JP2001102789A - High-frequency shield circuit structure - Google Patents

High-frequency shield circuit structure

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JP2001102789A
JP2001102789A JP27825799A JP27825799A JP2001102789A JP 2001102789 A JP2001102789 A JP 2001102789A JP 27825799 A JP27825799 A JP 27825799A JP 27825799 A JP27825799 A JP 27825799A JP 2001102789 A JP2001102789 A JP 2001102789A
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JP
Japan
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frequency
circuit
ground pattern
base plate
substrate
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JP27825799A
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Japanese (ja)
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Hitoshi Washimi
日登志 鷲見
Shinichi Kurumizawa
慎一 楜澤
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-frequency shield circuit structure, capable of decreasing transmission of high frequencies emitted from a high frequency circuit part to outside a high-frequency shielding body. SOLUTION: A circuit substrate 11 is provided on a metallic base plate, and transmission paths 18a, 18b, 18c extended on the circuit substrate 11 and connected to a high frequency circuit part 14 and a low-frequency circuit part 13 are provided on this circuit substrate 11. A ground pattern 15 is provided on the substrate 11, so as to enclose the high frequency circuit part 14, and also a metallic block 16 is provided on this ground pattern 15 so as to enclose spacially the high-frequency circuit part 14. Ingress paths 15a, 15b, 15c for a transmission path eliminating the ground pattern 15 are provided on the substrate 11. Furthermore, cutouts 16a, 16b, 16c for introducing the transmission path are provided in the metallic block 16 on this ingress path. High-frequency ground circuit parts 17a, 17b, 17c, 17d, 17e, 17f connected in terms of high frequency to the transmission path are provided in fully in proximity to the ingress path and also inside and outside the metallic block.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、高周波の漏洩を
低減する高周波遮蔽回路構造の改良に係り、特に、マイ
クロ波帯及びミリ波帯等の高周波信号を処理する高周波
回路部及びこの高周波回路部を制御並びに駆動する回路
部を具備し、高周波回路部からの高周波、即ち、マイク
ロ波の漏洩を防止する機能を備えたマイクロ波回路装置
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement in a high-frequency shielding circuit structure for reducing high-frequency leakage, and more particularly to a high-frequency circuit for processing high-frequency signals in a microwave band, a millimeter-wave band, and the like, and this high-frequency circuit unit And a microwave circuit device having a function of preventing leakage of high frequency waves, that is, microwaves from the high frequency circuit section.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、高周波回路部及びこの高周波回路
部を制御並びに駆動する制御駆動回路部が同一基板構造
体上に設けられ、この基板構造体には、高周波回路部か
ら高周波、即ち、マイクロ波が漏洩することを防止する
ための高周波遮断構造が設けられている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a high-frequency circuit section and a control drive circuit section for controlling and driving the high-frequency circuit section are provided on the same substrate structure. A high-frequency cutoff structure is provided to prevent waves from leaking.

【0003】図1には、この高周波遮断構造を設けた基
板構造体の一例が概略的に示されている。図1におい
て、符号51は、基板構造体50を構成する回路基板で
あって、この回路基板51は、その裏面が基板構造体5
0の接地面としての金属製ベースプレート52に貼付さ
れている。回路基板51上には、高周波回路、例えば、
高周波増幅回路で構成される高周波回路部54及びこの
高周波回路部54内の高周波回路を制御し、駆動する為
の制御駆動信号を発生する制御駆動回路部53が設けら
れている。この高周波回路部54と制御駆動回路部53
とは、基板51上に設けられた伝送線路58a,58
b,58cを介して接続され、この伝送線路58a,5
8b,58cを介して制御駆動信号が制御駆動回路部5
3から高周波回路部54に供給される。高周波回路部5
4の周囲の回路基板51上には、接地パターン55、図
示の例では、矩形帯状の接地パターン55が高周波回路
部54を囲むように設けられている。この接地パターン
55は、回路基板51を貫通する貫通孔(図示せず)内
に進入して、基板構造体50の接地面としての金属製ベ
ースプレート52に電気的に接続されている。
FIG. 1 schematically shows an example of a substrate structure provided with this high-frequency cutoff structure. In FIG. 1, reference numeral 51 denotes a circuit board constituting the substrate structure 50.
0 is attached to a metal base plate 52 as a ground plane. On the circuit board 51, a high-frequency circuit, for example,
A high-frequency circuit section 54 composed of a high-frequency amplifier circuit and a control drive circuit section 53 that controls a high-frequency circuit in the high-frequency circuit section 54 and generates a control drive signal for driving the same are provided. The high-frequency circuit section 54 and the control drive circuit section 53
Are transmission lines 58a, 58 provided on the substrate 51.
b, 58c, and the transmission lines 58a, 5c
The control drive signal is sent to the control drive circuit 5
3 to the high-frequency circuit unit 54. High frequency circuit section 5
A ground pattern 55, in the illustrated example, a rectangular band-shaped ground pattern 55 is provided on the circuit board 51 around the high frequency circuit unit 54. The ground pattern 55 enters a through hole (not shown) penetrating the circuit board 51 and is electrically connected to a metal base plate 52 as a ground plane of the board structure 50.

【0004】高周波回路部54から高周波が自由空間に
放射されるが、これを封じ込める為に高周波回路部54
を遮蔽する箱形の金属ブロック56が回路基板51上に
設けられている。この箱形の金属ブロック56は、その
開口部を規定する底面部を有し、その底面部が接地パタ
ーン55に接するようにネジ、接着剤等で基板構造体5
0に固定される。従って、金属ブロック56は、接地パ
ターン55及びこの接地パターン55を介してベースプ
レート52に接続され、高周波回路部54は、実質的に
金属ブロック56、接地パターン55及び金属製ベース
プレート52から構成される遮蔽体内に格納されること
となる。
A high frequency is radiated from the high frequency circuit section 54 into free space.
A box-shaped metal block 56 is provided on the circuit board 51 to shield the circuit board 51. The box-shaped metal block 56 has a bottom surface that defines an opening thereof, and a screw, an adhesive or the like is used to fix the substrate structure 5 so that the bottom surface contacts the ground pattern 55.
Fixed to 0. Accordingly, the metal block 56 is connected to the ground pattern 55 and the base plate 52 via the ground pattern 55, and the high-frequency circuit unit 54 is formed of a shield substantially composed of the metal block 56, the ground pattern 55 and the metal base plate 52. It will be stored inside the body.

【0005】基板51上を延出される伝送線路58a,
58b,58cが高周波回路部54内に進入する回路基
板51上の箇所には、当然に伝送線路58a,58b,
58cと接地パターン55とが接触しないように接地パ
ターンが除去されている線路進入部55a,55b,5
5cが形成され、また、この線路進入部55a上の金属
ブロック56には、同様にこの金属ブロック56が伝送
線路58a,58b,58cに接触しないように線路進
入部55a,55b,55cに対応して線路進入用の切
り欠き孔56a,56b,56cが形成されている。更
に、伝送線路58a,58b,58cの中間には、この
線路58a,58b,58cを介して高周波回路部54
から漏洩される高周波を接地させる為の高周波接地回路
57a,57b,57cのが設けられている。この高周
波接地回路57a,57b,57cは、それぞれ基板5
1を貫通して金属製ベースプレート52に電気的に接続
されている端子部59a,59b,59c及び線路58
a,58b,58cと端子部59a,59b,59cと
を高周波接続するキャパシタ60a,60b,60cが
設けられている。
[0005] Transmission lines 58a extending on the substrate 51,
The transmission lines 58a, 58b, and 58c are naturally located on the circuit board 51 where the 58b and 58c enter the high-frequency circuit section 54.
Line entry portions 55a, 55b, 5 from which the ground pattern is removed so that the ground pattern 58c does not contact the ground pattern 55.
5c is formed, and the metal block 56 on the line entry portion 55a also corresponds to the line entry portions 55a, 55b, 55c such that the metal block 56 does not contact the transmission lines 58a, 58b, 58c. Notch holes 56a, 56b, 56c for entering the track are formed. Further, a high-frequency circuit section 54 is provided between the transmission lines 58a, 58b, and 58c via the lines 58a, 58b, and 58c.
High-frequency grounding circuits 57a, 57b, 57c for grounding the high-frequency waves leaked from the power supply. The high-frequency grounding circuits 57a, 57b, 57c
1 and terminal portions 59a, 59b, 59c and line 58 electrically connected to the metal base plate 52.
Capacitors 60a, 60b, 60c for connecting the terminals a, 58b, 58c and the terminals 59a, 59b, 59c at high frequencies are provided.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】図2に示した構造にお
いては、高周波回路部54を伝送する高周波は、高周波
部遮蔽用金属ブロック56の内部に封止込まれ、通常、
伝送線路58a,58b,58cに漏洩しない工夫がな
されている。しかしながら、伝送線路58a,58b,
58cを介する高周波の漏洩は、完全には防止できず、
この伝送線路58a,58b,58cを介して金属ブロ
ックの外に漏洩する場合がある。また、高周波回路部5
4から高層波部遮蔽用金属ブロック56内の空間に放射
される高周波がこの金属ブロック56内にまで延出され
ている伝送線路58a,58b,58cに空間結合さ
れ、この伝送線路58a,58b,58cに高周波が伝
達されることもある。その結果として、高周波が伝送線
路58a,58b,58cを経て金属ブロック56の外
に伝送され虞がある。この伝送された高周波は、高周波
接地回路57a,57b,57cで接地され、制御駆動
回路部53に進入することが防止されるが、伝送線路5
8a,58b,58cから自由空間に放射されることが
あり、この高周波が自由空間を介して制御駆動回路部5
3に混入することがある。このように制御駆動回路部5
3にとっては、不要な高周波が制御駆動回路部53に混
入すると、マイクロ波回路装置等の電気的性能に悪影響
を及ぼすことがある。例えば、高周波回路部54に電力
増幅器が、また、制御駆動回路部53にその電力増幅器
の駆動回路が配置された場合、電力増幅器から高周波部
遮蔽用金属ブロック56内に放射される高周波が金属ブ
ロック56内に延びる伝送線路と空間結合し、同金属ブ
ロックの外に伝送される。その結果、この伝送線路から
自由空間への放射が生じ、その放射された高周波が自由
空間を経て駆動回路53に混入されることがある。その
結果、電力増幅器、駆動回路、伝送線路、自由空間の間
で高周波的な閉回路が形成されることとなり、電力増幅
器を発振させる場合がある。
In the structure shown in FIG. 2, the high-frequency wave transmitted through the high-frequency circuit portion 54 is sealed inside the high-frequency portion shielding metal block 56.
The device is designed so as not to leak to the transmission lines 58a, 58b, 58c. However, the transmission lines 58a, 58b,
High frequency leakage through 58c cannot be completely prevented,
Leakage may occur outside the metal block via the transmission lines 58a, 58b, 58c. In addition, the high-frequency circuit unit 5
4 is spatially coupled to the transmission lines 58a, 58b, 58c extending into the metal block 56, and the high-frequency waves radiated into the space in the metal block 56 for shielding the high-rise wave portion are spatially coupled to the transmission lines 58a, 58b, 58c. A high frequency may be transmitted to 58c. As a result, there is a possibility that high frequencies are transmitted outside the metal block 56 via the transmission lines 58a, 58b, 58c. The transmitted high frequency is grounded by the high frequency grounding circuits 57a, 57b and 57c, and is prevented from entering the control drive circuit unit 53.
8a, 58b, and 58c may be radiated to free space, and this high frequency is transmitted through the free space to the control drive circuit unit 5.
3 in some cases. Thus, the control drive circuit unit 5
For 3, an unnecessary high frequency mixed into the control drive circuit unit 53 may adversely affect the electrical performance of the microwave circuit device and the like. For example, when a power amplifier is provided in the high-frequency circuit section 54 and a drive circuit for the power amplifier is provided in the control drive circuit section 53, the high-frequency radiation radiated from the power amplifier into the high-frequency section shielding metal block 56 is applied to the metal block. It is spatially coupled to the transmission line extending into 56 and transmitted outside the same metal block. As a result, radiation from the transmission line to free space occurs, and the radiated high frequency may be mixed into the drive circuit 53 via the free space. As a result, a high-frequency closed circuit is formed between the power amplifier, the drive circuit, the transmission line, and the free space, and the power amplifier may oscillate.

【0007】この発明は、上述した事情に鑑みなされた
ものであって、その目的は、高周波回路部が放射する高
周波が高周波遮蔽体外へ伝送されることを低減すること
ができる高周波遮蔽回路構造を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a high-frequency shielding circuit structure capable of reducing transmission of high-frequency radiation emitted by a high-frequency circuit portion to outside the high-frequency shielding body. To provide.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】この発明によれば、金属
性のベースプレートとこのベースプレート上に設けられ
た回路基板とから構成される基板構造体と、前記回路基
板上に設けられた高周波回路部と、前記回路基板上に設
けられたバイアス回路部であって、前記高周波回路に接
続される伝送路を有する高周波回路を駆動する為のバイ
アス回路部と、電気的に非接触な状態で前記伝送路の為
の導入路が設けられ、前記ベースプレートに電気的に接
続され、前記高周波回路部を空間的に囲む金属性の遮蔽
体と、前記導入路内、或いは、この導入路に近接して設
けられ、前記伝送路に高周波的に接続され、前記ベース
プレートに電気的に接続されている高周波接地回路部
と、を具備することを特徴とする高周波遮蔽回路構造が
提供される。
According to the present invention, there is provided a substrate structure comprising a metallic base plate and a circuit board provided on the base plate, and a high-frequency circuit section provided on the circuit board. A bias circuit unit provided on the circuit board, the bias circuit unit driving a high-frequency circuit having a transmission line connected to the high-frequency circuit, and the transmission circuit in an electrically non-contact state. An introduction path for a path is provided, electrically connected to the base plate, and a metallic shield that spatially surrounds the high-frequency circuit unit, and is provided in or near the introduction path. And a high-frequency grounding circuit connected to the transmission line at a high frequency and electrically connected to the base plate.

【0009】また、上記発明において、前記遮蔽体は、
前記基板上に前記高周波回路部を囲むように設けられた
接地パターン及びこの接地パターンに接触される金属性
ブロックから構成され、前記導入路は、前記接地パター
ンが除去された基板領域並びにこの領域に対応する金属
ブロックの切り欠き部で構成されることを特徴とする高
周波遮蔽回路構造が提供される。
In the above invention, the shield is
A ground pattern provided on the substrate so as to surround the high-frequency circuit unit and a metal block that is in contact with the ground pattern; and the introduction path is provided in a substrate region where the ground pattern is removed and in this region. A high-frequency shielding circuit structure is provided, which is constituted by a cutout of a corresponding metal block.

【0010】また、上記発明において、前記高周波接地
回路部は、前記遮蔽体の内外に設けられていることを特
徴とする高周波遮蔽回路構造が提供される。
Further, in the above invention, there is provided a high-frequency shield circuit structure, wherein the high-frequency grounding circuit portion is provided inside and outside the shield.

【0011】更に、上記発明において、前記高周波接地
回路部は、前記導入路内に設けられ、前記遮蔽体に接続
されたキャパシタから構成されることを特徴とする高周
波遮蔽回路構造が提供される。
Further, in the above invention, there is provided a high-frequency shielding circuit structure, wherein the high-frequency grounding circuit section is provided in the introduction path and is constituted by a capacitor connected to the shielding body.

【0012】上述したように、この発明による高周波遮
蔽回路構造は、高周波接地回路部が高周波遮蔽用金属製
遮蔽体の導入路内或いはこの近傍に設けられている。従
って、高周波回路部から高周波遮蔽用金属遮蔽体の内部
に放射される高周波は、遮蔽体内に延びる伝送線路と空
間結合しても、伝送線路は、高周波的に接地され、同遮
蔽体の外で自由空間に放射される現象が軽減される。従
って、高周波回路装置等の電気的性能への悪影響を軽減
できる。
As described above, in the high-frequency shielding circuit structure according to the present invention, the high-frequency grounding circuit is provided in or near the introduction path of the high-frequency shielding metal shield. Therefore, even if the high frequency radiated from the high-frequency circuit into the high-frequency shielding metal shield is spatially coupled to the transmission line extending into the shield, the transmission line is grounded at a high frequency and outside the shield. Phenomena radiated into free space are reduced. Therefore, adverse effects on the electrical performance of the high-frequency circuit device and the like can be reduced.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下図面を参照してこの発明の高
周波遮蔽構造の一実施例について説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the high-frequency shielding structure according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0014】図2は、この発明の一実施例に係る高周波
の漏洩を低減する高周波遮蔽構造を備えた回路基板構造
体を概略的に示す分解斜視図である。この図2におい
て、符号11は、基板構造体10を構成する回路基板で
あって、この回路基板51は、その裏面が基板構造体1
0の接地面としての金属製ベースプレート52に貼付さ
れている。回路基板11上には、高周波回路、例えば、
高周波増幅回路で構成される高周波回路部14及びこの
高周波回路部14内の高周波回路を制御し、駆動する為
の制御駆動信号を発生する低周波回路部としての制御駆
動回路部13が設けられている。この高周波回路部14
と制御駆動回路部13とは、基板11上に設けられた伝
送線路18a,18b,18cを介して接続され、この
伝送線路18a,18b,18cを介して制御駆動信号
が制御駆動回路部13から高周波回路部14に供給され
る。高周波回路部14の周囲の回路基板11上には、接
地パターン15、図示の例では、矩形帯状の接地パター
ン15が高周波回路部14を囲むように設けられてい
る。この接地パターン15は、回路基板11を貫通する
貫通孔(図示せず)を介して基板構造体10の接地面と
しての金属製ベースプレート12に電気的に接続されて
いる。
FIG. 2 is an exploded perspective view schematically showing a circuit board structure provided with a high-frequency shielding structure for reducing high-frequency leakage according to one embodiment of the present invention. In FIG. 2, reference numeral 11 denotes a circuit board constituting the board structure 10, and the circuit board 51 has
0 is attached to a metal base plate 52 as a ground plane. On the circuit board 11, a high-frequency circuit, for example,
A high-frequency circuit section 14 composed of a high-frequency amplifier circuit and a control drive circuit section 13 as a low-frequency circuit section that generates a control drive signal for controlling and driving the high-frequency circuit in the high-frequency circuit section 14 are provided. I have. This high frequency circuit section 14
And the control drive circuit unit 13 are connected via transmission lines 18a, 18b, 18c provided on the substrate 11, and control drive signals are transmitted from the control drive circuit unit 13 via the transmission lines 18a, 18b, 18c. It is supplied to the high-frequency circuit unit 14. On the circuit board 11 around the high-frequency circuit section 14, a ground pattern 15, in the illustrated example, a rectangular band-shaped ground pattern 15 is provided so as to surround the high-frequency circuit section 14. The ground pattern 15 is electrically connected to a metal base plate 12 as a ground plane of the board structure 10 through a through hole (not shown) penetrating the circuit board 11.

【0015】高周波回路部14から高周波が自由空間に
放射されるが、これを封じ込める為に高周波回路部14
を遮蔽する箱形の金属ブロック16が回路基板11上に
設けられている。この箱形の金属ブロック16は、その
開口部を規定する底面部を有し、その底面部が接地パタ
ーン15に接するようにネジ、接着剤等で基板構造体1
0に固定される。従って、金属ブロック16は、接地パ
ターン15及びこの接地パターン15を介してベースプ
レート12に接続され、高周波回路部14は、実質的に
金属ブロック16、接地パターン15及び金属製ベース
プレート12から構成される遮蔽体エンクロージャ内に
格納されることとなる。
The high frequency is radiated from the high frequency circuit section 14 to the free space.
A box-shaped metal block 16 is provided on the circuit board 11 for shielding the circuit board. The box-shaped metal block 16 has a bottom surface that defines the opening, and the substrate structure 1 is screwed, glued, or the like so that the bottom surface contacts the ground pattern 15.
Fixed to 0. Accordingly, the metal block 16 is connected to the ground pattern 15 and the base plate 12 via the ground pattern 15, and the high-frequency circuit section 14 is substantially formed of the metal block 16, the ground pattern 15 and the metal base plate 12. It will be stored in the body enclosure.

【0016】基板11上を延出される伝送線路18a,
18b,18cが高周波回路部14内に進入する回路基
板51上の箇所には、当然に伝送線路18a,18b,
18cと接地パターン55とが電気的に接触しないよう
に接地パターンが除去されて伝送線路18a,18b,
18cの導入路を確保する為に線路進入部15a,15
b,15cが形成され、また、この線路進入部15a,
15b,15c上の金属ブロック16には、同様にこの
金属ブロック16が伝送線路18a,18b,18cに
接触しないように線路進入部15a,15b,15cに
対応して伝送線路18a,18b,18cの導入路用の
切り欠き孔16a,16b,16cが形成されている。
A transmission line 18a extending on the substrate 11,
Naturally, the transmission lines 18a, 18b, 18b, 18c enter the high-frequency circuit portion 14 on the circuit board 51.
The ground pattern is removed so that the ground pattern 18c does not make electrical contact with the ground pattern 55, and the transmission lines 18a, 18b,
In order to secure the introduction route of 18c, the track entrances 15a, 15
b, 15c are formed, and the line entrances 15a, 15c are formed.
Similarly, the metal blocks 16 on the transmission lines 18a, 18b, and 18c correspond to the line entrances 15a, 15b, and 15c so that the metal blocks 16 do not contact the transmission lines 18a, 18b, and 18c. Notch holes 16a, 16b, 16c for the introduction path are formed.

【0017】この発明の実施例においては、図2に示さ
れるように線路進入部15a,15b,15cに隣接す
る接地パターン15の両側には、伝送線路18a,18
b,18cを介して高周波回路部54から漏洩される高
周波を接地させる為の外部高周波接地回路17a,17
b,17c及び内部高周波接地回路17d,17e,1
7fが設けられている。即ち、金属ブロック16内の空
間には、線路進入部15a,15b,15cに隣接して
内部高周波接地回路17d,17e,17fが設けら
れ、この内部高周波接地回路17d,17e,17fが
伝送線路18a,18b,18cに接続され、また、金
属ブロック16外にも、同様に線路進入部15a,15
b,15cに隣接して外部高周波接地回路17a,17
b,17cが設けられ、この外部高周波接地回路17
a,17b,17cが伝送線路18a,18b,18c
に接続されている。
In the embodiment of the present invention, as shown in FIG. 2, on both sides of the ground pattern 15 adjacent to the line entrances 15a, 15b, 15c, the transmission lines 18a, 18
external high-frequency grounding circuits 17a and 17 for grounding high-frequency waves leaking from the high-frequency circuit portion 54 via the high-frequency circuits b and 18c.
b, 17c and internal high-frequency grounding circuits 17d, 17e, 1
7f is provided. That is, in the space inside the metal block 16, the internal high-frequency ground circuits 17d, 17e, and 17f are provided adjacent to the line entrances 15a, 15b, and 15c, and the internal high-frequency ground circuits 17d, 17e, and 17f are connected to the transmission line 18a. , 18b, 18c, and also outside the metal block 16, similarly to the line entrances 15a, 15c.
b, 15c, and external high-frequency ground circuits 17a, 17
b, 17c are provided.
a, 17b, 17c are transmission lines 18a, 18b, 18c
It is connected to the.

【0018】これら高周波接地回路17a,17b,1
7c,17d,17e,17fは、それぞれ基板51を
貫通して金属製ベースプレート12に電気的に接続され
ている端子部19a,19b,19c,19d,19
e,19f及び線路18a,18b,18cと端子部1
9a,19b,19c,19d,19e,19fとを高
周波接続するキャパシタ20a,20b,20c,20
d,20e,20fから構成されている。尚、このキャ
パシタ20a,20b,20c,20d,20e,20
fは、誘電体で構成しても良く、場合によっては、電極
間の浮遊容量で構成しても良い。
These high-frequency grounding circuits 17a, 17b, 1
7c, 17d, 17e, and 17f are terminal portions 19a, 19b, 19c, 19d, and 19 that penetrate the substrate 51 and are electrically connected to the metal base plate 12, respectively.
e, 19f, lines 18a, 18b, 18c and terminal 1
9a, 19b, 19c, 19d, 19e, 19f Capacitors 20a, 20b, 20c, 20 for high-frequency connection
d, 20e, and 20f. The capacitors 20a, 20b, 20c, 20d, 20e, 20
f may be composed of a dielectric material, and in some cases, may be composed of a stray capacitance between electrodes.

【0019】図2に示す実施例においては、金属ブロッ
ク16内に高周波回路部14から放射された高周波が金
属ブロック16内に延出される伝送線路18a,18
b,18cに空間結合してこの伝送線路18a,18
b,18cを介して伝送される場合があるが、その高周
波は、まず、内部高周波接地回路17d,17e,17
fで接地され、仮に、この内部高周波接地回路17d,
17e,17fで捕獲されず、線路進入部15a,15
b,15c内の伝送線路18a,18b,18cを介し
て高周波が伝送されても、線路進入部15a,15b,
15c外に設けられた外部高周波接地回路17d,17
e,17fによって接地される。
In the embodiment shown in FIG. 2, high-frequency radiation radiated from the high-frequency circuit section 14 in the metal block 16 is transmitted to the transmission lines 18a and 18 extending into the metal block 16.
b, 18c to be spatially coupled to the transmission lines 18a, 18c.
b, 18c, the high frequency is first transmitted to the internal high-frequency grounding circuits 17d, 17e, 17c.
f, and this internal high-frequency ground circuit 17d,
17e, 17f is not captured, the track entrance 15a, 15
b, 15c, even if a high frequency is transmitted through the transmission lines 18a, 18b, 18c.
External high-frequency grounding circuits 17d and 17 provided outside 15c
e and 17f are grounded.

【0020】従って、高周波回路部14から放射によっ
て或いは直接的に伝送線路18a,18b,18cに伝
播される高周波は、金属ブロック16内の内外に伝送線
路18a,18b,18c並びに金属ブロック16に隣
接して設けられた高周波接地回路17a,17b,17
c,17d,17e,17fに接地され、伝送線路18
a,18b,18cを介して制御駆動回路部13に伝達
されることが低減され、或いは、場合によってその伝達
が確実に防止される。これにより、高周波の漏洩或いは
不所望な伝達によって回路系が発振する等の回路系の特
性悪化を未然に防止することができる。
Accordingly, the high-frequency waves transmitted from the high-frequency circuit section 14 to the transmission lines 18a, 18b, and 18c by radiation or directly to the transmission lines 18a, 18b, and 18c inside and outside the metal block 16, and adjacent to the metal block 16. High-frequency grounding circuits 17a, 17b, 17
c, 17d, 17e, 17f, and the transmission line 18
The transmission to the control drive circuit unit 13 via the switches a, 18b, and 18c is reduced, or the transmission is reliably prevented in some cases. As a result, deterioration of the characteristics of the circuit system such as oscillation of the circuit system due to leakage or undesired transmission of high frequency can be prevented.

【0021】図2に示された実施例においては、高周波
接地回路17a,17b,17c,17d,17e,1
7fが伝送線路18a,18b,18c並びに金属ブロ
ック16に隣接して金属ブロック16の内外に設けられ
ているが、図2の変形実施例に係る図3に示すように金
属ブロック16の内にのみ設けられても良く、或いは、
図2の変形実施例に係る図4に示すように金属ブロック
16の外にのみ設けられても良い。この図3及び図4に
示す実施例においても、高周波回路部14から放射によ
って或いは直接的に伝送線路18a,18b,18cに
伝播される高周波は、伝送線路18a,18b,18c
並びに金属ブロック16に隣接して設けられた高周波接
地回路17a,17b,17c或いは17d,17e,
17fに接地され、伝送線路18a,18b,18cを
介して制御駆動回路部13に伝達されることが低減さ
れ、或いは、場合によってその伝達が確実に防止され
る。これにより、高周波の漏洩或いは不所望な伝達によ
って回路系が発振する等の回路系の特性悪化を未然に防
止することができる。
In the embodiment shown in FIG. 2, the high-frequency grounding circuits 17a, 17b, 17c, 17d, 17e, 1
7f are provided inside and outside the metal block 16 adjacent to the transmission lines 18a, 18b, 18c and the metal block 16, but only inside the metal block 16 as shown in FIG. 3 according to the modified embodiment of FIG. May be provided, or
As shown in FIG. 4 according to a modified embodiment of FIG. 2, it may be provided only outside the metal block 16. Also in the embodiment shown in FIGS. 3 and 4, high-frequency waves transmitted from the high-frequency circuit unit 14 to the transmission lines 18a, 18b, and 18c by radiation or directly are transmitted through the transmission lines 18a, 18b, and 18c.
A high frequency grounding circuit 17a, 17b, 17c or 17d, 17e,
The transmission to the control drive circuit unit 13 via the transmission lines 18a, 18b, and 18c is reduced, or the transmission is reliably prevented in some cases. As a result, deterioration of the characteristics of the circuit system such as oscillation of the circuit system due to leakage or undesired transmission of high frequency can be prevented.

【0022】尚、図3及び図4においては、図2に示し
たと同一の部分、或いは、同一部品は、同一符号を付し
てその詳細な説明を省略する。図3並びに図4に示した
構造の説明は、同一符号を付した図2の説明を参照され
たい。
In FIGS. 3 and 4, the same parts or parts as those shown in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. For the description of the structure shown in FIG. 3 and FIG. 4, refer to the description of FIG.

【0023】図5は、この発明の他の実施例に係る高周
波遮蔽構造を備えた回路基板構造体を概略的に示してい
る。この図5に示す実施例においては、高周波接地回路
17a,17b,17c,17d,17e,17fが金
属ブロック16の内外に設けられず、線路進入部15
a,15b,15cが図2に示す場合に比べて広げら
れ、この線路進入部15a,15b,15c内に高周波
接地回路17a,17b,17cが設けられている。線
路進入部15a,15b,15cが図2に示す場合に比
べて広げられるに伴い、当然に金属ブロック16に設け
られる線路進入用の切り欠き孔16a,16b,16c
も図2に示す場合に比べて広げられている。
FIG. 5 schematically shows a circuit board structure having a high-frequency shielding structure according to another embodiment of the present invention. In the embodiment shown in FIG. 5, the high-frequency grounding circuits 17a, 17b, 17c, 17d, 17e, and 17f are not provided inside and outside the metal block 16, and the line entrance 15
A, 15b, and 15c are expanded as compared with the case shown in FIG. 2, and high-frequency ground circuits 17a, 17b, and 17c are provided in the line entrances 15a, 15b, and 15c. As the line entrances 15a, 15b, 15c are widened as compared with the case shown in FIG. 2, naturally the notch holes 16a, 16b, 16c provided in the metal block 16 for the line entrance.
Are also expanded compared to the case shown in FIG.

【0024】この図5に示された実施例では、高周波接
地回路17a,17b,17cの為の端子部19a,1
9b,19cが特に設けられず、高周波接地回路17
a,17b,17cのキャパシタ20a,20b,20
cが直接的に接地パターン15に接続されている。従っ
て、この図5に示される構造では、図2、図3及び図4
に示された構造に比べて、その回路構成を簡略化するこ
とができる。尚、図5においても、図2に示したと同一
の部分、或いは、同一部品は、同一符号を付してその詳
細な説明を省略する。図5に示した構造の説明は、同一
符号を付した図2の説明を参照されたい。
In the embodiment shown in FIG. 5, terminal portions 19a, 1 for high-frequency grounding circuits 17a, 17b, 17c are provided.
9b and 19c are not provided, and the high-frequency grounding circuit 17 is not provided.
a, 17b, and 17c of capacitors 20a, 20b, and 20
c is directly connected to the ground pattern 15. Therefore, in the structure shown in FIG. 5, FIGS.
The circuit configuration can be simplified as compared with the structure shown in FIG. In FIG. 5, the same parts or parts as those shown in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. For the description of the structure shown in FIG. 5, refer to the description of FIG.

【0025】図5に示された実施例においても、高周波
回路部14から放射によって或いは直接的に伝送線路1
8a,18b,18cに伝播される高周波は、伝送線路
18a,18b,18cに隣接して金属ブロック16下
に設けられた高周波接地回路17a,17b,17cに
接地される。従って、高周波が伝送線路18a,18
b,18cを介して制御駆動回路部13に伝達されるこ
とが低減され、或いは、場合によってその伝達が確実に
防止される。これにより、高周波の漏洩或いは不所望な
伝達によって回路系が発振する等の回路系の特性悪化を
未然に防止することができる。
In the embodiment shown in FIG. 5, the transmission line 1 is radiated from the high-frequency circuit section 14 or directly.
The high frequencies propagated to 8a, 18b, 18c are grounded to high-frequency ground circuits 17a, 17b, 17c provided below the metal block 16 adjacent to the transmission lines 18a, 18b, 18c. Accordingly, the high frequencies are transmitted by the transmission lines 18a, 18
The transmission to the control drive circuit unit 13 via the terminals b and 18c is reduced, or the transmission is reliably prevented in some cases. As a result, deterioration of the characteristics of the circuit system such as oscillation of the circuit system due to leakage or undesired transmission of high frequency can be prevented.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上述べたごとく、この発明によれば、
高周波回路部から高周波遮蔽用金属ブロックの内部に放
射される高周波が、金属ブロック内に延出される伝送線
路と空間結合しても、金属ブロックの極近傍で高周波的
に接地される。従って、高周波が金属ブロックの外に延
出される伝送線路から自由空間に放射されることが軽減
される。その結果、高周波回路装置等の電気的性能への
悪影響を軽減できる。
As described above, according to the present invention,
Even if the high frequency radiated from the high frequency circuit into the high frequency shielding metal block is spatially coupled to the transmission line extending into the metal block, the high frequency is grounded in the vicinity of the metal block. Accordingly, it is reduced that high frequencies are radiated to free space from the transmission line extending outside the metal block. As a result, adverse effects on the electrical performance of the high-frequency circuit device and the like can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来の高周波遮蔽構造を備えた回路基板構造体
を概略的に示す分解斜視図である。
FIG. 1 is an exploded perspective view schematically showing a circuit board structure provided with a conventional high-frequency shielding structure.

【図2】この発明の一実施例に係る高周波遮蔽構造を備
えた回路基板構造体を概略的に示す分解斜視図である。
FIG. 2 is an exploded perspective view schematically showing a circuit board structure provided with a high-frequency shielding structure according to one embodiment of the present invention.

【図3】この発明の変形実施例に係る高周波遮蔽構造を
備えた回路基板構造体を概略的に示す分解斜視図であ
る。
FIG. 3 is an exploded perspective view schematically showing a circuit board structure having a high-frequency shielding structure according to a modified embodiment of the present invention.

【図4】この発明の他の変形実施例に係る高周波遮蔽構
造を備えた回路基板構造体を概略的に示す分解斜視図で
ある。
FIG. 4 is an exploded perspective view schematically showing a circuit board structure having a high-frequency shielding structure according to another modification of the present invention.

【図5】この発明の他の実施例に係る高周波遮蔽構造を
備えた回路基板構造体を概略的に示す分解斜視図であ
る。
FIG. 5 is an exploded perspective view schematically showing a circuit board structure having a high-frequency shielding structure according to another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11,51…回路基板 12,52…金属製ベースプレート 13,53…制御駆動回路部 14,54…高周波回路部 15,55…接地パターン 16,56…高周波遮蔽用金属ブロック 18a,18b,18c,58a,58b,58c…伝
送線路 17a,17b,17c,17d,17e,17f,5
7a,57b,57c…高周波接地回路
11, 51: circuit board 12, 52: metal base plate 13, 53: control drive circuit 14, 54: high frequency circuit 15, 55: ground pattern 16, 56: high frequency shielding metal block 18a, 18b, 18c, 58a , 58b, 58c ... transmission lines 17a, 17b, 17c, 17d, 17e, 17f, 5
7a, 57b, 57c ... High frequency grounding circuit

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】金属性のベースプレートとこのベースプレ
ート上に設けられた回路基板とから構成される基板構造
体と、 前記回路基板上に設けられた高周波回路部と、 前記回路基板上に設けられたバイアス回路部であって、
前記高周波回路に接続される伝送路を有する高周波回路
を駆動する為のバイアス回路部と、 電気的に非接触な状態で前記伝送路の為の導入路が設け
られ、前記ベースプレートに電気的に接続され、前記高
周波回路部を空間的に囲む金属性の遮蔽体と、 前記導入路内、或いは、この導入路に近接して設けら
れ、前記伝送路に高周波的に接続され、前記ベースプレ
ートに電気的に接続されている高周波接地回路部と、 を具備することを特徴とする高周波遮蔽回路構造。
A substrate structure comprising a metallic base plate and a circuit board provided on the base plate; a high-frequency circuit unit provided on the circuit board; and a high-frequency circuit unit provided on the circuit board. A bias circuit section,
A bias circuit unit for driving a high-frequency circuit having a transmission path connected to the high-frequency circuit, and an introduction path for the transmission path in an electrically non-contact state are provided and electrically connected to the base plate. A metallic shield that spatially surrounds the high-frequency circuit section; and a metal shield provided in or near the introduction path, connected to the transmission path at a high frequency, and electrically connected to the base plate. And a high-frequency grounding circuit connected to the high-frequency grounding circuit.
【請求項2】前記遮蔽体は、前記基板上に前記高周波回
路部を囲むように設けられた接地パターン及びこの接地
パターンに接触される金属性ブロックから構成され、前
記導入路は、前記接地パターンが除去された基板領域並
びにこの領域に対応する金属ブロックの切り欠き部で構
成されることを特徴とする請求項1の高周波遮蔽回路構
造。
2. The shield comprises a ground pattern provided on the substrate so as to surround the high-frequency circuit section and a metallic block contacting the ground pattern. 2. The high-frequency shielding circuit structure according to claim 1, wherein the high-frequency shielding circuit structure is constituted by a substrate region from which is removed and a cutout portion of a metal block corresponding to this region.
【請求項3】前記高周波接地回路部は、前記遮蔽体の内
外に設けられていることを特徴とする請求項1の高周波
遮蔽回路構造。
3. The high-frequency shielding circuit structure according to claim 1, wherein said high-frequency grounding circuit portion is provided inside and outside said shielding body.
【請求項4】前記高周波接地回路部は、前記ベースプレ
ートに接続されたキャパシタから構成されることを特徴
とする請求項1乃至請求項3の高周波遮蔽回路構造。
4. The high-frequency shielding circuit structure according to claim 1, wherein said high-frequency grounding circuit section comprises a capacitor connected to said base plate.
【請求項5】前記高周波接続回路部は、前記接地パター
ンと、前記伝送路に接続されたキャパシタから構成され
ることを特徴とする請求項2の高周波遮蔽回路構造。
5. The high-frequency shield circuit structure according to claim 2, wherein said high-frequency connection circuit section comprises said ground pattern and a capacitor connected to said transmission line.
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