JP2011191184A

JP2011191184A - ラインスキャニング装置

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Publication number: JP2011191184A
Application number: JP2010057639A
Authority: JP
Inventors: Junichi Inoue; 淳一井上
Original assignee: Sumitomo Heavy Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority date: 2010-03-15
Filing date: 2010-03-15
Publication date: 2011-09-29
Anticipated expiration: 2030-03-15
Also published as: CN102188775B; US8890090B2; TWI459406B; CN102188775A; EP2366429A3; TW201137894A; EP2366429A2; US20110220807A1; KR20110103867A; JP5583436B2

Abstract

【課題】本発明は、信頼性の向上を図ることができるラインスキャニング装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、ラインスキャニングビームを照射する照射ノズル２と、ラインスキャニングビームの照射位置を検出する照射位置センサ１１と、照射位置センサ１１が検出した照射位置でのラインスキャニングビームの滞在時間を測定する演算処理回路部１３と、照射位置センサ１１の検出した照射位置と演算処理回路部１３の測定した滞在時間とを利用して、ラインスキャニングビームを走査制御する照射制御部１４と、を備える。このラインスキャニング装置１によれば、ラインスキャニングビームの照射位置及び当該照射位置に対応する滞在時間を利用してラインスキャニングビームを走査制御することで、ビームの誤った位置への照射や過剰な照射をより確実に防止することができ、これによってラインスキャニング装置の信頼性の向上を図ることができる。
【選択図】図８

Description

本発明は、ラインスキャニングビームを走査制御するラインスキャニング装置に関する。

従来、この分野に関する技術文献として特開２００９−２４３８９１号公報が知られている。この公報に記載された荷電粒子線照射装置は、荷電粒子線を走査するための走査電磁石と、走査電磁石の動作を制御する制御装置と、ビームの位置を検出するモニタとを備え、照射対象に設定された照射野の照射ラインに沿って荷電粒子線を走査しながら連続照射を行う。

特開２００９−２４３８９１号公報

ところで、上述のような照射装置においては、照射野以外の部位に荷電粒子線が照射される事態や同じ部位に過剰に照射される事態を避ける必要がある。このため、高精度な荷電粒子線の制御が可能な信頼性の高い照射装置が求められている。

そこで、本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、信頼性の向上を図ることができるラインスキャニング装置を提供することを目的とする。

本発明は、ラインスキャニングビームを照射するビーム照射手段と、ラインスキャニングビームの照射位置を検出する照射位置検出手段と、照射位置検出手段が検出した照射位置でのラインスキャニングビームの滞在時間を測定する滞在時間測定手段と、照射位置検出手段の検出した照射位置と滞在時間測定手段の測定した滞在時間とを利用して、ラインスキャニングビームを走査制御する走査制御手段と、を備えることを特徴とする。

本発明に係るラインスキャニング装置によれば、ラインスキャニングビームの照射位置を検出すると共に当該照射位置に対応する滞在時間を測定し、これらの結果を利用してラインスキャニングビームを走査制御することで、ラインスキャニングビームの誤った位置への照射や過剰な照射をより確実に防止することができ、これによってラインスキャニング装置の信頼性の向上を図ることができる。

本発明に係るラインスキャニング装置においては、照射位置検出手段の検出した照射位置と滞在時間測定手段の測定した滞在時間とを利用して、インターロック制御を行うインターロック制御手段を更に備えることが好ましい。
この場合、ラインスキャニングビームが誤った位置に照射されたり、予定された時間を越えて過剰に照射されたりした場合に、ラインスキャニングビームを照射停止させるインターロック制御を行うことで、ラインスキャニングビームの誤照射を防止することができる。

また、本発明に係るラインスキャニング装置においては、走査制御手段は、照射位置検出手段の検出した照射位置と滞在時間測定手段の測定した滞在時間とを利用して、ラインスキャニングビームの走査をフィードバック制御することが好ましい。
この場合、フィードバック制御によりラインスキャニングビームの高精度な走査制御が実現され、これによってラインスキャニング装置の信頼性の向上を図ることができる。

本発明によれば、信頼性の向上を図ることができる。

本発明に係るラインスキャニング装置の一実施形態を示す構成図である。図１の照射位置センサの構成を説明するための図である。ラインスキャニング装置の機能構成を示す機能ブロック図である。図１のフロントエンド回路部及び演算処理回路部を示す図である。演算処理回路部における実測値出力処理を示すフローチャートである。演算処理回路部におけるスキャニングパターン出力処理を示すフローチャートである。演算処理回路部における異常有無判定処理を示すフローチャートである。ラインスキャニング装置の状態遷移を示すフローチャートである。（ａ）はラインスキャニングビームの軌跡を示す図であり、（ｂ）は（ａ）の実測値とスキャニングパターンとを比較するための図である。

以下、本発明に係るラインスキャニング装置の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。

図１に示すように、本実施形態に係るラインスキャニング装置１は、陽子線や炭素イオン線等のラインスキャニングビームを走査して患者の患部に照射することで癌等の治療を行う粒子線治療設備において利用され、ラインスキャニングビームの走査制御を行うものである。ラインスキャニング装置１は、患者の患部に設定された照射野に対してラインスキャニングビームを照射する照射ノズル（ビーム照射手段）２を備えている。このようなラインスキャニングビームを用いた粒子線治療では、ラインスキャニングビームの誤照射によるリスクを低減するため、強度を抑えたビームを複数回に分けて照射野内に照射することで治療が進められる。

照射ノズル２は、ビーム輸送系３を通じて加速器４と接続されている。加速器４は、陽子や炭素イオン等の荷電粒子を加速するサイクロトロンやシンクロトロン等である。加速器４で加速された荷電粒子は、直径数ｍｍのペンシルビームに成形されてビーム輸送系３に入射する。ビーム輸送系３を通じて照射ノズル２の供給口２ａに供給された荷電粒子のビームＬは、照射ノズル２先端の照射口２ｂから出射され、患者の患部に設定された照射野Ｐに照射される。

照射ノズル２内には、供給されたビームＬを偏向させて走査制御するための走査電磁石５，６が設けられている。走査電磁石５，６は、供給されたビームＬの直進方向に垂直な平面内において直交する２方向にビームＬを走査できるように構成されている。ビームＬの直進方向に垂直な平面内において直交する２方向をＸ軸方向、Ｙ軸方向とする。走査電磁石５は、Ｘ軸方向にビームＬを偏向させるＸ軸用走査電磁石であり、走査電磁石６は、Ｙ軸方向にビームＬを偏向させるＹ軸用走査電磁石である。ビームＬは、これらの走査電磁石５，６によって直進方向と直交する平面内で偏向され、ラインスキャニングビームとして走査される。

照射ノズル２内には、ビームＬの進路と交差するように２つのドーズモニタ７，８が設けられている。ドーズモニタ７，８は、走査電磁石５，６より照射口２ｂ側に設けられており、通過したビームＬの線量の検出を行う。ドーズモニタ７，８は、検出した線量を電磁石制御部９に出力する。

電磁石制御部９は、照射ノズル２外に設けられており、走査電磁石５，６、ドーズモニタ７，８、及びこれらに電流を供給する電源１０と電気的に接続されている。また、電磁石制御部９は、ビームＬの照射に関する制御を統括する照射制御部（走査制御手段）１４と電気的に接続されている（図３参照）。電磁石制御部９は、照射制御部１４に対してドーズモニタ７，８の検出結果を出力する。電磁石制御部９は、後述するスキャニングパターンに沿ってビームＬが走査するように、照射制御部１４からの指令に応じて走査電磁石５，６を制御する。

図１及び図２に示すように、照射ノズル２内には、ビームＬの照射位置を検出する照射位置センサ（照射位置検出手段）１１が設けられている。照射位置センサ１１は、ドーズモニタ７，８よりも照射口２ｂ側に設けられている。照射位置センサ１１は、電源１５から高電圧を供給されており、電離箱に内蔵された透過型のマルチストリップワイヤー１１Ａ，１１Ｂを備えている。

ワイヤー１１Ａ，１１Ｂは、それぞれ１２８本ずつ設けられており、ビームＬの直進方向から見て格子状をなすワイヤーグリッドを構成している。ワイヤー１１Ａは、上述したＸ軸方向に延在するように配置され、ワイヤー１１Ｂは、上述したＹ軸方向に延在するように配置されている。ワイヤー１１Ａとワイヤー１１Ｂとは、ビームＬの直進方向で高さが異なるように配置されている。なお、ワイヤー１１Ａ，１１Ｂの本数が１２８本に限られることはなく、１２８本より少なくても多くても良い。

このように構成されたワイヤー１１Ａ，１１Ｂでは、ビームＬの直進方向から見たときのワイヤー１１Ａ，１１Ｂの各交点を座標として平面内の位置を表すことができる。ビームＬの照射を受けたワイヤー１１Ａ，１１Ｂでは電荷が発生するため、この電荷を検知することでビームＬの照射範囲に含まれる交点の分布すなわちビームＬの照射位置の検出を行うことができる。

図１、図３及び図４に示すように、照射位置センサ１１は、フロントエンド回路部１２を介して演算処理回路部（滞在時間測定手段）１３と電気的に接続されている。フロントエンド回路部１２は、Ｉ／Ｖアンプ２１、アンプ２２、及びＡ／Ｄコンバータ２３をそれぞれ１２８×２個（２５６個）ずつ有している。Ｉ／Ｖアンプ２１、アンプ２２、及びＡ／Ｄコンバータ２３は、照射位置センサ１１のワイヤー１１Ａ，１１Ｂの一本一本に対応して直列的に接続されている。

フロントエンド回路部１２では、ビームＬの照射によりワイヤー１１Ａ，１１Ｂで電荷が生じると、各ワイヤー１１Ａ，１１Ｂと接続されたＩ／Ｖアンプ２１に電流が流れ込み、Ｉ／Ｖアンプ２１で電圧信号に変換される。その後、電圧信号はアンプ２２によって増幅され、増幅した電圧信号がＡ／Ｄコンバータ２３に入力される。また、アンプ２２には、演算処理回路部１３のゲートアレイ３４から出力された信号がトランシーバ３３及びレシーバ２７を通じて入力されている。

Ａ／Ｄコンバータ２３は、アンプ２２により入力された信号をデジタル信号に変換し、出力する。Ａ／Ｄコンバータ２３が出力したデジタル信号は、トランシーバ２４を通じて演算処理回路部１３のゲートアレイ３４に送られる。なお、このフロントエンド回路部１２では、０．２ｍｓ毎に信号処理が行われ、これによってビームＬの照射位置の検出精度を確保している。

演算処理回路部１３は、ゲートアレイ３４、メモリ３５、プロセッサ３６を有している。ゲートアレイ３４は、データレジスタ５１と演算回路５２とを有している。ゲートアレイ３４では、Ａ／Ｄコンバータ２３から出力されたデジタル信号がレシーバ３１を通じてデータレジスタ５１に入力される。

データレジスタ５１は、ビームＬの直進方向から見たときのワイヤー１１Ａ，１１Ｂの各交点に対応して１２８×１２８個（１６３８４個）配置されている。各データレジスタ５１の入力端子には、ワイヤー１１Ａ及びワイヤー１１Ｂにそれぞれ対応するＡ／Ｄコンバータ２３が接続されている。対応するワイヤー１１Ａ，１１Ｂの交点にビームＬの照射を受けると、入力端子に接続されたＡ／Ｄコンバータ２３からデジタル信号が１つずつ入力されて出力条件を満たし、データレジスタ５１から照射位置信号が出力される。データレジスタ５１から出力された照射位置信号は、演算回路５２に送られる。

演算回路５２では、データレジスタ５１から出力された照射位置信号から、ビームＬの照射を受けたワイヤー１１Ａ，１１Ｂの交点の位置を検出し、その検出結果を照射位置情報として一時的に記憶する。このようにして、ゲートアレイ３４では、照射位置センサ１１の各ワイヤー１１Ａ，１１Ｂから出力された電流に基づいて、ビームＬの照射位置がリアルタイムで検出される。ゲートアレイ３４は、検出したビームＬの照射位置の中心を重心位置として算出する。また、ゲートアレイ３４は、算出した重心位置毎にビームＬの滞在時間を測定する。

メモリ３５には、ビームＬの走査制御に関するスキャニングパターンが記憶されている。スキャニングパターンとは、患者の患部に設定された照射野に対するビームＬの走査パターンであり、ビームＬの照射位置、滞在時間、及び重心位置の軌跡に関する情報が含まれている。メモリ３５は、要求されたスキャニングパターンをゲートアレイ３４に出力する。

ゲートアレイ３４は、スキャニングパターンと検出したビームＬの照射位置及び滞在時間とを比較することで、ビームＬの走査制御がスキャニングパターンの範囲から外れているか否かの異常有無判定を行う。ゲートアレイ３４は、ビームＬの走査制御がスキャニングパターンから外れていると判定した場合、トランシーバ３７を介して照射制御部１４のＩＣＵ［Irradiation Control Unit、照射制御ユニット］（インターロック制御手段）４３にインターロック信号を出力する。ＩＣＵ４３は、ゲートアレイ３４からインターロック信号が出力された場合、ビームＬの照射を強制的に停止するインターロックを行う。

プロセッサ３６は、照射制御部１４からの信号が入力されるコマンドデコーダ４１と、照射制御部１４に信号を出力するステータスエンコーダ４２とを有している。コマンドデコーダ４１には、照射制御部１４と同期を取るための同期信号がレシーバ３８を通じて入力される。コマンドデコーダ４１は、入力された同期信号をゲートアレイ３４に出力する。ステータスエンコーダ４２には、ゲートアレイ３４で検出されたビームＬの照射位置が入力される。ステータスエンコーダ４２は、入力されたビームＬの照射位置を照射制御部１４に出力する。

次に、演算処理回路部１３におけるビームＬの走査制御の異常有無判定処理について図面を参照して説明する。図５は、演算処理回路部１３における実測値の出力処理を示すフローチャートであり、図６は、演算処理回路部１３におけるスキャニングパターンの出力処理を示すフローチャートである。図７は、演算処理回路部１３における異常有無判定処理を示すフローチャートである。

図５に示すように、演算処理回路部１３（ゲートアレイ３４）では、まず、照射位置センサ１１で生じた電流に応じてフロントエンド回路部１２から出力されたデジタル信号を利用して、ビームＬの照射位置が検出される（ステップＳ１）。その後、ビームＬの照射位置の中心が重心位置として算出される（ステップＳ２）。

重心位置が算出されると、算出した重心位置と前回算出した重心位置とが比較され、重心位置が移動したか否かが判定される（ステップＳ３）。重心位置が移動していないと判定された場合、当該重心位置におけるＴｉｍｅｃｏｕｎｔの値を１増やす（ステップＳ４）。その後、ステップＳ１に戻り、各ステップを繰り返す。なお、重心位置の算出が１回目の場合には、重心位置が移動したものと判定される。また、Ｔｉｍｅｃｏｕｎｔの初期値を「０」とする。

一方、重心位置が移動したと判定された場合、後述のスキャニングパターンの読み出しを行うためのチェンジトリガーが生成される。（ステップＳ５）。また、Ｔｉｍｅｃｏｕｎｔがリセットされ、再び「０」からカウントが開始される。その後、ステップＳ１に戻り、各ステップを繰り返す。

図６に示すように、演算処理回路部１３（ゲートアレイ３４）では、図５に示すステップＳ４においてチェンジトリガーが生成された場合、メモリ３５から重心位置に対応するスキャニングパターンの読み出しが行われる（ステップＳ１１）。スキャニングパターンの読み出しが行われると、再びチェンジトリガーが生成されるまで処理が一度終了する。

図７に示すように、演算処理回路部１３（ゲートアレイ３４）では、図５に示すステップＳ５においてチェンジトリガーが生成された場合、ステップＳ２で算出された重心位置がスキャニングパターンの範囲内であるか否かの異常有無判定が行われる（ステップＳ２１）。このステップＳ２１で用いられるスキャニングパターンは、図６のステップＳ１１においてスキャニングパターンの読み込みが行われる度に更新される。

ステップＳ２で算出された重心位置がスキャニングパターンの範囲内である場合、すなわち検出された照射位置がスキャニングパターンの照射位置と一致し、かつ、測定された滞在時間がスキャニングパターンに規定された滞在時間以下であり、かつ、重心位置の移動の軌跡がスキャニングパターンに規定された軌跡の範囲内である場合、ビームＬは正常に走査制御されていると判定される。ビームＬが正常に走査制御されていると判定された場合、演算処理回路部１３は処理を終了する。

一方、実測値がスキャニングパターンの範囲内ではない場合、すなわち検出された照射位置がスキャニングパターンの照射位置と異なっている、又は測定された滞在時間がスキャニングパターンに規定された滞在時間を超えている、又は、重心位置の移動の軌跡がスキャニングパターンに規定された軌跡の範囲外である場合、ビームＬの走査制御に異常があると判定される。ビームＬの走査制御に異常があると判定された場合、インターロック処理が行われる（ステップＳ２２）。インターロック処理では、インターロック信号が生成されて照射制御部１４のＩＣＵ４３に出力され、その後処理を終了する。インターロック信号が出力されたＩＣＵ４３は、ビームＬの照射を強制的に停止するインターロックを行う。

続いて、ラインスキャニング装置１における状態遷移について図面を参照して説明する。図８は、ラインスキャニング装置の状態遷移図である。

図８に示すように、ラインスキャニング装置１は、起動後、運転準備が終了するとアイドル状態に遷移する（ステップＳ３１）。アイドル状態では、まず医師等の治療者や終了プログラムにより照射終了信号が入力されたか否かが判定される（ステップＳ３２）。照射終了信号が入力されたと判定された場合、ラインスキャニング装置１は運転を終了する。

一方、照射終了信号が入力されていないと判定された場合、続いて照射開始信号が入力されたか否かが判定される（ステップＳ３３）。照射開始信号が入力されていないと判定された場合、ステップＳ３２に戻りアイドル状態が継続される。照射開始信号が入力されたと判定された場合、待機状態に遷移する（ステップＳ３４）。

待機状態に遷移すると、照射野に対するビームＬの走査制御が終了したか否かが判定される（ステップＳ３５）。照射野に対するビームＬの走査制御が終了したと判定された場合、ステップＳ３１に戻りアイドル状態に遷移する。一方、照射野に対するビームＬの走査制御が終了していないと判定された場合は、待機状態への遷移から０.２ｍｓ経過後にビームＬの照射位置をホールドするホールド状態に遷移する（ステップＳ３６）。

その後、ホールドされた照射位置における重心位置が算出されると共に当該重心位置における滞在時間のカウントが開始され、この滞在時間がスキャニングパターンの範囲内であるか否かが判定される滞在時間判定状態に遷移する（ステップＳ３７）。滞在時間がスキャニングパターンの範囲内ではないと判定された場合、ステップＳ４１に移行する。滞在時間がスキャニングパターンの範囲内であると判定された場合、重心位置が移動したか否かが判定される（ステップＳ３８）。

ステップＳ３８において、重心位置が移動していないと判定された場合、滞在時間のカウントは進められ、ステップＳ３８に戻って新たな滞在時間がスキャニングパターンの範囲内であるか否かが判定される。一方、重心位置が移動したと判定された場合、検出されたビームＬの照射位置がスキャニングパターンの範囲内であるか否かが判定される位置判定状態に遷移する（ステップＳ３９）。

ステップＳ３９において、ビームＬの照射位置がスキャニングパターンの範囲内ではないと判定された場合、ステップＳ４１に移行する。一方、ビームＬの照射位置がスキャニングパターンの範囲内であると判定された場合、重心位置の軌跡がスキャニングパターンの範囲内であるか否かを判定する軌跡判定状態に遷移する（ステップＳ４０）。

ステップＳ４０において、重心位置の軌跡がスキャニングパターンの範囲内であると判定された場合、ステップＳ３４に戻って待機状態に遷移する。一方、重心位置の軌跡がスキャニングパターンの範囲内ではないと判定された場合、ステップＳ４１に移行する。

ステップＳ４１では、ビームＬの走査制御に関する実測値がスキャニングパターンの範囲内ではなく、走査制御に異常があると判断され、ビームＬの照射を強制的に停止するインターロック状態に遷移する。

インターロック状態に遷移した場合、解除信号が入力されたか否かが判定される（ステップＳ４２）。解除信号が入力されていないと判定された場合、インターロック状態が継続され、所定時間後に再びステップＳ４２の判定が行われる。一方、解除信号が入力されたと判定された場合、ステップＳ３１に戻りアイドル状態に遷移する。

次に、ビームＬの走査制御に異常があると判定される場合の例について図面を参照して説明する。

図９（ａ）に示すように、照射野Ｎ内で矢印Ａ、矢印Ｂ、矢印Ｃの順にビームＬが走査制御された場合を考える。この場合の実測値及びスキャニングパターンについて、重心位置（Ｘ軸、Ｙ軸）の軌跡及び各重心位置における滞在時間（Ｔｉｍｅ）のデータを図９（ｂ）に示す。なお、説明の明確化のため、図９（ａ）では、ワイヤー１１Ａ，１１Ｂの交点ではなく、枠内に対応する照射位置が検出されるものとして説明する。

図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、ビームＬの重心位置が（２，２）から（５，２）に移動する矢印Ａ、及び、重心位置が（５，３）から（３，３）に移動する矢印Ｂの間の走査については、重心位置の軌跡及び滞在時間の実測値はスキャニングパターンの範囲内であり、ビームＬの走査制御が正常に行われていると判定される。その後、矢印Ｃの走査では、実測値の重心位置（２，４）がスキャニングパターンにおける重心位置（４，３）から外れているため、ビームＬの走査制御に異常があると判定される。このとき、ラインスキャニング装置１では、インターロック処理が行われ、ビームＬの走査が強制的に停止させられるので、更なるビームＬの誤照射の防止が図られる。

以上説明したラインスキャニング装置１によれば、ラインスキャニングビームＬの照射位置を検出すると共に当該照射位置の重心位置に対応する滞在時間を測定し、これらの結果を利用してラインスキャニングビームＬを走査制御することで、ラインスキャニングビームＬの誤った位置への照射や過剰な照射をより確実に防止することができ、これによってラインスキャニング装置１の信頼性の向上を図ることができる。

また、ラインスキャニング装置１においては、ラインスキャニングビームＬが誤った位置に照射されたり、予定された時間を越えて過剰に照射されたりした場合に、ラインスキャニングビームを照射停止させるインターロック制御を行うことで、ラインスキャニングビームの誤照射をより確実に防止することができる。

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。

例えば、ラインスキャニング装置１は、検出した照射位置及び測定した滞在時間を利用してラインスキャニングビームの走査をフィードバック制御する態様であっても良い。具体的には、ラインスキャニングビームの誤動作によるリスクを低減するため、強度を抑えたビームを複数回に分けて照射野に照射する際に、一度誤照射が生じた箇所では再び誤照射が生じないようにスキャニングパターンの再設定制御を行う態様等が挙げられる。

また、ラインスキャニングビームの重心位置が移動した場合、移動前後の滞在時間及び重心座標を演算回路１３（ゲートアレイ３４）内で保持し、移動前後の滞在時間及び重心座標を用いてラインスキャニングビームの移動速度を算出し、算出した移動速度を電磁石制御部９へフィードバックしてビーム制御を行う態様も挙げられる。

また、上述した実施形態では、ラインスキャニングビームの重心位置が移動するまでの時間を滞在時間として測定したが、重心位置ではなく照射位置が変化するまでの時間を滞在時間として測定する態様であっても良い。また、本発明に係るラインスキャニング装置１は、粒子線治療設備以外の設備や機器に対しても利用可能である。

１…ラインスキャニング装置、２…照射ノズル（ビーム照射手段）、４…加速器、５…Ｘ軸用走査電磁石、６…Ｙ軸用走査電磁石、９…電磁石制御部、１１…照射位置センサ（照射位置検出手段）、１２…フロントエンド回路部、１３…演算処理回路部（滞在時間測定部）、１４…照射制御部（走査制御手段）、４３…ＩＣＵ（インターロック制御手段）、Ｌ…ビーム。

Claims

ラインスキャニングビームを照射するビーム照射手段と、
前記ラインスキャニングビームの照射位置を検出する照射位置検出手段と、
前記照射位置検出手段が検出した前記照射位置での前記ラインスキャニングビームの滞在時間を測定する滞在時間測定手段と、
前記照射位置検出手段の検出した前記照射位置と前記滞在時間測定手段の測定した前記滞在時間とを利用して、前記ラインスキャニングビームを走査制御する走査制御手段と、
を備えることを特徴とするラインスキャニング装置。
前記照射位置検出手段の検出した前記照射位置と前記滞在時間測定手段の測定した前記滞在時間とを利用して、インターロック制御を行うインターロック制御手段を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のラインスキャニング装置。
前記走査制御手段は、前記照射位置検出手段の検出した前記照射位置と前記滞在時間測定手段の測定した前記滞在時間とを利用して、前記ラインスキャニングビームの走査をフィードバック制御することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のラインスキャニング装置。