JP2011210827A - Adjusting method of wafer carrying mechanism - Google Patents

Adjusting method of wafer carrying mechanism Download PDF

Info

Publication number
JP2011210827A
JP2011210827A JP2010075327A JP2010075327A JP2011210827A JP 2011210827 A JP2011210827 A JP 2011210827A JP 2010075327 A JP2010075327 A JP 2010075327A JP 2010075327 A JP2010075327 A JP 2010075327A JP 2011210827 A JP2011210827 A JP 2011210827A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
chuck table
center position
center
test
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010075327A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5473715B2 (en
Inventor
Shintaro Yasuoka
伸太郎 安岡
Jiro Genoen
二郎 現王園
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2010075327A priority Critical patent/JP5473715B2/en
Publication of JP2011210827A publication Critical patent/JP2011210827A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5473715B2 publication Critical patent/JP5473715B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for adjusting a wafer carrying mechanism by easily measuring the displacement of the center position of a wafer carried on a chuck table by means of the wafer carrying mechanism.SOLUTION: In the adjusting method of a wafer carrying mechanism, an annular scribe line is formed on a wafer for test which is carried on a chuck table by means of the wafer carrying mechanism while rotating the chuck table. The coordinate (X1, Y1) of the center of rotation of the chuck table is indexed from three arbitrary points of the annular scribe line, and the coordinate (X2, Y2) of the center of the wafer for test is indexed from three arbitrary points on the outer peripheral edge of the wafer for test. Displacement of the coordinate (X1, Y1) of the center of rotation of the chuck table and the coordinate (X2, Y2) of the center of the wafer for test is then determined, and if the displacement exceeds a predetermined value, the length of a supporting arm of the wafer carrying mechanism on which a suction pad is attached and/or the moving distance of the suction pad is corrected.

Description

本発明は、ウエーハの中心位置を所定の位置に合わせてウエーハを載置する仮置きテーブルから、チャックテーブルへウエーハを搬送するウエーハ搬送機構の調整方法に関する。   The present invention relates to a method for adjusting a wafer transport mechanism that transports a wafer from a temporary placement table on which a wafer is placed with a center position of the wafer to a predetermined position.

半導体デバイス等の製造においては、殆ど全ての工程において機械を使用した自動化がなされており、ウエーハを一つの工程から次の工程に搬送するウエーハ搬送機構が多くの場面で稼動している。   In the manufacture of semiconductor devices and the like, automation is performed using machines in almost all processes, and a wafer transport mechanism for transporting a wafer from one process to the next is operating in many situations.

例えば、ウエーハを所定の厚さに研削する研削装置においても、装置内の工程間でウエーハを搬送するウエーハ搬送機構が稼動している。例えば、複数の加工前のウエーハが収容されたカセットからウエーハを取り出したり、研削後のウエーハをスピンナ洗浄装置に搬送したりする場合等にウエーハ搬送機構が使用されている。   For example, even in a grinding apparatus that grinds a wafer to a predetermined thickness, a wafer transport mechanism that transports the wafer between processes in the apparatus is operating. For example, a wafer transport mechanism is used when a wafer is taken out from a cassette in which a plurality of unprocessed wafers are stored, or when a ground wafer is transported to a spinner cleaning device.

こうしたウエーハ搬送機構において非常に重要となるのが、ウエーハ搬送機構で搬送したウエーハを載置する位置精度である。位置精度が狂えば、次工程での加工等に悪影響を及ぼすことになる。   What is very important in such a wafer transport mechanism is the positional accuracy of placing the wafer transported by the wafer transport mechanism. If the position accuracy is out of order, the processing in the next process will be adversely affected.

例えば、仮置きテーブル等のウエーハの中心位置合わせ装置(例えば、特開平7−211766号公報及び特開2007−317982号公報参照)から、チャックテーブルに搬送されたウエーハは、割り出した中心位置をチャックテーブルの回転中心位置に合致させて載置することが次工程である研削工程を遂行する上で好ましい。   For example, a wafer transported to a chuck table from a wafer center alignment device such as a temporary table (see, for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 7-2111766 and 2007-317982) has a chucked center position. In order to perform the grinding process, which is the next process, it is preferable to place the table so as to match the rotational center position of the table.

特に、例えば特開2007−19461号公報に開示されているように、ウエーハにおけるデバイス領域に対応する裏面を研削して円形凹部を形成し、ウエーハの外周余剰領域を残存させて環状補強部を形成する加工方法においては、環状補強部をウエーハの外周全周に渡って一定の幅に形成するために中心の位置合わせが重要である。   In particular, as disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-19461, the back surface corresponding to the device region of the wafer is ground to form a circular recess, and the outer peripheral region of the wafer is left to form an annular reinforcing portion. In the processing method to be performed, the center alignment is important in order to form the annular reinforcing portion with a constant width over the entire outer periphery of the wafer.

特開平7−211766号公報Japanese Patent Laid-Open No. 7-211766 特開2007−317982号公報JP 2007-317982 A 特開2007−19461号公報JP 2007-19461 A

しかしながら、仮置きテーブルで割り出したウエーハの中心位置をチャックテーブルの中心位置に合致してウエーハをチャックテーブル上に載置するために、ウエーハ搬送機構の調整作業を行うためには、チャックテーブル上で各々の中心位置を検出する必要がある。   However, in order to adjust the wafer transport mechanism in order to place the wafer on the chuck table so that the center position of the wafer indexed by the temporary table matches the center position of the chuck table, It is necessary to detect the center position of each.

従来は実際に、試験用ウエーハのデバイス領域に対応する裏面を研削して外周に環状補強部を形成し、環状補強部の幅を多数のポイントで測定してウエーハ搬送機構の調整をしていた。しかし、実際に研削が可能な状態になるまで装置を組み上げないと検査不可能であるという問題があった。   Conventionally, the back surface corresponding to the device area of the test wafer was actually ground to form an annular reinforcing portion on the outer periphery, and the width of the annular reinforcing portion was measured at many points to adjust the wafer transport mechanism. . However, there is a problem that the inspection is impossible unless the apparatus is assembled until grinding is actually possible.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、チャックテーブル上に載置されたウエーハの中心位置のずれ量を簡単な方法で測定可能なウエーハ搬送機構の調整方法を提供することである。   The present invention has been made in view of these points, and an object of the present invention is to provide a wafer transport mechanism that can measure a deviation amount of the center position of a wafer placed on a chuck table by a simple method. It is to provide an adjustment method.

本発明によると、支持アームの先端に装着された吸着パッドでウエーハを保持して、ウエーハが仮置きされた仮置きテーブルからウエーハを加工する回転可能なチャックテーブルへウエーハを搬送するウエーハ搬送機構の調整方法であって、搬送予定のウエーハと同様の形状を有する試験用ウエーハを準備する試験用ウエーハ準備工程と、該試験用ウエーハを該仮置きテーブル上にセットする仮置き工程と、該ウエーハ搬送機構で該仮置きテーブルから該チャックテーブル上にウエーハを搬送し、該チャックテーブルで該試験用ウエーハを吸引保持するウエーハ搬送工程と、該チャックテーブルに保持された該試験用ウエーハの上面に点で接触する罫書き手段を接触させた状態で該チャックテーブルを回転させ、該試験用ウエーハの上面に環状罫書き線を形成する環状罫書き線形成工程と、該環状罫書き線の任意の3点から該環状罫書き線の中心位置座標(X1,Y1)を割り出すことにより、該チャックテーブルの回転中心位置を割り出す回転中心位置割り出し工程と、該試験用ウエーハの外周縁の任意の3点から該試験用ウエーハの中心位置座標(X2,Y2)を割り出す試験用ウエーハ中心位置割り出し工程と、該回転中心位置割り出し工程で求めた該チャックテーブルの回転中心位置座標(X1,Y1)と、該試験用ウエーハ中心位置割り出し工程で求めた該試験用ウエーハの中心位置座標(X2,Y2)とのずれ量を求め、所定値以上のずれ量であった場合、該吸着パッドが装着される該支持アームの長さ及び/又は該吸着パッドの移動距離を補正する補正工程と、を具備したことを特徴とするウエーハ搬送機構の調整方法が提供される。   According to the present invention, a wafer transfer mechanism for holding a wafer with a suction pad attached to the tip of a support arm and transferring the wafer from a temporarily placed table on which the wafer is temporarily placed to a rotatable chuck table for processing the wafer. An adjustment method, a test wafer preparation step for preparing a test wafer having the same shape as a wafer to be transported, a temporary placement step for setting the test wafer on the temporary placement table, and the wafer transport A wafer is transported from the temporary placement table to the chuck table by a mechanism, and the test wafer is sucked and held by the chuck table; and the upper surface of the test wafer held by the chuck table is The chuck table is rotated in a state where the scoring means that comes into contact is in contact with the upper surface of the test wafer. An annular crease line forming step for forming a crease line, and a center position coordinate (X1, Y1) of the annular crease line from any three points of the annular crease line, thereby calculating the rotation center of the chuck table A rotation center position determining step for determining a position, a test wafer center position determining step for determining the center position coordinates (X2, Y2) of the test wafer from arbitrary three points on the outer peripheral edge of the test wafer, and the rotation center The amount of deviation between the rotation center position coordinates (X1, Y1) of the chuck table obtained in the position indexing process and the center position coordinates (X2, Y2) of the test wafer centered in the test wafer center position indexing process. A correction step of correcting the length of the support arm on which the suction pad is mounted and / or the movement distance of the suction pad when the amount of deviation is equal to or greater than a predetermined value. Adjustment method for a wafer transport mechanism, characterized in that it has are provided.

本発明によると、チャックテーブル上に搬送された試験用ウエーハに環状罫書き線を形成することで、容易にチャックテーブル上に搬送された試験用ウエーハの中心とチャックテーブルの回転中心のずれ量を測定することが可能となり、ずれ量をもとにウエーハ搬送機構の調整をすることができる。   According to the present invention, the amount of deviation between the center of the test wafer transported on the chuck table and the center of rotation of the chuck table can be easily formed by forming the annular scribe line on the test wafer transported on the chuck table. Measurement can be performed, and the wafer transport mechanism can be adjusted based on the amount of deviation.

研削装置の外観斜視図である。It is an external appearance perspective view of a grinding device. 半導体ウエーハの表面側斜視図である。It is a surface side perspective view of a semiconductor wafer. 表面に保護テープが貼着された半導体ウエーハの裏面側斜視図である。It is a back surface side perspective view of the semiconductor wafer by which the protective tape was stuck on the surface. ウエーハの中心、保持アームの中心及び仮置きテーブルの中心の位置関係を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the positional relationship of the center of a wafer, the center of a holding arm, and the center of a temporary placement table. ウエーハを保持アームによって撮像手段の下に位置付け、ウエーハの外周縁を撮像している際の模式図である。It is a schematic diagram when the wafer is positioned below the imaging means by the holding arm and the outer peripheral edge of the wafer is imaged. 撮像画像に基づいてウエーハの中心を検出する説明図である。It is explanatory drawing which detects the center of a wafer based on a captured image. 図7(A)はウエーハの中心位置ずれ量検出工程を示す説明図、図7(B)はウエーハの中心を仮置きテーブルの中心に一致させてウエーハを仮置きテーブル上に載置する説明図である。FIG. 7A is an explanatory diagram showing a wafer center position deviation amount detecting step, and FIG. 7B is an explanatory diagram of placing the wafer on the temporary placement table with the center of the wafer aligned with the center of the temporary placement table. It is. ウエーハ搬送機構と仮置きテーブル及びチャックテーブルとの位置関係を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the positional relationship of a wafer conveyance mechanism, a temporary placement table, and a chuck table. 試験用ウエーハの斜視図である。It is a perspective view of a test wafer. 研削装置のチャックテーブルで実施される環状罫書き線形成工程を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the cyclic | annular ruled line formation process implemented with the chuck table of a grinding device. チャックテーブルの回転中心位置割り出し工程とチャックテーブル上に搬送された試験用ウエーハの中心位置割り出し工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the rotation center position determination process of a chuck table, and the center position determination process of the test wafer conveyed on the chuck table.

以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。図1を参照すると、本発明のウエーハ搬送機構の調整方法が適用可能な研削装置の斜視図が示されている。研削装置は、略直方体形状の装置ハウジング2を具備している。装置ハウジング2の右上端には、垂直支持板4が配設されている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to FIG. 1, there is shown a perspective view of a grinding apparatus to which the method for adjusting a wafer transport mechanism of the present invention can be applied. The grinding apparatus includes a device housing 2 having a substantially rectangular parallelepiped shape. A vertical support plate 4 is disposed at the upper right end of the device housing 2.

垂直支持板4の内側面には、上下方向に伸びる2対の案内レール6及び8が設けられている。一方の案内レール6には粗研削ユニット10が上下方向に移動可能に装着されており、他方の案内レール8には仕上げ研削ユニット12が上下方向に移動可能に装着されている。   Two pairs of guide rails 6 and 8 extending in the vertical direction are provided on the inner surface of the vertical support plate 4. A rough grinding unit 10 is mounted on one guide rail 6 so as to be movable in the vertical direction, and a finish grinding unit 12 is mounted on the other guide rail 8 so as to be movable in the vertical direction.

粗研削ユニット10は、ユニットハウジング14と、該ユニットハウジング14の下端に回転自在に装着されたホイールマウント16に装着された研削ホイール18と、ユニットハウジング14の下端に装着されホイールマウント16を反時計回り方向に回転する電動モータ20と、ユニットハウジング14が装着された移動基台22から構成される。   The rough grinding unit 10 includes a unit housing 14, a grinding wheel 18 attached to a wheel mount 16 rotatably attached to the lower end of the unit housing 14, and a wheel mount 16 attached to the lower end of the unit housing 14 counterclockwise. An electric motor 20 that rotates in the rotating direction and a moving base 22 on which the unit housing 14 is mounted are configured.

研削ホイール18は、環状の砥石基台18aと、砥石基台18aの下面に装着された粗研削用の研削砥石18bから構成される。移動基台22には一対の被案内レール24が形成されており、これらの被案内レール24を垂直支持板4に設けられた案内レール6に移動可能に嵌合することにより、粗研削ユニット10が上下方向に移動可能に支持されている。   The grinding wheel 18 includes an annular grinding wheel base 18a and a grinding wheel 18b for rough grinding mounted on the lower surface of the grinding wheel base 18a. A pair of guided rails 24 are formed on the moving base 22, and these guided rails 24 are movably fitted to guide rails 6 provided on the vertical support plate 4, so that the rough grinding unit 10 can be moved. Is supported so as to be movable in the vertical direction.

26は粗研削ユニット10の移動基台22を案内レール6に沿って移動させ、研削ホイール18を研削送りする研削送り機構である。研削送り機構26は、垂直支持板4に案内レール6と平行に上下方向に配置され回転可能に支持されたボールねじ28と、ボールねじ28を回転駆動するパルスモータ30と、移動基台22に装着されボールねじ28に螺合する図示しないナットから構成される。   A grinding feed mechanism 26 moves the moving base 22 of the rough grinding unit 10 along the guide rail 6 and feeds the grinding wheel 18 by grinding. The grinding feed mechanism 26 is arranged on the vertical support plate 4 in a vertical direction parallel to the guide rail 6 and rotatably supported, a pulse motor 30 that rotationally drives the ball screw 28, and a moving base 22. It comprises a nut (not shown) that is mounted and screwed onto the ball screw 28.

パルスモータ30によってボールねじ28を正転又は逆転駆動することにより、粗研削ユニット10を上下方向(後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直方向)に移動する。   By rotating the ball screw 28 forward or backward by the pulse motor 30, the rough grinding unit 10 is moved in the vertical direction (perpendicular to the holding surface of the chuck table described later).

仕上げ研削ユニット12も粗研削ユニット10と同様に構成されており、ユニットハウジング32と、ユニットハウジング32の下端に回転自在に装着されたホイールマウント34に装着された研削ホイール36と、ユニットハウジング32の上端に装着されホイールマウント34を反時計回り方向に駆動する電動モータ38と、ユニットハウジング32が装着された移動基台40とから構成される。研削ホイール36は、環状の砥石基台36aと、砥石基台36aの下面に装着された仕上げ研削用の研削砥石36bから構成される。   The finish grinding unit 12 is configured in the same manner as the rough grinding unit 10, and includes a unit housing 32, a grinding wheel 36 attached to a wheel mount 34 rotatably attached to the lower end of the unit housing 32, and a unit housing 32. An electric motor 38 that is mounted on the upper end and drives the wheel mount 34 in a counterclockwise direction, and a moving base 40 on which the unit housing 32 is mounted. The grinding wheel 36 includes an annular grindstone base 36a and a grinding wheel 36b for finish grinding mounted on the lower surface of the grindstone base 36a.

移動基台40には一対の被案内レール42が形成されており、これらの被案内レール42を垂直支持板4に設けられた案内レール8に移動可能に嵌合することにより、仕上げ研削ユニット12が上下方向に移動可能に支持されている。   A pair of guided rails 42 is formed on the movable base 40, and these guided rails 42 are movably fitted to guide rails 8 provided on the vertical support plate 4, so that the finish grinding unit 12 can be moved. Is supported so as to be movable in the vertical direction.

44は仕上げ研削ユニット12の移動基台40を案内レール8に沿って移動させ、研削ホイール36を研削送りする研削送り機構である。研削送り機構44は、垂直支持板4に案内レール8と平行に上下方向に配設され回転可能に支持されたボールねじ46と、ボールねじ46を回転駆動するパルスモータ48と、移動基台40に装着され、ボールねじ46に螺合する図示しないナットから構成される。   Reference numeral 44 denotes a grinding feed mechanism that moves the moving base 40 of the finish grinding unit 12 along the guide rail 8 and feeds the grinding wheel 36 by grinding. The grinding feed mechanism 44 includes a ball screw 46 that is vertically supported on the vertical support plate 4 in parallel with the guide rail 8, a pulse motor 48 that rotationally drives the ball screw 46, and a moving base 40. And a nut (not shown) that engages with the ball screw 46.

パルスモータ48によってボールねじ46を正転又は逆転駆動することにより、仕上げ研削ユニット12は上下方向(後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直方向)に移動される。   By driving the ball screw 46 forward or backward by the pulse motor 48, the finish grinding unit 12 is moved in the vertical direction (perpendicular to the holding surface of the chuck table described later).

研削装置は、垂直支持板4の前側において装置ハウジング2の上面と略面一となるように配設されたターンテーブル50を具備している。ターンテーブル50は比較的大径の円盤状に形成されており、図示しない回転駆動機構によって矢印51で示す方向に回転される。   The grinding apparatus includes a turntable 50 disposed so as to be substantially flush with the upper surface of the apparatus housing 2 on the front side of the vertical support plate 4. The turntable 50 is formed in a relatively large-diameter disk shape, and is rotated in a direction indicated by an arrow 51 by a rotation driving mechanism (not shown).

ターンテーブル50には、互いに円周方向に120度離間して3個のチャックテーブル52が水平面内で回転可能に配置されている。チャックテーブル52は、円盤状の基台54とポーラスセラミック材によって円盤状に形成された吸着チャック56から構成されており、吸着チャック56の保持面上に載置されたウエーハを図示しない吸引手段を作動することにより吸引保持する。   On the turntable 50, three chuck tables 52 are arranged so as to be rotatable in a horizontal plane, spaced from each other by 120 degrees in the circumferential direction. The chuck table 52 includes a disk-shaped base 54 and a suction chuck 56 formed in a disk shape from a porous ceramic material. The chuck table 52 includes suction means (not shown) for a wafer placed on the holding surface of the suction chuck 56. Holds by suction when activated.

このように構成されたチャックテーブル52は、図示しない回転駆動機構によって矢印53で示す方向に回転される。ターンテーブル50に配設された3個のチャックテーブル52は、ターンテーブル50が適宜回転することにより、ウエーハ搬入・搬出領域A、粗研削加工領域B、仕上げ研削加工領域C、及びウエーハ搬入・搬出領域Aに順次移動される。   The chuck table 52 configured as described above is rotated in a direction indicated by an arrow 53 by a rotation driving mechanism (not shown). The three chuck tables 52 arranged on the turntable 50 are rotated in accordance with the rotation of the turntable 50, so that the wafer loading / unloading area A, rough grinding area B, finish grinding area C, and wafer loading / unloading are performed. The region A is sequentially moved.

研削装置は、ウエーハ搬入・搬出領域Aに対して一方側に配設され、研削加工前のウエーハをストックする第1のカセット58と、ウエーハ搬入・搬出領域Aに対して他方側に配置され、研削加工後のウエーハをストックする第2のカセット60を具備している。   The grinding device is disposed on one side with respect to the wafer carry-in / out region A, and is disposed on the other side with respect to the first cassette 58 for stocking the wafer before grinding, and the wafer carry-in / out region A, A second cassette 60 for stocking the wafer after grinding is provided.

第1のカセット58とウエーハ搬入・搬出領域Aとの間には、第1のカセット58から搬出されたウエーハを載置する仮置きテーブル62が配設されており、仮置きテーブル62の上方には第1のカセット58からウエーハ搬送ロボット70によって搬出されたウエーハを撮像する撮像手段64が配置されている。撮像手段64は支持部材66に取り付けられている。   Between the first cassette 58 and the wafer loading / unloading area A, a temporary placing table 62 for placing the wafer carried out from the first cassette 58 is disposed, and above the temporary placing table 62. An image pickup means 64 for picking up an image of the wafer carried out from the first cassette 58 by the wafer transfer robot 70 is arranged. The imaging means 64 is attached to the support member 66.

ウエーハ搬入・搬出領域Aと第2のカセット60との間にはスピンナ洗浄装置68が配設されている。ウエーハ搬送ロボット70は、保持アーム72と、保持アーム72を移動する多節リンク機構74から構成され、第1のカセット58内に収納されたウエーハを仮置きテーブル60に搬出するとともに、スピンナ洗浄装置68で洗浄されたウエーハを第2のカセット60に搬送する。   A spinner cleaning device 68 is disposed between the wafer loading / unloading area A and the second cassette 60. The wafer transfer robot 70 includes a holding arm 72 and a multi-joint link mechanism 74 that moves the holding arm 72. The wafer transport robot 70 carries the wafer stored in the first cassette 58 to the temporary placement table 60, and spinner cleaning apparatus. The wafer cleaned at 68 is transported to the second cassette 60.

ウエーハ搬入手段(ウエーハ搬送機構)76は、仮置きテーブル62上に載置された研削加工前のウエーハを、ウエーハ搬入・搬出領域Aに位置付けられたチャックテーブル52上に搬送する。ウエーハ搬出手段78は、ウエーハ搬入・搬出領域Aに位置付けられたチャックテーブル52上に載置されている研削加工後のウエーハを、スピンナ洗浄装置68に搬送する。   The wafer carry-in means (wafer carrying mechanism) 76 carries the wafer before grinding, which is placed on the temporary placement table 62, onto the chuck table 52 positioned in the wafer carry-in / out area A. The wafer carry-out means 78 carries the wafer after grinding mounted on the chuck table 52 positioned in the wafer carry-in / out area A to the spinner cleaning device 68.

第1のカセットを58内には、図2に示す半導体ウエーハ11が収納されている。半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハから成っており、表面11aに複数のストリート13が格子状に形成されているとともに、これら複数のストリート13によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。   A semiconductor wafer 11 shown in FIG. 2 is accommodated in the first cassette 58. The semiconductor wafer 11 is made of, for example, a silicon wafer having a thickness of 700 μm, and a plurality of streets 13 are formed in a lattice shape on the surface 11a, and an IC, a plurality of areas partitioned by the plurality of streets 13, A device 15 such as an LSI is formed.

このように構成された半導体ウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19を備えている。尚、外周余剰領域19の幅は約2〜3mmに設定されている。半導体ウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。   The semiconductor wafer 11 configured as described above includes a device region 17 in which the device 15 is formed, and an outer peripheral surplus region 19 that surrounds the device region 17. In addition, the width | variety of the outer periphery surplus area | region 19 is set to about 2-3 mm. A notch 21 is formed on the outer periphery of the semiconductor wafer 11 as a mark indicating the crystal orientation of the silicon wafer.

半導体ウエーハ11の表面11aには、保護テープ貼着工程により保護テープ23が貼着される。従って、半導体ウエーハ11の表面11aは保護テープ23によって保護され、図3に示すように、裏面11bが露出する状態となり、裏面11bを上側にして半導体ウエーハ11が複数枚第1のカセット58中に収納されている。   A protective tape 23 is attached to the surface 11a of the semiconductor wafer 11 by a protective tape attaching process. Therefore, the front surface 11a of the semiconductor wafer 11 is protected by the protective tape 23, and as shown in FIG. 3, the back surface 11b is exposed, and the plurality of semiconductor wafers 11 are placed in the first cassette 58 with the back surface 11b facing upward. It is stored.

次に図4を参照すると、ウエーハ11の中心80、保持アーム72の中心82及び仮置きテーブル62の中心84の関係が模式的に示されている。仮置きテーブル62は保持面62aを有しており、この保持面62aは図示しない吸引手段により吸引される構成となっている。保持アーム72の中心82と、仮置きテーブル62の中心84は予めコントローラ104(図8参照)に登録されている。   Next, referring to FIG. 4, the relationship among the center 80 of the wafer 11, the center 82 of the holding arm 72, and the center 84 of the temporary table 62 is schematically shown. The temporary placement table 62 has a holding surface 62a, and the holding surface 62a is sucked by a suction means (not shown). The center 82 of the holding arm 72 and the center 84 of the temporary placement table 62 are registered in advance in the controller 104 (see FIG. 8).

本発明実施形態では、保持アーム72でウエーハ11を下側から保持し、ウエーハ11の中心80を仮置きテーブル62の中心84に合致させて、ウエーハ11を仮置きテーブル62上に載置する。   In the embodiment of the present invention, the wafer 11 is held from the lower side by the holding arm 72, and the wafer 11 is placed on the temporary placement table 62 with the center 80 of the wafer 11 aligned with the center 84 of the temporary placement table 62.

図5を参照すると、ウエーハ11を保持アーム72によって撮像手段64の下に位置付け、ウエーハ11の外周縁を撮影している模式図が示されている。86は撮影視野である。   Referring to FIG. 5, there is shown a schematic diagram in which the wafer 11 is positioned below the imaging means 64 by the holding arm 72 and the outer periphery of the wafer 11 is photographed. Reference numeral 86 denotes a photographing field.

次に図6を参照して、撮像手段64によって撮像された画像に基づいて、ウエーハ11の中心位置を検出する方法について説明する。87は撮像手段64によって撮像された撮像画像であり、撮像画像87をスキャンすることにより3点A,B,Cを抽出する。このスキャン操作により、3点A,B,CのX,Y座標を求めることができる。   Next, a method for detecting the center position of the wafer 11 based on the image picked up by the image pickup means 64 will be described with reference to FIG. Reference numeral 87 denotes a picked-up image picked up by the image pickup means 64, and three points A, B, and C are extracted by scanning the picked-up image 87. By this scanning operation, the X and Y coordinates of the three points A, B, and C can be obtained.

点A及び点Bを結んだ線分88の垂直二等分線90を引き、更に点B及び点Cを結んだ線分92の垂直二等分線94を引くと、垂直二等分線90,94の交点96がウエーハ11の中心位置80として求められることになる。   When a perpendicular bisector 90 of a line segment 88 connecting points A and B is drawn, and further a perpendicular bisector 94 of a line segment 92 connecting points B and C is drawn, a vertical bisector 90 is drawn. 94 is obtained as the center position 80 of the wafer 11.

上記3点A〜Cに加えて更に1点を追加すると、3点の組み合わせが4通り求められることになる。よって、それぞれの3点の組み合わせについて垂直二等分線の交点を求め、これらの交点の平均値からウエーハ11の中心を求めると、より正確にウエーハ11の中心80を求めることができる。   If one point is added in addition to the above three points A to C, four combinations of three points are obtained. Therefore, when the intersection of the perpendicular bisectors is obtained for each combination of three points, and the center of the wafer 11 is obtained from the average value of these intersections, the center 80 of the wafer 11 can be obtained more accurately.

このようにウエーハ11の中心80を求めた後、図7(A)に示すように、ずれ量検出手段により保持アーム72の中心82とウエーハ11の中心80とのずれ量106を検出する。   After obtaining the center 80 of the wafer 11 in this way, as shown in FIG. 7A, a deviation amount 106 between the center 82 of the holding arm 72 and the center 80 of the wafer 11 is detected by a deviation amount detecting means.

次いで、図7(B)に示すように、ウエーハ搬送ロボット70の多節リンク74を駆動することにより保持アーム72を移動し、ウエーハ11の中心80を仮置きテーブル62の中心84に合致させてウエーハ11を仮置きテーブル62上に載置する。   Next, as shown in FIG. 7B, the holding arm 72 is moved by driving the multi-joint link 74 of the wafer transfer robot 70 so that the center 80 of the wafer 11 matches the center 84 of the temporary placement table 62. The wafer 11 is placed on the temporary placement table 62.

次に図8を参照して、ウエーハ搬入手段(ウエーハ搬送機構)76と仮置きテーブル62及びチャックテーブル52の関係について説明する。ウエーハ搬入手段76の作動アーム(支持アーム)98は、パルスモータ102を作動アーム98に連結する連結軸103の軸心を中心に回動する。   Next, with reference to FIG. 8, the relationship between the wafer carry-in means (wafer transport mechanism) 76, the temporary placement table 62, and the chuck table 52 will be described. The operating arm (support arm) 98 of the wafer carry-in means 76 rotates around the axis of the connecting shaft 103 that connects the pulse motor 102 to the operating arm 98.

作動アーム98の先端部には吸着パッド100が取り付けられている。パルスモータ102を駆動すると、作動アーム98は吸着パッド100の中心が仮置きテーブル62の中心84と、チャックテーブル52の中心を通る円弧状軌跡105を描くように回動する。   A suction pad 100 is attached to the tip of the operating arm 98. When the pulse motor 102 is driven, the operation arm 98 rotates so that the center of the suction pad 100 draws an arcuate locus 105 passing through the center 84 of the temporary table 62 and the center of the chuck table 52.

これにより、仮置きテーブル62上に仮置きテーブルの中心84にその中心80を合わせて載置されたウエーハ11を、ウエーハ搬入手段76の吸着パッド100で吸着し、パルスモータ102を所定パルス駆動することにより、ウエーハ11をその中心80をチャックテーブル52の吸着チャック56の中心に合わせてチャックテーブル52上に移動することができる。   As a result, the wafer 11 placed on the temporary placement table 62 with its center 80 aligned with the center 84 of the temporary placement table is sucked by the suction pad 100 of the wafer carry-in means 76, and the pulse motor 102 is driven by a predetermined pulse. Thus, the wafer 11 can be moved onto the chuck table 52 with its center 80 aligned with the center of the suction chuck 56 of the chuck table 52.

次いで、吸着チャック56を吸引駆動し、吸着パッド100の吸引を解除することにより、ウエーハ11はその中心80を吸着チャック56の中心に合わせて、チャックテーブル52上に吸引保持される。   Next, the suction chuck 56 is driven to suck and the suction of the suction pad 100 is released, whereby the wafer 11 is sucked and held on the chuck table 52 with its center 80 aligned with the center of the suction chuck 56.

コントローラ104は、撮像手段64及びウエーハ搬送ロボット70の多節リンク74を制御するとともに、粗研削ユニット10、仕上げ研削ユニット12、チャックテーブル52等の他の多くのユニットの制御を司る。   The controller 104 controls the imaging means 64 and the multi-node link 74 of the wafer transfer robot 70, and controls many other units such as the rough grinding unit 10, the finish grinding unit 12, and the chuck table 52.

上述した実施形態では、ウエーハ11の中心80を仮置きテーブル62の中心84に合致させて、ウエーハ11を仮置きテーブル62上に載置しているが、この中心合わせ工程はチャックテーブル52上で行うようにしてもよい。   In the embodiment described above, the wafer 11 is placed on the temporary placement table 62 with the center 80 of the wafer 11 aligned with the center 84 of the temporary placement table 62. This centering step is performed on the chuck table 52. You may make it perform.

この場合には、仮置きテーブル62上に載置されたウエーハ11を撮像手段64で撮像して、ウエーハ11の中心位置座標を図6に示した方法で検出するが、ウエーハ搬送ロボット70ではウエーハ11の中心80を仮置きテーブル62の中心84に合致させて載置する制御を行わない。よって、ウエーハ11は通常その中心80が仮置きテーブル62の中心84から僅かばかりずれて載置される。   In this case, the wafer 11 placed on the temporary placement table 62 is imaged by the imaging means 64, and the center position coordinates of the wafer 11 are detected by the method shown in FIG. No control is performed so that the center 80 of 11 is aligned with the center 84 of the temporary table 62. Therefore, the wafer 11 is usually placed with its center 80 slightly shifted from the center 84 of the temporary table 62.

そこで、ウエーハ11の中心80が円弧状軌跡105上に来るように仮置きテーブル62を僅かばかり回転する。次に、ウエーハ搬入手段76の吸着パッド100でウエーハ11を吸着してチャックテーブル52上に搬送して載置する際に、ウエーハ11の中心80をチャックテーブル52の中心に合致させて載置するために、ウエーハ搬入手段76の作動アーム98を回動させるのに必要なパルスモータ102の駆動パルス数を計算により求める。   Therefore, the temporary placement table 62 is slightly rotated so that the center 80 of the wafer 11 is on the arcuate locus 105. Next, when the wafer 11 is sucked by the suction pad 100 of the wafer carry-in means 76 and transported and placed on the chuck table 52, the center 80 of the wafer 11 is placed in alignment with the center of the chuck table 52. For this purpose, the number of drive pulses of the pulse motor 102 required to rotate the operating arm 98 of the wafer carry-in means 76 is obtained by calculation.

次いで、ウエーハ搬入手段76の吸着パッド100でウエーハ11を吸着し、パルスモータ102を計算により求めた駆動パルス数で駆動することにより、吸着パッド100の中心が円弧状軌跡100を描いて移動して、ウエーハ11の中心80をチャックテーブル52の中心に合致させて、ウエーハ11をチャックテーブル52上に載置することができる。   Next, the wafer 11 is sucked by the suction pad 100 of the wafer carry-in means 76, and the pulse motor 102 is driven at the number of drive pulses obtained by calculation, so that the center of the suction pad 100 moves along an arcuate locus 100. The wafer 11 can be placed on the chuck table 52 by aligning the center 80 of the wafer 11 with the center of the chuck table 52.

ウエーハ搬入手段(ウエーハ搬送機構)76の支持アーム98の長さ及び/又は回動角度即ち吸着パッド100の移動距離を正確に制御することにより、ウエーハ11はその中心80をチャックテーブル52の吸着チャック56の中心に合わせてチャックテーブル52上に載置されるはずである。   By accurately controlling the length and / or rotation angle of the support arm 98 of the wafer carry-in means (wafer transport mechanism) 76, that is, the moving distance of the suction pad 100, the wafer 11 has its center 80 at the chuck chuck of the chuck table 52. It should be placed on the chuck table 52 in accordance with the center of 56.

ところが、従来はこれを簡単に検出する方法がないという課題があった。そこで、発明が解決しようとする課題の欄に記載したように、実際に、試験用ウエーハのデバイス領域に対応する領域の裏面を研削して円形凹部を形成し、ウエーハの外周余剰領域を残存させて環状補強部を形成し、環状補強部の幅を多数のポイントで測定することによりウエーハ搬送機構76を調整していた。   However, there has conventionally been a problem that there is no method for easily detecting this. Therefore, as described in the column of the problem to be solved by the invention, the back surface of the region corresponding to the device region of the test wafer is actually ground to form a circular recess, and the excess peripheral region of the wafer is left. The wafer conveyance mechanism 76 is adjusted by forming an annular reinforcing portion and measuring the width of the annular reinforcing portion at a number of points.

本発明では、この課題を解決するために図9に示すような試験用ウエーハ25を用意する。試験用ウエーハ25は、例えばシリコンインゴットからスライス加工により切り出された半導体デバイスを有しないシリコンウエーハの表裏両面を研削又は研磨して700μmに加工したウエーハから形成される。   In the present invention, in order to solve this problem, a test wafer 25 as shown in FIG. 9 is prepared. The test wafer 25 is formed, for example, from a wafer obtained by grinding or polishing both the front and back surfaces of a silicon wafer that does not have a semiconductor device cut out from a silicon ingot and processed to 700 μm.

試験用ウエーハ25は図2に示したウエーハ11と同一の形状を有している。このような試験用ウエーハ25を、ウエーハ搬送ロボット74で第1のカセット58から取り出して、上述したように中心合わせを行って仮置きテーブル62上に載置する。   The test wafer 25 has the same shape as the wafer 11 shown in FIG. Such a test wafer 25 is taken out from the first cassette 58 by the wafer transfer robot 74, centered as described above, and placed on the temporary placement table 62.

そして、中心合わせをされて仮置きテーブル62上に載置された試験用ウエーハ25を、図8に示すようにウエーハ搬送機構76の吸着パッド100で吸着し、パルスモータ102を所定パルス駆動して支持アーム98を所定角度回動することにより、試験用ウエーハ25をチャックテーブル52上に搬送して吸引保持する。   Then, the test wafer 25 centered and placed on the temporary placement table 62 is sucked by the suction pad 100 of the wafer transport mechanism 76 as shown in FIG. 8, and the pulse motor 102 is driven by a predetermined pulse. By rotating the support arm 98 by a predetermined angle, the test wafer 25 is conveyed onto the chuck table 52 and sucked and held.

次いで、図10に示すように、チャックテーブル52に吸引保持された試験用ウエーハ25の上面に点で接触する罫書き手段110を接触させた状態で、チャックテーブル52を回転させて試験用ウエーハ25の上面に環状罫書き線112を形成する。   Next, as shown in FIG. 10, the test table 25 is rotated by rotating the chuck table 52 in a state where the scoring means 110 that contacts the upper surface of the test wafer 25 sucked and held by the chuck table 52 is in contact. An annular ruled line 112 is formed on the upper surface of the substrate.

そして、粗研削ユニット10に隣接して配置された図示を省略した撮像装置によりチャックテーブル52上に吸引保持された試験用ウエーハ25を撮像する。図11に示すように、環状罫書き線112から任意の3点A,B,Cを抽出し、図6を参照して説明した方法と同様な方法により環状罫書き線112の中心55Aの座標(X1,Y1)を算出する。この環状罫書き線112の中心55Aの座標(X1,Y1)はチャックテーブル52の回転中心座標と一致する。   The test wafer 25 sucked and held on the chuck table 52 is imaged by an imaging device (not shown) arranged adjacent to the rough grinding unit 10. As shown in FIG. 11, arbitrary three points A, B, and C are extracted from the circular ruled line 112, and the coordinates of the center 55A of the circular ruled line 112 are obtained by the same method as described with reference to FIG. (X1, Y1) is calculated. The coordinates (X1, Y1) of the center 55A of the circular ruled line 112 coincide with the rotation center coordinates of the chuck table 52.

更に、試験用ウエーハ25の外周縁の任意の3点D,E,Fを抽出し、これらの3点から試験用ウエーハ25の中心27の座標(X2,Y2)を算出する。そして、チャックテーブル52の回転中心位置座標(X1,Y1)と、試験用ウエーハ25の中心位置座標(X2,Y2)とのずれ量Sを求める。   Further, arbitrary three points D, E, and F on the outer periphery of the test wafer 25 are extracted, and the coordinates (X2, Y2) of the center 27 of the test wafer 25 are calculated from these three points. Then, a deviation amount S between the rotation center position coordinates (X1, Y1) of the chuck table 52 and the center position coordinates (X2, Y2) of the test wafer 25 is obtained.

このずれ量Sが予め定めた許容値以上であった場合には、吸着パッド100が装着されるウエーハ搬送機構76の支持アーム98の長さ及び/又は支持アーム98の回動角度即ち吸着パッド100の移動距離を補正して、ウエーハ搬送機構76でチャックテーブル52上に搬送される試験用ウエーハ25の中心がチャックテーブル52の回転中心に一致するように調整する。   When the deviation amount S is equal to or larger than a predetermined allowable value, the length of the support arm 98 of the wafer transport mechanism 76 to which the suction pad 100 is mounted and / or the rotation angle of the support arm 98, that is, the suction pad 100 Is adjusted so that the center of the test wafer 25 transported onto the chuck table 52 by the wafer transport mechanism 76 coincides with the center of rotation of the chuck table 52.

尚、撮像装置が粗研削ユニット10に隣接して設けられていない場合には、図11に示すように環状罫書き線112が形成された試験用ウエーハ25にX軸方向及びY軸方向の目印をつけてから試験用ウエーハ25をチャックテーブル52から取り外し、別に設けた撮像装置で試験用ウエーハ25及び環状罫書き線112を撮像し、環状罫書き線112の中心位置55A即ちチャックテーブル52の回転中心位置と、試験用ウエーハ25の中心位置27を検出して、ずれ量Sを算出するようにしてもよい。   When the imaging device is not provided adjacent to the rough grinding unit 10, marks in the X-axis direction and the Y-axis direction are formed on the test wafer 25 on which the annular scribe line 112 is formed as shown in FIG. , The test wafer 25 is removed from the chuck table 52, and the test wafer 25 and the annular scribe line 112 are imaged by a separate imaging device, and the center position 55A of the annular scribe line 112, that is, the rotation of the chuck table 52 is rotated. The deviation amount S may be calculated by detecting the center position and the center position 27 of the test wafer 25.

罫書き手段110として、研削装置に通常設置されている研削中のウエーハ11の厚みを測定する接触式厚み測定ゲージを利用することができる。この場合には、試験用ウエーハ25の表面全面にマジックインキ等で薄い被膜を形成し、接触式厚み測定ゲージをこの被膜に当接しながらチャックテーブル52を回転することにより、環状罫書き線112を形成するのが好ましい。   As the ruler 110, a contact-type thickness measuring gauge that measures the thickness of the wafer 11 being ground, which is usually installed in a grinding apparatus, can be used. In this case, a thin film is formed on the entire surface of the test wafer 25 with magic ink or the like, and the annular ruled line 112 is formed by rotating the chuck table 52 while contacting the contact-type thickness measuring gauge with the film. Preferably formed.

上述した本発明実施形態によると、試験用ウエーハ25と点で接触する罫書き手段110によりチャックテーブル52に保持された試験用ウエーハ25に環状罫書き線112を形成して、チャックテーブル52上に搬送された試験用ウエーハ25の中心とチャックテーブル52の回転中心のずれ量を容易に測定することが可能となり、このずれ量に基づいてウエーハ搬送機構76の調整をすることができる。   According to the above-described embodiment of the present invention, the annular scoring line 112 is formed on the test wafer 25 held on the chuck table 52 by the scoring means 110 that makes point contact with the test wafer 25, and is formed on the chuck table 52. The amount of deviation between the center of the test wafer 25 conveyed and the center of rotation of the chuck table 52 can be easily measured, and the wafer conveyance mechanism 76 can be adjusted based on this amount of deviation.

10 粗研削ユニット
12 仕上げ研削ユニット
25 試験用ウエーハ
50 ターンテーブル
52 チャックテーブル
62 仮置きテーブル
64 撮像手段
70 ウエーハ搬送ロボット
76 ウエーハ搬入手段(ウエーハ搬送機構)
98 支持アーム(作動アーム)
100 吸着パッド
110 罫書き手段
112 環状罫書き線
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Rough grinding unit 12 Finish grinding unit 25 Test wafer 50 Turntable 52 Chuck table 62 Temporary placing table 64 Imaging means 70 Wafer transfer robot 76 Wafer carrying means (wafer transfer mechanism)
98 Support arm (working arm)
100 suction pad 110 crease means 112 annular crease line

Claims (1)

支持アームの先端に装着された吸着パッドでウエーハを保持して、ウエーハが仮置きされた仮置きテーブルからウエーハを加工する回転可能なチャックテーブルへウエーハを搬送するウエーハ搬送機構の調整方法であって、
搬送予定のウエーハと同様の形状を有する試験用ウエーハを準備する試験用ウエーハ準備工程と、
該試験用ウエーハを該仮置きテーブル上にセットする仮置き工程と、
該ウエーハ搬送機構で該仮置きテーブルから該チャックテーブル上にウエーハを搬送し、該チャックテーブルで該試験用ウエーハを吸引保持するウエーハ搬送工程と、
該チャックテーブルに保持された該試験用ウエーハの上面に点で接触する罫書き手段を接触させた状態で該チャックテーブルを回転させ、該試験用ウエーハの上面に環状罫書き線を形成する環状罫書き線形成工程と、
該環状罫書き線の任意の3点から該環状罫書き線の中心位置座標(X1,Y1)を割り出すことにより、該チャックテーブルの回転中心位置を割り出す回転中心位置割り出し工程と、
該試験用ウエーハの外周縁の任意の3点から該試験用ウエーハの中心位置座標(X2,Y2)を割り出す試験用ウエーハ中心位置割り出し工程と、
該回転中心位置割り出し工程で求めた該チャックテーブルの回転中心位置座標(X1,Y1)と、該試験用ウエーハ中心位置割り出し工程で求めた該試験用ウエーハの中心位置座標(X2,Y2)とのずれ量を求め、所定値以上のずれ量であった場合、該吸着パッドが装着される該支持アームの長さ及び/又は該吸着パッドの移動距離を補正する補正工程と、
を具備したことを特徴とするウエーハ搬送機構の調整方法。
An adjustment method of a wafer transfer mechanism that holds a wafer with a suction pad attached to the tip of a support arm and transfers the wafer from a temporary table on which the wafer is temporarily placed to a rotatable chuck table that processes the wafer. ,
A test wafer preparation step of preparing a test wafer having the same shape as the wafer to be transported;
A temporary placing step of setting the test wafer on the temporary placing table;
A wafer transfer step of transferring a wafer from the temporary table to the chuck table by the wafer transfer mechanism and sucking and holding the test wafer by the chuck table;
An annular ruled line that forms an annular scored line on the upper surface of the test wafer by rotating the chuck table in a state where the scored means contacting the point with the upper surface of the test wafer held on the chuck table is in contact. Writing line forming process;
A rotation center position indexing step for determining the rotation center position of the chuck table by determining the center position coordinates (X1, Y1) of the annular score line from any three points of the annular score line;
A test wafer center position determining step of determining the center position coordinates (X2, Y2) of the test wafer from arbitrary three points on the outer peripheral edge of the test wafer;
The rotation center position coordinates (X1, Y1) of the chuck table obtained in the rotation center position indexing step and the center position coordinates (X2, Y2) of the test wafer obtained in the test wafer center position indexing step. A correction step for obtaining a shift amount and, if the shift amount is equal to or greater than a predetermined value, correcting the length of the support arm on which the suction pad is mounted and / or the movement distance of the suction pad;
A method for adjusting a wafer transport mechanism.
JP2010075327A 2010-03-29 2010-03-29 Adjustment method of wafer transfer mechanism Active JP5473715B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010075327A JP5473715B2 (en) 2010-03-29 2010-03-29 Adjustment method of wafer transfer mechanism

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010075327A JP5473715B2 (en) 2010-03-29 2010-03-29 Adjustment method of wafer transfer mechanism

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011210827A true JP2011210827A (en) 2011-10-20
JP5473715B2 JP5473715B2 (en) 2014-04-16

Family

ID=44941602

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010075327A Active JP5473715B2 (en) 2010-03-29 2010-03-29 Adjustment method of wafer transfer mechanism

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5473715B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014232757A (en) * 2013-05-28 2014-12-11 株式会社ディスコ Workpiece transfer method
CN104779191A (en) * 2014-01-10 2015-07-15 株式会社迪思科 Mark detecting method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005230974A (en) * 2004-02-19 2005-09-02 Okamoto Machine Tool Works Ltd Method for calculating coordinate of rotation center position of cylindrical workpiece
JP2006140350A (en) * 2004-11-12 2006-06-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus and teaching method
JP2006229119A (en) * 2005-02-21 2006-08-31 Ulvac Seimaku Kk Alignment method in exposure device
JP2009123790A (en) * 2007-11-13 2009-06-04 Disco Abrasive Syst Ltd Grinding device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005230974A (en) * 2004-02-19 2005-09-02 Okamoto Machine Tool Works Ltd Method for calculating coordinate of rotation center position of cylindrical workpiece
JP2006140350A (en) * 2004-11-12 2006-06-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus and teaching method
JP2006229119A (en) * 2005-02-21 2006-08-31 Ulvac Seimaku Kk Alignment method in exposure device
JP2009123790A (en) * 2007-11-13 2009-06-04 Disco Abrasive Syst Ltd Grinding device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014232757A (en) * 2013-05-28 2014-12-11 株式会社ディスコ Workpiece transfer method
CN104779191A (en) * 2014-01-10 2015-07-15 株式会社迪思科 Mark detecting method
JP2015133371A (en) * 2014-01-10 2015-07-23 株式会社ディスコ Mark detection method
TWI626707B (en) * 2014-01-10 2018-06-11 Disco Corp Mark detection method
CN104779191B (en) * 2014-01-10 2019-01-01 株式会社迪思科 Mark detection method

Also Published As

Publication number Publication date
JP5473715B2 (en) 2014-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101364358B1 (en) Grinding apparatus
JP5324231B2 (en) Semiconductor wafer alignment system
JP2010186863A (en) Aligning mechanism, working device and aligning method
JP5484821B2 (en) Detection method
JP2015229231A (en) Processing device for peripheral edge of plate material and processing method for peripheral edge of curved plate
TWI738816B (en) Cutting method of workpiece
JP5436876B2 (en) Grinding method
JP5800694B2 (en) Wafer position correction method
KR20210088417A (en) Machining apparatus
JP5215159B2 (en) Alignment mechanism, grinding apparatus, alignment method and grinding method
JP6099960B2 (en) Wafer chamfering method and wafer chamfering apparatus
JP2010034249A (en) Processing apparatus for semiconductor wafer
JP2018207032A (en) Processing method and processing device of wafer
JP2012121096A (en) Grinding device
JP2013084681A (en) Cutting device
JP6415349B2 (en) Wafer alignment method
JP5473715B2 (en) Adjustment method of wafer transfer mechanism
JP5723563B2 (en) Alignment method
JP2009302369A (en) Method and apparatus for processing plate-like object
JP6574373B2 (en) Disc-shaped workpiece grinding method
JP2012069677A (en) Grinding apparatus
JP2018170312A (en) Wafer positioning apparatus and chamfering apparatus using the same
JP6101567B2 (en) Work transfer method
JP2021114493A (en) Processing device
TWI810429B (en) How to register the origin position of the cutting device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130215

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140123

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140204

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140204

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5473715

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250