JP2011243821A - 光半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、複数の光部品を効率的に配置した小型で低コストの光半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】光を検出する第１の光部品と、光の光路上に配置され、鉄（Ｆｅ）およびニッケル（Ｎｉ）の少なくともいずれか一方を含む基体と、基体の表面に設けられ第１光部品の方向に光の光路を変える反射面と、を有する第２の光部品と、を備えたことを特徴とする光半導体装置が提供される。さらに、第１の光部品が配置された基板の主面に、第２の光部品をレーザ溶着により固定することを特徴とする光半導体装置の製造方法が提供される。
【選択図】図１

Description

本発明は、光半導体装置およびその製造方法に関する。

光通信システムの大容量化に伴い、波長多重（ＷＤＭ）方式が採用され、伝送装置に用いられる光半導体装置の高性能化が求められている。例えば、光ファイバ内を伝播する光が相互に干渉しないように、光源となる半導体発光装置の発光波長を安定化することが不可欠となっている。例えば、特許文献１には、構成を複雑にすることなく発振波長の変化の不連続点を検出し、安定な単一モード発振を可能とした波長可変レーザモジュールが開示されている。

一方、複数の光信号を並列伝送するＷＤＭ方式の採用にともない、伝送装置に使用される光半導体装置の数は大幅に増加する。このため、光半導体装置の小型化、低コスト化が求められている。

しかしながら、光半導体装置に求められる性能を実現するために新たな機能が付加され、装置の中に配置される部品点数が増加する場合がある。そこで、光半導体発光装置の内部に光部品を効率良く配置し、さらに、個々の光部品のコストを低減する技術が必要となっている。

特開２０１０−４０９２７号公報

本発明は、複数の光部品を効率的に配置した小型で低コストの光半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一実施形態によれば、光を検出する第１の光部品と、前記光の光路上に配置され、鉄（Ｆｅ）およびニッケル（Ｎｉ）の少なくともいずれか一方を含む基体と、前記基体の表面に設けられ前記第１の光部品の方向に前記光の光路を変える反射面と、を有する第２の光部品と、を備えたことを特徴とする光半導体装置が提供される。

本発明の別の一実施形態によれば、光を検出する第１の光部品と、前記光の光路上に配置され、鉄（Ｆｅ）およびニッケル（Ｎｉ）の少なくともいずれか一方を含む基体と、前記基体の表面に設けられ前記第１の光部品の方向に前記光の光路を変える反射面と、を有する第２の光部品と、を備える光半導体装置の製造方法であって、前記、前記第１の光部品が配置された基板の主面に、前記第２の光部品をレーザ溶着により固定することを特徴とする光半導体装置の製造方法が提供される。

本発明によれば、複数の光部品を効率的に配置した小型で低コストの光半導体装置およびその製造方法を実現することができる。

第１の実施形態に係る光半導体装置における光部品の平面配置を示す模式図である。 第１の実施形態に係る光半導体装置の組み立て工程を示す模式図である。 比較例に係る光半導体装置における光部品の平面配置を示す模式図である。 第２の実施形態に係る光半導体装置における光部品の平面配置を示す模式図である。 比較例に係る光半導体装置の光部品の平面配置を示す模式図である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態では、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について適宜説明する。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る光半導体装置１００における光部品の平面配置を示す模式図である。
本実施形態に例示する光半導体装置１００は、半導体発光素子１０と、第１の光部品である受光素子４０と、第２の光部品である金属ミラー３０と、第３の光部品であるビームスプリッタ２０と、を備えている。

図１に示すように、半導体発光素子１０は、基板２の主面上に、ヒートシンク１２を介して配置され出力光Ｌ_Ｏを出射する。
ビームスプリッタ２０は、半導体発光素子１０の出力光Ｌ_Ｏの光路上に配置され、半導体発光素子１０の出力光Ｌ_ＯをメインビームＬ_ＭとモニタービームＬ_Ｓに分岐する。
受光素子４０は、金属ミラー３０の反射面３４で光路を変えられたモニタービームＬ_Ｓを検出する。

ここに例示する光半導体装置１００では、受光素子４０として、例えば、フォトダイオードを用いることができる。なお、第１の光部品は、広義の光検出器であり、モニタービームＬ_Ｓを受光して、その特性を反映する何らかの出力を与えるものを用いることができる。

金属ミラー３０は、ビームスプリッタ２０により分岐されたモニタービームＬ_Ｓの光路上に配置され、鉄（Ｆｅ）およびニッケル（Ｎｉ）の少なくともいずれか一方を含む基体３３と、基体３３の表面に設けられモニタービームＬ_Ｓの光路を変える反射面３４と、を有している。

後述するように、ＦｅおよびＮｉの少なくともいずれか一方を含む基体３３は、レーザ溶着法を用いて基板２に固定することができる。ＦｅおよびＮｉの少なくともいずれか一方を含む金属は、例えば、熱伝導率が銅（Ｃｕ）よりも小さく、レーザ光により局部的に加熱することが容易である。したがって、レーザ溶着の被溶着体として適している。

さらに、ＦｅおよびＮｉの少なくともいずれか一方を含む金属は加工が容易であり、また、入手も容易である。したがって、光部品を低コストで製作することができる。例えば、基体３３の材料として、Ｆｅを主成分としてＮｉおよびクロム（Ｃｒ）を含む合金であるステンレス鋼を用いることができる。

基体３３は、平坦に加工された反射面３４を有する。反射面３４には、例えば、基体３３の表面を機械的に研磨したミラー面を用いることができる。さらに、反射面３４の表面に、例えば、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）または銀（Ａｇ）を含む反射膜をコーティングしても良い。また、誘電体膜を含む反射膜をコーティングすることもできる。

次に、光半導体装置１００の機能について詳細に説明する。
図１に示す光半導体装置１００では、ケース３に収納された基板２の主面上に複数の光部品が配置されている。ここに例示する光半導体装置１００は、例えば、半導体発光素子１０として半導体レーザを用いた半導体レーザ装置であり、素子の発振波長を安定化させるためのフィードバック系、所謂波長ロッカを備えている。

半導体発光素子１０から放射された出力光Ｌ_Ｏは、第１レンズ１３及び光アイソレータ１４を介してビームスプリッタ２０へと伝播する。第１レンズ１３は、出力光Ｌ_Ｏを平行化して所定の方向に伝播させる。光アイソレータは、出力光Ｌ_Ｏをビームスプリッタ２０の方向へ通過させ、半導体発光素子１０の方向へ向かう戻り光を遮断する。

ビームスプリッタ２０は、出力光Ｌ_ＯをメインビームＬ_ＭとモニタービームＬ_Ｓとに分岐する。図１中に示すように、メインビームＬ_Ｍは、ケース３に設けられた窓４から外部へ伝播し、レンズ２２で光ファイバ２５に結合されて光通信網へ伝播してゆく。一方、モニタービームＬ_Ｓは、金属ミラー３０で方向を変えてエタロン３１へと導かれる。さらに、エタロン３１を通過したモニタービームＬ_Ｓは、受光素子４０へ入射する。

エタロン３１では、モニタービームＬ_Ｓ（出力光Ｌ_Ｏ）の波長に対応して強度変調された透過光が出力される。これにより、受光素子４０では、出力光Ｌ_Ｏの波長変動をモニタービームＬ_Ｓの光強度の変化として検出することができる。例えば、受光素子４０がフォトダイオードである場合には、出力光Ｌ_Ｏの波長変動に対応して変化する光電流が出力される。

上記の通り、光半導体装置１００に備えられている波長ロッカは、エタロン３１および受光素子４０で構成される。例えば、受光素子４０の出力を半導体発光素子１０の駆動回路へフィードバックすることにより、半導体発光素子１０から放出される出力光Ｌ_Ｏの波長を安定化することができる。

図３に示す比較例に係る光半導体装置２００の部品配置では、ビームスプリッタ２０において分岐されたモニタービームＬ_Ｓの光路上にエタロン３１が配置され、エタロン３１を透過したモニタービームＬ_Ｓが受光素子に入射する構成となっている。この場合、半導体発光素子１０が放出する出力光Ｌ_Ｏを光ファイバ２５外部へ導く光学系と、モニタービームＬ_Ｓを監視して出力光Ｌ_Ｏの波長を安定させる波長ロッカの光学系と、が交差しており、光部品を配置するために有る程度大きな実装面積が必要となる。

例えば、バタフライパッケージ等の比較的大きなケースであれば容易に収容できるが、ＳＦＦ(Small Form Factor)規格等に準拠した小型パッケージに搭載するには難がある。

これに対し、本実施形態に係る光半導体装置１００では、モニタービームＬ_Ｓの光路上に金属ミラー３０を配置し、モニタービームＬ_Ｓの光路を変えることによりコンパクトな光部品の配置を実現することができる。
例えば、図１に示すように、金属ミラー３０においてモニタービームＬ_Ｓの光路を９０°変更し、半導体発光素子１０の出力光Ｌ_Ｏに平行に配置されたエタロン３１および受光素子４０へと導くことができる。これにより、波長ロッカの光学系を備えた光半導体装置１００を小型のパッケージ内への収納すること可能となる。

すなわち、本実施形態に係る光半導体装置１００では、金属ミラー３０を用いることにより、光部品の実装面積を省スペース化して小型化を実現することができる。さらに、本実施形態は、波長ロッカを備えた光半導体装置に限定される訳ではなく、ケースの小型化により光部品を狭い空間に配置する必要のある光半導体装置全般に対して、その作用効果を生じさせることができる。

例えば、光半導体装置では、半導体発光素子の発光光の光路に沿って光部品が直線的に配置されるため、光部品を収容するケースの内部にデッドスペースが生じ易い。そこで、光部品をデッドスペースに配置し、金属ミラーによってモニタービームＬ_Ｓをデッドスペースに導くようにすれば、光部品の効果的な配置を実現することができる。

さらに、本実施形態に示した金属ミラー３０は、ＦｅおよびＮｉの少なくともいずれか一方を含む基体３３と、基体３３の表面に設けられた反射面３４で構成されている。このような金属ミラー３０は小型化することが容易であり、小型ケースの内部に配置される光部品間の狭い空間に設置することが可能である。

例えば、光部品として用いられるミラーは、高い反射率を持たせるために、硝子の基体に反射膜をコーティングしたものが多い。このような硝子ミラーを基板に固定する際には、接着剤を用いて直接基板に固定するか、または、硝子ミラーを接着した金属ホルダーを、基板にレーザ溶着する方法を用いることができる。

いずれにしても、硝子ミラーは、接着剤によって固定されるため、長期的な安定性に欠ける場合がある。さらに、硝子ミラーを接着剤を用いて基板に固定する際に、接着剤を硬化させる時間を要するため、作業性の低下を招く問題もある。また、金属ホルダーを使用するために部品点数が増え、さらに接着強度を高くするために接着面の面積を広く確保する必要がある等、小型化が難しいという課題を有している。

また、光部品として用いられる金属ミラーの中には、例えば、Ｃｕを材料とする基体を有するものがある。熱伝導率の大きなＣｕを用いることにより、レーザ照射を受けて加熱された反射面から熱を効率良く放散することができる点で有利である。その反面、Ｃｕを材料とする基体は、レーザ光を照射して局部的に加熱することが難しく、レーザ溶着には適さない。

本実施形態に係る光半導体装置では、金属ミラー３０は、ビームスプリッタ２０で分岐されたモニタービームＬ_Ｓを反射して所望の方向に導く。モニタービームＬ_Ｓは、メインビームＬ_Ｍを監視する目的で分岐されるものであるから、例えば、受光素子４０においてメインビームＬ_Ｍの変動を検出できるレベルの光パワーであれば良い。したがって、金属ミラー３０の反射面３４がモニタービームＬ_Ｓにより加熱されることはなく、熱を放散させる必要はない。

そこで、金属ミラー３０には、Ｃｕよりも熱伝導率の小さいＦｅおよびＮｉの少なくともいずれか一方を含む金属を用いることができる。また、金属ミラー３０の反射面３４の反射率が多少低くても問題を生じることは少なく、高い加工精度が要求される訳でもない。したがって、金属ミラー３０を低コストで製作することが可能である。

前述したように、金属ミラー３０は小型化が可能であり、さらに、基板に固定する際に、作業性に優れたレーザ溶着を用いることができる。これにより、小型ケースを用いる光半導体装置の内部に配置することが可能となり配置位置の自由度も高い。
例えば、高温になり易い半導体発光素子１０の近辺を避けて配置するなど、長期間に渡り安定な信頼性の高い固定が可能となる。

図２は、第１の実施形態に係る光半導体装置１００の組み立て工程の一部を例示する模式図である。図２（ａ）は、基板２の上の所定位置に金属ミラー３０が配置された状態を示す平面図であり、図２（ｂ）は、正面図である。

本実施形態に係る光半導体装置１００の組み立て工程では、ビームスプリッタ２０により分岐されたモニタービームＬ_Ｓの光路上に配置され、ＦｅおよびＮｉの少なくともいずれか一方を含む基体３３と、基体３３の表面に設けられモニタービームＬ_Ｓの光路を変える反射面３４と、を有した金属ミラー３０を、半導体発光素子１０と、ビームスプリッタ２０と、受光素子４０と、が配置された基板２の主面２ａに、レーザ溶着により固定する。

図２（ａ）に示すように、金属ミラー３０は、基板２の主面２ａ上において、主面２ａに平行なＸ方向及びＹ方向の位置が調整され、モニタービームＬ_Ｓの光路上に配置される。さらに、モニタービームＬ_Ｓを所定の方向に反射するように、Ｚ軸を中心とした回転角θを調整した所定位置に置かれる。
金属ミラー３０の位置決めを容易にするために、例えば、反射面３４は、金属ミラー３０の底面に対してほぼ垂直となるように加工することができる。

続いて、図２（ｂ）に示すように、金属ミラー３０の底面と基板２の主面２ａとの境界に、レーザ光Ｌ_Ａを照射して金属ミラー３０と基板２とを溶着する。レーザ光Ｌ_Ａを照射するためのレーザ装置には、例えば、ＹＡＧレーザ装置用いることができる。

前述したように、金属ミラー３０の基体３３には、例えば、Ｆｅ及びＮｉ、Ｃｒを含む合金であるステンレス鋼を用いることができる。また、基板２には、例えば、ＦｅおよびＮｉを含む合金であるコバールを用いることができる。
これらＦｅおよびＮｉを含む金属は、熱伝導率が比較的小さく、レーザ光Ｌ_Ａを照射して局部的に加熱することが容易であり、レーザ溶着の被溶着材として適している。

（第２の実施形態）
図４は、第２の実施形態に係る光半導体装置３００における光部品の平面配置を示す模式図である。
本実施形態に例示する半導体発光装置３００は、第１の光部品である受光素子５５と、第２の光部品である金属ミラー６０と、を備えている。

光半導体装置３００では、光ファイバ２５から放出された信号光Ｌ_Ｂを、レンズ６５を用いて金属ミラー６０の反射面６２に集光し、さらに、反射面６２で反射して受光素子５５に導く。受光素子５５は、信号光Ｌ_Ｂを電気信号に変換し、次段の信号処理回路５８に伝える。すなわち、光半導体装置３００は、光伝送装置の受信側のフロントエンドを構成する受光装置である。

図４に示すように、光半導体装置３００は、例えば、金属製のケース７３の内部に収容された基板５２と、基板５２の主面上に配置された実装ブロック５４と、金属ミラー６０と、を備えている。

実装ブロック５４の側面７７には、受光素子５５および信号処理回路５８が接着されている。光ファイバ２５から放出された信号光Ｌ_Ｂは、金属ミラー６０で反射され、受光素子５５の主面５５ａに設けられた受光面に入射する。信号光Ｌ_Ｂの受光面に対する入射角は、金属ミラー６０によって調整することができる。例えば、受光面に垂直に入射させることも可能であり、受光素子５５からの反射光の影響を低減するために傾けて入射させることもできる。

さらに、受光素子５５に並べて、実装ブロック５４の側面７７に信号処理回路５８を配置することにより、受光素子５５と信号処理回路５８とを電気的に接続する金属ワイヤ５９の長さを短くすることができる。これにより、受光素子５５と信号処理回路５８とを接続する金属ワイヤに寄生する容量およびインダクタンスを低減して、高周波信号の伝達特性を向上させることができる。

信号処理回路５８として、例えば、ＴＩＡ（Trans-impedance Amplifier）を含む集積回路（ＩＣ）を用いることができる。受光素子５５は、例えば、セラミックキャリア５６の上にボンディングされたＣｏＣ(Chip on Carrier)の形態を有することができる。

セラミックキャリア５６の表面には、図示しないマイクロストリップラインが設けられ受光素子５５が電気的に接続されている。受光素子５５と信号処理回路５８との間は、マイクロストリップラインの一方の端部に設けられたボンディングパッド５７、および、信号処理回路５８のボンディングパッド（図示しない）にボンディングされた金属ワイヤ５９によって接続されている。

図５は、第２の実施形態の比較例に係る光半導体装置の構成を示す模式図である。
図５（ａ）に示す光半導体装置３１０では、光ファイバ２５から放出された信号光Ｌ_Ｂは、レンズ６５を用いて受光素子５５の受光面に直接集光される構成となっている。受光素子５５は、実装ブロック５４の光ファイバに対向する側面７８に接着され、信号処理回路５８は、受光素子５５が接着された側面７８と直交する側面７７に接着されている。

このため、図５（ａ）中に示すように、金属ワイヤ５９は、直交する側面７７および７８の間に張り渡されることになり、受光素子５５と信号処理回路５８とを短いワイヤで接続することが難しくなる。結果的に、寄生容量や寄生インダクタンスが大きくなり、高周波信号の伝送特性を劣化させる場合がある。また、ワイヤボンディングの作業も複雑になる。

一方、図５（ｂ）に示す光半導体装置３２０のように、受光素子５５をボンディングするセラミックキャリア５６ｂを厚くすることもできる。
図５（ｂ）中に示すセラミックキャリア５６ｂでは、受光素子５５がボンディングされたボンディング面８１から、ボンディング面８１に直交する側面８２まで、ボンディングパッド５７ｂが延在して設けられている。

これにより、信号処理回路５８と、セラミックキャリア５６ｂの側面８２に設けられたボンディングパッド５７ｂと、の間隔を狭くして金属ワイヤ５９を短くすることができる。また、ボンディングパッド５７ｂおよび信号処理回路５８のボンディングパッドへのワイヤボンディングを同一平面で実施することが可能であり、作業性を向上させることができる。

しかしながら、光半導体装置３２０では、セラミックキャリア５６ｂの上記の構成が汎用的でなく、高コストとなる問題を含んでいる。さらに、光半導体装置３１０および３２０に共通する制約として、金属ワイヤ５９を短くするために、受光素子５５と信号処理回路５８とを実装ブロック５４の一つのコーナーに近づけて配置する必要がある。

上記の問題は、受光素子５５と信号処理回路５８とを、実装ブロック５４の同一面上に配置できない制約から生じる。
例えば、光伝送装置では、複数の束ねられた光ファイバの出力面に対向して、複数の光半導体装置が並列に配置される。このため、光ファイバ出力面に対向する光半導体装置の配列方向において、スペース的な制約が大きくサイズの縮小が求められる。

図５に示すように、受光素子５５の受光面を光ファイバ２５の出力面に向けて配置する場合、受光素子５５のボンディング面８１に直交する面に信号処理回路５８を接着することにより、装置サイズを効果的に縮小することができる。例えば、信号処理回路５８の集積規模が大きくなりチップサイズが拡大するような場合は、より効果的である。

これに対し、本実施形態に係る光半導体装置３００では、金属ミラー６０によって信号光Ｌ_Ｂの方向を変えることにより、受光素子５５と信号処理回路５８とを、同一面上に配置することが可能となる。さらに、レンズ６５の焦点距離および金属ミラー６０の位置を変えることにより、受光素子５５の配置位置を調整することが可能であり自由度も大きい。

また、金属ミラー６０により反射されて受光素子５５に向かう信号光Ｌ_Ｂの方向を調整することにより、光ファイバ２５への戻り光を無くすことができる。すなわち、受光素子５５の受光面に入射する信号光Ｌ_Ｂを垂直入射の状態からずらし、受光面で反射された光が光ファイバ２５に戻らないようにすることができる。これにより、光源側のレーザ素子に戻り光が与える影響を抑制することができる。

図５に示す比較例に係る半導体装置において、信号光Ｌ_Ｂを傾けて受光素子５５に入射させるためには、例えば、実装ブロック５４を信号光Ｌ_Ｂの光軸に対して傾けて配置するか、セラミックキャリア５５、５５ｂのボンディング面８１を傾斜させる方法が考えられる。しかしながら、前者は、小型パッケージにおいて、実装ブロック５４の配置スペースの問題を生じさせることがある。また、後者は、セラミックキャリア５５、５５ｂの加工コストを上昇させる問題がある。
したがって、本実施形態に係る光半導体装置３００は、上記の問題を解決する手段としても有効である。

さらに、本実施形態に係る金属ミラー６０は、基板５２の主面上にレーザ溶着法を用いて容易に固定することができ、また、その安定な固定が信頼度を向上させる。金属ミラー６０は、例えば、ステンレス鋼など、Ｆｅを主成分とする金属を基体６３として用いることにより、所望の形状に容易に加工することができ、且つ、安価に製作することができる。

そして、基体６３の表面に形成される反射面６２の表面には、例えば、Ａｕ、Ａｌ、および誘電体膜など、高い反射率の膜をコーティングすることが可能であり、光ファイバ２５から放出される微弱な信号光Ｌ_Ｂの減衰を防ぐことができる。

以上、本発明に係る第１および第２の実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。また、出願時の技術水準に基づいて、当業者がなし得る設計変更や、材料の変更等、本発明と技術的思想を同じとする実施態様も本発明の技術的範囲に含有される。

２・・・基板、 ２ａ、５５ａ・・・主面、 ３、７３・・・ケース、 ４・・・窓、 １０・・・半導体発光素子、 １２・・・ヒートシンク、 １３、２２、６５・・・レンズ、 １４・・・光アイソレータ、 ２０・・・ビームスプリッタ、 ２５・・・光ファイバ、 ３０、６０・・・金属ミラー、 ３１・・・エタロン、 ３３、６３・・・基体、 ３４、６２・・・反射面、 ４０、５５・・・受光素子、 ５４・・・実装ブロック、 ５６、５６ｂ・・・セラミックキャリア、 ５７、５７ｂ・・・ボンディングパッド、 ５８・・・信号処理回路、 ５９・・・金属ワイヤ、 ７７、７８、８２・・・側面、 ８１・・・ボンディング面、 １００、２００、３００、３１０、３２０・・・光半導体装置、 Ｌ_Ｏ・・・出力光、 Ｌ_Ｍ・・・メインビーム、 Ｌ_Ｓ・・・モニタービーム、 Ｌ_Ａ・・・レーザ光 Ｌ_Ｂ・・・信号光

Claims (5)

1. 光を検出する第１の光部品と、
   前記光の光路上に配置され、鉄（Ｆｅ）およびニッケル（Ｎｉ）の少なくともいずれか一方を含む基体と、前記基体の表面に設けられ前記第１の光部品の方向に前記光の光路を変える反射面と、を有する第２の光部品と、
   を備えたことを特徴とする光半導体装置。
2. 前記第２の光部品の前記基体は、クロム（Ｃｒ）を含む鉄（Ｆｅ）を主成分としたことを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
3. 前記第２の光部品の前記反射面に、反射膜がコーティングされたことを特徴とする請求項１または２に記載の光半導体装置。
4. 前記光を放射する半導体発光素子と、
   前記半導体発光素子の出力光の光路上に配置され、前記出力光をメインビームとモニタービームに分岐する第３の光部品と、
   をさらに備え、
   前記第２の光部品は、前記第３の光部品により分岐された前記モニタービームの光路上に配置され、前記モニタービームを前記第１の光部品の方向に反射することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の光半導体装置。
5. 光を検出する第１の光部品と、
   前記光の光路上に配置され、鉄（Ｆｅ）およびニッケル（Ｎｉ）の少なくともいずれか一方を含む基体と、前記基体の表面に設けられ前記第１の光部品の方向に前記光の光路を変える反射面と、を有する第２の光部品と、
   を備える光半導体装置の製造方法であって、
   前記第１の光部品が配置された基板の主面に、前記第２の光部品をレーザ溶着により固定することを特徴とする光半導体装置の製造方法。

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