JP2011227332A - 半導体装置の製造方法、半導体ウエハの製造方法及び反射型液晶装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】溝部と画素電極とにおける段差が小さい反射型液晶表示用半導体装置を提供する。
【解決手段】液晶素子が搭載される半導体装置の製造方法において、半導体素子が形成されている半導体基板上に画素電極となる金属膜を形成する工程と、前記金属膜上に第1の酸化シリコン膜を形成する工程と、前記第1の酸化シリコン膜とともに前記金属膜を分離し前記画素電極を形成するための溝を形成する工程と、前記溝及び前記第1の酸化シリコン膜上に第2の酸化シリコン膜を形成する工程と、前記第2の酸化シリコン膜及び前記第1の酸化シリコン膜をエッチバックする工程と、前記エッチバックされた面に第3の酸化シリコン膜を形成する工程と、前記第3の酸化シリコン膜をエッチバックし、前記画素電極を露出させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。
【選択図】 図3
【解決手段】液晶素子が搭載される半導体装置の製造方法において、半導体素子が形成されている半導体基板上に画素電極となる金属膜を形成する工程と、前記金属膜上に第1の酸化シリコン膜を形成する工程と、前記第1の酸化シリコン膜とともに前記金属膜を分離し前記画素電極を形成するための溝を形成する工程と、前記溝及び前記第1の酸化シリコン膜上に第2の酸化シリコン膜を形成する工程と、前記第2の酸化シリコン膜及び前記第1の酸化シリコン膜をエッチバックする工程と、前記エッチバックされた面に第3の酸化シリコン膜を形成する工程と、前記第3の酸化シリコン膜をエッチバックし、前記画素電極を露出させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。
【選択図】 図3
Description
本発明は、半導体装置の製造方法、半導体ウエハの製造方法及び反射型液晶装置の製造方法に関するものである。
近年、画像を表示するための装置として様々な画像表示装置が存在している。このような画像表示装置として、低コストで比較的大面積な画像を表示することが可能な画像表示装置として、反射型液晶表示装置がある。図1に基づき反射型液晶表示装置について説明する。反射型液晶表示装置は、不図示のトランジスタ等が形成された反射型液晶表示用半導体装置110上に対向して、対向電極120が設けられており、反射型液晶表示用半導体装置110と対向電極120との間に液晶130が封入されている構造のものである。反射型液晶表示用半導体装置110において液晶130が封入されている側の面には、アルミニウム等からなる反射電極となる画素電極111が設けられており、対向電極120と画素電極111との間に電界を印加し、液晶130の制御を行う。このようにして、液晶130を制御することにより、対向電極120が設けられている側から入射した光の反射光を制御し、画像表示を行うものである。
反射型液晶表示用半導体装置110は、半導体基板上に不図示の複数のトランジスタが設けられており、これらの不図示の複数のトランジスタ上には複数の層間絶縁膜と配線を積層形成されており、最上部には画素電極111が形成された構造のものである。尚、画素電極111は層間絶縁膜112に設けられタングステンビア113により不図示のトランジスタと接続されている。このような反射型液晶表示用半導体装置110では、画素電極に印加される電圧は複数の不図示のトランジスタにより制御される。このような反射型液晶表示用半導体装置110は、反射型液晶表示装置を製造するために用いられるものであるが、反射型液晶表示装置を製造するための重要なキーパーツであり、単独で商品として流通している。このような反射型液晶表示用半導体装置110は、その性能または特性等により、反射型液晶表示装置における画質の性能等に大きく影響を与える場合がある。
このような反射型液晶表示用半導体装置の反射電極となる画素電極及び画素電極間における形状等は、作製される反射型液晶表示装置の特性に大きく影響を与えることが、知見として得られている。
ここで、図2に基づき反射型液晶表示用半導体装置の製造方法について説明する。最初に、図2(a)に示すように、半導体基板上に不図示のトランジスタ等を形成し、更に、層間絶縁膜を形成し、トランジスタと電気的に接続される画素電極111を形成するための金属膜111aを成膜する。金属膜111aはアルミニウムにより形成されており、スパッタリングにより、厚さが260nmとなるように形成される。
次に、図2(b)に示すように、金属膜111aの表面に、酸化シリコン膜142を形成する。この酸化シリコン膜142は、原料ガスとしてTEOS(Tetraethoxysilane)、O2ガスを用いて、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)により、厚さが約100nm形成する。酸化シリコン膜142を成膜する際の成膜温度は、370℃〜380℃である。
次に、図2(c)に示すように、金属膜111aを各々の画素ごとに分離するための溝143を形成する。この溝143は、RIE(Reactive Ion Etching)により形成する。具体的には、酸化シリコン膜142上にフォトレジストを塗布し、露光装置による露光、現像を行うことにより、溝143が形成される領域に開口部を有するレジストパターンを形成する。この後、RIEによりレジストパターンの形成されていない領域の酸化シリコン膜142及び金属膜111aを除去する。これにより、金属膜111aは、画素ごとに分離され、画素電極111が形成される。尚、画素電極111上には、酸化シリコン膜142が残存しており、この後、レジストパターンは除去される。
次に、図2(d)に示すように、酸化シリコン膜142の表面及び溝143を埋め込むように、酸化シリコン膜144を形成する。酸化シリコン膜144は、SiH4、O2、Arガスを用いて高密度プラズマCVDにより形成する。この方法により成膜された酸化シリコン膜144は十分に厚く成膜することができ、また、溝143を完全に埋め込むことができる。尚、酸化シリコン膜144を成膜する際の成膜温度は、約400℃である。この後、CMP(Chemical Mechanical Polishing)により酸化シリコン膜144の表面を平坦化することにより、厚さが約250nmとなる酸化シリコン膜144が形成される。
次に、図2(e)に示すように、ドライエッチングによるエッチバックにより、酸化シリコン膜142及び酸化シリコン膜144を除去する。このようにドライエッチングにより、画素電極111の表面に形成されている酸化シリコン膜142及び酸化シリコン膜144を完全に除去しようとした場合、溝143内に形成されている酸化シリコン膜144aはオーバーエッチングされてしまう。これにより、画素電極111の表面と溝143内における酸化シリコン膜144aとの間で段差が生じてしまう。
即ち、画素電極111上における酸化シリコン膜142及び酸化シリコン膜144を完全に除去しようとした場合、画素電極111の表面と溝143内における酸化シリコン膜144aの表面との間で、段差Aが生じてしまう。この段差Aは約70nmであり、このように、画素電極111と溝部143において、約70nmという大きな段差が生じてしまうと、画素電極111の表面と溝143内における酸化シリコン膜144aの表面に形成される配向膜に影響を与えてしまう。即ち、液晶の配向を揃えるために形成される配向膜が、段差部分において液晶の配向性に乱れを生じさせてしまうように形成されてしまう。このように配向膜が形成されると、反射型液晶表示装置において表示される画像の品質を低下させてしまう。
このため、画素電極111の表面と溝143に形成される酸化シリコン膜144aの表面とが、できるだけ平坦であって滑らか形状となるように形成することが可能な半導体装置の製造方法、半導体ウエハの製造方法及び反射型液晶装置の製造方法が望まれている。
本実施の形態の一観点によれば、反射型液晶表示装置を駆動するための反射型液晶表示用半導体装置の製造方法において、半導体基板上に画素電極となる金属膜を形成する工程と、前記金属膜上に第1の酸化シリコン膜を形成する工程と、前記第1の酸化シリコン膜とともに前記金属膜を分離し前記画素電極を形成するための溝を形成する工程と、前記溝及び前記第1の酸化シリコン膜上に第2の酸化シリコン膜を形成する工程と、前記第2の酸化シリコン膜及び前記第1の酸化シリコン膜をエッチバックする工程と、前記エッチバックされた面に第3の酸化シリコン膜を形成する工程と、前記第3の酸化シリコン膜をエッチバックし、前記画素電極を露出させる工程と、を有することを特徴とする。
また、本実施の形態の他の観点によれば、液晶素子が搭載される半導体ウエハの製造方法において、半導体素子が形成されている半導体基板上に画素電極となる金属膜を形成する工程と、前記金属膜上に第1の酸化シリコン膜を形成する工程と、前記第1の酸化シリコン膜とともに前記金属膜を分離し前記画素電極を形成するための溝を形成する工程と、前記溝及び前記第1の酸化シリコン膜上に第2の酸化シリコン膜を形成する工程と、前記第2の酸化シリコン膜及び前記第1の酸化シリコン膜をエッチバックする工程と、前記エッチバックされた面に第3の酸化シリコン膜を形成する工程と、前記第3の酸化シリコン膜をエッチバックし、前記画素電極を露出させる工程と、を有することを特徴とする。
また、本実施の形態の他の観点によれば、半導体装置上に液晶素子が搭載される反射型液晶表示装置の製造方法において、半導体素子が形成されている半導体基板上に画素電極となる金属膜を形成する工程と、前記金属膜上に第1の酸化シリコン膜を形成する工程と、前記第1の酸化シリコン膜とともに前記金属膜を分離し前記画素電極を形成するための溝を形成する工程と、前記溝及び前記第1の酸化シリコン膜上に第2の酸化シリコン膜を形成する工程と、前記第2の酸化シリコン膜及び前記第1の酸化シリコン膜をエッチバックする工程と、前記エッチバックされた面に第3の酸化シリコン膜を形成する工程と、前記第3の酸化シリコン膜をエッチバックし、前記画素電極を露出させる工程と、を有することを特徴とする。
開示の半導体装置の製造方法、半導体ウエハの製造方法及び反射型液晶装置の製造方法によれば、画素電極と画素電極に隣接する絶縁体層の表面とをできるだけ平坦であって、なめらかな形状となるように形成することができる。
発明を実施するための形態について、以下に説明する。
図2に示す場合に、段差が生じてしまう原因について検討を行った。この結果、酸化シリコン膜142と酸化シリコン膜144は同じ酸化シリコン膜であるが、エッチバックを行った際に、酸化シリコン膜142よりも酸化シリコン膜144の方が、エッチングレートが早いことがわかった。即ち、原料ガスとしてTEOS、O2ガスを用いて、プラズマCVDにより形成した酸化シリコン膜よりも、原料ガスとしてSiH4、O2、Arガスを用いて高密度プラズマCVDにより形成した酸化シリコン膜の方が、エッチバックおけるエッチングレートが早い。よって、酸化シリコン膜142と酸化シリコン膜144とを同一条件でエッチバックを行った場合には、酸化シリコン膜142の形成されている領域よりも、酸化シリコン膜144の形成されている領域の方が、より多くエッチングされてしまう。これにより溝部143において、段差が形成されてしまう。
次に、本実施の形態について説明する。本実施の形態は、反射型液晶表示用半導体装置の製造方法であり、図3に基づき説明する。
最初に、図3(a)に示すように、半導体ウエハである半導体基板上に不図示のトランジスタ等を形成し、更に、不図示の層間絶縁膜を形成し、不図示の層間絶縁膜上にトランジスタと電気的に接続される画素電極11を形成するための金属膜11aを成膜する。金属膜11aはアルミニウムまたは、アルミニウムを含む材料、アルミニウムを含む積層膜により形成されており、スパッタリング等による成膜方法により、厚さが約260nmとなるように形成される。
次に、図3(b)に示すように、金属膜11aの表面に、第1の酸化シリコン膜12を形成する。この第1の酸化シリコン膜12は、原料ガスとしてTEOS、O2ガスを用いて、プラズマCVDにより、約100nmの厚さの第1の酸化シリコン膜12を形成する。第1の酸化シリコン膜12を成膜する際の成膜温度は、370℃〜380℃である。
次に、図3(c)に示すように、金属膜11aを各々の画素ごとに分離し画素電極11を形成するための溝13を形成する。この溝13は、金属膜11aを厚さ方向に完全に分離するものであり、RIEにより形成する。具体的には、第1の酸化シリコン膜12上にフォトレジストを塗布し、露光装置による露光、現像を行うことにより、溝13が形成される領域に開口部を有するレジストパターンを形成する。この後、RIEによりレジストパターンの形成されていない領域の酸化シリコン膜12及び金属膜11aを除去する。金属膜11aは、これにより、画素ごとに分離され、画素電極11が形成される。この後、レジストパターンは除去される。
次に、図3(d)に示すように、第1の酸化シリコン膜12の表面及び溝13を埋め込むように、第2の酸化シリコン膜14を形成する。第2の酸化シリコン膜14は、原料ガスとして、SiH4、O2及びAr等の希ガスを用いて高密度プラズマCVDにより形成する。この方法により成膜された酸化シリコン膜14は十分に厚く成膜されるため、溝13を完全に埋め込むことができる。尚、酸化シリコン膜14を成膜する際の成膜温度は、約400℃である。この後、CMPにより第2の酸化シリコン膜14の表面を平坦化することにより、厚さが250nmの第2の酸化シリコン膜14を形成する。尚、第2の酸化シリコン膜14は、第1の酸化シリコン膜12の表面上等に形成されるため、第1の酸化シリコン膜12を成膜する際の成膜温度よりも、第2の酸化シリコン膜14を成膜する際の成膜温度を高くすることができる。
次に、図3(e)に示すように、エッチバックを行う。即ち、第1の酸化シリコン膜12及び第2の酸化シリコン膜14をドライエッチングにより除去する。この際、画素電極11の表面の第1の酸化シリコン膜12を完全に除去しようとすると、溝13内における第2の酸化シリコン膜14の一部も除去され、画素電極11の表面と溝13内における第2の酸化シリコン膜14aの表面との段差は大きくなってしまう。よって、画素電極11の表面において第1の酸化シリコン膜12が薄く残った状態、具体的には、画素電極11上における第1の酸化シリコン膜12の膜厚が10nm以下になったところで、エッチバックを停止する。この際、基板の全面において、第1の酸化シリコン膜12の膜厚が10nm以下であって、画素電極11の表面の全部または一部に残存している状態であることが好ましい。
即ち、本来エッチバックは、第1の酸化シリコン膜12を均一に除去し、画素電極11の表面を露出させることを目的とするものである。しかしながら、この段階で、画素電極11の表面の第1の酸化シリコン膜12を完全に除去してしまうまでエッチバックを行うと、画素電極11と溝13における段差が大きくなってしまう。言い換えれば、第1の酸化シリコン膜12よりも第2の酸化シリコン膜14の方がエッチングレートは早い。よって、画素電極11の表面の第1の酸化シリコン12を完全に除去した場合には、溝13における第2の酸化シリコン14aはより多くエッチングされるため、溝13に段差が形成されてしまう。このため、第1の酸化シリコン膜12の膜厚が10nm以下であって、画素電極11の表面の全部または一部に残存している状態でエッチバックを停止することにより、できるだけ段差Bが小さな状態で、次の工程に移行することが可能である。
次に、図3(f)に示すように、第3の酸化シリコン膜15を形成する。第3の酸化シリコン膜15は、第1の酸化シリコン膜12と同様の方法により形成する。即ち、原料ガスとしてTEOS、O2ガスを用いて、プラズマCVDにより、約100nmの厚さの第3の酸化シリコン膜15を形成する。この際、画素電極11の表面に形成される第3の酸化シリコン膜15と溝13内における第2の酸化シリコン14a上に形成される第3の酸化シリコン膜15の間の段差となる部分には、傾斜部分16が形成される。この傾斜部分16は、成膜の際のマイグレーション等の影響により、他の部分よりも若干厚く第3の酸化シリコン膜15が形成される。このため、この傾斜部分16は、段差が緩やかに変化するように、なだらかな形状となるように形成される。
次に、図3(g)に示すように、第3の酸化シリコン膜15及び第1の酸化シリコン膜14の残存していた部分をエッチバックにより除去する。これにより、画素電極11を露出させることができる。この際、溝13内にも第3の酸化シリコン膜15aが残存している。この第3の酸化シリコン膜15は、第2の酸化シリコン膜14よりもエッチバックを行った際のエッチングレートは遅いため、溝13内における第3の酸化シリコン膜15が、より多くエッチングされてしまうことはない。よって、画素電極11の表面の第1の酸化シリコン膜12及び第3の酸化シリコン膜15を除去した場合においても、溝13内には薄い第3の酸化シリコン膜15aが残存している。これにより、画素電極11の表面と溝13が形成されている領域における第3の酸化シリコン膜15aの表面との段差Cを20nm以下にすることができる。
また、傾斜部分16においては、第3の酸化シリコン膜15が厚く形成されているため、画素電極11の表面から溝13内における第3の酸化シリコン膜15の表面の段差は、なだらかに変化する形状に形成される。このため、エッチバックを行った後においても、溝内において傾斜部16aにおける第3の酸化シリコン膜15は残存し、画素電極11と溝13における段差がなだらかな形状となるように形成することができる。よって、急激な段差が形成されている場合に比べて、配向膜に与える影響を軽減させることができる。これにより、段差による影響を極力抑えることができ、反射型液晶表示装置において、高画質の表示を行うことのできる反射型液晶表示用半導体装置を作製することができる。
このようにして作製された反射型液晶表示用半導体装置の上面図を図4に、断面図を図5に示す。各々の画素電極11は、反射型液晶表示装置における画素となるものであり、略正方形状に形成されており、反射型液晶表示用半導体装置では、この画素電極11が2次元的に配列されている。隣接する画素電極11間には、第3の酸化シリコン膜15a及び第2の酸化シリコン膜14aからなる絶縁領域17が形成されている。また、図3に示される画素電極11は、半導体基板上の最上部に形成されるものである。即ち、半導体基板上には不図示の半導体素子であるトランジスタが形成されており、更に、このトランジスタ上には、複数の配線と層間絶縁膜が形成されており、最上部の層間絶縁膜18上に画素電極11が形成される。尚、不図示のトランジスタ等の配線20と画素電極11とはタングステンビア19を介し接続されている。
このようにして製造された反射型液晶表示用半導体装置における画素電極11に対向して、不図示の対向電極を設け、画素電極11と対向電極との間に液晶を封入することにより、反射型液晶表示装置を製造することができる。
以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
上記の説明に関し、更に以下の付記を開示する。
(付記1)
液晶素子が搭載される半導体装置の製造方法において、
半導体素子が形成されている半導体基板上に画素電極となる金属膜を形成する工程と、
前記金属膜上に第1の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第1の酸化シリコン膜とともに前記金属膜を分離し前記画素電極を形成するための溝を形成する工程と、
前記溝及び前記第1の酸化シリコン膜上に第2の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第2の酸化シリコン膜及び前記第1の酸化シリコン膜をエッチバックする工程と、
前記エッチバックされた面に第3の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第3の酸化シリコン膜をエッチバックし、前記画素電極を露出させる工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記2)
前記第2の酸化シリコン膜を形成する工程後、前記第2の酸化シリコン膜の表面をCMPにより平坦化し
前記平坦化後に、前記第2の酸化シリコン膜及び前記第1の酸化シリコン膜をエッチバックする工程を行うことを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。
(付記3)
前記エッチバックは、ドライエッチングにより行うものであることを特徴とする付記1または2に記載の半導体装置の製造方法。
(付記4)
前記第3の酸化シリコン膜は前記第2の酸化シリコン膜よりも、エッチバックの際におけるエッチングレートが低いことを特徴とする付記1から3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
(付記5)
前記第2の酸化シリコン膜及び前記第1の酸化シリコン膜をエッチバックする工程は、前記画素電極上の第1の酸化シリコン膜の膜厚が、10nm以下の膜厚となるまで行うことを特徴とする付記1から4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
(付記6)
前記第2の酸化シリコン膜及び前記第1の酸化シリコン膜をエッチバックする工程の後、前記画素電極の表面の全部または一部において、第1の酸化シリコン膜が残存していることを特徴とする付記5に記載の半導体装置の製造方法。
(付記7)
液晶素子が搭載される半導体ウエハの製造方法において、
半導体素子が形成されている半導体基板上に画素電極となる金属膜を形成する工程と、
前記金属膜上に第1の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第1の酸化シリコン膜とともに前記金属膜を分離し前記画素電極を形成するための溝を形成する工程と、
前記溝及び前記第1の酸化シリコン膜上に第2の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第2の酸化シリコン膜及び前記第1の酸化シリコン膜をエッチバックする工程と、
前記エッチバックされた面に第3の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第3の酸化シリコン膜をエッチバックし、前記画素電極を露出させる工程と、
を有することを特徴とする半導体ウエハの製造方法。
(付記8)
前記第3の酸化シリコン膜は前記第2の酸化シリコン膜よりも、エッチバックの際におけるエッチングレートが低いことを特徴とする付記7に記載の半導体ウエハの製造方法。
(付記9)
半導体装置上に液晶素子が搭載される反射型液晶表示装置の製造方法において、
半導体素子が形成されている半導体基板上に画素電極となる金属膜を形成する工程と、
前記金属膜上に第1の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第1の酸化シリコン膜とともに前記金属膜を分離し前記画素電極を形成するための溝を形成する工程と、
前記溝及び前記第1の酸化シリコン膜上に第2の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第2の酸化シリコン膜及び前記第1の酸化シリコン膜をエッチバックする工程と、
前記エッチバックされた面に第3の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第3の酸化シリコン膜をエッチバックし、前記画素電極を露出させる工程と、
を有することを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。
(付記10)
前記第3の酸化シリコン膜は前記第2の酸化シリコン膜よりも、エッチバックの際におけるエッチングレートが低いことを特徴とする付記9に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
(付記1)
液晶素子が搭載される半導体装置の製造方法において、
半導体素子が形成されている半導体基板上に画素電極となる金属膜を形成する工程と、
前記金属膜上に第1の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第1の酸化シリコン膜とともに前記金属膜を分離し前記画素電極を形成するための溝を形成する工程と、
前記溝及び前記第1の酸化シリコン膜上に第2の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第2の酸化シリコン膜及び前記第1の酸化シリコン膜をエッチバックする工程と、
前記エッチバックされた面に第3の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第3の酸化シリコン膜をエッチバックし、前記画素電極を露出させる工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記2)
前記第2の酸化シリコン膜を形成する工程後、前記第2の酸化シリコン膜の表面をCMPにより平坦化し
前記平坦化後に、前記第2の酸化シリコン膜及び前記第1の酸化シリコン膜をエッチバックする工程を行うことを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。
(付記3)
前記エッチバックは、ドライエッチングにより行うものであることを特徴とする付記1または2に記載の半導体装置の製造方法。
(付記4)
前記第3の酸化シリコン膜は前記第2の酸化シリコン膜よりも、エッチバックの際におけるエッチングレートが低いことを特徴とする付記1から3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
(付記5)
前記第2の酸化シリコン膜及び前記第1の酸化シリコン膜をエッチバックする工程は、前記画素電極上の第1の酸化シリコン膜の膜厚が、10nm以下の膜厚となるまで行うことを特徴とする付記1から4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
(付記6)
前記第2の酸化シリコン膜及び前記第1の酸化シリコン膜をエッチバックする工程の後、前記画素電極の表面の全部または一部において、第1の酸化シリコン膜が残存していることを特徴とする付記5に記載の半導体装置の製造方法。
(付記7)
液晶素子が搭載される半導体ウエハの製造方法において、
半導体素子が形成されている半導体基板上に画素電極となる金属膜を形成する工程と、
前記金属膜上に第1の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第1の酸化シリコン膜とともに前記金属膜を分離し前記画素電極を形成するための溝を形成する工程と、
前記溝及び前記第1の酸化シリコン膜上に第2の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第2の酸化シリコン膜及び前記第1の酸化シリコン膜をエッチバックする工程と、
前記エッチバックされた面に第3の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第3の酸化シリコン膜をエッチバックし、前記画素電極を露出させる工程と、
を有することを特徴とする半導体ウエハの製造方法。
(付記8)
前記第3の酸化シリコン膜は前記第2の酸化シリコン膜よりも、エッチバックの際におけるエッチングレートが低いことを特徴とする付記7に記載の半導体ウエハの製造方法。
(付記9)
半導体装置上に液晶素子が搭載される反射型液晶表示装置の製造方法において、
半導体素子が形成されている半導体基板上に画素電極となる金属膜を形成する工程と、
前記金属膜上に第1の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第1の酸化シリコン膜とともに前記金属膜を分離し前記画素電極を形成するための溝を形成する工程と、
前記溝及び前記第1の酸化シリコン膜上に第2の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第2の酸化シリコン膜及び前記第1の酸化シリコン膜をエッチバックする工程と、
前記エッチバックされた面に第3の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第3の酸化シリコン膜をエッチバックし、前記画素電極を露出させる工程と、
を有することを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。
(付記10)
前記第3の酸化シリコン膜は前記第2の酸化シリコン膜よりも、エッチバックの際におけるエッチングレートが低いことを特徴とする付記9に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
11a 金属膜
11 画素電極
12 第1の酸化シリコン膜
13 溝
14 第2の酸化シリコン膜
14a 第2の酸化シリコン膜
15 第3の酸化シリコン膜
15a 第3の酸化シリコン膜
16 傾斜部分
17 絶縁領域
18 層間絶縁膜
19 タングステンビア
20 配線
11 画素電極
12 第1の酸化シリコン膜
13 溝
14 第2の酸化シリコン膜
14a 第2の酸化シリコン膜
15 第3の酸化シリコン膜
15a 第3の酸化シリコン膜
16 傾斜部分
17 絶縁領域
18 層間絶縁膜
19 タングステンビア
20 配線
Claims (6)
- 液晶素子が搭載される半導体装置の製造方法において、
半導体素子が形成されている半導体基板上に画素電極となる金属膜を形成する工程と、
前記金属膜上に第1の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第1の酸化シリコン膜とともに前記金属膜を分離し前記画素電極を形成するための溝を形成する工程と、
前記溝及び前記第1の酸化シリコン膜上に第2の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第2の酸化シリコン膜及び前記第1の酸化シリコン膜をエッチバックする工程と、
前記エッチバックされた面に第3の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第3の酸化シリコン膜をエッチバックし、前記画素電極を露出させる工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2の酸化シリコン膜を形成する工程後、前記第2の酸化シリコン膜の表面をCMPにより平坦化し
前記平坦化後に、前記第2の酸化シリコン膜及び前記第1の酸化シリコン膜をエッチバックする工程を行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記エッチバックは、ドライエッチングにより行うものであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第3の酸化シリコン膜は前記第2の酸化シリコン膜よりも、エッチバックの際におけるエッチングレートが低いことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 液晶素子が搭載される半導体ウエハの製造方法において、
半導体素子が形成されている半導体基板上に画素電極となる金属膜を形成する工程と、
前記金属膜上に第1の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第1の酸化シリコン膜とともに前記金属膜を分離し前記画素電極を形成するための溝を形成する工程と、
前記溝及び前記第1の酸化シリコン膜上に第2の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第2の酸化シリコン膜及び前記第1の酸化シリコン膜をエッチバックする工程と、
前記エッチバックされた面に第3の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第3の酸化シリコン膜をエッチバックし、前記画素電極を露出させる工程と、
を有することを特徴とする半導体ウエハの製造方法。 - 半導体装置上に液晶素子が搭載される反射型液晶表示装置の製造方法において、
半導体素子が形成されている半導体基板上に画素電極となる金属膜を形成する工程と、
前記金属膜上に第1の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第1の酸化シリコン膜とともに前記金属膜を分離し前記画素電極を形成するための溝を形成する工程と、
前記溝及び前記第1の酸化シリコン膜上に第2の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第2の酸化シリコン膜及び前記第1の酸化シリコン膜をエッチバックする工程と、
前記エッチバックされた面に第3の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第3の酸化シリコン膜をエッチバックし、前記画素電極を露出させる工程と、
を有することを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。
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---|---|---|---|
JP2010097715A JP2011227332A (ja) | 2010-04-21 | 2010-04-21 | 半導体装置の製造方法、半導体ウエハの製造方法及び反射型液晶装置の製造方法 |
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004311489A (ja) * | 2003-04-02 | 2004-11-04 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2006350148A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Victor Co Of Japan Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
-
2010
- 2010-04-21 JP JP2010097715A patent/JP2011227332A/ja active Pending
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