JP2011238353A - 2線式逆位相制御装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】商用電源と照明器具(負荷)との結線を2線で行い、主電流回路に接続される直列逆接続された主電流スイッチング部、主電流を制御する制御部とから構成される。制御部は、主電流スイッチング部のスイッチング素子のゲートに通電し電荷を充電する正・負側ゲート電荷充電部、スイッチング素子のゲート電荷を所定のタイミングで放電するゲートオフ制御部、放電するタイミングを決定する調光可変パルス出力部、調光可変パルス出力部のトリガ入力信号を生成する全波整流分圧部、調光可変パルス出力部の駆動電源を生成する直流電源生成部とを備える。スイッチング素子を半サイクルごとそれぞれオンする動作に繰り返すことにより、調光が行われる。
【選択図】図1
Description
一方、今日、環境問題から、発光効率の良くない白熱電球の使用を改正省エネ法により2012年までに全廃又は削減する傾向にあり、LED(発光ダイオード)照明、蛍光灯照明への変更が推奨されている。なお、ハロゲン・クリプトン電球の白熱電球については継続して製造される。
そこで、現在、各メーカーは、調光器対応型のLED電球(ダウンライトを含む、以下同じ。)を提供している。提供されている調光器対応型のLED電球は、従来のトライアック方式の順位相制御調光装置で調光可能としている。
しかし、調光器対応型のLED電球は、点灯開始時点で強制的に40mA程度を流す回路構成となっており、例えば、6Wの調光器対応型のLED電球は、点灯開始時点で強制的に40mA程度の電流を流す構成となっている。AC100Vで40mA流れれば4W電力消費となるが、力率が低いため、1W程度の無駄な電力を常時消費されるという問題があった。
しかし、上記位相制御器ではトライアック用の位相制御回路とMOSFET用逆位相制御回路の併用が不可欠となり、回路構成が複雑で、コスト高となるという欠点があった。
上記位相制御器は、電流トランスを使って電源部を形成することにより、位相制御装置と交流電源と負荷との結線を2線で行えるようにしている。また、上記制御部はトランジスタを備え、交流電源に同期させた周期でトランジスタをオン、オフさせてMOSFET駆動用のゲート電圧を制御することにより交流電源から負荷へ供給する電力を制御する逆位相制御によって、ラジオノイズを抑制するものである。
しかし、電流トランスを調光ユニットのケースに格納する場合、配線器具の規格サイズのケース内に大きな部品を使用することになり、調光ユニットのケースを小型化し難いという欠点があった。
また、前記調光可変パルス出力部制御部が、トリプル・デジタル・インバータ・ロジックICを備える調光可変パルス遅延回路又は調光可変パルス遅延回路を構成するワンチップマイコンであるとしたものである。
また、前記機械式スイッチがマイクロスイッチであるとしたものである。
また、商用電源の0V点から投入するため突入電流のdi/dtが低減可能となるために過電流保護が実施しやすい。
また、MOSFET等を制御するゲートオフ制御部に滑らかにカットオフされた電気信号を送ることできるため、雑音端子電圧の発生を抑制することができる。
本発明の2線式逆位相制御装置10は、図1に示すように、主電流回路12の商用電源(交流電源)Eと照明器具L(負荷)との配線の途中、即ち主電流回路12の途中に設けられるものである。具体的には、商用交流電源2線式配線で調光可能な負荷L(白熱電球、調光対応型のLED電球)を点灯する照明点灯回路において、従来、負荷Lをオンオフする機械式スイッチを敷設する箇所に設けられている。
本発明の2線式逆位相制御装置10は、商用電源Eと照明器具L(負荷)との結線を2線で行うものである。また、2線式逆位相制御装置10は、主電流回路12に接続される直列逆接続されたスイッチング素子を備える主電流スイッチング部14と、その主電流スイッチング部14に通電される主電流を制御する制御部16とから構成されている。
本発明の2線式逆位相制御装置10では、主電流スイッチング部14のスイッチング素子のゲートに蓄えられた電荷を調光可変パルス出力部22が決定する調光のタイミングでゲートオフ制御部20が放電することにより、負荷L(LED電球および白熱電球)への通電を半サイクルの途中で止めることができる。また、同時に、負側ゲート電荷充電部18a、18bは、途中で通電を止められた主電流を逆位相側のスイッチング素子のゲートに通電し正・電荷を充電する。これにより、次の半サイクルが開始するときに、逆位相側のスイッチング素子をオンすることができる。この動作を半サイクルごとに繰り返すことにより、調光が行われる。
なお、図2において、負荷Lは、LED電球を用いたLED照明器具である。
主電流スイッチング回路14(主電流スイッチング部)は、主電流回路12に接続される直列逆接続されたフライホイールダイオードDQ1,DQ2内蔵のスイッチング素子MOSFET Q1,Q2(電界効果トランジスタ)を有する回路である。なお、MOSFETに代えて、IGBT(絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ)を用いてもよい。
主電流スイッチング回路16は、MOSFET Q1のゲートに所定の電荷があらかじめ蓄えられている状態で、そのMOSFET Q1のドレイン側に交流波形の正サイクルに転じた時点から、MOSFET Q1ドレイン−ソース間がオンとなり、直列逆接続されている逆位相側のMOSFET Q2の内臓ダイオードDQ2を通じて負荷Lに電流が流れ、負荷Lが点灯する。
なお、負荷Lに電流が流れている間にMOSFET Q1のゲート電荷が放電されると、MOSFET Q1のドレイン−ソース間がオフとなり負荷Lへの通電が停止される。
一方、MOSFET Q2のゲートに所定の電荷が蓄えられている状態では、そのMOSFET Q2のドレイン側に交流波形の正サイクルに転じた時点から、MOSFET
Q2のドレイン−ソース間がオンとなり、MOSFET Q1の内臓ダイオードDQ1を通じて負荷Lに電流が流れ、負荷Lが点灯する。
なお、MOSFET Q2のゲート電荷が放電されると、負荷Lへの通電が停止される。
MOSFET Q1およびMOSFET Q2のゲートの接続されているNPN型スイッチングトランジスタTr1とNPN型スイッチングトランジスタTr2は、スイッチング素子のゲート電荷を放電するタイミングを決定する調光可変パルス遅延回路22で設定された調光のタイミングでオンすると、MOSFET Q1のゲートの電荷はNPN型スイッチングトランジスタTr1と抵抗R5を介して除々に放電し、負荷Lへの通電は緩やかに停止される。また、MOSFET Q2のゲートの電荷はNPN型スイッチングトランジスタTr2と抵抗R6を介して除々に放電し、負荷Lへの通電は緩やかに停止される。
商用電源Eの電源側端子L1が正サイクルに転じた時点から、主電流は商用電源Eの電源側端子L1から負荷L、抵抗R1、ダイオードD2を経てMOSFET Q2のゲートへと流れる。このとき、ゲート電圧は、ツェナーダイオードZD2によりMOSFET
Q2の規定値電圧に制限された電圧でMOSFET Q2のゲートに電荷が充電される。この時、MOSFET Q2のドレインーソース間は、逆位相電圧となっているため、MOSFET Q2のゲートに電荷が充電されても、MOSFET Q2はオンしない。
一方、商用電源Eの接地側端子L2が正サイクルに転じた時点から、主電流は商用電源Eの接地側端子L2から抵抗R2、ダイオードD3を経てMOSFET Q1のゲートへと流れる。このとき、ゲート電圧は、ツェナーダイオードZD1によりMOSFET Q1の規定値電圧に制限された電圧でMOSFET Q1のゲートに電荷が充電される。この時、MOSFET Q1のドレインーソース間は、逆位相電圧となっているため、MOSFET Q1のゲートに電荷が充電されても、MOSFET Q1はオンしない。
Q2のドレインーソース間がオンし、商用電源Eの接地側端子L2からMOSFET Q2、MOSFET Q1内蔵ダイオードDQ1、負荷L、商用電源Eの電源側端子L1へと流れ、負荷Lが点灯する。
また、MOSFET Q1のゲート電荷が規定値電圧で充電された状態で、交流波形が次の周期に変化し商用電源Eの電源側端子L1が正サイクルに転じた時点から、MOSFET Q1のドレインーソース間がオンし、商用電源Eの電源側端子L1から負荷L、MOSFET Q2内蔵ダイオードDQ2、商用電源Eの接地側端子L2へと流れ、負荷Lが点灯する。
また、抵抗R8、コンデンサC1で平滑される前の脈流電圧を全波整流電圧分圧回路24(全波整流電圧分圧部)により、抵抗R9と抵抗R10で分圧した電圧を調光可変パルス遅延回路22のトリプル・デジタル・インバータ・ロジックICのトリガ入力信号(調光可変パルス遅延回路22の出力タイミングを決定する電気信号)として利用する。
なお、図3乃至図5において、図(a)はインバータIC_I1の入力波形、図(b)はインバータIC_I3の入力波形、図(c)はインバータIC_I3の出力波形、図(d)はMOSFETのゲート電圧波形、図(e)はMOSFETのドレイン電圧波形、図(f)は負荷(100W電球)の両端出力電圧波形である。
図2の2線式逆位相制御装置10では、調光可変パルス遅延回路22のトリプル・デジタル・インバータ・ロジックICの出力をオンさせるタイミングで調光度合いが決定される。
トリプル・デジタル・インバータ・ロジックICの入力には、全波整流電圧分圧回路24の出力が接続されている。I1とI2は直列に接続され、反転バッファとして作用し、I2の出力は、抵抗R13および調光用可変抵抗器VRを介してI3の入力に接続され、I3の入力には更に抵抗R11、コンデンサC3を並列接続し、I2の入力に帰還するように接続されている。I3の出力は、並列接続されるコンデンサC4、抵抗R12を介して、ゲートオフ制御回路20へ接続されている。
全波整流電圧分圧回路24から出力されるトリガ入力信号(図3(a))がロジックIC_I1に入力され、そのトリガ入力信号が‘L’の時、ロジックIC_I1の出力は‘H’であるが、抵抗R11、コンデンサC3を並列接続した回路網を介して接続されているロジックIC_I3の入力は直ちに‘H’にはならない。抵抗R11、コンデンサC3を並列接続した回路網と抵抗R13および調光用可変抵抗器VRで構成された時定数回路により、コンデンサC3とR13および調光用可変抵抗器VRで定まる一定時間だけ遅れてスレシホールド通過する。このときのロジックIC_I3の入力の信号波形は図3(b)の波形となる。
従って、ロジックIC_I3の出力パルスは図3の(c)に示すように、ロジックIC_I3の出力パルスはその分だけ遅れる。即ち、商用電源を全波整流した脈流電圧の半サイクルの立ち下がりより、一定時間だけ遅れてゲートオフ制御回路20にパルス信号が送られ、商用電源の半サイクル途中で、主電流がカットオフされ、最小値の調光が行われる(図3(f))。また、主電流のカットオフは緩やかであり(図3(d))、雑音端子電圧を抑止している。
上記調光最小値の遅れ時間は、1.4msであった。図3(e)は、MOSFET Q1のドレイン電圧波形である。図3(f)の負荷両端波形は、負荷L(100W白熱電球)への出力波形である。
全波整流電圧分圧回路24から出力されるトリガ入力信号(図4(a))がロジックIC_I1に入力され、そのトリガ入力信号が‘L’の時、ロジックIC_I1の出力は‘H’であるが、抵抗R11、コンデンサC3を並列接続した回路網を介して接続されているロジックIC_I3の入力は直ちに‘H’にはならない。抵抗R11、コンデンサC3を並列接続した回路網と抵抗R13および調光用可変抵抗器VRで構成された時定数回路により、コンデンサC3とR13および調光用可変抵抗器VRで定まる一定時間だけ遅れてスレシホールド通過する。このときのロジックIC_I3の入力の信号波形は図4(b)の波形となる。
従って、ロジックIC_I3の出力パルスは図4の(c)に示すように、ロジックIC_I3の出力パルスはその分だけ遅れる。即ち、商用電源を全波整流した脈流電圧の半サイクルの立ち下がりより、一定時間だけ遅れてゲートオフ制御回路20にパルス信号が送られ、商用電源の半サイクル途中で、主電流がカットオフされ、調光位相90度の調光が行われる(図4(f))。また、主電流のカットオフは緩やかであり(図4(d)、図6(1))、雑音端子電圧を抑止している。
上記調光位相90度の遅れ時間は、5.0msであった。図4(e)は、MOSFET Q1のドレイン電圧波形である。図4(f)の負荷両端波形は、負荷L(100W白熱電球)への出力波形である。また、図6(1)は、図4(f)の負荷両端電圧の拡大波形である。
全波整流電圧分圧回路24から出力されるトリガ入力信号(図5(a))がロジックIC_I1に入力され、そのトリガ入力信号が‘L’の時、ロジックIC_I1の出力は‘H’であるが、抵抗R11、コンデンサC3を並列接続した回路網を介して接続されているロジックIC_I3の入力は直ちに‘H’にはならない。抵抗R11、コンデンサC3を並列接続した回路網と抵抗R13および調光用可変抵抗器VRで構成された時定数回路により、コンデンサC3とR13および調光用可変抵抗器VRで定まる一定時間だけ遅れてスレシホールド通過する。このときのロジックIC_I3の入力の信号波形は図5(b)の波形となる。
従って、ロジックIC_I3の出力パルスは図5の(c)に示すように、ロジックIC_I3の出力パルスはその分だけ遅れる。即ち、商用電源を全波整流した脈流電圧の半サイクルの立ち下がりより、一定時間だけ遅れてゲートオフ制御回路20にパルス信号が送られ、商用電源の半サイクル途中で、主電流がカットオフされ、調光最大位相145度の調光が行われる(図5(f))。また、主電流のカットオフは緩やかであり(図4(d)、図6(1))、雑音端子電圧を抑止している。
上記調光位相145度の遅れ時間は、8.0msであった。図5(e)は、MOSFET Q1のドレイン電圧波形である。図5(f)の負荷両端波形は、負荷L(100W白熱電球)への出力波形である。また、図6(2)は、図5(f)の負荷両端電圧の拡大波形である。
従って、従来のように電流トランスを使って電源部を設ける必要がなく、調光ユニットケースの小型化が可能となる。また、CPUを搭載した大掛かりな回路構成による位相制御も必要なく、2線式逆位相制御装置10と商用電源EとLED電球/白熱電球との結線を2線で行うこともできる。
図7の2線式調光器は、図1の調光器の実施形態である調光可変パルス遅延回路22をワンチップマイコン30に変更したものである。これにより、調光器をより小型化できる。また、位相制御を完全にデジタル処理できるため、調光器を同一の商用電源分電盤ブレーカーより連接(並列)配線しても外来ノイズによる干渉を受け難い調光器を提供することができる。
図7の2線式調光器28は、商用交流電源2線式配線で調光可能なLED照明器具(負荷L)を点灯させる調光器であって、LED照明器具の最大出力を所定の出力に制限する本発明の2線式逆位相制御装置10と、2線式逆位相制御装置10に設けられる調光用可変抵抗器VRが調光最大値を超えた際にオンし主電流回路12を閉路する機械式スイッチS1とを備えるようにしたものである。また、機械式スイッチS1をマイクロスイッチとすることができる。
本発明の2線式逆位相制御装置10は、商用交流電源2線式配線で調光器対応型のLED電球を調光する調光器に設けられている。図7に示すマイコン等を搭載した調光器では、位相制御調光するための回路電源を確保する必要があり、一般にLED照明機器の最大出力を80%程度にするように位相制御導通角を制限し、残りの導通角を利用し、安定した回路電源を生成する。従って、LED照明点灯回路において、LED照明器具の最大出力は、80%程度に制限されることから、LED照明器具の調光最大値はおよそ80%点灯となる。LED照明器具は、図示しない調光可変装置(調光用つまみ)を操作して、調光回路18の調光可変用可変抵抗器VRの抵抗値を変更することにより、0%乃至80%点灯が可能な状態にある。
機械式スイッチS1は、2線式逆位相制御装置10に並列に接続されている。機械式スイッチS1をオンさせることにより、主電流回路12を閉路できる。このとき、LED照明機器の出力は最大となり、100%点灯となる。これにより、0%乃至真の100%点灯の調光が可能になる。
12 主電流回路
14 主電流スイッチング回路
16 制御部
18a、18b 正・負側ゲート電荷充電回路
20 ゲートオフ制御回路
22 調光可変パルス遅延回路
24 全波整流電圧分圧回路
26 直流電源生成回路
30 ワンチップマイコン
Q1,Q2 スイッチング素子
S1 機械式スイッチ
I1、I2、I3 トリプル・デジタル・インバータ・ロジックIC
Claims (5)
- 商用交流電源2線式配線で調光可能な照明器具を点灯させる調光器であって、主電流回路に接続される直列逆接続されたスイッチング素子を備える主電流スイッチング部と、主電流スイッチング部のスイッチング素子のゲートに通電し電荷を充電する正・負側ゲート電荷充電部と、スイッチング素子のゲート電荷を所定のタイミングで放電するゲートオフ制御部と、放電するタイミングを決定する調光可変パルス出力部と、調光可変パルス出力部のトリガ入力信号を生成する全波整流分圧部と、調光可変パルス出力部の駆動電源を生成する直流電源生成部とを備えることを特徴とする2線式逆位相制御装置。
- 前記調光可変パルス出力部制御部が、トリプル・デジタル・インバータ・ロジックICを備える調光可変パルス遅延回路又は調光可変パルス遅延回路を構成するワンチップマイコンであることを特徴とする請求項1記載の2線式逆位相制御装置。
- 商用交流電源2線式配線で調光可能な発光ダイオード照明器具を点灯させる調光器に用いる2線式逆位相制御装置であって、請求項1記載の2線式逆位相制御装置と、2線式逆位相制御装置に設けられる調光用可変抵抗器が調光最大値を超えた際にオンし主電流回路を閉路する機械式スイッチとを備える請求項1又は請求項2記載の2線式逆位相制御装置。
- 前記機械式スイッチがマイクロスイッチであることを特徴とする請求項3記載の2線式逆位相制御装置。
- 前記スイッチング素子がMOSFET又はIGBTであることを特徴とする請求項1乃至請求項4いずれか一に記載の2線式逆位相制御装置。
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