JP2011234038A - 半導体集積回路及びそれを備えたコンデンサマイクロフォン - Google Patents

Abstract

【課題】高ＲＦ妨害波耐性の半導体集積回路及びそれを備えたコンデンサマイクロフォンを提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体集積回路は、端子Ｂと端子Ｃとの間に設けられた出力トランジスタＭＮ１と、端子Ｂと端子Ｃとの間に設けられたローパスフィルタ１００と、出力トランジスタＭＮ１のゲートと端子Ｃとの間に設けられたプルダウン用抵抗Ｒ３と、プルダウン用抵抗Ｒ３と端子Ｃとの間に設けられたインダクタＬ１と、を備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体集積回路及びそれを備えたコンデンサマイクロフォンに関する。

エレクトレット・コンデンサマイクロフォン（ＥＣＭ）を代表とする静電容量の変化を利用したコンデンサマイクロフォンは、携帯電話などの電波機器に広く利用されている。ＧＭＳ(Global System for Mobile Communications)携帯等では、通信方式としてＴＤＭＡ(Time Division Multiple Access)方式が用いられているが、その場合、ＲＦイミュニティと呼ばれる妨害波が問題となってくる。

ＴＤＭＡ方式では、固定タイムスロット（２１７Ｈｚ）毎に電波を送受信している。そのため、この電波は２１７Ｈｚで変調された周波数成分を含む。例えば、キャリア周波数が８００ＭＨｚの場合における当該電波の周波数は、８００ＭＨｚ±２１７Ｈｚとなる。この電波は、ＲＦ妨害波と呼ばれており、ノイズとして電源ラインなどに干渉を引き起こす可能性がある。

ＲＦ妨害波がマイクロフォンの電源ラインに干渉を引き起こした場合、マイクロフォンの性能を低下させてしまう可能性がある。つまり、マイクロフォンによってＲＦ妨害波が復調された場合、当該マイクロフォンの出力信号には、２１７Ｈｚの復調波（出力信号のＲＦ妨害波成分）が含まれてしまう。この２１７Ｈｚの復調波は可聴周波数であるため、マイクロフォンの出力信号にノイズを発生させてしまうこととなる。そのため、ＥＣＭでは、ＲＦ妨害波耐性の向上が求められている。

特許文献１には、関連する技術の半導体集積回路及びそれを備えたコンデンサマイクロフォンが開示されている。図７は、特許文献１に開示されている半導体集積回路５０の構成を示す図である。また、図８は、図７に示す半導体集積回路５０を備えたコンデンサマイクロフォン６０の構成を示す図である。

図７に示す半導体集積回路５０は、ＥＳＤ保護用の抵抗Ｒ１１，Ｒ１２と、保護ダイオードＤ１１，Ｄ１２と、出力トランジスタＭＮ１１と、プルダウン用抵抗Ｒ１３と、電流・ゲイン調整用の抵抗Ｒ１４と、ローパスフィルタと、を備える。なお、ローパスフィルタは、抵抗Ｒ１５，Ｒ１６と、コンデンサＣ１１と、ダイオードＤ１３と、によって構成される。また、図８に示すコンデンサマイクロフォン６０は、ダイアフラムＣ１３と、半導体集積回路５０と、を備える。

ダイアフラムＣ１３が振動すると、当該ダイアフラムＣ１３の静電容量が変化する。それにより、ダイアフラムＣ１３は、式（１）に示すように静電容量の変化に応じた起電力を生成する。
ΔＶ＝−Ｖ（ΔＣ／Ｃ）・・・（１）

この起電力は、半導体集積回路５０の端子Ａを介して出力トランジスタＭＮ１のゲートに印加され、電流増幅した後、出力端子としても用いられている端子Ｂから出力される。このようにして、コンデンサマイクロフォン６０は、外部から与えられた音声信号を増幅しインピーダンス変換を行う。

ここで、ＲＦ妨害波が電源ラインに干渉を引き起こした場合、電源ライン上のＲＦ妨害波は、出力トランジスタＭＮ１１のゲートにまで伝搬する可能性がある。その場合、ＲＦ妨害波による自己変調が発生し、当該ＲＦ妨害波は復調される可能性がある。

なお、一般的に変調では、基本周波数ｆ０、変調周波数ｆ１に対してｆａ＝（ｆ０＋ｆ１）、ｆｂ＝（ｆ０−ｆ１）の和周波数と差周波数が生成される。

自己変調が発生している場合、ＲＦ妨害波自身が基本周波数および変調周波数となるため、２１７Ｈｚの差周波数が発生する。この周波数成分は可聴周波数帯であるため、音声入力がないにもかかわらず２１７Ｈｚの周波数成分がマイクロフォンから出力されてしまう。

そこで、半導体集積回路５０は、電源電圧ＶＤＤが印加される端子Ｂと、接地電圧ＧＮＤが印加される端子Ｃと、の間にローパスフィルタを備える。半導体集積回路５０は、電源ライン上のＲＦ妨害波を、ローパスフィルタ及び端子Ｃを介して接地電圧ＧＮＤに伝搬させることにより、ＲＦ妨害波の復調を抑制し、ＲＦ妨害波耐性を向上させている。

特開２００９−２２５１００号公報

ここで、図８に示すコンデンサマイクロフォン６０では、プリント基板に実装された場合、各端子に寄生インダクタンスが発生する。具体的には、端子Ａには、ボンディングワイヤによる寄生インダクタンスＬ１４が発生する。端子Ｂには、ボンディングワイヤによる寄生インダクタンスＬ１３が発生する。端子Ｃには、ボンディングワイヤによる寄生インダクタンスＬ１２が発生する。端子Ｃには、さらに、プリント基板による寄生インダクタンスＬ１５が発生する。

電源ライン上のＲＦ妨害波がローパスフィルタ及び端子Ｃ（接地電圧用端子）を介して接地電圧ＧＮＤに伝搬された場合、寄生インダクタンスＬ２，Ｌ５の影響により、端子Ｃの電位が変動する。そのため、従来技術では、ＲＦ妨害波は、主として保護ダイオードＤ１１，Ｄ１２及びプルダウン用抵抗Ｒ３の寄生容量を介して出力トランジスタＭＮ１１のゲートに伝搬される。それにより、従来技術では、ＲＦ妨害波による自己変調が発生し、当該ＲＦ妨害波は復調されてしまう可能性があった。

このように、従来技術では、寄生インダクタンスの影響により、高ＲＦ妨害波耐性を実現することができないという問題があった。

本発明にかかる半導体集積回路は、出力端子と第１の電源端子との間に設けられた出力トランジスタと、前記出力端子と第２の電源端子との間に設けられたローパスフィルタと、前記出力トランジスタのゲートと前記第１の電源端子との間に設けられたプルダウン用抵抗と、前記プルダウン用抵抗と前記第１の電源端子との間に設けられたインダクタと、を備える。

上述のような回路構成により、高ＲＦ妨害波耐性を実現することができる。

本発明により、高ＲＦ妨害波耐性を実現することが可能な半導体集積回路及びそれを備えたコンデンサマイクロフォンを提供することができる。

本発明の実施の形態１にかかる半導体集積回路の構成を示す図である。 本発明の実施の形態１にかかる半導体集積回路を用いたコンデンサマイクロフォンの構成を示す図である。 本発明の実施の形態１にかかるコンデンサマイクロフォンのＲＦイミュニティ特性のシミュレーション結果を示すグラフである。 本発明の実施の形態２にかかる半導体集積回路の構成を示す図である。 本発明の実施の形態２にかかる半導体集積回路を用いたコンデンサマイクロフォンの構成を示す図である。 本発明の実施の形態２にかかるコンデンサマイクロフォンのＲＦイミュニティのシミュレーション結果を示すグラフである。 従来技術の半導体集積回路の構成を示す図である。 従来技術の半導体集積回路を用いたコンデンサマイクロフォンの構成を示す図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。なお、図面は簡略的なものであるから、この図面の記載を根拠として本発明の技術的範囲を狭く解釈してはならない。また、同一の要素には、同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

実施の形態１
本発明の実施の形態１にかかる半導体集積回路及びそれを備えたコンデンサマイクロフォンについて、図１及び図２を参照して説明する。図１は、本実施の形態にかかる半導体集積回路１０の構成を示す図である。図２は、図１に示す半導体集積回路１０を備えたコンデンサマイクロフォン２０の構成を示す図である。なお、図２に示す回路は、プリント基板に実装した場合の等価回路を示している。

まず、図１に示す半導体集積回路１０について説明する。図１に示すように、本実施の形態にかかる半導体集積回路１０は、出力トランジスタＭＮ１と、保護ダイオードＤ１と、保護ダイオードＤ２と、抵抗Ｒ１と、抵抗Ｒ２と、抵抗（プルダウン用抵抗）Ｒ３と、抵抗Ｒ４と、ローパスフィルタ１００と、を備える。なお、出力トランジスタＭＮ１には、例えば、ＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）が用いられる。本実施の形態では、出力トランジスタＭＮ１がＮチャネルＭＯＳトランジスタである場合を例に説明する。

図１に示すように、半導体集積回路１０の端子（特許請求の範囲における出力端子）Ｂと出力トランジスタＭＮ１のドレインとは、ローパスフィルタ１００を介して接続されている。半導体集積回路１０の端子（特許請求の範囲における第１及び第２の電源端子）Ｃと出力トランジスタＭＮ１のソースとは、ローパスフィルタ１００及び抵抗４を介して接続されている。より具体的には、出力トランジスタＭＮ１のソースは、抵抗Ｒ４の一方の端子に接続される。抵抗Ｒ４の他方の端子は、ローパスフィルタ１００を介して端子Ｃに接続される。つまり、ローパスフィルタ１００と出力トランジスタＭＮ１とは、端子Ｂと端子Ｃとの間に並列に接続されている。また、抵抗Ｒ４は、ソース抵抗であり、ゲインの調整をする場合に使用される。なお、抵抗Ｒ４は不要な場合は削除することが可能である。また、図示していないが、出力トランジスタＭＮ１のバックゲートは、ローパスフィルタ１００を介して端子Ｃに接続されている。

半導体集積回路１０の入力端子である端子Ａと出力トランジスタＭＮ１のゲートとの間には、抵抗Ｒ１，Ｒ２が直列に接続されている。抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２との接続点ｎ１と、抵抗Ｒ４とローパスフィルタ１００の接続点ｎ４と、の間には、逆方向の保護ダイオードＤ１と、インダクタＬ１と、が直列に接続されている。より具体的には、保護ダイオードＤ１のカソードは、接続点ｎ１に接続されている。保護ダイオードＤ１のアノードは、インダクタＬ１の一方の端子に接続されている。インダクタＬ１の他方の端子は、接続点ｎ４に接続されている。

抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２との接続点ｎ２と、インダクタＬ１の一方の端子と、の間には、順方向の保護ダイオードＤ２が接続されている。より具体的には、保護ダイオードＤ２のアノードは、接続点ｎ２に接続されている。保護ダイオードＤ２のカソードは、インダクタＬ１の一方の端子に接続されている。なお、抵抗Ｒ１，Ｒ２及び保護ダイオードＤ１，Ｄ２は保護回路であり、不要な場合は削除することも可能である。また、インダクタＬ１は、例えばスパイラルインダクタであって、シリコン基板上に集積化される。

抵抗Ｒ２と出力トランジスタＭＮ１のゲートとの接続点ｎ３と、インダクタＬ１の一方の端子と、の間には、抵抗Ｒ３が接続されている。抵抗Ｒ３は、デバイスの入力インピーダンスを決めるためのプルダウン抵抗であり、通常、数１００ＭΩ〜数１０ＧΩのものが用いられる。

次に、図２に示すコンデンサマイクロフォン２０について説明する。図２に示すコンデンサマイクロフォン２０は、ダイアフラムＣ１と、半導体集積回路１０と、を備える。なお、図２に示すコンデンサマイクロフォン２０では、プリント基板に実装された場合、各端子に寄生インダクタンスが発生する。具体的には、端子Ａには、ボンディングワイヤによる寄生インダクタンスＬ４が発生する。端子Ｂには、ボンディングワイヤによる寄生インダクタンスＬ３が発生する。端子Ｃには、ボンディングワイヤによる寄生インダクタンスＬ２が発生する。端子Ｃには、さらに、プリント基板による寄生インダクタンスＬ５が発生する。

半導体集積回路１０の端子Ａは、寄生インダクタンスＬ４を介して、コンデンサマイクロフォン２０のダイアフラムＣ１に接続されている。

端子Ｂには、寄生インダクタンスＬ３及び負荷抵抗ＲＬを介して電源電圧ＶＤＤが印加される。また、端子Ｂは、ＡＣ信号の出力端子（ＶＯＵＴ）としても用いられる。つまり、端子Ｂは、電源端子と出力端子とを共用した、電源・出力端子である。また、負荷抵抗ＲＬは、２．２ｋΩ程度の抵抗値を有する。

端子Ｃには、寄生インダクタンスＬ２，Ｌ５を介して接地電圧ＧＮＤが供給される。つまり、半導体集積回路１０の端子Ｃは、接地電圧ＧＮＤが印加される接地電圧用端子である。

このように、コンデンサマイクロフォン２０は、負荷抵抗ＲＬ以外に外部部品を必要としない。このため、コンデンサマイクロフォン２０の小型化を実現することができる。

コンデンサマイクロフォン２０において、外部から与えられる音声信号によってダイアフラムＣ１が振動すると、ダイアフラムＣ１の静電容量が変化する。それにより、ダイアフラムＣ１は静電容量の変化に応じた起電力を生成する。この起電力は、半導体集積回路１０の端子Ａを介して出力トランジスタＭＮ１のゲートに印加され、電流増幅した後、端子Ｂから出力される。このようにして、コンデンサマイクロフォン２０は、外部から与えられた音声信号を増幅しインピーダンス変換を行う。

また、コンデンサマイクロフォン２０は、ローパスフィルタ１００を備えることにより、電源ライン上の８００ＭＨｚ〜２ＧＨｚの信号成分を比較的容易に減衰させることができる。つまり、コンデンサマイクロフォン２０は、電源ライン上のＲＦ妨害波（８００ＭＨｚ〜２ＧＨｚ）を比較的容易に除去することが可能である。一方、音声信号である２０ｋＨｚ程度の信号成分に対しての劣化は生じない。これにより、低ノイズ、高ＲＦ妨害波耐性（高ＥＳＤ耐圧）のコンデンサマイクロフォン２０を実現することができる。

ここで、電源ライン上のＲＦ妨害波は、ローパスフィルタ１００及び端子Ｃ（接地電圧用端子）を介して接地電圧ＧＮＤに伝搬される。このとき、寄生インダクタンスＬ２，Ｌ５の影響により、端子Ｃの電位が変動する。そのため、従来技術では、ＲＦ妨害波は、主として保護ダイオードＤ１，Ｄ２及びプルダウン用抵抗Ｒ３の寄生容量を介して出力トランジスタＭＮ１のゲートに伝搬されていた。それにより、従来技術では、ＲＦ妨害波による自己変調が発生していた。つまり、ＲＦ妨害波は復調され２１７Ｈｚの復調波として出力されていた。

一方、図２に示すコンデンサマイクロフォン２０では、半導体集積回路１０がインダクタＬ１を備えるため、このような問題を回避することができる。つまり、図２に示すコンデンサマイクロフォン２０は、インダクタＬ１を用いることにより、保護ダイオードＤ１，Ｄ２及びプルダウン用抵抗Ｒ３と、接地電圧用端子である端子Ｃと、の間を高周波の場合において高インピーダンスに制御する。

つまり、ＤＣ（低周波）の場合には保護ダイオードＤ１，Ｄ２及びプルダウン用抵抗Ｒ３と端子Ｃとの間は低インピーダンス状態となり、ＲＦ（高周波）の場合には保護ダイオードＤ１，Ｄ２及びプルダウン用抵抗Ｒ３と端子Ｃとの間は高インピーダンス状態となる。それにより、電源ライン上のＲＦ妨害波は出力トランジスタＭＮ１のゲートまで回り込まない。言い換えると、電源ライン上のＲＦ妨害波は出力トランジスタＭＮ１のゲートまで伝搬されない。それにより、ＲＦ妨害波による自己変調が抑制され、ＲＦ妨害波耐性が向上する。

ここで、図２に示すコンデンサマイクロフォン２０のＲＦイミュニティのシミュレーション結果について、図３を用いて説明する。なお、ＲＦ妨害波には、ＧＳＭ周波数に近い１ＧＨｚ±２１７Ｈｚの周波数のものが用いられている。また、寄生インダクタンスＬ２〜Ｌ４には、それぞれ１ｎＨのインダクタンス値のものが用いられている。横軸は寄生インダクタンスＬ５のインダクタンス値を表し、縦軸はＲＦ妨害波の復調によって発生した２１７Ｈｚの復調波（出力信号のＲＦ妨害波成分）を電圧値として表している。つまり、図３は寄生インダクタンスＬ５の変化に伴うＲＦ妨害波の影響度を示すシミュレーション結果であり、縦軸の値が小さいほどＲＦ妨害波耐性が高いことを意味する。

さらに、図３では、インダクタＬ１のインダクタンス値が異なる場合（０ｎＨ，５ｎＨ，１０ｎｈ，１５ｎＨ）について、それぞれシミュレーションが実施されている。それにより、本実施の形態にかかる半導体集積回路１０の有効性が検証されている。即ち、図３では、インダクタＬ１によってＲＦ妨害波耐性が向上するか否かが検証されている。なお、インダクタＬ１のインダクタンス値が０ｎＨの場合は、従来技術の場合と同様に、インダクタＬ１を備えない回路と同様の動作を示す。

図３に示すように、寄生インダクタンスＬ５が大きいほど、出力信号のＲＦ妨害波成分が大きくなっていることがわかる。これは、寄生インダクタンスＬ５の増加により、端子Ｃ（接地電圧用端子）の電位変動が大きくなり、電源ライン上のＲＦ妨害波が出力トランジスタＭＮ１のゲートに伝搬しやすくなるためである。

また、インダクタＬ１のインダクタンス値が大きいほど、出力信号のＲＦ妨害波成分が減少していることがわかる。つまり、インダクタＬ１のインダクタンス値が大きいほど、ＲＦ妨害波耐性が向上していることがわかる。

例えば、寄生インダクタンスＬ５＝１ｎＨの場合において、インダクタＬ１＝１０ｎＨでは、インダクタＬ１＝０ｎＨと比較して、約３．５ｄＢだけ出力信号のＲＦ妨害波成分が減少している。また、インダクタＬ１＝１５ｎＨでは、インダクタＬ１＝０ｎＨと比較して、約７ｄＢだけ出力信号のＲＦ妨害波成分が減少している。このように、インダクタＬ１のインダクタンス値が大きいほど、電源ライン上のＲＦ妨害波が出力トランジスタＭＮ１のゲートに伝搬しにくくなるため、ＲＦ妨害波耐性が向上する。なお、インダクタＬ１は、音声帯周波数に対して低インピーダンス状態となるため、音声帯に影響を及ぼさない。

このように、本実施の形態にかかる半導体集積回路１０は、保護ダイオードＤ１，Ｄ２及びプルダウン用抵抗Ｒ３と、接地電圧用端子（端子Ｃ）と、の間にインダクタＬ１を備えることにより、電源ライン上のＲＦ妨害波が出力トランジスタＭＮ１のゲートに伝搬することを防ぐことができる。つまり、本実施の形態にかかる半導体集積回路１１は、ＲＦ妨害波耐性を向上させることができる。

さらに、インダクタＬ１は、音声帯周波数に対してインピーダンス状態となるため、音声帯に影響を及ぼさない。つまり、本実施の形態にかかる半導体集積回路１０は、コンデンサマイクロフォン２０内に用いられた場合、マイクロフォン自体の能力を低下させることなく、ＲＦ妨害波耐性を向上させることができる。

実施の形態２
本発明の実施の形態２にかかる半導体集積回路及びそれを用いたコンデンサマイクロフォンについて、図４及び図５を参照して説明する。図４は、本実施の形態にかかる半導体集積回路１１の構成を示す図である。図５は、図４に示す半導体集積回路１１を用いたコンデンサマイクロフォン２１の構成を示す図である。なお、図５に示す回路は、プリント基板に実装した場合の等価回路を示している。

本実施の形態にかかる半導体集積回路１１では、実施の形態１の場合と比較して、接続点ｎ４が、ローパスフィルタ１００及び端子（特許請求の範囲における第１の電源端子）Ｃには接続されず、端子（特許請求の範囲における第２の電源端子）Ｆに接続される。つまり、図４に示す半導体集積回路１１では、保護ダイオードＤ１，Ｄ２、プルダウン用抵抗Ｒ３、及び抵抗Ｒ４に接続される接地電圧用端子（端子Ｆ）と、ローパスフィルタ１００に接続される接地電圧用端子（端子Ｃ）と、が異なる。その他の回路構成については、実施の形態１と同様であるため説明を省略する。

次に、図５に示すコンデンサマイクロフォン２１について説明する。図５に示すコンデンサマイクロフォン２１は、ダイアフラムＣ１と、半導体集積回路１１と、を備える。なお、図５に示すコンデンサマイクロフォン２１では、プリント基板に実装された場合、各端子に寄生インダクタンスが発生する。具体的には、端子Ａには、ボンディングワイヤによる寄生インダクタンスＬ４が発生する。端子Ｂには、ボンディングワイヤによる寄生インダクタンスＬ３が発生する。端子Ｃには、ボンディングワイヤによる寄生インダクタンスＬ２が発生する。端子Ｆには、ボンディングワイヤによる寄生インダクタンスＬ６が発生する。端子Ｃ，Ｆには、さらに、プリント基板による寄生インダクタンスＬ５が共通して発生する。

図２に示すコンデンサマイクロフォン２０の場合、ローパスフィルタ１００側の接地電圧端子（端子Ｃ）と出力トランジスタＭＮ１のゲート側の接地電圧端子（端子Ｃ）とには、それぞれ共通の寄生インダクタンスとして寄生インダクタンスＬ２，Ｌ５が存在していた。したがって、ＲＦ妨害波耐性を向上させるためには、寄生インダクタンスＬ２，Ｌ５の影響を抑制するようにインダクタＬ１のインダクタンス値を高く設定する必要があった。

一方、図５に示すコンデンサマイクロフォン２１の場合、ローパスフィルタ１００側に設けられた接地電圧用端子（端子Ｃ）と、出力トランジスタＭＮ１のゲート側に設けられた接地電圧用端子（端子Ｆ）とには、共通の寄生インダクタンスとして寄生インダクタンスＬ５のみが存在する。それにより、ＲＦ妨害波がローパスフィルタ１００及び端子Ｃを介して接地電圧ＧＮＤに伝搬された場合に、端子Ｆの電位変動を発生させるのは寄生インダクタンスＬ５のみに限られる。したがって、ＲＦ妨害波耐性を向上させるためには、寄生インダクタンスＬ５のみの影響を抑制するようにインダクタＬ１のインダクタンス値を設定すればよい。その他の回路構成及び動作については、実施の形態１と同様であるため説明を省略する。

ここで、図５に示すコンデンサマイクロフォン２１のＲＦイミュニティのシミュレーション結果について、図６を用いて説明する。なお、ＲＦ妨害波には、ＧＳＭ周波数に近い１ＧＨｚ±２１７Ｈｚの周波数のものが用いられている。また、寄生インダクタンスＬ２〜Ｌ４には、それぞれ１ｎＨのインダクタンス値のものが用いられている。横軸は寄生インダクタンスＬ５のインダクタンス値を表し、縦軸はＲＦ妨害波の復調によって発生した２１７Ｈｚの復調波（出力信号のＲＦ妨害波成分）を電圧値として表している。つまり、図６は寄生インダクタンスＬ５の変化に伴うＲＦ妨害波の影響度を示すシミュレーション結果であり、縦軸の値が小さいほどＲＦ妨害波耐性が高いことを意味する。

さらに、図６では、インダクタＬ１のインダクタンス値が異なる場合（０ｎＨ，５ｎＨ，１０ｎｈ，１５ｎＨ）について、それぞれシミュレーションが実施されている。それにより、本実施の形態にかかる半導体集積回路１１の有効性が検証されている。即ち、図６では、インダクタＬ１によってＲＦ妨害波耐性が向上するか否かが検証されている。なお、インダクタＬ１のインダクタンス値が０ｎＨの場合は、従来技術の場合と同様に、インダクタＬ１を備えない回路と同様の動作を示す。

図６に示すように、寄生インダクタンスＬ５大きいほど、出力信号のＲＦ妨害波成分が大きくなっていることがわかる。理由は、実施の形態１の場合と同様である。

一方、インダクタＬ１のインダクタンス値が大きいほど、出力信号のＲＦ妨害波成分が減少していることがわかる。つまり、インダクタＬ１のインダクタンス値が大きいほど、ＲＦ妨害波耐性が向上していることがわかる。

例えば、寄生インダクタンスＬ５＝１ｎＨの場合、インダクタＬ１＝１０ｎＨでは、インダクタＬ１＝０ｎＨと比較して、約３．５ｄＢだけ出力信号のＲＦ妨害波成分が減少している。また、インダクタＬ１＝１５ｎＨでは、インダクタＬ１＝０ｎＨと比較して、約７ｄＢだけ出力信号のＲＦ妨害波成分が減少している。このように、インダクタＬ１のインダクタンス値が大きいほど、電源ライン上のＲＦ妨害波が出力トランジスタＭＮ１のゲートに伝搬しにくくなるため、ＲＦ妨害波耐性が向上する。なお、インダクタＬ１は、音声帯周波数に対して低インピーダンス状態となるため、音声帯に影響を及ぼさない。

このように、本実施の形態にかかる半導体集積回路１１は、保護ダイオードＤ１，Ｄ２及びプルダウン用抵抗Ｒ３と、接地電圧用端子（端子Ｆ）と、の間にインダクタＬ１を備えることにより、電源ライン上のＲＦ妨害波が出力トランジスタＭＮ１のゲートに伝搬することを防ぐことができる。つまり、本実施の形態にかかる半導体集積回路１１は、ＲＦ妨害波耐性を向上させることができる。

また、インダクタＬ１は、音声帯周波数に対してインピーダンス状態となるため、音声帯に影響を及ぼさない。つまり、本実施の形態にかかる半導体集積回路１１は、コンデンサマイクロフォン２１内に用いられた場合、マイクロフォン自体の能力を低下させることなく、ＲＦ妨害波耐性を向上させることができる。

さらに、本実施の形態にかかる半導体集積回路１１では、ローパスフィルタ１００側の接地電圧端子（端子Ｃ）と、出力トランジスタＭＮ１のゲート側の接地電圧用端子（端子Ｆ）と、が異なる。したがって、本実施の形態にかかる半導体集積回路１１は、ローパスフィルタ１００側の接地電圧端子と、出力トランジスタＭＮ１のゲート側の接地電圧端子と、の共通の寄生インダクタンスを小さくすることができる。それにより、本実施の形態にかかる半導体集積回路１１は、ＲＦ妨害波耐性を容易に向上させることができる。

なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。本実施の形態では、固定タイムスロットの周波数が２１７Ｈｚである場合を例に説明したが、異なる周波数であっても良い。この場合、ＲＦ妨害波の周波数も変化する。

また、本実施の形態では、出力トランジスタＭＮ１がＮチャネルＭＯＳトランジスタである場合を例に説明したが、これに限られない。出力トランジスタＭＮ１がＰチャネルＭＯＳトランジスタである回路構成にも適宜変更可能である。

１０，１１ 半導体集積回路
２０，２１ コンデンサマイクロフォン
１００ ローパスフィルタ
Ｃ１ ダイアフラム
Ｄ１，Ｄ２ 保護ダイオード
Ｌ１ インダクタ
Ｌ２〜Ｌ６ 寄生インダクタンス
ＭＮ１ 出力トランジスタ
Ｒ３ プルダウン用抵抗
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ４ 抵抗

Claims (6)

1. 出力端子と第１の電源端子との間に設けられた出力トランジスタと、
   前記出力端子と第２の電源端子との間に設けられたローパスフィルタと、
   前記出力トランジスタのゲートと前記第１の電源端子との間に設けられたプルダウン用抵抗と、
   前記プルダウン用抵抗と前記第１の電源端子との間に設けられたインダクタと、を備えた半導体集積回路。
2. 前記出力トランジスタのゲートと前記インダクタとの間に設けられた保護ダイオードをさらに備えた請求項１に記載の半導体集積回路。
3. 前記第１及び前記第２の電源端子は、互いに共通の電源端子であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体集積回路。
4. 前記第１及び前記第２の電源端子は、互いに異なる電源端子であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体集積回路。
5. 前記インダクタは、スパイラルインダクタであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体集積回路。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体集積回路と、
   前記出力トランジスタのゲートに接続されたダイアフラムと、を備えたコンデンサマイクロフォン。

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