JP2011236489A - Film deposition apparatus and dust collection method - Google Patents

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Daisuke Oka
大輔 岡
Naoya Takeda
直也 武田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film deposition apparatus reliably removing dusts on a substrate after film deposition treatment.SOLUTION: The film deposition apparatus (1) includes: a film deposition treatment chamber (12) which forms a thin film on the substrate (17) mounted on a tray (16); conveyance devices (14, 15) for conveying the tray (16) on which the substrate (17) subjected to the film deposition treatment is mounted; blowers (22A, 22B) which jet air toward a substrate mounting surface of the tray (16) during conveying movement and blow off dusts attached to the tray (16) and the substrate (17) mounted on the tray (16); and a nozzle (25) which sucks the blown off dusts together with air. The blowers (22A, 22B) include a jetting port which jets air obliquely to the conveyance direction downstream side and a jetting port which jets air obliquely to the conveyance direction upstream side, wherein a suction port which is arranged between the jetting ports and faces the substrate mounting surface is disposed on the nozzle (25).

Description

本発明は、集塵装置を備えた成膜装置、および、その成膜装置における集塵方法に関する。   The present invention relates to a film forming apparatus provided with a dust collecting apparatus and a dust collecting method in the film forming apparatus.

薄膜を形成する技術の一つとして、CVD法(化学気相堆積法)がある。例えば、プラズマを用いたプラズマCVD法では、成膜チャンバに材料ガスを導入するとともに排気ポンプで減圧し、直流電力、高周波電力、マイクロ波電力などを印加してプラズマを生成し、基板上に薄膜を形成する。この成膜の際には、基板上だけではなく、基板が載置された搬送トレイやチャンバ内壁にも生成物の被膜が生成される。チャンバ内壁の被膜の付着量は、成膜処理が繰り返される度に増大する。チャンバ内壁に被膜は、付着量が増大すると膜応力により剥離が発生したり、また、温度変化によっても剥離が生じたりする。   One technique for forming a thin film is a CVD method (chemical vapor deposition method). For example, in a plasma CVD method using plasma, a material gas is introduced into a film formation chamber and decompressed by an exhaust pump, and plasma is generated by applying DC power, high frequency power, microwave power, etc., and a thin film is formed on a substrate. Form. During the film formation, a product film is generated not only on the substrate but also on the transfer tray on which the substrate is placed and the inner wall of the chamber. The amount of coating on the inner wall of the chamber increases each time the film forming process is repeated. When the coating amount on the inner wall of the chamber increases, peeling occurs due to film stress, and peeling also occurs due to temperature change.

剥離した被膜は、基板上や搬送トレイ上に落下する。この剥離して落下する被膜の量は、成膜稼働時間が長くなるにつれて増大する傾向にある。また、搬送トレイ上やチャンバ内に残存する剥離した被膜が、チャンバ内を大気パージするときや基板搬送過程において巻き上げられて、基板上に落下する場合もある。   The peeled film falls on the substrate or the transfer tray. The amount of the coating film that peels off and falls tends to increase as the film forming operation time increases. In addition, the peeled film remaining on the transfer tray or in the chamber may be wound up when the inside of the chamber is purged to the atmosphere or in the substrate transfer process and fall on the substrate.

そのため、従来のCVD装置では、活性化されたクリーニングガスを成膜チャンバに導入し、材料ガス導入ラインやチャンバ内壁に付着している反応生成物(成膜物や副生成物など)を除去するようにしている(例えば、特許文献1参照)。また、帯電した集塵プレートを基板処理前に成膜チャンバ内に搬送し、成膜室内に残留する粉塵を静電力により吸着する方法も開示されている。   Therefore, in the conventional CVD apparatus, the activated cleaning gas is introduced into the film forming chamber, and reaction products (film forming products, by-products, etc.) adhering to the material gas introduction line and the inner wall of the chamber are removed. (For example, refer to Patent Document 1). In addition, a method is also disclosed in which a charged dust collecting plate is conveyed into a film forming chamber before substrate processing, and dust remaining in the film forming chamber is adsorbed by an electrostatic force.

特開平6−252066号公報Japanese Patent Laid-Open No. 6-252066

ところで、上述したクリーニング作業は、基板上への被膜の落下を防止するために行うものであって、基板上に落下した塵を除去するものではない。そのため、被膜の落下を極力抑える意味で、上述したクリーニング作業を成膜処理の度に行うようにしている。その結果、成膜処理1回当たりの時間が長くなり生産効率の低下を招くことになる。   By the way, the above-described cleaning operation is performed in order to prevent the coating film from dropping onto the substrate, and does not remove the dust that has dropped onto the substrate. Therefore, the above-described cleaning operation is performed each time the film formation process is performed in order to suppress the fall of the film as much as possible. As a result, the time per film forming process becomes longer, leading to a decrease in production efficiency.

請求項1の発明に係る成膜装置は、トレイ上に載置された基板に薄膜を形成する成膜処理室と、成膜処理済みの基板が載置されたトレイを搬送する搬送装置と、搬送移動しているトレイの基板載置面に向けてエアを噴出して、トレイおよび該トレイに載置された基板の上の塵を吹き飛ばすブロアと、吹き飛ばされた塵をエアとともに吸引するノズルとを備えたことを特徴とする。
請求項2の発明は、請求項1に記載の成膜装置において、ブロアは、基板載置面に対して斜めに入射するように搬送方向下流側に向けてエアを噴出する第1の噴出口と、基板載置面に対して斜めに入射するように搬送方向上流側に向けてエアを噴出する第2の噴出口とを備え、ノズルは第1の噴出口と第2の噴出口との間に配置され、基板載置面に対向する吸入口を備えることを特徴とする。
請求項3の発明は、請求項2に記載の成膜装置において、第1および第2の噴出口から噴出される各エアの噴出方向は、該第1および第2の噴出口から噴出されるエアが、基板の表面よりもトレイ側において交差するように設定されていることを特徴とする。
請求項4の発明は、請求項1〜3のいずれか一項に記載の成膜装置において、成膜装置への未処理基板の搬入および成膜装置からの成膜処理済み基板の搬出を行うロード・アンロード室と、成膜処理済み基板をロード・アンロード室に搬送するリターン搬送室とを備え、ブロアおよびノズルをリターン搬送室に設けたことを特徴とする。
請求項5の発明は、成膜装置の集塵方法であって、成膜処理室における成膜を停止して該成膜処理室の温度を低下させる工程と、基板が載置されていないトレイを成膜処理室に供給する工程と、成膜処理室に供給されたトレイを搬送装置により搬送する工程と、搬送装置によりトレイを搬送しつつ該トレイ上の塵を集塵する工程とを有することを特徴とする。
請求項6の発明は、請求項5に記載の集塵方法において、集塵する工程では、トレイ上の塵をブロアからのエアによって吹き飛ばし、その吹き飛ばされた塵をノズルによりエアとともに吸引することを特徴とする。
A film forming apparatus according to the invention of claim 1 includes a film forming chamber for forming a thin film on a substrate placed on a tray, a transfer device for carrying a tray on which a film-formed substrate is placed, A blower that blows air toward the substrate mounting surface of the tray that is being transported and blows off the dust on the tray and the substrate placed on the tray; and a nozzle that sucks the blown-off dust together with air; It is provided with.
According to a second aspect of the present invention, there is provided the film forming apparatus according to the first aspect, wherein the blower ejects air toward the downstream side in the transport direction so as to enter the substrate mounting surface obliquely. And a second jet port for jetting air toward the upstream side in the transport direction so as to be incident obliquely with respect to the substrate mounting surface, and the nozzle includes a first jet port and a second jet port It is characterized by comprising a suction port disposed between and facing the substrate mounting surface.
According to a third aspect of the present invention, in the film forming apparatus according to the second aspect, the ejection direction of each of the air ejected from the first and second ejection ports is ejected from the first and second ejection ports. The air is set to intersect on the tray side with respect to the surface of the substrate.
According to a fourth aspect of the present invention, in the film forming apparatus according to any one of the first to third aspects, the untreated substrate is carried into the film forming apparatus and the film-treated substrate is carried out from the film forming apparatus. A load / unload chamber and a return transfer chamber for transferring a film-formed substrate to the load / unload chamber are provided, and a blower and a nozzle are provided in the return transfer chamber.
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a dust collection method for a film forming apparatus, the step of stopping the film formation in the film forming processing chamber to lower the temperature of the film forming processing chamber, A step of supplying the film to the film forming chamber, a step of transferring the tray supplied to the film forming chamber by the transfer device, and a step of collecting dust on the tray while transferring the tray by the transfer device. It is characterized by that.
According to a sixth aspect of the present invention, in the dust collecting method according to the fifth aspect, in the dust collecting step, the dust on the tray is blown off by the air from the blower, and the blown off dust is sucked together with the air by the nozzle. Features.

本発明によれば、成膜処理後の基板上およびトレイ上の塵を確実に除去することができる。   According to the present invention, it is possible to reliably remove dust on the substrate and the tray after film formation.

本発明による集塵装置を備えた成膜装置の概略構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically schematic structure of the film-forming apparatus provided with the dust collector by this invention. 集塵装置2の構成を説明する平面図である。3 is a plan view illustrating the configuration of the dust collector 2. FIG. ブロア22A,22Bおよび吸入ノズル25の位置関係を説明する図である。It is a figure explaining the positional relationship of blower 22A, 22B and the suction nozzle 25. FIG. 吸入ノズル25の下方をトレイ16が移動する間の集塵作業の状況を示す模式図である。FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a situation of dust collection work while the tray 16 moves below the suction nozzle 25. 他の例を示す図である。It is a figure which shows another example. 被膜除去作業の手順を示す図である。It is a figure which shows the procedure of a film removal operation | work.

以下、図を参照して本発明を実施するための形態について説明する。
―第1の実施の形態―
図1は本発明による成膜装置の第1の実施の形態を示したものであり、プラズマCVD装置の概略構成を示す模式図である。プラズマCVD装置1は、ロード/アンロード室11、成膜処理室12、昇降室13およびリターン搬送室14を備えている。成膜処理室12には、トレイ16を搬入および搬出するためのゲートバルブV1,V2が設けられている。基板17が載置されるトレイ16は、コンベア15により各室間を搬送される。なお、図示していないが、ロード/アンロード室11および昇降室13には、トレイを昇降するための昇降機構が設けられている。
Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.
-First embodiment-
FIG. 1 shows a first embodiment of a film forming apparatus according to the present invention, and is a schematic diagram showing a schematic configuration of a plasma CVD apparatus. The plasma CVD apparatus 1 includes a load / unload chamber 11, a film forming chamber 12, an elevating chamber 13, and a return transfer chamber 14. The film forming chamber 12 is provided with gate valves V1 and V2 for carrying the tray 16 in and out. The tray 16 on which the substrate 17 is placed is conveyed between the chambers by the conveyor 15. Although not shown, the loading / unloading chamber 11 and the lifting chamber 13 are provided with a lifting mechanism for lifting the tray.

ロード/アンロード室11においては、未処理の基板17の供給および成膜処理済の基板17の回収が行われる。例えば、真空吸着チャックやベルヌーイチャック等の基板供給/回収装置18を用いて、トレイ16上へ未処理の基板17を載置し、また、トレイ16上の処理済み基板17を回収する。なお、上述したチャックによる基板17のハンドリングが確実に行われるように、すなわち、基板17がトレイ16の表面から容易に引き離されるように、トレイ16の基板載置面には溝が形成されている。なお、ロード/アンロード室11に基板加熱用のヒータを設けて、未処理の基板17の予備加熱を行うようにしても良い。   In the load / unload chamber 11, the unprocessed substrate 17 is supplied and the substrate 17 subjected to the film formation process is collected. For example, an unprocessed substrate 17 is placed on the tray 16 using a substrate supply / recovery device 18 such as a vacuum chuck or Bernoulli chuck, and the processed substrate 17 on the tray 16 is recovered. In addition, a groove is formed on the substrate mounting surface of the tray 16 so that the handling of the substrate 17 by the chuck described above is performed reliably, that is, the substrate 17 is easily pulled away from the surface of the tray 16. . Note that a heater for heating the substrate may be provided in the load / unload chamber 11 to preheat the unprocessed substrate 17.

ロード/アンロード室11への基板17の供給が終了したならば、エアパージを行って成膜処理室12を大気圧状態に戻し、ゲートバルブV1を開いてトレイ16を成膜処理室12に搬送する。その後、ゲートバルブV1を閉じて真空排気した後に材料ガスを導入し、プラズマCVD処理によりに所望の薄膜を基板17上に成膜する。本実施の形態の成膜装置はプラズマCVD法により成膜を行うものであるが、プラズマPの生成方法としては容量結合型プラズマ、誘導結合型プラズマ、表面波プラズマなど種々の方法がある。それらの方法でプラズマPを生成し、そのプラズマを利用して成膜処理室12内に導入された材料ガスを分解・反応させて、基板17上に薄膜を形成する。   When the supply of the substrate 17 to the load / unload chamber 11 is completed, air purge is performed to return the film forming chamber 12 to the atmospheric pressure state, the gate valve V1 is opened, and the tray 16 is transferred to the film forming chamber 12. To do. Thereafter, after closing the gate valve V1 and evacuating, a material gas is introduced, and a desired thin film is formed on the substrate 17 by plasma CVD processing. Although the film forming apparatus of this embodiment forms a film by plasma CVD, there are various methods for generating plasma P, such as capacitively coupled plasma, inductively coupled plasma, and surface wave plasma. Plasma P is generated by those methods, and the material gas introduced into the film forming chamber 12 is decomposed and reacted using the plasma to form a thin film on the substrate 17.

上述したように、成膜処理によって成膜処理室12の内壁にも被膜が形成され、成膜処理が繰り返されられると内壁の被膜が剥離して基板17やトレイ16上に落下することがある。また、搬送過程や成膜処理室12を大気圧状態へ戻すときのエアパージにより、成膜処理室12内に落下した被膜が舞い上がり、基板17上に落下する場合もある。   As described above, a film is formed on the inner wall of the film forming chamber 12 by the film forming process, and when the film forming process is repeated, the film on the inner wall may be peeled off and dropped onto the substrate 17 or the tray 16. . In addition, the film that has fallen into the film forming chamber 12 may rise and fall onto the substrate 17 due to a transfer process or an air purge when the film forming chamber 12 is returned to the atmospheric pressure state.

基板17上への成膜が終了したならば、エアパージを行って成膜処理室12を大気圧状態に戻した後にゲートバルブV2を開閉し、成膜処理済みの基板17が載置されたトレイ16を昇降室13に搬送する。昇降室13にはトレイ16を昇降させる昇降機構が設けられており、トレイ16をリターン搬送室14への搬送位置まで降下させる。トレイ16の位置が搬送位置となったならば、コンベア15によりトレイ16をリターン搬送室14へ搬送する。   When film formation on the substrate 17 is completed, an air purge is performed to return the film formation processing chamber 12 to the atmospheric pressure state, then the gate valve V2 is opened and closed, and the tray on which the film-formed substrate 17 is placed. 16 is conveyed to the lift chamber 13. The elevating chamber 13 is provided with an elevating mechanism for elevating the tray 16 and lowers the tray 16 to the transfer position to the return transfer chamber 14. When the position of the tray 16 becomes the transfer position, the tray 16 is transferred to the return transfer chamber 14 by the conveyor 15.

リターン搬送室14には、コンベア15とともに集塵装置が設けられている。図1に示したブロア22A,22Bおよび吸引ノズル25は、集塵装置を構成する部品の一部である。集塵装置の詳細構成は後述する。コンベア15によりトレイ16を図示右方向に搬送しながら、ブロア22A,22Bよりエアを搬送トレイ16の方向に吹き付ける。基板17上および搬送トレイ16上の塵(剥離した被膜等)は吹き付けられたエアによりが吸引ノズル25方向に舞い上げられ、エアと共に吸引ノズル25により吸い込まれる。このように、トレイ16の搬送移動を行いながら、基板17およびトレイ16上に落下した塵の集塵作業が自動的に行われる。   The return conveyance chamber 14 is provided with a dust collector together with the conveyor 15. The blowers 22A and 22B and the suction nozzle 25 shown in FIG. 1 are a part of the components that constitute the dust collector. The detailed configuration of the dust collector will be described later. Air is blown in the direction of the transport tray 16 from the blowers 22 </ b> A and 22 </ b> B while the tray 16 is transported in the right direction in the figure by the conveyor 15. Dust (such as a peeled film) on the substrate 17 and the transport tray 16 is blown up by the blown air in the direction of the suction nozzle 25 and sucked by the suction nozzle 25 together with the air. In this way, the dust collection work of the dust falling on the substrate 17 and the tray 16 is automatically performed while the tray 16 is transported and moved.

集塵作業が終了すると、トレイ16はロード/アンロード室11に戻される。ロード/アンロード室11に搬送されたトレイ16は、昇降機構により基板供給/回収位置まで上方に移動される。トレイ16が搬入/回収位置まで上昇すると、成膜処理済みの基板17は基板供給/回収装置18により回収される。   When the dust collection operation is completed, the tray 16 is returned to the load / unload chamber 11. The tray 16 conveyed to the load / unload chamber 11 is moved upward to the substrate supply / collection position by the lifting mechanism. When the tray 16 is raised to the carry-in / collection position, the substrate 17 that has been subjected to the film formation process is collected by the substrate supply / collection device 18.

図2は集塵装置2の構成を説明する図であり、リターン搬送室14を成膜処理室12方向から見た平面図である。上述したように、トレイ16上には複数の基板17が載置されている。集塵装置2は、ブロア22A,22Bおよびノズル25に加えて、ガス供給装置20,吸引装置21,配管23およびマニホールド24を備えている。図1に示したコンベア15により、成膜処理済みの基板17を載置したトレイ16は図示右方向に搬送されるため、トレイ16の全領域が集塵装置2の下方を通過することになる。   FIG. 2 is a diagram illustrating the configuration of the dust collector 2, and is a plan view of the return transfer chamber 14 as viewed from the film forming chamber 12 direction. As described above, the plurality of substrates 17 are placed on the tray 16. The dust collector 2 includes a gas supply device 20, a suction device 21, a pipe 23 and a manifold 24 in addition to the blowers 22 </ b> A and 22 </ b> B and the nozzle 25. Since the tray 16 on which the film-formed substrate 17 is placed is conveyed by the conveyor 15 shown in FIG. 1 in the right direction in the figure, the entire area of the tray 16 passes below the dust collector 2. .

ブロア22A,22Bはガス噴出口を備えた配管で構成され、その配管には大気圧よりも若干圧力の高いエアがガス供給装置20から供給される。ブロア22A,22Bのエアによって舞い上げられた塵を吸入する吸入ノズル25は、上方から見てT字形状をしており、トレイ16と対向する底面部分に吸入口25aが形成されている。図2に示すように、複数の吸入ノズル25が、トレイ16の移動方向に対して直行する方向に隙間無く並設されている。それらの吸入ノズル25は、マニホールド24に取り付けられている。   The blowers 22 </ b> A and 22 </ b> B are configured by a pipe having a gas ejection port, and air having a slightly higher pressure than the atmospheric pressure is supplied from the gas supply device 20 to the pipe. The suction nozzle 25 for sucking dust raised by the air from the blowers 22 </ b> A and 22 </ b> B has a T-shape when viewed from above, and a suction port 25 a is formed on the bottom surface portion facing the tray 16. As shown in FIG. 2, the plurality of suction nozzles 25 are juxtaposed in a direction perpendicular to the moving direction of the tray 16 without a gap. These suction nozzles 25 are attached to the manifold 24.

マニホールド24には吸引装置21からの配管23が接続されており、この配管23を介してマニホールド24内のエアを吸引装置21により吸引する。配管23には蛇腹状のフレキシブル配管が用いられ、マニホールド24の位置を調整することで、吸入ノズル25とトレイ16との隙間を正確に調整することができる。吸引ノズル25により吸引された塵はエアと共に吸引装置21まで運ばれ、吸引装置21内に設けられたダストボックスに回収される。   A pipe 23 from the suction device 21 is connected to the manifold 24, and air in the manifold 24 is sucked by the suction device 21 through the pipe 23. A bellows-like flexible pipe is used for the pipe 23, and the gap between the suction nozzle 25 and the tray 16 can be accurately adjusted by adjusting the position of the manifold 24. The dust sucked by the suction nozzle 25 is carried to the suction device 21 together with air, and is collected in a dust box provided in the suction device 21.

図3は、ブロア22A,22Bおよび吸入ノズル25の位置関係を説明する図である。吸入ノズル25の底面部分には、幅寸法Wを有するスリット状の吸入口25aがトレイ16の基板載置面に対向するように形成されている。一対のブロア22A,22Bは基板搬送方向に並設されており、吸入口25aに対してブロア22Aは搬送方向の上流側に配置され、ブロア22Bは搬送方向の下流側に配置されている。吸入ノズル25は、吸入口25aがブロア22A,22Bの中間位置に配設されるように位置調整されている。   FIG. 3 is a view for explaining the positional relationship between the blowers 22 </ b> A and 22 </ b> B and the suction nozzle 25. A slit-like suction port 25 a having a width dimension W is formed on the bottom surface portion of the suction nozzle 25 so as to face the substrate mounting surface of the tray 16. The pair of blowers 22A and 22B are juxtaposed in the substrate transport direction, the blower 22A is disposed on the upstream side in the transport direction with respect to the suction port 25a, and the blower 22B is disposed on the downstream side in the transport direction. The position of the suction nozzle 25 is adjusted so that the suction port 25a is disposed at an intermediate position between the blowers 22A and 22B.

ブロア22A,22Bには、エア噴出口220がブロア配管の延在方向、すなわち、トレイ搬送方向に対して直交する方向に複数並設されている。ブロア22Aのエア噴出口220は、鉛直下方向に対して角度θだけ搬送下流方向に傾いた位置に形成されており、基板17の面またはトレイ16の面に対して角度θを成す斜め前方(搬送下流方向)にエアが吹き出される。一方、ブロア22Bのエア噴出220は、鉛直下方向に対して角度θだけ搬送上流方向に傾いた位置に形成されており、基板17の面またはトレイ16の面に対して角度θを成す斜め後方(搬送上流方向)にエアが吹き出される。   In the blowers 22A and 22B, a plurality of air outlets 220 are arranged in parallel in the direction in which the blower pipe extends, that is, in the direction orthogonal to the tray conveying direction. The air outlet 220 of the blower 22 </ b> A is formed at a position that is inclined in the conveyance downstream direction by an angle θ with respect to the vertical downward direction, and is obliquely forward (at an angle θ with respect to the surface of the substrate 17 or the surface of the tray 16). Air is blown out in the conveyance downstream direction. On the other hand, the air jet 220 of the blower 22B is formed at a position tilted in the transport upstream direction by an angle θ with respect to the vertical downward direction, and obliquely rearward that forms an angle θ with respect to the surface of the substrate 17 or the surface of the tray 16. Air is blown out (in the upstream direction of conveyance).

符号101は、ブロア22A,22Bから噴出されるエアの噴出方向を示す直線の交点を示している。角度θは、交点101が基板17の表面よりも下側(トレイ側)に位置するように設定される。すなわち、ブロア下端と交点101との間の鉛直方向距離h2を、ブロア下端と基板表面位置100との間の鉛直方向距離h1よりも大きく設定する。このように設定することにより、ブロア22Aのエア噴出方向を示す直線と基板表面位置100とが交差する位置は交点101よりも搬送方向下流となり、ブロア22Bのエア噴出方向を示す直線と基板表面位置100とが交差する位置は交点101よりも搬送方向上流となる。   Reference numeral 101 denotes an intersection of straight lines indicating the jet direction of the air jetted from the blowers 22A and 22B. The angle θ is set so that the intersection point 101 is located on the lower side (tray side) than the surface of the substrate 17. That is, the vertical distance h2 between the lower end of the blower and the intersection 101 is set to be larger than the vertical distance h1 between the lower end of the blower and the substrate surface position 100. By setting in this way, the position where the straight line indicating the air ejection direction of the blower 22A and the substrate surface position 100 intersect is downstream of the intersection 101 and the straight line indicating the air ejection direction of the blower 22B and the substrate surface position. The position where 100 intersects is upstream of the intersection 101 in the transport direction.

図3において、矢印曲線Gは、基板17があった場合の噴出エアの流れを模式的に示したものである。ブロア22Aの噴出口220から斜め右下に噴出されたエアは、基板表面位置100で示す基板表面に沿って図示右方向に流れる。一方、ブロア22Bの噴出口220から斜め左下に噴出されたエアは、基板表面に沿って図示左方向に流れる。この2つのエアの流れは、吸入ノズル25の吸入口25aの直下で衝突し、基板面から上方に上昇するような流れとなる。このエアの流れにより、基板表面やトレイ表面に載っている塵や剥離片は上方に舞い上げられる。   In FIG. 3, an arrow curve G schematically shows the flow of ejected air when the substrate 17 is present. The air jetted obliquely to the lower right from the jet port 220 of the blower 22 </ b> A flows in the right direction in the drawing along the substrate surface indicated by the substrate surface position 100. On the other hand, the air jetted obliquely to the lower left from the jet port 220 of the blower 22B flows in the left direction in the drawing along the substrate surface. The two air flows collide immediately below the suction port 25a of the suction nozzle 25 and flow upward from the substrate surface. Due to this air flow, dust and peeling pieces placed on the substrate surface and the tray surface are swung upward.

このように、角度θを成すようにエアを2方向から噴出しているので、塵が吸入口25aの位置から大きく左右に外れて舞い上げられるのを避けることができる。一方、吸入ノズル25は吸入口25aから積極的にエアを吸入しているので、舞い上げられた塵はエアとともに吸入ノズル25内に吸入されることになる。   As described above, since air is ejected from two directions so as to form the angle θ, it is possible to avoid the dust from being greatly deviated to the left and right from the position of the suction port 25a. On the other hand, since the suction nozzle 25 actively sucks air from the suction port 25a, the dust soared is sucked into the suction nozzle 25 together with air.

なお、噴出口220の孔径φおよび角度θ、吸入口25aの幅寸法W、基板表面から吸入ノズル25およびブロア22A,22Bの下端までの距離は、実際に集塵試験を行うことで最適な値に決定される。   Note that the hole diameter φ and angle θ of the ejection port 220, the width W of the suction port 25a, and the distances from the substrate surface to the lower ends of the suction nozzle 25 and the blowers 22A and 22B are optimum values by actually performing a dust collection test. To be determined.

(集塵動作の説明)
図4は、吸入ノズル25の下方をトレイ16が移動する間の集塵作業の状況を示す模式図である。図4(a)は、吸気ノズル25がトレイ16に対向している場合を示したものである。上述したように、ブロア22A,22Bから噴出されたエアは、トレイ表面に衝突して吸入口25aの直下においては上昇するような流れとなっている。そのため、トレイ16上の塵30は、トレイ16の表面から上方に舞い上げられ、吸入口25aから吸入ノズル25内にエアとともに吸い込まれる。
(Description of dust collection operation)
FIG. 4 is a schematic diagram showing the state of dust collection work while the tray 16 moves below the suction nozzle 25. FIG. 4A shows a case where the intake nozzle 25 faces the tray 16. As described above, the air ejected from the blowers 22A, 22B collides with the tray surface and flows upward just below the suction port 25a. Therefore, the dust 30 on the tray 16 rises upward from the surface of the tray 16 and is sucked together with air into the suction nozzle 25 from the suction port 25a.

図4(b)は、図4(a)の状態からさらにトレイ16が右方向に移動して、基板17の一部が吸入ノズル25の下方に入った状態を示す。この状態では、ブロア22Aから噴出されたエアのみが基板17の表面に直接当たっていて、ブロア22Bからのエアはトレイ16の表面に吹き付けられることになる。そのため、基板17にはブロア22Aから噴出されるエアによってトレイ16に押し付けられる力が働くため、ブロア22Bから噴出されトレイ表面に沿って流れてくるエアが基板17の端面部分に当たっても、破線で示すように基板17がトレイ16から浮きあがってずれたりすることがない。   FIG. 4B shows a state in which the tray 16 further moves rightward from the state of FIG. 4A, and a part of the substrate 17 enters below the suction nozzle 25. In this state, only the air ejected from the blower 22 </ b> A directly hits the surface of the substrate 17, and the air from the blower 22 </ b> B is blown onto the surface of the tray 16. For this reason, the substrate 17 is subjected to a force that is pressed against the tray 16 by the air ejected from the blower 22A. Thus, the substrate 17 is not lifted off the tray 16 and displaced.

上述したように、トレイ16の基板載置面には、基板回収時にトレイ16から基板17が離れやすくするために溝等が形成されている。そのため、図4(b),(c)のように基板17の縁の部分にブロア22A,22Bからのエアが吹き付けられたときに、エアがトレイ16と基板17との隙間に入りやすくなり、基板17がシリコンウエハのように面積がそれほど大きくなく厚さが非常に薄い基板である場合には、基板17が浮き上がるおそれがある。しかしながら、図3に示すような配置とすることで、他方のブロアからのエアによる押し付け力により、基板17の浮き上がりが防止される。   As described above, a groove or the like is formed on the substrate mounting surface of the tray 16 so that the substrate 17 can be easily separated from the tray 16 during substrate recovery. Therefore, as shown in FIGS. 4B and 4C, when air from the blowers 22A and 22B is blown onto the edge portion of the substrate 17, the air easily enters the gap between the tray 16 and the substrate 17, If the substrate 17 is a substrate that is not so large and has a very small thickness as a silicon wafer, the substrate 17 may be lifted. However, the arrangement as shown in FIG. 3 prevents the substrate 17 from being lifted by the pressing force of the air from the other blower.

図4(c)は、図4(b)の状態からさらにトレイ16が右方向に移動して、図4(a)の場合とは逆に、基板17の反対側の端部が吸入ノズル25の下方に入った場合を示す。この場合には、噴出されたエアが基板17の表面に直接当たっているのはブロア22Bからのエアのみであり、ブロア22Aからのエアはトレイ16の表面に吹き付けられることになる。そのため、ブロア22Bから噴出されるエアによって基板17にはトレイ16に押し付けられる力が働き、ブロア22Aからのエアが基板端面に吹き付けられても、基板17が浮きあがるようなことはない。   4C, the tray 16 further moves to the right from the state of FIG. 4B, and the opposite end of the substrate 17 is the suction nozzle 25 opposite to the case of FIG. 4A. The case of entering below is shown. In this case, it is only the air from the blower 22 </ b> B that the blown air directly hits the surface of the substrate 17, and the air from the blower 22 </ b> A is blown onto the surface of the tray 16. Therefore, the force that is pressed against the tray 16 by the air blown from the blower 22B acts on the substrate 17, and even if the air from the blower 22A is blown onto the end surface of the substrate, the substrate 17 does not float up.

上述したように、基板端部にブロア22A,22Bからのエアが吹き付けられた場合でも、基板の吹き上がりを防止できるという作用効果は、交点101の位置が基板表面よりも下側(トレイ側)になるように角度θや距離h1を設定することにより得られる。   As described above, even when the air from the blowers 22A and 22B is blown to the end portions of the substrate, the effect of preventing the substrate from blowing up is that the position of the intersection point 101 is below the tray surface (tray side). Is obtained by setting the angle θ and the distance h1 to be

(他の例)
図5は、図3に示した構成に対する他の例を示したものである。図5(a),(b)は、噴出ガスの方向を示す直線の交点101が基板表面付近に有る場合を示したものである。このような設定であっても塵を集塵する機能は生じるし、面積が大きく比較的重量のある基板であれば上述したような浮きあがりは生じない。
(Other examples)
FIG. 5 shows another example of the configuration shown in FIG. FIGS. 5A and 5B show a case where the intersection point 101 of the straight line indicating the direction of the jet gas is near the substrate surface. Even with such a setting, the function of collecting dust occurs, and the above-mentioned floating does not occur if the substrate has a large area and a relatively heavy weight.

ただし、シリコンウエハのような軽い基板の場合には、図5(a)に示すような基板位置において、ブロア22Bから噴出されたエアにより基板17が浮きあがってしまうおそれがあり、位置ズレにより基板同士が重なったりすることがある。また、図5(b)は、基板17の左端が吸入口25aの下側を通過する状況を示したものであり、この場合にもブロア22Aからのエアにより基板17が浮きあがるおそれがある。   However, in the case of a light substrate such as a silicon wafer, the substrate 17 may be lifted by the air blown from the blower 22B at the substrate position as shown in FIG. Some may overlap each other. FIG. 5B shows a situation in which the left end of the substrate 17 passes below the suction port 25a. In this case as well, the substrate 17 may be lifted by the air from the blower 22A.

図5(c)は、一つのブロア22から角度θで斜めにエアを噴出し、ブロア22とは反対方向の角度θ方向に吸入ノズル25を配置した場合の構成を示したものである。この構成の場合には、塵はブロア22からのエアによって吸入ノズル25の方向へ吹き飛ばされるので、その吹き飛ばされた塵を吸入ノズル25により吸い込むようにしている。この構成の場合にも、移動する基板17の縁にブロア22からのエアが吹き付けられた際に、基板17が浮き上がって位置ずれするおそれがある。   FIG. 5C shows a configuration in which air is ejected obliquely from one blower 22 at an angle θ, and the suction nozzle 25 is arranged in the angle θ direction opposite to the blower 22. In the case of this configuration, dust is blown away in the direction of the suction nozzle 25 by the air from the blower 22, so that the blown dust is sucked by the suction nozzle 25. Also in this configuration, when the air from the blower 22 is blown to the edge of the moving substrate 17, the substrate 17 may be lifted and displaced.

本実施の形態においては、上述した基板17上およびトレイ16の塵や剥離片を除去する集塵動作は、プラズマCVD装置1による成膜作業を行っている間、常時行われている。その結果、成膜後の基板17に塵(剥離した被膜等)が残留するのを防止することができる。   In the present embodiment, the dust collecting operation for removing dust and peeling pieces on the substrate 17 and the tray 16 described above is always performed while the film forming operation by the plasma CVD apparatus 1 is performed. As a result, it is possible to prevent dust (peeled film or the like) from remaining on the substrate 17 after film formation.

―第2の実施の形態―
ところで、成膜処理室12の内壁に付着する被膜は成膜処理回数が増えるに従って増加する。そして、被膜の付着量が増えるにしたがい、被膜の剥離の頻度も増加する。そのため、定期的なメンテナンスとして、成膜処理室12の内壁に付着した被膜や、成膜処理室内に落下した剥離片を除去するクリーニング作業を、装置を停止して手作業で行うのが一般的である。このメンテナンスを行う場合、基板上の塵が基準量を超えたならば生産稼働を停止し、チャンバ内や搬送トレイを掃除機等で除去する。
-Second embodiment-
By the way, the film adhering to the inner wall of the film forming chamber 12 increases as the number of film forming processes increases. As the amount of the coating film increases, the frequency of film peeling increases. For this reason, as a regular maintenance, it is common to manually perform a cleaning operation to remove the film adhering to the inner wall of the film forming chamber 12 or the peeling pieces dropped into the film forming chamber while the apparatus is stopped. It is. When performing this maintenance, if the dust on the substrate exceeds the reference amount, the production operation is stopped, and the inside of the chamber and the transfer tray are removed with a vacuum cleaner or the like.

一方、本実施の形態のプラズマCVD装置1では、上述した集塵装置2を用いることで、成膜処理室内壁に付着した被膜の除去作業を、人手を介さず自動的に行うことができる。被膜除去作業は、図6に示すような手順で行われる。   On the other hand, in the plasma CVD apparatus 1 of the present embodiment, by using the dust collector 2 described above, it is possible to automatically remove the film attached to the film formation chamber wall without human intervention. The film removal operation is performed according to the procedure shown in FIG.

まず、ステップ#1において成膜作業を停止する。すなわち、成膜処理室12の成膜動作を停止するとともに、基板17の供給を停止する。なお、成膜動作は停止させるが、成膜動作以外の動作、すなわち、ロード/アンロード室11,昇降室13,リターン搬送室14の駆動は継続され、トレイ16の搬送および集塵装置2による集塵作業は引き続き行われている。   First, in step # 1, the film forming operation is stopped. That is, the film forming operation in the film forming chamber 12 is stopped and the supply of the substrate 17 is stopped. Although the film forming operation is stopped, the operations other than the film forming operation, that is, the driving of the load / unload chamber 11, the lift chamber 13, and the return transfer chamber 14 are continued. Dust collection work continues.

ステップ#2では、トレイ16の連続搬送動作を開始する。この動作においては、成膜処理室12は大気圧に戻され、ゲートバルブV1,V2は開状態に維持される。そして、基板17を載置していない複数のトレイ16が次から次へと、開状態とされたゲートバルブV1,V2を介して成膜処理室12内を連続的に移動するように動作させる。   In step # 2, the continuous conveyance operation of the tray 16 is started. In this operation, the film forming chamber 12 is returned to atmospheric pressure, and the gate valves V1 and V2 are maintained in the open state. Then, the plurality of trays 16 on which the substrate 17 is not placed are operated so as to continuously move from the next to the next through the gate valves V1 and V2 that are opened. .

上述したステップ#1で成膜処理室12における成膜動作が停止されると、成膜処理室12の温度が徐々に低下するので、この温度変化により壁面に付着していた被膜が剥離して落下する。上述したステップ#2により、成膜処理室12内においてはトレイ16が連続的に移動しているため、そのトレイ16上に剥離した被膜が落下する。剥離落下した被膜を載せたトレイ16は、コンベア15により成膜処理室12から搬出され、昇降室13を介してリターン搬送室14へと搬送される。   When the film forming operation in the film forming process chamber 12 is stopped in step # 1 described above, the temperature of the film forming process chamber 12 gradually decreases, so that the film attached to the wall surface is peeled off due to this temperature change. Fall. Due to the above-described step # 2, since the tray 16 is continuously moved in the film forming process chamber 12, the peeled film is dropped on the tray 16. The tray 16 on which the film that has been peeled and dropped is unloaded from the film forming chamber 12 by the conveyor 15 and is transferred to the return transfer chamber 14 via the lifting chamber 13.

リターン搬送室14に搬送されたトレイ16は、リターン搬送室14内を移動している間に、トレイ16上に落下した剥離被膜や塵が集塵装置2によって除去される。集塵装置2によりクリーニングされたトレイ16は、ロード/アンロード室11を介して再び成膜処理室に搬送される。このような被膜除去作業を所定時間行ったならば、ステップ#3において被膜除去作業を終了する。次いで、ステップ#4において、成膜動作を再開する。   While the tray 16 transported to the return transport chamber 14 is moving in the return transport chamber 14, the release coating or dust that has dropped onto the tray 16 is removed by the dust collector 2. The tray 16 cleaned by the dust collector 2 is transferred again to the film forming chamber via the load / unload chamber 11. If such a film removal operation is performed for a predetermined time, the film removal operation is terminated in step # 3. Next, in step # 4, the film forming operation is restarted.

上述したように、第2の実施の形態では、成膜装置の集塵方法であって、成膜処理室12における成膜を停止して該成膜処理室12の温度を低下させる工程と、基板17が載置されていないトレイ16を成膜処理室12に供給する工程と、成膜処理室12に供給されたトレイ16を搬送装置15により搬送する工程と、搬送装置15によりトレイ16を搬送しつつ該トレイ16上の塵を集塵する工程とを有する。その結果、剥離した被膜はトレイ16によって受け止められ、その剥離被膜は集塵装置2で集塵され、成膜処理室12の内壁に付着した被膜の除去を、人手を使うことなく行うことができる。また、集塵工程では、トレイ16上の塵はブロア22A,22Bからのエアによって吹き飛ばされ、その吹き飛ばされた塵はノズル25によりエアとともに吸引される。   As described above, the second embodiment is a dust collection method of the film forming apparatus, the step of stopping the film formation in the film forming process chamber 12 and lowering the temperature of the film forming process chamber 12; A step of supplying the tray 16 on which the substrate 17 is not placed to the film forming chamber 12; a step of transferring the tray 16 supplied to the film forming chamber 12 by the transfer device 15; And collecting dust on the tray 16 while being conveyed. As a result, the peeled film is received by the tray 16, the peeled film is collected by the dust collector 2, and the film attached to the inner wall of the film forming treatment chamber 12 can be removed without using human hands. . In the dust collection process, the dust on the tray 16 is blown off by the air from the blowers 22 </ b> A and 22 </ b> B, and the blown-off dust is sucked together with the air by the nozzle 25.

プラズマCVD装置1にはこのような自動クリーニングモードが設定されており、オペレータが自動クリーニングモードを指示すると装置は自動クリーニングモードに入って、自動的に成膜処理室12の内壁に付着した被膜の除去を行う。   Such an automatic cleaning mode is set in the plasma CVD apparatus 1, and when the operator instructs the automatic cleaning mode, the apparatus enters the automatic cleaning mode, and the film attached to the inner wall of the film forming chamber 12 automatically. Perform removal.

もちろん、上述の自動クリーニングでは、トレイ16以外の場所に落下した剥離被膜は回収できず、人手により被膜を除去する場合に比べて十分な被膜除去は行えなかったりする。しかし、上述の自動クリーニングはプラズマCVD装置1全体を停止することなく実行できるので、装置全体を停止して人手を使って行う定期的なクリーニングメンテナンスの間隔をより延長することが可能となり、コスト低減を図ることができる。   Of course, in the above-described automatic cleaning, the peeled film that has dropped to a place other than the tray 16 cannot be collected, and the film cannot be removed sufficiently compared to the case where the film is removed manually. However, since the automatic cleaning described above can be performed without stopping the entire plasma CVD apparatus 1, it is possible to extend the interval of periodic cleaning maintenance performed manually by stopping the entire apparatus and reducing costs. Can be achieved.

なお、以上の説明はあくまでも一例であり、本発明の特徴を損なわない限り、本発明は上記実施の形態に何ら限定されるものではない。例えば、図2に示す例では、ノズルを複数並設したが大きなノズルを一つ設けても良いし、図2に示す大きさのノズルをトレイの大きさに応じて1〜3個設けるようにしても良い。また、上述した実施形態では、成膜装置としてプラズマCVD装置を例に説明したが、プラズマ利用しないCVD装置にも適用できるし、スパッタを利用した成膜装置等にも適用することができる。   In addition, the above description is an example to the last, and this invention is not limited to the said embodiment at all unless the characteristic of this invention is impaired. For example, in the example shown in FIG. 2, a plurality of nozzles are arranged side by side, but one large nozzle may be provided, or 1 to 3 nozzles having the size shown in FIG. 2 may be provided according to the size of the tray. May be. In the above-described embodiment, the plasma CVD apparatus has been described as an example of the film forming apparatus. However, the present invention can be applied to a CVD apparatus that does not use plasma, or a film forming apparatus that uses sputtering.

1:プラズマCVD装置、11:ロード/アンロード室、12:成膜処理室、13:昇降室、14:リターン搬送室、15:コンベア、16:トレイ、17:基板、18:基板供給/回収装置、20:ガス供給装置、21:吸引装置、22,22A,22B:ブロア、23:配管、24:マニホールド、25:吸引ノズル、25a:吸入口、101:交点、220:エア噴出口   1: plasma CVD apparatus, 11: load / unload chamber, 12: film forming chamber, 13: lifting chamber, 14: return transfer chamber, 15: conveyor, 16: tray, 17: substrate, 18: substrate supply / recovery Device: 20: Gas supply device, 21: Suction device, 22, 22A, 22B: Blower, 23: Piping, 24: Manifold, 25: Suction nozzle, 25a: Suction port, 101: Intersection, 220: Air outlet

Claims (6)

トレイ上に載置された基板に薄膜を形成する成膜処理室と、
成膜処理済みの基板が載置された前記トレイを搬送する搬送装置と、
搬送移動している前記トレイの基板載置面に向けてエアを噴出して、トレイおよび該トレイに載置された基板の上の塵を吹き飛ばすブロアと、前記吹き飛ばされた塵をエアとともに吸引するノズルとを備えたことを特徴とする成膜装置。
A film formation chamber for forming a thin film on a substrate placed on a tray;
A transporting device for transporting the tray on which the film-formed substrate is placed;
Air is blown toward the substrate mounting surface of the tray that is transported and moved, and a blower that blows off dust on the tray and the substrate placed on the tray, and the blown-off dust are sucked together with air. A film forming apparatus comprising a nozzle.
請求項1に記載の成膜装置において、
前記ブロアは、前記基板載置面に対して斜めに入射するように搬送方向下流側に向けてエアを噴出する第1の噴出口と、前記基板載置面に対して斜めに入射するように搬送方向上流側に向けてエアを噴出する第2の噴出口とを備え、
前記ノズルは前記第1の噴出口と前記第2の噴出口との間に配置され、前記基板載置面に対向する吸入口を備えることを特徴とする成膜装置。
The film forming apparatus according to claim 1,
The blower is obliquely incident on the substrate placement surface, and a first jet outlet that ejects air toward the downstream side in the transport direction so as to be obliquely incident on the substrate placement surface. A second jet port for jetting air toward the upstream side in the transport direction,
The film forming apparatus, wherein the nozzle is provided between the first jet port and the second jet port, and includes a suction port facing the substrate mounting surface.
請求項2に記載の成膜装置において、
前記第1および第2の噴出口から噴出される各エアの噴出方向は、該第1および第2の噴出口から噴出されるエアが、前記基板の表面よりもトレイ側において交差するように設定されていることを特徴とする成膜装置。
The film forming apparatus according to claim 2,
The ejection direction of each air ejected from the first and second ejection ports is set so that the air ejected from the first and second ejection ports intersects on the tray side with respect to the surface of the substrate. A film forming apparatus characterized by being made.
請求項1〜3のいずれか一項に記載の成膜装置において、
成膜装置への未処理基板の搬入および成膜装置からの成膜処理済み基板の搬出を行うロード・アンロード室と、
成膜処理済み基板を前記ロード・アンロード室に搬送するリターン搬送室とを備え、
前記ブロアおよび前記ノズルを前記リターン搬送室に設けたことを特徴とする成膜装置。
In the film-forming apparatus as described in any one of Claims 1-3,
A load / unload chamber for carrying an untreated substrate into a film forming apparatus and carrying out a film-formed substrate from the film forming apparatus;
A return transfer chamber for transferring the film-formed substrate to the load / unload chamber,
The film forming apparatus, wherein the blower and the nozzle are provided in the return transfer chamber.
成膜装置の集塵方法であって、
前記成膜処理室における成膜を停止して該成膜処理室の温度を低下させる工程と、
前記基板が載置されていないトレイを前記成膜処理室に供給する工程と、
前記成膜処理室に供給された前記トレイを搬送装置により搬送する工程と、
前記搬送装置により前記トレイを搬送しつつ該トレイ上の塵を集塵する工程とを有することを特徴とする集塵方法。
A dust collection method for a film forming apparatus,
Stopping film formation in the film formation chamber and lowering the temperature of the film formation chamber;
Supplying a tray on which the substrate is not placed to the film forming chamber;
A step of transporting the tray supplied to the film forming chamber by a transport device;
And collecting dust on the tray while transporting the tray by the transport device.
請求項5に記載の集塵方法において、
前記集塵する工程では、前記トレイ上の塵をブロアからのエアによって吹き飛ばし、その吹き飛ばされた塵をノズルによりエアとともに吸引することを特徴とする集塵方法。
The dust collection method according to claim 5,
In the dust collecting step, dust on the tray is blown off by air from a blower, and the dust blown off is sucked together with air by a nozzle.
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