer successive alternating that describes a barrier layer formed. ポリマー平坦化副層は、滑らかな表面を形成するポリマー平坦化材料を含む。 Polymeric planarizing sublayer comprises a polymeric planarizing material to form a smooth surface. 環境汚染物の拡散が防止されるように、高密度副層は、原子の間隔が十分に近接した高密度材料(例えば、無機、セラミック、又は誘電材料)を含む。 As the diffusion of environmental contaminants is prevented, dense sublayer comprises dense material spacing atoms are sufficiently close (e.g., inorganic, ceramic, or a dielectric material) to. 他の実施例では、介在層は、スピンコーティングされたポリマー層とハイブリッド層(上記の方法で堆積される)の多重交互層、SiN 層とハイブリッド層の多重交互層、又はスピンコーティングされたポリマー層とSiN 層の多重交互層を備えてよい。 In other embodiments, the intervening layer, multiple alternating layers, multiple alternating layers of SiN x layer and hybrid layer of the polymer layer and hybrid layer that is spin-coated (deposited in the manner described above), or spin-coated polymer it may comprise multiple alternating layers of the layer and the SiN x layer.

例えば、図15に示された実施形態を参照すると、電子デバイス176は、ポリマー材料の平坦化副層170でコーティングされた基板150を備えている。 For example, referring to the embodiment shown in FIG. 15, the electronic device 176 comprises a substrate 150 coated with the planarizing sublayer 170 of polymeric material. 平坦化副層170上には接着促進副層172が堆積される。 Adhesion promoting sub-layer 172 is deposited on the planarization sublayer 170. 接着促進副層172の表面上にはOLEDの本体140(電極を含む)が配置される。 On the surface of the adhesion promoting sublayer 172 (including the electrodes) body 140 of the OLED are arranged. 更に、OLED本体140上には、コンフォーマルコーティングとしてハイブリッド層174が堆積される。 Furthermore, on the OLED body 140, hybrid layer 174 is deposited as a conformal coating. したがって、ハイブリッド層174は、OLED本体140の上面を覆うことに加え、OLED本体140の側面の下方にも広がり接着促進副層172の表面と接する。 Thus, the hybrid layer 174, in addition to covering the upper surface of the OLED body 140 in contact with the adhesion-promoting surface sublayer 172 also spreads downward side of OLED body 140. このようにして、ハイブリッド層174と接着促進副層172との間の接着により、界面領域を介した環境汚染物の側方拡散を減らすことが可能である。 In this way, the adhesion between the hybrid layer 174 and the adhesion promoting sublayer 172, it is possible to reduce the lateral diffusion of environmental contaminants through the interfacial region.

前述のように、堆積条件を変更することにより、構造、組成、及び/又は特性の異なるハイブリッド層を提供することができる。 As described above, by changing the deposition conditions, it is possible to provide the structure, composition, and / or different hybrid layer characteristics. ここで言う特性には、環境汚染物に対するその浸透性やハイブリッド層が堆積される表面に対するその接着能力が含まれる。 The characteristics mentioned herein, includes its ability to adhere to the surface of the permeable and hybrid layer against environmental contaminants are deposited. 場合によっては、堆積温度を制御して(例えば、基板の加熱及び冷却によって)、ハイブリッド層の浸透性を低減することができる。 In some cases, to control the deposition temperature (e.g., by heating and cooling of the substrate), it is possible to reduce the permeability of the hybrid layer. 図16A及び16Bは、エッチングされたシリコンウエハ上に堆積されたハイブリッド層の断面の走査型電子顕微鏡写真(SEM)を示す。 16A and 16B show etched is deposited on a silicon wafer was cross-sectional scanning electron micrograph of hybrid layer (SEM). シリコンウエハのエッチングされていない部分(高くなったエッジとして図16A及び16Bの右側に示される)は、シリコンウエハのエッチング中にエッチングマスクとしても機能するクロムの薄膜で覆われた。 Unetched portions of the silicon wafer (shown on the right side of FIGS. 16A and 16B as raised edges) are covered with a thin film of chromium, which also functions as an etching mask during the etching of the silicon wafer. シリコンウエハのエッチング部(図16A及び16Bの左側に示される)は、クロム薄膜で前処理されていない。 Etching portions of the silicon wafer (shown on the left side of FIGS. 16A and 16B) are not pretreated with a chromium thin film. シリコンウエハの両方の部分にPE−CVDによって以下の条件でハイブリッド層が堆積された。 Hybrid layer is deposited under the following conditions to both parts of the silicon wafer by PE-CVD.

断続的な堆積プロセスの加熱及び冷却サイクルにおけるシリコンウエハ基板の平均温度は約35℃であった。 The average temperature of the silicon wafer substrate in the heating and cooling cycles of the intermittent deposition process was about 35 ° C.. 断続的な堆積プロセスにおいて、堆積温度を制御する方法の1つは、加熱及び/又はサイクルの回数又は継続時間を調整することである。 In intermittent deposition process, one way of controlling the deposition temperature is to adjust the number or duration of heating and / or cycle. したがって、加熱サイクルの継続時間を短縮し、冷却サイクルの回数を増やして、このハイブリッド層は堆積されたので、平均堆積温度は、図14に示したハイブリッド層の堆積に使用される温度よりも低かった。 Therefore, to shorten the duration of the heating cycle by increasing the number of cooling cycles, this hybrid layer was deposited, the average deposition temperature is lower than the temperature used in the deposition of the hybrid layer shown in FIG. 14 It was. 結果として、シリコンウエハのクロム処理表面と非処理表面の両方の上のハイブリッド層は、一様でない、円柱状の構造を有する。 As a result, the hybrid layer over both the chromium treated surface and the untreated surface of the silicon wafer is not uniform and has a cylindrical structure. また、ステップの側面上の被覆率が低い。 Further, a low side on coverage steps. したがって、ある特定の範囲内の高い堆積温度を使用して形成されたハイブリッド層は、低い堆積温度を使用して形成されたハイブリッド層よりも浸透性が低くなることが予想される。 Thus, certain hybrid layer formed using a higher deposition temperatures within the range, the permeability is expected to be lower than the hybrid layer formed using a lower deposition temperature. 場合によっては、ハイブリッド層は40℃〜90℃の範囲の堆積温度で堆積される。 In some cases, the hybrid layer is deposited at a deposition temperature ranging from 40 ° C. to 90 ° C..

場合によっては、堆積出力を制御することにより、ハイブリッド層の浸透性を下げることができる。 In some cases, by controlling the deposition output, it is possible to reduce the permeability of the hybrid layer. 図17Aは、底部発光OLEDスタック上に堆積されたハイブリッド層の断面の走査型電子顕微鏡写真(SEM)を示す。 Figure 17A shows a cross-sectional scanning electron micrograph of the bottom hybrid layer deposited on the light emitting OLED stack (SEM). 以下の条件下でPE−CVDによってハイブリッド層が堆積された。 Hybrid layer was deposited by PE-CVD under the following conditions.

堆積出力が高くなると、モノマーフラグメンテーションが促進されると考えられる。 When the deposition output is high, believed monomer fragmentation is facilitated. したがって、出力を24Wから50Wに徐々に増加させていくと、ハイブリッド層内の連続する各階層は、より酸化物様である特性及びそれほどポリマー様でない特性を取ることが観察されている。 Accordingly, when gradually increasing the 50W output from 24W, each layer contiguous hybrid layer has it been observed to take characteristics not more an oxide-like properties and less polymers like. 図17Aにおいて、表面に最も近いハイブリッド層の階層(低出力下で堆積された)は、多孔質のポリマー様微細構造を有し、一方、表面からさらに遠い階層(高出力下で堆積された)は、より高密度の酸化物様構造を有する。 In FIG. 17A, the nearest hybrid layer hierarchy (deposited at low output) to the surface, it has a polymer-like microstructure of the porous, whereas, (deposited at high power under) farther hierarchy from the surface has an oxide-like structure of higher density.

図17Bは、発光OLEDスタックの上面にPE−CVDによって以下の条件下で堆積された他のハイブリッド層の断面の走査型電子顕微鏡写真(SEM)を示す。 Figure 17B shows a scanning electron micrograph of a cross-section of another hybrid layer deposited under the following conditions by PE-CVD on the upper surface of the light emitting OLED stack (SEM).

図17Aに示したハイブリッド層と比較して、図17Bに示したハイブリッド層を堆積する際には高い堆積出力が使用された。 Compared to the hybrid layer shown in FIG. 17A, higher deposition output in depositing the hybrid layer shown in FIG. 17B is used. 結果として、このハイブリッド層は、図17Aに示したハイブリッド層よりも、高い密度の微細構造を有する。 As a result, the hybrid layer, than the hybrid layer shown in FIG. 17A, having a microstructure of high density. したがって、高い堆積出力を使用して形成されたハイブリッド層は、低い堆積出力を使用して形成されたハイブリッド層よりも、低い浸透性を有することが予想される。 Thus, the hybrid layer formed using a higher deposition output, lower deposition than hybrid layer formed using the output is expected to have low permeability.

2つの異なる材料が、他と密接に接触して配置された場合、このような接触によって、特に2つの材料の間の界面に応力が生じ得る。 Two different materials, when placed in intimate contact with the other, by such contact, the stress may occur, especially at the interface between the two materials. したがって、特定の実施形態では、ハイブリッド層の残留内部応力を制御することにより、クラッキング、ボイド、バックリング、又は層間剥離等の、ハイブリッド層における応力誘起欠陥の発生を減らすことができる。 Thus, in certain embodiments, by controlling the residual internal stress of the hybrid layer, it is possible to reduce cracking, voids, buckling or delamination or the like, the occurrence of stress-induced defects in the hybrid layer. ハイブリッド層内の内部応力を制御する方法の1つは、堆積条件を調整することである。 One method of controlling the internal stress of the hybrid layer is to adjust the deposition conditions.

図18A〜図18Cは、厚さ25μmのKapton−Eポリイミド基板とその上に様々な条件下で堆積された種々のハイブリッド層(厚さ320〜600nm)との間の不整合歪みを示す。 Figure 18A~ Figure 18C shows the mismatch strain between the Kapton-E polyimide substrate having a thickness of 25μm and various hybrid layer deposited under different conditions on its and (thickness 320~600nm). 正の不整合はハイブリッド層での引張応力に対応し、負の不整合はハイブリッド層での圧縮応力に対応する。 Positive mismatch corresponds to tensile stress in the hybrid layer, the negative mismatch corresponds to compressive stress in the hybrid layer. 図18Aを参照すると、堆積出力及びガス流量を一定に保ったままで、堆積圧を100mTorrから150mTorrに増加させると、結果としてハイブリッド層内により大きな引張応力が生じる。 Referring to FIG. 18A, the deposition output and the gas flow rate while maintaining a constant, increasing the deposition pressure from 100mTorr to 150 mTorr, a large tensile stress is generated by a hybrid layer as a result. 図18Bを参照すると、堆積圧及びガス流量を一定に保ったままで、堆積出力を50Wから80Wに増加させると、結果としてハイブリッド層内により大きな圧縮応力が生じる。 Referring to FIG. 18B, the deposition pressure and the gas flow rate while maintaining a constant, when the deposition output is increased from 50W to 80W, a large compressive stress by the hybrid layer ensue. 図18Cを参照すると、堆積圧及び出力を一定に保ったままで、HMDSO/O ガス流量を1.0/34から2.0/67に増加させると、結果としてハイブリッド層内により大きな引張応力が生じる。 Referring to FIG. 18C, the deposition pressure and output while maintaining constant, increasing the HMDSO / O 2 gas flow rate 1.0 / 34 2.0 / 67, large tensile stress by the hybrid layer as a result occur.

これらの結果は、堆積パラメータを変えることによってハイブリッド層内の内部応力を調整可能であることを示す。 These results indicate that it is possible to adjust the internal stress in the hybrid layer by varying the deposition parameters. また、これらの結果は、ハイブリッド層内での応力を最小化することが可能な堆積パラメータの最適な組み合わせが存在することを示す。 These results also show that the optimum combination of the deposition parameters can be minimized stress in the hybrid layer is present. 例えば、1つの堆積パラメータを調整することによりハイブリッド層内に圧縮応力を生成することができ、一方、他の堆積パラメータを調整することにより、ハイブリッド層内に整合する引張応力を生成することができる。 For example, compressive stress in the hybrid layer can be generated by adjusting the one deposition parameter, whereas, by adjusting the other deposition parameters, it is possible to generate a tensile stress to match the hybrid layer . 結果として、ゼロ又はゼロに近い残留正味応力を生じる。 Results in a residual net stress zero or close to zero. 多層コーティングが複数のハイブリッド層を含む場合は、コーティング内における全応力を制御するように、各ハイブリッド層内の応力を個別に調整することも可能である。 If the multi-layer coating comprises a plurality of hybrid layers, so as to control the overall stress in the coating, it is possible to stress of each hybrid layer individually adjusted. 例えば、コーティング内の全応力が平衡するように、又は表面からの距離が増加するともにハイブリッド層内の応力の合計が徐々に増加するように、各ハイブリッド層を調整してもよい。 For example, as the total stress within the coating are balanced, or both so that the sum of the stress of the hybrid layer gradually increases the distance from the surface increases, may be adjusted each hybrid layer.

2つの異なる材料が他と密接に接触して配置された場合も、熱膨張係数(CTE)の違いにより残留応力が生じ得る。 If two different materials are placed in contact closely with other well, residual stress may occur due to a difference in coefficient of thermal expansion (CTE). したがって、ある実施形態では、ハイブリッド層の組成を調整することにより、隣接する構造体(例えば、ポリマー基板又は金属/無機酸化物相互接続)の熱膨張係数とより厳密に整合させることができる。 Thus, in some embodiments, by adjusting the composition of the hybrid layer, adjacent structures (e.g., a polymer substrate or a metal / inorganic oxide interconnect) can be more closely matched with the thermal expansion coefficient of the. 例えば、基板のCTEと厳密に整合させるために、ポリマー材料の非ポリマー材料に対する相対比を調整してハイブリッド層のCTEを増大又は減少させることができる。 For example, in order to closely match the CTE of the substrate, it is possible to increase or decrease the CTE of hybrid layer by adjusting the relative ratio to non polymeric materials of the polymeric material.

特定の実施形態では、基礎部として機能する表面(即ち、基礎部表面)上に電子デバイスが配置された場合、ハイブリッド層及び/又は表面は、エッジバリアを更に備えることにより、基礎部材料自体又は基礎部表面とハイブリッド層との間の界面のいずれかを介した側方拡散による環境汚染物(例えば、水分又は酸素)の浸入を減らすことができる。 In certain embodiments, the surface that serves as a basis portion (i.e., the foundation surface) when the electronic device on is placed, the hybrid layer and / or surface by further comprising an edge barrier, foundation material itself or environmental contaminants by lateral diffusion through the one of the interface between the foundation surface and the hybrid layer (e.g., moisture or oxygen) can reduce the penetration of. 基礎部は、本明細書で説明したいずれの材料、又はそれ上に電子デバイスを配置するために使用される他の公知の材料から形成されてよい(例えば、金属箔基板又はバリアコーティングプラスチック基板上の平坦化及び/又は絶縁層に使用される材料)。 Basic unit, any material described herein, or on may be formed from other known materials that are used to place the electronic device (e.g., a metal foil substrate or barrier coating on a plastic substrate materials used for flattening and / or the insulating layer). 当技術分野で公知の様々な種類のエッジバリアのいずれも本発明での使用に適している。 Any of the various known types of edge barriers in the art are suitable for use in the present invention. 場合によっては、エッジバリアは、電子デバイスの周囲に近接する領域において、ハイブリッド層を基礎部表面に結合させることによって構成される。 In some cases, the edge barrier is in the region close to the periphery of the electronic device, composed by combining a hybrid layer to the base surface. 結合を達成するには、それらの領域への熱融着又は接着(例えば、エポキシベース接着剤)を行う。 To achieve bonding performs heat sealing or adhesion to those areas (e.g., an epoxy-based adhesive agent).

場合によっては、エッジバリアは、電子デバイスの上表面から、電子デバイスの側面の下方に沿って延びて、及び基礎部表面と接触するエンドキャップであってよい。 In some cases, the edge barrier, from the top surface of the electronic device, extending along the lower side of the electronic device, and may be an end cap in contact with the underlying surface. 本発明での使用に適し得るエンドキャップの1つのタイプが、米国特許第7,002,294号明細書(Forrestら)に説明されている。 One type of end cap that may be suitable for use in the present invention are described in U.S. Pat. No. 7,002,294 (Forrest et al.). エンドキャップは、環境汚染物の側方侵入から電子デバイスを保護することが可能ないずれの材料から形成されてよく、例として高密度セラミック材料(例えば、二酸化シリコン)又は金属材料が挙げられる。 End cap may be formed from any material capable of protecting the electronic device from the side ingress of environmental contaminants, high density ceramic material as an example (e.g., silicon dioxide) and the like or a metallic material.

例えば、図19に示した実施形態を参照すると、封入されたOLED180は、基板150と、基板150上に配置されたOLEDの本体140(電極を含む)とを備える。 For example, referring to the embodiment shown in FIG. 19, OLED180 encapsulated includes a substrate 150, a body 140 of an OLED is disposed on the substrate 150 and (including the electrodes). OLED本体140上にハイブリッド層182が堆積される。 Hybrid layer 182 is deposited over OLED body 140. エンドキャップ184は、ハイブリッド層182の上部表面から、OLED本体140の側面を下方に延びて、基板150の表面と接触するように、ハイブリッド層182及びOLED本体140の周囲に配置される。 End cap 184, from the upper surface of hybrid layer 182, extend the sides of OLED body 140 downwardly so as to contact the surface of the substrate 150, it is disposed around the hybrid layer 182 and OLED body 140. エンドキャップ184は、OLED180の側面又はエッジを介した環境汚染物の側方侵入を減らすように機能する。 End cap 184 functions to reduce the lateral ingress of environmental contaminants through the side or edge of OLED180.

場合によっては、エッジバリアは、電子デバイスの周囲に近接する領域において、基礎部表面内に1つ又は複数の不連続部を作成することにより形成してもよい。 In some cases, the edge barrier is in the region close to the periphery of the electronic device may be formed by creating one or more discontinuities in the underlying part surface. これらの不連続部は、様々な機構によって環境汚染物の侵入に対するバリアとして機能し得る。 These discontinuities can function as a barrier to the ingress of environmental contaminants by a variety of mechanisms. 例として、環境汚染物の側方侵入に対する経路長を増加させること、又はこの経路内に遮断部を形成すること(基礎部材料が環境汚染物の侵入に対する経路として機能する場合)が挙げられる。 As an example, increasing the path length for the lateral ingress of environmental contaminants, or to form a blocking portion include (foundation material may serve as a path for the ingress of environmental contaminants) in the path. 本明細書において使用される「不連続部」という用語は、ボイドの大きさ、形状、及び位置を制御する手法を使用して、材料の除去又は堆積を行うことによって、基礎部表面内に形成される分離したボイド(例えば、トレンチ、溝、スロット、クラック、破損部、ギャップ、ホール、貫通孔)を示す。 The term "discontinuity" as used herein, the size of the void, using a method of controlling the shape and position, by the removal or deposition of material, forming the foundation portion surface is the separate voids (e.g., trenches, grooves, slots, cracks, breakage portion, gaps, holes, through holes) shows a. 例えば、このような手法には、エネルギービーム(例えば、レーザー、イオン、又は電子)を使用したダイレクトライトエッチング、マイクロマシニング、マイクロ掘削、リソグラフプロセス、又はボイドを形成すべき領域上で選択的なマスキングを使用した基礎部材料のマスク堆積等がある。 For example, such techniques, the energy beam (e.g., laser, ion, or electron) direct light etching, micromachining using, micro drilling, selective masking lithographic process, or be formed a void region there is a mask deposition or the like of the base portion material was used.

例えば、図20に示した実施形態を参照すると、基板150が、ポリイミド膜194でコーティングされる。 For example, referring to the embodiment shown in FIG. 20, a substrate 150 is coated with polyimide film 194. ポリイミド膜194は、OLEDの本体140(電極を含む)が配置される基礎部表面として機能する。 Polyimide film 194 (including the electrodes) body 140 of the OLED serves as a foundation surface disposed. ポリイミド膜194には、OLED本体140の周辺を囲むトレンチ196がエッチング形成される。 The polyimide film 194, a trench 196 surrounding the periphery of the OLED body 140 is formed etched. 或いは、トレンチ196は、ポリイミド膜194の堆積中にこの領域を選択的にマスキングすることによって形成されてもよい。 Alternatively, trenches 196 may be formed by selectively masking the area during the deposition of the polyimide film 194. トレンチ196は、ポリイミド膜194の全厚さを貫いて広がっている。 Trench 196 extends through the entire thickness of the polyimide film 194. OLED本体140はハイブリッド層192で覆われている。 OLED body 140 is covered with a hybrid layer 192. このハイブリッド層192は、OLED本体194の上面を覆い、OLED本体140の側面を下方に延びて基礎部表面まで至る。 This hybrid layer 192 covers the top surface of OLED body 194, extending to the foundation surface extending the sides of OLED body 140 downward. 基礎部表面では、ハイブリッド層192がトレンチ196に埋め込まれることにより、ポリイミド膜が、環境汚染物の側方侵入に対する経路として機能するのを防ぐ。 The foundation surface, by hybrid layer 192 is buried in the trench 196, a polyimide film, prevent the function as a path for the lateral ingress of environmental contaminants.

他にも様々なタイプのエッジバリアが可能である。 Other various well types of edge barriers are possible. 特定の実施形態では、エッジバリアは、ハイブリッド層のエッジを超えて延びる他のバリアコーティングであってよい。 In certain embodiments, the edge barrier may be another barrier coating that extends beyond the edges of the hybrid layer. 例えば、図22に示す実施形態を参照すると、電子デバイス200は基板202に実装されたOLED本体204(有機層のスタックを備える)を含む。 For example, referring to the embodiment shown in FIG. 22, OLED body 204 the electronic device 200 is mounted on the substrate 202 (comprising a stack of organic layers). OLED本体204は、OLED本体204のエッジを超えて延びて基板202の表面と接触するに至るハイブリッド層210でコーティングされる。 OLED body 204 is coated with a hybrid layer 210 that leads to contact with the surface of the substrate 202 extends beyond the edges of OLED body 204. バリアコーティング212はハイブリッド層210上に堆積され、環境汚染物の側方侵入を防止するためにハイブリッド層210のエッジを超えて延びている。 Barrier coating 212 is deposited over hybrid layer 210, and extends beyond the edges of hybrid layer 210 to prevent the lateral ingress of environmental contaminants.

ハイブリッド層を被覆するのに使用されるバリアコーティングは、それ自体が本発明のハイブリッド層であってよい。 Barrier coating used to coat the hybrid layer may itself be a hybrid layer of the present invention. 例えば、図22に示す電子デバイス200の代替実施形態では、バリアコーティング212は、ハイブリッド層210が堆積された後で堆積されるもう1つのハイブリッド層である。 For example, in an alternative embodiment of an electronic device 200 shown in FIG. 22, the barrier coating 212 is another hybrid layer deposited after the hybrid layer 210 is deposited. 他の例では、バリアコーティングは、電子デバイスの保護に従来から使用されている任意のバリアコーティングであってよい。 In another example, the barrier coating may be any barrier coating which is conventionally used in the protection of electronic devices. したがって、場合によっては、バリアコーティングは、ハイブリッド層と比べて比較的厚く又は硬度が高くてよい。 Therefore, in some cases, the barrier coating may be higher relatively thick or hardness as compared with the hybrid layer. 場合によっては、バリアコーティングは、環境汚染物の侵入防止についてはハイブリッド層ほど効果的でないが、電子デバイスを機械的な損傷から保護できるような十分な厚さ及び/硬度を有する。 Optionally, the barrier coating is not as effective as the hybrid layer for intrusion prevention environmental contaminants, has a sufficient thickness and / hardness that can protect an electronic device from mechanical damage.

また、ハイブリッド層上のバリアコーティングは、ハイブリッド層を必ずしも完全に覆う必要はない。 The barrier coating on the hybrid layer is not necessarily completely cover the hybrid layer. 例えば、図23に示す実施形態を参照すると、電子デバイス220は基板222に実装されたOLED本体224(有機層のスタックを備える)を含んでいる。 For example, referring to the embodiment shown in FIG. 23, the electronic device 220 includes an OLED body 224 mounted on the substrate 222 (comprising a stack of organic layers). OLED本体224は、OLED本体224のエッジを超えて延びて基板222の表面と接触するに至るハイブリッド層230でコーティングされている。 OLED body 224 is coated with a hybrid layer 230 that leads to contact with the surface of the substrate 222 extends beyond the edges of OLED body 224. バリアコーティング232は、ハイブリッド層230のエッジだけを被覆するように、ハイブリッド層230にマスク堆積されるか、又は堆積されてからパターン形成される。 Barrier coating 232, so as to cover only the edges of hybrid layer 230, is patterned after being or deposited is masked deposited hybrid layer 230. この実施形態では、バリアコーティング232は、OLED本体224を覆い隠していないので透明である必要はない。 In this embodiment, the barrier coating 232 need not be transparent because no mask the OLED body 224. 例えば、バリアコーティング232は金属から製造することも、比較的厚くすることも可能である。 For example, barrier coating 232 it is also possible to relatively thick manufactured from metal.

場合によっては、エッジバリアを前述した介在層と組み合わせることが可能である。 Sometimes, it can be combined with intervening layer described above the edge barrier. この介在層は、ハイブリッド層を備える基板の表面とエッジバリアとの間の界面結合を改善する役割を果たす。 The intermediate layer serves to improve the interfacial bonding between the substrate surface and the edge barrier comprises a hybrid layer. 例えば、図24に示す実施形態を参照すると、電子デバイス260は、基板262に実装されたOLED本体264(有機層のスタックを備える)を含んでいる。 For example, referring to the embodiment shown in FIG. 24, the electronic device 260 includes an OLED body 264 mounted on the substrate 262 (comprising a stack of organic layers). OLED本体264の周囲を取り囲んでいるのは介在層274である。 Surrounding the periphery of the OLED body 264 is interposed layer 274. OLED本体264は、OLED本体264のエッジを超えて延びて介在層274と接触するに至るハイブリッド層270によってコーティングされている。 OLED body 264 is coated with a hybrid layer 270 that leads to contact with the intermediate layer 274 extends beyond the edges of OLED body 264. ハイブリッド層270上にはバリアコーティング272が堆積されており、バリアコーティング272は、ハイブリッド層270のエッジを超えて延びて介在層274と接触するに至る。 On top hybrid layer 270 and barrier coating 272 is deposited, the barrier coating 272, thence into contact with the intermediate layer 274 extends beyond the edges of hybrid layer 270. この構成では、介在層274の役割は、ハイブリッド層270とバリアコーティング272を基板262に接着することである。 In this configuration, the role of the intervening layer 274 is to bond the hybrid layer 270 and the barrier coating 272 on the substrate 262.

特定の実施形態では、介在層は、OLED本体の上部電極(例えば、カソード)と上から覆いかぶさるハイブリッド層との間の界面結合を向上させるために使用される。 In certain embodiments, the intervening layer is used to improve the interfacial bonding between the top electrode of OLED body (e.g., cathode) and the cover from the top covers hybrid layer. 例えば、図31に示す実施形態を参照すると、電子デバイス400は、基板402上に実装されたOLED本体404(有機層のスタックを備える)を含んでいる。 For example, referring to the embodiment shown in FIG. 31, the electronic device 400 includes an OLED body 404 mounted on the substrate 402 (comprising a stack of organic layers). OLED本体404は、OLED本体404のエッジを超えて延びて基板402の表面と接触するに至るハイブリッド層410によってコーティングされている。 OLED body 404 is coated with a hybrid layer 410 that extends beyond the edges of OLED body 404 reaches the contact with the surface of the substrate 402. バリアコーティング412はハイブリッド層410上に堆積され、環境汚染物の側方侵入を防止するためにハイブリッド層410のエッジを超えて延びている。 Barrier coating 412 is deposited over hybrid layer 410, and extends beyond the edges of hybrid layer 410 to prevent the lateral ingress of environmental contaminants. 介在層414はマスクを使用してOLED本体404の上部電極に直接堆積されている。 Intervening layer 414 is deposited directly on the top electrode of OLED body 404 using a mask. この場合、介在層414の役割は、OLED本体404の上部表面を、上から覆いかぶさるハイブリッド層410に接着することである。 In this case, the role of the intervening layer 414, a top surface of OLED body 404, is to adhere the hybrid layer 410 overlying cover from above.

特定の実施形態では、エッジバリアは乾燥剤材料を含み、この乾燥剤材料は当技術分野で公知の種々の乾燥剤材料のいずれでもよい(例えば、塩化カルシウム、二酸化珪素、酸化バリウム、酸化カルシウム、二酸化チタン)。 In certain embodiments, the edge barrier comprises a desiccant material, the desiccant material may be either (e.g. art various known desiccant material in the field, calcium chloride, silicon dioxide, barium oxide, calcium oxide, titanium dioxide). このようなエッジバリアは、OLEDを含む有機電子デバイスで使用される乾燥剤材料について当技術分野で公知の種々の構造(例えば、層、ダム、リング)及び配置のいずれを有してもよい。 Such edge barriers, various known structures for desiccant material used in the organic electronic device comprising an OLED in the art (e.g., a layer, dams, ring) may have any and arrangement. エッジバリアで使用される乾燥剤材料は、ハイブリッド層のエッジから拡散する水分を吸収するのに有効であり得る。 Desiccant material used in the edge barrier may be effective to absorb moisture to diffuse from the edges of the hybrid layer. 例えば、図25に示す実施形態を参照すると、電子デバイス280は基板282に実装されたOLED本体284(有機層のスタックを備える)を含んでいる。 For example, referring to the embodiment shown in FIG. 25, the electronic device 280 includes an OLED body 284 mounted on the substrate 282 (comprising a stack of organic layers). OLED本体284は、OLED本体284のエッジを超えて延びて基板282の表面と接触するに至るハイブリッド層290によってコーティングされている。 OLED body 284 is coated with a hybrid layer 290 that extends beyond the edges of OLED body 284 reaches the contact with the surface of the substrate 282. ハイブリッド層290のエッジの周囲には乾燥剤リング層294が配置されている。 Desiccant ring layer 294 is disposed around the edges of hybrid layer 290. これらの構成要素上にはバリアコーティング292が堆積されており、バリアコーティング292は乾燥剤リング層294を超えて延びて基板282の表面と接触するに至る。 The on these components and barrier coating 292 is deposited, leading to contact with the surface of the substrate 282 barrier coating 292 extends beyond the desiccant ring layer 294.

環境汚染物の側方侵入の経路として他に考えられるのは、有機電子デバイス上の電極(例えば、アノード又はカソード)と接続する相互接続リード(例えば、電極ストリップ又は電極線)の周辺である。 A possible other possible routes of the lateral ingress of environmental contaminants is a peripheral electrode of the organic electronic device (e.g., anode or cathode) and interconnect leads connecting (e.g., the electrode strip or electrode lines). 場合によっては、ハイブリッド層は、相互接続リードのエッジ上に延在する。 In some cases, the hybrid layer extends onto the interconnection lead edge. 例えば、図26を参照すると、電子デバイス300は基板302上に実装されたOLED本体304(有機層のスタックを備える)を含んでいる。 For example, referring to FIG. 26, the electronic device 300 includes an OLED body 304 mounted on the substrate 302 (comprising a stack of organic layers). OLED本体304は電極305を備えており、相互接続リード306はこの電極305からOLED本体304の外方に延在している。 OLED body 304 is provided with an electrode 305, the interconnect leads 306 extending from the electrode 305 to the outside of the OLED body 304. 但し、相互接続リード306は、基板302のエッジまで延在していない。 However, interconnect leads 306 does not extend to the edge of the substrate 302. ハイブリッド層310は、相互接続リード306のエッジを超えて延びて基板302の外周付近の表面と接触するに至るように、該当する構成要素上に堆積されている。 The hybrid layer 310 to extend extend beyond the edges of the interconnect leads 306 to contact with the surface near the outer periphery of the substrate 302 is deposited on the components relevant.

相互接続リード306は側方エッジの近くに柱308を備えている。 Interconnect leads 306 includes a pillar 308 near the lateral edges. この柱は非腐食性の導電金属(例えば、銅又は金)で製造される。 The column is prepared with a non-corrosive conductive metal (e.g., copper or gold). 柱308はハイブリッド層310の開口部を通って突き出しており、相互接続リード306と電気的に接続させるための導体パッドとしての役割を果たす。 Column 308 is protrudes through an opening in hybrid layer 310 serves as a conductor pad for electrically connecting the interconnect leads 306. この柱308と、柱308が貫通するハイブリッド層310の開口部とを製造するには、集積回路の製造において公知の種々の技法のいずれを使用してもよい。 This pillar 308, to produce an opening in hybrid layer 310 that posts 308 penetrates may be used any of various known techniques in the fabrication of integrated circuits. 例えば、ハイブリッド層310内の開口部は、ハイブリッド層310の形成中にシャドウマスキングによって形成可能であり、柱308は電気メッキ技法により形成可能である。 For example, openings in the hybrid layer 310 may be formed by shadow masking during formation of the hybrid layer 310, posts 308 can be formed by electroplating techniques.

この場合、相互接続リード306のエッジはハイブリッド層310によって覆われるので、相互接続リード306の周囲での環境汚染物の側方拡散は防止される。 In this case, since the edge of the interconnect leads 306 are covered with the hybrid layer 310, lateral diffusion of environmental contaminants around interconnecting lead 306 is prevented. また、柱308は、環境汚染物の侵入防止及び拡散経路の延長も担うダムとして機能する。 Further, the pillars 308 function as dams also responsible extension of intrusion prevention and diffusion path of environmental contaminants. 電子デバイス300の代替実施形態では、もう1つのハイブリッド層が基板とOLED本体304との間に配置され、結果としてOLED本体304が2つのハイブリッド層の間に挟まれる。 In an alternative embodiment of an electronic device 300, another hybrid layer is disposed between the substrate and the OLED body 304, OLED body 304 as a result is interposed between the two hybrid layers. 電子デバイス300の他の代替実施形態では、基板は金属箔であり、基板とOLED本体304との間に平坦化層が配置され、結果としてOLED本体304はハイブリッド層310と平坦化層との間に挟まれる。 In another alternative embodiment of an electronic device 300, the substrate is a metal foil, is disposed planarizing layer between the substrate and OLED body 304, between the OLED body 304 as a result of the hybrid layer 310 and the planarization layer It is sandwiched. 電子デバイス300の更に他の代替実施形態では、基板はポリマー基板であり、基板とOLED本体304との間に不活性化層が配置され、結果としてOLED本体304はハイブリッド層310と不活性化層との間に挟まれる。 In yet another alternative embodiment of an electronic device 300, the substrate is a polymer substrate, a passivation layer is disposed between the substrate and OLED body 304, resulting OLED body 304 is a hybrid layer 310 and the passivation layer It is sandwiched between. 図33に示すように、電子デバイス300の他の代替実施形態では、柱308の外側部分は、ハイブリッド層310の表面に沿って外方に延在して拡散経路を更に長くするノブ312を有する。 As shown in FIG. 33, in another alternative embodiment of an electronic device 300, the outer portion of the pillar 308 has a knob 312 which further lengthen the diffusion path extends outwardly along the surface of hybrid layer 310 .

基板が金属基板(例えば、金属箔)である場合、基板の表面を平坦化するためにポリマー層がしばしば使用される。 Substrate metal substrate (e.g., metal foil), then the polymer layer is often used to flatten the surface of the substrate. 但し、このポリマー層は、環境汚染物の拡散の経路として機能する可能性がある。 However, this polymer layer may function as a path for diffusion of environmental contaminants. したがって、特定の実施形態では、ポリマー平坦化層が使用される場合、ポリマー平坦化層は基板のエッジまで延在されない。 Thus, in certain embodiments, if the polymer planarizing layer is used, the polymer planarizing layer does not extend to the edge of the substrate. この構成の場合、ポリマー平坦化層を介した環境汚染物の拡散が防止される。 In this configuration, the diffusion of environmental contaminants through the polymer planarization layer is prevented. ポリマー平坦化層は様々な技法でこのように形成することができる。 Polymer planarization layer can be formed in this way in a variety of techniques. 例として、マスキングによるポリマー平坦化層の堆積、又はポリマー平坦化層の堆積後のエッジ部分の除去が挙げられる。 As an example, the deposition of the polymer planarizing layer by masking, or polymers include removal of an edge portion after deposition planarization layer.

例えば、図27に示す実施形態を参照すると、電子デバイス320は金属箔基板322を備え、この上に第1のハイブリッド層330が堆積される。 For example, referring to the embodiment shown in FIG. 27, the electronic device 320 comprises a metal foil substrate 322, a first hybrid layer 330 is deposited on this. 第1のハイブリッド層330の上にはポリマー平坦化層332が堆積されている。 On top of the first hybrid layer 330 polymer planarizing layer 332 is deposited. ポリマー平坦化層332のエッジ部分は除去されており、このためポリマー平坦化層332は金属箔基板322のエッジまで延在していない。 Edge portions of the polymer planarizing layer 332 is removed, thus the polymer planarizing layer 332 does not extend to the edge of the metal foil substrate 322. ポリマー平坦化層332の上には、電極325を備えるOLED本体324(有機層のスタックを備える)が形成されている。 On the polymer planarizing layer 332 (comprising a stack of organic layers) OLED body 324 comprising an electrode 325 is formed. 相互接続リード326は、電極325から金属箔基板322のエッジまで延びている。 Interconnect leads 326 extends from the electrode 325 to the edge of the metal foil substrate 322. 相互接続リード326はステップ部分327を備え、ここでは相互接続リード326はポリマー平坦化層332のエッジを越えて第1のハイブリッド層330の表面と接触する。 Interconnect leads 326 includes a step portion 327, wherein the interconnect leads 326 in contact with the first surface of the hybrid layer 330 beyond the edge of the polymer planarizing layer 332. このような構成要素(相互接続リード326等)上には第2のハイブリッド層334が堆積されている(しかし、導体パッド用にわずかな部分が未被覆のままである)。 Such components in (interconnect leads 326, etc) is deposited a second hybrid layer 334 (but a small portion for the conductor pad remains uncoated).

別の例では、図28に示す実施形態を参照すると、電子デバイス340は金属箔基板342を備え、金属箔基板342上にはポリマー平坦化層354が堆積されている。 In another example, referring to the embodiment shown in FIG. 28, the electronic device 340 comprises a metal foil substrate 342, onto a metal foil substrate 342 is deposited a polymer planarizing layer 354. ポリマー平坦化層354のエッジ部分は除去され、ポリマー平坦化層354のエッジ上には第1のハイブリッド層350が堆積される。 Edge portions of the polymer planarizing layer 354 is removed, the first hybrid layer 350 is deposited on the edge of the polymer planarizing layer 354. ポリマー平坦化層354上には、電極345を有するOLED本体344(有機層のスタックを備える)が形成されている。 On polymer planarizing layer 354 (comprising a stack of organic layers) OLED body 344 having an electrode 345 is formed. 相互接続リード346は電極345から延びており、ステップ部347を備える。 Interconnect leads 346 extending from the electrode 345, and a step portion 347. ステップ部347において相互接続リード346は第1のハイブリッド層350を越えている。 Interconnect leads 346 at step 347 exceeds a first hybrid layer 350. このような構成要素(相互接続リード346等)上には第2のハイブリッド層352が堆積されている(しかし、導体パッド用にわずかな部分が未被覆のままである)。 Such components in (interconnect leads 346, etc) is deposited a second hybrid layer 352 (but a small portion for the conductor pad remains uncoated).

また、図27及び図28の前述実施形態では、拡散経路が長くなるように、或いは環境汚染物の側方侵入が防止されるように、相互接続リードを構成可能であることを示している。 Further, in the foregoing embodiment of FIGS. 27 and 28 shows that as the diffusion path becomes longer, or as the lateral ingress of environmental contaminants is prevented, it is possible to configure the interconnect leads. このような構成には、表面が平坦ではない相互接続リード、非平面構成を備える相互接続リード、又は曲がりくねった経路を取る相互接続リードが含まれる。 Such configuration, surface include interconnect leads take the interconnect leads, or tortuous path comprises interconnect leads, non-planar configuration is not flat. 上記の例において、相互接続リードのステップ部は、環境汚染物の拡散経路を長くする役割を果たす。 In the above example, the step portion of the interconnect leads serves to lengthen the diffusion path of environmental contaminants.

場合によっては、環境汚染物の側方侵入を防止するための上記の種々の技法を組み合わせることが可能である。 In some cases, it is possible to combine various techniques above for preventing lateral ingress of environmental contaminants. 例えば、図29に示す実施形態を参照すると、電子デバイス360は金属箔基板362を備え、金属箔基板362に第1のハイブリッド層370が堆積されている。 For example, referring to the embodiment shown in FIG. 29, the electronic device 360 ​​comprises a metal foil substrate 362, a first hybrid layer 370 is deposited on a metal foil substrate 362. 次に、第1のハイブリッド層370にはポリマー平坦化層374が堆積され、ポリマー平坦化層374のエッジ部分は除去される。 Then, the first hybrid layer 370 is deposited a polymer planarizing layer 374, an edge portion of the polymer planarizing layer 374 is removed. ポリマー平坦化層374には電極365を有するOLED本体364(有機層のスタックを備える)が形成されている。 The polymer planarization layer 374 (comprising a stack of organic layers) OLED body 364 having an electrode 365 is formed. 相互接続リード366は電極365から外側に向けて延びているが、金属箔基板362のエッジまで達していない。 Although interconnect leads 366 extending from the electrode 365 to the outside, and does not reach the edge of the metal foil substrate 362. 相互接続リード366はステップ部分367を備え、ここでは相互接続リード366はポリマー平坦化層374のエッジを越えている。 Interconnect leads 366 includes a stepped portion 367, where the interconnect leads 366 exceeds the edge of polymer planarizing layer 374. このような構成要素(相互接続リード366のエッジ等)の上には第2のハイブリッド層372が堆積されている。 It is deposited a second hybrid layer 372 on top of such components (edge ​​of interconnect leads 366, etc.). 相互接続リード366は側方エッジの近くに柱368を備えている。 Interconnect leads 366 is provided with a pillar 368 in the vicinity of the side edge. この柱は導電性の材料で製造され、柱368は第2のハイブリッド層372の開口部を通って突き出しており、導体パッドとしての役割を果たすことができる。 The pillar is manufactured from a conductive material, the pillars 368 are protruded through the opening of the second hybrid layer 372 may serve as a conductor pad.

他の例では、図30に示す実施形態を参照すると、電子デバイス380はガラス基板382に実装されたOLED本体384(有機層のスタックを備える)を含んでいる。 In another example, referring to the embodiment shown in FIG. 30, the electronic device 380 includes an OLED body 384 is mounted on a glass substrate 382 (comprising a stack of organic layers). OLED本体384は電極385を備えており、相互接続リード386はこの電極385からOLED本体384の外方に延在している。 OLED body 384 is provided with an electrode 385, the interconnect leads 386 extending from the electrode 385 to the outside of the OLED body 384. 但し、相互接続リード386は、基板382のエッジまで延びていない。 However, interconnect leads 386 does not extend to the edge of the substrate 382. 基板382はその外周でパターン成形され、乾燥剤396が埋め込まれている。 Substrate 382 is patterned molded at its periphery, a desiccant 396 is embedded. この乾燥剤は、蒸着、スピンオン、ゾルゲルプロセス、積層等、様々な方法で堆積可能である。 The desiccant, vapor deposition, spin-on, sol-gel processes, lamination and the like, can be deposited in a variety of ways. 乾燥剤396等のこれらの構成要素上にハイブリッド層390が堆積される。 Hybrid layer 390 is deposited on these elements, such as desiccant 396. ハイブリッド層390は開口部を備え、相互接続リード386上の柱388はこの開口部を通って突き出している。 Hybrid layer 390 includes an opening, the pillar 388 on the interconnect leads 386 protrudes through the opening. この構成では、ハイブリッド層390のエッジを介して侵入する水分を乾燥剤396が吸収する。 In this configuration, the water entering through the edges of hybrid layer 390 desiccant 396 absorbs. 更に、相互接続リード386のエッジはハイブリッド層390で覆われているので、相互接続リード386の周囲での環境汚染物の側方拡散が防止される。 Furthermore, since the edge of the interconnect leads 386 are covered by hybrid layer 390, lateral diffusion of environmental contaminants around interconnecting lead 386 is prevented. また、柱388は、環境汚染物の侵入防止や拡散経路の延長も担うダムとして機能する。 Further, the pillars 388 function as dams also responsible extension of intrusion prevention and diffusion path of environmental contaminants.

電子デバイス380の代替実施形態では、基板は金属箔であり、OLED本体と金属箔基板との間に平坦化層が配置されている。 In an alternative embodiment of an electronic device 380, the substrate is a metal foil, are disposed planarization layer between the OLED body and the metal foil substrate. この場合、平坦化層はその外周でパターン成形され、乾燥剤が埋め込まれる。 In this case, the planarization layer is patterned molded at its periphery, desiccant is embedded. 電子デバイス380の他の代替実施形態では、基板はポリマー基板であり、OLED本体とこの基板との間に不活性化層が配置されている。 In another alternative embodiment of an electronic device 380, the substrate is a polymer substrate, a passivation layer is disposed between the OLED body and the substrate. この場合、不活性化層は、その外周でパターン成形され、乾燥剤が埋め込まれる。 In this case, passivation layer is patterned molded at its periphery, desiccant is embedded.

OLEDによっては下部電極に格子を使用してアクティブ画素領域を画定する。 Depending OLED defining an active pixel region using a grid to the lower electrode. 格子は有機材料(例えば、フォトレジスト)から形成されても、無機材料(例えば、窒化シリコン)から形成されてもよい。 Lattice organic material (e.g., photoresist) may be formed from an inorganic material (e.g., silicon nitride) it may be formed from. しかしながら、格子は水分及び/又は酸素の側方拡散の経路として働く場合もある。 However, the grating is sometimes serve as a path for moisture and / or oxygen lateral diffusion. このような水分及び/又は酸素の侵入を防止するために、特定の実施形態では、水分又は酸素の流れを妨げるような格子材料を選択することも、格子を完全に除去することもできる。 To prevent such moisture and / or oxygen penetration, in certain embodiments, selecting the grid material that prevents the flow of moisture or oxygen, or may be completely removed the grating. また、経路に遮断部を設けることにより環境汚染物の拡散を防止することができる不連続部分を有するように、格子を形成することも可能である。 Moreover, to have a discontinuous portion capable of preventing diffusion of environmental contaminants by providing a blocking in a pathway, it is also possible to form a grid. 場合によっては、このような不連続部分にハイブリッド層が浸透することにより、環境汚染物の拡散を更に防止することができる。 In some cases the hybrid layer penetrates into such discontinuities may further prevent diffusion of environmental contaminants.

特定の実施形態では、基板はポリマー基板である。 In certain embodiments, the substrate is a polymer substrate. そのような場合、基板内のポリマー材料は、環境汚染物の拡散経路となり得る。 In such a case, the polymeric material in the substrate can be a diffusion path of environmental contaminants. したがって、本発明のハイブリッド層を使用することにより、基板及び/又は有機デバイス本体への環境汚染物質の拡散を防止することができる。 Thus, by using a hybrid layer of the present invention, it is possible to prevent diffusion of environmental contaminants to the substrate and / or the organic device body. 例えば、図32に示す実施形態を参照すると、電子デバイス420はポリマー基板422を備えており、このポリマー基板は上面と底面が両方とも、不活性化層として働くハイブリッド層432及び433によって覆われている。 For example, referring to the embodiment shown in FIG. 32, the electronic device 420 includes a polymer substrate 422, the polymer substrate are both top and bottom, is covered by hybrid layer 432 and 433 serves as a passivation layer there. 不活性化層432上にはOLED本体424が実装されている。 OLED body 424 on passivation layer 432 is implemented. OLED本体424と不活性化層432の上には更に別のハイブリッド層430が堆積されている。 Another hybrid layer 430 further on the OLED body 424 and passivation layer 432 is deposited. この実施形態において、ハイブリッド層432は、ポリマー基板422を介して移動し得る環境汚染物の拡散を防止する役割を果たす。 In this embodiment, the hybrid layer 432 serves to prevent diffusion of environmental contaminants that may migrate through the polymer substrate 422. 更に、この実施形態は、上記の実施形態において説明した種々の特徴(図26で説明した相互接続リード及び/又は図30で説明した乾燥剤を含む)のいずれかと組み合わせることができる。 Furthermore, this embodiment can be combined with any of the various features described in the above embodiments (including the desiccant described interconnect leads and / or 30 described in FIG. 26).

更に、場合によっては、基板の側面及び底部を含む基板全体をハイブリッド層内に封入することもできる。 Furthermore, in some cases, it is possible to enclose the entire substrate including the side and bottom of the substrate in the hybrid layer. 更に、場合によっては、基板が乾燥剤として機能し、電子デバイスに侵入する水分を吸収する。 Furthermore, in some cases, the substrate functions as a desiccant to absorb moisture from entering the electronic device. 基板を様々な方法で乾燥剤として機能するように製造することができる。 It can be prepared to function as a desiccant substrate in a variety of ways. 例として、封入前に基板の脱気を行う及び/又は乾燥剤を基板材料に混入させる等の方法が挙げられる。 As an example, a method such that the degassing perform and / or drying agent for the substrate is mixed into the substrate material and the like prior to encapsulation.

堆積時に、ハイブリッド層は基板のエッジや基板の下等、プラズマと直接対向していない領域までが延在しているのが観察された。 During the deposition, the hybrid layer or the like under the edges or the substrate board, that to a region not facing the plasma directly extend observed. このようなハイブリッド層の周辺への広がりは、プラズマ内の長寿命の活性種の拡散又は表面に沿った拡散によるものである。 Spread to surrounding such a hybrid layer is by diffusion along the active species diffuse or surface of life in the plasma. したがって、特定の実施形態では、有機電子デバイス上のハイブリッド層は、横方向に延びて基板のエッジを覆い、場合によっては、基板の下面を少なくとも部分的に同様に覆う。 Thus, in certain embodiments, the hybrid layer over the organic electronic device covers the edges of the substrate extend laterally, in some cases, at least partly similarly covers the lower surface of the substrate. このようにエッジバリアとしての役割を果たすハイブリッド層は、環境汚染物の側方拡散の低減に加えて、機能的な有機体が基板のエッジ方向に更に延びるのを可能にするので、アクティブデバイス領域を拡大することもできる。 Thus role hybrid layer as an edge barrier, in addition to reducing the lateral diffusion of environmental contaminants, since functional organic body to allow the further extends to the edge direction of the substrate, the active device regions it is also possible to expand.

例えば、図34は、金属基板406と、金属基板406の表面を平坦化するポリマー平坦化層404とを備えるOLED400を示す。 For example, Figure 34 shows a metal substrate 406, a OLED400 and a polymer planarizing layer 404 to planarize the surface of the metal substrate 406. 平坦化層404上には機能的な有機体402(有機層のスタックを備える)が形成されている。 Functional organic body 402 on the planarization layer 404 (comprising a stack of organic layers) are formed. ハイブリッド層を堆積するには、OLED400を、堆積反応室内に配置し、基板ホルダー408によって保持する。 To deposit a hybrid layer, the OLED400, placed in the deposition reaction chamber and held by the substrate holder 408. 堆積プロセス時には、プラズマ416と対向するOLED400上部表面がハイブリッド層410によってコーティングされる。 During the deposition process, OLED400 upper surface facing the plasma 416 is coated with a hybrid layer 410. 堆積プロセスが継続すると、プラズマ416内の活性種の一部は、OLED400のエッジへ拡散してハイブリッド層410の側部412を形成するのに十分な長さ残留する。 When the deposition process continues, a portion of the active species in the plasma 416, remain sufficient length to form the sides 412 of the hybrid layer 410 diffuses to the edge of the OLED 400. 基板406及び平坦化層404の側方エッジを含むOLED400の側方エッジは、側部412によって覆われる。 Lateral edges of OLED400 including side edges of the substrate 406 and the planarizing layer 404 is covered by the side 412. 活性種の一部はまた、基板406の下面へも拡散する。 Some of the active species is also diffused into the surface of the substrate 406. 基板ホルダー408の領域は基板406に比べて狭いので、活性種は基板ホルダー408によってマスクされていない基板406の下面領域上にハイブリッド層410の下側部分414を形成する。 Because the region of the substrate holder 408 is narrower than the substrate 406, the active species to form a lower portion 414 of the hybrid layer 410 on the lower surface region of the substrate 406 not masked by substrate holder 408. 代替実施形態において、基板ホルダー408が基板406の下部全体をマスクしている場合、ハイブリッド層410の側部412は存在するが、下部414は存在しない。 In an alternative embodiment, when the substrate holder 408 is masked entire lower portion of the substrate 406, although the side 412 of the hybrid layer 410 is present, the lower 414 is absent.

特定の実施形態では、堆積時のこのようなハイブリッド層の周辺への広がりを利用して、基板の下面を完全に覆うことが可能である。 In certain embodiments, by utilizing the spread to the periphery of such a hybrid layer during deposition, it is possible to completely cover the lower surface of the substrate. 例えば、図35A〜図35Cに、OLEDの完全な封入を達成し得るプロセスを示す。 For example, in FIG 35A~ Figure 35C, illustrating a process capable of achieving a complete encapsulation of the OLED. 図35Aは、ポリマー基板426とその上に形成された機能的な有機体422とを含むOLED420を示す。 Figure 35A shows a OLED420 comprising a polymer substrate 426 and the functional organic body 422 formed thereon. 反応チャンバでは、OLED420が基板ホルダー428で保持されている間、機能的な有機体422が第1のハイブリッド層430によってコーティングされる。 In the reaction chamber, while the OLED420 is held by the substrate holder 428, the functional organic body 422 is coated with a first hybrid layer 430. 上記したプロセスによって、プラズマ内の活性種の拡散が発生し、その結果、ハイブリッド層430の側部が形成されて基板426の側面を含むOLED420の側面が覆われる。 By the process described above, active species diffuse in the plasma is generated, as a result, is the side of the hybrid layer 430 is formed sides of OLED420 including side surfaces of the substrate 426 are covered. 基板426の下面の部分的な被覆も存在する(即ち、基板ホルダー428によってマスクされていない領域上の被覆)。 Partial coverage of the lower surface of the substrate 426 is also present (i.e., coating on the unmasked areas by the substrate holder 428).

図35Bを参照すると、OLED420の上部表面が基板ホルダー428上に支持され堆積プロセスが繰り返されるように、基板ホルダー428上でOLED420が反転されている。 Referring to FIG 35B, so that the top surface of OLED420 is repeated supported deposition process on the substrate holder 428, OLED420 on the substrate holder 428 is inverted. この反転された位置では、基板426の下面432がプラズマと向き合うことになる。 In this inverted position, so that the lower surface 432 of the substrate 426 facing the plasma. したがって、図35Cに示すように、基板426の下面432の予め露出された部分が第2のハイブリッド層440によってコーティングされる。 Accordingly, as shown in FIG. 35C, previously exposed portions of the lower surface 432 of the substrate 426 is coated with a second hybrid layer 440. この第2のハイブリッド層440も側方に延びてOLED420の側面を覆う(側部442によって)と共にOLED420の上面の一部を覆う(上部444によって)。 The second hybrid layer 440 also covers the side surface of OLED420 extends laterally to cover a portion of the upper surface of OLED420 with (by the side 442) (by the top 444). 結果として、基板426を含むOLED420は、ハイブリッド層440及び430によって完全に封入される。 As a result, OLED420 including the substrate 426 is completely encapsulated by the hybrid layer 440 and 430. ハイブリッド層440及び430の組成は、同じでも異なってもよい。 The composition of the hybrid layer 440 and 430 may be the same or different.

図36は、基板の下面の被覆を増やす、及び/又は有機電子デバイスと接続する接続リードにコーティングする、他のプロセスを例示したものである。 Figure 36 increases the coating of the lower surface of the substrate, and / or coated to the connection leads connecting the organic electronic device is an illustration of a another process. 図36は、ポリマー基板496とその上に形成された機能的な有機体492とを含むOLED490を示す。 Figure 36 shows a OLED490 comprising a polymer substrate 496 and the functional organic body 492 formed thereon. OLED490もまた、接続リード498(例えば、ワイヤ又はストリップ)に電気的に接続された電極486を備える。 OLED490 also includes connection leads 498 (e.g., a wire or strip) the electrode 486 which is electrically connected to the. OLED490は、付着点482に固定された接続リード498により堆積チャンバに保持される。 OLED490 is held in the deposition chamber by connecting lead 498 which is fixed to the attachment point 482. ハイブリッド層480は、機能的な有機体492上に堆積される。 Hybrid layer 480 is deposited over functional organic body 492. 活性種の拡散によって、ハイブリッド層480はまた、OLED490の側面及び基板496の下面を覆う。 By diffusion of the active species, hybrid layer 480 also covers the lower surface of the side surface and the substrate 496 of OLED490. 或いは、OLED490は堆積チャンバ内に吊るされているので、OLED490をプラズマ内に直接置くか、2つ以上のプラズマ間に置くことにより、その上面と下面の両方を同時にコーティングすることが可能である。 Alternatively, since OLED490 is suspended in the deposition chamber, place directly OLED490 in the plasma, by placing between two or more plasma, it is possible to simultaneously coat both the upper and lower surfaces. これにより、より均一な厚さのハイブリッド層480を形成することが可能である。 Thus, it is possible to form a hybrid layer 480 of more uniform thickness.

基板496の下面にはマスキングを施していないので、ハイブリッド層480で覆われる基板496の下面の範囲は広くなる(この場合は完全に覆われる)。 Since the lower surface of the substrate 496 is not masked, the lower surface of the area of ​​the substrate 496 covered by hybrid layer 480 becomes wider (in this case completely covered). また、接続リード498もハイブリッド層460によって少なくとも部分的にコーティングされるので、接続リード498周辺での環境汚染物の側方拡散が防止される。 The connection lead 498 also because it is at least partially coated with a hybrid layer 460, lateral diffusion of environmental contaminants around connecting lead 498 is prevented. 接続リード498の端部は裸のままで電気接点としての役割を果たす。 End of the connection lead 498 serves as an electrical contact with naked.

様々な製造プロセスが、本発明の有機電子デバイスの製造に適していると考えられる。 Various fabrication processes are believed to be suitable for the manufacture of an organic electronic device of the present invention. 場合によっては、処理性能の高い製造のために単一基板上に複数のデバイスを製造することができる。 Optionally, it is possible to produce a plurality of devices on a single substrate for high performance production. 例えば、従来のバッチプロセスを使用することにより、又はフレキシブル基板でのロール・ツー・ロール処理等の連続プロセスによって複数のデバイスを製造することができる。 For example, by using a conventional batch process, or can be prepared a plurality of devices by a roll-to-roll processing of continuous processes in a flexible substrate. したがって、本発明の特定の実施形態では、基板上に複数の機能的な有機体(有機電子デバイスの場合)が形成される。 Thus, in certain embodiments of the present invention, a plurality of functional organic bodies over the substrate (in the case of the organic electronic device) is formed. 次に、バリアコーティング(本発明のハイブリッド層又は他の適切なタイプの透過バリアであり得る)が機能的な有機要素上に塗布される。 Next, (which may be a hybrid layer, or other suitable type of permeation barrier of the present invention) barrier coating is applied onto the functional organic factors. ポリマー基板の場合、基板の下面もバリアコーティングで覆うことができる。 For the polymer substrate may be the lower surface of the substrate is also covered with a barrier coating. このバリアコーティングは、本発明のハイブリッド層又は他の適切なタイプの透過バリアであってよい。 The barrier coating may be a hybrid layer, or other suitable type of permeation barrier of the present invention. 基板は切断して個々の有機電子デバイスに分割される。 Substrate is cut is divided into individual organic electronic devices. このような場合、デバイスのカットエッジは露出され得る。 In this case, the cut edges of the device may be exposed. デバイスの露出されたエッジを保護するために、本発明のハイブリッド層をエッジバリアとして使用することができる。 To protect the exposed edge of the device, it is possible to use a hybrid layer of the present invention as an edge barrier.

例えば、図37A〜図37Cは、平坦化層454と、その上に形成された複数の機能的有機体452とを備えるフレキシブル金属シート456を示す。 For example, Figure 37A~ Figure 37C shows a flattened layer 454, a flexible metal sheet 456 and a plurality of functional organic bodies 452 formed thereon. 図37Bに示すように、機能的な有機体452上にはバリアコーティング462が堆積されている。 As shown in FIG. 37B, is on the functional organic body 452 has a barrier coating 462 is deposited. バリアコーティング462は、本発明のハイブリッド層とすることも、当技術分野で公知の他の適切なタイプの透過バリアのいずれかとすることもできる。 Barrier coating 462 may be a hybrid layer of the present invention also may be any other known suitable types of permeability barrier in the art. 図37Cに示すように、個々の機能的な有機体は切断され、個々のOLED466が形成される。 As shown in FIG. 37C, the individual functional organic body is cut, the individual OLED466 is formed.

環境汚染物の側方拡散を防止するために、OLED466のカットエッジをハイブリッド層でコーティングすることができる。 To prevent lateral diffusion of environmental contaminants, it can be coated with a hybrid layer cut edge of OLED466. 例えば、図38を参照すると、OLED466は堆積反応チャンバ内に配置され、基板ホルダー468で保持されている。 For example, referring to FIG. 38, OLED466 is placed in the deposition reaction chamber and held by the substrate holder 468. OLED466上にハイブリッド層460が堆積される。 Hybrid layer 460 is deposited on OLED466. ハイブリッド層460は、バリアコーティング462の上部表面、並びに平坦化層454及び基板456の側部エッジを覆う。 Hybrid layer 460, the upper surface of the barrier coating 462, as well as to cover the side edges of planarizing layer 454 and substrate 456. 図39は代替実施形態を示す。 Figure 39 shows an alternative embodiment. ここでは、ハイブリッド層470は平坦化層454及び基板456の側部エッジを覆っているがOLED466の上部表面は一部のみの被覆である。 Here, the top surface of but a hybrid layer 470 covers the side edges of planarizing layer 454 and the substrate 456 OLED466 is covering only part. このアプローチは、エッジ部でカット又はトリミングされる領域が非常に広いデバイスにおいて有用である。 This approach region to be cut or trimmed at the edge portion is useful in a very wide device. このような場合、もしもデバイスの側部エッジをハイブリッド層で保護することのみが必要である場合には、ハイブリッド層でデバイス全体を覆う必要はない。 In such a case, if it is only necessary to if protected side edges of the device in the hybrid layer need not cover the entire device in the hybrid layer.

ハイブリッド層の堆積についても、有機電子デバイス製造のための処理能力の高い製造プロセスに組み込むことが可能である。 For even deposition of the hybrid layer, it is possible to incorporate a high capacity for organic electronic device fabrication manufacturing process. 例えば、図40Aに示すのは、フレキシブル基板シート520であり、このシート上には複数の機能的な有機体522が形成されている。 For example, that shown in FIG. 40A is a flexible substrate sheet 520, a plurality of functional organic bodies 522 are formed on the sheet. フレキシブル基板シート520には、機能的な有機体522間にスルーホール524のパターンが位置している。 A flexible substrate sheet 520, between functional organic bodies 522 a pattern of through holes 524 are located. スルーホール524は基板シート520の厚さを完全に貫通しており、機能的な有機体522間における基板シート520の分割を容易にするのに適切なパターン、形状、寸法、又は密度を有し得る。 Through-hole 524 is completely through the thickness of the substrate sheet 520, a suitable pattern to facilitate division of the substrate sheet 520 between functional organic bodies 522 has a shape, size, or density obtain. スルーホール524は、機能的な有機体522を基板シート520上に形成する前に又は後に形成することが可能である(例えば、レーザー切断又はスタンピング)。 Through holes 524, it is possible to form a functional organic body 522 before or after the formation on the substrate sheet 520 (e.g., laser cutting or stamping). 機能的な有機体522上にはハイブリッド層が堆積されている。 On functional organic body 522 is deposited hybrid layer. スルーホール524へのプラズマ活性種の拡散により、ハイブリッド層によるスルーホール524のコーティングが生じる。 By plasma active species diffuse into the through hole 524, the coating of the through hole 524 is caused by the hybrid layer. ハイブリッド層はまた、スルーホール524を介して基板シート520の下面をコーティングし得る。 The hybrid layer may also be coated with the lower surface of the substrate sheet 520 through the through hole 524. スルーホール524は、プラズマ活性種がスルーホール524へ容易に拡散するような大きさに設定される。 Through holes 524, plasma-activated species is set sized to readily diffuse into the through hole 524. 例えば、拡散を促進するようにスルーホール524の縦横比を選択することができる。 For example, it is possible to select the aspect ratio of the through hole 524 so as to facilitate diffusion. 場合によっては、スルーホール524の幅は、少なくとも基板シート520の厚さと同程度の値とする。 Optionally, the width of the through hole 524, the thickness of the same order of value of at least a substrate sheet 520. 図40Bに示すように、スルーホール524に沿って基板シート520が分割されると(例えば、切断又は割ることにより)複数の独立したOLED526がもたらされる。 As shown in FIG. 40B, when the substrate sheet 520 along the through hole 524 is divided (for example, by cutting or dividing) a plurality of independent OLED526 resulting. 各OLED526では、その側面と基板520の下面がハイブリッド層530によって覆われている。 Each OLED526, the lower surface of the side surface and the substrate 520 is covered by hybrid layer 530.

本発明で使用される堆積プロセスでは、有機電子デバイスが高温にさらされる場合がある。 In the deposition process used in the present invention, there is a case where the organic electronic device is exposed to high temperatures. したがって、特定の実施形態では、本発明はまた、堆積プロセス中にデバイスから熱を移動させて逃がすことにより有機電子デバイスを冷却する方法も提供する。 Thus, in certain embodiments, the present invention also provides a method for cooling an organic electronic device by escape by moving the heat from the device during the deposition process. デバイスから熱を移動させるための一つのアプローチは、基板ホルダーを介した伝熱によるものである。 One approach to moving the heat from the device is by heat transfer through the substrate holder. このアプローチは、基板が金属基板の場合に特に有用である。 This approach is particularly useful when the substrate is a metal substrate. かかる場合、例えば、基板から熱を逃がすために、基板ホルダーを冷却することもヒートシンクに連結することも可能である。 In this case, for example, in order to dissipate heat from the substrate, it is possible also connected to a heat sink to cool the substrate holder.

デバイスから熱を移動させるための他のアプローチは、デバイスの電極の1つによるものである。 Another approach to moving the heat from the device is due to one of the devices of the electrodes. このアプローチは、基板が断熱材料(例えば、いくつかのポリマー基板)で製造されていて、デバイスから熱を効果的に伝導して逃がすために使用できない場合に有用となり得る。 This approach, the substrate is thermally insulating material (e.g., several polymeric substrates) have been produced by, it may be useful if you can not use to escape to effectively conduct heat from the device. したがって、このアプローチの場合、デバイスから伝熱により逃がすことには効果的に使用されない。 Therefore, if this approach is not effectively used to dissipate the heat transfer from the device. 例えば、図41を参照すると、OLED500では機能的な有機体502が基板504に実装されている。 For example, referring to FIG. 41, a functional organic body 502 in OLED500 is mounted on the substrate 504. OLED500は上部金属電極506(例えばカソード)を備え、これは接続リード510を介して外側へ延びてヒートシンク508と連結されている。 OLED500 comprises an upper metal electrode 506 (e.g. cathode), which is coupled to the heat sink 508 extends outwardly through the connecting lead 510. ヒートシンク508は、放熱に使用できる適切な構造体又はアセンブリであればどれでもよい(例えば、金属ストリップ、ラジエータ、冷却ファン)。 The heat sink 508 may be any one if suitable structure or assembly can be used in the heat radiation (for example, a metal strip, a radiator, a cooling fan). OLED500へのハイブリッド層の堆積中に、熱は、OLED500から電極506及び接続リード510を介して伝熱して逃がされ、ヒートシンク508へ伝達される。 During deposition of the hybrid layer to the OLED 500, heat is dissipated by heating heat through the electrodes 506 and connecting leads 510 from OLED 500, is transferred to the heat sink 508.

前述の記載及び実施例は、単に本発明を例示するために説明されたものであり、限定されることを意図するものではない。 Description and examples above are merely described to illustrate the present invention and are not intended to be limiting. 開示された本発明の態様及び実施形態のそれぞれは、個々に、又は本発明の他の態様、実施形態、及び変形形態と組み合わせて考えられてよい。 Each of the aspects and embodiments of the disclosed invention, individually, or another aspect of the present invention, may be considered in conjunction with the embodiments, and variations. 当業者によって、本発明の趣旨及び内容を組み込んだ開示された実施形態の変更が行われてもよく、このような変更は本発明の範囲に含まれる。 By those skilled in the art, may be made modifications of the disclosed embodiments incorporating the spirit and content of the present invention, such modifications are included in the scope of the present invention.

10 PE−CVD装置 20 反応室 22 電極 24 ホルダー 30 電子デバイス 40 前駆体物質源 50 N ガスタンク 60 反応ガスタンク 70 真空ポンプ 80 質量流量制御装置 82 遮断弁 84 逆止め弁 10 PE-CVD apparatus 20 reaction chamber 22 electrodes 24 holder 30 electronic device 40 precursor material source 50 N 2 gas tank 60 the reaction tank 70 vacuum pump 80 a mass flow controller 82 shut-off valve 84 check valve

Claims (90)

  1. 有機デバイス本体の基礎部として機能する表面に配置された前記有機デバイス本体を有する電子デバイスを保護するための方法であって、 A method for protecting an electronic device having the organic device body disposed on the surface that serves as a base of the organic device body,
    前駆体物質の原料を提供する工程と、 Providing a raw material of the precursor material,
    前記電子デバイスに近接する反応位置に前記前駆体物質を移動する工程と、 A step of moving the precursor material to a reaction location adjacent the electronic device,
    前記前駆体物質の原料を使用する化学気相成長法によって前記有機デバイス本体上に第1のハイブリッド層を堆積する工程であり、前記第1のハイブリッド層がポリマー材料と非ポリマー材料との混合物を含み、ポリマー材料の非ポリマー材料に対する重量比が95:5〜5:95の範囲であり、ポリマー材料及び非ポリマー材料が同一の前駆体物質原料から形成される、工程と、 Wherein the chemical vapor deposition method using a raw material of the precursor material is a step of depositing a first hybrid layer over the organic device body, the first hybrid layer a mixture of a polymeric material and a non-polymeric material wherein the weight ratio non-polymeric material of the polymeric material is 95: in the range of 95, polymeric materials and non-polymeric material is formed from the same precursor material feedstock, comprising the steps,
    前記有機デバイス本体の周囲に近接する1つ又は複数の領域にエッジバリアを配置する工程と、を含む方法。 Method comprising the steps of disposing an edge barrier on one or more regions adjacent the periphery of the organic device body.
  2. 前記エッジバリアが乾燥剤材料を含む請求項1に記載の方法。 The method of claim 1 wherein the edge barrier comprises a desiccant material.
  3. 前記有機デバイス本体の周囲に近接する1つ又は複数の領域において、前記基礎部表面内に1つ又は複数の不連続部を形成し、前記乾燥剤材料を前記不連続部に堆積することにより、前記エッジバリアが形成される請求項2に記載の方法。 In one or more regions adjacent to the periphery of the organic device body, by which the base portion to form one or more discontinuities in the surface, depositing the desiccant material to the discontinuous portion, the method of claim 2, wherein the edge barrier is formed.
  4. 前記エッジバリアは前記第1のハイブリッド層上に堆積されるバリアコーティングであり、前記バリアコーティングは前記第1のハイブリッド層のエッジ上に延在する請求項1に記載の方法。 Wherein the edge barrier is a barrier coating that is deposited on the first hybrid layer, The method of claim 1 wherein the barrier coating extending over the edge of the first hybrid layer.
  5. 前記バリアコーティングで前記有機デバイス本体を覆わない請求項4に記載の方法。 The method of claim 4, in the barrier coating does not cover the organic device body.
  6. 前記バリアコーティングが透明ではない請求項5に記載の方法。 The method of claim 5 wherein the barrier coating is not transparent.
  7. 前記バリアコーティングが、ポリマー材料と非ポリマー材料との混合物を備える第2のハイブリッド層であり、ポリマー材料の非ポリマー材料に対する重量比が95:5〜5:95の範囲にある請求項4に記載の方法。 Wherein the barrier coating is a second hybrid layer comprising a mixture of a polymeric material and a non-polymeric material, the weight ratio of non-polymeric material of the polymeric material is 95: 5 to 5: Claim 4 in the range of 95 the method of.
  8. 前記第1のハイブリッド層が真空下で堆積され、前記真空が破られた後前記第2のハイブリッド層が堆積される請求項7に記載の方法。 The method of claim 7, wherein the first hybrid layer is deposited under vacuum, the after the vacuum is broken second hybrid layer is deposited.
  9. 前記第1のハイブリッド層と前記バリアコーティングとの間にポリマー層を配置する工程を更に含む請求項4に記載の方法。 The method of claim 4, further comprising placing a polymer layer between the barrier coating and the first hybrid layer.
  10. 基板上に配置された有機デバイス本体を有する電子デバイスを保護するための方法であって、 A method for protecting an electronic device having an organic device body disposed on the substrate,
    前駆体物質の原料を提供する工程と、 Providing a raw material of the precursor material,
    前記電子デバイスに近接する反応位置に前記前駆体物質を移動する工程と、 A step of moving the precursor material to a reaction location adjacent the electronic device,
    前記前駆体物質の原料を使用する化学気相成長法によって前記有機デバイス本体上にハイブリッド層を堆積する工程であり、前記ハイブリッド層がポリマー材料と非ポリマー材料との混合物を含み、ポリマー材料の非ポリマー材料に対する重量比が95:5〜5:95の範囲であり、ポリマー材料及び非ポリマー材料が同一の前駆体物質原料から形成される工程と、を含み、 Wherein the chemical vapor deposition method using a raw material of the precursor material is a step of depositing a hybrid layer over the organic device body, wherein the hybrid layer comprises a mixture of a polymeric material and non-polymeric materials, non-polymeric material the weight ratio polymer material 95: in the range of 95, comprising the steps of polymeric materials and non-polymeric material is formed from the same precursor material feed, the,
    前記電子デバイスが相互接続リードを含み、前記ハイブリッド層が前記相互接続リードの側方エッジを覆う方法。 Wherein said electronic device comprises an interconnect lead, the hybrid layer covers the lateral edge of the interconnecting lead.
  11. 前記相互接続リードが前記基板のエッジまで延在しない請求項10に記載の方法。 The method of claim 10, wherein the interconnecting lead does not extend to the edge of the substrate.
  12. 前記相互接続リードが、前記ハイブリッド層を通って突き出す突起部を含む請求項11に記載の方法。 It said interconnection leads, the method of claim 11 including a protrusion protruding through the hybrid layer.
  13. 基板上に配置された有機デバイス本体を有する電子デバイスを保護するための方法であって、 A method for protecting an electronic device having an organic device body disposed on the substrate,
    前駆体物質の原料を提供する工程と、 Providing a raw material of the precursor material,
    前記電子デバイスに近接する反応位置に前記前駆体物質を移動する工程と、 A step of moving the precursor material to a reaction location adjacent the electronic device,
    前記前駆体物質の原料を使用する化学気相成長法によって前記有機デバイス本体上にハイブリッド層を堆積する工程であり、前記ハイブリッド層がポリマー材料と非ポリマー材料との混合物を含み、ポリマー材料の非ポリマー材料に対する重量比が95:5〜5:95の範囲であり、ポリマー材料及び非ポリマー材料が同一の前駆体物質原料から形成される工程と、を含み、 Wherein the chemical vapor deposition method using a raw material of the precursor material is a step of depositing a hybrid layer over the organic device body, wherein the hybrid layer comprises a mixture of a polymeric material and non-polymeric materials, non-polymeric material the weight ratio polymer material 95: in the range of 95, comprising the steps of polymeric materials and non-polymeric material is formed from the same precursor material feed, the,
    介在層が前記ハイブリッド層と前記基板との間に配置され、前記介在層が前記ハイブリッド層を前記基板に接着するように働く方法。 Intervening layer is disposed between the substrate and the hybrid layer, wherein said intermediate layer acts to adhere the hybrid layer to the substrate.
  14. 基板上に配置された有機デバイス本体を有する電子デバイスを保護するための方法であって、 A method for protecting an electronic device having an organic device body disposed on the substrate,
    前駆体物質の原料を提供する工程と、 Providing a raw material of the precursor material,
    前記電子デバイスに近接する反応位置に前記前駆体物質を移動する工程と、 A step of moving the precursor material to a reaction location adjacent the electronic device,
    前記前駆体物質の原料を使用する化学気相成長法によって前記有機デバイス本体上にハイブリッド層を堆積する工程であり、前記ハイブリッド層がポリマー材料と非ポリマー材料との混合物を含み、ポリマー材料の非ポリマー材料に対する重量比が95:5〜5:95の範囲であり、ポリマー材料及び非ポリマー材料が同一の前駆体物質原料から形成される工程と、を含み、 Wherein the chemical vapor deposition method using a raw material of the precursor material is a step of depositing a hybrid layer over the organic device body, wherein the hybrid layer comprises a mixture of a polymeric material and non-polymeric materials, non-polymeric material the weight ratio polymer material 95: in the range of 95, comprising the steps of polymeric materials and non-polymeric material is formed from the same precursor material feed, the,
    介在層が前記ハイブリッド層と前記有機デバイス本体の上部表面との間に配置され、前記介在層が前記ハイブリッド層を前記有機デバイス本体の前記上部表面に接着するように働く方法。 Intervening layer is disposed between the hybrid layer and the organic device body of the upper surface, wherein said intermediate layer acts to adhere the hybrid layer to the upper surface of the organic device body.
  15. ポリマー基板上に配置された有機デバイス本体を有する電子デバイスを保護するための方法であって、 A method for protecting an electronic device having an organic device body disposed polymer substrate,
    前駆体物質の原料を提供する工程と、 Providing a raw material of the precursor material,
    前記電子デバイスに近接する反応位置に前記前駆体物質を移動する工程と、 A step of moving the precursor material to a reaction location adjacent the electronic device,
    前記前駆体物質の原料を使用する化学気相成長法によって前記有機デバイス本体上に第1のハイブリッド層を堆積する工程であり、前記第1のハイブリッド層がポリマー材料と非ポリマー材料との混合物を含み、ポリマー材料の非ポリマー材料に対する重量比が95:5〜5:95の範囲であり、ポリマー材料及び非ポリマー材料が同一の前駆体物質原料から形成される工程と、を含み、 Wherein the chemical vapor deposition method using a raw material of the precursor material is a step of depositing a first hybrid layer over the organic device body, the first hybrid layer a mixture of a polymeric material and a non-polymeric material wherein the weight ratio non-polymeric material of the polymeric material is 95: in the range of 95, comprising the steps of polymeric materials and non-polymeric material is formed from the same precursor material feed, the,
    第2のハイブリッド層が、前記ポリマー基板の上部表面に配置され、前記第2のハイブリッド層上に前記有機デバイス本体が配置され、前記第2のハイブリッド層がポリマー材料と非ポリマー材料との混合物を含み、ポリマー材料の非ポリマー材料に対する重量比が95:5〜5:95の範囲である方法。 The second hybrid layer, disposed on the top surface of the polymer substrate, wherein the organic device body disposed in the second hybrid layer, the second hybrid layer a mixture of a polymeric material and a non-polymeric material wherein the weight ratio non-polymeric material of the polymeric material is 95: the method is in the range of 95.
  16. 前記第2のハイブリッド層が、前記ポリマー基板の不活性化層として働く請求項15に記載の方法。 The method of claim 15 wherein the second hybrid layer, which acts as a passivation layer of the polymer substrate.
  17. 前記ポリマー基板が乾燥剤として働く請求項15に記載の方法。 The method of claim 15, wherein the polymer substrate acts as a drying agent.
  18. 前記ポリマー基板が、乾燥剤材料を含む請求項17に記載の方法。 The method of claim 17 wherein the polymer substrate is, containing desiccant material.
  19. 前記ポリマー基板が脱気される請求項17に記載の方法。 The method of claim 17, wherein the polymer substrate is deaerated.
  20. 前記第2のハイブリッド層が、前記ポリマー基板の底面も覆う請求項15に記載の方法。 The second hybrid layer, The method of claim 15 also covers the bottom surface of the polymer substrate.
  21. 前記第2のハイブリッド層が、前記ポリマー基板の側部も含む前記ポリマー基板を完全に封入する請求項15に記載の方法。 The second hybrid layer, The method of claim 15 which completely encapsulate the polymer substrate including a side portion of the polymer substrate.
  22. 金属基板上に配置された有機デバイス本体を有する電子デバイスを保護するための方法であって、 A method for protecting an electronic device having an organic device body disposed on a metal substrate,
    前駆体物質の原料を提供する工程と、 Providing a raw material of the precursor material,
    前記電子デバイスに近接する反応位置に前記前駆体物質を移動する工程と、 A step of moving the precursor material to a reaction location adjacent the electronic device,
    前記前駆体物質の原料を使用する化学気相成長法によって前記有機デバイス本体上にハイブリッド層を堆積する工程であり、前記ハイブリッド層がポリマー材料と非ポリマー材料との混合物を含み、ポリマー材料の非ポリマー材料に対する重量比が95:5〜5:95の範囲であり、ポリマー材料及び非ポリマー材料が同一の前駆体物質原料から形成される工程と、を含み、 Wherein the chemical vapor deposition method using a raw material of the precursor material is a step of depositing a hybrid layer over the organic device body, wherein the hybrid layer comprises a mixture of a polymeric material and non-polymeric materials, non-polymeric material the weight ratio polymer material 95: in the range of 95, comprising the steps of polymeric materials and non-polymeric material is formed from the same precursor material feed, the,
    前記電子デバイスが、前記金属基板の上部表面にポリマー平坦化層を含み、前記ポリマー平坦化層が前記金属基板のエッジまで延在しない方法。 Wherein the electronic device comprises a polymeric planarizing layer on the surface of the metal substrate, wherein the polymer planarizing layer does not extend to the edge of the metal substrate.
  23. 複数の有機デバイス本体を区切るための格子上に配置された前記複数の有機デバイス本体を有する電子デバイスを保護するための方法であって、 A method for protecting an electronic device having a plurality of organic device body disposed on the grid to delimit a plurality of organic device body,
    前駆体物質の原料を提供する工程と、 Providing a raw material of the precursor material,
    前記電子デバイスに近接する反応位置に前記前駆体物質を移動する工程と、 A step of moving the precursor material to a reaction location adjacent the electronic device,
    前記前駆体物質の原料を使用する化学気相成長法によって前記有機デバイス本体上にハイブリッド層を堆積する工程であり、前記ハイブリッド層がポリマー材料と非ポリマー材料との混合物を含み、ポリマー材料の非ポリマー材料に対する重量比が95:5〜5:95の範囲であり、ポリマー材料及び非ポリマー材料が同一の前駆体物質原料から形成される工程と、を含む方法。 Wherein the chemical vapor deposition method using a raw material of the precursor material is a step of depositing a hybrid layer over the organic device body, wherein the hybrid layer comprises a mixture of a polymeric material and non-polymeric materials, non-polymeric material the weight ratio polymer material 95: in the range of 95, the method comprising the steps of polymeric materials and non-polymeric material is formed from the same precursor material feedstock, a.
  24. 前記格子が、水分又は酸素の流れを妨げる材料を含む請求項23に記載の方法。 The method of claim 23 wherein the grating, including a material that prevents the flow of moisture or oxygen.
  25. 前記材料が無機材料である請求項24に記載の方法。 The method of claim 24 wherein the material is an inorganic material.
  26. 前記格子が、前記ハイブリッド層の一部が貫通する不連続部を備える請求項23に記載の方法。 The grid The method of claim 23, part of the hybrid layer comprises discontinuities therethrough.
  27. 有機電子デバイスであって、 An organic electronic device,
    基板と、 And the substrate,
    前記基板上に配置される機能的な有機体と、 And functional organic body disposed on the substrate,
    前記機能的な有機体に接続される相互接続リードと、 And interconnecting leads connected to the functional organic body,
    前記機能的な有機体上に配置され、前記相互接続リードの側方エッジを覆うハイブリッド層であり、ポリマー材料と非ポリマー材料との混合物を含むハイブリッド層と、を含む有機電子デバイス。 The functional disposed on the organism, the a hybrid layer covering the side edges of the interconnect leads, an organic electronic device comprising a hybrid layer, the comprising a mixture of polymeric material and non-polymeric material.
  28. 前記相互接続リードが前記基板のエッジまで延在しない請求項27に記載のデバイス。 The device of claim 27, wherein the interconnecting lead does not extend to the edge of the substrate.
  29. 前記相互接続リードが、前記ハイブリッド層を通って突き出す突起部を備える請求項27に記載のデバイス。 It said interconnection leads, according to claim 27 comprising a protruding portion protruding through the hybrid layer device.
  30. 前記突起部が、前記ハイブリッド層の外側に出ている前記突起部の一部分にノブを更に備え、前記ノブが前記ハイブリッド層の表面上を側方に延びる請求項29に記載のデバイス。 It said protrusion, further comprising a knob portion of the protrusion that is outside the hybrid layer, according to claim 29, wherein the knob extends over the surface of the hybrid layer laterally device.
  31. 前記相互接続リードがステップ部を備える請求項27に記載のデバイス。 The device of claim 27, wherein the interconnecting lead includes a step portion.
  32. 前記ハイブリッド層と前記基板との間に配置される乾燥剤を更に備える請求項27に記載のデバイス。 The device of claim 27, further comprising a desiccant disposed between the substrate and the hybrid layer.
  33. 前記ハイブリッド層が、少なくとも厚さ800Åにわたる均質な組成を有する請求項27に記載のデバイス。 The device of claim 27 wherein the hybrid layer having a homogeneous composition over at least a thickness of 800 Å.
  34. 前記ポリマー材料がポリマーシリコンであり、前記非ポリマー材料が無機シリコンである請求項27に記載のデバイス。 It said polymeric material is a polymer silicon device according to claim 27 wherein the non-polymeric material is inorganic silicon.
  35. 有機電子デバイスであって、 An organic electronic device,
    金属基板と、 And the metal substrate,
    前記基板上に配置される機能的な有機体と、 And functional organic body disposed on the substrate,
    前記金属基板と前記機能的な有機体との間に配置されるポリマー平坦化層であり、前記金属基板のエッジまで延在しないポリマー平坦化層と、 Wherein a polymer planarizing layer disposed between the metal substrate and the functional organic body, and a polymer planarizing layer does not extend to the edge of the metal substrate,
    前記ポリマー平坦化層のエッジを覆うハイブリッド層であり、ポリマー材料と非ポリマー材料との混合物を含むハイブリッド層と、を含む有機電子デバイス。 Wherein the polymer is a hybrid layer covering the edge of the planarization layer, an organic electronic device comprising a hybrid layer, the comprising a mixture of polymeric material and non-polymeric material.
  36. 前記ハイブリッド層が前記機能的な有機体を更に覆い、前記デバイスが、 It said hybrid layer further covers the functional organic body, the device,
    前記機能的な有機体に接続された相互接続リードを更に含み、前記相互接続リードが、前記ポリマー平坦化層のエッジを越え、前記ポリマー平坦化層の前記エッジを前記相互接続リードが越えるステップ部を備える請求項35に記載のデバイス。 Further comprising an interconnection leads connected to the functional organic body, the interconnecting lead, the polymer beyond the edge of the planarization layer, the step portion of the edge of the polymer planarizing layer over said interconnect leads the device of claim 35 comprising a.
  37. 前記ハイブリッド層が、前記相互接続リードの前記ステップ部を覆う請求項36に記載のデバイス。 The device of claim 36 wherein the hybrid layer covering the step portion of the interconnect leads.
  38. 前記相互接続リードが、前記基板のエッジまで延在しない請求項37に記載のデバイス。 It said interconnection leads, according to claim 37 which does not extend to the edge of the substrate device.
  39. 前記相互接続リードが、前記ハイブリッド層を通って突き出す突起部を備える請求項38に記載のデバイス。 It said interconnection leads, according to claim 38 comprising a protruding portion protruding through the hybrid layer device.
  40. 前記ハイブリッド層が、ポリマー材料と非ポリマー材料の第1の混合物を含む第1のハイブリッド層であり、前記デバイスが、 The hybrid layer is a first hybrid layer comprising a first mixture of polymeric material and non-polymeric material, wherein the device is
    前記機能的な有機体に接続された相互接続リードであり、前記第1のハイブリッド層を越え、前記第1のハイブリッド層を前記相互接続リードが越えるステップ部を備える相互接続リードと、 Wherein a functional organic body connected to the interconnect leads, said first exceeds a hybrid layer of interconnect leads comprising the step portion exceeding the first hybrid layer is said interconnect leads,
    ポリマー材料と非ポリマー材料の第2の混合物を含み、前記機能的な有機体を覆う第2のハイブリッド層と、を更に含む請求項35に記載のデバイス。 Device according to claim 35, wherein the second mixture of polymeric material and non-polymeric material further comprises a second hybrid layer covering the functional organic body.
  41. 前記ハイブリッド層が、少なくとも厚さ800Åにわたる均質な組成を有する請求項35に記載のデバイス。 The device of claim 35 wherein the hybrid layer having a homogeneous composition over at least a thickness of 800 Å.
  42. 前記ポリマー材料がポリマーシリコンであり、前記非ポリマー材料が無機シリコンである請求項35に記載のデバイス。 It said polymeric material is a polymer silicon device according to claim 35 wherein the non-polymeric material is inorganic silicon.
  43. 有機電子デバイスであって、 An organic electronic device,
    ポリマー基板と、 And the polymer substrate,
    前記基板の上部表面に配置され、ポリマー材料と非ポリマー材料との第1の混合物を含む第1のハイブリッド層と、 Disposed over the surface of the substrate, a first hybrid layer comprising a first mixture of a polymeric material and a non-polymeric material,
    前記基板の下面に配置され、ポリマー材料と非ポリマー材料との第2の混合物を含む第2のハイブリッド層と、 Is disposed on the lower surface of the substrate, and the second hybrid layer comprising a second mixture of a polymeric material and a non-polymeric material,
    前記第1のハイブリッド層上に配置される機能的な有機体と、 And functional organic bodies disposed on the first hybrid layer,
    前記機能的な有機体上に配置され、ポリマー材料と非ポリマー材料との第3の混合物を含む第3のハイブリッド層と、を含む有機電子デバイス。 The functional disposed on the organism, the organic electronic device comprising a third hybrid layer comprising a third mixture of polymeric material and non-polymeric material.
  44. 前記第1のハイブリッド層、前記第2のハイブリッド層、又は前記第3のハイブリッド層のうちの少なくとも1つが、少なくとも厚さ800Åにわたる均質な組成を有する請求項43に記載のデバイス。 The first hybrid layer, the second hybrid layer, or the third at least one of the hybrid layer, the device according to claim 43 having a homogeneous composition over at least a thickness of 800 Å.
  45. 前記ポリマー材料がポリマーシリコンであり、前記非ポリマー材料が無機シリコンである請求項43に記載のデバイス。 It said polymeric material is a polymer silicon device according to claim 43 wherein the non-polymeric material is inorganic silicon.
  46. 有機電子デバイスであって、 An organic electronic device,
    基板と、 And the substrate,
    前記基板上に配置される機能的な有機体と、 And functional organic body disposed on the substrate,
    前記機能的な有機体上に配置され、側方に延びて前記基板の側部エッジを覆い、ポリマー材料と非ポリマー材料との混合物を含むハイブリッド層と、を含む有機電子デバイス。 Wherein disposed on the functional organic body, cover the side edges of the substrate extend laterally, an organic electronic device comprising a hybrid layer, the comprising a mixture of polymeric material and non-polymeric material.
  47. 前記ハイブリッド層が、前記基板の下面の少なくとも一部を更に覆う請求項46に記載のデバイス。 The hybrid layer of claim 46 wherein at least a portion of the lower surface of the substrate to cover the device.
  48. 前記ハイブリッド層が、前記基板の下面全体を覆う請求項46に記載のデバイス。 The device of claim 46 wherein the hybrid layer is to cover the entire lower surface of the substrate.
  49. 前記ハイブリッド層がポリマー材料と非ポリマー材料との第1の混合物を含む第1のハイブリッド層であり、前記デバイスが、前記基板の下面及び前記第1のハイブリッド層の少なくとも一部を覆う第2のハイブリッド層を更に含む請求項46に記載のデバイス。 The hybrid layer is a first hybrid layer comprising a first mixture of a polymeric material and a non-polymeric material, wherein the device is of the lower surface of the substrate and the first at least a portion of the hybrid layer covering the second of the device of claim 46 further comprising a hybrid layer.
  50. 第1及び第2のハイブリッド層が、前記機能的な有機体及び前記基板を完全に封入する請求項49に記載のデバイス。 The device of claim 49 the first and second hybrid layer, completely enclosing the functional organic body and the substrate.
  51. 前記機能的な有機体と接触する電極と、 An electrode in contact with the functional organic body,
    前記電極に接続され、前記基板のエッジ上に外へ広がる接続リードと、を更に含み、 Connected to said electrode further comprises a connecting lead extending out, the on edge of the substrate,
    前記ハイブリッド層が前記接続リードの少なくとも一部分をコーティングする請求項46に記載のデバイス。 The device of claim 46 wherein the hybrid layer coating at least a portion of the connection leads.
  52. 前記電極が、前記機能的な有機体と前記基板との間に位置する請求項A1に記載のデバイス。 The device of claim A1 wherein the electrode is positioned between the substrate and the functional organic body.
  53. 前記ハイブリッド層が、少なくとも厚さ800Åにわたる均質な組成を有する請求項46に記載のデバイス。 The device of claim 46 wherein the hybrid layer having a homogeneous composition over at least a thickness of 800 Å.
  54. 前記ポリマー材料がポリマーシリコンであり、前記非ポリマー材料が無機シリコンである請求項46に記載のデバイス。 It said polymeric material is a polymer silicon device according to claim 46 wherein the non-polymeric material is inorganic silicon.
  55. 基板を有する有機電子デバイスを保護するための方法であって、 A method for protecting an organic electronic device having a substrate,
    前記基板によってホルダー上に保持される有機電子デバイスを堆積チャンバ内に配置する工程と、 Placing the organic electronic device is held on the holder into the deposition chamber by said substrate,
    前駆体物質の原料を提供する工程と、 Providing a raw material of the precursor material,
    前記有機電子デバイスに近接する反応位置に前記前駆体物質を移動する工程と、 A step of moving the precursor material to a reaction location adjacent the organic electronic device,
    前記前駆体物質の原料を使用するプラズマ化学気相成長法によって前記有機電子デバイス上にハイブリッド層を堆積する工程であり、前記ハイブリッド層がポリマー材料と非ポリマー材料との混合物を含み、ポリマー材料及び非ポリマー材料が同一の前駆体物質原料から形成される工程と、 Wherein the plasma enhanced chemical vapor deposition method using a raw material of the precursor material is a step of depositing a hybrid layer over the organic electronic device, wherein the hybrid layer comprises a mixture of a polymeric material and non-polymeric materials, and polymeric materials a step of non-polymeric material is formed from the same precursor material feed,
    前記ハイブリッド層が前記基板の側部エッジを覆うまで前記堆積プロセスを継続する工程と、を含む方法。 Method comprising the steps of continuing the deposition process until the hybrid layer covers the side edges of the substrate.
  56. 前記ホルダーが前記基板の一部分だけをマスクし、前記ハイブリッド層が前記基板の下面の少なくとも一部分を覆うまで前記堆積プロセスが継続される請求項55に記載の方法。 The holder is masked only a portion of the substrate, The method of claim 55, wherein the hybrid layer is the deposition process is continued until covering at least a portion of the lower surface of the substrate.
  57. 前記ハイブリッド層がポリマー材料と非ポリマー材料との第1の混合物を含む第1のハイブリッド層であり、前記第1のハイブリッド層を堆積した後で、 After the hybrid layer is a first hybrid layer comprising a first mixture of a polymeric material and a non-polymeric material, depositing the first hybrid layer,
    前記ホルダー上で前記有機電子デバイスを反転させる工程と、 A step of inverting the organic electronic device on said holder,
    前記有機電子デバイスに近接する反応位置に前記前駆体物質を移動する工程と、 A step of moving the precursor material to a reaction location adjacent the organic electronic device,
    前記前駆体物質の原料を使用するプラズマ化学気相成長法によって前記有機電子デバイス上に第2のハイブリッド層を堆積する工程であり、前記第2のハイブリッド層がポリマー材料と非ポリマー材料との第2の混合物を含み、ポリマー材料及び非ポリマー材料が同一の前駆体物質原料から形成される工程と、 Wherein the plasma enhanced chemical vapor deposition method using a raw material of the precursor material is a step of depositing a second hybrid layer over the organic electronic device, the said second hybrid layer of polymer material and non-polymeric material comprises a mixture of 2, the steps of polymeric materials and non-polymeric material is formed from the same precursor material feed,
    前記第2のハイブリッド層が前記第1のハイブリッド層の少なくとも一部分を覆うまで前記堆積プロセスを継続する工程と、を更に含む請求項55に記載の方法。 The method of claim 55, wherein the second hybrid layer further comprises a step of continuing the deposition process until covering at least a portion of the first hybrid layer.
  58. 少なくとも厚さ800Åの前記ハイブリッド層が同じ反応条件で堆積される請求項55に記載の方法。 The method of claim 55, wherein the hybrid layer of a thickness of at least 800Å is deposited under the same reaction conditions.
  59. 前記前駆体物質が有機シリコン化合物である請求項55に記載の方法。 The method of claim 55 wherein the precursor substance is an organic silicon compound.
  60. 有機電子デバイスであって、 An organic electronic device,
    基板と、 And the substrate,
    前記基板上に配置される複数の機能的な有機体と、 A plurality of functional organic bodies disposed on the substrate,
    前記機能的な有機体を独立した画素領域に区切る格子であり、不連続部を備える格子と、 A grating to separate the functional organic body independent pixel region and a grating comprising discontinuous portions,
    前記機能的な有機体と前記格子上に配置されるハイブリッド層であり、前記不連続部を貫通し、ポリマー材料と非ポリマー材料との混合物を含むハイブリッド層と、を含む有機電子デバイス。 Wherein a functional organic body and hybrid layer disposed on the grating, through the discontinuity, the organic electronic device comprising a hybrid layer, the comprising a mixture of polymeric material and non-polymeric material.
  61. 前記ハイブリッド層が、少なくとも厚さ800Åにわたる均質な組成を有する請求項60に記載のデバイス。 The device of claim 60 wherein the hybrid layer having a homogeneous composition over at least a thickness of 800 Å.
  62. 前記ポリマー材料がポリマーシリコンであり、前記非ポリマー材料が無機シリコンである請求項60に記載のデバイス。 It said polymeric material is a polymer silicon device according to claim 60 wherein the non-polymeric material is inorganic silicon.
  63. 有機電子デバイスであって、 An organic electronic device,
    基板と、 And the substrate,
    前記基板上に配置される機能的な有機体と、 And functional organic body disposed on the substrate,
    前記機能的な有機体上に配置されるハイブリッド層であり、ポリマー材料と非ポリマー材料との混合物を含むハイブリッド層と、 A hybrid layer disposed on the functional organic body, a hybrid layer comprising a mixture of polymeric material and non-polymeric material,
    前記ハイブリッド層上に配置され、前記ハイブリッド層のエッジ上に延びるバリアコーティングと、を含む有機電子デバイス。 Wherein disposed hybrid layer, an organic electronic device comprising a barrier coating extending over the edge of the hybrid layer.
  64. 前記ハイブリッド層が、ポリマー材料と非ポリマー材料の第1の混合物を含む第1のハイブリッド層であり、前記バリアコーティングが、ポリマー材料と非ポリマー材料の第2の混合物を含む第2のハイブリッド層である請求項63に記載のデバイス。 The hybrid layer is a first hybrid layer comprising a first mixture of polymeric material and non-polymeric material, wherein the barrier coating, the second hybrid layer comprising a second mixture of polymeric material and non-polymeric material device according to one claim 63.
  65. 前記バリアコーティングが、前記機能的な有機体の少なくとも一部分を覆わない請求項63に記載のデバイス。 The barrier coating of claim 63 which does not cover at least a portion of the functional organic body device.
  66. 前記バリアコーティングが透明ではない請求項65に記載のデバイス。 The device of claim 65 wherein the barrier coating is not transparent.
  67. 前記基板の表面と前記バリアコーティングとの間に配置された介在層を更に有し、前記介在層が前記基板表面と前記バリアコーティングとの間の界面結合を増大させるように働く材料を含む請求項63に記載のデバイス。 Claim containing material which serves to increase the interfacial bonding between further comprising a disposed intervening layer, the intervening layer is between the substrate surface and the barrier coating between the barrier coating and the surface of the substrate the device according to 63.
  68. 前記バリアコーティングと前記ハイブリッド層との間に配置された乾燥剤材料を更に含む請求項63に記載のデバイス。 The device of claim 63 further comprising a desiccant material disposed between the hybrid layer and the barrier coating.
  69. 前記ハイブリッド層が、少なくとも厚さ800Åにわたる均質な組成を有する請求項63に記載のデバイス。 The device of claim 63 wherein the hybrid layer having a homogeneous composition over at least a thickness of 800 Å.
  70. 前記ポリマー材料がポリマーシリコンであり、前記非ポリマー材料が無機シリコンである請求項63に記載のデバイス。 It said polymeric material is a polymer silicon device according to claim 63 wherein the non-polymeric material is inorganic silicon.
  71. 基板と金属電極を備える有機電子デバイスを保護するための方法であって、 A method for protecting an organic electronic device comprising a substrate and a metal electrode,
    前記金属電極をヒートシンクに連結する工程と、 A step of connecting the metal electrodes to the heat sink,
    ポリマー材料と非ポリマー材料との混合物を含むハイブリッド層を、前記有機電子デバイス上に堆積する工程と、を含む方法。 Methods including hybrid layer comprising a mixture of polymeric material and non-polymeric material, and a step of depositing on the organic electronic device.
  72. 前記ハイブリッド層がプラズマ化学気相成長法によって堆積される請求項71に記載の方法。 The method of claim 71, wherein the hybrid layer is deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition.
  73. 少なくとも厚さ800Åの前記ハイブリッド層が同じ反応条件で堆積される請求項72に記載の方法。 The method of claim 72, wherein the hybrid layer of a thickness of at least 800Å is deposited under the same reaction conditions.
  74. 前記ポリマー材料がポリマーシリコンであり、前記非ポリマー材料が無機シリコンである請求項71に記載の方法。 It said polymeric material is a polymer silicon The method of claim 71 wherein the non-polymeric material is inorganic silicon.
  75. 有機電子デバイスを形成する方法であって、 A method of forming an organic electronic device,
    基板上に配置される複数の機能的な有機体を提供する工程と、 Providing a plurality of functional organic bodies disposed over a substrate,
    前記機能的な有機体上にバリアコーティングを塗布する工程と、 A step of applying a barrier coating on the functional organic body,
    前記基板を切断して複数の個別の有機電子デバイスに分割する工程と、 A step of dividing into a plurality of individual organic electronic devices by cutting the substrate,
    ポリマー材料と非ポリマー材料との混合物を含むハイブリッド層を、個々の有機電子デバイスのカットエッジ上に堆積する工程と、を含む方法。 Methods including hybrid layer comprising a mixture of polymeric material and non-polymeric material, depositing on the cut edges of the individual organic electronic devices, the.
  76. 前記基板がフレキシブル基板であり、前記方法がロール・ツー・ロールプロセスを使用して前記基板上に複数の機能的な有機体を形成する工程を更に含む請求項75に記載の方法。 Wherein the substrate is a flexible substrate, method of claim 75 wherein the method further comprises a step of forming a plurality of functional organic bodies using a roll-to-roll process on the substrate.
  77. 少なくとも厚さ800Åの前記ハイブリッド層が同じ反応条件で堆積される請求項75に記載の方法。 The method of claim 75, wherein the hybrid layer of a thickness of at least 800Å is deposited under the same reaction conditions.
  78. 前記ポリマー材料がポリマーシリコンであり、前記非ポリマー材料が無機シリコンである請求項75に記載の方法。 It said polymeric material is a polymer silicon The method of claim 75, wherein the non-polymeric material is inorganic silicon.
  79. 有機電子デバイスを保護するための方法であって、 A method for protecting an organic electronic device,
    (a)基板と、 (A) a substrate,
    (b)機能的な有機体と接触する電極と、 (B) an electrode in contact with the functional organic body,
    (c)前記電極に接続され、前記基板のエッジ上に外へ延びる接続リードと、を有する有機電子デバイスを提供する工程と、 Connected to (c) the electrode, comprising: providing an organic electronic device having a connecting lead extending out over the edge of the substrate,
    前記有機電子デバイスを堆積チャンバ内に配置する工程であり、前記有機電子デバイスが前記接続リードによって前記堆積チャンバ内に保持される工程と、 A step of placing said organic electronic device deposition chamber, a step of the organic electronic device is held in the deposition chamber by the connecting leads,
    前記機能的な有機体上に、及び前記接続リード上にハイブリッド層を堆積する工程であり、前記ハイブリッド層がポリマー材料と非ポリマー材料との混合物を備える工程と、を含む方法。 On the functional organic body, and a step of depositing a hybrid layer over the connection leads, wherein said hybrid layer comprises a step with a mixture of a polymeric material and non-polymeric material.
  80. 前記ハイブリッド層が前記基板の下面の少なくとも一部分を覆うまで前記堆積プロセスを継続する工程を更に含む請求項79に記載の方法。 Furthermore, the process according to claim 79 comprising the step of the hybrid layer to continue the deposition process until covering at least a portion of the lower surface of the substrate.
  81. 前記ハイブリッド層が前記基板の下面全体を覆うまで前記堆積プロセスを継続する工程を更に含む請求項80に記載の方法。 The method of claim 80 further comprising the step of continuing the deposition process until the hybrid layer covers the entire lower surface of the substrate.
  82. 少なくとも厚さ800Åの前記ハイブリッド層が同じ反応条件で堆積される請求項79に記載の方法。 The method of claim 79, wherein the hybrid layer of a thickness of at least 800Å is deposited under the same reaction conditions.
  83. 前記ポリマー材料がポリマーシリコンであり、前記非ポリマー材料が無機シリコンである請求項79に記載の方法。 It said polymeric material is a polymer silicon The method of claim 79 wherein the non-polymeric material is inorganic silicon.
  84. 前記ハイブリッド層がプラズマ化学気相成長法によって堆積され、前記有機電子デバイスが、前記堆積プロセス中に、1つのプラズマ内に浸漬されるか又は2つ以上のプラズマ間に配置される請求項79に記載の方法。 Said hybrid layer is deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition, the organic electronic device, during the deposition process, to claim 79 arranged between one or two or more plasma is immersed in the plasma the method described.
  85. 有機電子デバイスを形成する方法であって、 A method of forming an organic electronic device,
    基板上に配置される複数の機能的な有機体を提供する工程であり、前記基板が、前記機能的な有機体の間に位置する複数のスルーホールを有する工程と、 A step of providing a plurality of functional organic bodies disposed over a substrate, wherein the substrate is a step having a plurality of through holes positioned between the functional organic body,
    ポリマー材料と非ポリマー材料との混合物を含むハイブリッド層を、前記機能的な有機体上に堆積する工程と、 A step of the hybrid layer is deposited on the functional organic body comprising a mixture of polymeric material and non-polymeric material,
    前記スルーホールの内部エッジが前記ハイブリッド層で覆われるまで前記堆積プロセスを継続する工程と、 A step of continuing the deposition process until the inside edge of the through hole is covered with the hybrid layer,
    前記スルーホールに沿って前記基板を分割して、複数の個々の有機電子デバイスを提供する工程と、を含む方法。 Said along the through hole dividing the substrate, the method comprising the steps of providing a plurality of individual organic electronic devices, the.
  86. 前記基板がフレキシブル基板であり、前記方法がロール・ツー・ロールプロセスを使用して前記基板上に前記複数の機能的な有機体を形成する工程を更に含む請求項85に記載の方法。 Wherein the substrate is a flexible substrate, method of claim 85 wherein the method further comprises the step of forming the plurality of functional organic bodies over the substrate using a roll-to-roll process.
  87. 前記基板の下面の少なくとも一部が前記ハイブリッド層で覆われるまで前記堆積プロセスを継続する工程を更に含む、請求項85に記載の方法。 Further comprising the method of claim 85 the step of continuing the deposition process until at least a portion of the lower surface of the substrate is covered with the hybrid layer.
  88. 前記スルーホールの幅が、前記基板の厚さと同じかそれより大きい請求項85に記載の方法。 The width of the through hole, the method of claim 85 greater than or equal to the thickness of the substrate.
  89. 少なくとも厚さ800Åの前記ハイブリッド層が同じ反応条件で堆積される請求項85に記載の方法。 The method of claim 85, wherein the hybrid layer of a thickness of at least 800Å is deposited under the same reaction conditions.
  90. 前記ポリマー材料がポリマーシリコンであり、前記非ポリマー材料が無機シリコンである請求項85に記載の方法。 It said polymeric material is a polymer silicon The method of claim 85 wherein the non-polymeric material is inorganic silicon.
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