JP2011214024A - Circuit board provided with support frame and method for manufacturing the same - Google Patents

Circuit board provided with support frame and method for manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
JP2011214024A
JP2011214024A JP2010080764A JP2010080764A JP2011214024A JP 2011214024 A JP2011214024 A JP 2011214024A JP 2010080764 A JP2010080764 A JP 2010080764A JP 2010080764 A JP2010080764 A JP 2010080764A JP 2011214024 A JP2011214024 A JP 2011214024A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
support frame
layer
circuit board
plating
insulating layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010080764A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5494128B2 (en
Inventor
Kentaro Matsuyama
健太郎 松山
Takeshi Yamazaki
剛 山嵜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP2010080764A priority Critical patent/JP5494128B2/en
Publication of JP2011214024A publication Critical patent/JP2011214024A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5494128B2 publication Critical patent/JP5494128B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a circuit board provided with a support frame, which does not need to form and remove a resist mask when forming a plating part, can suppress a leak of a plating liquid, can reduce a dispersion of the thickness of the plating part and has little loss of plating.SOLUTION: The circuit board provided with the support frame includes a circuit board 10 which is integrated with the support frame 11 in an internal opening region 12 of the support frame 11. The circuit board 10 includes: a metal support substrate 1; an insulating layer 2 formed on the metal support substrate 1; a wiring layer 3 formed on the insulating layer 2; a cover layer 4 which covers the wiring layer 3 and the insulating layer 2; and the plating part 6 formed on the surface of the wiring layer 3 which is not covered with the cover layer 4. The support frame 11 includes: the metal support substrate 1; the insulating layer 2 formed on the metal support substrate 1; a conductor layer 7 formed on the insulating layer 2; and a protective layer 8 which is formed on the conductor layer 7 and is constituted by the same material as that of the cover layer 4.

Description

本発明は、めっき部形成時におけるレジストマスクの形成・剥離が不要であり、めっき漏れを抑制でき、めっき部の厚さのバラつきを低減し、かつ、めっきロスの少ない支持枠付回路基板に関する。   The present invention relates to a circuit board with a support frame that does not require the formation or peeling of a resist mask when forming a plating part, can suppress plating leakage, reduces the variation in the thickness of the plating part, and has a small plating loss.

例えば、HDD(ハードディスクドライブ)に用いられる回路基板として、磁気ヘッドスライダ等の素子を実装するサスペンション用基板が知られている。サスペンション用基板は、例えば図9に示すように、ヘッド部側に形成され、素子を実装する素子実装領域101と、テール部側に形成され、外部回路基板との接続を行う外部回路基板接続領域102と、素子実装領域101および外部回路基板接続領域102の間を電気的に接続する配線層103(103a〜103d)と、を有する。   For example, a suspension board on which elements such as a magnetic head slider are mounted is known as a circuit board used in an HDD (Hard Disk Drive). For example, as shown in FIG. 9, the suspension substrate is formed on the head portion side, and an element mounting region 101 for mounting the elements, and an external circuit substrate connection region formed on the tail portion side for connection to the external circuit substrate. 102 and a wiring layer 103 (103a to 103d) for electrically connecting the element mounting region 101 and the external circuit board connection region 102.

サスペンション用基板の製造では、図10に示すように、まず複数のサスペンション用基板110と支持枠111とが一体化しているシート(支持枠付サスペンション用基板)を作製する。その後、サスペンション用基板110を支持枠111から切り離し、個片のサスペンション用基板110を得る。   In manufacturing the suspension substrate, as shown in FIG. 10, first, a sheet (suspension substrate with a support frame) in which a plurality of suspension substrates 110 and a support frame 111 are integrated is manufactured. Thereafter, the suspension substrate 110 is separated from the support frame 111 to obtain a single suspension substrate 110.

また、サスペンション用基板は、通常、金属支持基板(例えばSUS)、絶縁層(例えばポリイミド樹脂)、配線層(例えばCu)がこの順に積層された基本構造を有する。さらに、配線層の一部には、通常、めっき部が形成される。このめっき部は、例えば、素子や外部回路との接続を行う端子部に形成される。めっき部は、例えば電解めっき法により形成できるが、不要な部分にめっきが形成されることを防ぐために、めっきマスクを用いる必要がある。   The suspension substrate usually has a basic structure in which a metal support substrate (for example, SUS), an insulating layer (for example, polyimide resin), and a wiring layer (for example, Cu) are laminated in this order. Furthermore, a plating part is usually formed in a part of the wiring layer. This plating part is formed in the terminal part which connects with an element or an external circuit, for example. The plated portion can be formed by, for example, an electrolytic plating method, but it is necessary to use a plating mask in order to prevent plating from being formed on unnecessary portions.

めっき部の形成方法の一例としては、ドライフィルムレジスト(DFR)を用いたパターンめっきがある。この方法は、DFRをラミネート・露光・現像(場合によっては現像後に熱硬化)することにより、めっきマスクを形成し、めっきを行う方法である。また、めっき部の形成方法の他の例としては、治具を用いたパターンめっき(治具めっき)がある。この方法は、所定のパターンに形成した治具(めっきマスク)を、対象物に張り合わせて、めっきを行う方法である。また、めっき部の形成方法のさらに他の例としては、カバー層を用いたパターンめっきがある。この方法は、配線層を覆うカバー層をめっきマスクとして用いて、めっきを行う方法であり、例えば特許文献1の図4、5に記載されている。   As an example of the method for forming the plating portion, there is pattern plating using a dry film resist (DFR). This method is a method in which plating is performed by forming a plating mask by laminating, exposing, and developing (in some cases, thermosetting after development) DFR. Another example of the method for forming the plated portion is pattern plating (jig plating) using a jig. This method is a method in which a jig (plating mask) formed in a predetermined pattern is attached to an object to perform plating. Still another example of the method for forming the plating portion is pattern plating using a cover layer. This method is a method of performing plating by using a cover layer that covers the wiring layer as a plating mask, and is described in FIGS.

特開2008−310946号公報JP 2008-310946 A

上述した3つのパターンめっきの方法には、それぞれ以下のような欠点がある。まず、DFRを用いたパターンめっきでは、めっきマスク形成のために、ラミネート工程、露光工程および現像工程等が必要になり、めっき部を形成した後に、めっきマスクを剥離する剥離工程が必要になり、工程数が増加するという問題がある。次に、治具を用いたパターンめっきでは、治具(めっきマスク)と対象物との密着性が低いため、めっき液が漏れやすいという問題がある。次に、カバー層を用いたパターンめっきでは、回路基板を支持する支持枠(上記図10における支持枠111)の表面に、余分なめっきが形成されてしまうので、めっきロスが大きくなり、特に貴金属めっきではコストの増大が顕著になるという問題がある。また、支持枠にめっきが形成されることでめっき部の厚さのバラつきが大きくなってしまうという問題がある。なお、カバー層を用いたパターンめっきに対して、DFRを用いたパターンめっき、または治具を用いたパターンめっきを組み合わせることも可能であるが、前者の場合は工程数が増加するという問題が残り、後者の場合はめっき漏れが生じやすいという問題が残る。   The three pattern plating methods described above have the following drawbacks. First, in pattern plating using DFR, a lamination process, an exposure process, a development process, and the like are required for forming a plating mask, and after forming a plating portion, a peeling process for peeling the plating mask is required. There is a problem that the number of processes increases. Next, pattern plating using a jig has a problem that the plating solution is likely to leak because the adhesion between the jig (plating mask) and the object is low. Next, in pattern plating using a cover layer, excess plating is formed on the surface of the support frame (the support frame 111 in FIG. 10) that supports the circuit board. There is a problem that the increase in cost becomes remarkable in plating. Moreover, there is a problem in that the thickness of the plated portion varies greatly due to the plating formed on the support frame. It is possible to combine pattern plating using a cover layer with pattern plating using DFR or pattern plating using a jig. However, in the former case, there remains a problem that the number of steps increases. In the latter case, there remains a problem that plating leakage is likely to occur.

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、めっき部形成時におけるレジストマスクの形成・剥離が不要であり、めっき漏れを抑制でき、めっき部の厚さのバラつきを低減し、かつ、めっきロスの少ない支持枠付回路基板を提供することを主目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and does not require the formation or peeling of a resist mask during the formation of a plating part, can suppress plating leakage, reduce the variation in the thickness of the plating part, and The main object of the present invention is to provide a circuit board with a support frame with little plating loss.

上記課題を解決するために、本発明においては、回路基板と、支持枠とを有し、上記支持枠の内部開口領域で上記回路基板および上記支持枠が一体化している支持枠付回路基板であって、上記回路基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層および上記絶縁層を覆うカバー層と、上記カバー層に覆われていない配線層の表面上に形成されためっき部とを有し、上記支持枠は、上記金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された上記絶縁層と、上記絶縁層上に形成された導体層と、上記導体層上に形成され、上記カバー層と同一の材料から構成される保護層とを有することを特徴とする支持枠付回路基板を提供する。   In order to solve the above problems, in the present invention, a circuit board with a support frame having a circuit board and a support frame, wherein the circuit board and the support frame are integrated in an internal opening region of the support frame. The circuit board includes a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a wiring layer formed on the insulating layer, and a cover layer covering the wiring layer and the insulating layer. A plating portion formed on the surface of the wiring layer not covered with the cover layer, and the support frame includes the metal support substrate and the insulating layer formed on the metal support substrate; Provided is a circuit board with a support frame, comprising: a conductor layer formed on the insulating layer; and a protective layer formed on the conductor layer and made of the same material as the cover layer.

本発明によれば、支持枠の導体層上に、カバー層と同一の材料から構成される保護層を設けることにより、めっき部形成時におけるレジストマスクの形成・剥離が不要であり、めっき漏れを抑制でき、めっき部の厚さのバラつきを低減し、かつ、めっきロスの少ない支持枠付回路基板とすることができる。   According to the present invention, by providing a protective layer made of the same material as the cover layer on the conductor layer of the support frame, it is not necessary to form and remove a resist mask when forming the plating portion, and plating leakage is prevented. It is possible to suppress the variation in the thickness of the plating portion, and it is possible to obtain a circuit board with a support frame with little plating loss.

上記発明においては、上記回路基板が、サスペンション用基板であることが好ましい。   In the above invention, the circuit board is preferably a suspension board.

上記発明においては、上記保護層が、少なくとも上記支持枠の内部開口領域に沿って形成されていることが好ましい。治具めっきとの組み合わせが容易になるからである。   In the said invention, it is preferable that the said protective layer is formed along the internal opening area | region of the said support frame at least. This is because the combination with jig plating becomes easy.

上記発明においては、上記カバー層および上記保護層の材料がポリイミド樹脂であることが好ましい。耐薬品性に優れているからである。   In the said invention, it is preferable that the material of the said cover layer and the said protective layer is a polyimide resin. This is because it has excellent chemical resistance.

また、本発明においては、回路基板と、支持枠とを有し、上記支持枠の内部開口領域で上記回路基板および上記支持枠が一体化している支持枠付回路基板の製造方法であって、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層および導体層と、を有する積層体を準備する積層体準備工程と、同一の材料を用いて、上記配線層および上記絶縁層を覆うカバー層を形成し、かつ、上記導体層上に保護層を形成するカバー層−保護層形成工程と、上記カバー層に覆われていない配線層の表面上にめっき部を形成するめっき部形成工程と、を有することを特徴とする支持枠付回路基板の製造方法を提供する。   Further, in the present invention, there is provided a method for manufacturing a circuit board with a support frame, comprising a circuit board and a support frame, wherein the circuit board and the support frame are integrated in an internal opening region of the support frame, A laminate preparation step of preparing a laminate having a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, and a wiring layer and a conductor layer formed on the insulating layer, and the same material Forming a cover layer that covers the wiring layer and the insulating layer, and forming a protective layer on the conductor layer; a protective layer forming step; and a wiring layer that is not covered by the cover layer. And a plating part forming step of forming a plating part on the surface. A method of manufacturing a circuit board with a supporting frame is provided.

本発明によれば、支持枠の導体層上に、カバー層と同一の材料から構成される保護層を設けることにより、めっき部形成時におけるレジストマスクの形成・剥離が不要であり、めっき漏れを抑制でき、めっき部の厚さのバラつきを低減し、かつ、めっきロスの少ない支持枠付回路基板を得ることができる。   According to the present invention, by providing a protective layer made of the same material as the cover layer on the conductor layer of the support frame, it is not necessary to form and remove a resist mask when forming the plating portion, and plating leakage is prevented. It is possible to obtain a circuit board with a support frame that can be suppressed, the variation in the thickness of the plating portion is reduced, and the plating loss is small.

上記発明においては、上記回路基板が、サスペンション用基板であることが好ましい。   In the above invention, the circuit board is preferably a suspension board.

上記発明においては、上記保護層を、少なくとも上記支持枠の内部開口領域に沿って形成することが好ましい。治具めっきとの組み合わせが容易になるからである。   In the said invention, it is preferable to form the said protective layer along the internal opening area | region of the said support frame at least. This is because the combination with jig plating becomes easy.

上記発明においては、上記カバー層および上記保護層の材料がポリイミド樹脂であることが好ましい。耐薬品性に優れているからである。   In the said invention, it is preferable that the material of the said cover layer and the said protective layer is a polyimide resin. This is because it has excellent chemical resistance.

本発明の支持枠付回路基板は、めっき部形成時におけるレジストマスクの形成・剥離が不要であり、めっき漏れを抑制でき、めっき部の厚さのバラつきを低減し、かつ、めっきロスが少ないという効果を奏する。   The circuit board with a support frame of the present invention does not require the formation or peeling of a resist mask when forming a plating portion, can suppress plating leakage, reduces variations in the thickness of the plating portion, and has a small plating loss. There is an effect.

本発明の支持枠付回路基板の一例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the circuit board with a support frame of this invention. 本発明の支持枠付回路基板を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the circuit board with a support frame of this invention. 図2(a)からカバー層4および保護層8を除いた概略平面図である。FIG. 3 is a schematic plan view in which a cover layer 4 and a protective layer 8 are removed from FIG. 治具を用いたパターンめっきを説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining pattern plating using a jig | tool. 本発明の支持枠付回路基板を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the circuit board with a support frame of this invention. 本発明の支持枠付回路基板を説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining the circuit board with a support frame of this invention. 本発明の支持枠付回路基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the circuit board with a support frame of this invention. 実施例1および比較例1で得られた支持枠付回路基板のめっき厚の分布を示すグラフである。It is a graph which shows distribution of the plating thickness of the circuit board with a support frame obtained in Example 1 and Comparative Example 1. サスペンション用基板を説明する概略平面図である。It is a schematic plan view explaining a suspension substrate. 支持枠付サスペンション用基板を説明する概略平面図である。It is a schematic plan view explaining a suspension substrate with a support frame.

以下、本発明の支持枠付回路基板、および支持枠付回路基板の製造方法について詳細に説明する。   Hereinafter, the circuit board with a support frame and the method for manufacturing the circuit board with a support frame of the present invention will be described in detail.

A.支持枠付回路基板
本発明の支持枠付回路基板は、回路基板と、支持枠とを有し、上記支持枠の内部開口領域で上記回路基板および上記支持枠が一体化している支持枠付回路基板であって、上記回路基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層および上記絶縁層を覆うカバー層と、上記カバー層に覆われていない配線層の表面上に形成されためっき部とを有し、上記支持枠は、上記金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された上記絶縁層と、上記絶縁層上に形成された導体層と、上記導体層上に形成され、上記カバー層と同一の材料から構成される保護層とを有することを特徴とするものである。
A. Circuit board with support frame The circuit board with support frame of the present invention has a circuit board and a support frame, and the circuit with support frame in which the circuit board and the support frame are integrated in an internal opening region of the support frame. The circuit board includes a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a wiring layer formed on the insulating layer, and a cover that covers the wiring layer and the insulating layer. And a plating part formed on the surface of the wiring layer not covered with the cover layer, and the support frame includes the metal support substrate and the insulating layer formed on the metal support substrate. And a conductive layer formed on the insulating layer, and a protective layer formed on the conductive layer and made of the same material as the cover layer.

図1は、本発明の支持枠付回路基板の一例を示す概略平面図である。なお、便宜上、カバー層および保護層の記載は省略している。図1に示される支持枠付回路基板20は、複数の回路基板10と支持枠11とを有し、支持枠11の内部開口領域12で、複数の回路基板10と支持枠11とが一体化しているものである。   FIG. 1 is a schematic plan view showing an example of a circuit board with a support frame of the present invention. For convenience, the description of the cover layer and the protective layer is omitted. A circuit board 20 with a support frame shown in FIG. 1 has a plurality of circuit boards 10 and a support frame 11, and the plurality of circuit boards 10 and the support frame 11 are integrated in an internal opening region 12 of the support frame 11. It is what.

図2(a)は図1における領域Xの拡大図であり、図2(b)は図2(a)のA−A断面図である。図2(a)、(b)に示すように、本発明における回路基板10は、金属支持基板1と、金属支持基板1上に形成された絶縁層2と、絶縁層上に形成された配線層3と、配線層3および絶縁層2を覆うカバー層4と、配線層3の一部である端子部5と、端子部5の表面に形成されためっき部6とを有するものである。また、本発明における支持枠11は、金属支持基板1と、金属支持基板1上に形成された絶縁層2と、絶縁層2上に形成された導体層7と、導体層7上に形成され、カバー層4と同一の材料から構成される保護層8とを有するものである。   2A is an enlarged view of a region X in FIG. 1, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 2A. As shown in FIGS. 2A and 2B, a circuit board 10 according to the present invention includes a metal supporting board 1, an insulating layer 2 formed on the metal supporting board 1, and a wiring formed on the insulating layer. It has a layer 3, a cover layer 4 that covers the wiring layer 3 and the insulating layer 2, a terminal part 5 that is a part of the wiring layer 3, and a plating part 6 formed on the surface of the terminal part 5. The support frame 11 according to the present invention is formed on the metal support substrate 1, the insulating layer 2 formed on the metal support substrate 1, the conductor layer 7 formed on the insulating layer 2, and the conductor layer 7. The protective layer 8 is made of the same material as the cover layer 4.

一方、図3は、図2(a)からカバー層4および保護層8を除いた概略平面図である。図3に示すように、回路基板10の端子部5にめっきを形成するために、端子部5と、支持枠11の導体層7とは電気的に接続されている。導体層7にめっきが形成されることを防ぐためには、導体層7にめっきマスクを形成する必要があり、従来は、DFRや治具を用いていた。これに対して、本発明においては、カバー層と、カバー層と同一の材料から構成される保護層とを、めっきマスクとすることを大きな特徴としている。   On the other hand, FIG. 3 is a schematic plan view in which the cover layer 4 and the protective layer 8 are removed from FIG. As shown in FIG. 3, in order to form plating on the terminal portion 5 of the circuit board 10, the terminal portion 5 and the conductor layer 7 of the support frame 11 are electrically connected. In order to prevent the plating on the conductor layer 7, it is necessary to form a plating mask on the conductor layer 7. Conventionally, a DFR or a jig has been used. On the other hand, the present invention is characterized in that the cover layer and the protective layer made of the same material as the cover layer are used as plating masks.

本発明によれば、支持枠の導体層上に、カバー層と同一の材料から構成される保護層を設けることにより、めっき部形成時におけるレジストマスクの形成・剥離が不要であり、めっき漏れを抑制でき、めっき部の厚さのバラつきを低減し、かつ、めっきロスの少ない支持枠付回路基板とすることができる。   According to the present invention, by providing a protective layer made of the same material as the cover layer on the conductor layer of the support frame, it is not necessary to form and remove a resist mask when forming the plating portion, and plating leakage is prevented. It is possible to suppress the variation in the thickness of the plating portion, and it is possible to obtain a circuit board with a support frame with little plating loss.

本発明の支持枠付回路基板は、従来のパターンめっきに比べて、以下のような利点を有する。上述したように、従来のDFRを用いたパターンめっきでは、めっきマスク形成のために、ラミネート工程、露光工程および現像工程等が必要になり、めっき部を形成した後に、めっきマスクを剥離する剥離工程が必要になり、工程数が増加するという問題がある。これに対して、本発明においては、DFRを使用しないため、ラミネート、露光工程、現像工程および剥離工程が不要になり、工程の簡略化を図ることができる。   The circuit board with a support frame of the present invention has the following advantages over the conventional pattern plating. As described above, in conventional pattern plating using DFR, a lamination process, an exposure process, a development process, and the like are required for forming a plating mask. There is a problem that the number of processes increases. On the other hand, in this invention, since DFR is not used, a lamination, an exposure process, a development process, and a peeling process become unnecessary, and the process can be simplified.

また、従来のDFRを用いたパターンめっきでは、例えば電解Auめっきでシアン浴を用いた場合、DFRが密着を長時間保持できず、めっき時間に制約がかかるという問題がある。これに対して、本発明においては、保護層の材料として、カバー層と同一の材料を用いることから、従来のDFRに比べて、保護層(めっきマスク)の密着を長時間保持できる。カバー層の材料は、製品を製造する上で、めっき液で劣化しない程度の密着性(耐薬品性)を有することが必要であることから、そのカバー層と同一の材料を用いることで、密着性の高い保護層とすることができる。保護層の密着性を向上させることにより、めっき時間を長くすることが容易となり、低電流密度かつ長時間のめっきを行うことができる。その結果、めっき厚のバラつきを小さくすることができる。   Further, in the conventional pattern plating using DFR, for example, when a cyan bath is used for electrolytic Au plating, there is a problem that the DFR cannot maintain the adhesion for a long time and the plating time is restricted. On the other hand, in the present invention, since the same material as the cover layer is used as the material of the protective layer, the adhesion of the protective layer (plating mask) can be maintained for a long time compared to the conventional DFR. The material of the cover layer needs to have adhesiveness (chemical resistance) to the extent that it does not deteriorate with the plating solution when manufacturing the product. It can be set as a highly protective layer. By improving the adhesion of the protective layer, it becomes easy to lengthen the plating time, and plating with a low current density and a long time can be performed. As a result, the plating thickness variation can be reduced.

また、上述したように、従来の治具を用いたパターンめっきでは、治具(めっきマスク)と対象物との密着性が低いため、めっき液が漏れやすいという問題がある。この問題について図4を用いて説明する。治具を用いたパターンめっきでは、図4に示すように、パターンを形成した治具(めっきマスク)13を、めっきを形成する前の支持枠付回路基板20aに貼り付ける。その状態で、めっき液14を接触させることにより、端子部5にめっきを形成する。治具を用いたパターンめっきでは、支持枠の導体層7と、治具13との密着性が低いため、領域Yにおいて、めっき液が漏れやすく、支持枠の導体層7の端部に不要なめっきを形成してしまうという問題がある。これに対して、本発明においては、保護層の材料としてカバー層と同一の材料を用いることから、従来の治具を用いた場合に比べて、密着性を高くすることができ、めっき漏れを抑制することができる。   Further, as described above, pattern plating using a conventional jig has a problem that the plating solution is liable to leak because the adhesion between the jig (plating mask) and the object is low. This problem will be described with reference to FIG. In pattern plating using a jig, as shown in FIG. 4, a jig (plating mask) 13 on which a pattern is formed is affixed to a circuit board 20a with a support frame before plating is formed. In this state, plating is formed on the terminal portion 5 by bringing the plating solution 14 into contact therewith. In pattern plating using a jig, since the adhesion between the conductor layer 7 of the support frame and the jig 13 is low, the plating solution easily leaks in the region Y and is unnecessary at the end of the conductor layer 7 of the support frame. There is a problem of forming plating. On the other hand, in the present invention, since the same material as the cover layer is used as the material of the protective layer, the adhesion can be increased compared to the case where a conventional jig is used, and plating leakage is prevented. Can be suppressed.

また、従来の治具を用いたパターンめっきでは、治具自体がパターンの微細化に不向きであるという問題、および治具と対象物との位置合わせ精度が悪いという問題がある。これに対して、本発明においては、保護層の材料としてカバー層と同一の材料を用いることにより、微細化が容易になり、さらに、治具を用いる場合よりも位置合わせ精度を高くすることができる。また、治具めっきと組み合わせて、本発明の支持枠付回路基板を作製する場合、治具形状を簡略化することができるため、治具作製費用を削減できる。   Further, pattern plating using a conventional jig has a problem that the jig itself is not suitable for pattern miniaturization and a problem that the accuracy of alignment between the jig and the object is poor. On the other hand, in the present invention, by using the same material as the cover layer as the material of the protective layer, miniaturization is facilitated, and further, the alignment accuracy can be higher than in the case of using a jig. it can. Further, when the circuit board with a support frame of the present invention is manufactured in combination with jig plating, the jig shape can be simplified, so that the jig manufacturing cost can be reduced.

また、上述したように、カバー層を用いたパターンめっきでは、回路基板を支持する支持枠の表面に、余分なめっきが形成されてしまうので、めっきロスが大きくなり、特に貴金属めっきではコストの増大が顕著になるという問題がある。これに対して、本発明においては、支持枠の導体層の表面に保護層を形成することで、不要なめっきの形成を防止することができ、めっきロスを小さくすることができる。   In addition, as described above, in pattern plating using a cover layer, excessive plating is formed on the surface of the support frame that supports the circuit board, resulting in a large plating loss, and particularly in noble metal plating, an increase in cost. There is a problem that becomes prominent. On the other hand, in the present invention, by forming a protective layer on the surface of the conductor layer of the support frame, unnecessary plating can be prevented and plating loss can be reduced.

また、カバー層を用いたパターンめっきでは、支持枠のめっき領域が回路基板のめっき部の面積よりも格段に大きく、かつ、支持枠の配置が均一でないため、個々の回路基板の電流密度が変わり、めっき部の厚さのバラつきが大きくなるという問題がある。これに対して、本発明においては、めっき総面積における、回路基板のめっき部の面積の割合が高くなるため、回路基板のめっき厚のバラつきを小さくすることができる。   In pattern plating using a cover layer, the plating area of the support frame is much larger than the area of the plated portion of the circuit board, and the arrangement of the support frame is not uniform, so the current density of each circuit board changes. There is a problem that the variation in the thickness of the plated portion becomes large. On the other hand, in the present invention, since the ratio of the area of the plating portion of the circuit board to the total plating area is increased, the variation in the plating thickness of the circuit board can be reduced.

さらに、本発明においては、支持枠の導体層上に保護層を形成することにより、支持枠付回路基板全体の強度が向上するという利点を有する。また、支持枠の導体層上に保護層を形成することにより、その後の工程において、導体層に由来する異物の侵入、および導体層の溶け出しを抑制することができる。
以下、本発明の支持枠付回路基板について、支持枠付回路基板の部材と、支持枠付回路基板の構成とに分けて説明する。
Furthermore, in this invention, it has the advantage that the intensity | strength of the whole circuit board with a support frame improves by forming a protective layer on the conductor layer of a support frame. Moreover, by forming a protective layer on the conductor layer of the support frame, intrusion of foreign matters derived from the conductor layer and melting of the conductor layer can be suppressed in the subsequent steps.
Hereinafter, the circuit board with a support frame of the present invention will be described separately for the members of the circuit board with the support frame and the configuration of the circuit board with the support frame.

1.支持枠付回路基板の部材
まず、本発明の支持枠付回路基板の部材について説明する。本発明の支持枠付回路基板は、回路基板および支持枠を有するものである。また、回路基板は、金属支持基板、絶縁層、配線層、カバー層およびめっき部を有し、支持枠は、金属支持基板、絶縁層、導体層および保護層を有するものである。
1. First, members of the circuit board with a support frame of the present invention will be described. The circuit board with a support frame of the present invention has a circuit board and a support frame. The circuit board has a metal support board, an insulating layer, a wiring layer, a cover layer, and a plating part, and the support frame has a metal support board, an insulating layer, a conductor layer, and a protective layer.

回路基板および支持枠における金属支持基板の材料は、回路基板の用途に応じて適宜選択することが好ましい。回路基板がサスペンション用基板である場合、金属支持基板の材料は、ばね性を有する金属であることが好ましい。具体的にはSUS等を挙げることができる。また、金属支持基板の厚さは、その材料の種類により異なるものであるが、例えば10μm〜20μmの範囲内である。   The material of the metal support substrate in the circuit board and the support frame is preferably selected as appropriate according to the use of the circuit board. When the circuit board is a suspension board, the material of the metal support board is preferably a metal having a spring property. Specific examples include SUS. Moreover, although the thickness of a metal support substrate changes with kinds of the material, it exists in the range of 10 micrometers-20 micrometers, for example.

回路基板および支持枠における絶縁層は、それぞれ、金属支持基板上に形成されるものである。絶縁層の材料としては、例えばポリイミド樹脂(PI)等を挙げることができる。また、絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。絶縁層の厚さは、例えば5μm〜10μmの範囲内である。   The insulating layers in the circuit board and the support frame are each formed on the metal support board. Examples of the material for the insulating layer include polyimide resin (PI). In addition, the material of the insulating layer may be a photosensitive material or a non-photosensitive material. The thickness of the insulating layer is, for example, in the range of 5 μm to 10 μm.

回路基板における配線層は、絶縁層上に形成されるものである。配線層の材料としては、例えば金属を挙げることができ、中でも銅(Cu)が好ましい。また、配線層の厚さとしては、例えば5μm〜18μmの範囲内であり、中でも9μm〜12μmの範囲内であることが好ましい。   The wiring layer in the circuit board is formed on the insulating layer. Examples of the material for the wiring layer include metals, and copper (Cu) is preferable among them. The thickness of the wiring layer is, for example, in the range of 5 μm to 18 μm, and preferably in the range of 9 μm to 12 μm.

回路基板におけるめっき部は、カバー層に覆われていない配線層の表面上に形成されるものである。本発明においては、磁気ヘッド等の素子や、外部回路との接続を行う端子部にめっき部が形成されていることが好ましい。めっき部の種類は特に限定されるものではないが、例えば、Auめっき、Niめっき、Agめっき、Cuめっき等を挙げることができる。中でも、本発明においては、配線層の表面側から、NiめっきおよびAuめっきが形成されていることが好ましい。めっき部の厚さは、例えば0.1μm〜4.0μmの範囲内である。   The plating part in the circuit board is formed on the surface of the wiring layer not covered with the cover layer. In the present invention, it is preferable that a plating portion is formed in a terminal portion for connection to an element such as a magnetic head or an external circuit. Although the kind of plating part is not specifically limited, For example, Au plating, Ni plating, Ag plating, Cu plating etc. can be mentioned. Especially, in this invention, it is preferable that Ni plating and Au plating are formed from the surface side of the wiring layer. The thickness of the plating portion is, for example, in the range of 0.1 μm to 4.0 μm.

支持枠における導体層は、絶縁層上に形成されるものである。導体層の材料は、通常、配線層と同一の材料から構成されるものである。導体層の厚さの好ましい範囲は、配線層の厚さの好ましい範囲と同様である。中でも、本発明においては、導体層の厚さと、配線層の厚さとが同じであることが好ましい。   The conductor layer in the support frame is formed on the insulating layer. The material of the conductor layer is usually composed of the same material as the wiring layer. The preferable range of the thickness of the conductor layer is the same as the preferable range of the thickness of the wiring layer. In particular, in the present invention, the thickness of the conductor layer and the thickness of the wiring layer are preferably the same.

回路基板におけるカバー層は、配線層および絶縁層を覆うように形成されるものである。カバー層の材料および厚さは、特に限定されるものではないが、耐めっき性、回路基板の反り防止等の観点から以下のようなものが好ましい。カバー層の材料は例えば、樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂であることが好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。カバー層の厚さは、例えば2μm〜30μmの範囲内であることが好ましく、2μm〜10μmの範囲内であることがより好ましい。回路基板がサスペンション用基板である場合、上記範囲内であれば、フライングハイトコントロールに大きな影響を与えないからである。   The cover layer in the circuit board is formed so as to cover the wiring layer and the insulating layer. The material and thickness of the cover layer are not particularly limited, but the following are preferable from the viewpoints of plating resistance and prevention of circuit board warpage. Examples of the material for the cover layer include a resin, and among them, a polyimide resin is preferable. The material of the cover layer may be a photosensitive material or a non-photosensitive material. The thickness of the cover layer is preferably in the range of 2 μm to 30 μm, for example, and more preferably in the range of 2 μm to 10 μm. This is because when the circuit board is a suspension board, the flying height control is not greatly affected if the circuit board is within the above range.

本発明におけるポリイミド樹脂は、例えば、下記式(1)で示すことができる。   The polyimide resin in this invention can be shown by following formula (1), for example.

Figure 2011214024
Figure 2011214024

(Rは4価の有機基、Rは2価の有機基、RおよびRは、単一構造でもよく2種以上の組み合わせでもよい。nは1以上の自然数) (R 1 is a tetravalent organic group, R 2 is a divalent organic group, R 1 and R 2 may be a single structure or a combination of two or more types, n is a natural number of 1 or more)

式(1)において、一般に、Rは、テトラカルボン酸二無水物由来の構造であり、Rはジアミン由来の構造である。 In the formula (1), generally, R 1 is a structure derived from tetracarboxylic dianhydride, and R 2 is a structure derived from diamine.

テトラカルボン酸二無水物としては、例えば、ピロメリット酸二無水物、メロファン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,2’,3’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,6,6’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物を挙げることができる。   Examples of the tetracarboxylic dianhydride include pyromellitic dianhydride, merophanic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4. '-Biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3', 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,2 ', 3'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2' , 6,6′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) -1,1,1, Examples include 3,3,3-hexafluoropropane dianhydride and bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride.

芳香族のテトラカルボン酸二無水物を用いた場合、耐熱性に優れ、低線熱膨張係数を示すポリイミドとなるというメリットがある。従って、本発明においては、式(1)中のRのうち33モル%以上が、下記式(2)で表わされる構造であることが好ましい。 When an aromatic tetracarboxylic dianhydride is used, there is a merit that it becomes a polyimide having excellent heat resistance and a low linear thermal expansion coefficient. Therefore, in this invention, it is preferable that 33 mol% or more is a structure represented by following formula (2) among R < 1 > in Formula (1).

Figure 2011214024
Figure 2011214024

上記のような構造を有するポリイミド樹脂は、高耐熱、低線熱膨張率を示す。高耐熱、低線熱膨張率の観点からは、式(1)中のRのうち、50モル%以上が式(2)で表わされる構造であることがより好ましく、70モル%以上が式(2)で表わされる構造であることがさらに好ましい。 The polyimide resin having the structure as described above exhibits high heat resistance and low coefficient of linear thermal expansion. From the viewpoint of high heat resistance and low linear thermal expansion coefficient, it is more preferable that 50 mol% or more of R 1 in the formula (1) is a structure represented by the formula (2), and 70 mol% or more is the formula. The structure represented by (2) is more preferable.

一方、本発明におけるジアミン成分は、1種類のジアミン単独であっても良く、2種類以上のジアミンであっても良い。本発明におけるジアミンは特に限定されるものではない。また、本発明におけるジアミンは、2つ以上の芳香族環が単結合により結合し、2つ以上のアミノ基がそれぞれ別々の芳香族環上に直接又は置換基の一部として結合しているものであっても良い。このようなジアミンとしては、例えば下記式(3)に示すものを挙げることができる。   On the other hand, the diamine component in the present invention may be one kind of diamine alone or two or more kinds of diamines. The diamine in the present invention is not particularly limited. In the diamine according to the present invention, two or more aromatic rings are bonded by a single bond, and two or more amino groups are bonded to separate aromatic rings directly or as part of a substituent. It may be. As such a diamine, what is shown to following formula (3) can be mentioned, for example.

Figure 2011214024
Figure 2011214024

(aは0または1以上の自然数、アミノ基はベンゼン環同士の結合に対して、メタ位または、パラ位に結合する。)
式(3)で示されるジアミンとしては、具体的にはベンジジン等を挙げることができる。
(A is a natural number of 0 or 1 or more, and the amino group is bonded to the meta position or the para position with respect to the bond between the benzene rings.)
Specific examples of the diamine represented by the formula (3) include benzidine.

また、本発明においては、式(1)中のRのうち33モル%以上が下記式(4)で表わされる構造であることが好ましい。 Moreover, in this invention, it is preferable that 33 mol% or more is a structure represented by following formula (4) among R < 2 > in Formula (1).

Figure 2011214024
Figure 2011214024

(Rは2価の有機基、酸素原子、硫黄原子、又はスルホン基であり、RおよびRは1価の有機基、又はハロゲン原子である。) (R 3 is a divalent organic group, an oxygen atom, a sulfur atom, or a sulfone group, and R 4 and R 5 are a monovalent organic group or a halogen atom.)

上記のような構造を有する場合、最終的に得られるポリイミドの耐熱性が向上し、線熱膨張係数が小さくなる。高耐熱、低線熱膨張率の観点からは、式(1)中のRのうち、50モル%以上が式(4)で表わされる構造であることがより好ましく、70モル%以上が式(4)で表わされる構造であることがさらに好ましい。 When it has the above structure, the heat resistance of the polyimide finally obtained improves and a linear thermal expansion coefficient becomes small. From the viewpoint of high heat resistance and low linear thermal expansion coefficient, it is more preferable that 50 mol% or more of R 2 in the formula (1) is a structure represented by the formula (4), and 70 mol% or more is the formula. The structure represented by (4) is more preferable.

また、ポリイミド樹脂の吸湿膨張係数は、30ppm/%RH以下であることが好ましい。ポリイミド樹脂の熱膨張係数は、15ppm/℃〜30ppm/℃の範囲内であることが好ましい。   The hygroscopic expansion coefficient of the polyimide resin is preferably 30 ppm /% RH or less. The thermal expansion coefficient of the polyimide resin is preferably in the range of 15 ppm / ° C. to 30 ppm / ° C.

また、支持枠における保護層は、導体層上に形成され、カバー層と同一の材料から構成されるものである。保護層の厚さの好ましい範囲は、カバー層の厚さの好ましい範囲と同様である。中でも、本発明においては、保護層の厚さと、カバー層の厚さとが同じであることが好ましい。   The protective layer in the support frame is formed on the conductor layer and is made of the same material as the cover layer. The preferable range of the thickness of the protective layer is the same as the preferable range of the thickness of the cover layer. Especially, in this invention, it is preferable that the thickness of a protective layer and the thickness of a cover layer are the same.

2.支持枠付回路基板の構成
次に、本発明の支持枠付回路基板の構成について説明する。本発明の支持枠付回路基板は、回路基板と支持枠とを有し、支持枠の内部開口領域で回路基板および支持枠が一体化しているものである。本発明においては、図5(a)示すように、支持枠11が一つの内部開口領域12を有するものであっても良く、図5(b)示すように、支持枠11が二以上の内部開口領域12を有するものであっても良い。また、各内部開口領域12には、二以上の回路基板10を有することが好ましい。
2. Next, the configuration of the circuit board with a support frame of the present invention will be described. The circuit board with a support frame of the present invention includes a circuit board and a support frame, and the circuit board and the support frame are integrated in an internal opening region of the support frame. In the present invention, as shown in FIG. 5 (a), the support frame 11 may have one inner opening region 12, and as shown in FIG. 5 (b), the support frame 11 has two or more inner portions. It may have an opening region 12. Each internal opening region 12 preferably has two or more circuit boards 10.

また、保護層8は、支持枠の導体層にめっきが形成されることを防止するためのものであることから、めっきの形成防止の観点からは、保護層が導体層を覆う面積は大きい方が好ましい。支持枠の表面において、全面積に対する保護層の面積は、特に限定されるものではないが、例えば10%以上であることが好ましく、30%以上であることがより好ましく、50%以上であることがさらに好ましい。一方、本発明においては、給電のため、または、めっき厚のバラつき抑制のために、敢えて保護層から導体層を露出させ、めっき領域の面積、密度を調節しても良い。具体的には、図6(a)に示すように、給電のための導体層露出部15を設けても良く、図6(b)に示すように、めっき厚のバラつきを抑制するための導体層露出部16を設けても良い。なお、図6は、めっき部を形成する前の支持枠付回路基板の概略平面図である。   Further, since the protective layer 8 is for preventing plating from being formed on the conductor layer of the support frame, from the viewpoint of preventing the formation of plating, the area where the protective layer covers the conductor layer is larger. Is preferred. On the surface of the support frame, the area of the protective layer relative to the total area is not particularly limited, but is preferably 10% or more, more preferably 30% or more, and 50% or more, for example. Is more preferable. On the other hand, in the present invention, the area and density of the plating region may be adjusted by exposing the conductor layer from the protective layer in order to supply electric power or to suppress variations in plating thickness. Specifically, as shown in FIG. 6A, a conductor layer exposed portion 15 for power feeding may be provided, and as shown in FIG. 6B, a conductor for suppressing variation in plating thickness. A layer exposed portion 16 may be provided. FIG. 6 is a schematic plan view of the circuit board with a support frame before the plating portion is formed.

3.支持枠付回路基板
本発明における回路基板は、金属支持基板、絶縁層、配線層、端子部およびめっき部を有するものであれば、その用途は特に限定されるものではない。中でも、本発明における回路基板は、HDDに用いられるサスペンション用基板であることが好ましい。
3. Circuit board with support frame The use of the circuit board in the present invention is not particularly limited as long as it has a metal support substrate, an insulating layer, a wiring layer, a terminal portion, and a plating portion. Especially, it is preferable that the circuit board in this invention is a board | substrate for suspension used for HDD.

B.支持枠付回路基板の製造方法
次に、本発明の支持枠付回路基板の製造方法について説明する。本発明の支持枠付回路基板の製造方法は、回路基板と、支持枠とを有し、上記支持枠の内部開口領域で上記回路基板および上記支持枠が一体化している支持枠付回路基板の製造方法であって、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層および導体層と、を有する積層体を準備する積層体準備工程と、同一の材料を用いて、上記配線層および上記絶縁層を覆うカバー層を形成し、かつ、上記導体層上に保護層を形成するカバー層−保護層形成工程と、上記カバー層に覆われていない配線層の表面上にめっき部を形成するめっき部形成工程と、を有することを特徴とするものである。
B. Next, a method for manufacturing a circuit board with a support frame according to the present invention will be described. The method for manufacturing a circuit board with a support frame of the present invention includes a circuit board and a support frame, and the circuit board with a support frame is integrated with the circuit board and the support frame in an internal opening region of the support frame. A manufacturing method for preparing a laminate including a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, and a wiring layer and a conductor layer formed on the insulating layer. Forming a cover layer covering the wiring layer and the insulating layer using the same material, and forming a protective layer on the conductor layer; and covering the cover layer And a plating part forming step of forming a plating part on the surface of the wiring layer that is not broken.

図7は、本発明の支持枠付回路基板の製造方法の一例を説明する概略断面図である。なお、図7は、上記図2(b)に対応するものである。図7においては、まず、金属支持基板1Xと、金属支持基板1X上に形成された絶縁層2Xと、絶縁層2X上に形成された導体層3Xとを有する積層部材を準備する(図7(a))。次に、金属支持基板1Xおよび導体層3Xの表面に、DFRを用いてレジストパターン17を作製し、レジストパターン17から露出する金属支持基板1Xおよび導体層3Xをウェットエッチングする(図7(b))。これにより、配線層3、端子部5および導体層7を形成する(図7(c))。   FIG. 7 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a method for producing a circuit board with a support frame of the present invention. FIG. 7 corresponds to FIG. 2 (b). In FIG. 7, first, a laminated member having a metal supporting substrate 1X, an insulating layer 2X formed on the metal supporting substrate 1X, and a conductor layer 3X formed on the insulating layer 2X is prepared (FIG. 7 ( a)). Next, a resist pattern 17 is formed on the surfaces of the metal support substrate 1X and the conductor layer 3X using DFR, and the metal support substrate 1X and the conductor layer 3X exposed from the resist pattern 17 are wet-etched (FIG. 7B). ). Thereby, the wiring layer 3, the terminal part 5, and the conductor layer 7 are formed (FIG.7 (c)).

その後、同一の材料を用いて、配線層3および絶縁層2を覆うカバー層7を形成し、かつ、導体層7上に保護層8を形成する(図7(d))。この際、めっき部を形成する端子部5には、カバー層を形成しないようにする。次に、DFRを用いてレジストパターンを作製し、そのレジストパターンから露出する絶縁層2Xをウェットエッチングし、絶縁層2を形成する(図7(e))。次に、カバー層7から露出する端子部5に電解めっきを行い、めっき部6を形成する(図7(f))。最後に、金属支持基板1を再びウェットエッチングすることにより、支持枠付回路基板20を得る(図7(g))。   Thereafter, the cover layer 7 covering the wiring layer 3 and the insulating layer 2 is formed using the same material, and the protective layer 8 is formed on the conductor layer 7 (FIG. 7D). At this time, the cover layer is not formed on the terminal portion 5 forming the plating portion. Next, a resist pattern is prepared using DFR, and the insulating layer 2X exposed from the resist pattern is wet-etched to form the insulating layer 2 (FIG. 7E). Next, electrolytic plating is performed on the terminal portion 5 exposed from the cover layer 7 to form a plated portion 6 (FIG. 7F). Finally, the metal supporting board 1 is wet-etched again to obtain a circuit board 20 with a supporting frame (FIG. 7G).

本発明によれば、支持枠の導体層上に、カバー層と同一の材料から構成される保護層を設けることにより、めっき部形成時におけるレジストマスクの形成・剥離が不要であり、めっき漏れを抑制でき、めっき部の厚さのバラつきを低減し、かつ、めっきロスの少ない支持枠付回路基板を得ることができる。
以下、本発明の支持枠付回路基板の製造方法について、工程ごとに説明する。
According to the present invention, by providing a protective layer made of the same material as the cover layer on the conductor layer of the support frame, it is not necessary to form and remove a resist mask when forming the plating portion, and plating leakage is prevented. It is possible to obtain a circuit board with a support frame that can be suppressed, the variation in the thickness of the plating portion is reduced, and the plating loss is small.
Hereafter, the manufacturing method of the circuit board with a support frame of this invention is demonstrated for every process.

1.積層体準備工程
本発明における積層体準備工程は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層および導体層と、を有する積層体を準備する工程である。
1. Laminated body preparation process The laminated body preparation process in this invention is a laminated body which has a metal support substrate, the insulating layer formed on the said metal support substrate, and the wiring layer and conductor layer which were formed on the said insulating layer. Is a step of preparing

積層体の形成方法は、所望の積層体を得ることができる方法であれば特に限定されるものではない。積層体の形成方法の一例としては、図7に示したように、積層部材を用いる方法を挙げることができる。   The method for forming the laminate is not particularly limited as long as the desired laminate can be obtained. As an example of a method for forming a laminated body, a method using a laminated member can be given as shown in FIG.

金属支持基板、絶縁層および導体層を有する積層部材を用いる場合、導体層をエッチングすることにより、回路基板の配線層、および支持枠の導体層を形成する。導体層をエッチングする方法は特に限定されるものでないが、具体的には、ウェットエッチング等を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、導体層の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば、導体層の材料が銅である場合は、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。また、本発明においては、通常、DFR等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する導体層をエッチングする。   When using a laminated member having a metal support substrate, an insulating layer, and a conductor layer, the wiring layer of the circuit board and the conductor layer of the support frame are formed by etching the conductor layer. Although the method for etching the conductor layer is not particularly limited, specific examples include wet etching. The type of etchant used for wet etching is preferably selected as appropriate according to the type of conductor layer. For example, when the material of the conductor layer is copper, an iron chloride-based etchant or the like can be used. In the present invention, a resist pattern is usually formed using DFR or the like, and the conductor layer exposed from the resist pattern is etched.

また、図7(g)に示すように端子部5の両面にめっき部6を形成する場合は、めっき部6を形成する前に、端子部5の位置にある金属支持基板1をエッチングしておく必要がある。金属支持基板をエッチングする方法は特に限定されるものでないが、具体的には、ウェットエッチング等を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、金属支持基板の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば、金属支持基板の材料がSUSである場合は、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。また、本発明においては、通常、DFR等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する金属支持基板をエッチングする。   7 (g), when the plating part 6 is formed on both surfaces of the terminal part 5, the metal support substrate 1 at the position of the terminal part 5 is etched before the plating part 6 is formed. It is necessary to keep. The method for etching the metal supporting substrate is not particularly limited, and specific examples include wet etching. The type of etchant used for wet etching is preferably selected as appropriate according to the type of metal support substrate. For example, when the material of the metal support substrate is SUS, an iron chloride-based etchant or the like can be used. . In the present invention, a resist pattern is usually formed using DFR or the like, and the metal supporting substrate exposed from the resist pattern is etched.

2.カバー層−保護層形成工程
次に、本発明におけるカバー層−保護層形成工程について説明する。本発明におけるカバー層−保護層形成工程は、同一の材料を用いて、上記配線層および上記絶縁層を覆うカバー層を形成し、かつ、上記導体層上に保護層を形成する工程である。
2. Cover layer-protective layer forming step Next, the cover layer-protective layer forming step in the present invention will be described. The cover layer-protective layer forming step in the present invention is a step of forming a cover layer covering the wiring layer and the insulating layer using the same material, and forming a protective layer on the conductor layer.

カバー層および保護層の形成方法は、カバー層および保護層の材料の種類によって適宜選択することが好ましい。例えば、カバー層および保護層の材料が感光性材料である場合は、露光・現像によって、所定のパターンを有するカバー層を形成することができる。一方、カバー層および保護層の材料が非感光性材料である場合は、レジストパターンを介したエッチングによって、所定のパターンを有するカバー層を形成することができる。   The method for forming the cover layer and the protective layer is preferably selected as appropriate depending on the types of materials of the cover layer and the protective layer. For example, when the material of the cover layer and the protective layer is a photosensitive material, a cover layer having a predetermined pattern can be formed by exposure and development. On the other hand, when the material of the cover layer and the protective layer is a non-photosensitive material, a cover layer having a predetermined pattern can be formed by etching through a resist pattern.

3.めっき部形成工程
次に、本発明におけるめっき部形成工程について説明する。本発明におけるめっき部形成工程は、上記カバー層に覆われていない配線層の表面上にめっき部を形成する工程である。
3. Plating part forming step Next, the plating part forming step in the present invention will be described. The plated portion forming step in the present invention is a step of forming a plated portion on the surface of the wiring layer that is not covered with the cover layer.

本発明においては、通常、電解めっき法によりめっき部を形成する。めっき部を形成する方法としては、浸漬めっき法、および治具めっき法を挙げることができる。めっき液の種類は、特に限定されるものではなく、めっき部の種類に応じて適宜選択することが好ましい。   In the present invention, the plated portion is usually formed by an electrolytic plating method. Examples of the method for forming the plating portion include immersion plating and jig plating. The type of the plating solution is not particularly limited, and is preferably selected as appropriate according to the type of the plating part.

4.その他
上述した工程の他に、本発明においては、通常、絶縁層をエッチングする絶縁層エッチング工程を有する。この工程は、所望の支持枠付回路基板を得ることができる任意のタイミングで行うことができる。また、絶縁層の加工は、例えばウェットエッチングにより行うことができる。エッチング液の種類は、絶縁層の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば絶縁層の材料がポリイミド樹脂である場合は、アルカリ系エッチング液等を用いることができる。また、本発明により得られる支持枠付回路基板については、上記「A.支持枠付回路基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
4). Others In addition to the steps described above, the present invention usually includes an insulating layer etching step for etching the insulating layer. This step can be performed at an arbitrary timing at which a desired circuit board with a support frame can be obtained. The insulating layer can be processed by wet etching, for example. The type of the etching solution is preferably selected as appropriate according to the type of the insulating layer. For example, when the material of the insulating layer is a polyimide resin, an alkaline etching solution or the like can be used. In addition, the circuit board with a support frame obtained by the present invention is the same as the contents described in the above-mentioned “A. Circuit board with support frame”, and therefore description thereof is omitted here.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。   The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the technical idea described in the claims of the present invention has substantially the same configuration and exhibits the same function and effect regardless of the case. It is included in the technical scope of the invention.

以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.

[実施例1] [Example 1]

図7に示す方法と同様の方法で、支持枠付回路基板を作製した。厚さ20μmのSUS304である金属支持基板1Xの上に、絶縁層形成材料として第1の非感光性ポリイミドを用い、厚さ10μmの絶縁層2Xを塗工方法にて形成した。さらに、その絶縁層上にシード層となるNi−Cr−Cuをスパッタ工法で約300nmコーティングし、それを導通媒体としCuめっきにて厚さ9μmのCuめっき層である配線層3Xを形成し、3層の積層体を得た(図7(a))。   A circuit board with a support frame was produced by the same method as shown in FIG. An insulating layer 2X having a thickness of 10 μm was formed on the metal support substrate 1X, which is SUS304 having a thickness of 20 μm, using the first non-photosensitive polyimide as an insulating layer forming material by a coating method. Furthermore, about 300 nm of Ni—Cr—Cu serving as a seed layer is coated on the insulating layer by a sputtering method, and using this as a conductive medium, a wiring layer 3X which is a Cu plating layer having a thickness of 9 μm is formed by Cu plating. A three-layer laminate was obtained (FIG. 7A).

SUS側で位置精度が重要な治具孔と、Cuめっき層側で目的とする配線層を形成できるように、ドライフィルムを用いて同時にパターニングし、パターン状のレジストを得た。その後、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行い、配線層3、端子部5、導体層7を得た(図7(b)、(c))。   Patterning was performed simultaneously using a dry film so that a jig hole whose positional accuracy was important on the SUS side and a desired wiring layer on the Cu plating layer side could be formed. Thereafter, etching was performed using a ferric chloride solution, and a resist film was removed after the etching to obtain a wiring layer 3, a terminal portion 5, and a conductor layer 7 (FIGS. 7B and 7C).

次に、非感光性ポリイミド系の液状カバー層形成材料をダイコーターでコーティングし、乾燥後、レジスト製版し現像と同時にカバー層形成材料をエッチングし、その後、硬化させ、カバー層形成材料(第2の非感光性ポリイミド)からなるカバー層4を、配線層3、端子部5および絶縁層2上に形成し、同時に、カバー層形成材料(第2の非感光性ポリイミド)からなる保護層8を導体層7上に形成した(図7(d))。硬化後のカバー層の膜厚は、配線層上で5μmであった。このようなカバー層および保護層を形成することにより、反りの制御および低剛性化を図り、且つ配線パターン層の保護を図ることができる。   Next, a non-photosensitive polyimide-based liquid cover layer forming material is coated with a die coater, dried, resist-engraved, and the cover layer forming material is etched at the same time as development, and then cured to form a cover layer forming material (second A cover layer 4 made of a non-photosensitive polyimide) is formed on the wiring layer 3, the terminal portion 5 and the insulating layer 2, and at the same time, a protective layer 8 made of a cover layer forming material (second non-photosensitive polyimide) is formed. It formed on the conductor layer 7 (FIG.7 (d)). The film thickness of the cover layer after curing was 5 μm on the wiring layer. By forming such a cover layer and a protective layer, it is possible to control warpage and reduce rigidity, and to protect the wiring pattern layer.

なお、ここで上記カバー層を形成するカバー層形成材料(第2の非感光性ポリイミド)の物性値は、吸湿膨張係数が8.0×10−6/%RHであり、熱膨張係数が、17×10−6/℃であった。また、上記絶縁層形成材料(第1の非感光性ポリイミド)の物性値は、吸湿膨張係数が10.7×10−6/%RHで、熱膨張係数が21×10−6/℃であり、上記絶縁層形成材料と、上記カバー層形成材料との物性値の差が小さい材料を用いた。 In addition, the physical property value of the cover layer forming material (second non-photosensitive polyimide) for forming the cover layer herein has a hygroscopic expansion coefficient of 8.0 × 10 −6 /% RH, and a thermal expansion coefficient of It was 17 × 10 −6 / ° C. Further, the physical property values of the insulating layer forming material (first non-photosensitive polyimide) are a hygroscopic expansion coefficient of 10.7 × 10 −6 /% RH and a thermal expansion coefficient of 21 × 10 −6 / ° C. A material having a small difference in physical property values between the insulating layer forming material and the cover layer forming material was used.

次に、厚さ10μmのポリイミド(絶縁層2X)をレジスト製版し、有機アルカリエッチング液を用いてエッチングし、エッチング後にレジスト剥膜を行いパターン状の絶縁層2を得た(図7(e))。   Next, a 10 μm-thick polyimide (insulating layer 2X) was resist-engraved and etched using an organic alkali etching solution, and after the etching, the resist was removed to obtain a patterned insulating layer 2 (FIG. 7E). ).

次に、端子部5を酸洗浄した後に、電解Niめっきを行い、めっき部6を得た(図7(f))。なお、電解Niめっき浴には標準的なスルファミン酸Niめっき浴を用い、めっき条件は電流密度を約5.5A/dm、80秒の条件とした。 Next, after the terminal portion 5 was acid-washed, electrolytic Ni plating was performed to obtain a plated portion 6 (FIG. 7 (f)). Note that a standard sulfamic acid Ni plating bath was used as the electrolytic Ni plating bath, and the plating conditions were such that the current density was about 5.5 A / dm 2 and 80 seconds.

次に、SUSの外形加工を行うため、再度、レジスト製版を行い、SUS側のみエッチングし、エッチング後にレジスト剥膜を行い、評価サンプル(支持枠付回路基板)を得た(図7(g))。   Next, in order to perform the outer shape processing of SUS, resist engraving is performed again, only the SUS side is etched, and after the etching, resist stripping is performed to obtain an evaluation sample (circuit board with support frame) (FIG. 7G). ).

[比較例1]
支持枠に保護層を形成しなかったこと以外は、実施例1と同様にして、支持枠付回路基板を得た。
[Comparative Example 1]
A circuit board with a support frame was obtained in the same manner as in Example 1 except that the protective layer was not formed on the support frame.

[評価1]
実施例1および比較例1で得られた評価用サンプルのめっき厚のバラつきを評価した。めっき厚の測定は蛍光X線膜厚計により行った。その結果を表1に示す。
[Evaluation 1]
The variation of the plating thickness of the samples for evaluation obtained in Example 1 and Comparative Example 1 was evaluated. The plating thickness was measured with a fluorescent X-ray film thickness meter. The results are shown in Table 1.

Figure 2011214024
Figure 2011214024

なお、表1において、「ピース総面積」=「1つの回路基板のめっき面積(回路基板10内のめっき面積)」×「支持枠11に存在する回路基板の個数」である。表1および図8に示されるように、支持枠の被覆を行った実施例1の支持枠付回路基板では、支持枠の被覆を行わない比較例1の支持枠付回路基板に比べて、めっき厚のバラつきを小さくすることができた。   In Table 1, “total piece area” = “plating area of one circuit board (plating area in the circuit board 10)” × “number of circuit boards present in the support frame 11”. As shown in Table 1 and FIG. 8, the circuit board with a support frame of Example 1 in which the support frame was coated was plated as compared with the circuit board with a support frame of Comparative Example 1 in which the support frame was not coated. The thickness variation was reduced.

1…金属支持基板、 2…絶縁層、 3…配線層、 4…カバー層、 5…端子部、 6…めっき部、 7…導体層、 8…保護層、 10…回路基板、 11…支持枠、 12…内部開口領域、 13…治具(めっきマスク)、 14…めっき液、 15…導体層露出部、 16…導体層露出部、 17…レジストパターン、 20…支持枠付回路基板   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Metal support board, 2 ... Insulating layer, 3 ... Wiring layer, 4 ... Cover layer, 5 ... Terminal part, 6 ... Plating part, 7 ... Conductive layer, 8 ... Protective layer, 10 ... Circuit board, 11 ... Support frame 12 ... Internal opening region, 13 ... Jig (plating mask), 14 ... Plating solution, 15 ... Conductor layer exposed portion, 16 ... Conductor layer exposed portion, 17 ... Resist pattern, 20 ... Circuit board with support frame

Claims (8)

回路基板と、支持枠とを有し、前記支持枠の内部開口領域で前記回路基板および前記支持枠が一体化している支持枠付回路基板であって、
前記回路基板は、金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記配線層および前記絶縁層を覆うカバー層と、前記カバー層に覆われていない配線層の表面上に形成されためっき部とを有し、
前記支持枠は、前記金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された前記絶縁層と、前記絶縁層上に形成された導体層と、前記導体層上に形成され、前記カバー層と同一の材料から構成される保護層とを有することを特徴とする支持枠付回路基板。
A circuit board and a support frame, and a circuit board with a support frame in which the circuit board and the support frame are integrated in an internal opening region of the support frame,
The circuit board includes a metal supporting board, an insulating layer formed on the metal supporting board, a wiring layer formed on the insulating layer, a cover layer covering the wiring layer and the insulating layer, and the cover Having a plated portion formed on the surface of the wiring layer not covered with the layer,
The support frame is formed on the metal support substrate, the insulating layer formed on the metal support substrate, a conductor layer formed on the insulating layer, and the conductor layer, and is the same as the cover layer And a protective layer made of the above material.
前記回路基板が、サスペンション用基板であることを特徴とする請求項1に記載の支持枠付回路基板。   The circuit board with a support frame according to claim 1, wherein the circuit board is a suspension board. 前記保護層が、少なくとも前記支持枠の内部開口領域に沿って形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の支持枠付回路基板。   The circuit board with a support frame according to claim 1, wherein the protective layer is formed along at least an internal opening region of the support frame. 前記カバー層および前記保護層の材料がポリイミド樹脂であることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれかの請求項に記載の支持枠付回路基板。   The circuit board with a support frame according to any one of claims 1 to 3, wherein a material of the cover layer and the protective layer is a polyimide resin. 回路基板と、支持枠とを有し、前記支持枠の内部開口領域で前記回路基板および前記支持枠が一体化している支持枠付回路基板の製造方法であって、
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層および導体層と、を有する積層体を準備する積層体準備工程と、
同一の材料を用いて、前記配線層および前記絶縁層を覆うカバー層を形成し、かつ、前記導体層上に保護層を形成するカバー層−保護層形成工程と、
前記カバー層に覆われていない配線層の表面上にめっき部を形成するめっき部形成工程と、
を有することを特徴とする支持枠付回路基板の製造方法。
A method for manufacturing a circuit board with a support frame, comprising a circuit board and a support frame, wherein the circuit board and the support frame are integrated in an internal opening region of the support frame,
A laminate preparation step of preparing a laminate having a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, and a wiring layer and a conductor layer formed on the insulating layer;
Using the same material, a cover layer that covers the wiring layer and the insulating layer is formed, and a protective layer is formed on the conductor layer.
A plating part forming step of forming a plating part on the surface of the wiring layer not covered with the cover layer;
A method of manufacturing a circuit board with a support frame, comprising:
前記回路基板が、サスペンション用基板であることを特徴とする請求項5に記載の支持枠付回路基板の製造方法。   The method for manufacturing a circuit board with a support frame according to claim 5, wherein the circuit board is a suspension board. 前記保護層を、少なくとも前記支持枠の内部開口領域に沿って形成することを特徴とする請求項5または請求項6に記載の支持枠付回路基板の製造方法。   The method for manufacturing a circuit board with a support frame according to claim 5, wherein the protective layer is formed along at least an internal opening region of the support frame. 前記カバー層および前記保護層の材料がポリイミド樹脂であることを特徴とする請求項5から請求項7までのいずれかの請求項に記載の支持枠付回路基板の製造方法。   The method for manufacturing a circuit board with a support frame according to any one of claims 5 to 7, wherein a material of the cover layer and the protective layer is a polyimide resin.
JP2010080764A 2010-03-31 2010-03-31 Circuit board with support frame and method for manufacturing the same Expired - Fee Related JP5494128B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010080764A JP5494128B2 (en) 2010-03-31 2010-03-31 Circuit board with support frame and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010080764A JP5494128B2 (en) 2010-03-31 2010-03-31 Circuit board with support frame and method for manufacturing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011214024A true JP2011214024A (en) 2011-10-27
JP5494128B2 JP5494128B2 (en) 2014-05-14

Family

ID=44944079

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010080764A Expired - Fee Related JP5494128B2 (en) 2010-03-31 2010-03-31 Circuit board with support frame and method for manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5494128B2 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006045626A (en) * 2004-08-05 2006-02-16 Nitto Denko Corp Wiring circuit board precursory structure-assembled sheet and method for producing wiring circuit board using the sheet
JP2008310946A (en) * 2007-05-11 2008-12-25 Dainippon Printing Co Ltd Substrate for suspension, method for producing the same, magnetic head suspension, and hard disk drive
JP2010093074A (en) * 2008-10-08 2010-04-22 Sumitomo Electric Printed Circuit Inc Flexible printed wiring board sheet and method for manufacturing the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006045626A (en) * 2004-08-05 2006-02-16 Nitto Denko Corp Wiring circuit board precursory structure-assembled sheet and method for producing wiring circuit board using the sheet
JP2008310946A (en) * 2007-05-11 2008-12-25 Dainippon Printing Co Ltd Substrate for suspension, method for producing the same, magnetic head suspension, and hard disk drive
JP2010093074A (en) * 2008-10-08 2010-04-22 Sumitomo Electric Printed Circuit Inc Flexible printed wiring board sheet and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP5494128B2 (en) 2014-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4308862B2 (en) Wiring circuit board and manufacturing method thereof
US7405479B2 (en) Wired circuit board
JP4403090B2 (en) Printed circuit board
US7732900B2 (en) Wired circuit board
JP4611159B2 (en) Printed circuit board
JP4939476B2 (en) Method for manufacturing suspension board with circuit
JP2006310491A (en) Wiring circuit board and method for manufacturing the same
JP4019068B2 (en) Suspension board with circuit
JP4588622B2 (en) Method for manufacturing printed circuit board
JP2008034639A (en) Wired circuit board
US8647517B2 (en) Producing method of suspension board with circuit
KR101111367B1 (en) Wiring circuit board and production method thereof
JP2011003246A (en) Suspension substrate
WO2019172123A1 (en) Wiring substrate and method for producing same
JP5494128B2 (en) Circuit board with support frame and method for manufacturing the same
JP2007133929A (en) Suspension substrate with circuit
JP4128998B2 (en) Wiring circuit board and manufacturing method thereof
JP4640853B2 (en) Printed circuit board
WO2019172124A1 (en) Method for producing wiring substrate
JP5351830B2 (en) Wiring circuit board and manufacturing method thereof
JP4123637B2 (en) Film carrier manufacturing method
JP2006278734A (en) Wiring circuit board
KR101008422B1 (en) Printed circuit board manufacturing method
JP4640852B2 (en) Method for manufacturing printed circuit board
JP2014038681A (en) Wiring circuit board

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130131

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131112

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140110

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140204

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140217

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5494128

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees