JP2011243497A - 画像表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】高電圧を印加する電圧印加構造での放電を抑制するための電位規定構造を小型化する。
【解決手段】本発明の画像表示装置は、電子を放出する電子放出領域53と貫通孔21とが設けられた第1の絶縁基板14と、第1の絶縁基板の、カソードが配置された第1の面と対向し、カソードから放出された電子を加速する電圧が与えられるアノード15が設けられた第2の絶縁基板13と、貫通孔を通ってアノードと電気的に接続され、アノードに電圧を印加する電圧印加構造11と、第1の絶縁基板の第1の面に貫通孔を取り囲むように配され、アノードの電位より低い電位に規定された第1の電位規定構造28と、を備えている。電圧印加構造11は、貫通孔の内部で該貫通孔を構成する壁面に接触し、当該壁面との接触部を電圧印加構造11と同電位に規定する第2の電位規定構造30を有している。
【選択図】図1

Description

本発明は、いわゆるフラット・パネル・ディスプレイと呼ばれるパネルを備えた画像表示装置に関する。
平面型の画像表示装置として、特許文献1に開示されているような電界放出型の電子放出素子を用いた画像表示装置(以下、FEDと称する。)や、特許文献2に開示されているような表面伝導型の電子放出素子を用いた画像表示装置(以下、SEDと称する。)が知られている。
このような平面型の画像表示装置では、2枚のガラス基板間(電子放出素子が形成されたリアプレートと画像形成部材が形成されたフェースプレート)に高電圧が印加される。このようにして、所望の位置の電子放出素子から放出された放出電子を、フェースプレート上の画像形成部材に衝突させ、当該画像形成部材を発光させて画像表示を行う。
上述した平面型の画像表示装置は、画像形成部材に高電圧を供給するための電圧印加構造を有している。この電圧印加構造の部分で異常放電が生じた場合、画像の表示不良、もしくは画像表示装置の故障の原因となる恐れがある。そのため、電圧印加構造の異常放電を防止する構造として、電位規定構造や絶縁耐圧構造を設ける技術が知られている(特許文献3)。
また、他の背景技術として特許文献4がある。特許文献4では、アノードに電圧を印加する電圧印加構造の周りの電位規定構造として、リアプレート表面に導電層が設けられたスルーホール構成が開示されている。
また、特許文献5では、異常放電防止のために、絶縁耐圧構造として、電圧印加構造が挿入される貫通孔周辺のリアプレート表面に凹凸が形成されている。
特開平05−114372号公報 特開平09−045266号公報 特開2006−93168号公報 特開2005−251761号公報 特開2006−222093号公報
従来の電子放出素子を用いた平面型の画像表示装置では、フェースプレート側のアノードへ電圧を印加する電圧印加構造は、リアプレートに設けられた貫通孔に挿入された導電体を有している。この高電圧が印加される電圧印加構造の周辺での異常放電を防止するために、リアプレート表面を所定の電位に規定する電位規定構造が設けられている。
したがって、電位規定構造による耐電圧性の制約のために、この電位規定構造の、リアプレート面内における寸法を小さくすることは困難であり、画像表示装置の小型化を抑制する一要因となっている。また、このような電圧印加構造および電位規定構造は、画像表示と干渉しないように、一般に、画像表示領域の外側に配置されている。したがって、画像表示領域の端部からリアプレートの端部までの距離(以下、額縁距離と称する。)を小さくすることは困難であるという問題があった。
本発明の目的は、リアプレート(第1の絶縁基板)面内における寸法が小さい電位規定構造を提供することである。更なる目的の一例は、額縁距離の小さな平面型の画像表示装置を提供することである。
本発明の画像表示装置は、電子を放出するカソードと貫通孔とが設けられた第1の絶縁基板と、第1の絶縁基板の、カソードが配置された第1の面と対向し、カソードから放出された電子を加速する電圧が与えられるアノードが設けられた第2の絶縁基板と、貫通孔を通ってアノードと電気的に接続され、アノードに電圧を印加する電圧印加構造と、第1の絶縁基板の第1の面に貫通孔を取り囲むように配され、アノードの電位より低い電位に規定された第1の電位規定構造と、を備えている。電圧印加構造は、貫通孔の内部で該貫通孔を構成する壁面に接触し、当該壁面との接触部を電圧印加構造と同電位に規定する第2の電位規定構造を有している。
この構成によれば、貫通孔周辺の電位を規定する第2の電位規定構造が、第1の絶縁基板に設けられた貫通孔の内部に収納されており、貫通孔周辺の第1の絶縁基板表面に、異常放電防止のための導電体を形成する必要がなくなる。これにより、第1の絶縁基板の面内における寸法が小さい電位規定構造を提供することができる。
また、アノードより低電位の第1の電位規定構造からアノードと略等電位の第2の電位規定構造までの間の、第1の絶縁基板表面に沿った沿面経路上に、貫通孔を構成する壁部の開口端部のエッジが位置する。これにより、沿面バリア効果よる沿面耐圧性能を向上することが出来るため、第1の電圧供給構造のリアプレート面内における寸法も小さくすることが出来る。
これらの効果により、額縁距離の小さな画像表示装置に好適な電圧印加構造を得ることも出来る。
本発明の第1の実施形態における画像表示装置の概略斜視図、および電圧印加構造周辺の概略平面図および概略断面図である。 本発明の第2の実施形態における電圧印加構造周辺の概略平面図および概略断面図である。 本発明に用いられる第2の電位規定構造の例を示す概要図である。
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
(第1の実施形態)
図1(a)に示すように、画像表示装置1は、文字や画像等の各種情報を表示する表示部5を有している。また、画像表示装置1は、表示部5を駆動制御する制御部(不図示)と、表示部5および制御部を支持する支持フレーム(不図示)と、表示部5、制御部および支持フレームを覆う外筐であるカバー(不図示)とを備えている。
表示部5は、図1(b)および図1(c)に示すように、内部が気密に維持された気密容器10と、この気密容器10内に外部から電位を供給する給電構造としての電圧印加構造11と、を有している。
なお、図1(b)は、気密容器10を構成するリアプレート(第1の絶縁基板)14の内面の一部を示す平面図であり、図1(c)は図1(b)のA−A線に相当する線に沿った気密容器の概略断面図である。
気密容器10は、図1(c)に示すように、フェースプレート(第2の絶縁基板)13、リアプレート14、枠16を備えている。フェースプレート13は、リアプレート14と対向している。フェースプレート13の、気密容器の内側に向けられた面には、アノード15が設けられている。リアプレート14の、フェースプレート13と対向する一面(第1の面)には、電子を放出するカソード(電子放出素子)が複数設けられた電子放出領域53が設けられている。枠16は、フェースプレート13とリアプレート14とを対向させた対向間隙に挟み込まれる。アノード15は、電子放出領域53から放出された電子を加速する電圧が与えられる。
フェースプレート13およびリアプレート14は、例えば、熱膨張係数が8.0×10-6〜9.0×10-6/℃のガラス材によって厚さが1.8mm程度に形成されている。枠16は、例えば、フェースプレート13およびリアプレート14をなすガラス材と同種のガラス材によって、例えば厚さ1.1mm程度に形成されている。枠16は、フェースプレート13とリアプレート14との間に接着されて設けられている。
フェースプレート13、リアプレート14および枠16は、例えばフリット(不図示)を用いて接着されており、フェースプレート13とリアプレート14との間の気密性が確保されている。そして、気密容器10の内部は真空状態または減圧された状態に維持されている。
そして、アノード15に電圧を印加する電圧印加構造11は、リアプレート14に設けられた貫通孔21内に挿通されている。そして、電圧印加構造11は、フェースプレート13(アノード15)に当接する第1の導電性の弾性体24と、貫通孔21の内壁に当接する第2の導電性の弾性体30と、を少なくとも備えている。より詳細には、図1(c)に示すように、導電性のピン(ここでは金属ピン)22と、導電性の板(ここでは金属板)23と、第1の導電性の弾性体(ここでは圧縮コイルばね)24と、第2の導電性の弾性体(ここでは板ばね構造)30とを有する。第2の導電性の弾性体30は導電性の板23と一体的に形成された構造とすることもできる。
導電性のピンである金属ピン22は、リアプレート14に設けられた貫通孔21内に挿通され、気密容器10内にアノード15に所定の電位(実用的には10kV以上30kV以下の電位)を印加するための電位を供給する。導電性の板である金属板23は、金属ピン22に電気的に接続されている。第1の導電性の弾性体である圧縮コイルばね24は、一端が金属板23に電気的に接続されており、他端がアノード15に電気的に接続されている。そして、圧縮コイルばね24は、貫通孔21からフェースプレート13上のアノード15に向かって延び、アノード15に向けて付勢されている。このようにして、電圧印加構造11を構成する、金属ピン22、金属板23および圧縮コイルばね24は、貫通孔21を通ってアノード15と電気的に接続され、アノード15に電圧を印加する。
電圧印加構造11は、金属ピン22に電気的に接続され、貫通孔21の内部で、貫通孔21を構成する壁面と接触する、第2の電位規定構造としての板ばね構造30を含んでいる。また、貫通孔21を取り囲むように、リアプレート14の、フェースプレート13に対向する第1の面(以下、リアプレート14の内面と称する。)上に、図1(b)および図1(c)に示すように、第1の電位規定構造としての導電性膜28が設けられている。導電性膜28は、アノード15の電位より低い電位(典型的にはグランド電位)に規定されている。
さらに、画像表示装置1は、金属ピン22とリアプレート14とに接合され、貫通孔21を封止する板部材25と、板部材25をリアプレート14および金属ピン22に接合するための接合材26,52と、を有する。
貫通孔21は、直径が2mm程度に形成されている。また、導電性膜28は、内周の直径が5.4mm程度の円環状に形成され、金属薄膜などからなり、マスク成膜法やフォトリソグラフィー法などの成膜工程によって形成される。
導電性膜28の電界集中点(例えば先鋭な部分)からの電子の放出を防止するために、導電性膜28を覆うように、ガラスフリットやポリイミドなどの誘電体膜29が設けられていてもよい。なお、図1(b)では、便宜上、誘電体膜29に覆われた導電性膜28を点線によって示している(図2(a)でも同様)。
貫通孔21内にその一部が設けられた金属ピン22は、少なくとも貫通孔21を構成する壁面との間に設けられた、貫通孔21を導電性のピン22と共に気密に塞ぐためのフリットなどの接合材52によって、リアプレートに接合されている。ここで説明する例では、導電性のピン(金属ピン)22は、板部材25に設けられた孔に挿通された状態で、板部材25とフリットなどの接合材52によって封止接合されている。金属ピン22は、例えば、材料として42Ni−6Cr−Fe合金(熱膨張係数7.5×10-6〜9.8×10-6/℃)によって形成することができる。ここでは熱膨張係数9.0×10-6/℃のNi−6Cr−Fe合金からなる金属ピンを用いた。金属ピン22は、直径0.5mm程度に形成されている。また、板部材25は、例えば、材料として熱膨張係数8.0×10-6〜9.0×10-6/℃のガラス材によって形成する事が出来る。金属ピン22と板部材25は、熱膨張を、リアプレート14を形成したガラス材(熱膨張係数9.0×10-6/℃)の熱膨張と略一致させることで、封止接合部に生じる熱応力を緩和している。
なお、金属ピン22は、材料として、例えば、インバー合金、47Ni−Fe合金(熱膨張係数3.0×10-6〜5.5×10-6/℃)や、42Ni−6Cr−Fe合金(熱膨張係数7.5×10-6〜9.8×10-6/℃)などを用いることができる。金属ピン22の材料は、リアプレート14に使用されるガラス材の熱膨張係数(5.0×10-6〜9.0×10-6/℃)に合わせて適宜選択することが好ましい。金属ピン22は、リアプレート14との熱膨張係数の差の絶対値が3.0×10-6/℃以下になるように、熱膨張係数が2.0×10-6〜12.0×10-6/℃の金属材であることが好ましい。
また、板部材25は、材料として、例えばガラス、インバー合金、47Ni−Fe合金や、42Ni−6Cr−Fe合金などを用いることができる。ガラスの熱膨張係数は、8.0×10-6〜9.0×10-6/℃であり、47Ni−Fe合金の熱膨張係数は、3.0×10-6〜5.5×10-6/℃であり、42Ni−6Cr−Fe合金の熱膨張係数は、7.5×10-6〜9.8×10-6/℃である。板部材25の材料は、リアプレート14に使用されるガラス材の熱膨張係数(5.0×10-6〜9.0×10-6/℃)に合わせて適宜選択することが望ましい。板部材25は、リアプレート14との熱膨張係数の差の絶対値が3.0×10-6/℃以下になるように、熱膨張係数が2.0×10-6〜12.0×10-6/℃の材料から適宜選択することが望ましい。
さらに、金属ピン22と板部材25の表面には、接合材52との接合強度を向上するための表面膜(不図示)が形成されていることが望ましい。この表面膜としては、例えば接合材52としてフリットを用いる場合には金属酸化膜を、接合材52として低融点金属を用いる場合には導電性メッキなどを用いることが出来る。表面膜は、接合材52との濡れ性や接合性を考慮して選択することが望ましい。
そして、ここで説明する例では、板部材25はフランジ部32を有しており、フランジ部32が、リアプレート14の外面上に接合材26を介して接合されている。板部材25は、例えば、直径1.8mm程度の凸構造部34とすることにより、貫通孔21と簡易に位置決めすることができる。しかしながら、本発明では、板部材25はフランジ部を備えていない平板とすることもできる。
接合材26としては、フリットを使用することができる。接合材26としては、板部材25の材質、または板部材25に設けられた表面膜(不図示)との濡れ性を考慮して、例えばフリット、インジウム、鉛半田などの材料から適宜選択することが好ましい。
第1の導電性の弾性体である圧縮コイルばね24は、例えばレーザースポット溶接によって金属板23の一面に接合されている。圧縮コイルばね24は、例えば、線径0.06mmのステンレス鋼線によって、自然長5mm、外径1mmをなす形状に形成されている。電圧印加構造11は、圧縮コイルばね24の構造を採用したことにより、ばね長さを短くしても、ばねピッチを大きくすることで、比較的大きなストロークを得ることができる。そのため、薄型平面型の画像表示装置1に特有の比較的狭いエリアにおいても、その弾性力を安定して機能させることができる。
導電性の板である金属板23は、例えば、直径1.2mm、厚さ0.05mm程度のステンレス板をエッチング処理することにより作製され、金属ピン22が挿通されて電気的に接続されるピン勘合構造27bを有している(図3も参照)。金属板23は、金属ピン22に係合されることで位置決めされ、フェースプレート13の設置後にフェースプレート13に溶接される圧縮コイルばね24によって、リアプレート14側に押付けられる。これにより、金属板23は、さらに精度良く位置決めされる。
第2の導電性の弾性体である板ばね構造30は、例えば、ステンレス板をエッチング処理したものを板金加工することで作製される。図3(a)は、板ばね構造30の斜視図および断面図を示している。板ばね構造30は、ベース部31と、ベース部31から延びる複数の板ばねからなる板ばね部33を有している。ベース部31は、例えば、直径1.4mm程度の略円板状であり、金属ピン22が挿通されて電気的に接続されるピン勘合構造27bを有している。板ばね部33は、例えば、長さ0.55mm程度、幅0.3mm程度の短冊形状であり、12本の板ばね部33が、ベース部31の円周部に均等なピッチで配置されている。各板ばね部33は、ベース部31の表面に対して30°程度の角度をもっている。
板ばね構造30のベース部31は、板部材25と金属板23の間に挟まれており、金属ピン22に係合されている。板ばね構造30は貫通孔21の内部に配置されている。板ばね部33は、貫通孔21を構成する壁面と接触し、当該壁面の電位を規定している。本実施形態では、複数の板ばね部(接触部)33が、貫通孔21を構成する壁面に、周方向に沿って略1周、所定のピッチで接触する。板ばね部33は、貫通孔21の、リアプレート14の内面側(第1の面側)の端部から0.5mm程度離れた位置で、貫通孔21を構成する壁面と接触している。これにより、貫通孔21からの任意の方向において、異常放電が生じる虞を低減することができる。また、板ばね構造30とすることにより、貫通孔21を構成する壁面との接触性を高めている。なお、本例において、板ばね部33と貫通孔21の壁面とは、貫通孔21の、リアプレート14の内面側の端部から0.5mm程度離れた位置で接触している。また、板ばね構造30の板ばね部33は、貫通孔21を構成する壁面に向けて付勢されているため、当該壁面との接触性が向上するという利点もある。
なお、板ばね構造30は、例えば、ステンレス鋼、炭素鋼、耐熱合金など、画像表示装置1の作製プロセスに含まれる加熱工程での耐熱性を考慮して適宜選択された材料からなることが望ましい。また、板ばね構造30とリアプレート14は、貫通孔21の壁面でのみ接続している。
以上のように構成された電圧印加構造11では、電圧が、リアプレート14の外面側、つまり気密容器の外部から印加され、貫通孔21に挿通された金属ピン22を介し、金属板23および圧縮コイルばね24を通って、アノード15に印加される。
アノード15に電圧を印加することにより、リアプレート14上に設けられた電子放出領域53から放出された電子が加速され、アノード15として設けられた蛍光体に衝突する。このように蛍光体を発光させることによって、画像表示装置1が備える表示部5に画像等の情報が表示される。
上述した電圧印加構造11によれば、電圧が印加された金属ピン22に係合された板ばね構造(2の電位規定構造)30が貫通孔21を構成する壁面に接触するため、当該壁面の電位を規定することが出来る。また、リアプレート14に形成された第1の電位規定構造である導電性膜28は、引き出し配線51を介して接地されていることが好ましく、電位基準を決めている。また、電位基準を決める導電性膜28が、高電圧が印加される電圧印加構造11の周囲を囲むことによって、電圧印加構造11全体の電位を安定化している。このため、電圧印加構造11周辺での異常放電を抑制することができる。なお、第1の電位規定構造としての導電性膜28は、必ずしも接地されている必要はなく、アノード15よりも低い電位に規定されていればよい。
一般に、真空中に置かれた部材の表面に沿った沿面放電は、二次電子なだれ(Secondary Electron Emission Avalanche, SEEA)によって引き起こされると考えられている。陰極、絶縁体と真空部分の境界に形成された電界集中部から電子が放出されると、その電子の一部が絶縁体表面に衝突し、二次電子が放出される。このとき、衝突する電子のエネルギーがある程度の大きさを持っていると、絶縁体の二次電子放出係数が1より大きくなり、入射電子数よりも放出電子数が多くなるため、絶縁体表面は正に帯電する。こうして絶縁体表面の電位が上昇することで、上述の電界集中部からの更なる電子放出が促され、この繰り返しによって沿面放電を発生させる。
上述した電圧印加構造11によれば、陰極である導電性膜28から陽極である板ばね構造30までの間に、貫通孔21の開口端部に相当するリアプレート14のエッジ54が位置している。つまり、導電性膜28と板ばね構造30との間の、リアプレート14の表面に沿った沿面経路(図1(c)の距離D1で表された経路)は、陰極−陽極を結ぶ直線から突出した凸形状となっている。
このため、導電性膜28の電界集中部から放出された電子はリアプレート14の表面(エリアプレートのエッジ54)の方に向けて飛翔するため、リアプレート14と衝突するまでの飛程が短くなる。そのため、衝突までに電界から得られるエネルギーが小さくなり、電子の衝突エネルギーが低下して、二次電子放出係数が小さくなる結果、二次電子なだれが抑制される(沿面バリア効果)。
このような沿面バリア効果によって沿面経路の絶縁耐圧性能が向上され、沿面経路が短くても十分に放電を抑制することができるため、第1の電位規定構造としての導電性膜28の、リアプレート14面内における寸法を小さくすることが出来る。
また、貫通孔21周辺の電位を規定する板ばね構造30が、貫通孔21の内部に収納されており、貫通孔21近傍のリアプレート14表面に、異常放電防止のための導電体を形成する必要はなくなる。これにより、電位規定構造28、30の、リアプレート14面内における寸法をさらに小さくすることができる。
本実施形態では、図2に示すように、電圧印加構造11、第1および第2の電位規定構造28、30は、画像表示領域、つまり電子放出領域53の外側に配置されている。したがって、これらの電位規定構造28,30のサイズが小さくなることで、画像表示領域の端部からリアプレート14の端部までの距離(額縁距離)を小さくすることが出来る。
また、リアプレート14の表面に沿った沿面経路の沿面距離D1を、導電性膜28の電位をV1、板ばね構造30の電位をV2、沿面経路を構成する部分の絶縁耐圧をE1としたとき、「D1>(V2−V1)/E1」を満たすことが好ましい。これにより、リアプレート14表面の沿面経路に沿って起こる沿面放電を防ぐことが出来る。
さらに、貫通孔21を構成する壁面の、リアプレート14の内面側の端部と、電圧印加構造11との間の最短の空間距離をD2とする。そして、実用的には、板ばね構造30の電位をV2、当該壁面の端部の電位をV3、当該壁面の端部と電圧印加構造11との間の空間の絶縁耐圧をE2としたとき、「D2>(V2−V3)/E2」を満たしていることが好ましい。これにより、電圧印加構造11とリアプレート14との間での放電を防ぐことが出来る。
(第2の実施形態)
図2(a)および図2(b)に示すように、第2の実施形態の画像表示装置は、第1の実施形態と同様の構成の気密容器10と、この気密容器10内に外部から電位を供給する給電構造である電圧印加構造35とを有している。なお、図2(b)は、図2(a)のB−B線に相当する線に沿った、気密容器10の断面図である。
気密容器10は、図2(b)に示すように、一面にアノード15が設けられたフェースプレート(第2の絶縁基板)13と、フェースプレート13と対向する面に電子放出領域53が設けられたリアプレート(第1の絶縁基板)14と、を備えている。また、気密容器10は、フェースプレート13とリアプレート14との間に挟み込まれる枠16を備えている。
図2(b)に示すように、第2の実施形態における電圧印加構造35は、導電性材料からなる板部材36と、金属ピン37と、板ばね構造38とを有している。板部材36は、リアプレート14に接合され、リアプレート14に設けられた貫通孔21を封止する。金属ピン37は、板部材36に設けられ、貫通孔21内に位置する。板ばね構造38は、金属ピン37に電気的に接続され、貫通孔21を構成する壁面と接触し、当該壁面を板ばね構造38と同電位に規定する。このように、電圧印加構造35に備えられた板ばね構造38は、第2の電位規定構造を構成している。板部材36とリアプレート14とは、接合材26によって接合されている。
また、貫通孔21を取り囲むように、フェースプレート13に対向するリアプレート14の内面上には、図2(a)および図2(b)に示すように、第1の電位規定構造としての導電性膜28が設けられている。導電性膜28は、アノード15の電位より低い電位に規定されている。また、第1の実施形態と同様、導電性膜28を覆うように、ガラスフリットからなる誘電体膜29が形成されていることが好ましい。第1の実施形態の同様の構成については、その材料や大きさも同様にすることができる。また、板部材36や金属ピン37の構成や材料についても、第1の実施形態における板部材25や金属ピン22と同様である。
板部材36はフランジ部39を有し、フランジ部39がリアプレート14の外面上に接合材26を介して接合されている。板部材36は凸構造部34を有しており、凸構造部34と貫通孔21とが位置決めされた状態でリアプレート14に接合される。
板ばね構造38は、例えば、ステンレス板をエッチング処理したものを板金加工することで作製され、図3(b)に示すように、ベース部31と、ベース部31から伸びる複数の板ばねからなる板ばね部41を有している。ベース部31は、例えば、直径1.4mm程度の円板状であり、金属ピン37が挿通されて電気的接続されるピン勘合構造27bを有している。板ばね部41は、例えば、長さ0.55mm程度、幅0.3mm程度の短冊形状であり、12本の板ばね部41が、ベース部31の円周部に均等のピッチで配置されている。各板ばね部41は、ベース部31の面に対して30°程度の角度をもっている。
また、板ばね構造38は、アノード15との電気的接続をするためのコンタクト40を有している。コンタクト40は、複数の板ばね部41のうちの少なくとも1本から延長した短冊形状の板ばねからなる。コンタクト40は、例えば、幅0.3mm程度、長さ3.0mm程度で、板ばね部41に対して60°程度の角度を持って形成されている。コンタクト40は、貫通孔21からアノード15に向かって延び、弾性変形し、ある程度の接触抵抗を持ってアノード15と接触し、アノード15に向けて付勢されている。この接触抵抗を安定させ、接触圧力を一定値以上にするように、コンタクト40の弾性率を設計する事が望ましい。
板ばね構造38は、金属ピン37に係合され、貫通孔21の内部に配置されている。板ばね部41は、貫通孔21を構成する壁面に接触している。本実施形態では、複数の板ばね部(接触部)41が、貫通孔21を構成する壁面に、周方向に沿って略1周、所定のピッチで接触する。板ばね部41は、貫通孔21の、リアプレート14の内面側の端部から0.5mm程度離れた位置で、貫通孔21を構成する壁面と接触している。また、板ばね構造38の板ばね部41は、貫通孔21を構成する壁面に向けて付勢されているため、当該壁面との接触性が向上するという利点もある。
なお、板ばね構造38は、例えば、ステンレス鋼、炭素鋼、耐熱合金など、画像表示装置1の作製プロセスに含まれる加熱工程での耐熱性を考慮して適宜選択することが望ましい。
以上のように構成された電圧印加構造35は、電圧が、リアプレート14の外面側から印加され、貫通孔21に挿通された導電性の板部材36を介し、板ばね構造38を通って、アノード15に印加される。
アノード15に電圧を印加することにより、リアプレート14上の電子放出領域53から放出された電子が加速され、アノード15として設けられた蛍光体に衝突する。これにより蛍光体が発光して、画像表示装置1が備える表示部5に画像等の情報が表示される。
上述した電圧印加構造35によれば、電圧が印加された金属ピン37に係合された板ばね構造38が、貫通孔21を構成する壁面に接触することよって、当該壁面の電位を規定することが出来る。また、第1の電位規定構造としての導電性膜28は、接地されて電位基準を決めることが好ましく、高電圧が印加される電圧印加構造35を取り囲むことによって、電圧印加構造35全体の電位を安定化している。このため、電圧印加構造35周辺での異常放電を抑制することができる。
また、上述した電圧印加構造35によれば、陰極である導電性膜28から陽極である板ばね構造38までの間に、貫通孔21の開口端部に相当する、リアプレート14のエッジ54が位置している。つまり、リアプレート14の表面に沿った沿面経路は、陰極−陽極を結ぶ直線から突出した凸形状となっている。
このため、導電性膜28の電界集中部から放出された電子は、リアプレート14と衝突するまでの飛程が短くなり、電子が電界から得るエネルギーが小さくなる。したがって、電子の衝突エネルギーが低減され、二次電子放出係数が小さくなるので、二次電子なだれが抑制される(沿面バリア効果)。
このような沿面バリア効果によって、沿面経路における絶縁耐圧性が向上され、その結果、電位規定構造28,38の、リアプレート面内における寸法を小さくすることが出来る。
第1の実施形態および第2の実施形態で説明した板ばね構造30、38は、同様の機能を持つものであれば、この形態に限るものではない。例えば、図3(c)および図3(d)に示すように、金属ピン22、37に勘合するピン勘合構造27c、27dと、ピン勘合構造と電気的に接続され、貫通孔21を構成する壁面と接触する接触部55c、55dとを有する構造であってもよい。図3(c)および図3(d)では、第2の電位規定構造としての板ばね構造は、貫通孔21を構成する壁面に、周方向の全周(またはほぼ全周)に連続的して接触することができる。このように、貫通孔21を構成する壁面の周方向の全周(またはほぼ全周)に第2の導電性の弾性体が当接することが、貫通孔21の壁面の電位をよりバラツキ少なく設定できるので、特に好ましい。
以上、本発明の望ましい実施形態について提示し、詳細に説明したが、添付の特許請求の範囲の趣旨または範囲から逸脱しない限り、さまざまな変更及び修正が可能である。本発明は、電界放出型の電子放出素子を用いた画像表示装置や表面伝導型の電子放出素子を用いた画像表示装置など、様々な画像表示装置に好適に適用することができる。
11 電圧印加構造
13 フェースプレート
14 リアプレート
15 アノード
21 貫通孔
28 導電性膜
30 板ばね構造

Claims (7)

  1. 電子を放出するカソードと貫通孔とが設けられた第1の絶縁基板と、
    前記第1の絶縁基板の、前記カソードが配置された第1の面と対向し、前記カソードから放出された電子を加速する電圧が与えられるアノードが設けられた第2の絶縁基板と、
    前記貫通孔を通って前記アノードと電気的に接続され、前記アノードに電圧を印加する電圧印加構造と、
    前記第1の絶縁基板の前記第1の面に前記貫通孔を取り囲むように配され、前記アノードの電位より低い電位に規定された第1の電位規定構造と、を備え、
    前記電圧印加構造は、前記貫通孔の内部で該貫通孔を構成する壁面に接触し、前記壁面との接触部を該電圧印加構造と同電位に規定する第2の電位規定構造を有している、画像表示装置。
  2. 前記第2の電位規定構造は、前記貫通孔を構成する前記壁面に、周方向に沿って所定のピッチで接触する複数の接触部を有している、請求項1に記載の画像表示装置。
  3. 前記第2の電位規定構造は、前記貫通孔を構成する前記壁面に、周方向の全周に連続して接触している、請求項1に記載の画像表示装置。
  4. 前記第1の電位規定構造と前記第2の電位規定構造との間の、前記第1の絶縁基板の表面に沿った沿面距離をD1、前記第1の電位規定構造の電位をV1、前記第2の電位規定構造の電位をV2、前記沿面距離を構成する部分の絶縁耐圧をE1としたとき、「D1>(V2−V1)/E1」を満たしている、請求項1から3のいずれか1項に記載の画像表示装置。
  5. 前記貫通孔を構成する前記壁面の、前記第1の絶縁基板の前記第1の面側の端部と、前記電圧印加構造との間の最短の空間距離をD2、前記第2の電位規定構造の電位をV2、前記壁面の前記端部の電位をV3、前記壁面の前記端部と前記電圧印加構造との間の空間の絶縁耐圧をE2としたとき、「D2>(V2−V3)/E2」を満たしている、請求項1から4のいずれか1項に記載の画像表示装置。
  6. 前記電圧印加構造は、前記貫通孔から前記第2の絶縁基板に設けられた前記アノードに向かって延び、前記アノードに向けて付勢された第1の導電性の弾性体を含んでいる、請求項1から5のいずれか1項に記載の画像表示装置。
  7. 前記第2の電位規定構造は、前記貫通孔を構成する壁面に接触し、該壁面に向けて付勢された第2の導電性の弾性体を含んでいる、請求項1から6のいずれか1項に記載の画像表示装置。
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