JP2011249851A - 半導体成膜用基板の製造方法 - Google Patents
半導体成膜用基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011249851A JP2011249851A JP2011191400A JP2011191400A JP2011249851A JP 2011249851 A JP2011249851 A JP 2011249851A JP 2011191400 A JP2011191400 A JP 2011191400A JP 2011191400 A JP2011191400 A JP 2011191400A JP 2011249851 A JP2011249851 A JP 2011249851A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- etching
- mask
- semiconductor film
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】基板の表面に部分的にマスクを形成する工程と、ドライエッチング法を用いて前記基板の表面の前記マスクに覆われていない部分をエッチング除去して凹部を形成する工程とを、この順に行うことにより、基板の表面に凹凸部を設ける。凹部を形成する工程においては、少なくとも最後に基板のエッチング速度をマスクのエッチング速度の半分〜2倍とすることによりデポジションを抑制しながらエッチングを行ったところでエッチングを終了する。半導体の成膜に適さない不良基板の発生が抑えられるので、基板の真の製造効率が改善される。
【選択図】図1
Description
(1)基板の表面に部分的にマスクを形成する工程と、ドライエッチング法を用いて前記基板の表面の前記マスクに覆われていない部分をエッチング除去して凹部を形成する工程とを、この順に行うことにより、基板の表面に凹凸部を設ける、半導体成膜用基板の製造方法であって、前記凹部を形成する工程においては、少なくとも最後に基板のエッチング速度をマスクのエッチング速度の半分〜2倍とすることによりデポジションを抑制しながらエッチングを行ったところでエッチングを終了することを特徴とする、半導体成膜用基板の製造方法。
(2)前記凹部を形成する工程においては、最初から最後まで基板のエッチング速度をマスクのエッチング速度の半分〜2倍とすることによりデポジションを抑制しながらエッチングを行う、前記(1)に記載の製造方法。
(3)前記凹部を形成する工程においては、少なくとも最後に基板のエッチング速度とマスクのエッチング速度とを略同じにしてエッチングを行ったところでエッチングを終了する、前記(1)に記載の製造方法。
(イ)ドライエッチング(とりわけ、RIE)には化学エッチングの側面と物理エッチングの側面がある。ドライエッチングにおける選択比が高い条件とは、異なる材料からなる基板とマスクとの間でエッチング速度が大きく異なる条件である。材料の相違がエッチング速度に強く影響することから、このような条件でのエッチングは、化学エッチングの側面が強いといえる。逆に、選択比が1に近い条件、すなわち、異なる材料間でエッチング速度があまり異ならない条件でのエッチングは、物理エッチングの側面が強いといえる。
(ロ)ドライエッチングの過程では、プラズマの形で供給されるエネルギーによってエッチングガスおよび/または被加工物(基板およびマスク)の一部が化学反応を起こし、該反応の生成物が基板上に堆積することがある。この現象をデポジションという。デポジションにより基板表面に堆積する物質を構成する材料は、通常、基板の材料と同じではない。よって、化学エッチングの側面が強い条件下では、基板と堆積物質との間でエッチング速度に差が生じる。選択比の大きな条件(基板のエッチング速度が大きくなるように設定されている)では、たいてい、基板のエッチング速度が堆積物のエッチング速度よりもかなり大きくなるために、この堆積物がエッチングマスクのように働き、その結果として凹部の表面に微細構造が形成される。この微細構造は、基板上に半導体を成膜させたときに、凹部表面での結晶の異常成長を発生させる原因になると考えられる。
(ハ)ドライエッチングによる凹部形成後、マスクを除去するが、この工程では、通常、使用したマスクができるだけ完全に除去される方法と条件が選択される。しかし、デポジションにより生じる基板上の堆積物質を構成する材料は、マスクの材料と同じではない。そのために、マスクを略完全に除去できる方法と条件を用いても、この堆積物質は除去し切れない可能性がある。残留した堆積物質は、得られた基板上に半導体膜を成長させたときに、凹部表面での結晶の異常成長を発生させる原因となることが考えられる。
(ニ)物理エッチングの側面が強いエッチング条件の下では、材料の違いによるエッチング速度の差が小さいために、デポジションが発生し難い。なぜなら、基板表面上に堆積する物質も、基板とともにエッチング除去されていくからである(このことから、堆積物質がエッチングマスクとして働くことによる微細構造の形成も起こり難い)。そのために、物理エッチングの側面が強いエッチング条件を用いてデポジションを抑制しながら凹部を形成した基板では、半導体膜を成長させたときに凹部表面での結晶の異常成長が発生し難くなるものと考えられる。
2 マスク
Claims (3)
- 基板の表面に部分的にマスクを形成する工程と、ドライエッチング法を用いて前記基板の表面の前記マスクに覆われていない部分をエッチング除去して凹部を形成する工程とを、この順に行うことにより、基板の表面に凹凸部を設ける、AlGaInN系半導体成膜用基板の製造方法であって、
前記凹部を形成する工程においては、最初の1/2〜3/4は基板のエッチング速度がマスクのエッチング速度の2倍より大きい条件でエッチングを行い、残りの部分は基板のエッチング速度をマスクのエッチング速度の半分〜2倍とすることによりデポジションを抑制しながらエッチングを行って、前記凹部を深さ1μm以上に形成することを特徴とする、半導体成膜用基板の製造方法。 - 前記残りの部分のエッチングにおいては、少なくとも最後に基板のエッチング速度とマスクのエッチング速度とを略同じにしてエッチングを行ったところでエッチングを終了する、請求項1に記載の製造方法。
- 前記基板がサファイア基板である、請求項1または2に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011191400A JP5212529B2 (ja) | 2011-09-02 | 2011-09-02 | 半導体成膜用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011191400A JP5212529B2 (ja) | 2011-09-02 | 2011-09-02 | 半導体成膜用基板の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007137064A Division JP2008294156A (ja) | 2007-05-23 | 2007-05-23 | 半導体成膜用基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011249851A true JP2011249851A (ja) | 2011-12-08 |
JP5212529B2 JP5212529B2 (ja) | 2013-06-19 |
Family
ID=45414628
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011191400A Expired - Fee Related JP5212529B2 (ja) | 2011-09-02 | 2011-09-02 | 半導体成膜用基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5212529B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62120028A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-01 | Toshiba Corp | 半導体基板のエツチング方法 |
JP2000232095A (ja) * | 1999-02-12 | 2000-08-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体表面の微細パターン形成方法 |
JP2005327821A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体、窒化物半導体基板、窒化物半導体素子及びそれらの製造方法 |
-
2011
- 2011-09-02 JP JP2011191400A patent/JP5212529B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62120028A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-01 | Toshiba Corp | 半導体基板のエツチング方法 |
JP2000232095A (ja) * | 1999-02-12 | 2000-08-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体表面の微細パターン形成方法 |
JP2005327821A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体、窒化物半導体基板、窒化物半導体素子及びそれらの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5212529B2 (ja) | 2013-06-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100941305B1 (ko) | 질화물 반도체 기판 및 그 제조 방법 | |
JP6060348B2 (ja) | 結晶性膜付き単結晶基板の製造方法、及び素子製造方法 | |
KR20030019150A (ko) | 화합물 단결정의 제조 방법 | |
US11139167B2 (en) | Method making it possible to obtain on a crystalline substrate a semi-polar layer of nitride obtained with at least one of the following materials: gallium (Ga), indium (In) and aluminium (Al) | |
CN104332541B (zh) | 图形化衬底制备方法及外延片制作方法 | |
US9455144B2 (en) | Method for growing nitride-based semiconductor with high quality | |
EP3075002A1 (en) | Semiconductor devices and fabrication methods | |
CN108023002A (zh) | 一种图形化衬底及其制作方法 | |
JP2008294156A (ja) | 半導体成膜用基板の製造方法 | |
JP2005183997A (ja) | 発光素子用窒化物半導体テンプレートおよびその製造方法 | |
JP5212529B2 (ja) | 半導体成膜用基板の製造方法 | |
CN108987541A (zh) | 一种三元复合图形衬底的制作方法 | |
US20050186757A1 (en) | Method for lift off GaN pseudomask epitaxy layer using wafer bonding way | |
JP2010171427A (ja) | 低欠陥密度を有するエピタキシャル構造およびその製造方法 | |
CN105609598B (zh) | 一种带空腔的iii‑v族氮化物复合衬底的制备方法 | |
US10903076B2 (en) | Material selective regrowth structure and method | |
JP2007320246A (ja) | モールド及びモールドの作製方法 | |
KR101116905B1 (ko) | 질화물 반도체 결정 성장 방법 | |
WO2012052513A1 (en) | Method for producing a low dislocation density iii-nitride crystal | |
US9391235B2 (en) | Patterned substrate for epitaxially growing semiconductor material, and method for patterning a substrate | |
CN220121868U (zh) | 全反射图形化衬底基板及led光源 | |
JPWO2020138226A1 (ja) | 半導体素子の製造方法、半導体素子および基板 | |
US20230329117A1 (en) | Deep smooth etching to realize scalable devices having piezoelectric crystals | |
JP2002289538A (ja) | 半導体素子の製造方法及び半導体素子 | |
CN104752152B (zh) | 一种沟槽刻蚀方法及刻蚀装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110902 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110930 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130123 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130129 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130211 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160308 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |