JP2011258614A - プラズマ処理装置または試料載置台 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】真空容器内部の処理室内に配置された試料台上にウエハを載置して前記処理室内に形成したプラズマを用いて前記ウエハを処理するプラズマ処理装置であって、前記試料台の内部に配置された金属製の基材と、この基材上面に配置され溶射により形成された誘電体製の膜と、前記誘電体製の膜内部に配置され溶射で形成された膜状のヒータと、前記誘電体膜上に配置された接着層と、前記接着層によって前記誘電体膜に貼り付けられた厚さ0.2〜0.4mmのセラミック製の焼結板と、前記基材内部に配置され温度を検知するセンサと、このセンサからの出力を受けて前記ヒータの発熱を調節する制御部とを備えた。
【選択図】 図2
Description
図1は、本発明の係わるプラズマ処理装置の構成の概略を説明する縦断面図である。図1において、プラズマ処理装置100は、真空容器101と、その上方の外周に配置されて真空容器101内部に電界又は磁界を供給する電磁場供給手段と、真空容器101下方に配置されて真空容器101内部を排気する排気手段とを備えている。
101 真空容器
103 処理室
104 電波源
107 試料載置台
109 ヒータ電極用直流電源
110 静電吸着電極用直流電源
201 基材部
202 誘電体膜部
203 冷媒溝
205 ヒータ電極膜
207 接着材
208 静電吸着用電極膜
209 焼結セラミック板
210 温度センサ
Claims (4)
- 真空容器内部の処理室内に配置された試料台上にウエハを載置して前記処理室内に形成したプラズマを用いて前記ウエハを処理するプラズマ処理装置であって、
前記試料台の内部に配置された金属製の基材と、この基材上面に配置され溶射により形成された誘電体製の膜と、前記誘電体製の膜内部に配置され溶射で形成された膜状のヒータと、前記誘電体膜上に配置された接着層と、前記接着層によって前記誘電体膜に貼り付けられた厚さ0.2〜0.4mmのセラミック製の焼結板と、前記基材内部に配置され温度を検知するセンサと、このセンサからの出力を受けて前記ヒータの発熱を調節する制御部とを備えたプラズマ処理装置。 - 請求項1のプラズマ処理装置において、前記焼結板の内部または下面に配置された静電吸着用の電極膜を備えたプラズマ処理装置。
- 真空容器内部の処理室内に配置され、前記処理室内に形成したプラズマを用いて処理されるウエハを載置する試料載置台であって、
前記試料台の内部に配置された金属製の基材と、この基材上面に配置され溶射により形成された誘電体製の膜と、前記誘電体製の膜内部に配置され溶射で形成された膜状のヒータと、前記誘電体膜上に配置された接着層と、前記接着層によって前記誘電体膜に貼り付けられた厚さ0.2〜0.4mmのセラミック製の焼結板と、前記基材内部に配置され温度を検知するセンサとを備えた試料載置台。 - 請求項3の試料載置台において、前記焼結板の内部または下面に配置された静電吸着用の電極膜を備えた試料載置台。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010129522A JP5618638B2 (ja) | 2010-06-07 | 2010-06-07 | プラズマ処理装置または試料載置台 |
US12/854,242 US9150967B2 (en) | 2010-06-07 | 2010-08-11 | Plasma processing apparatus and sample stage |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010129522A JP5618638B2 (ja) | 2010-06-07 | 2010-06-07 | プラズマ処理装置または試料載置台 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011258614A true JP2011258614A (ja) | 2011-12-22 |
JP2011258614A5 JP2011258614A5 (ja) | 2013-07-18 |
JP5618638B2 JP5618638B2 (ja) | 2014-11-05 |
Family
ID=45063451
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010129522A Active JP5618638B2 (ja) | 2010-06-07 | 2010-06-07 | プラズマ処理装置または試料載置台 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9150967B2 (ja) |
JP (1) | JP5618638B2 (ja) |
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- 2010-06-07 JP JP2010129522A patent/JP5618638B2/ja active Active
- 2010-08-11 US US12/854,242 patent/US9150967B2/en active Active
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JP5618638B2 (ja) | 2014-11-05 |
US9150967B2 (en) | 2015-10-06 |
US20110297082A1 (en) | 2011-12-08 |
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