JP6559075B2 - High frequency device and high frequency module - Google Patents

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本発明は、高周波信号の発生源を複数備えた高周波デバイス及び高周波モジュールに関する。   The present invention relates to a high-frequency device and a high-frequency module including a plurality of high-frequency signal generation sources.

高周波デバイス及び高周波モジュールでは、パッケージ又は筐体により構成される閉空間により電磁界共振が発生し、使用周波数付近でのパッケージ内アイソレーションが低下する。アイソレーション低下により、周波数リップルが発生し、状態によっては発振も起こる。   In the high-frequency device and the high-frequency module, electromagnetic resonance occurs due to the closed space formed by the package or the casing, and the isolation in the package near the use frequency is lowered. Due to the lowering of isolation, frequency ripple is generated, and oscillation occurs depending on the state.

この問題を回避するために、従来は、特許文献1に開示されるように、パッケージ又は筐体に電磁波吸収体を接着して対処していた。   In order to avoid this problem, conventionally, as disclosed in Patent Document 1, an electromagnetic wave absorber is adhered to a package or a casing.

特許第4610134号公報Japanese Patent No. 4610134

しかしながら、電磁波吸収体だけでは必要なアイソレーションを確保できない場合があり、また、近年では、パッケージ内に実装するアンプの高利得化により、必要アイソレーション量が高まる傾向にあり、一層の高アイソレーション化の方策が求められている。   However, the electromagnetic wave absorber alone may not ensure the necessary isolation. In recent years, the required amount of isolation tends to increase due to the higher gain of the amplifier mounted in the package. There is a need for a strategy to make it easier.

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、パッケージ内の高アイソレーション化を図った高周波デバイスを得ることを目的とする。   The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to obtain a high-frequency device that achieves high isolation in a package.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、複数の素子を有する集積回路と、集積回路を囲むパッケージと、パッケージの外部に設置された電磁波吸収体とを備える。本発明においては、パッケージは、集積回路が実装されたパッケージベースと、集積回路を側方から囲む筒状を呈し、一端部がパッケージベースに固定されたシールリングと、板状を呈し、シールリングの他端部を塞いだカバーと、を有する。本発明においては、パッケージベース、シールリング及びカバーの少なくともいずれかは、集積回路で発生した高周波信号をパッケージ外へ放射するスロットを備え、電磁波吸収体は、少なくともスロットと正対する箇所に設けられている。   In order to solve the above-described problems and achieve the object, the present invention includes an integrated circuit having a plurality of elements, a package surrounding the integrated circuit, and an electromagnetic wave absorber installed outside the package. In the present invention, the package has a package base on which the integrated circuit is mounted, a cylindrical shape surrounding the integrated circuit from the side, a seal ring having one end fixed to the package base, a plate shape, and a seal ring. The other end of the cover. In the present invention, at least one of the package base, the seal ring, and the cover includes a slot that radiates a high-frequency signal generated in the integrated circuit to the outside of the package, and the electromagnetic wave absorber is provided at least at a position facing the slot. Yes.

本発明によれば、パッケージ内の高アイソレーション化を図った高周波デバイスを得ることができるという効果を奏する。   According to the present invention, it is possible to obtain a high-frequency device that achieves high isolation in a package.

本発明の実施の形態1に係る高周波デバイスの構成を示す断面図Sectional drawing which shows the structure of the high frequency device which concerns on Embodiment 1 of this invention 実施の形態1に係る高周波デバイスのパッケージの斜視図The perspective view of the package of the high frequency device concerning Embodiment 1 本発明の実施の形態2に係る高周波デバイスの構成を示す断面図Sectional drawing which shows the structure of the high frequency device concerning Embodiment 2 of this invention 実施の形態2に係る高周波デバイスのパッケージのカバーの三面図Three views of a package cover of a high-frequency device according to the second embodiment 本発明の実施の形態3に係る高周波デバイスの構成を示す断面図Sectional drawing which shows the structure of the high frequency device concerning Embodiment 3 of this invention 実施の形態3に係る高周波デバイスのパッケージのカバーの三面図Three views of the cover of the package of the high-frequency device according to the third embodiment 実施の形態3に係る高周波デバイスのカバーの別の構造を示す三面図Three views showing another structure of the cover of the high-frequency device according to the third embodiment 本発明の実施の形態4に係る高周波モジュールの構成を示す断面図Sectional drawing which shows the structure of the high frequency module concerning Embodiment 4 of this invention

以下に、本発明の実施の形態に係る高周波デバイス及び高周波モジュールを図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。   Hereinafter, high-frequency devices and high-frequency modules according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that the present invention is not limited to the embodiments.

実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1に係る高周波デバイスの構成を示す断面図である。高周波デバイス10は、複数の素子が集積された集積回路2と、集積回路2を覆うパッケージ3とを備えている。集積回路2に集積される素子は、スイッチング素子、アンプ及びサーキュレータが例示されるがこれらに限定されない。集積回路2は、モノリシックマイクロ波集積回路が例示されるが、これに限定されない。パッケージ3は、集積回路2が実装されたパッケージベース1と、角筒状のシールリング3aと、板状のカバー3bとで構成されている。シールリング3aの一端側3a1はパッケージベース1に固定されており、他端側3a2はカバー3bで塞がれている。パッケージベース1は、シールリング3aの内外に跨がるフィードスルー1aを備えている。集積回路2とフィードスルー1aとは、ワイヤ4で接続されている。
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the configuration of the high-frequency device according to Embodiment 1 of the present invention. The high-frequency device 10 includes an integrated circuit 2 in which a plurality of elements are integrated, and a package 3 that covers the integrated circuit 2. Examples of elements integrated in the integrated circuit 2 include, but are not limited to, a switching element, an amplifier, and a circulator. The integrated circuit 2 is exemplified by a monolithic microwave integrated circuit, but is not limited thereto. The package 3 includes a package base 1 on which the integrated circuit 2 is mounted, a square cylindrical seal ring 3a, and a plate-like cover 3b. One end side 3a1 of the seal ring 3a is fixed to the package base 1, and the other end side 3a2 is closed by a cover 3b. The package base 1 includes a feedthrough 1a straddling the inside and outside of the seal ring 3a. The integrated circuit 2 and the feedthrough 1a are connected by a wire 4.

パッケージ3の外側には、電磁波吸収体5が設置されている。   An electromagnetic wave absorber 5 is installed outside the package 3.

図2は、実施の形態1に係る高周波デバイスのパッケージの斜視図である。図2には、TE(Transverse Electric)101モードにおいてパッケージ3に流れる表面電流を矢印で示している。シールリング3a及びカバー3bは、スロット6を備えている。スロット6は、シールリング3a及びカバー3bに、スリットを形成することによって設けられている。スロット6は、TE101モードにおいてパッケージ3に流れる表面電流と直交している。したがって、高周波デバイス10で発生した高周波信号は、スロット6からパッケージ3外に効率良く放射される。   FIG. 2 is a perspective view of the package of the high-frequency device according to the first embodiment. In FIG. 2, the surface current flowing through the package 3 in the TE (Transverse Electric) 101 mode is indicated by an arrow. The seal ring 3 a and the cover 3 b are provided with a slot 6. The slot 6 is provided by forming a slit in the seal ring 3a and the cover 3b. The slot 6 is orthogonal to the surface current flowing through the package 3 in the TE101 mode. Therefore, the high frequency signal generated in the high frequency device 10 is efficiently radiated from the slot 6 to the outside of the package 3.

スロット6からパッケージ3の外へ放射された高周波信号は、電磁波吸収体5によって吸収される。   The high frequency signal radiated from the slot 6 to the outside of the package 3 is absorbed by the electromagnetic wave absorber 5.

パッケージ3に流れる表面電流の分布は、パッケージ3の寸法及びパッケージ内部の実装部品の寸法と材質に基づいて算出できる。したがって、高周波デバイス10の設計時にパッケージ3に流れる表面電流と直交するようにスロット設計できる。 The distribution of the surface current flowing through the package 3 can be calculated based on the dimensions of the package 3 and the dimensions and materials of the mounted components inside the package. Therefore, the slot 6 can be designed to be orthogonal to the surface current flowing through the package 3 when the high-frequency device 10 is designed.

なお、電磁波吸収体5は、少なくともスロット6と正対して配置されていれば良い。また、電磁波吸収体5は、スロット6との間に隙間を有する状態で設置されていても良い。   In addition, the electromagnetic wave absorber 5 should just be arrange | positioned facing the slot 6 at least. Further, the electromagnetic wave absorber 5 may be installed in a state having a gap between the slot 6.

上記の説明において、スロット6は、シールリング3a及びカバー3bに設けられていたが、パッケージベース1にスロット6を設けてもよい。すなわち、パッケージベース1、シールリング3a及びカバー3bの少なくともいずれかが、集積回路2で発生した高周波信号をパッケージ3外へ放射するスロット6を備えていれば良い。   In the above description, the slot 6 is provided in the seal ring 3a and the cover 3b. However, the slot 6 may be provided in the package base 1. That is, at least one of the package base 1, the seal ring 3 a, and the cover 3 b only needs to include the slot 6 that radiates a high-frequency signal generated in the integrated circuit 2 to the outside of the package 3.

また、上記の説明においては、TE101モードにおいてパッケージ3に流れる表面電流と直交する向きでスロット6を設けた構成を例としたが、表面電流とスロット6とは必ずしも直交しなくても良い。すなわち、パッケージ3に流れる表面電流と非直角で交差する向きでスロット6を設けても良い。また、TE101モード以外のモードにおいてパッケージ3に流れる表面電流と直交又は非直交で交差する向きでスロット6を設けても良い。   In the above description, the slot 6 is provided in a direction orthogonal to the surface current flowing in the package 3 in the TE101 mode. However, the surface current and the slot 6 do not necessarily have to be orthogonal. That is, the slot 6 may be provided in a direction that intersects the surface current flowing in the package 3 at a non-right angle. Further, the slot 6 may be provided in a direction that intersects perpendicularly or non-orthogonally with the surface current flowing in the package 3 in a mode other than the TE101 mode.

実施の形態1に係る高周波デバイス10においては、パッケージ3内を伝播する高周波信号は、スロット6によってパッケージ3の外へ放射され、電磁波吸収体5によって吸収される。したがって、パッケージ3内での高周波信号の電磁界共振は抑制されるとともに、パッケージ3内の高アイソレーション化を実現することができる。   In the high frequency device 10 according to the first embodiment, a high frequency signal propagating through the package 3 is radiated out of the package 3 through the slot 6 and absorbed by the electromagnetic wave absorber 5. Therefore, the electromagnetic resonance of the high-frequency signal in the package 3 is suppressed, and high isolation in the package 3 can be realized.

実施の形態2.
図3は、本発明の実施の形態2に係る高周波デバイスの構成を示す断面図である。実施の形態2に係る高周波デバイス10は、実施の形態1と同様に、パッケージベース1に実装された集積回路2と、集積回路2を覆うパッケージ3とを備えているが、パッケージ3の構造が異なる。
Embodiment 2. FIG.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing the configuration of the high-frequency device according to Embodiment 2 of the present invention. The high-frequency device 10 according to the second embodiment includes the integrated circuit 2 mounted on the package base 1 and the package 3 that covers the integrated circuit 2 as in the first embodiment. Different.

実施の形態2に係る高周波デバイス10のパッケージ3のカバー3bは、シールリング3aの他端部に当接する蓋部36と、蓋部36の内側面に設置された電磁波吸収体32と、電磁波吸収体32の表面全体に設けられたメタライズ層31とを有する。   The cover 3b of the package 3 of the high frequency device 10 according to the second embodiment includes a lid portion 36 that contacts the other end of the seal ring 3a, an electromagnetic wave absorber 32 installed on the inner surface of the lid portion 36, and electromagnetic wave absorption. And a metallized layer 31 provided on the entire surface of the body 32.

図4は、実施の形態2に係る高周波デバイスのパッケージのカバーの三面図である。実施の形態2に係るパッケージ3のカバー3bでは、メタライズ層31にスロット31aが形成されることにより、集積回路2上の素子で発生した高周波信号は、スロット31aから蓋部36側に放射され、電磁波吸収体32によって吸収される。   FIG. 4 is a three-side view of the cover of the package of the high-frequency device according to the second embodiment. In the cover 3b of the package 3 according to the second embodiment, by forming the slot 31a in the metallized layer 31, the high frequency signal generated by the element on the integrated circuit 2 is radiated from the slot 31a to the lid portion 36 side. It is absorbed by the electromagnetic wave absorber 32.

実施の形態2に係る高周波デバイス10は、シールリング3a及び蓋部36にスロットを設けないため、気密性の確保が可能であり、また、パッケージ3内に電磁波吸収体32が収まる構造であるため、デバイスの大型化を抑制できる。   Since the high-frequency device 10 according to the second embodiment does not have a slot in the seal ring 3a and the lid portion 36, airtightness can be ensured and the electromagnetic wave absorber 32 can be accommodated in the package 3. , Increase in size of the device can be suppressed.

実施の形態3.
図5は、本発明の実施の形態3に係る高周波デバイスの構成を示す断面図である。図6は、実施の形態3に係る高周波デバイスのパッケージのカバーの三面図である。実施の形態3に係るパッケージ3のカバー3bは、シールリング3aの他端部に当接する蓋部36と、蓋部36の内側面に設置された電磁波吸収体33と、電磁波吸収体33を介して蓋部36と平行に設置された導電性プレート34とを有する。導電性プレート34は、蓋部36の外形形状の縮小形状を有し、シールリング3aとの間に隙間を備えて設置されている。すなわち、図5に示すように、導電性プレート34とシールリング3aとの間には隙間によりスロット37を構成している。集積回路2上の素子で発生した高周波信号は、スロット37から蓋部36側に放射され、カバー3bと導電性プレート34との間の平行平板モードの導波路を通って電磁波吸収体33に到達し、吸収される。図5には、導電性プレート34の周縁部が電磁波吸収体33よりも張り出している構成を図示したが、導電性プレート34の周縁部は電磁波吸収体33よりも張り出していなくても良い。
Embodiment 3 FIG.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing the configuration of the high-frequency device according to Embodiment 3 of the present invention. FIG. 6 is a three-side view of the cover of the package of the high-frequency device according to the third embodiment. The cover 3b of the package 3 according to the third embodiment includes a lid portion 36 that contacts the other end of the seal ring 3a, an electromagnetic wave absorber 33 installed on the inner surface of the lid portion 36, and the electromagnetic wave absorber 33. And a conductive plate 34 disposed in parallel with the lid portion 36. The conductive plate 34 has a reduced shape of the outer shape of the lid portion 36 and is installed with a gap between the conductive plate 34 and the seal ring 3a. That is, as shown in FIG. 5, a slot 37 is formed by a gap between the conductive plate 34 and the seal ring 3a. A high-frequency signal generated by an element on the integrated circuit 2 is radiated from the slot 37 toward the lid 36 and reaches the electromagnetic wave absorber 33 through a parallel plate mode waveguide between the cover 3 b and the conductive plate 34. And absorbed. Although FIG. 5 illustrates a configuration in which the peripheral edge of the conductive plate 34 protrudes from the electromagnetic wave absorber 33, the peripheral edge of the conductive plate 34 may not protrude from the electromagnetic wave absorber 33.

実施の形態3に係る高周波デバイス10は、シールリング3a及び蓋部36にスロットを設けないため、気密性の確保が可能であり、また、パッケージ3内に電磁波吸収体33が収まる構造であるため、デバイスの大型化を抑制できる。   Since the high-frequency device 10 according to the third embodiment does not have a slot in the seal ring 3a and the lid portion 36, airtightness can be ensured, and the electromagnetic wave absorber 33 can be accommodated in the package 3. , Increase in size of the device can be suppressed.

図7は、実施の形態3に係る高周波デバイスのカバーの別の構造を示す三面図である。図7に示すカバー3bは、蓋部36の内側面に設置された電磁波吸収体33と、電磁波吸収体33を介して蓋部36と平行に設置された導電性プレート34とを有し、蓋部36と導電性プレート34との隙間に設置された誘電体35を備えている。ここで言う蓋部36と導電性プレート34との隙間とは、電磁波吸収体33の周囲の部分である。蓋部36と導電性プレート34の間に誘電体35を設置することにより、高周波信号の波長が短くなるため、小型化の効果がある。   FIG. 7 is a trihedral view showing another structure of the cover of the high-frequency device according to the third embodiment. The cover 3b shown in FIG. 7 includes an electromagnetic wave absorber 33 installed on the inner surface of the lid portion 36, and a conductive plate 34 installed in parallel with the lid portion 36 via the electromagnetic wave absorber 33. A dielectric 35 is provided in a gap between the portion 36 and the conductive plate 34. The gap between the lid portion 36 and the conductive plate 34 referred to here is a portion around the electromagnetic wave absorber 33. By installing the dielectric 35 between the lid 36 and the conductive plate 34, the wavelength of the high-frequency signal is shortened, so that there is an effect of miniaturization.

実施の形態4.
図8は、本発明の実施の形態4に係る高周波モジュールの構成を示す断面図である。複数の高周波デバイスが実装されたプリント回路基板21と、プリント回路基板21を収容する筐体22とを備えている。筐体22は、プリント回路基板21を側方から覆う側壁部22aと、プリント回路基板21を上方から覆う天面部22bと、プリント回路基板21を下方から覆う底面部22cとを備えている。すなわち、筐体22は、天面部22b、側壁部22a及び底面部22cによって外郭面が構成されている。天面部22bの内側面は、電磁波吸収体23を介して導電性プレート24が設置されている。
Embodiment 4 FIG.
FIG. 8 is a cross-sectional view showing the configuration of the high-frequency module according to Embodiment 4 of the present invention. A printed circuit board 21 on which a plurality of high-frequency devices are mounted, and a housing 22 that houses the printed circuit board 21 are provided. The housing 22 includes a side wall portion 22a that covers the printed circuit board 21 from the side, a top surface portion 22b that covers the printed circuit board 21 from above, and a bottom surface portion 22c that covers the printed circuit board 21 from below. That is, the outer surface of the housing 22 is configured by the top surface portion 22b, the side wall portion 22a, and the bottom surface portion 22c. A conductive plate 24 is installed on the inner side surface of the top surface portion 22 b via an electromagnetic wave absorber 23.

導電性プレート24は、天面部22bの外形形状の縮小形状である。従って、図8に示すように、導電性プレート24と側壁部22aとの間には隙間が形成されている。導電性プレート24と側壁部22aとの間の隙間は、スロット25を構成している。複数の高周波デバイス10で発生した高周波信号は、スロット25によって天面部22b側に放射され、天面部22bと導電性プレート24との間の平行平板モードの導波路を通って電磁波吸収体23に到達し、吸収される。図8には、導電性プレート24の周縁部が電磁波吸収体23よりも張り出している構成を図示したが、導電性プレート24の周縁部は電磁波吸収体32よりも張り出していなくても良い。   The conductive plate 24 is a reduced shape of the outer shape of the top surface portion 22b. Therefore, as shown in FIG. 8, a gap is formed between the conductive plate 24 and the side wall portion 22a. A gap between the conductive plate 24 and the side wall portion 22 a constitutes a slot 25. The high-frequency signals generated by the plurality of high-frequency devices 10 are radiated to the top surface portion 22 b side by the slots 25, and reach the electromagnetic wave absorber 23 through the parallel plate mode waveguide between the top surface portion 22 b and the conductive plate 24. And absorbed. Although FIG. 8 illustrates a configuration in which the peripheral portion of the conductive plate 24 protrudes from the electromagnetic wave absorber 23, the peripheral portion of the conductive plate 24 may not protrude from the electromagnetic wave absorber 32.

実施の形態4に係る高周波モジュール20は、実施の形態3に係る高周波デバイス10の構造を応用したものであり、筐体22内の高アイソレーション化を実現することができる。上記の説明においては、プリント回路基板21には、複数の高周波デバイスが実装されているとしたが、高周波デバイスに限定されることはない。また、電磁波吸収体23及び導電性プレート24は、天面部22b以外に設置してもよい。すなわち、筐体22の外郭面の少なくともいずれかに、電磁波吸収体23及び導電性プレート24を設置すれば良い。   The high-frequency module 20 according to the fourth embodiment is an application of the structure of the high-frequency device 10 according to the third embodiment, and can achieve high isolation in the housing 22. In the above description, a plurality of high-frequency devices are mounted on the printed circuit board 21, but the present invention is not limited to high-frequency devices. Moreover, you may install the electromagnetic wave absorber 23 and the electroconductive plate 24 other than the top | upper surface part 22b. That is, the electromagnetic wave absorber 23 and the conductive plate 24 may be installed on at least one of the outer surfaces of the housing 22.

なお、ここでは、実施の形態3に係る高周波デバイスの構造を応用した高周波モジュールについて説明したが、実施の形態1,2に係る高周波デバイスの構造を高周波モジュールに応用することもできる。すなわち、筐体22の少なくとも一つの面に、高周波デバイスで発生した高周波信号を筐体22外へ放射するスロットを設け、少なくともスロットと正対する箇所に電磁波吸収体を設けても良い。また、表面にメタライズ層を形成するとともにメタライズ層にスロットを形成した電磁波吸収体を筐体22の少なくとも一つの面の内側面に設置しても良い。   In addition, although the high frequency module which applied the structure of the high frequency device which concerns on Embodiment 3 was demonstrated here, the structure of the high frequency device which concerns on Embodiment 1, 2 can also be applied to a high frequency module. That is, a slot that radiates a high-frequency signal generated by the high-frequency device to the outside of the casing 22 may be provided on at least one surface of the casing 22, and an electromagnetic wave absorber may be provided at least at a location facing the slot. Further, an electromagnetic wave absorber in which a metallized layer is formed on the surface and a slot is formed in the metallized layer may be provided on the inner surface of at least one surface of the housing 22.

実施の形態4に係る高周波モジュール20は、筐体22にスリットを設けないため、気密性の確保が可能であり、また、筐体22内に電磁波吸収体23が収まる構造であるため、モジュールの大型化を抑制できる。   The high-frequency module 20 according to the fourth embodiment can ensure airtightness because no slit is provided in the housing 22, and has a structure in which the electromagnetic wave absorber 23 is accommodated in the housing 22. Increase in size can be suppressed.

以上の実施の形態に示した構成は、本発明の内容の一例を示すものであり、別の公知の技術と組み合わせることも可能であるし、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、構成の一部を省略、変更することも可能である。   The configuration described in the above embodiment shows an example of the contents of the present invention, and can be combined with another known technique, and can be combined with other configurations without departing from the gist of the present invention. It is also possible to omit or change the part.

1 パッケージベース、1a フィードスルー、2 集積回路、3 パッケージ、3a シールリング、3a1 一端側、3a2 他端側、3b カバー、4 ワイヤ、5,23,32,33 電磁波吸収体、6,25,31a,37 スロット、10 高周波デバイス、20 高周波モジュール、21 プリント回路基板、22 筐体、22a 側壁部、22b 天面部、22c 底面部、24,34 導電性プレート、31 メタライズ層、35 誘電体、36 蓋部。 1 package base, 1a feedthrough, 2 integrated circuit, 3 package, 3a seal ring, 3a1 one end side, 3a2 other end side, 3b cover, 4 wires, 5, 23, 32, 33 electromagnetic wave absorber, 6, 25, 31a , 37 slots, 10 high frequency devices, 20 high frequency modules, 21 printed circuit boards, 22 housings, 22a side walls, 22b top surfaces, 22c bottom surfaces, 24, 34 conductive plates, 31 metallized layers, 35 dielectrics, 36 lids Department.

Claims (7)

複数の素子を有する集積回路と、前記集積回路を囲むパッケージと、前記パッケージの外部に設置された電磁波吸収体とを備え、
前記パッケージは、
前記集積回路が実装されたパッケージベースと、
前記集積回路を側方から囲む筒状を呈し、一端部が前記パッケージベースに固定されたシールリングと、
板状を呈し、前記シールリングの他端部を塞いだカバーと、を有し、
前記パッケージベース、前記シールリング及び前記カバーのうち少なくとも前記パッケージベース又は前記シールリングは、前記集積回路で発生した高周波信号を前記パッケージ外へ放射するスロットを備え、
前記電磁波吸収体は、少なくとも前記スロットと正対する箇所に設けられていることを特徴とする高周波デバイス。
An integrated circuit having a plurality of elements, a package surrounding the integrated circuit, and an electromagnetic wave absorber disposed outside the package,
The package is
A package base on which the integrated circuit is mounted;
Presenting a cylindrical shape surrounding the integrated circuit from the side, a seal ring having one end fixed to the package base;
A cover having a plate shape and closing the other end of the seal ring,
The package base, the seal ring and at least the package base or the sealing ring of the cover is provided with a slot that emits high-frequency signal generated in the integrated circuit to the outside the package,
The high-frequency device, wherein the electromagnetic wave absorber is provided at least at a position facing the slot.
前記スロットは、前記パッケージの表面を流れる表面電流と直交する向きで設けられていることを特徴とする請求項1に記載の高周波デバイス。   The high-frequency device according to claim 1, wherein the slot is provided in a direction orthogonal to a surface current flowing on a surface of the package. 複数の高周波デバイスが実装されたプリント回路基板と、該プリント回路基板を収容した箱状の筐体と、前記筐体の外部に設置された電磁波吸収体とを備え、
前記筐体は、底面、側面及び天面のうち少なくとも底面又は側面に、前記高周波デバイスで発生した高周波信号を前記筐体外へ放射するスロットを備え、
前記電磁波吸収体は、少なくとも前記スロットと正対する箇所に設けられていることを特徴とする高周波モジュール。
A printed circuit board on which a plurality of high-frequency devices are mounted, a box-shaped housing that accommodates the printed circuit board, and an electromagnetic wave absorber installed outside the housing,
The housing includes a slot that radiates a high-frequency signal generated by the high-frequency device to the outside of at least the bottom surface or the side surface of the bottom surface, the side surface, and the top surface .
The high-frequency module, wherein the electromagnetic wave absorber is provided at least at a position facing the slot.
前記スロットは、前記筐体の表面を流れる表面電流と直交する向きで設けられていることを特徴とする請求項に記載の高周波モジュール。 The high frequency module according to claim 3 , wherein the slot is provided in a direction orthogonal to a surface current flowing on a surface of the housing. 複数の高周波デバイスが実装されたプリント回路基板と、該プリント回路基板を収容した箱状の筐体とを備え、
前記筐体の底面、側面及び天面のうち少なくとも底面又は側面は、内側面に設置された電磁波吸収体と、該電磁波吸収体の表面に形成されたメタライズ層と、該メタライズ層に設けられたスロットとを有することを特徴とする高周波モジュール。
A printed circuit board on which a plurality of high-frequency devices are mounted, and a box-shaped housing that houses the printed circuit board,
At least the bottom surface or the side surface of the bottom surface, the side surface, and the top surface of the housing is provided on the inner surface, the metallized layer formed on the surface of the electromagnetic wave absorber, and the metallized layer. A high frequency module comprising a slot.
複数の高周波デバイスが実装されたプリント回路基板と、該プリント回路基板を収容した箱状の筐体とを備え、
前記筐体は、底面、側面及び天面のうち少なくとも底面又は側面の内面側に設置された電磁波吸収体と、該電磁波吸収体を介して前記電磁波吸収体が設置された面と平行に設置された導電性プレートとを有し、
前記導電性プレートは、前記電磁波吸収体が設置された面の外形形状の縮小形状であり、周縁部と前記筐体との間に隙間を備えて設置されていることを特徴とする高周波モジュール。
A printed circuit board on which a plurality of high-frequency devices are mounted, and a box-shaped housing that houses the printed circuit board,
The housing is installed in parallel with the electromagnetic wave absorber installed on at least the bottom surface or the inner surface of the side surface among the bottom surface, the side surface, and the top surface, and the surface on which the electromagnetic wave absorber is installed via the electromagnetic wave absorber. A conductive plate,
The high-frequency module according to claim 1, wherein the conductive plate has a reduced shape of an outer shape of the surface on which the electromagnetic wave absorber is installed, and is installed with a gap between a peripheral portion and the housing.
前記筐体の前記電磁波吸収体が設置された内面と前記導電性プレートとの隙間に、誘電体が設置されていることを特徴とする請求項に記載の高周波モジュール。 The high frequency module according to claim 6 , wherein a dielectric is installed in a gap between the inner surface of the housing on which the electromagnetic wave absorber is installed and the conductive plate.
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