JP2011188063A - Level shift circuit - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the number of elements constituting a level shift circuit. <P>SOLUTION: A level shift circuit 1 includes: a first switch PM1, which is connected in series with a second power supply VCC, a third transistor PM3 and a first output terminal OUTB; a second switch PM2, which is connected in series with the second power supply VCC, a fourth transistor PM2 and a second output terminal OUT and brought into the same energization state as the first switch PM1; and a third switch NM10, which is connected between the first output terminal OUTB and the second output terminal OUT and brought into an energization state exclusive for the first switch PM1 and the second switch PM2. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、レベルシフト回路に関する。   The present invention relates to a level shift circuit.

近年、表示装置、記憶装置等の各種電子装置において、信号電圧サイズを異なる電圧範囲に切り換えるレベルシフト回路が利用されている。図2は、先行技術(特許文献1)に係るレベルシフト回路101の構成を示している。このレベルシフト回路101は、VCCの電源電圧とVSSの接地電圧との間に、p型MOSトランジスタ(以下、PMOSという)であるPM101、PM103、PM111と、n型MOSトランジスタ(以下、NMOSという)であるNM101とがシリーズに接続されると共に、PMOSであるPM102、PM104、PM112と、NMOSであるNM102とがシリーズに接続されている。そして、前記PM101及び前記NM101のゲートにINの電圧レベルの信号が入力され、前記PM102及び前記NM102のゲートにINの電圧レベルの信号の反転信号INBが入力され、前記PM111及び前記PM112のゲートにTEST信号が入力される。また、前記PM104のゲートと前記NM101のドレインとが接続されると共に、前記PM103のゲートと前記NM102のドレインとが接続され、前記NM102のドレインが出力端子OUT、前記NM101のドレインが出力端子OUTBとなる。そして、前記出力端子OUTと接地電圧VSSとの間に前記NM111が接続され、前記NM111のゲートにTEST信号が入力されている。   In recent years, level shift circuits that switch signal voltage sizes to different voltage ranges have been used in various electronic devices such as display devices and storage devices. FIG. 2 shows a configuration of the level shift circuit 101 according to the prior art (Patent Document 1). This level shift circuit 101 includes p-type MOS transistors (hereinafter referred to as PMOS) PM101, PM103, PM111 and n-type MOS transistors (hereinafter referred to as NMOS) between the power supply voltage of VCC and the ground voltage of VSS. Are connected in series, and PMOSs PM102, PM104, PM112 and NMOS NM102 are connected in series. Then, an IN voltage level signal is input to the gates of the PM101 and the NM101, an inverted signal INB of an IN voltage level signal is input to the PM102 and the gate of the NM102, and the PM111 and PM112 gates. A TEST signal is input. Further, the gate of the PM 104 and the drain of the NM 101 are connected, and the gate of the PM 103 and the drain of the NM 102 are connected. The drain of the NM 102 is connected to the output terminal OUT, and the drain of the NM 101 is connected to the output terminal OUTB. Become. The NM 111 is connected between the output terminal OUT and the ground voltage VSS, and a TEST signal is input to the gate of the NM 111.

上記構成のレベルシフト回路101は、6Tr+3Tr=9Tr構成である。また、前記PM103及び前記PM104は、一般的に大きなL寸法(ゲート長)を有し抵抗として動作する。IN/INBは低振幅入力信号、TESTは高振幅入力信号、OUT/OUTBは高振幅出力信号、VCCは高圧電源、VSSはグランドである。   The level shift circuit 101 configured as described above has a 6Tr + 3Tr = 9Tr configuration. Further, the PM 103 and the PM 104 generally have a large L dimension (gate length) and operate as resistors. IN / INB is a low amplitude input signal, TEST is a high amplitude input signal, OUT / OUTB is a high amplitude output signal, VCC is a high voltage power supply, and VSS is a ground.

前記レベル変換回路101は、信号の電圧レベルをINの電圧レベルからVCCの電圧レベルに変換する。TESTがロー(通常動作)の時、INがハイでINBがローの場合には、前記PM101、前記PM103、前記NM102、及び前記NM111がオフ、前記PM102、前記PM104、前記PM111、前記PM112、及び前記NM101がオンとなり、OUTがVCC(V)でOUTBがVSS(V)となる。一方、INがローでINBがハイの場合には、前記PM102、前記PM104、前記NM101、及び前記NM111がオフ、前記PM101、前記PM103、前記PM111、前記PM112、及び前記NM102がオンとなり、OUTがVSS(V)でOUTBがVCC(V)となる。前記PM101及び前記PM102は、L寸法が大きいPMOSであり、抵抗として機能する。そのため、反転時に流れる貫通電流を緩和することができる。   The level conversion circuit 101 converts the voltage level of the signal from the IN voltage level to the VCC voltage level. When TEST is low (normal operation), when IN is high and INB is low, PM101, PM103, NM102, and NM111 are off, PM102, PM104, PM111, PM112, and The NM101 is turned on, OUT becomes VCC (V), and OUTB becomes VSS (V). On the other hand, when IN is low and INB is high, PM102, PM104, NM101, and NM111 are off, PM101, PM103, PM111, PM112, and NM102 are on, and OUT is OUTB becomes VCC (V) at VSS (V). PM101 and PM102 are PMOSs having a large L dimension and function as resistors. Therefore, the through current that flows during inversion can be reduced.

TESTがハイの時には、前記PM111及び前記PM112がオフ、前記NM111がオンとなり、レベル変換回路の動作が停止し、前記出力端子OUTを接地電圧(VSS)に固定することができる。下記表1は、前記レベルシフト回路101における動作の真理値表を示す。

Figure 2011188063
When TEST is high, PM111 and PM112 are turned off and NM111 is turned on, the operation of the level conversion circuit is stopped, and the output terminal OUT can be fixed to the ground voltage (VSS). Table 1 below shows a truth table of operations in the level shift circuit 101.
Figure 2011188063

テスト時に出力をロー固定する前記NM111を、通常の6Tr構成に追加した場合、INがハイであれば、VCCから出力に電流が流れる。そして、この電流を遮断するためのスイッチの役割を果たす前記PM111及び前記PM112が必要である。また、TESTがハイの時、レベル変換回路の動作は停止するが、前記出力端子OUTにはロー固定するための前記NM111が付加されている反面、前記出力端子OUTBには同様のものがない。従って、6素子構成のレベルシフト回路に加えて3素子必要であり、合計9素子が必要となる。また、INがロー、且つINB/TESTがハイ時に前記出力端子OUTBが不定となるため、前記出力端子OUTBを後段の回路に使用している場合には、後段回路に貫通電流等が流れる等の不具合が生ずる可能性がある。   When the NM 111 that fixes the output low during the test is added to the normal 6Tr configuration, if IN is high, a current flows from VCC to the output. Then, the PM 111 and the PM 112 that function as a switch for cutting off the current are necessary. Further, when the TEST is high, the operation of the level conversion circuit is stopped. However, although the NM 111 for fixing the output to the output terminal OUT is added, the output terminal OUTB has nothing similar. Therefore, in addition to the 6-element level shift circuit, 3 elements are required, and a total of 9 elements are required. Further, since the output terminal OUTB becomes unstable when IN is low and INB / TEST is high, when the output terminal OUTB is used in a subsequent circuit, a through current or the like flows in the subsequent circuit. A malfunction may occur.

上記のような問題の解決を図る回路として、特許文献2が開示されている。図3は、特許文献2に係るレベルシフト回路201を示している。図2に示すレベルシフト回路101との差異は、前記PM111及び前記PM112を削除し、PM101及びPM102のゲートにTEST信号を入力する点、及び出力端子OUTBにロー固定するためのNMOSであるNM212が付加されている点である。また、NM111及び前記NM212のゲートにもTEST信号を入力する。前記レベルシフト回路201においては、INがロー、且つINB/TESTがハイの時に、出力端子OUT/OUTBをロー固定とするために2素子が必要となる。   Patent Document 2 is disclosed as a circuit for solving the above problems. FIG. 3 shows a level shift circuit 201 according to Patent Document 2. The difference from the level shift circuit 101 shown in FIG. 2 is that the PM 111 and the PM 112 are deleted, the TEST signal is input to the gates of the PM 101 and PM 102, and the NMOS NM212 for fixing the output terminal OUTB to a low level. This is an added point. A TEST signal is also input to the gates of the NM 111 and the NM 212. In the level shift circuit 201, when IN is low and INB / TEST is high, two elements are required to fix the output terminal OUT / OUTB to low.

特開2008−096473号公報JP 2008-096473 A 特開2009−260817号公報JP 2009-260817 A

上記のように、図2に示すレベルシフト回路101においては、6素子構成のレベルシフト回路に加えて3素子必要であると共に、INがロー、且つINB/TESTがハイ時に前記出力端子OUTBが不定となる不具合がある。また、図3に示すレベルシフト回路201においては、6素子構成のレベルシフト回路に加えて2素子が必要となる。   As described above, the level shift circuit 101 shown in FIG. 2 requires three elements in addition to the six-element level shift circuit, and the output terminal OUTB is undefined when IN is low and INB / TEST is high. There is a bug that becomes. In addition, the level shift circuit 201 shown in FIG. 3 requires two elements in addition to the six-element level shift circuit.

本発明の一態様は、ゲートに入力信号が入力され、ソースが第1の電源に接続する第1のトランジスタと、ゲートに前記入力信号が反転された信号が入力され、ソースが前記第1の電源に接続する第2のトランジスタと、前記第1のトランジスタのドレインが接続する第1の出力端子と、前記第2のトランジスタのドレインが接続する第2の出力端子と、ゲートが前記第2のトランジスタのドレイン及び前記第2の出力端子と接続し、ソースが第2の電源と接続する第3のトランジスタと、ゲートが前記第1のトランジスタのドレイン及び前記第1の出力端子と接続し、ソースが前記第2の電源と接続する第4のトランジスタと、前記第2の電源、前記第3のトランジスタ、及び前記第1の出力端子と直列に接続する第1のスイッチと、前記第2の電源、前記第4のトランジスタ、及び前記第2の出力端子と直列に接続し、前記第1のスイッチと同一の通電状態となる第2のスイッチと、前記第1の出力端子及び前記第2の出力端子の間に接続され、前記第1のスイッチ及び前記第2のスイッチに対して排他的な通電状態となる第3のスイッチとを備えるレベルシフト回路である。   In one embodiment of the present invention, an input signal is input to a gate, a source has a source connected to a first power supply, a signal in which the input signal is inverted is input to a gate, and a source is the first transistor A second transistor connected to a power source; a first output terminal connected to a drain of the first transistor; a second output terminal connected to a drain of the second transistor; and a gate serving as the second transistor A third transistor connected to the drain of the transistor and the second output terminal, a source connected to the second power supply, a gate connected to the drain of the first transistor and the first output terminal, and a source A fourth transistor connected to the second power source, a first switch connected in series to the second power source, the third transistor, and the first output terminal; A second switch connected in series with the second power source, the fourth transistor, and the second output terminal, and in the same energization state as the first switch, the first output terminal, and the second output terminal. A level shift circuit including a third switch connected between two output terminals and in an exclusive energized state with respect to the first switch and the second switch.

上記態様によれば、前記第1のトランジスタ又は前記第2のトランジスタのどちらかがオン、即ち第1又は第2の出力端子のどちらかが第1の電源電圧(例えば接地)となる時、前記第3のスイッチがオンとなる時に、前記第1のスイッチと前記第2のスイッチとがオフとなることにより、前記第1及び第2の出力端子の両方を前記第1の電源電位に固定することができる。   According to the above aspect, when either the first transistor or the second transistor is on, that is, when either the first or second output terminal is at the first power supply voltage (for example, ground), When the third switch is turned on, both the first and second output terminals are fixed to the first power supply potential by turning off the first switch and the second switch. be able to.

本発明によれば、十分な機能を有するレベルシフト回路を従来よりも少ない素子数で構成することが可能となる。   According to the present invention, it is possible to configure a level shift circuit having a sufficient function with a smaller number of elements than in the prior art.

本発明の実施の形態に係るレベルシフト回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the level shift circuit which concerns on embodiment of this invention. 先行技術に係るレベルシフト回路の第1の構成例を示す図である。It is a figure which shows the 1st structural example of the level shift circuit which concerns on a prior art. 先行技術に係るレベルシフト回路の第2の構成例を示す図である。It is a figure which shows the 2nd structural example of the level shift circuit which concerns on a prior art.

実施の形態1
図1は、本発明の実施の形態に係るレベルシフト回路1の構成を示している。このレベルシフト回路1は、VCCの電源電圧とVSSの接地電圧との間に、PMOSであるPM1、PM3と、NMOSであるNM1とがシリーズに接続されると共に、PMOSであるPM2、PM4と、NMOSであるNM2とがシリーズに接続されている。前記NM1のゲートにINの電圧レベルの信号が入力されると共に前記NM2にINの電圧レベルの信号の反転信号INBが入力され、前記PM1のゲート及び前記PM2のゲートにTEST信号が入力される。また、前記PM4のゲートと前記NM1のドレインとが接続されると共に、前記PM3のゲートと前記NM2のドレインとが接続され、前記NM2のドレインが出力端子OUTとなり、前記NM1のドレインが出力端子OUTBとなる。
Embodiment 1
FIG. 1 shows a configuration of a level shift circuit 1 according to an embodiment of the present invention. In the level shift circuit 1, between the power supply voltage of VCC and the ground voltage of VSS, PM1 and PM3 that are PMOS and NM1 that is NMOS are connected in series, and PM2 and PM4 that are PMOS, An NMOS transistor NM2 is connected in series. An IN voltage level signal is input to the NM1 gate, an inverted signal INB of the IN voltage level is input to the NM2, and a TEST signal is input to the PM1 gate and the PM2 gate. The gate of PM4 and the drain of NM1 are connected, the gate of PM3 and the drain of NM2 are connected, the drain of NM2 serves as an output terminal OUT, and the drain of NM1 serves as an output terminal OUTB. It becomes.

そして、本実施の形態に係るレベルシフト回路1においては、前記出力端子OUT,OUTBの間に、スイッチとして機能するNMOSであるNM10が設けられている。前記NM10のゲートには、TEST信号が入力される。   In the level shift circuit 1 according to the present embodiment, an NM10 that is an NMOS functioning as a switch is provided between the output terminals OUT and OUTB. A TEST signal is input to the gate of the NM10.

前記レベルシフト回路1と、図3に示す先行技術に係るレベルシフト回路201との差異は、前記レベルシフト回路201における前記NM211及び前記NM212を削除し、前記NM10を付加している点である。   The difference between the level shift circuit 1 and the level shift circuit 201 according to the prior art shown in FIG. 3 is that the NM 211 and the NM 212 in the level shift circuit 201 are deleted and the NM 10 is added.

以下に、前記レベルシフト回路1の動作を説明する。TESTがロー(通常動作)の時、INがハイでINBがローの場合には、前記PM3、前記NM2、及び前記NM10がオフ、前記PM1、前記PM2、前記PM4、及び前記NM1がオンとなり、OUT=VCC/OUTB=VSSとなる。一方、INがローでINBがハイの場合には、前記PM4、前記NM1、及び前記NM10がオフ、前記PM1、前記PM2、前記PM3、及び前記NM2がオンとなり、OUT=VSS/OUTB=VCCとなる。前記PM1及び前記PM2は、L寸法が大きいPMOSであり、抵抗として機能するため、反転時に流れる貫通電流を緩和することができる。   The operation of the level shift circuit 1 will be described below. When TEST is low (normal operation), if IN is high and INB is low, PM3, NM2, and NM10 are off, PM1, PM2, PM4, and NM1 are on, OUT = VCC / OUTB = VSS. On the other hand, when IN is low and INB is high, PM4, NM1, and NM10 are turned off, PM1, PM2, PM3, and NM2 are turned on, and OUT = VSS / OUTB = VCC. Become. The PM1 and PM2 are PMOSs having a large L dimension and function as resistors, so that the through current that flows during inversion can be reduced.

TESTがハイの時は、前記PM1及び前記PM2がオフ、前記NM10がオンとなり、レベル変換回路の動作が停止し、前記出力端子OUT/OUTBを、接地電圧(VSS)に固定することができる。下記表2は、上記シフトレベル回路1における動作の真理値表である。

Figure 2011188063
When TEST is high, PM1 and PM2 are turned off and NM10 is turned on, the operation of the level conversion circuit is stopped, and the output terminal OUT / OUTB can be fixed to the ground voltage (VSS). Table 2 below is a truth table of operations in the shift level circuit 1.
Figure 2011188063

上記のように、前記レベルシフト回路1においては、TESTがハイの時に、前記PM1及び前記PM2がオフ、前記PM1及び前記PM2がオフ、前記NM1及び前記NM2のどちらかがオン、即ち前記出力端子OUT/OUTBのどちらかがVSSとなり、更に前記NM10がオンとなる。これにより、前記NM10のゲートに入力されるTEST信号がハイになった時、前記出力端子OUT,OUTB両方がVSSに固定される。これにより、従来回路と同等の機能をより少ない素子数(7素子)で実現することができる。   As described above, in the level shift circuit 1, when TEST is high, the PM1 and the PM2 are off, the PM1 and the PM2 are off, and either the NM1 or the NM2 is on, that is, the output terminal Either OUT / OUTB becomes VSS, and the NM10 turns on. Thus, when the TEST signal input to the gate of the NM10 becomes high, both the output terminals OUT and OUTB are fixed to VSS. Thereby, a function equivalent to the conventional circuit can be realized with a smaller number of elements (7 elements).

尚、本発明は、上記実施の形態に限られるものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能なものである。例えば、上記実施の形態においては、前記PM1及び前記PM2が、前記PM3及び前記PM4と、前記出力端子OUTB,OUTとの間に設けられているが、前記PM1及び前記PM2は、前記VCCと、前記PM3及び前記PM4との間に設けられてもよい。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above embodiment, the PM1 and the PM2 are provided between the PM3 and the PM4 and the output terminals OUTB and OUT. However, the PM1 and the PM2 are the VCC, It may be provided between the PM3 and the PM4.

1 レベルシフト回路
PM1 PMOS(第1のスイッチ)
PM2 PMOS(第2のスイッチ)
PM3 PMOS(第3のトランジスタ)
PM4 PMOS(第4のトランジスタ)
NM1 NMOS(第1のトランジスタ)
NM2 NMOS(第2のトランジスタ)
NM10 NMOS(第3のトランジスタ)
1 Level shift circuit PM1 PMOS (first switch)
PM2 PMOS (second switch)
PM3 PMOS (third transistor)
PM4 PMOS (fourth transistor)
NM1 NMOS (first transistor)
NM2 NMOS (second transistor)
NM10 NMOS (third transistor)

Claims (5)

ゲートに入力信号が入力され、ソースが第1の電源に接続する第1のトランジスタと、
ゲートに前記入力信号が反転された信号が入力され、ソースが前記第1の電源に接続する第2のトランジスタと、
前記第1のトランジスタのドレインが接続する第1の出力端子と、
前記第2のトランジスタのドレインが接続する第2の出力端子と、
ゲートが前記第2のトランジスタのドレイン及び前記第2の出力端子と接続し、ソースが第2の電源と接続する第3のトランジスタと、
ゲートが前記第1のトランジスタのドレイン及び前記第1の出力端子と接続し、ソースが前記第2の電源と接続する第4のトランジスタと、
前記第2の電源、前記第3のトランジスタ、及び前記第1の出力端子と直列に接続する第1のスイッチと、
前記第2の電源、前記第4のトランジスタ、及び前記第2の出力端子と直列に接続し、前記第1のスイッチと同一の通電状態となる第2のスイッチと、
前記第1の出力端子及び前記第2の出力端子の間に接続され、前記第1のスイッチ及び前記第2のスイッチに対して排他的な通電状態となる第3のスイッチと、
を備えるレベルシフト回路。
A first transistor having an input signal input to a gate and a source connected to a first power source;
A second transistor in which a signal obtained by inverting the input signal is input to a gate and a source is connected to the first power supply;
A first output terminal to which a drain of the first transistor is connected;
A second output terminal to which a drain of the second transistor is connected;
A third transistor having a gate connected to the drain of the second transistor and the second output terminal, and a source connected to a second power source;
A fourth transistor having a gate connected to the drain of the first transistor and the first output terminal, and a source connected to the second power supply;
A first switch connected in series with the second power source, the third transistor, and the first output terminal;
A second switch connected in series with the second power source, the fourth transistor, and the second output terminal, and in the same energized state as the first switch;
A third switch connected between the first output terminal and the second output terminal, wherein the third switch is in an energized state exclusive to the first switch and the second switch;
A level shift circuit comprising:
前記第1のスイッチ、前記第2のスイッチ、及び前記第3のスイッチは、同一の制御信号により制御される、
請求項1に記載のレベルシフト回路。
The first switch, the second switch, and the third switch are controlled by the same control signal.
The level shift circuit according to claim 1.
前記第1のスイッチは、前記第3のトランジスタと前記第1の出力端子との間に接続され、
前記第2のスイッチは、前記第4のトランジスタと前記第2の出力端子との間に接続される、
請求項1又は2に記載のレベルシフト回路。
The first switch is connected between the third transistor and the first output terminal;
The second switch is connected between the fourth transistor and the second output terminal.
The level shift circuit according to claim 1 or 2.
前記入力信号と、前記第1〜第3のスイッチを制御する信号とが異なる、
請求項1〜3のいずれか1つに記載のレベルシフト回路。
The input signal is different from the signal for controlling the first to third switches.
The level shift circuit as described in any one of Claims 1-3.
停止状態において、前記第1のトランジスタ又は前記第2のトランジスタの一方のみが通電状態となる、
請求項1〜4のいずれか1つに記載のレベルシフト回路。
In the stop state, only one of the first transistor or the second transistor is energized.
The level shift circuit as described in any one of Claims 1-4.
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