JP2011209587A - 光導波路の形成方法、光導波路、及び露光マスク - Google Patents
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Abstract
【課題】基板面から非平行な方向へ出射された光の発散を防止することができる光導波路を形成する。
【解決手段】まず、SOI基板を用意する。次に、SOI基板のSi層上に、レジスト層を形成する。次に、レジスト層から、一定方向に沿って順次に厚みが増加していく形状のレジストパターンを、Si層のコア形成予定領域を被覆するように形成する。次に、レジストパターンをマスクとして用いてSi層をエッチングすることによって、コア形成予定領域に残存したSi層の残部から、一定方向に沿って順次に厚みが増加していく形状のコア37を形成する。次に、レジストパターンを除去した後、SiO2層15の上側全面に、コアを被覆する上部SiO2層37を形成することによって、SiO2層及び上部SiO2層からクラッド41を形成する。
【選択図】図4
【解決手段】まず、SOI基板を用意する。次に、SOI基板のSi層上に、レジスト層を形成する。次に、レジスト層から、一定方向に沿って順次に厚みが増加していく形状のレジストパターンを、Si層のコア形成予定領域を被覆するように形成する。次に、レジストパターンをマスクとして用いてSi層をエッチングすることによって、コア形成予定領域に残存したSi層の残部から、一定方向に沿って順次に厚みが増加していく形状のコア37を形成する。次に、レジストパターンを除去した後、SiO2層15の上側全面に、コアを被覆する上部SiO2層37を形成することによって、SiO2層及び上部SiO2層からクラッド41を形成する。
【選択図】図4
Description
この発明は、光導波路の形成方法、この形成方法を用いて形成された光導波路、及びこの形成方法に用いられる露光マスクに関する。
光加入者系システムにおいて加入者側に用いられる送受信モジュールとして、ONU(Optical Network Unit)が使用されている。現在用いられている多くのONUは、基板に光導波路を形成するとともに、支持基板上に、例えば波長フィルタ、受光素子、及び発光素子等の種々の部品を搭載して具えた構成となっている。
ONUでは、例えば素子の小型化を目的として、受光素子を支持基板の基板面と対向させて配置する構成が知られている。そして、このような構成では、光導波路から出射される光を受光素子に入力するために、コアに回折格子を形成することによって、光を光導波路とは非平行な方向へ、すなわち受光素子へ向かう方向へ出射させる技術が周知である(例えば特許文献1参照)。
ところで、近年、例えばONUの小型化及び量産化を目的として、Siを光導波路材料として用いる技術が注目されている。
このようなSiを材料とした光導波路は、周知の通り、SOI基板を用いることによって形成される(例えば特許文献2参照)。
この特許文献2に開示された形成方法によれば、まず、Si支持基板、SiO2層、及びSi層がこの順に積層されて構成されたSOI基板を用意する。
次に、SOI基板上にレジスト層を堆積する。そして、このレジスト層を周知の露光技術を用いて露光することによって、コア形成予定領域を被覆するレジストパターンを形成する。
次に、レジストパターンをマスクとして用いて、Si層を部分的に除去することによって、コア形成予定領域に残存したSi膜の残部からコアを形成する。
次に、コアを被覆する上部SiO2層を形成することによって、この上部SiO2層及びSOI基板のSiO2層からクラッドを形成する。
以上に説明した各工程を行うことによって、Si支持基板上に形成されている、クラッド及びこのクラッドに埋め込まれたコアを具える光導波路を形成することができる。
そして、上述した形成方法を用いて形成された光導波路では、用いるSOI基板におけるSi層の厚みが、形成されるコアの厚みとなる。そして、通常のSOI基板において、Si層は、一定の厚みを有した平板状の層として設けられている、従って、SOI基板を用いて形成された光導波路では、コアの厚みは実質的に一定となる。
しかしながら、上述した形成方法を用いて形成された光導波路では、光導波路とは非平行な方向へ出射される光の光束特性が劣化する、より具体的には出射される出射光が発散して指向性が悪いという問題がある。そのため、例えば、光導波路を伝搬する光信号が効率良く受光素子に受光されない等の問題が生じていた。
この発明の目的は、光導波路とは非平行な方向へ光を出射させるに当たり、その出射光の発散を抑制して指向性を良好にすることができる光導波路の形成方法、この形成方法を用いて形成された光導波路、及びこの形成方法を行うために用いる露光マスクを提供することにある。
この出願に係る発明者は、鋭意研究を重ねた結果、光導波路を伝搬する光を光導波路とは非平行な方向へ出射させる場合に、光導波路の光伝搬方向に沿ってコアの厚みを順次に増加させて、コアの光の出射する面を順次に高くするように、当該コアを形成することによって、その出射光の発散を抑制することができることをシミュレーションから確認した。なお、このシミュレーションについては後述する。
さらに、このような形状のコアは、一定方向、すなわち形成されるべき光導波路の光伝搬方向に沿って順次厚みが増加するレジストパターンをマスクとしてSi層をエッチングすることによって形成できることを見出した。
そこで、上述の目的の達成を図るため、この発明による光導波路の形成方法は、以下の第1工程から第5工程までの各工程を含んでいる。
すなわち、まず、第1工程では、Si支持基板、このSi支持基板上に形成されたSiO2層、及びこのSiO2層上に形成されたSi層から構成されているSOI基板を用意する。
次に、第2工程では、SOI基板のSi層上に、レジスト層を形成する。
次に、第3工程では、レジスト層から、一定方向に沿って順次に厚みが増加していく形状のレジストパターンを、Si層のコア形成予定領域を被覆するように形成する。
次に、第4工程では、レジストパターンをマスクとして用いてSi層をエッチングすることによって、コア形成予定領域に残存したSi層の残部から、前記一定方向に沿って連続的に厚みが増加していく形状のコアを形成する。
次に、第5工程では、レジストパターンを除去した後、SiO2層の上側全面に、コアを被覆する上部SiO2層を形成することによって、SiO2層及び上部SiO2層からクラッドを形成する。
また、この発明による光導波路は、上述した光導波路の形成方法を用いて形成された光導波路であって、以下の特徴を有している。
すなわち、この発明による光導波路は、単一のSi支持基板上に形成されている、クラッド及び該クラッドに埋め込まれて形成されたコアを具えている。そして、コアは、光伝搬方向に沿って順次に厚みが増加していく形状で形成されている。
また、この発明による露光マスクは、上述した光導波路の形成方法において用いる露光マスクであって、以下の特徴を有している。
すなわち、この発明による露光マスクは、コア形成予定領域に対応する領域において、遮光領域と光透過領域とが一定方向に沿って交互に各々複数配列されている。そして、各互いに隣接する光透過領域から透過した各光の解像限界がそれぞれ互いに重なり合うように遮光領域と光透過領域のピッチが設定されている。さらに、このピッチにおける光透過領域の割合が、前記一定方向に沿って順次大きくなる。
この発明による光導波路の形成方法によれば、上述したように、順次に厚みが増加していく形状のレジストパターンをマスクとしてSi層をエッチングすることによって、順次に厚み、すなわち光を出射する側の面の高さが増加していく形状でコアを形成できる。
また、この発明による光導波路は、上述したように、コアが光伝搬方向、すなわち上述した一定方向に沿って順次に厚み、すなわち光を出射する側の面の高さが増加していく形状で形成されているため、当該光導波路を伝搬する光をこの光導波路とは非平行な方向へ出射させる場合に、その出射光の発散を従来よりも抑制することができる。その結果、従来よりも出射光の指向性が良好となる。
また、この発明による露光マスクを用いてレジスト層を露光することによって、この発明による光導波路の形成方法では、レジスト層から、順次に厚みが増加していく形状のレジストパターンを形成することができる。
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態に係る光導波路の形成方法、光導波路及び露光マスクについて説明する。なお、各図は、この発明が理解できる程度に、各構成要素の形状、大きさ、及び配置関係を概略的に示してあるに過ぎない。従って、この発明の構成は、何ら図示の構成例にのみ限定されるものではない。
〈第1の実施の形態〉
第1の実施の形態では、光伝搬方向に沿って順次に厚みが増加していくコアを具えている光導波路の形成方法について説明する。
第1の実施の形態では、光伝搬方向に沿って順次に厚みが増加していくコアを具えている光導波路の形成方法について説明する。
この形成方法は、第1工程から第5工程までの各工程を含んでいる。以下、第1工程から順に各工程につき説明する。
図1(A)及び(B)は、この発明の第1の実施の形態による光導波路の形成方法を説明する工程図である。また、図2(A)〜(C)は、図1(B)に続く工程図である。これらの各図は、それぞれ、各形成段階で得られた構造体を、厚み方向に切り取った断面の切り口で示してある。なお、図1(A)及び(B)と図2(A)及び(C)は、後述する一定方向に沿った切り口であり、また、図2(B)は、この一定方向に直交する面に沿った切り口である。
また、図4(A)及び(B)は、図2(C)に続く工程図であり、第1の実施の形態によって形成された光導波路を示す図である。そして、図4(A)は、第1の実施の形態によって形成された光導波路を概略的に示した斜視図である。また、図4(B)は、図4(A)に示すII−II線に沿って、厚み方向に切り取った断面の切り口で示してある。
まず、第1工程では、図1(A)に示すような平行平板状の均一の厚みのSOI基板11を用意する。
SOI基板11は、Si支持基板13、このSi支持基板13上に形成されたSiO2層15、及びこのSiO2層15上に形成されたSi層17から構成されている周知のSOI基板とする。
そして、この第1の実施の形態では、例えば、SiO2層15が1〜5μmの範囲内の均一の厚みで、また、Si層17が1〜0.3μmの範囲内の均一の厚みで、それぞれ形成されているSOI基板11を用いるのが好ましい。
また、SOI基板11の表面、すなわちSi層17の表面17aを、例えば、まず、フッ化水素酸溶液を用いて20秒程度、次いで、純粋を用いて5分程度洗浄しておくのが好ましい。
次に、第2工程では、SOI基板11のSi層17上に、レジスト層19を形成して、図1(B)に示すような構造体を得る。
レジスト層19は、周知の塗布技術を用いてレジストを均一な厚みで堆積することによって形成する。
また、この実施の形態では、レジスト層19を構成するレジストとして、ポジ型またはネガ型のいずれかを設計に応じて任意好適に選択することができる。
次に、第3工程では、第2工程において形成したレジスト層19からレジストパターン21を形成して、図2(A)及び(B)に示すような構造体を得る。
なお、既に説明したように、図2(A)は、後述する一定方向に沿った切り口を示してあり、図2(B)は、この一定方向に直交する面に沿った(例えば図2(A)のA−A線に沿って切り取った)切り口を示してある。
レジストパターン21は、周知の露光装置を用いてレジスト層19を設計に応じて適切に露光することによって、レジスト層19を部分的に除去し、この除去したレジスト層19の残部から帯状、すなわちストライプ状に形成する。
レジストパターン21は、後述する第4工程において、Si層17からコアを形成するためのエッチングを行う際に、マスクとして機能する。そして、この第1の実施の形態では、コアを、一定方向、すなわち形成されるべき光導波路の光伝搬方向に沿って帯状に延在する形状で、かつこの光伝搬方向に沿って順次に厚みが増加していく形状で形成する。
そのために、レジストパターン21を、図2(A)中に矢印Xで示す一定方向に沿って順次に厚みが増加していく形状で、かつSi層17にこの一定方向に沿って帯状に延在する領域として設定されたコア形成予定領域23(図2(B)参照)を被覆するように形成する。この場合、Si層17の表面17aは平坦面であるので、Si層17上に形成されるレジストパターン21の上面21aの高さが一定方向に沿って一方向に順次に高くなっている。
そして、より具体的には、レジストパターン21を、例えば、最も薄い部分の厚みが0μm、また、最も厚い部分の厚みが0.2μmとなるように形成するのが好ましい。
ここで、この実施の形態では、一定方向に沿って順次に厚みが増加していく形状でレジストパターン21を形成するためには、図3(A)及び(B)に示すような露光マスク25を用いて、レジスト層19に対して露光を行う。
図3(A)及び(B)は、この第3工程においてレジスト層19を露光するために用いる露光マスク25を説明するための図である。
図3(A)は、露光マスク25の、コア形成予定領域23に対応する領域を概略的に示す平面図であり、また、図3(B)は、図3(A)に示すI−I線に沿って切り取った断面の切り口の端面図である。なお、図3(B)では一部のハッチングを省略している。そして、これらの各図に矢印Xで示した一定方向は、図2(A)に矢印Xで示した一定方向に対応している。
露光マスク25は、コア形成予定領域23に対応する領域において、遮光領域27と光透過領域29とが一定方向に沿って交互に各々複数配列して構成されている。
より具体的には、この露光マスク25は、例えば石英ガラスによって構成された基板(以下、ガラス基板とも称する)31上に、例えばクロムで構成された帯状すなわちストライプ状のラインパターン33が、一定方向に沿って互いに平行にかつ離間して複数載置されて形成されている。そして、ラインパターン33が載置された領域が、露光マスク25に対して照射された光を遮断する遮光領域27として機能する。また、ラインパターン33が載置されていない領域が、露光マスク25に対して照射された光を透過する光透過領域29として機能する。
そして、遮光領域27と光透過領域29のピッチは、各互いに隣接する光透過領域29から透過した各光の解像限界がそれぞれ互いに重なり合うように設定されている。
さらに、遮光領域27と光透過領域29のピッチにおける光透過領域29が占める割合は、一定方向に沿って順次大きくなる。なお、図3(A)及び(B)では、紙面の右側から左側に向かって、一定方向に沿って光透過領域29が占める割合が順次大きくなっていく構成例を示している。そして、これら図3(A)及び(B)の構成例では、各ピッチの一定方向に沿った幅Wa1〜Wa10を一定として、光透過領域29の一定方向に沿った幅を紙面の左側から右側に向かって順次小さくし、また、遮光領域27の一定方向に沿った幅Wb1〜Wb10を紙面の左側から右側に向かって順次大きくすることによって、Wa1〜Wa10に対する光透過領域29が占める幅の割合を、紙面の右側から左側に向かって順次大きくしている。この割合をどのような値にするかは、形成されるべきコアの厚みの増加をどのようにするかによって決まる設計事項である。
このように構成された露光マスク25では、レジスト層19に対する、各互いに隣接する光透過領域29を透過した光の照射領域が、それぞれ互いに重なり合う。
そして、一定方向に沿って光透過領域29が占める割合が順次大きくなっていくに従って、各互いに隣接する光透過領域29を透過した光が、コア形成領域23のレジスト層19に照射される際に、各々互いに重なり合う面積が大きくなる。従って、光透過領域29が占める割合が順次大きくなっていくに従って、レジスト層19に照射される光の強度が高くなる。すなわち、コア形成領域23のレジスト層19に照射される光は、一定方向に沿って、順次強度が高くなる。
その結果、露光マスク25において光透過領域29が占める割合が大きい領域では、光透過領域29が占める割合が小さい領域と比して、対応するレジスト層19が高い強度で露光される。
従って、レジスト層19がポジ型のレジストで形成されている場合には、光透過領域29が占める割合が大きい領域では、光透過領域29が占める割合が小さい領域と比して、形成されるレジストパターン21の厚みが薄くなる。また、レジスト層19がネガ型のレジストで形成されている場合には、光透過領域29が占める割合が大きい領域では、光透過領域29が占める割合が小さい領域と比して、形成されるレジストパターン21の厚みが厚くなる。
従って、上述した露光マスク25を用いて、レジスト層19に対して露光を行うことによって、平坦な下地、すなわちSi層17上に一面に一定方向に沿って順次に厚みが増加していく形状で、従って高さが順次に増加する傾斜上面を持った形状でレジストパターン21を形成することができる。なお、ここに示す例では、この厚みは直線的に増加している。
また、既に説明したように、コア形成予定領域23は、形成するコアの形状に対応して、一定方向に沿って帯状に延在する領域として設定されている。そして、このコア形成予定領域23を被覆するようにレジストパターン21を形成するためには、コア形成予定領域23外の領域に形成されているレジスト層19の領域部分を除去する必要がある。
そこで、レジスト層19がポジ型のレジストで形成されている場合には、コア形成予定領域23外のレジスト層19を露光するために、露光マスク25のコア形成予定領域23に対応する領域外の領域部分を、全面的に光透過領域とする(図示せず)。また、レジスト層19がネガ型のレジストで形成されている場合には、コア形成予定領域23外のレジスト層19が露光されないようにするために、露光マスク25のコア形成予定領域23に対応する領域外の領域部分を、全面的に遮光領域とする(図示せず)。
また、第1の実施の形態では、形成されるべき光導波路において、伝搬する光を支持基板の基板面、すなわちSi支持基板13の基板面13a(図4参照)と非平行な方向へ出射するために、光導波路に回折格子を設けるのが好ましい。そして、周知の通り、回折格子は、コアに溝部を形成し、この溝部にクラッドを埋め込むことによって形成される。
そこで、この実施の形態では、コアに溝部を形成するために、溝部35を有するレジストパターン21を形成するのが好ましい(図2(A)参照)。
そのために、レジスト層19がポジ型のレジストで形成されている場合には、溝部35を形成する領域のレジスト層19を露光するために、この溝部35を形成する領域に対応する露光マスク25の領域を光透過領域とする(図示せず)。また、レジスト層19がネガ型のレジストで形成されている場合には、溝部35を形成する領域のレジスト層19が露光されないようにするために、この溝部35を形成する領域に対応する露光マスク25の領域を遮光領域とする(図示せず)。
次に、第4工程では、レジストパターン21をマスクとして用いてSi層17をエッチングする。
これによって、コア形成予定領域23に残存したSi層17の残部から、一定方向に沿って順次に厚みが増加していく形状のコア37を形成して、図2(C)に示すような構造体を得る。
Si層17のエッチングは、例えば、CF4及びO2を4:1の混合比で混合したガスをエッチングガスとして、周知のドライエッチング技術を用いて行うのが好ましい。
また、第3工程において、上述した寸法でレジストパターン21を形成した場合には、コア37は、最も薄い部分が0.3μmの厚みで、また、最も厚い部分が0.5μmの厚みで、しかも、その間では厚みが連続的に、ここでは連続的に変化する形状で形成される。従って、当然ながら、SiO2層15の平坦面上にコア37の上面の高さが連続的に、ここでは直線的に変化している。
また、このエッチングによって同時に、レジストパターン21の溝部35の下側の領域では、Si層17が除去されて、コア37に溝部36が形成される。
そして、この第4工程におけるエッチングの後に、例えば有機溶剤を用いて、残存したレジストパターン21の残部を除去する。
次に、第5工程では、SiO2層15の上側全面に、コア37を被覆する上部SiO2層39を形成する。
これによって、SiO2層15及び上部SiO2層39からクラッド41を形成して、図4(A)及び(B)に示すような光導波路43を得る。なお、図4(A)では、第1の実施の形態によって形成された光導波路43を明瞭に示すために、上部クラッドとしての上部SiO2層39を省略して示してある。
上部SiO2層39は、例えば周知のプラズマCVD法、スパッタ法、または蒸着法等用いて形成する。
その結果、下部クラッドとしてのSiO2層15、及び上部クラッドとしての上部SiO2層39を含むクラッド41が、コア37を埋め込んで形成される。そして、これらコア37及びクラッド41を含む光導波路43が形成される。
光導波路43は、コア37が上述した一定方向に帯状に延在して形成されている。そして、コア37の延在方向、すなわち矢印Xで示した一定方向が光伝搬方向となる(図4(A)及び(B)参照)。
また、コア37に形成された溝部36は、上部クラッドとしての上部SiO2層39の形成時において、この上部SiO2層39によって埋め込まれる。その結果、光導波路43では、コア37の光伝搬方向における中途に、コア37を構成するSiとは異なる材質(すなわちSiO2)で構成された領域、すなわちコア37とは異なる屈折率を有する領域が設けられている。そのため、この溝部36、及び光伝搬方向に沿って溝部36を挟み込んだコア37の領域が、図4(B)にYで示す方向から入射して光導波路43を伝搬する光を、光導波路43とは非平行な方向、すなわち光導波路43外の受光素子(図示せず)へ向かう方向へ出射するための回折格子として機能する。
なお、この実施の形態では、一例としてコア37に1つの溝部36を形成する構成について説明したが、例えば光導波路43から出射する光の基板面13aに対する出射角等、の設計事項に応じて、複数の溝部36を設ける構成としてもよい。
以上に説明したように、第1の実施の形態による光導波路の形成方法によれば、上述したように、一定方向に沿って順次に厚みが増加していく形状のレジストパターン21をマスクとしてSi層17をエッチングすることによって、光伝搬方向に沿って順次に厚みが増加していく形状でコア37を形成できる。
第1の実施の形態による光導波路の形成方法によって形成された光導波路43は、単一のSi支持基板13上に形成されている、クラッド41及びこのクラッド41に埋め込まれて形成されたコア37を具えている。
そして、既に説明した通り、コア37は、光伝搬方向に沿って順次に厚みが増加していく形状で形成されている(図4(A)及び(B)参照)。
そのため、伝搬する光を光導波路43からこの光導波路43とは非平行な方向へ出射させる場合に、その出射光の発散を抑制することができ、従って、出射光の指向性を従来よりも良好にすることができる。
ここで、この出願に係る発明者は、上述した形成方法によって形成された光導波路43について、光束特性を評価するためのシミュレーションを行った。
このシミュレーションでは、第1の実施の形態による光導波路43と、従来の構造による光導波路、すなわちコアの厚みが一定に設定された光導波路とについて、光導波路からこの光導波路とは非平行な方向へ出射した光がどのように伝搬するかを比較した。
図5(A)及び(B)は、このシミュレーションの結果を示す図であり、光伝搬方向に沿って厚み方向に切り取った断面における光強度分布を示している。
なお、図5(A)及び(B)において、縦軸は光導波路の厚み方向の寸法をμm単位で目盛ってある。また、横軸は光伝搬方向に沿った寸法をμm単位で目盛ってある。
そして、図5(A)は、第1の実施の形態による光導波路43の結果を示している。
この図5(A)に係るシミュレーションでは、上述した光導波路43について、コア37の順次に厚みが増加していく形状部分の光伝搬方向に沿って長さを6μm、また、コア37の最も薄い部分の厚みを0.3μm、及び最も厚い部分の厚みを0.5μmに設定した。また、光導波路43からこれとは非平行な方向へ光を出射するための回折格子として、コア37に、光伝搬方向に沿った長さが0.6μmである1つの溝部36を形成した。そして、コア37の厚みが薄く設定された側から、1.31μmの波長光を入射した。
なお、図5(A)に破線で囲んで示した光強度分布の部分51は、第1の実施の形態による光導波路43において、光導波路43からこの光導波路43とは非平行な方向に出射された出射光の光強度を示している。
また、図5(B)は、従来構造による光導波路のシミュレーションの結果を示している。
この図5(B)に係るシミュレーションでは、従来構造による光導波路として、コアを0.3μmの厚みとし、全領域において一定の厚みに設定した。そして、その他の寸法及び入射光の波長等の条件は、図5(A)に係るシミュレーションに用いた第1の実施の形態による光導波路43と同様とした。
なお、図5(B)に破線で囲んで示した光強度分布の部分53は、従来構造による光導波路において、光導波路からこの光導波路とは非平行な方向に出射された出射光の光強度を示している。
図5(A)及び(B)の結果から明らかなように、従来構造による光導波路では、光導波路からこの光導波路とは非平行な方向に出射された出射光の光強度が分散しているのに対し、第1の実施の形態による光導波路43では、出射光の光強度が集中していることがわかる。
従って、この結果から、第1の実施の形態による光導波路43では、コア37の厚みを光伝搬方向に沿って順次に増加させることによって、光導波路とは非平行な方向に出射された出射光の発散を抑制でき、従って、出射光の指向性が従来よりも良好となる。よって受光素子を光導波路に対して受光効率の良い位置へ搭載することができることが確認された。
〈第1の変形例〉
第1の変形例では、上述した第1の実施の形態の変形例として、複数のコアを具える光導波路の形成方法について説明する。
第1の変形例では、上述した第1の実施の形態の変形例として、複数のコアを具える光導波路の形成方法について説明する。
この第1の変形例による光導波路の形成方法が、上述した第1の実施の形態による光導波路の形成方法と相違するのは、複数のコアを互いに異なる厚みで形成する点である。その他の構成要素及び作用効果は、第1の実施の形態と同様であるので、共通する構成要素については、同一の符号を付し、それらの重複する説明を省略する。
図6(A)及び(B)は、この発明の第1の変形例による光導波路の形成方法を説明する工程図である。これらの各図は、それぞれ、各形成段階で得られた構造体を、第1の実施の形態において上述した一定方向に直交する面に沿って、厚み方向に切り取った断面の切り口で示してある。
また、図7(A)及び(B)は、図6(B)に続く工程図であり、第1の変形例によって形成された光導波路を示す図である。そして、図7(A)は、第1の変形例によって形成された光導波路を概略的に示した斜視図である。また、図7(B)は、図7(A)に示すIII−III線に沿って、厚み方向に切り取った断面の切り口で示してある。
まず、上述した第1の実施の形態と同様の第1工程及び第2工程を行う(図1(A)及び(B)参照)。
次に、第3工程では、第2工程において形成したレジスト層19(図1(B)参照)から、コア形成予定領域63を被覆する、複数のレジストパターン61を各々互いに異なる厚みで形成して、図6(A)に示すような構造体を得る。なお、図6(A)では、一例として、2つのコア形成予定領域63a及び63bをそれぞれ被覆する、2つのレジストパターン61a及び61bを形成した構成例を示している。
レジストパターン61a及び61bは、周知の露光装置を用いてレジスト層19を露光することによって、レジスト層19を部分的に除去し、この除去したレジスト層19の残部から形成する。
ここで、複数のレジストパターン61を各々互いに異なる厚みで形成するためには、以下のように設定された露光マスクを用いて、レジスト層19に対して露光を行うのが好ましい。
すなわち、第1の実施の形態において上述したように、遮光領域と光透過領域とが一定方向に沿って交互に各々複数配列して構成されている露光マスクにおいて、遮光領域と光透過領域のピッチが、各互いに隣接する光透過領域から透過した各光の解像限界がそれぞれ互いに重なり合うように設定することによって、レジスト層19に対する、各互いに隣接する光透過領域を透過した光の照射領域が、それぞれ互いに重なり合う。そのため、遮光領域と光透過領域のピッチにおける光透過領域が占める割合に対応させて、レジスト層19に照射する光の強度を調整することができる。
そして、既に説明したように、遮光領域と光透過領域のピッチにおける光透過領域が占める割合が大きい領域では、光透過領域が占める割合が小さい領域と比して、対応するレジスト層19が高い強度で露光される。また、遮光領域と光透過領域のピッチにおける光透過領域が占める割合が小さい領域では、光透過領域が占める割合が大きい領域と比して、対応するレジスト層19が低い強度で露光される。
このような特性を利用して、この第1の変形例では、コア形成予定領域63aに対応する領域と、コア形成予定領域63bに対応する領域とで、遮光領域と光透過領域のピッチにおける光透過領域が占める割合が互いに異なる露光マスクを用いてレジスト層19を露光する。その結果、レジスト層19を、コア形成予定領域63aとコア形成予定領域63bとで、それぞれ異なる強度で露光することができる。
そして、例えば、図6(A)の構成例に示すように、レジストパターン61aをレジストパターン61bと比して厚く形成するためには、レジスト層19がポジ型のレジストで形成されている場合には、露光マスクのコア形成予定領域63aに対応する領域の光透過領域が占める割合を、コア形成予定領域63bに対応する領域と比して小さく設定する。
その結果、コア形成予定領域63aでは、コア形成予定領域63bと比して、レジスト層19が低い光強度で露光されるため、レジストパターン61aは、レジストパターン61bと比して厚く形成される。
また、レジスト層19がネガ型のレジストで形成されている場合には、露光マスクのコア形成予定領域63aに対応する領域の光透過領域が占める割合を、コア形成予定領域63bに対応する領域と比して大きく設定する。
その結果、コア形成予定領域63aでは、コア形成予定領域63bと比して、レジスト層19が高い光強度で露光されるため、レジストパターン61aは、レジストパターン61bと比して厚く形成される。
次に、第4工程では、レジストパターン61をマスクとして用いてSi層17をエッチングする。
これによって、コア形成予定領域63に残存したSi層17の残部から、複数のコア65を、各々互いに異なる厚みで形成して、図6(B)に示すような構造体を得る。なお、図6(A)では、上述した2つのレジストパターン61a及び61bに対応して、2つのコア65a及び65bを形成した構成例を示している。
Si層17のエッチングは、上述した第1の実施の形態と同様に、例えば、CF4及びO2を4:1の混合比で混合したガスをエッチングガスとして、周知のドライエッチング技術を用いて行うのが好ましい。
そして、この第4工程におけるエッチングの後に、例えば有機溶剤を用いて、残存したレジストパターン61の残部を除去する。
次に、第5工程では、SiO2層15の上側全面に、コア65を被覆する上部SiO2層39を形成する。
これによって、SiO2層15及び上部SiO2層39からクラッド41を形成して、図7(A)及び(B)に示すような光導波路67を得る。なお、図7(A)では、第1の変形例によって形成された光導波路67を明瞭に示すために、上部クラッドとしての上部SiO2層39を省略して示してある。
上部SiO2層39は、上述した第1の実施の形態と同様に、例えば周知のプラズマCVD法、スパッタ法、または蒸着法等用いて形成する。
その結果、下部クラッドとしてのSiO2層15、及び上部クラッドとしての上部SiO2層39を含むクラッド41が、コア65を埋め込んで形成される。そして、これらコア65及びクラッド41を含む光導波路67が形成される。
光導波路67は、複数のコア65a及び65bが上述した一定方向に帯状に延在して形成されている。そして、コア65の延在方向、すなわち一定方向が光伝搬方向となる(図7(A)及び(B)参照)。
以上に説明したように、第1の変形例による光導波路の形成方法によれば、上述したように、露光マスクの、遮光領域と光透過領域のピッチにおける光透過領域が占める割合を調節することによって、各々互いに異なる厚みで形成された複数のレジストパターン61を形成することができる。そして、レジストパターン61をマスクとして、Si層17をエッチングすることによって、互いに異なる厚みで複数のコア65を形成できる。
11:SOI基板
13:Si支持基板
15:SiO2層(下部クラッド)
17:Si層
19:レジスト層
21、61、61a、61b:レジストパターン
23、63、63a、63b:コア形成予定領域
25:露光マスク
27:遮光領域
29:光透過領域
31:ガラス基板
33:ラインパターン
35、36:溝部
37、65、65a、65b:コア
39:上部SiO2層(上部クラッド)
41:クラッド
43、67:光導波路
13:Si支持基板
15:SiO2層(下部クラッド)
17:Si層
19:レジスト層
21、61、61a、61b:レジストパターン
23、63、63a、63b:コア形成予定領域
25:露光マスク
27:遮光領域
29:光透過領域
31:ガラス基板
33:ラインパターン
35、36:溝部
37、65、65a、65b:コア
39:上部SiO2層(上部クラッド)
41:クラッド
43、67:光導波路
Claims (4)
- Si支持基板、該Si支持基板上に形成されたSiO2層、及び該SiO2層上に形成されたSi層から構成されているSOI基板を用意する第1工程と、
該SOI基板の前記Si層上に、レジスト層を形成する第2工程と、
該レジスト層から、一定方向に沿って順次に厚みが増加していく形状のレジストパターンを、前記Si層のコア形成予定領域を被覆するように形成する第3工程と、
該レジストパターンをマスクとして用いて前記Si層をエッチングすることによって、前記コア形成予定領域に残存した該Si層の残部から、前記一定方向に沿って順次に厚みが増加していく形状のコアを形成する第4工程と、
前記レジストパターンを除去した後、前記SiO2層の上側全面に、前記コアを被覆する上部SiO2層を形成することによって、該SiO2層及び上部SiO2層からクラッドを形成する第5工程と
を含むことを特徴とする光導波路の形成方法。 - 請求項1に記載の光導波路の形成方法であって、
前記第3工程において、前記レジストパターンを形成する露光マスクとして、
前記コア形成予定領域に対応する領域において、遮光領域と光透過領域とが前記一定方向に沿って交互に各々複数配列され、各互いに隣接する該光透過領域から透過した各光の解像限界がそれぞれ互いに重なり合うように該遮光領域と該光透過領域のピッチが設定されており、かつ該ピッチにおける前記光透過領域の割合が、該一定方向に沿って順次大きくなる当該露光マスクを用いて、前記レジスト層に対して露光を行う
ことを特徴とする光導波路の形成方法。 - 請求項1又は2に記載の光導波路の形成方法を用いて形成した光導波路であって、
単一のSi支持基板上に形成されている、クラッド及び該クラッドに埋め込まれて形成されたコアを具えており、
該コアは、光伝搬方向に沿って順次に厚みが増加していく形状で形成されている
ことを特徴とする光導波路。 - 請求項1又は2に記載の光導波路の形成方法において、レジストパターンを形成するために使用する露光マスクであって、
前記コア形成予定領域に対応する領域において、前記遮光領域と前記光透過領域とが一定方向に沿って交互に各々複数配列され、各互いに隣接する該光透過領域から透過した各光の解像限界がそれぞれ互いに重なり合うように該遮光領域と該光透過領域のピッチが設定されており、かつ該ピッチにおける前記光透過領域の割合が、該一定方向に沿って順次大きくなる
ことを特徴とする露光マスク。
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JP2010078565A JP2011209587A (ja) | 2010-03-30 | 2010-03-30 | 光導波路の形成方法、光導波路、及び露光マスク |
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JP2010078565A Pending JP2011209587A (ja) | 2010-03-30 | 2010-03-30 | 光導波路の形成方法、光導波路、及び露光マスク |
Country Status (1)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104898202A (zh) * | 2015-06-30 | 2015-09-09 | 宁波大学 | 一种光波导及其制作方法 |
Citations (2)
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US20030044118A1 (en) * | 2000-10-20 | 2003-03-06 | Phosistor Technologies, Inc. | Integrated planar composite coupling structures for bi-directional light beam transformation between a small mode size waveguide and a large mode size waveguide |
JP2008089924A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光モジュール及びその製造方法 |
-
2010
- 2010-03-30 JP JP2010078565A patent/JP2011209587A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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