JP2011232066A - 温度センサ及びその製造方法 - Google Patents

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【課題】サーミスタ素子を覆うガラス封止部として耐久性に優れ、小型化の要求に十分応えることができるガラス封止部を備えた温度センサ及びその製造法を提供すること。
【解決手段】サーミスタ素子10と一対のリード線2とタブレット3とタブレット3の先端面31から突出したリード線2及びその先端に接合されたサーミスタ素子10を覆うガラス封止部4とを有する。ガラス封止部4は、タブレット3の先端面31から立設してリード線2の周囲を覆う胴部41と、胴部41から延設されサーミスタ素子10及びサーミスタ素子10と一対のリード線2との接合部25を覆う略半球状の頭部42とを有する。ガラス封止部4における軸方向に直交する断面で見た外径寸法は、頭部42におけるサーミスタ素子10を横切る断面の位置において最大であり、胴部41には、外径寸法が軸方向に沿って徐々に小さくなった後に大きくなるくびれ部Bが形成されている。
【選択図】図1

Description

本発明は、サーミスタ素子をガラス封止してなる温度センサ及びその製造方法に関する。
自動車エンジンの排ガスの浄化のために、NOxの発生を抑制する排ガス再循環システム(EGRシステム)や、触媒等を用いた排ガス処理システムが広く利用されている。これらのシステムでは、EGRガス流路又は排ガス流路内に温度センサを設けてEGRガス又は排ガス温度に基づく最適な制御を実施することで、排気エミッションの低減を図っている。このような用途に用いられる温度センサには、高応答で検出温度範囲の広い温度センサが求められている。現在では、温度により抵抗が変化するサーミスタ素子を用いた温度センサが用いられる。
温度により抵抗が変化するサーミスタ素子を用いた温度センサは、一般的に、一対の電極を有するサーミスタ素子と、サーミスタ素子の電極に接合された一対のリード線と、上記サーミスタ素子を覆うガラス封止部とを有している(特許文献1参照)。
このガラス封止部は、サーミスタ素子の還元劣化や電極接合部の劣化を防止するために重要な役割を果たしている。
特開2005−294653号公報
ところで、ガラス封止部は、サーミスタ素子の周囲に配置したガラス材料を軟化させ、サーミスタ素子を覆うように収縮凝固させることにより形成する。この収縮凝固過程を経ることによって、封止されたサーミスタ素子には圧縮残留応力が生じ、ガラス封止部には逆に引張残留応力が生じた状態となる。このような残留応力は、ガラス封止部形成後の熱処理(アニール・エージング)などにより低減することが可能であるが、完全に除去することは難しい。一方、残存した残留応力は、経年的なガラス割れの原因となる場合がある。特に、サーミスタ素子の強度が高い(ヤング率が高い)ほど、この残留応力の影響が大きく現れる傾向にある。
ガラス封止部の割れ対策としては、ガラス封止部の厚みを大きくして耐久性を高くすることが考えられる。しかしながら、ガラス封止部の厚みを際限なく大きくすることは、温度の検出感度の低下や小型化要求を満たさなくなるため難しい。特に小型化の観点から見れば、例えば、内径が約2.6mmφ程度の金属製の筒状のカバー内にガラス封止部を挿入するタイプの温度センサにおいては、ガラス封止部の最大外径を2.5mmφ以下に抑える必要がある。そのため、単純にガラス封止部の厚みを厚くする対策は難しい。
このような背景のもと、サーミスタ素子を覆うガラス封止部として耐久性に優れ、かつ、小型化の要求に十分応えることができるガラス封止部を備えた温度センサ及びその製造法を提供しようとするものである。
第1の発明は、サーミスタ素子と、該サーミスタ素子に接合された一対のリード線と、貫通穴に該リード線を貫通させて支持するタブレットと、該タブレットの先端面から突出した上記リード線及びその先端に接合された上記サーミスタ素子を覆うガラス封止部とを有する温度センサにおいて、
上記ガラス封止部は、上記タブレットの先端面から立設して上記リード線の周囲を覆う胴部と、該胴部から延設され上記サーミスタ素子及び該サーミスタ素子と上記一対のリード線との接合部を覆う略半球状の頭部とを有し、
上記ガラス封止部における軸方向に直交する断面で見た外径寸法は、上記頭部における上記サーミスタ素子を横切る断面の位置において最大であり、上記胴部には、上記外径寸法が軸方向に沿って徐々に小さくなった後に大きくなるくびれ部が形成されていることを特徴とする温度センサにある(請求項1)。
第2の発明は、サーミスタ素子に一対のリード線を接合するリード線接合工程と、
タブレットの貫通穴に上記リード線を通すタブレット挿入工程と、
円筒状のガラス管を準備し、上記タブレットの先端面から突出した上記リード線及びその先端に接合された上記サーミスタ素子を上記ガラス管内に配置するガラス管組み付け工程と、
上記ガラス管が軟化する温度に加熱して上記ガラス管を変形させ、上記タブレットの先端面から突出した上記リード線及び該リード線に接合された上記サーミスタ素子を覆うガラス封止部を形成する封止工程とを有し、
該封止工程は、上記サーミスタ素子を上方に向けて上記タブレットの上記先端面上に上記ガラス管を立てた状態で、当該ガラス管を構成するガラスの粘度が4.4±0.2dPa・sの範囲となる温度まで加熱することにより行うことを特徴とする温度センサの製造方法にある(請求項4)。
第1の発明の温度センサにおける上記ガラス封止部は、上記胴部と頭部とを連ねてなり、上記頭部に上記外径寸法が最大である最大外径部が存在している。そして、この最大外径部を有する頭部と上記タブレットとの間に、上記胴部のくびれ部が存在している。このような形状を積極的に採用することによって、耐久性と小型化を両立可能な温度センサが得られる。
たとえば、上記最大外形部が頭部ではなく、胴部に存在する場合には、頭部を覆うガラス封止部の厚みがその先端側において他の部分よりも薄くなりやすい。そのため、先端側のガラス厚みが薄い部分には、サーミスタ素子に残存している圧縮残留応力による応力が集中しやすくなる。特に、サーミスタ素子の外形状が四角形であって、その角部がガラス厚みの薄い部分に位置した場合などには、割れをより誘発しやすくなる。
これに対し、本発明では、ガラス封止部の上記頭部に最大外形部が存在する形状を採用し、かつ上記くびれ部を形成することによって、サーミスタ素子の周囲に存在するガラスの外形状を球状に近い形状にすることができる。これにより、サーミスタ素子の周囲のガラス厚みをどの方向においても容易に確保することができる。そのため、上記最大外形部を備えた頭部とくびれ部を組み合わせた形状は、形状的にサーミスタ素子の周囲のガラス厚み確保に有利であり、割れ発生抑制効果を容易に得ることができる。
また、第2の発明の製造方法では、上記封止工程において、上記サーミスタ素子を上方に向けて上記タブレットの上記先端面上に上記ガラス管を立てた状態で、ガラスの粘度が4.4±0.2dPa・sの範囲となる温度まで加熱する。ガラス溶融時のガラスの粘度を上記の特定の範囲に制限することによって、溶融したガラスが、自重によって降下しすぎることを防止することができ、上記頭部に最大外径部が存在し、胴部にくびれ部が存在する形状のガラス封止部を有する上記第1の発明の温度センサを容易に得ることができる。
そして、得られた温度センサは、上述したごとく、サーミスタ素子を覆うガラス封止部として耐久性に優れ、かつ、小型化の要求に十分応えることができるガラス封止部を備えたものとなる。
実施例1における、温度センサの構造を示す説明図。 実施例1における、温度センサを製造する際のリード線接合工程についての説明図。 実施例1における、温度センサを製造する際のタブレット挿入工程についての説明図。 実施例1における、温度センサを製造する際のガラス管組み付け工程についての説明図。 実施例2における、最短距離Cについての説明図。 実施例2における、サーミスタ素子の角部からの距離とガラス内部の残留応力値との相関関係を示す説明図。 比較例1における、温度センサの構造を示す説明図。
本発明の温度センサにおいては、上記サーミスタ素子から上記ガラス封止部の外表面までの最短距離が0.30mm以上であることが好ましい(請求項2)。ガラス厚みをこの厚み以上確保することにより、サーミスタ素子に残存する圧縮残留応力の影響をガラス封止部の外表面においてほとんど影響のない程度に緩和することができ、割れ抑制効果を高めることができる。このような効果をより高めるためには、上記最短距離が0.35mm以上、さらには、0.4mm以上とするのがより好ましい。
そして、このようなガラス厚みは、ガラス封止部が上記特殊な形状を呈しているため、許容された外形寸法の中においても比較的容易に確保することができる。
なお、上記サーミスタ素子からガラス封止部の外表面までの最短距離の上限値は、0.75mm程度にすることが好ましい。これにより、温度の検知感度を十分に確保することができる。
また、上記ガラス封止部は、比重が3.5g/cm3以下の鉛フリーガラスより構成されていることが好ましい(請求項3、5)。従来のガラス封止部用のガラスとして主流であった鉛入りガラスの場合には、比重が3.5g/cm3を超えるが、これを鉛フリーガラスに変更することによって、比重を小さくすることができる。これにより、温度センサの製造工程における上記封止工程において、溶融したガラスが自重により下降して胴部に集中することをより確実に防止することができ、上述した上記頭部に最大外形部が存在し、かつ胴部に上記くびれ部を有する形状をさらに容易に形成することができる。
(実施例1)
本例の実施例にかかる温度センサ及びその製造方法につき、図1〜図4を用いて説明する。
本例の温度センサ1は、図1に示すごとく、サーミスタ素子10と、サーミスタ素子10に接合された一対のリード線2と貫通穴32にリード線2を貫通させて支持するタブレット3と、タブレット3の先端面31から突出したリード線2及びその先端に接合されたサーミスタ素子10を覆うガラス封止部4とを有する。
ガラス封止部4は、タブレット3の先端面31から立設してリード線2の周囲を覆う胴部41と、胴部41から延設されサーミスタ素子10及びサーミスタ素子10と一対のリード線2との接合部25を覆う略半球状の頭部42とを有する。そして、ガラス封止部4における軸方向に直交する断面で見た外径寸法は、頭部42におけるサーミスタ素子10を横切る断面の位置において最大であり、胴部41には、外径寸法が軸方向に沿って徐々に小さくなった後に大きくなるくびれ部415が形成されている。
上記温度センサ1を製造するに当たっては、まず、図2に示すごとく、サーミスタ素子10に一対のリード線2を接合するリード線接合工程を実施する。
サーミスタ素子10としては、四角い平板状の金属酸化物よりなり、両面にそれぞれPt膜よりなる電極12が設けられた素子を用いた。サーミスタ素子10のサイズは、厚み0.45mm×縦0.65mm×横0.65mmである。
リード線2としては、直径0.3mmのジュメット線を用いた。
そして、Auを含有するペーストを電極12及びリード線2に塗布した後に、焼き付けることによって接合部25を形成した。
次に、図3に示すごとく、タブレット3の貫通穴32にリード線2を通すタブレット挿入工程を実施する。
タブレット3としては、外径が2.2mmφ×長さ1.5mmの材質フォルステライト(Mg2SiO4)よりなる円柱形状を呈し、リード線2を貫通させるための2つの貫通穴32を設けたものを用いた。
リード線2とタブレット3との仮固定は、タブレット3の貫通穴32にリード線2を挿入した状態で、リード線2と貫通穴32との内周面との間にガラスペースト35を配置することにより行う。このガラスペースト35は、後述する封止工程を経ることによって硬化する。
次に、図4に示すごとく、円筒状のガラス管40を準備し、タブレット3の先端面31から突出したリード線2及びその先端に接合されたサーミスタ素子10をガラス管40内に配置するガラス管組み付け工程を行う。ガラス管40としては、鉛フリーの材質(SiO2−R2O−B23系(Rはアルカリ土類金属))であって比重が3.07g/cm3であるものを用いた。ガラス管40のサイズは、サーミスタ素子10、リード線2およびこれらの接合部25を収容可能なように内径1.3mmφ、外径2.1mmφとした。軸方向長さは、サーミスタ素子10がタブレット3から突出した長さよりも若干長い長さとした。なお、ガラス管40のサイズは、得られるガラス封止部4の頭部42の大きさなどに影響するが、複数種類のガラス管40を準備して試作してガラス封止部4の寸法を測定することにより、最適なガラス管40のサイズを比較的容易に選択することができる。
次に、ガラス管40が軟化する温度に加熱してガラス管40を変形させ、タブレット3の先端面から突出したリード線2及び該リード線2に接合されたサーミスタ素子10を覆うガラス封止部4を形成する封止工程を実施する。
この封止工程は、図4に示すごとく、サーミスタ素子10を上方に向けてタブレット3の先端面31上にガラス管40を立てた状態で実施する。ガラス管40の加熱温度は、ガラス管40を構成するガラスの粘度が4.4±0.2dPa・sの範囲となる温度とする。具体的な加熱温度は、使用するガラスの粘度と温度の相関関係から容易に定めることができる。本例では、加熱の最高保持温度を885℃に設定した。
得られた温度センサ1は、図1に示すごとく、そのガラス封止部4が、胴部41と頭部42とを連ねたものとなる。頭部42には、外径寸法が最大である最大外径部Aが存在する。また、最大外径部Aを有する頭部42とタブレット3との間には、胴部41のくびれ部Bが存在している。このような形状を積極的に採用した本例の温度センサ1は、耐久性と小型化を両立可能である。
すなわち、ガラス封止部4の頭部42に最大外形部Aが存在する形状を採用し、かつくびれ部Bを形成することによって、サーミスタ素子10の周囲に存在するガラスの外形状を球状に近い形状にすることができる。これにより、サーミスタ素子10の周囲のガラス厚みをどの方向においても容易に確保することができる。そのため、最大外形部Aを備えた頭部42とくびれ部Bを備えた胴部41を組み合わせた形状は、形状的にサーミスタ素子10の周囲のガラス厚み確保に有利であり、割れ発生抑制効果を容易に得ることができるのである。
(実施例2)
実施例1の温度センサ1について、サーミスタ素子10からガラス封止部4の外表面までの最短距離Cの最適範囲を求める実験を行った。
まず、実施例1の製造に用いたガラス管40のサイズの変更、及び封止工程におけるガラスの粘度の変更(加熱温度変更)の一方又は両方を行って、サーミスタ素子10からガラス封止部4の外表面までの最短距離Cが異なる3種類の試料を作製した。最短距離Cは、図5に示すごとく、サーミスタ素子10の角部17からガラス封止部4の外表面までの距離を立体的に見た場合の最短距離である。準備した試料は最短距離Cが0.2mmの試料1と、最短距離Cが0.3mmの試料2と、最短距離Cが0.6mmの試料3である。
試料1〜3につき、上記最短距離Cの方向に沿って、サーミスタ素子10の周囲のガラスの内部応力を測定すると共に、ガラス封止部4の外表面の残留応力をシミュレーションにより求めた。その結果を図6に示す。同図は、横軸にサーミスタ素子10の角部からガラス封止部4の外表面までの距離(mm)を取り、縦軸にガラス内の内部応力(MPa)を取った。
同図から知られるごとく、いずれの試料についても、サーミスタ素子10の角部からの距離が大きくなるに従って、内部応力が低下していく傾向にあった。なお、最短距離Cが0.2mmの試料1は、他の試料に比べて、いずれの距離において若干内部応力が高い傾向にあった。そして、試料1のように最短距離Cが0.2mmの場合には、ガラス封止部4の外表面においても5MPa程度の引張残留応力が残るため、経時的に割れが発生する可能性が他の試料よりも高いことが分かる。また、試料2においては、最短距離Cが0.3mmにおいてガラス封止部4の外表面の残留応力がほぼゼロとなっていることが分かる。また、試料3においては、試料2とほぼ同様に、最短距離Cが0.3mm程度においてガラス封止部4の外表面の残留応力がほぼゼロとなり、それ以上の距離においても同様な状態が保たれることが分かる。なお、試料3の結果をより厳密に見れば、最短距離Cが0.35mmを超えて安定的に残留応力がゼロとなっているように観察される。この結果から、最短距離Cは、0.30mm以上とするすることが好ましく、さらに、0.35mm以上とすることがより好ましく、0.40mm以上とすることが最も安定することが確認できる。
(比較例1)
実施例1の温度センサ1と比較するため、本発明とは形状が異なる温度センサ9について説明する。
図7に示すごとく、温度センサ9は、ガラス封止部94において、上記最大外形部Aが頭部942ではなく、胴部941に存在し、かつ、胴部941にくびれ部が存在しない形状を有している。
このような形状のガラス封止部94は、封止工程においてガラス管を加熱した際のガラスの粘度を実施例1の場合よりも低くすること、あるいは、使用するガラスの密度を実施例1の場合よりも高めることの少なくとも一方を実施することによって実現できる。図1と図7との比較から知られるように、本比較例の温度センサ9は、明らかに、サーミスタ素子10の周り(特に先端側)のガラス厚みが実施例1の温度センサ1よりも薄いことが分かる。
また、温度センサ9のガラス封止部94の形状において、サーミスタ素子10の周囲の頭部941を大きくしようとした場合には、用いるガラス管の高さを高くしたりしてガラス量を多くすることが第1に考えられるが、この場合には、胴部942に流動してくるガラスも増加して最大外径部Aの寸法も大ききなってしまう。そのため、温度センサ9に許容されている外径に限界があればこの対策は困難となる。
また、サーミスタ素子10のタブレット3からの突出寸法を小さくすることも考えられる。しかし、この場合には、ガラスにより完全に周辺雰囲気から遮断することによって酸化物であるサーミスタの酸化劣化を防止する効果が少なくなるという別の問題が生じるおそれがある。
したがって、実施例1の温度センサ1のように、ガラス封止部4の頭部42に最大外形部Aが存在する形状を採用し、かつくびれ部Bを形成することが、温度センサのガラス封止部の形状としてサーミスタ素子10の周囲のガラス厚み確保に有利であり、割れ発生抑制効果を容易に得ることができることがわかる。
1 温度センサ
10 サーミスタ素子
2 リード線
25 接合部
3 タブレット
4 ガラス封止部
41 胴部
42 頭部
A 最大外径部
B くびれ部

Claims (5)

  1. サーミスタ素子と、該サーミスタ素子に接合された一対のリード線と、貫通穴に該リード線を貫通させて支持するタブレットと、該タブレットの先端面から突出した上記リード線及びその先端に接合された上記サーミスタ素子を覆うガラス封止部とを有する温度センサにおいて、
    上記ガラス封止部は、上記タブレットの先端面から立設して上記リード線の周囲を覆う胴部と、該胴部から延設され上記サーミスタ素子及び該サーミスタ素子と上記一対のリード線との接合部を覆う略半球状の頭部とを有し、
    上記ガラス封止部における軸方向に直交する断面で見た外径寸法は、上記頭部における上記サーミスタ素子を横切る断面の位置において最大であり、上記胴部には、上記外径寸法が軸方向に沿って徐々に小さくなった後に大きくなるくびれ部が形成されていることを特徴とする温度センサ。
  2. 請求項1の記載において、上記サーミスタ素子から上記ガラス封止部の外表面までの最短距離が0.30mm以上であることを特徴とする温度センサ。
  3. 請求項1又は2の記載において、上記ガラス封止部は、比重が3.5g/cm3以下の鉛フリーガラスより構成されていることを特徴とする温度センサ。
  4. サーミスタ素子に一対のリード線を接合するリード線接合工程と、
    タブレットの貫通穴に上記リード線を通すタブレット挿入工程と、
    円筒状のガラス管を準備し、上記タブレットの先端面から突出した上記リード線及びその先端に接合された上記サーミスタ素子を上記ガラス管内に配置するガラス管組み付け工程と、
    上記ガラス管が軟化する温度に加熱して上記ガラス管を変形させ、上記タブレットの先端面から突出した上記リード線及び該リード線に接合された上記サーミスタ素子を覆うガラス封止部を形成する封止工程とを有し、
    該封止工程は、上記サーミスタ素子を上方に向けて上記タブレットの上記先端面上に上記ガラス管を立てた状態で、当該ガラス管を構成するガラスの粘度が4.4±0.2dPa・sの範囲となる温度まで加熱することにより行うことを特徴とする温度センサの製造方法。
  5. 請求項4の記載において、上記ガラス管は、比重が3.5g/cm3以下の鉛フリーガラスより構成されていることを特徴とする温度センサの製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013102032A (ja) * 2011-11-08 2013-05-23 Honda Motor Co Ltd ガラス封止型サーミスタとその製造方法
US20160025574A1 (en) * 2014-07-28 2016-01-28 Denso Corporation Temperature sensor
US20160033337A1 (en) * 2014-07-31 2016-02-04 Denso Corporation Temperature sensor
JP2016029357A (ja) * 2014-07-24 2016-03-03 株式会社デンソー 温度センサ

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS642302A (en) * 1987-06-25 1989-01-06 Ooizumi Seisakusho:Kk Manufacture of glass-coated thermister
JPS6457601U (ja) * 1987-10-01 1989-04-10
JP2003133166A (ja) * 2001-10-26 2003-05-09 Murata Mfg Co Ltd セラミック電子部品
JP2005294653A (ja) * 2004-04-01 2005-10-20 Shibaura Electronics Co Ltd 高温用サーミスタ
JP2007269531A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Kyoto Univ 鉛フリー低融点ガラス及びその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS642302A (en) * 1987-06-25 1989-01-06 Ooizumi Seisakusho:Kk Manufacture of glass-coated thermister
JPS6457601U (ja) * 1987-10-01 1989-04-10
JP2003133166A (ja) * 2001-10-26 2003-05-09 Murata Mfg Co Ltd セラミック電子部品
JP2005294653A (ja) * 2004-04-01 2005-10-20 Shibaura Electronics Co Ltd 高温用サーミスタ
JP2007269531A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Kyoto Univ 鉛フリー低融点ガラス及びその製造方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013102032A (ja) * 2011-11-08 2013-05-23 Honda Motor Co Ltd ガラス封止型サーミスタとその製造方法
JP2016029357A (ja) * 2014-07-24 2016-03-03 株式会社デンソー 温度センサ
US9958340B2 (en) 2014-07-24 2018-05-01 Denso Corporation Temperature sensor
US20160025574A1 (en) * 2014-07-28 2016-01-28 Denso Corporation Temperature sensor
JP2016031258A (ja) * 2014-07-28 2016-03-07 株式会社デンソー 温度センサ
US9945732B2 (en) 2014-07-28 2018-04-17 Denso Corporation Temperature sensor
US20160033337A1 (en) * 2014-07-31 2016-02-04 Denso Corporation Temperature sensor
JP2016035446A (ja) * 2014-07-31 2016-03-17 株式会社デンソー 温度センサ
US10072987B2 (en) 2014-07-31 2018-09-11 Denso Corporation Temperature sensor

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