JP2011233619A

JP2011233619A - Grinding device

Info

Publication number: JP2011233619A
Application number: JP2010100815A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Fujisawa; 晋一藤澤
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2010-04-26
Filing date: 2010-04-26
Publication date: 2011-11-17
Anticipated expiration: 2030-04-26
Also published as: JP5508114B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a grinding device capable of spin cleaning an irregular-shaped wafer, having a plurality of orientation flats formed thereon, by appropriately holding the wafer.SOLUTION: After grinding a disc-shaped wafer 1 having the plurality of orientation flats 2 formed thereon, when performing spin cleaning by mounting the wafer 1 on a cleaning table 82 of spinner cleaning means 80 by carrying-out means 70, the wafer 1 is mounted on the cleaning table 82 in such a manner that the centroid position GO of the wafer 1 coincides with the center of rotation 82Z of the cleaning table 82, relative to the cleaning table 82. Thus, at spin cleaning, the wafer 1 can appropriately be held without losing balance thereof.

Description

本発明は、半導体ウェーハ等のウェーハを研削して薄化加工する研削装置に関する。 The present invention relates to a grinding apparatus for grinding and thinning a wafer such as a semiconductor wafer.

半導体デバイス製造工程においては、半導体からなるウェーハの表面にＩＣやＬＳＩ等の多数の電子回路を形成し、次いでウェーハの裏面を研削して所定の厚さに加工してから、電子回路が形成された領域を分割予定ラインに沿って切削するダイシングを行って、１枚のウェーハから多数の半導体チップをデバイスとして得ている。ウェーハに対して研削や切削等の加工を施した後には、加工によって生じた屑を除去するためにウェーハの洗浄が行われる。ウェーハの洗浄を行う洗浄手段は、研削装置や切削装置といった加工装置に搭載されている場合がある（特許文献１参照）。 In the semiconductor device manufacturing process, a large number of electronic circuits such as ICs and LSIs are formed on the surface of a semiconductor wafer, and then the back surface of the wafer is ground and processed to a predetermined thickness before the electronic circuit is formed. A large number of semiconductor chips are obtained as a device from one wafer by performing dicing for cutting the region along the planned dividing line. After the wafer is subjected to processing such as grinding or cutting, the wafer is cleaned to remove debris generated by the processing. Cleaning means for cleaning the wafer may be mounted on a processing apparatus such as a grinding apparatus or a cutting apparatus (see Patent Document 1).

この種の洗浄手段は、ウェーハを保持して高速回転可能な洗浄テーブルを備えている。洗浄テーブルは、ポーラスセラミックスのような多孔質部材で形成された吸着部を備えており、この吸着部には、ウェーハを保持する保持面において開口し吸引源に連通する無数の細孔が形成されている。吸着部には電磁弁を介して吸引源が接続されており、細孔を通して保持面に吸引力が作用する構成となっている。そして、ウェーハは、通常、ウェーハの外周円弧の中心を洗浄テーブルの回転中心に位置付けて搬入され、洗浄がおよび行われる。 This type of cleaning means includes a cleaning table that holds a wafer and can rotate at high speed. The cleaning table includes an adsorption portion formed of a porous member such as porous ceramics. The adsorption portion is formed with innumerable pores that open on a holding surface for holding a wafer and communicate with a suction source. ing. A suction source is connected to the suction portion via an electromagnetic valve, and a suction force acts on the holding surface through the pores. Then, the wafer is usually carried in with the center of the outer peripheral arc of the wafer positioned at the rotation center of the cleaning table, and cleaning is performed.

特開２００８−３００６６８号公報JP 2008-300668 A

ところで、この種のウェーハには、半導体の結晶方位を示すマークとしてオリエンテーションフラットが形成されているものがある。このオリエンテーションフラットは、ウェーハの外周円弧の一部を結晶方位を示す方向に沿ってフラットに切り欠いたものであるが、ウェーハの中には複数形成されているものがある。しかして、複数のオリエンテーションフラットが形成されているウェーハを、上記のようにウェーハの外周円弧の中心を洗浄テーブルの回転中心に位置付けて搬入した状態で洗浄を行うと、洗浄テーブルの回転中にウェーハがバランスを崩してしまい、適切に洗浄テーブル上に保持されなくなったウェーハが破損する場合があるという問題が生じていた。 By the way, there is a wafer of this type in which an orientation flat is formed as a mark indicating a semiconductor crystal orientation. In this orientation flat, a part of the outer peripheral arc of the wafer is notched flat along the direction indicating the crystal orientation, but some of the wafers are formed in plural. Thus, if a wafer on which a plurality of orientation flats are formed is loaded with the center of the outer peripheral arc of the wafer positioned at the rotation center of the cleaning table as described above, the wafer is rotated during the rotation of the cleaning table. However, there is a problem that a wafer that is not properly held on the cleaning table may be damaged.

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、その主な技術的課題は、オリエンテーションフラットが複数形成されている異形状のウェーハを適切に保持してスピン洗浄することができる研削装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and a main technical problem thereof is a grinding apparatus capable of appropriately holding and cleaning a wafer having an irregular shape on which a plurality of orientation flats are formed. It is to provide.

本発明の研削装置は、円形を呈し結晶方位を示す方向に円弧の一部をフラットに切り欠いたオリエンテーションフラットを有するウェーハを鉛直方向を回転軸とする保持面に保持する保持テーブルを有する保持手段と、前記保持テーブルに保持されて回転した状態のウェーハに鉛直方向を回転軸とする研削面を有する回転した状態の研削工具を押し当てて研削加工する加工手段と、該加工手段で加工されたウェーハを鉛直方向を回転軸とする保持面に保持する洗浄テーブルを有するスピンナ洗浄手段とを有する研削装置であって、ウェーハの前記オリエンテーションフラットの位置を検出する検出手段と、ウェーハの前記オリエンテーションフラットの位置を基準とした重心位置を記憶する記憶手段とを有し、前記保持テーブルへは、円形を呈したウェーハの円の中心と該保持テーブルの回転中心とが一致するようにウェーハが載置され、前記洗浄テーブルへは、ウェーハの重心位置と該洗浄テーブルの回転中心とが一致するようにウェーハが載置されることを特徴としている。 The grinding apparatus of the present invention has a holding means having a holding table for holding a wafer having an orientation flat in which a part of an arc is cut out in a flat shape in a direction indicating a crystal orientation on a holding surface having a vertical direction as a rotation axis. And a processing means for pressing the rotating grinding tool having a grinding surface with the vertical direction as a rotation axis against the wafer held by the holding table and rotating, and the processing means processed by the processing means A grinding apparatus having a spinner cleaning means having a cleaning table for holding a wafer on a holding surface having a vertical axis as a rotation axis, the detecting means for detecting the position of the orientation flat of the wafer, and the orientation flat of the wafer Storage means for storing the position of the center of gravity based on the position, and the holding table has a circular shape. The wafer is placed so that the center of the circle of the wafer and the rotation center of the holding table coincide with each other, and the wafer is placed on the cleaning table so that the position of the center of gravity of the wafer coincides with the rotation center of the cleaning table. It is characterized by being placed.

本発明によれば、ウェーハの重心位置と洗浄テーブルの回転中心とが一致するようにウェーハが洗浄テーブルに載置されるため、複数のオリエンテーションフラットを有するウェーハは洗浄テーブルの回転中にバランスを崩すことなく、適切に洗浄テーブル上に保持される。 According to the present invention, since the wafer is placed on the cleaning table so that the center of gravity position of the wafer coincides with the rotation center of the cleaning table, the wafer having a plurality of orientation flats loses its balance during the rotation of the cleaning table. Without being properly retained on the cleaning table.

本発明の研削装置で研削されるウェーハの種類は特に限定はされないが、例えばシリコン（Ｓｉ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）等からなる半導体ウェーハや、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）系の無機材料基板等が挙げられる。 The type of wafer to be ground by the grinding apparatus of the present invention is not particularly limited. For example, a semiconductor wafer made of silicon (Si), gallium arsenide (GaAs), silicon carbide (SiC), or the like, or sapphire (Al ₂ O ₃ ). And inorganic inorganic material substrates.

本発明によれば、オリエンテーションフラットが複数形成されている異形状のウェーハを適切に保持してスピン洗浄することができる研削装置が提供されるといった効果を奏する。 Advantageous Effects of Invention According to the present invention, there is an effect that a grinding apparatus that can appropriately hold and spin-clean an irregularly shaped wafer on which a plurality of orientation flats are formed is provided.

本発明の一実施形態に係る研削装置で研削される半導体ウェーハの斜視図である。It is a perspective view of a semiconductor wafer ground with a grinding device concerning one embodiment of the present invention. 同半導体ウェーハの平面図である。It is a top view of the semiconductor wafer. 本発明の一実施形態に係る研削装置の全体斜視図である。1 is an overall perspective view of a grinding apparatus according to an embodiment of the present invention. 同研削装置が備える搬入手段、搬出手段、保持手段およびスピンナ洗浄手段を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the carrying-in means, carrying-out means, holding | maintenance means, and spinner washing | cleaning means with which the grinding device is provided. 同研削装置が備える位置決め手段、搬入手段、搬出手段、保持手段およびスピンナ洗浄手段を示す平面図であって、搬入手段および搬出手段によって位置決め手段から保持手段、保持手段からスピンナ洗浄手段にウェーハを搬送する経路を示している。FIG. 3 is a plan view showing positioning means, carry-in means, carry-out means, holding means, and spinner cleaning means provided in the grinding apparatus, and carry the wafer from the positioning means to the holding means and from the holding means to the spinner cleaning means by the carry-in means and carry-out means It shows the route to do. 一実施形態の研削装置の保持テーブルに半導体ウェーハが載置された状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state by which the semiconductor wafer was mounted in the holding table of the grinding device of one Embodiment. 一実施形態の研削装置の洗浄テーブルに半導体ウェーハが載置された状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state by which the semiconductor wafer was mounted in the washing | cleaning table of the grinding device of one Embodiment.

以下、本発明の一実施形態を説明する。
図１および図２は円板形状の半導体ウェーハ（以下、ウェーハ）を示しており、図３は該ウェーハを研削する一実施形態に係る研削装置を示している。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described.
1 and 2 show a disk-shaped semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), and FIG. 3 shows a grinding apparatus according to an embodiment for grinding the wafer.

（１）半導体ウェーハ
図１および図２に示すウェーハ１は、厚さが例えば７００μｍ程度のシリコンウェーハ等である。このウェーハ１の周面には、半導体の結晶方位に沿ってフラットに切り欠かれてなる複数（この場合は２つ）のオリエンテーションフラット２が形成されている。図２において白丸で示すＲＯはウェーハ１の外周円弧３の中心を示している。外周円弧３は２つのオリエンテーションフラット２で長い方３ａと短い方３ｂとに分けられている。この場合のオリエンテーションフラット２は、互いに直交する方向に形成されている。また、図２において黒丸で示すＧＯはウェーハ１の重心位置を示している。ウェーハ１はオリエンテーションフラット２が形成されていることから重心位置ＧＯは中心ＲＯとは一致しておらず、重心位置ＧＯは中心ＲＯよりもオリエンテーションフラット２とは反対側の長い方の外周円弧３ａ側にずれている。 (1) Semiconductor wafer A wafer 1 shown in FIGS. 1 and 2 is a silicon wafer having a thickness of, for example, about 700 μm. A plurality of (in this case, two) orientation flats 2 are formed on the peripheral surface of the wafer 1 by being cut out flat along the crystal orientation of the semiconductor. In FIG. 2, RO indicated by a white circle indicates the center of the outer peripheral arc 3 of the wafer 1. The outer peripheral arc 3 is divided into two longer flats 3a and a shorter one 3b by two orientation flats 2. The orientation flats 2 in this case are formed in directions orthogonal to each other. In FIG. 2, GO indicated by a black circle indicates the position of the center of gravity of the wafer 1. Since the orientation flat 2 is formed on the wafer 1, the center of gravity position GO is not coincident with the center RO, and the center of gravity position GO is longer than the center RO on the side of the outer peripheral arc 3a opposite to the orientation flat 2 It is shifted to.

（２）研削装置
（２−１）研削装置の概要
続いて、図３に示す一実施形態の研削装置１０の構成および基本的動作を説明する。この研削装置１０では、以下に説明するように、供給側カセット１３ａ内から１枚のウェーハ１が取り出されて加工手段６０によりウェーハ１が研削され、この後、ウェーハ１がスピンナ洗浄手段８０で洗浄、乾燥処理されてから回収側カセット１３ｂに収納される。この過程での動作は、制御手段９０によって自動制御される。 (2) Grinding Device (2-1) Outline of Grinding Device Next, the configuration and basic operation of the grinding device 10 of one embodiment shown in FIG. 3 will be described. In this grinding apparatus 10, as will be described below, one wafer 1 is taken out from the supply side cassette 13 a, the wafer 1 is ground by the processing means 60, and then the wafer 1 is cleaned by the spinner cleaning means 80. Then, after being dried, it is stored in the collection side cassette 13b. The operation in this process is automatically controlled by the control means 90.

図３で符号１１は、Ｘ方向に長い直方体状の基台である。基台１１のＸ方向の一端部（図３でＸ１側の端部）には、供給側カセット台１２Ａおよび回収側カセット台１２ＢがＹ方向に並んで設けられている。供給側カセット台１２Ａには、複数の上記ウェーハ１が積層状態で収納された供給側カセット１３ａが着脱可能に載置され、回収側カセット台１２Ｂには、空の回収側カセット１３ｂが着脱可能に載置される。 In FIG. 3, reference numeral 11 denotes a rectangular parallelepiped base that is long in the X direction. At one end of the base 11 in the X direction (end on the X1 side in FIG. 3), a supply side cassette base 12A and a collection side cassette base 12B are provided side by side in the Y direction. A supply-side cassette 13a in which a plurality of wafers 1 are stored in a stacked state is detachably mounted on the supply-side cassette table 12A, and an empty collection-side cassette 13b is detachable on the collection-side cassette table 12B. Placed.

カセット１３ａ，１３ｂは同一構成であり、ウェーハ１の出し入れ口である開口をＸ２側に向けて、カセット台１２Ａ，１２Ｂにそれぞれ載置される。図示はされていないが、カセット１３ａ，１３ｂの、開口を挟む両側の側壁の内面には、Ｙ方向に離れた左右一対の棚板が上下にわたって複数組設けられている。ウェーハ１は外周部が左右一対の該棚板に載置され、これにより複数のウェーハが、カセット１３ａ，１３ｂ内に上下に空隙を空けた状態で水平に収納される。 The cassettes 13a and 13b have the same configuration, and are placed on the cassette bases 12A and 12B, respectively, with the opening serving as a loading / unloading port for the wafer 1 facing the X2 side. Although not shown, a plurality of pairs of left and right shelf plates separated in the Y direction are provided on the inner surfaces of the side walls on both sides of the cassettes 13a and 13b across the opening. The outer periphery of the wafer 1 is placed on the pair of left and right shelves, whereby a plurality of wafers are horizontally stored in the cassettes 13a and 13b with a gap in the vertical direction.

供給側カセット１３ａ内からは、上下動が可能な旋回式のリンクアーム２１を有する搬入／搬出ロボット２０によって１枚のウェーハ１が取り出されて位置決め手段３０に載置され、所定の搬送開始位置に位置決めされる。位置決め手段３０で搬送開始位置に位置決めされたウェーハ１は、搬入手段４０によって位置決め手段３０から取り上げられ、搬入／搬出位置に位置付けられている保持手段５０に、被加工面を上に向けて露出した状態に搬入される。 One wafer 1 is taken out from the supply-side cassette 13a by a loading / unloading robot 20 having a revolving link arm 21 that can move up and down, and is placed on the positioning means 30, and placed at a predetermined transfer start position. Positioned. The wafer 1 positioned at the transfer start position by the positioning unit 30 is taken up from the positioning unit 30 by the loading unit 40 and exposed to the holding unit 50 positioned at the loading / unloading position with the processing surface facing upward. It is brought into the state.

搬入手段４０は、図４および図５に示すように、基台１１に回転軸４１を介して水平旋回可能に支持された旋回アーム４２と、この旋回アーム４２の先端に水平に固定された円板状の吸着パッド４３とを備えたものである。回転軸４１は基台１１に対し上下動可能に支持されており、搬入手段４０全体が上下動するようになっている。吸着パッド４３は、負圧作用によりウェーハ１を下面に吸着して保持するものである。吸着パッド４３は、図示せぬ電磁弁を介して真空ポンプ等の吸引源に連通されており、この吸引源が運転状態において該電磁弁が開かれるとウェーハ１を吸着するように作動する。 As shown in FIGS. 4 and 5, the carry-in means 40 includes a turning arm 42 supported on the base 11 through a rotating shaft 41 so as to be horizontally turnable, and a circle fixed horizontally to the tip of the turn arm 42. A plate-like suction pad 43 is provided. The rotating shaft 41 is supported so as to be movable up and down with respect to the base 11, and the entire loading means 40 moves up and down. The suction pad 43 serves to suck and hold the wafer 1 on the lower surface by a negative pressure action. The suction pad 43 communicates with a suction source such as a vacuum pump via an electromagnetic valve (not shown), and operates to suck the wafer 1 when the electromagnetic valve is opened while the suction source is in an operating state.

搬入手段４０の旋回アーム４２は、回転軸４１に固定されたベース部４２ａに対し先端側の可動部４２ｂが長手方向（図５で矢印Ｃ方向）に沿って移動可能に設けられたもので、可動部４２ｂが移動することにより伸縮可能となっている。搬入手段４０によれば、旋回アーム４２が図５でＤ方向に旋回して位置決め手段３０上のウェーハ１の上方に吸着パッド４３が位置付けられてから、回転軸４１が下降して吸着パッド４３でウェーハ１が吸着される。そして、回転軸４１が上昇して旋回アーム４２がＥ方向に旋回し、かつ、可動部４２ｂが必要に応じて伸縮することにより、ウェーハ１は保持手段５０の直上に位置決めされ、次いで回転軸４１が下降するとともに吸着パッド４３による吸着が解除されることにより、ウェーハ１は保持手段５０に搬入される。 The swivel arm 42 of the carry-in means 40 is provided with a movable part 42b on the distal end side so as to be movable along the longitudinal direction (arrow C direction in FIG. 5) with respect to the base part 42a fixed to the rotating shaft 41. The movable part 42b can be expanded and contracted by moving. According to the carry-in means 40, the swivel arm 42 swivels in the direction D in FIG. 5 and the suction pad 43 is positioned above the wafer 1 on the positioning means 30. Wafer 1 is adsorbed. Then, the rotating shaft 41 rises, the turning arm 42 turns in the E direction, and the movable portion 42b expands and contracts as necessary, whereby the wafer 1 is positioned immediately above the holding means 50, and then the rotating shaft 41. The wafer 1 is carried into the holding means 50 by lowering the suction and releasing the suction by the suction pad 43.

図４に示すように、保持手段５０は、基台１１上にＸ方向に移動可能に設けられたテーブルベース５１と、テーブルベース５１上に設けられた円板状の保持テーブル５２とを備えている。保持テーブル５２は、無数の細孔が形成されており上面が水平な保持面５３ａとされた円形状の吸着部５３を有しており、鉛直方向（Ｚ方向）を回転軸としてテーブルベース５１上に回転可能に支持されている。テーブルベース５１内には保持テーブル５２を回転させる回転駆動機構が設けられており、基台１１内にはテーブルベース５１をＸ方向に移動させる移動機構が設けられている（いずれも図示略）。吸着部５３は、ウェーハ１の外周円弧３の直径とほぼ同じ直径を有している。 As shown in FIG. 4, the holding means 50 includes a table base 51 provided on the base 11 so as to be movable in the X direction, and a disk-like holding table 52 provided on the table base 51. Yes. The holding table 52 has a circular adsorbing portion 53 having an infinite number of fine holes formed and a horizontal holding surface 53a on the upper surface of the table base 51 with the vertical direction (Z direction) as a rotation axis. Is rotatably supported. A rotation drive mechanism for rotating the holding table 52 is provided in the table base 51, and a moving mechanism for moving the table base 51 in the X direction is provided in the base 11 (all not shown). The suction part 53 has a diameter substantially the same as the diameter of the outer circumferential arc 3 of the wafer 1.

ウェーハ１は、搬入手段４０によって吸着部５３の保持面５３ａに搬入される。吸着部５３は、ポーラスセラミックスのような多孔質部材で形成されており、図示せぬ電磁弁を介して上記吸引源に連通されている。該吸引源を運転した状態で該電磁弁が開かれると保持面５３ａが負圧となり、ウェーハ１は負圧となっている保持面５３ａに対し搬入手段４０によって載置される。これにより、ウェーハ１は保持面５３ａに負圧作用で吸着して保持される。ウェーハ１は保持テーブル５２に対し、ウェーハ１の外周円弧３の中心ＲＯと保持テーブル５２の中心すなわち回転中心５２Ｚとが一致する状態に載置される（図６参照）。 The wafer 1 is carried into the holding surface 53a of the suction unit 53 by the carrying-in means 40. The adsorption portion 53 is formed of a porous member such as porous ceramics, and communicates with the suction source via an electromagnetic valve (not shown). When the electromagnetic valve is opened while the suction source is operated, the holding surface 53a becomes negative pressure, and the wafer 1 is placed by the loading means 40 on the holding surface 53a having negative pressure. Thereby, the wafer 1 is adsorbed and held on the holding surface 53a by a negative pressure action. The wafer 1 is placed on the holding table 52 in a state where the center RO of the outer circumferential arc 3 of the wafer 1 and the center of the holding table 52, that is, the rotation center 52Z coincide (see FIG. 6).

図４を参照して説明を続けると、保持テーブル５２における吸着部５３の保持面５３ａに保持されたウェーハ１は、保持手段５０ごとＸ２方向に移動させられて加工手段６０の下方の加工位置に送り込まれる。なお、基台１１には、保持手段５０の移動路を塞いで研削屑等が基台１１内に落下することを防ぐ伸縮自在な蛇腹状のカバー１４が設けられている。保持手段５０は、テーブルベース５１がＸ方向に移動することにより、Ｘ１側の上記搬入／搬出位置と、Ｘ２側の加工位置との間を往復移動させられる。 4, the wafer 1 held on the holding surface 53a of the suction portion 53 of the holding table 52 is moved in the X2 direction together with the holding means 50 to a processing position below the processing means 60. It is sent. The base 11 is provided with a telescopic bellows-like cover 14 that closes the moving path of the holding means 50 and prevents the grinding scraps from falling into the base 11. The holding means 50 is reciprocated between the loading / unloading position on the X1 side and the machining position on the X2 side when the table base 51 moves in the X direction.

加工手段６０は、基台１１のＸ２側の端部に立設されたコラム１５の前面（Ｘ１側の面）に、Ｚ方向に沿って昇降可能に設けられている。コラム１５の前面には、ガイド１６に沿ってＺ方向に昇降するスライド板１７が設けられており、このスライド板１７に加工手段６０が固定されている。加工手段６０は、サーボモータ１８ａによって駆動されるボールねじ式の加工送り手段１８が作動することにより、スライド板１７ごとＺ方向に昇降させられる。 The processing means 60 is provided on the front surface (surface on the X1 side) of the column 15 erected on the X2 side end of the base 11 so as to be movable up and down along the Z direction. A slide plate 17 that moves up and down in the Z direction along the guide 16 is provided on the front surface of the column 15, and a processing means 60 is fixed to the slide plate 17. The processing means 60 is moved up and down in the Z direction together with the slide plate 17 by the operation of the ball screw type processing feed means 18 driven by the servo motor 18a.

加工手段６０は、軸方向がＺ方向に延びる円筒状のスピンドルハウジング６１と、スピンドルハウジング６１内に同軸的、かつ回転可能に支持されたスピンドル（不図示）と、該スピンドルの下端に同軸的に固定された研削ホイール６２と、該スピンドルを回転駆動するスピンドルモータ６３とを備えている。研削ホイール６２の下面の外周部には、多数の砥石（研削工具）６２ａが環状に配列されている。これら砥石６２ａの下面は保持テーブル５２の保持面５３ａと平行であり、ウェーハ１を研削する研削面となっている。砥石６２ａは、ダイヤモンドの砥粒をメタルボンドやレジンボンド等の結合剤で固めて成形したダイヤモンド砥石等が用いられる。加工手段６０は、スピンドルハウジング６１がホルダ１９を介して上記スライド板１７に固定されている。 The processing means 60 includes a cylindrical spindle housing 61 whose axial direction extends in the Z direction, a spindle (not shown) coaxially and rotatably supported in the spindle housing 61, and coaxially with the lower end of the spindle. A fixed grinding wheel 62 and a spindle motor 63 for rotating the spindle are provided. A large number of grindstones (grinding tools) 62 a are annularly arranged on the outer peripheral portion of the lower surface of the grinding wheel 62. The lower surfaces of these grindstones 62 a are parallel to the holding surface 53 a of the holding table 52 and serve as a grinding surface for grinding the wafer 1. As the grindstone 62a, a diamond grindstone or the like formed by solidifying diamond abrasive grains with a binder such as metal bond or resin bond is used. In the processing means 60, the spindle housing 61 is fixed to the slide plate 17 via the holder 19.

上記加工位置に位置付けられたウェーハ１は、加工手段６０によって研削され、目的厚さに薄化される。加工手段６０による研削は、スピンドルモータ６３を運転して研削ホイール６２を回転させながら、加工送り手段１８によりスライド板１７とともに加工手段６０を下降させ、回転する砥石６２ａをウェーハ１の被加工面に押し当てることによりなされる。ウェーハ１の研削は、このような加工手段６０の研削動作を行いながら保持テーブル５２を一方向に回転させてウェーハ１を自転させることにより、被加工面の全面が研削される。研削中のウェーハ１の厚さは、図示せぬ厚さ測定手段で逐一測定され、測定値が目的値になった時点で裏面研削は終了となる。 The wafer 1 positioned at the processing position is ground by the processing means 60 and thinned to the target thickness. In the grinding by the processing means 60, while the spindle motor 63 is operated to rotate the grinding wheel 62, the processing means 60 is lowered together with the slide plate 17 by the processing feeding means 18, and the rotating grindstone 62 a is applied to the processing surface of the wafer 1. This is done by pressing. The wafer 1 is ground by rotating the holding table 52 in one direction and rotating the wafer 1 while performing the grinding operation of the processing means 60 as described above, whereby the entire surface to be processed is ground. The thickness of the wafer 1 being ground is measured one after another by a thickness measuring means (not shown), and the back surface grinding is finished when the measured value reaches the target value.

ウェーハ１の研削が終了したら加工手段６０が上昇して退避し、次いで保持手段５０がＸ１方向に移動してウェーハ１が搬入／搬出位置に戻され、保持テーブル５２の真空運転が停止されて保持面５３ａへのウェーハ１の吸着状態が解除される。 When the grinding of the wafer 1 is completed, the processing means 60 is raised and retracted, the holding means 50 is then moved in the X1 direction, the wafer 1 is returned to the loading / unloading position, and the vacuum operation of the holding table 52 is stopped and held. The suction state of the wafer 1 on the surface 53a is released.

続いて、ウェーハ１は搬入手段４０の隣（Ｙ２側）に配設された搬出手段７０によって保持手段５０から搬出され、スピンナ洗浄手段８０の洗浄テーブル８２に移される。搬出手段７０は上記搬入手段４０と同様の構成であって、図４および図５に示すように、基台１１に上下動可能に支持された回転軸７１を介して水平旋回可能に支持された旋回アーム７２と、この旋回アーム７２の先端に水平に固定された円板状の吸着パッド７３とを備えたものであり、負圧作用で吸着パッド７３の下面にウェーハ１を吸着する。旋回アーム７２は、ベース部７２ａの先端側に可動部７２ｂが、図４の矢印Ｆ方向で示す長手方向に移動可能に設けられた伸縮式である。 Subsequently, the wafer 1 is unloaded from the holding means 50 by the unloading means 70 arranged next to the loading means 40 (Y2 side) and transferred to the cleaning table 82 of the spinner cleaning means 80. The carry-out means 70 has the same configuration as the carry-in means 40, and is supported so as to be able to turn horizontally through a rotating shaft 71 supported on the base 11 so as to be movable up and down, as shown in FIGS. The swivel arm 72 and a disc-shaped suction pad 73 fixed horizontally at the tip of the swivel arm 72 are provided, and the wafer 1 is sucked to the lower surface of the suction pad 73 by a negative pressure action. The swivel arm 72 is a telescopic type in which a movable portion 72b is provided on the distal end side of the base portion 72a so as to be movable in a longitudinal direction indicated by an arrow F direction in FIG.

搬出手段７０によれば、旋回アーム７２が図５でＧ方向に旋回して、搬入／搬出位置に位置付けられた保持手段５０に保持されているウェーハ１の上方に吸着パッド７３が位置付けられてから、回転軸７１が下降して吸着パッド７３にウェーハ１が吸着される。そして、回転軸７１が上昇して旋回アーム７２がＨ方向に旋回し、かつ、可動部７２ｂが必要に応じて伸縮することにより、ウェーハ１は洗浄テーブル８２の直上に位置決めされ、次いで回転軸７１が下降するとともに吸着パッド７３による吸着が解除されることにより、ウェーハ１は洗浄テーブル８２に載置される。 According to the unloading means 70, after the swivel arm 72 rotates in the G direction in FIG. 5 and the suction pad 73 is positioned above the wafer 1 held by the holding means 50 positioned at the loading / unloading position. The rotating shaft 71 is lowered and the wafer 1 is sucked to the suction pad 73. Then, the rotating shaft 71 rises, the swing arm 72 swings in the H direction, and the movable portion 72b expands and contracts as necessary, whereby the wafer 1 is positioned directly above the cleaning table 82, and then the rotating shaft 71. The wafer 1 is placed on the cleaning table 82 when the suction of the suction pad 73 is released.

スピンナ洗浄手段８０は、図４に示すように、昇降式のカバー８１ａで内部が開閉されるケーシング８１内に、円板状の上記洗浄テーブル８２と、洗浄水噴射ノズル（不図示）とが配設された構成である。洗浄テーブル８２は、上記保持テーブル５２と同様の真空チャック式のテーブルであって、上記多孔質部材等からなり上面が水平な保持面８３ａとされた円形状の吸着部８３を有している。洗浄テーブル８２は、鉛直方向（Ｚ方向）を回転軸として基台１１に回転可能に支持されている。基台１１内には、洗浄テーブル８２を回転させる回転駆動機構（不図示）が設けられている。 As shown in FIG. 4, the spinner cleaning means 80 includes a disc-shaped cleaning table 82 and a cleaning water spray nozzle (not shown) arranged in a casing 81 whose inside is opened and closed by a liftable cover 81a. This is the configuration that was established. The cleaning table 82 is a vacuum chuck type table similar to the holding table 52, and has a circular suction part 83 made of the porous member or the like and having a holding surface 83a having a horizontal upper surface. The cleaning table 82 is rotatably supported on the base 11 with the vertical direction (Z direction) as a rotation axis. A rotation drive mechanism (not shown) for rotating the cleaning table 82 is provided in the base 11.

洗浄テーブル８２の吸着部８３は図示せぬ電磁弁を介して上記吸引源に連通されており、該吸引源を運転した状態で該電磁弁が開かれると保持面８３ａが負圧となり、ウェーハ１は負圧となっている保持面８３ａに搬出手段７０によって搬入され、保持面８３ａに負圧作用で吸着して保持される。ウェーハ１の搬入／搬出時はカバー８１ａが下降して開いた状態とされ、洗浄時にはカバー８１ａが上昇して閉じた状態とされる。なお、洗浄テーブル８２はウェーハ１の直径よりも小さく、ウェーハ１は外周部が洗浄テーブル８２からはみ出た状態で洗浄テーブル８２に保持される。 The suction portion 83 of the cleaning table 82 is communicated with the suction source via an electromagnetic valve (not shown). When the electromagnetic valve is opened with the suction source operated, the holding surface 83a becomes negative pressure, and the wafer 1 Is carried into the holding surface 83a having a negative pressure by the carrying-out means 70, and is adsorbed and held on the holding surface 83a by a negative pressure action. When the wafer 1 is loaded / unloaded, the cover 81a is lowered and opened, and at the time of cleaning, the cover 81a is lifted and closed. The cleaning table 82 is smaller than the diameter of the wafer 1, and the wafer 1 is held on the cleaning table 82 with its outer peripheral portion protruding from the cleaning table 82.

スピンナ洗浄手段８０によれば、ウェーハ１を保持した洗浄テーブル８２が例えば３０００ｒｐｍ（revolution per minute）程度の回転速度で回転した状態で、自転するウェーハ１に向けて上記洗浄水噴射ノズルから洗浄水が噴射されてスピン洗浄され、次いで該洗浄水噴射ノズルからウェーハ１に向けて乾燥空気が噴射され、これによりウェーハ１が洗浄、乾燥処理される。洗浄、乾燥処理が終了したらカバー８１ａが開き、洗浄テーブル８２の真空運転が停止して吸着部８３によるウェーハ１の吸着が解除される。そして、ウェーハ１は搬入／搬出ロボット２０によって洗浄テーブル８２から搬出され、回収側カセット１３ｂ内に収容される。 According to the spinner cleaning means 80, the cleaning water is supplied from the cleaning water jet nozzle toward the rotating wafer 1 while the cleaning table 82 holding the wafer 1 is rotated at a rotational speed of about 3000 rpm (revolution per minute), for example. It is sprayed and spin cleaned, and then dry air is sprayed from the cleaning water spray nozzle toward the wafer 1, whereby the wafer 1 is cleaned and dried. When the cleaning and drying processes are completed, the cover 81a is opened, the vacuum operation of the cleaning table 82 is stopped, and the suction of the wafer 1 by the suction unit 83 is released. Then, the wafer 1 is unloaded from the cleaning table 82 by the loading / unloading robot 20 and accommodated in the collection side cassette 13b.

以上が研削装置１０の構成および基本的動作である。本実施形態では、搬出手段７０からスピンナ洗浄手段８０の洗浄テーブル８２に載置されるウェーハ１は、重心位置ＧＯが洗浄テーブル８２の回転中心８２Ｚ（図７参照）と一致するように載置されて搬入される。以下、そのような動作をさせるための構成および制御を説明する。 The above is the configuration and basic operation of the grinding apparatus 10. In this embodiment, the wafer 1 mounted on the cleaning table 82 of the spinner cleaning unit 80 from the unloading unit 70 is mounted so that the center of gravity position GO coincides with the rotation center 82Z (see FIG. 7) of the cleaning table 82. It is carried in. Hereinafter, the configuration and control for performing such an operation will be described.

（２−２）洗浄テーブルへの搬入動作
上記位置決め手段３０は、図３に示すように、Ｚ方向を回転軸とする回転台３１と、回転台３１に載置されたウェーハ１を撮像してウェーハ１の外形を検出する検出手段３２とを備えている。ウェーハ１は、搬入／搬出ロボット２０によって供給側カセット１３ａから回転台３１の上に載置される。そして回転台３１が回転し、回転台３１とともに回転するウェーハ１の外形が検出手段３２で撮像され、その撮像データに基づき、検出手段３２によって、ウェーハ１のオリエンテーションフラット２の位置とともに、外周円弧３の中心ＲＯの位置、およびオリエンテーションフラット２の位置を基準としたウェーハ１の重心位置ＧＯが検出される。これらウェーハ１に関する３つのデータは記憶手段９１に供給され、この記憶手段９１で記憶される。 (2-2) Loading Operation to Washing Table As shown in FIG. 3, the positioning means 30 images the rotating table 31 having the rotation direction in the Z direction and the wafer 1 placed on the rotating table 31. Detection means 32 for detecting the outer shape of the wafer 1 is provided. The wafer 1 is placed on the turntable 31 from the supply side cassette 13a by the loading / unloading robot 20. Then, the rotating table 31 rotates, and the outer shape of the wafer 1 rotating together with the rotating table 31 is imaged by the detecting means 32. Based on the imaging data, the detecting means 32 and the position of the orientation flat 2 of the wafer 1 together with the outer circumference arc 3 The center-of-gravity position GO of the wafer 1 with respect to the position of the center RO and the position of the orientation flat 2 is detected. These three data relating to the wafer 1 are supplied to the storage means 91 and stored in the storage means 91.

検出手段３２によって上記３つのデータが検出された後に、ウェーハ１は位置決め手段３０の回転台３１から上記のように搬入手段４０によって保持手段５０に搬入されるが、吸着パッド４３で吸着される搬入開始の時には、常に周方向位置（回転角度位置）が一定位置になるように回転台３１が回転、停止する。すなわち、研削前と研削後とでオリエンテーションフラット２の位置が装置内において一定位置になるようにされる。図５はその例を示しており、位置決め手段３０においてウェーハ１は、オリエンテーションフラット２がＸ１側とＹ１側に配され、かつ、若干Ｘ方向およびＹ方向に対して斜めになるように位置決めされる。 After the three data are detected by the detection means 32, the wafer 1 is carried into the holding means 50 by the carry-in means 40 as described above from the turntable 31 of the positioning means 30, but carried in by the suction pad 43. At the start, the turntable 31 rotates and stops so that the circumferential position (rotational angle position) is always a constant position. That is, the position of the orientation flat 2 is set to a constant position in the apparatus before and after grinding. FIG. 5 shows such an example. In the positioning means 30, the wafer 1 is positioned so that the orientation flat 2 is arranged on the X1 side and the Y1 side and is slightly inclined with respect to the X direction and the Y direction. .

上記搬入／搬出位置では、保持手段５０の保持テーブル５２は周方向位置が一定位置に決められる。したがって、搬入／搬出位置に位置付けられた保持テーブル５２に搬入されたウェーハ１と、加工位置において加工手段６０により研削されてから搬入／搬出位置に戻されたウェーハ１は、周方向位置が同じになる。保持手段５０の保持テーブル５２への搬入時には、ウェーハ１は上記のように外周円弧３の中心ＲＯと保持テーブル５２の回転中心５２Ｚとが一致する状態に載置される。 At the loading / unloading position, the holding table 52 of the holding means 50 is determined to have a constant circumferential position. Therefore, the wafer 1 loaded into the holding table 52 positioned at the loading / unloading position and the wafer 1 ground by the processing means 60 at the processing position and then returned to the loading / unloading position have the same circumferential position. Become. When the holding means 50 is carried into the holding table 52, the wafer 1 is placed in a state where the center RO of the outer circumferential arc 3 and the rotation center 52Z of the holding table 52 coincide with each other as described above.

これは、搬入／搬出位置に位置付けられる保持テーブル５２の回転中心５２Ｚを制御手段９０が予め認識しており、記憶手段９１に記憶されたウェーハ１の外周円弧３の中心ＲＯが保持テーブル５２の回転中心５２Ｚと一致するように、制御手段９０によって搬入手段４０が制御されることによりなされる。搬入手段４０の制御は、吸着パッド４３にウェーハ１を吸着してからの旋回アーム４２の旋回角度や、旋回アーム４２の可動部４２ｂの移動による旋回アーム４２の伸縮量を制御することであり、これら可動要素が適宜に制御されて、ウェーハ１は図６に示すように外周円弧３の中心ＲＯが保持テーブル５２の回転中心５２Ｚに一致するように保持テーブル５２に載置される。 This is because the control means 90 recognizes in advance the rotation center 52Z of the holding table 52 positioned at the loading / unloading position, and the center RO of the outer peripheral arc 3 of the wafer 1 stored in the storage means 91 is the rotation of the holding table 52. This is done by controlling the carry-in means 40 by the control means 90 so as to coincide with the center 52Z. Control of the carrying-in means 40 is to control the turning angle of the turning arm 42 after the wafer 1 is attracted to the suction pad 43 and the amount of expansion / contraction of the turning arm 42 due to the movement of the movable part 42b of the turning arm 42. These movable elements are appropriately controlled, and the wafer 1 is placed on the holding table 52 so that the center RO of the outer peripheral arc 3 coincides with the rotation center 52Z of the holding table 52 as shown in FIG.

さて、研削されて搬入／搬出位置に戻されたウェーハ１の周方向位置は一定位置に決められるので、保持テーブル５２上での重心位置ＧＯも一定位置にあり、その位置は、検出手段３２で検出されたデータに基づいて求められ、記憶手段９１に記憶される。搬出手段７０によりウェーハ１を保持テーブル５２からスピンナ洗浄手段８０の洗浄テーブル８２に移す時には、ウェーハ１の重心位置ＧＯを把握した状態で吸着パッド７３にウェーハ１を吸着し、予め制御手段９０が認識している洗浄テーブル８２の回転中心８２Ｚに重心位置ＧＯが一致してウェーハ１が載置されるように、制御手段９０によって搬出手段７０が制御される。 Now, since the circumferential position of the wafer 1 that has been ground and returned to the carry-in / carry-out position is determined to be a fixed position, the center of gravity GO on the holding table 52 is also a fixed position. It is obtained based on the detected data and stored in the storage means 91. When the wafer 1 is moved from the holding table 52 to the cleaning table 82 of the spinner cleaning means 80 by the unloading means 70, the wafer 1 is attracted to the suction pad 73 while the center of gravity GO of the wafer 1 is grasped, and the control means 90 recognizes in advance. The unloading means 70 is controlled by the control means 90 so that the center of gravity GO coincides with the rotation center 82Z of the cleaning table 82 being placed and the wafer 1 is placed.

搬出手段７０の制御は搬入手段４０と同様であって、吸着パッド７３にウェーハ１を吸着してからの旋回アーム７２の旋回角度や、旋回アーム７２の可動部７２ｂの伸縮量を制御することであり、これら可動要素が適宜に制御されて、ウェーハ１は図７に示すように重心位置ＧＯが洗浄テーブル８２の回転中心８２Ｚに一致するように洗浄テーブル８２に載置される。 The carry-out means 70 is controlled in the same manner as the carry-in means 40. By controlling the turning angle of the turning arm 72 after the wafer 1 is sucked onto the suction pad 73 and the amount of expansion / contraction of the movable portion 72b of the turning arm 72. These movable elements are appropriately controlled, and the wafer 1 is placed on the cleaning table 82 such that the center of gravity GO coincides with the rotation center 82Z of the cleaning table 82 as shown in FIG.

以上により、ウェーハ１は重心位置ＧＯが洗浄テーブル８２の回転中心８２Ｚに一致した状態に洗浄テーブル８２に搬入される。このようにウェーハ１の重心位置ＧＯが洗浄テーブル８２の回転中心８２Ｚに一致していると、洗浄テーブル８２が回転してウェーハ１をスピン洗浄する際、ウェーハ１はバランスを崩すことなく適切に洗浄テーブル８２上に保持される。 As described above, the wafer 1 is loaded into the cleaning table 82 in a state where the center of gravity GO matches the rotation center 82Z of the cleaning table 82. As described above, when the center of gravity GO of the wafer 1 coincides with the rotation center 82Z of the cleaning table 82, when the cleaning table 82 rotates and the wafer 1 is spin cleaned, the wafer 1 is appropriately cleaned without losing balance. It is held on the table 82.

また、このようにバランスを崩すことなく適切にウェーハ１を洗浄テーブル８２上に保持することができることから、洗浄テーブル８２を小さな面積のものにすることができる（例えばウェーハ１の直径の１／２〜１／４程度）。そして洗浄テーブル８２が小さくなれば、ウェーハ１の裏面が大きく露出するため裏面を有効に洗浄することができるとともに、ウェーハ１の裏面と洗浄テーブル８２との間への研削屑等の噛み込みを極力防止することができるといった効果を奏する。 Further, since the wafer 1 can be appropriately held on the cleaning table 82 without losing the balance in this way, the cleaning table 82 can have a small area (for example, ½ of the diameter of the wafer 1). ~ About 1/4). If the cleaning table 82 is made smaller, the back surface of the wafer 1 is greatly exposed, so that the back surface can be effectively cleaned and grinding dust or the like is caught between the back surface of the wafer 1 and the cleaning table 82 as much as possible. There is an effect that it can be prevented.

（２−３）洗浄テーブルへの搬入動作の他の例
上記の位置決め手段３０から保持テーブル５２を経て洗浄テーブル８２にウェーハ１を搬入する一連の動作は一例であり、他の搬入動作によってもウェーハ１を重心位置ＧＯが洗浄テーブル８２の回転中心８２Ｚに一致した状態に搬入することができる。 (2-3) Another Example of Loading Operation to Cleaning Table A series of operations for loading the wafer 1 from the positioning means 30 through the holding table 52 to the cleaning table 82 is an example, and the wafer is moved by other loading operations. 1 can be carried in a state where the center of gravity position GO coincides with the rotation center 82Z of the cleaning table 82.

例えば、搬入／搬出位置に位置付けられた保持テーブル５２に搬入手段４０でウェーハ１を搬入する時には、ウェーハ１の周方向位置を決める必要はなく、その位置が任意であっても外周円弧３の中心ＲＯを保持テーブル５２の回転中心５２Ｚに一致させることができる。この状態でウェーハ１を加工位置に送って研削を終えた後、ウェーハ１を搬入／搬出位置に戻した段階で、保持テーブル５２を回転させてウェーハ１の周方向位置を任意の一定位置に決め、ここで保持テーブル５２上でのウェーハ１におけるオリエンテーションフラット２の位置とともに、オリエンテーションフラット２の位置を基準としたウェーハ１の重心位置ＧＯを認識する。そのためには、例えば搬入／搬出位置の上方に撮像手段を設置してウェーハ１を撮像して外形データを得るといった手法で、重心位置ＧＯを求めることができる。そして、認識した重心位置ＧＯが洗浄テーブル８２の回転中心８２Ｚに一致するように搬出手段７０を制御する。 For example, when the wafer 1 is loaded into the holding table 52 positioned at the loading / unloading position by the loading means 40, it is not necessary to determine the position in the circumferential direction of the wafer 1, and even if the position is arbitrary, the center of the outer peripheral arc 3 is determined. RO can be made to coincide with the rotation center 52Z of the holding table 52. In this state, after the wafer 1 is sent to the processing position and the grinding is finished, the holding table 52 is rotated at the stage where the wafer 1 is returned to the loading / unloading position, and the circumferential position of the wafer 1 is determined to an arbitrary fixed position. Here, the position of the center of gravity GO of the wafer 1 with respect to the position of the orientation flat 2 is recognized together with the position of the orientation flat 2 in the wafer 1 on the holding table 52. For this purpose, the center of gravity position GO can be obtained by, for example, a method in which an imaging unit is installed above the loading / unloading position and the wafer 1 is imaged to obtain outer shape data. Then, the carry-out means 70 is controlled so that the recognized center-of-gravity position GO coincides with the rotation center 82Z of the cleaning table 82.

また、搬出手段７０の操作に関しては、吸着パッド７３を回転可能とし、吸着パッド７３の回転動作を加えることによってもウェーハ１の重心位置ＧＯを洗浄テーブル８２の回転中心８２Ｚに一致させることができる。 Further, regarding the operation of the unloading means 70, the suction pad 73 can be rotated, and the center of gravity GO of the wafer 1 can be made coincident with the rotation center 82Z of the cleaning table 82 by adding the rotation operation of the suction pad 73.

１…ウェーハ
２…オリエンテーションフラット
１０…研削装置
３２…検出手段
４０…搬入手段
５０…保持手段
５２…保持テーブル
５２Ｚ…保持テーブルの回転中心
５３ａ…保持テーブルの保持面
６０…加工手段
６２ａ…砥石（研削工具）
７０…搬出手段
８０…スピンナ洗浄手段
８２…洗浄テーブル
８２Ｚ…洗浄テーブルの回転中心
８３ａ…洗浄テーブルの保持面
９０…制御手段
９１…記憶手段
ＲＯ…ウェーハの円の中心
ＧＯ…ウェーハの重心位置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer 2 ... Orientation flat 10 ... Grinding device 32 ... Detection means 40 ... Loading means 50 ... Holding means 52 ... Holding table 52Z ... Holding table rotation center 53a ... Holding table holding surface 60 ... Processing means 62a ... Grinding wheel (grinding) tool)
70 ... Unloading means 80 ... Spinner cleaning means 82 ... Cleaning table 82Z ... Cleaning table rotation center 83a ... Cleaning table holding surface 90 ... Control means 91 ... Memory means RO ... Wafer circle center GO ... Wafer center of gravity position

Claims

A holding means having a holding table for holding a wafer having an orientation flat in which a circular shape is cut out in a direction showing a crystal orientation on a holding surface whose vertical axis is a rotation axis;
Processing means for pressing and grinding a rotated grinding tool having a grinding surface with a vertical axis as a rotation axis to the wafer held and rotated by the holding table;
A spinner cleaning means having a cleaning table for holding a wafer processed by the processing means on a holding surface whose vertical axis is a rotation axis;
A grinding apparatus comprising:
Detecting means for detecting a position of the orientation flat of the wafer;
Storage means for storing the position of the center of gravity based on the position of the orientation flat of the wafer;
Have
To the holding table,
The wafer is placed so that the center of the circle of the wafer having a circular shape coincides with the center of rotation of the holding table,
To the washing table,
A grinding apparatus in which a wafer is placed so that a center of gravity position of the wafer coincides with a rotation center of the cleaning table.