JP2011205545A - High frequency amplifier - Google Patents

High frequency amplifier Download PDF

Info

Publication number
JP2011205545A
JP2011205545A JP2010072707A JP2010072707A JP2011205545A JP 2011205545 A JP2011205545 A JP 2011205545A JP 2010072707 A JP2010072707 A JP 2010072707A JP 2010072707 A JP2010072707 A JP 2010072707A JP 2011205545 A JP2011205545 A JP 2011205545A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal body
frequency amplifier
conductive rubber
metal
amplifier according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010072707A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5377385B2 (en
Inventor
Hitoshi Washimi
日登志 鷲見
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2010072707A priority Critical patent/JP5377385B2/en
Publication of JP2011205545A publication Critical patent/JP2011205545A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5377385B2 publication Critical patent/JP5377385B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high frequency amplifier capable of surely preventing abnormal oscillation caused by a spatial loop even in a high-gain amplifier.SOLUTION: A high frequency amplifier includes: a microstrip line 3 formed on a dielectric substrate 2; an amplification element 1 connected to the microstrip line 3; a metal housing 7 in which an accommodation part 7a is formed for accommodating the amplification element 1 placed on the dielectric substrate 2; a metal body 8 which is fitted to the accommodation part 7a of the metal housing 7 and with which a first groove 8b is formed at the side of a surface opposed to the amplification element 1; and a first conductive rubber 9 inserted into the first groove 8b of the metal body 8. When the metal body 8 is fitted to the accommodation part 7a of the metal housing 7, the first conductive rubber 9 presses the amplification element 1 mounted on the dielectric substrate 2, thereby shutting off a spatial loop on the amplification element 1.

Description

本発明は、例えばマイクロ波帯の信号を増幅する際に使用する高周波増幅器に関するものである。   The present invention relates to a high-frequency amplifier used when, for example, a microwave band signal is amplified.

マイクロ波帯の信号を増幅する増幅器は、低雑音増幅、高利得増幅、高出力増幅などに使用されている。一般的に、高周波増幅器は、金属ケースの溝に増幅素子を実装する手法が採用されている。ところが、増幅された出力信号が、増幅素子上部の空間を経由して入力信号側に戻ると空間ループが形成され、増幅器が発振することがある。   Amplifiers that amplify microwave signals are used for low noise amplification, high gain amplification, high output amplification, and the like. In general, a high frequency amplifier employs a technique of mounting an amplifying element in a groove of a metal case. However, when the amplified output signal returns to the input signal side via the space above the amplification element, a spatial loop may be formed and the amplifier may oscillate.

そこで、高周波増幅器の発振防止について、さまざまな工夫が提案されている。   Therefore, various devices have been proposed for preventing oscillation of the high-frequency amplifier.

増幅素子と蓋との空中間の絶縁線を導電材で埋めるようにした高周波増幅器が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。これは、導体線を誘電体物質で絶縁した絶縁線を、n段増幅器ミニモジュールとフタとの間に生じた空間を貫通させ、貫通した絶縁線の一端を、外部よりの電源電圧が印加する初段増幅器ミニモジュール側接続部分の電源供給線路に、他端を終段増幅器ミニモジュール側接続部分の電源供給線路に接続すると共に、空間中の絶縁線を導電材で埋めるものである。   A high-frequency amplifier has been proposed in which an insulation wire between the amplifying element and the lid is filled with a conductive material (see, for example, Patent Document 1). This is because an insulating wire in which a conductor wire is insulated with a dielectric material is passed through a space formed between the n-stage amplifier mini-module and the lid, and an external power supply voltage is applied to one end of the penetrating insulating wire. The power supply line of the first stage amplifier mini-module side connection part is connected to the power supply line of the connection part of the last-stage amplifier mini-module side, and the insulation line in the space is filled with a conductive material.

また、シールドケースを構成する蓋部に形成した壁部を利用してマイクロ波能動素子の入出力のアイソレーションを確保することが提案されている(例えば、特許文献2参照。)。これは、絶縁基板上に形成された回路パターンと、この回路パターン上に実装されたマイクロ波能動素子と、絶縁基板が収納される導電性の本体ケースと、該本体ケースに嵌合される導電性の蓋部とを備えるマイクロ波増幅器において、蓋部の内側にシールドルームを形成する壁部が突出されていると共に、この壁部には切欠き部と切欠き部の両側に段差部とが形成されており、本体ケースに蓋部を嵌合した時、段差部が絶縁基板上に実装されているマイクロ波能動素子の接地電極を押圧するように接触させるものである。   In addition, it has been proposed to secure input / output isolation of a microwave active element by using a wall portion formed on a lid portion constituting a shield case (see, for example, Patent Document 2). This includes a circuit pattern formed on an insulating substrate, a microwave active element mounted on the circuit pattern, a conductive main body case in which the insulating substrate is accommodated, and a conductive material fitted in the main body case. In the microwave amplifier provided with a conductive lid portion, a wall portion forming a shield room is projected on the inner side of the lid portion, and a notch portion and step portions on both sides of the notch portion are formed on the wall portion. When the lid is fitted to the main body case, the stepped portion is brought into contact with the ground electrode of the microwave active element mounted on the insulating substrate.

特開平7−94976号公報JP 7-94976 A 特開平7−235846号公報JP-A-7-235846

特許文献1記載の高周波増幅器では、カットオフ導波管の寸法に収まる大きさの増幅素子であればよいが、横幅の広い増幅素子では、カットオフ導波管が形成できず、ループ発振が発生する虞があり、蓋と増幅素子との間に導電材を充填しているので、蓋を外した状態で、回路調整や増幅素子の交換ができないという問題があった。   In the high-frequency amplifier described in Patent Document 1, an amplification element having a size that can fit within the dimensions of the cutoff waveguide may be used. However, with a wide lateral amplification element, the cutoff waveguide cannot be formed and loop oscillation occurs. Since the conductive material is filled between the lid and the amplifying element, there is a problem that the circuit adjustment and the amplifying element cannot be replaced with the lid removed.

また、上記した特許文献2記載のように、金属体を増幅素子の上に取り付け、増幅素子の上部空間のループを遮断する手法は、増幅率が数倍から数十倍程度の増幅素子については有効である。しかし、金属体と増幅素子の間には、寸法公差による隙間が発生する。増幅率が数百倍の増幅素子になると、この隙間からリークする成分が発生するようになり、空間ループが形成され発振してしまうという問題があった。   In addition, as described in Patent Document 2 described above, the method of attaching a metal body on an amplifying element and blocking the loop in the upper space of the amplifying element is as follows. It is valid. However, a gap due to dimensional tolerance is generated between the metal body and the amplifying element. When the amplification element has an amplification factor of several hundred times, a component leaking from this gap is generated, and there is a problem that a spatial loop is formed and oscillates.

そこで、本発明はかかる従来の事情に対処してなされたものであり、空間ループを原因とした異常発振を確実に防止することができる高周波増幅器を提供することを目的とする。   Accordingly, the present invention has been made in response to such a conventional situation, and an object thereof is to provide a high-frequency amplifier capable of reliably preventing abnormal oscillation caused by a spatial loop.

本発明の一態様によれば、誘電体基板上に形成されたマイクロストリップ線路と、このマイクロストリップ線路に接続された増幅素子と、前記誘電体基板上に載置された前記増幅素子を収容する収容部が形成された金属筐体と、この金属筐体の前記収容部に嵌合するとともに、前記増幅素子と対向する面側に第1の溝部が形成された金属体と、前記金属体の第1の溝部に嵌挿される第1の導電性ラバーとを備え、前記金属筐体の前記収容部に前記金属体を嵌合した時、前記第1の導電性ラバーが前記誘電体基板上に実装されている前記増幅素子を押圧して、前記増幅素子上の空間ループを遮断することを特徴とする高周波増幅器が提供される。   According to one aspect of the present invention, a microstrip line formed on a dielectric substrate, an amplifying element connected to the microstrip line, and the amplifying element placed on the dielectric substrate are accommodated. A metal case in which a housing part is formed, a metal body that fits in the housing part of the metal housing and has a first groove formed on a surface facing the amplifying element; and A first conductive rubber inserted into the first groove, and when the metal body is fitted into the housing portion of the metal casing, the first conductive rubber is placed on the dielectric substrate. A high-frequency amplifier is provided that presses the mounted amplifying element to block a spatial loop on the amplifying element.

本高周波増幅器は、前記第1の導電性ラバーが、体積固有抵抗率が0.1Ω・cm以下であることを特徴とする。   In the high-frequency amplifier, the first conductive rubber has a volume resistivity of 0.1 Ω · cm or less.

本高周波増幅器は、前記金属体の隅部近傍に上下方向に切り欠き部を形成し、この切り欠き部には、その外縁が前記金属体の外周よりも突出するように、前記切り欠き部よりも径大な第2の導電性ラバーを嵌挿して、前記金属筐体の収容部と金属体の周縁を回り込むような空間ループを遮断することを特徴とする。   The high-frequency amplifier has a notch formed in the vertical direction near the corner of the metal body, and the notch has an outer edge protruding from the outer periphery of the metal body. A second conductive rubber having a large diameter is inserted to shut off a space loop that goes around the housing portion of the metal casing and the periphery of the metal body.

本高周波増幅器は、前記金属体に形成するネジ用穴は貫通穴であって、前記金属体の長手方向端部に第2の溝部を形成して第3の導電性ラバーを嵌挿し、この第3の導電性ラバーの外縁が、前記金属体の長手方向端部では、外周よりも突出させ、ネジの螺着箇所及び前記収容部と前記金属体の周縁を回り込むような空間ループを遮断することを特徴とする。   In the high frequency amplifier, the screw hole formed in the metal body is a through hole, and a second groove is formed in the longitudinal end portion of the metal body to insert and insert a third conductive rubber. The outer edge of the conductive rubber 3 protrudes beyond the outer periphery at the end in the longitudinal direction of the metal body, and a space loop that goes around the screwed portion and the housing portion and the periphery of the metal body is blocked. It is characterized by.

本発明によれば、高利得の増幅器であっても空間ループを原因とした異常発振を確実に防止することができる。   According to the present invention, it is possible to reliably prevent abnormal oscillation caused by a spatial loop even in a high gain amplifier.

第1の実施形態に係る高周波増幅器の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the high frequency amplifier which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態の変形例の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the modification of 1st Embodiment. 第2の実施形態に係る高周波増幅器の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the high frequency amplifier which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施形態の変形例の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the modification of 2nd Embodiment. 第2の実施形態の変形例の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the modification of 2nd Embodiment. 第2の実施形態の変形例の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the modification of 2nd Embodiment. 第3の実施形態に係る高周波増幅器の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the high frequency amplifier which concerns on 3rd Embodiment.

以下、本発明の一実施の形態について、図面を参照して説明する。尚、各図において同一箇所については同一の符号を付し、重複した説明は省略する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, in each figure, the same code | symbol is attached | subjected about the same location and the overlapping description is abbreviate | omitted.

(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る高周波増幅器の構成を示す図である。尚、図1(a)では、高周波増幅器の内部構造をわかりやすくするため、一部を省略して示している。また、A-A’、B-B’の断面構造により、高周波増幅器の内部空間を表している。高周波増幅器は、例えば移動中継車において地上波を増幅して衛星に向けて発射する際に使用することができる。図1に示すように、高周波増幅器は、所望の増幅率の増幅素子1を誘電体基板2上に載置し、入力端子4と、出力端子5を備えている。入出力端子4,5間と増幅素子1は、誘電体基板2上に形成したマイクロストリップ線路3で接続されている。マイクロストリップ線路3は、増幅素子1への電源供給用線路も兼ねている。このように構成された増幅素子1は金属筐体7に形成した略凹型の収容部7aに収容され、上方からは凹型の金属体8で覆われている。すなわち、金属体8は、金属筐体7の収容部7aに嵌合するような寸法関係になっている。金属体8は、金属筐体7にネジ10で螺着される。図1(b)は、金属体8を示した図である。
(First embodiment)
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a high-frequency amplifier according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 1 (a), in order to make the internal structure of the high-frequency amplifier easier to understand, a part thereof is omitted. In addition, the internal space of the high-frequency amplifier is represented by the cross-sectional structures of AA ′ and BB ′. The high-frequency amplifier can be used, for example, when a ground wave is amplified and launched toward a satellite in a mobile relay vehicle. As shown in FIG. 1, the high-frequency amplifier has an amplification element 1 having a desired amplification factor placed on a dielectric substrate 2 and includes an input terminal 4 and an output terminal 5. The input / output terminals 4 and 5 and the amplifying element 1 are connected by a microstrip line 3 formed on a dielectric substrate 2. The microstrip line 3 also serves as a power supply line to the amplifying element 1. The amplification element 1 configured as described above is accommodated in a substantially concave accommodating portion 7a formed in the metal casing 7, and is covered with a concave metal body 8 from above. That is, the metal body 8 has a dimensional relationship such that the metal body 8 fits into the housing portion 7 a of the metal housing 7. The metal body 8 is screwed to the metal housing 7 with screws 10. FIG. 1B is a diagram showing the metal body 8.

図1に示したような構造において、出力されるべき信号の一部がマイクロストリップ線路3から空間に放射され、入力側に帰還するという空間ループが形成されると、高周波増幅器は異常発振を起こす。そこで、係る異常発振を抑制するため、マイクロストリップ線路3が形成される箇所の金属筐体7とフタ6で形成される空間を、カットオフ導波管形状とする。図示したように、1/2波長(15GHzの高周波信号の場合であれば、10mm)以下の導波管形状とすることで、金属筐体7の収容部7a内部の空間ループを原因としたループ発振を抑制している。   In the structure shown in FIG. 1, when a spatial loop is formed in which a part of the signal to be output is radiated from the microstrip line 3 to the space and returned to the input side, the high frequency amplifier causes abnormal oscillation. . Therefore, in order to suppress such abnormal oscillation, the space formed by the metal casing 7 and the lid 6 where the microstrip line 3 is formed is formed into a cut-off waveguide shape. As shown in the figure, a loop caused by a spatial loop inside the housing portion 7a of the metal housing 7 by adopting a waveguide shape of ½ wavelength (10 mm in the case of a high frequency signal of 15 GHz) or less. Oscillation is suppressed.

ところが、金属体8と増幅素子1の間には、寸法公差による隙間が生じる。例えば0.1〜0.2mm程度の隙間である。高周波増幅器の増幅率が数百倍の増幅素子では、この隙間からリークする成分が発生するようになり、空間ループが形成され異常発振してしまう。   However, a gap due to dimensional tolerance occurs between the metal body 8 and the amplifying element 1. For example, the gap is about 0.1 to 0.2 mm. In an amplifying element whose amplification factor of the high frequency amplifier is several hundred times, a component leaking from this gap is generated, and a spatial loop is formed, resulting in abnormal oscillation.

そこで、本実施形態では、金属体8の増幅素子1と対向する面8a側に溝部8bを形成し、その溝部8bに略かまぼこ型の導電性ラバー9を嵌挿している。溝部8bは、信号の入出力方向の向きに並列して複数か所、例えば2か所に形成する。溝部8bの大きさは、導電性ラバー9の外径よりも僅かに小さくする。導電性ラバー9の弾性により、金属体8で増幅素子1を覆う際に、増幅素子1と金属体8との間に空間ループとなるような隙間を生じないようにする。導電性ラバー9はゴムにカーボンブラックを混ぜ込んだものである。シールド効果を高めるため、例えば、体積固有抵抗率が0.1Ω・cm以下の導電性ラバーが好適である。尚、導電性ラバー9の形状は、一例に過ぎない。   Therefore, in the present embodiment, a groove 8b is formed on the surface 8a side of the metal body 8 facing the amplifying element 1, and a substantially kamaboko type conductive rubber 9 is inserted into the groove 8b. The groove portion 8b is formed at a plurality of places, for example, two places in parallel in the direction of the signal input / output direction. The size of the groove 8b is made slightly smaller than the outer diameter of the conductive rubber 9. Due to the elasticity of the conductive rubber 9, when the amplification element 1 is covered with the metal body 8, no gap is formed between the amplification element 1 and the metal body 8 so as to form a space loop. The conductive rubber 9 is a mixture of rubber and carbon black. In order to enhance the shielding effect, for example, a conductive rubber having a volume resistivity of 0.1 Ω · cm or less is suitable. The shape of the conductive rubber 9 is merely an example.

係る構成により、増幅素子1と金属体8の間に生じ易い隙間を埋めているので、増幅素子1上の空間ループを遮断することができる。また、導電性ラバー9を並列させているので、空間ループの遮断が2か所で行える。   With such a configuration, a gap that easily occurs between the amplifying element 1 and the metal body 8 is filled, so that a spatial loop on the amplifying element 1 can be blocked. Further, since the conductive rubbers 9 are arranged in parallel, the space loop can be cut off at two places.

金属体8を取り付けた後、金属筐体7の収容部及び上面をカバーするように、フタ6を被せて構成されている。例えば、高周波増幅器の外形サイズは、約30mm×約39mmである。   After the metal body 8 is attached, the cover 6 is covered so as to cover the accommodating portion and the upper surface of the metal casing 7. For example, the external size of the high frequency amplifier is about 30 mm × about 39 mm.

このように構成した高周波増幅器の機能を簡単に説明する。例えば、入力信号として15GHzの高周波信号を600倍〜800倍の利得で増幅することを想定すると、その波長は約20mmである。この入力信号が入力端子4から入力され、誘電体基板2上にパタニングされたマイクロストリップ線路3を伝送し、増幅素子1に入力される。増幅素子1で増幅された信号は、出力端子5へと伝送され、出力信号として取り出される。600倍〜800倍の利得に増幅された出力信号は、増幅素子1上部に空間ループが存在しないので、異常発振を起こすことがない。また、フタ6を被せたり、フタ6を外したりしながら高周波増幅器の内部回路の調整を行うことができる。   The function of the high-frequency amplifier configured as described above will be briefly described. For example, assuming that a 15 GHz high frequency signal is amplified with a gain of 600 to 800 times as an input signal, the wavelength is about 20 mm. This input signal is input from the input terminal 4, transmitted through the microstrip line 3 patterned on the dielectric substrate 2, and input to the amplifying element 1. The signal amplified by the amplifying element 1 is transmitted to the output terminal 5 and taken out as an output signal. The output signal amplified to a gain of 600 to 800 times does not cause abnormal oscillation because there is no spatial loop above the amplification element 1. Further, the internal circuit of the high-frequency amplifier can be adjusted while the cover 6 is covered or the cover 6 is removed.

第1の実施形態によれば、増幅素子1上部に空間ループが存在しないように構成しているので、増幅率が数百倍の増幅素子を搭載した場合であってもループ発振を抑制することができる。   According to the first embodiment, since the spatial loop is not formed above the amplifying element 1, loop oscillation is suppressed even when an amplifying element having an amplification factor of several hundred times is mounted. Can do.

(第1の実施形態の変形例)
図1では、溝部8bを金属体8に2か所に形成しているが、これに限定されない。図2に示すように、金属体8の増幅素子1と対向する面8a側に溝部8cを1か所に形成することでもよい。溝部8cには、図1に示す導電性ラバー9よりも幅広の導電性ラバー91を嵌挿することで、空間ループを十分に遮断することができる。この変形例では、溝部の加工が1か所で済む利点がある。
(Modification of the first embodiment)
In FIG. 1, although the groove part 8b is formed in the metal body 8 in two places, it is not limited to this. As shown in FIG. 2, a groove 8 c may be formed in one place on the surface 8 a side of the metal body 8 facing the amplifying element 1. By inserting a conductive rubber 91 wider than the conductive rubber 9 shown in FIG. 1 into the groove 8c, the space loop can be sufficiently blocked. In this modification, there is an advantage that the processing of the groove is only required in one place.

(第2の実施形態)
図3は、本発明の第2の実施形態に係る高周波増幅器の構成を示す図である。例えば、1000倍程度の増幅率のように高利得の増幅素子においては、増幅素子1上の空間ループを遮断するだけでは、異常発振を抑制することができない虞がある。すなわち、高周波増幅器を上方から見た場合に、増幅素子1で増幅された出力信号の、金属筐体7の収容部7aと金属体8との隙間を通り抜ける横方向へのリーク成分が発生する虞があるからである。
(Second Embodiment)
FIG. 3 is a diagram showing the configuration of the high-frequency amplifier according to the second embodiment of the present invention. For example, in an amplification element having a high gain such as an amplification factor of about 1000 times, there is a possibility that abnormal oscillation cannot be suppressed only by blocking the spatial loop on the amplification element 1. That is, when the high-frequency amplifier is viewed from above, a leak component in the lateral direction that passes through the gap between the housing portion 7a of the metal housing 7 and the metal body 8 of the output signal amplified by the amplification element 1 may occur. Because there is.

そこで、第2の実施形態においては、金属体8の四隅近傍に、上下方向に切り欠き部8dを形成している。切り欠き部8dは、言わば円の一部が欠けた貫通穴状に形成してもよいし、矩形断面の切り欠きを形成してもよい。切り欠き部8dには、略円柱状の導電性ラバー92を嵌挿している。導電性ラバー92は、その外形を切り欠き部8dよりも大きくし、径を圧縮しながら切り欠き部8dに押し込むようにする。したがって、嵌入した導電性ラバー92の外縁は、金属体8の外周よりも突出している。   Therefore, in the second embodiment, notches 8 d are formed in the vertical direction near the four corners of the metal body 8. The cutout portion 8d may be formed in a through hole shape in which a part of a circle is cut, or may be formed in a cutout having a rectangular cross section. A substantially cylindrical conductive rubber 92 is fitted into the notch 8d. The conductive rubber 92 has an outer shape larger than that of the notch 8d, and is pushed into the notch 8d while compressing the diameter. Therefore, the outer edge of the inserted conductive rubber 92 protrudes from the outer periphery of the metal body 8.

導電性ラバー9及び導電性ラバー92を取着した金属体8を、金属筐体7の収容部7aに収容した増幅素子1の上から被せると、導電性ラバー92の外縁は変形しながら金属筐体7の収容部7aと金属体8との隙間を塞いでいく。このため、増幅された出力信号が、金属筐体7の収容部7aと金属体8の周縁を回り込むような空間ループの形成が阻止でき、金属筐体7の収容部7aと金属体8との隙間を通り抜ける横方向へのリークが抑制される。   When the metal body 8 to which the conductive rubber 9 and the conductive rubber 92 are attached is placed on the amplification element 1 housed in the housing portion 7a of the metal housing 7, the outer edge of the conductive rubber 92 is deformed while the metal housing 8 is deformed. The gap between the housing portion 7a of the body 7 and the metal body 8 is closed. For this reason, formation of a space loop in which the amplified output signal wraps around the periphery of the housing portion 7a and the metal body 8 of the metal housing 7 can be prevented, and the space between the housing portion 7a of the metal housing 7 and the metal body 8 can be prevented. Leakage in the lateral direction through the gap is suppressed.

第2の実施形態によれば、増幅素子の横方法へのアイソレーションを確保することができる。   According to the second embodiment, it is possible to ensure isolation of the amplifying element in the lateral method.

(第2の実施形態の変形例)
図3に示す例では、切り欠き部8dを金属体8に4か所に形成しているが、これに限定されるものではない。金属筐体7の収容部7aと金属体8との隙間を減らし、横方向へのリークが抑制できればよいからである。例えば、図4,図5,図6では、それぞれ切り欠き部8dを2か所に形成した変形例を示している。
(Modification of the second embodiment)
In the example shown in FIG. 3, the notches 8d are formed in the metal body 8 at four locations, but the present invention is not limited to this. This is because it is only necessary to reduce the gap between the housing portion 7a of the metal casing 7 and the metal body 8 and suppress lateral leakage. For example, FIG. 4, FIG. 5, and FIG. 6 show modifications in which the notch 8d is formed in two places.

(第3の実施形態)
図7は、本発明の第3の実施形態に係る高周波増幅器の構成を示す図である。第1の実施形態や第2の実施形態においては、金属体8は金属筐体7にネジ10で螺着して固定されている。図1や図3に示すように、ネジ10の螺着位置を金属体8の端部に設ける場合には、ネジ10での螺着箇所の周囲において金属筐体7の収容部7aと金属体8との間に隙間が生じる虞がある。増幅素子1で増幅された出力信号が、そのような隙間を通り抜ける横方向へのリークが発生すると、異常発振が起きてしまう。特に、1000倍程度の高い増幅率の増幅素子1にあっては、僅かな空間ループが存在するだけでも異常発振が起きる。そこで、第3の実施形態においては、金属体81に形成するネジ用穴81bを貫通穴とするとともに、長手方向端部に2か所、溝部81cを形成している。この溝部81cには、例えば、かまぼこ型の導電性ラバー93を嵌挿している。嵌挿した導電性ラバー93の外縁は、金属体81の長手方向端部では、外周よりも突出している。
(Third embodiment)
FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a high-frequency amplifier according to the third embodiment of the present invention. In the first embodiment and the second embodiment, the metal body 8 is fixed to the metal housing 7 by screwing with a screw 10. As shown in FIGS. 1 and 3, when the screwing position of the screw 10 is provided at the end of the metal body 8, the housing portion 7 a of the metal housing 7 and the metal body around the screwing position of the screw 10. There is a possibility that a gap will be formed between the two. When the output signal amplified by the amplifying element 1 leaks in the lateral direction passing through such a gap, abnormal oscillation occurs. In particular, in the amplifying element 1 having a high amplification factor of about 1000 times, abnormal oscillation occurs even if there are only a few spatial loops. Therefore, in the third embodiment, the screw hole 81b formed in the metal body 81 is a through hole, and two groove portions 81c are formed at the end in the longitudinal direction. For example, a kamaboko-type conductive rubber 93 is inserted into the groove 81c. The outer edge of the inserted conductive rubber 93 protrudes from the outer periphery at the end in the longitudinal direction of the metal body 81.

このような構成において、導電性ラバー9及び導電性ラバー93を取着した金属体81を、金属筐体7の収容部7bに収容した増幅素子1の上から被せると、導電性ラバー93の外縁は変形しながら金属筐体7の収容部7bと金属体81との隙間を塞いでいく。このため、増幅された出力信号が、ネジ10での螺着箇所の周囲だけでなく、金属筐体7の収容部7bと金属体81の周縁を回り込むような空間ループの形成が阻止でき、金属筐体7の収容部7aと金属体81との隙間を通り抜ける横方向へのリークが抑制される。   In such a configuration, when the metal body 81 to which the conductive rubber 9 and the conductive rubber 93 are attached is placed on the amplification element 1 accommodated in the accommodating portion 7b of the metal housing 7, the outer edge of the conductive rubber 93 is obtained. While closing, the gap between the housing portion 7b of the metal casing 7 and the metal body 81 is closed. For this reason, it is possible to prevent the amplified output signal from forming a space loop that wraps around the periphery of the housing portion 7b of the metal casing 7 and the metal body 81 as well as around the screwed portion of the screw 10. Leakage in the lateral direction passing through the gap between the housing portion 7a of the housing 7 and the metal body 81 is suppressed.

第3の実施形態によれば、締結用のネジ周りを含め増幅素子の横方法へのアイソレーションを確保することができる。   According to the third embodiment, it is possible to ensure isolation of the amplifying element in the lateral direction including the periphery of the fastening screw.

本実施形態によれば、高利得の増幅器であっても空間ループを原因とした異常発振を確実に防止することができる。また、金属ケースの蓋の有無にかかわらず、内部回路の調整を行うことができる。   According to the present embodiment, abnormal oscillation due to a spatial loop can be reliably prevented even with a high gain amplifier. In addition, the internal circuit can be adjusted regardless of the presence or absence of the lid of the metal case.

なお、本発明は上記の実施形態のそのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記の実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiments as they are, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the scope of the invention in the implementation stage. Moreover, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the above embodiments. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, constituent elements over different embodiments may be appropriately combined.

1:増幅素子
2:誘電体基板
3:マイクロストリップ線路
4:入力端子
5:出力端子
6:フタ
7:金属筐体
8,81:金属体
9,91,92:導電性ラバー
1: Amplifying element 2: Dielectric substrate 3: Microstrip line 4: Input terminal 5: Output terminal 6: Lid 7: Metal casing 8, 81: Metal bodies 9, 91, 92: Conductive rubber

Claims (8)

誘電体基板上に形成されたマイクロストリップ線路と、
このマイクロストリップ線路に接続された増幅素子と、
前記誘電体基板上に載置された前記増幅素子を収容する収容部が形成された金属筐体と、
この金属筐体の前記収容部に嵌合するとともに、前記増幅素子と対向する面側に第1の溝部が形成された金属体と、
前記金属体の第1の溝部に嵌挿される第1の導電性ラバーとを備え、
前記金属筐体の前記収容部に前記金属体を嵌合した時、前記第1の導電性ラバーが前記誘電体基板上に実装されている前記増幅素子を押圧して、前記増幅素子上の空間ループを遮断することを特徴とする高周波増幅器。
A microstrip line formed on a dielectric substrate;
An amplifying element connected to the microstrip line;
A metal housing in which an accommodating portion for accommodating the amplifying element placed on the dielectric substrate is formed;
A metal body that fits into the housing portion of the metal casing and has a first groove formed on the surface facing the amplification element;
A first conductive rubber fitted into the first groove of the metal body,
When the metal body is fitted into the housing portion of the metal casing, the first conductive rubber presses the amplification element mounted on the dielectric substrate, and the space on the amplification element A high-frequency amplifier characterized by breaking a loop.
前記金属体は、前記金属筐体にネジで螺着されることを特徴とする請求項1記載の高周波増幅器。   2. The high frequency amplifier according to claim 1, wherein the metal body is screwed to the metal casing with a screw. 前記金属体の第1の溝部は、信号の入出力方向の向きに複数か所、並列して形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の高周波増幅器。   3. The high-frequency amplifier according to claim 1, wherein the first groove portion of the metal body is formed in parallel at a plurality of locations in a direction in a signal input / output direction. 前記第1の導電性ラバーは、体積固有抵抗率が0.1Ω・cm以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の高周波増幅器。   4. The high-frequency amplifier according to claim 1, wherein the first conductive rubber has a volume resistivity of 0.1 Ω · cm or less. 5. 前記金属体の隅部近傍に上下方向に切り欠き部を形成し、この切り欠き部には、その外縁が前記金属体の外周よりも突出するように、前記切り欠き部よりも径大な第2の導電性ラバーを嵌挿して、
前記金属筐体の収容部と金属体の周縁を回り込むような空間ループを遮断することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の高周波増幅器。
A notch is formed in the vertical direction in the vicinity of the corner of the metal body, and the notch has a diameter larger than that of the notch so that the outer edge protrudes from the outer periphery of the metal body. Insert 2 conductive rubber,
5. The high-frequency amplifier according to claim 1, wherein a space loop that goes around a housing portion of the metal casing and a periphery of the metal body is blocked.
前記第2の導電性ラバーは、体積固有抵抗率が0.1Ω・cm以下であることを特徴とする請求項5記載の高周波増幅器。   6. The high-frequency amplifier according to claim 5, wherein the second conductive rubber has a volume resistivity of 0.1 Ω · cm or less. 前記金属体に形成するネジ用穴は貫通穴であって、前記金属体の長手方向端部に第2の溝部を形成して第3の導電性ラバーを嵌挿し、
この第3の導電性ラバーの外縁が、前記金属体の長手方向端部では、外周よりも突出させ、
ネジの螺着箇所及び前記収容部と前記金属体の周縁を回り込むような空間ループを遮断することを特徴とする請求項2乃至請求項6のいずれか1項に記載の高周波増幅器。
A screw hole formed in the metal body is a through hole, and a second groove is formed at a longitudinal end portion of the metal body to insert and insert a third conductive rubber.
The outer edge of the third conductive rubber protrudes from the outer periphery at the end portion in the longitudinal direction of the metal body,
The high-frequency amplifier according to any one of claims 2 to 6, wherein a space loop that wraps around a screw threaded portion and a peripheral portion of the housing portion and the metal body is cut off.
前記第3の導電性ラバーは、体積固有抵抗率が0.1Ω・cm以下であることを特徴とする請求項7記載の高周波増幅器。   The high-frequency amplifier according to claim 7, wherein the third conductive rubber has a volume resistivity of 0.1 Ω · cm or less.
JP2010072707A 2010-03-26 2010-03-26 High frequency amplifier Expired - Fee Related JP5377385B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010072707A JP5377385B2 (en) 2010-03-26 2010-03-26 High frequency amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010072707A JP5377385B2 (en) 2010-03-26 2010-03-26 High frequency amplifier

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011205545A true JP2011205545A (en) 2011-10-13
JP5377385B2 JP5377385B2 (en) 2013-12-25

Family

ID=44881674

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010072707A Expired - Fee Related JP5377385B2 (en) 2010-03-26 2010-03-26 High frequency amplifier

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5377385B2 (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63204914A (en) * 1987-02-20 1988-08-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd High output amplifier for high frequency
JPH05206764A (en) * 1992-01-28 1993-08-13 Fukushima Nippon Denki Kk Mount structure of transistor
JPH06260844A (en) * 1993-03-02 1994-09-16 Yagi Antenna Co Ltd Shielding structure for high frequency power amplifier
JPH11298265A (en) * 1998-03-19 1999-10-29 Alcatel Cit High gain amplifier
JP2000216645A (en) * 1999-01-25 2000-08-04 Mitsubishi Electric Corp Microwave device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63204914A (en) * 1987-02-20 1988-08-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd High output amplifier for high frequency
JPH05206764A (en) * 1992-01-28 1993-08-13 Fukushima Nippon Denki Kk Mount structure of transistor
JPH06260844A (en) * 1993-03-02 1994-09-16 Yagi Antenna Co Ltd Shielding structure for high frequency power amplifier
JPH11298265A (en) * 1998-03-19 1999-10-29 Alcatel Cit High gain amplifier
JP2000216645A (en) * 1999-01-25 2000-08-04 Mitsubishi Electric Corp Microwave device

Also Published As

Publication number Publication date
JP5377385B2 (en) 2013-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6187606B2 (en) Printed board
WO2011105359A1 (en) Amplifying device, signal processing device, wireless communication device, connector mounting structure, and coaxial connector
JPWO2009139210A1 (en) High frequency storage case and high frequency module
JP2008078321A (en) Communication terminal and transmitter shielding structure
JP5377385B2 (en) High frequency amplifier
JP2008005461A (en) Satellite signal converter, antenna system and satellite broadcasting receiver
JP4066362B2 (en) Microwave amplifier circuit
JP4683220B2 (en) Antenna device and shield cover thereof
JP6618323B2 (en) Electronic equipment case
JPWO2011027497A1 (en) Communication system and communication apparatus
JP2009290085A (en) High-frequency unit
JP2001102789A (en) High-frequency shield circuit structure
JP2009252794A (en) High-frequency module
JP2006196581A (en) High-frequency device
JP5356200B2 (en) High frequency device
JP6559075B2 (en) High frequency device and high frequency module
WO2022130613A1 (en) Antenna device
JP7085871B2 (en) High frequency module
JP3013845B1 (en) High frequency integrated circuit package
JP2003031988A (en) Package for preventing microwave band interference
JP4888433B2 (en) High frequency module
JP6121646B2 (en) High frequency equipment
JP4252009B2 (en) High frequency amplifier
JPH05110310A (en) Microwave circuit
JP2012191573A (en) Microwave circuit

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130107

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130812

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130827

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130924

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees