JP2011186635A - メモリシステム - Google Patents
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Abstract
【課題】増設メモリを含むメモリシステムの、アドレス信号、及び、コマンド信号の波形品質を保つメモリシステムを提供すること。
【解決手段】直列に配置されるメモリコントローラと第1のメモリとメモリ用ソケットとの間に設けられる信号切替スイッチと、前記信号切替スイッチから分岐する終端抵抗と、
前記メモリ用ソケットに第2のメモリが挿入されない場合に、前記第1のメモリから前記メモリコントローラとは異なる方向への接続を、前記終端抵抗に接続する、前記信号切替スイッチの切替を行う、接続切替手段と、を有するメモリシステム。
【選択図】図2
【解決手段】直列に配置されるメモリコントローラと第1のメモリとメモリ用ソケットとの間に設けられる信号切替スイッチと、前記信号切替スイッチから分岐する終端抵抗と、
前記メモリ用ソケットに第2のメモリが挿入されない場合に、前記第1のメモリから前記メモリコントローラとは異なる方向への接続を、前記終端抵抗に接続する、前記信号切替スイッチの切替を行う、接続切替手段と、を有するメモリシステム。
【選択図】図2
Description
本発明は、メモリシステムに関する。
従来から、メモリシステムにおける主要デバイスであるDDRメモリにおいて、高速な信号を扱う際にも波形品質を保つための技術がある。特に、データ信号は、制御信号に比べて、高速で動作するため、波形品質を保つ仕組みとしてODT(On Die Termination)が、DDR2規格等に組み込まれている。
また、データ信号よりも動作速度が遅い制御信号の波形品質を保つために、例えば、特許第4173970号公報(特許文献1)には、アドレス信号、及び、コマンド信号をモジュール別に個別に分配することにより、分岐を無くし、波形の歪みを小さくするメモリシステム等の発明が開示されている。
また、例えば、DDR3規格に、Fly−By Topology技術が含まれている。なお、Topologyとは、接続形態の模式を表し、例えば、DRAMとメモリコントローラとの接続を示す際に用いられる。
Fly−By Topologyでは、複数のメモリの、アドレス信号、コマンド信号、及び、クロック信号の接続を、T−Branch接続ではなく、一筆書きの接続にする。これにより、波形品質にとって大きな影響のある反射を取り除いて、よい波形品質にする。
しかしながら、上記特許文献1に開示のメモリシステム等の発明では、メモリを増設する際の、アドレス信号、及び、コマンド信号の波形品質を保つことについては、考慮されていない。
本発明は、上記の点に鑑みて、これらの問題を解消するために発明されたものであり、増設メモリを含むメモリシステムの、アドレス信号、及び、コマンド信号の波形品質を保つメモリシステムを提供することを目的としている。
上記目的を達成するために、本発明のメモリシステムは次の如き構成を採用した。メモリコントローラに接続される第1のメモリと、前記第1のメモリと信号切替スイッチを挟んで接続されるメモリ用ソケットと、前記信号切替スイッチから分岐する終端抵抗と、前記メモリ用ソケットに第2のメモリが挿入されない場合に、前記第1のメモリから前記メモリコントローラとは異なる方向への接続を、前記終端抵抗に接続する、前記信号切替スイッチの切替を行う、接続切替手段と、を有する構成とすることができる。
これにより、増設メモリを含むメモリシステムの、アドレス信号、及び、コマンド信号の波形品質を保つメモリシステムを提供することができる。
上記目的を達成するために、本発明のメモリシステムは、また、次の如き構成を採用した。メモリコントローラからの接続が、一以上のバス接続に分岐するメモリシステムであって、前記バス接続は、直列に配置される、バスの接続を制御するバス接続スイッチと、第1のメモリとを有し、前記バス接続毎に、該バス接続が有する第1のメモリに対する、前記メモリコントローラからのアクセスがある場合に、前記バス接続スイッチにより該バスの接続を有効にする切替を行う、バス接続手段を有する構成とすることができる。
上記目的を達成するために、本発明のメモリシステムは、また、次の如き構成を採用した。メモリコントローラからの接続が、一以上のバス接続に分岐するメモリシステムであって、前記バス接続は、直列に配置される、バスの接続を制御するバス接続スイッチと、第1のメモリとを有し、前記バス接続のうちの何れか一のバス接続への接続を有効にするバス切替スイッチにより、前記メモリコントローラと前記バス接続との接続を制御するバス切替手段を有する構成とすることができる。
本発明のメモリシステムによれば、増設メモリを含むメモリシステムの、アドレス信号、及び、コマンド信号の波形品質を保つメモリシステムを提供することが可能になる。
以下の説明において、アドレス信号及びコマンド信号を「AD/CMD系信号」という。また、制御信号とは、アドレス信号、コマンド信号、及び、クロック信号のうちの一以上の信号である。
本実施の形態の説明に先んじて、従来技術について、説明する。DDR3対応のDIMM規格は、全て、アドレス信号、及び、コマンド信号に関して、Fly−By Topologyでの接続で、各DRAMを、ほぼ一筆書きで結線し、全てのDRAMを結線した最後に終端抵抗を設ける。
すなわち、DDR3対応のDIMM規格は、1つのメモリバスが、DIMM用ソケットに接続されており、そこにDIMMを挿すことで、AD/CMD系信号は、一筆書きの接続になり、最後に終端抵抗となる。
図1は、1バスに2つのDRAMモジュールが接続される場合の構成例を示す図である。DRAMは、PCや組み込み系の製品の出荷時から全て実装されているものの他に、拡張DIMMスロットを有する構成が多い。
図1(a)は、1バス−2DIMM規格の構成を示す図である。図1(a)の構成では、出荷時に片方のDIMMを挿入して出荷し、後にもう一方のスロットを用いることにより、より大容量のメモリとして活用することができる。
図1(b)は、1バス−Resident+DIMM構成を示す図である。図1(b)の構成では、標準で備えるDRAMモジュール(Residentメモリ)として、DIMM形式ではなく、基板にそのまま実装するメモリ、すなわち、On Borad メモリを用い、拡張メモリのみ、DIMM用スロットが備えられている。
JEDECで規定されているDIMMを使用する場合には、Fly−By TopologyによりDIMMが接続される。したがって、1バス−2DIMM接続では、図1(a)に示す接続により、1つのバス上に2つの終端抵抗ができる。これにより、波形のEYEが狭まる傾向があり、波形品質が低下する。標準メモリとして、On Boradメモリを備える場合でも、図1(b)に示す接続により、波形品質が低下することがある。
以下、本実施の形態を図面に基づき説明する。
〔本実施の形態〕
図2は、本実施形態に係るDRAMモジュールのAD/CMD信号の接続の構成を示す図である。図2の構成は、On Boradメモリ1、DIMM接続のDIMMメモリ2、メモリコントローラ9、信号切替スイッチS1、終端抵抗R1、及び、終端抵抗R2を有する。図2の標準メモリは、On Boradメモリ1、拡張メモリは、DIMMメモリ2である。
図2は、本実施形態に係るDRAMモジュールのAD/CMD信号の接続の構成を示す図である。図2の構成は、On Boradメモリ1、DIMM接続のDIMMメモリ2、メモリコントローラ9、信号切替スイッチS1、終端抵抗R1、及び、終端抵抗R2を有する。図2の標準メモリは、On Boradメモリ1、拡張メモリは、DIMMメモリ2である。
図2の構成は、On Boradメモリ1とDIMMメモリ2とのAD/CMD信号を一筆書きで接続している。さらに、On Boradメモリ1とDIMMメモリ2との間に、終端抵抗R1への接続とDIMMメモリ側のAD/CMD系信号への接続とを切り替えることができるスイッチ(以下、「信号切替スイッチ」という。)を設ける。
信号切替スイッチS1は、例えば、Busスイッチ等である。信号切替スイッチS1は、DIMMメモリ2の着脱に対応して、スイッチの切り替えを行う。例えば、BusスイッチのDIR信号にディップスイッチを接続し、操作者が、ディップスイッチのON/OFFを行うことにより、信号切替スイッチの切替を行う。
より詳細には、On Boardメモリ1のみが接続されている場合には、信号切替スイッチを終端抵抗への接続とする。これにより、波形品質を保つ。DIMMメモリ2を拡張する際に、操作者がディップスイッチにより、信号切替スイッチS1を切り替え、終端抵抗R1から、DIMMメモリ2への接続と切り替えることができる。
また、DIMMメモリ2の着脱により変化する信号を用い、BusスイッチのDIRECTION/OE/SELECT信号等を切り替えることにより、信号切替スイッチS1の制御を行ってもよい。これにより、操作者による切り替え忘れを防止し、切り替えを容易にすることができる。
図2の接続の構成では、拡張時に1バスに2つのDRAMモジュールを接続し、AD/CMD信号の最後に終端抵抗R2を設けることにより、波形品質を保つことができる。
図3は、本実施形態に係るDRAMモジュールのAD/CMD信号の接続の構成を示す図である。図3の構成は、On Boradメモリ1、DIMM接続のDIMMメモリ2、メモリコントローラ9、終端抵抗切替スイッチS3、終端抵抗R3、及び、終端抵抗R4を有する。図3の標準メモリは、On Boardメモリ1、拡張メモリは、DIMMメモリ2である。
図3の例は、On Boardメモリ1とDIMMメモリ2との間に終端抵抗R3への分岐を切り替えるスイッチが設けられている。例えば、On Boardメモリ1とDIMMメモリ2との間に、終端抵抗R3の値を切り替える終端抵抗切替スイッチS3を設ける。
例えば、On Boradメモリ1とDIMMメモリ2とが、レイアウト上、大きく離れて配置されている場合、又は、インピーダンスに関して事前検証することにより、On Boardメモリ1とDIMMメモリ2との間に、終端抵抗が必要な場合には、負荷が変わるため、終端抵抗R3の値が変わる。
そこで、図3のメモリシステムでは、負荷によってOn Boardメモリ1とDIMMメモリ2との間の終端抵抗R3の値を切り替えるためのスイッチを用いるとよい。このスイッチを、終端抵抗切替スイッチS3という。例えば、事前検証の結果、On Boardメモリ1とDIMMメモリ2との間に終端抵抗が必要な場合に、最適な負荷となる終端抵抗R3の値を選択することができる。
なお、終端抵抗切替スイッチS3は、図2の信号切替スイッチと同様に、操作者によるディップスイッチの操作、又は、DIMMの着脱により変化する信号を用いる切り替え等により、切り替えられるとよい。
図4は、本実施形態に係るDRAMモジュールのAD/CMD信号の接続の構成を示す図である。図4の構成は、DIMM接続のDIMMメモリ5、DIMMメモリ6、バスON/OFFスイッチS5、バスON/OFFスイッチS6、メモリコントローラ9、終端抵抗R5、及び、終端抵抗R6を有する。図4の標準メモリは、DIMMメモリ5、拡張メモリは、DIMMメモリ6である。
図4の接続の構成は、メモリコントローラの近傍で、それぞれのDRAMモジュールへのAD/CMD信号が分岐した直後に、バスをON/OFFするスイッチを、バス毎に設ける。このスイッチを、バスON/OFFスイッチという。一方のバスには、バスON/OFFスイッチS5、他方のバスには、バスON/OFFスイッチS6が設けられる。
標準メモリ用のDRAMモジュールのみのメモリ構成の場合には、拡張メモリ用のバスのバスON/OFFスイッチS6は、常にOFF、標準メモリ用のバスのバスON/OFFスイッチS5は、常にONにする。これにより、Fly−By Topologyによる接続の一筆書きで、最後に終端抵抗R5を設ける構成が完成するため、波形品質を保つことができる。
拡張メモリのDIMMメモリ6が挿入された場合には、標準メモリ、拡張メモリのそれぞれにアクセスする際に、アクセスする側のDRAMモジュールに接続するバス上の、バスON/OFFスイッチのみをONにする。これにより、常に一つのバスだけが、Fly−By Topology接続による一筆書きとなり、最後に、終端抵抗が設けられる構成を実現することができ、波形品質を保つことができる。
なお、バスON/OFFスイッチS5又はS6を制御するために、どのバスにアクセスが行われるかを示す制御信号を用いるとよい。ここで用いる制御信号は、例えば、CS信号である。これにより、メモリコントローラが1つのメモリバスしか持っていない場合であっても、複数個のDRAMモジュールを接続して、波形品質を保つことができる。
図5は、本実施形態に係るDRAMモジュールのAD/CMD信号の接続の構成を示す図である。図5の構成は、DIMM接続のDIMMメモリ7、DIMMメモリ8、バス切替スイッチS7、メモリコントローラ9、信号切替スイッチS1、終端抵抗R7、及び、終端抵抗R8を有する。図5の標準メモリは、DIMM接続のDIMMメモリ7、拡張メモリは、DIMMメモリ8である。
図5の接続の構成は、メモリコントローラの近傍のバスが分岐する位置に、それぞれのDRAMモジュールへのAD/CMD信号へのバスを切り替えるバス切替スイッチS7を設ける。
図4のバスON/OFFスイッチを用いる構成では、スイッチの数が増大し、必要なレイアウト面積の増大、コストの増大が発生する。また、スイッチが増えることにより、レイアウトの制約が増えるため、メモリコントローラからスイッチまでの配線長が長くなると、その箇所が大きなスタブとなり、信号の反射が発生し、波形品質に悪い影響を及ぼす。
そこで、分岐が多い場合には、図5の構成により、バスON/OFFスイッチを用いる構成よりも、必要となるスイッチの数が少なく、必要なレイアウト面積の増大やコストの増加を防ぐことができる。
図6は、本実施形態に係るDRAMモジュールのAD/CMD信号の接続の構成を示す図である。図6の構成は、On Boradメモリ13、DIMM接続のDIMMメモリ10、On Boradメモリ11、DIMMメモリ12、バスON/OFFスイッチS9、バスON/OFFスイッチS11、メモリコントローラ9、終端抵抗R9、終端抵抗R10、終端抵抗R11、及び、終端抵抗R12を有する。図6の標準メモリはOn Boardメモリ、拡張メモリは、DIMM接続のメモリである。
図6の接続の構成は、1のバス毎に、バスON/OFFスイッチ、On Boardメモリ、終端抵抗、及び、DIMM接続のソケットを有する。
終端抵抗R9及び終端抵抗R11は、それぞれ、On Boradメモリと拡張メモリとの間に設けられる。これらの終端抵抗への接続と、拡張メモリへの接続とは、信号切替スイッチにより、切り替えられる。信号切替スイッチの動作は、図2と同様であるので、ここでは説明を省略する。
バス切替スイッチは、バスの数があまりに多い場合には、メモリコントローラ近傍に配置するレイアウトの実現が難しいことがある。そこで、図6の構成により、バス毎に、バスON/OFFスイッチを設け、標準メモリと、DIMMメモリとの間に、終端抵抗を設けることにより、バス切替スイッチを用いるよりも、レイアウトが容易になる。
図6の構成により、メモリを大容量化し、かつ、波形品質を保つことができる。
以上、発明を実施するための最良の形態について説明を行ったが、本発明は、この最良の形態で述べた実施の形態に限定されるものではない。本発明の主旨をそこなわない範囲で変更することが可能である。
以上のように、本発明にかかるメモリシステムは、制御信号の波形品質を保つことに有用であり、特に、DDRメモリに適している。
1、9、11 On Boardメモリ
2、7、8、10、12 DIMMメモリ
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12 終端抵抗
S1 信号切替スイッチ
S3 終端抵抗切替スイッチ
S5、S6、S9、S11 バスON/OFFスイッチ
S7 バス切替スイッチ
2、7、8、10、12 DIMMメモリ
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12 終端抵抗
S1 信号切替スイッチ
S3 終端抵抗切替スイッチ
S5、S6、S9、S11 バスON/OFFスイッチ
S7 バス切替スイッチ
Claims (5)
- メモリコントローラに接続される第1のメモリと、
前記第1のメモリと信号切替スイッチを挟んで接続されるメモリ用ソケットと、
前記信号切替スイッチから分岐する終端抵抗と、
前記メモリ用ソケットに第2のメモリが挿入されない場合に、前記第1のメモリから前記メモリコントローラとは異なる方向への接続を、前記終端抵抗に接続する、前記信号切替スイッチの切替を行う、接続切替手段と、
を有することを特徴とするメモリシステム。 - 前記接続切替手段は、さらに、前記終端抵抗が、異なる複数の抵抗値を有する場合に、前記第1のメモリ及び前記第2のメモリの負荷特性に基づく前記抵抗値の選択を行う前記信号切替スイッチの制御を行うことを特徴とする請求項1記載のメモリシステム。
- メモリコントローラからの接続が、一以上のバス接続に分岐するメモリシステムであって、
前記バス接続は、直列に配置される、バスの接続を制御するバス接続スイッチと、第1のメモリとを有し、
前記バス接続毎に、該バス接続が有する第1のメモリに対する、前記メモリコントローラからのアクセスがある場合に、前記バス接続スイッチにより該バスの接続を有効にする切替を行う、バス接続手段を有することを特徴とするメモリシステム。 - 前記バス接続は、さらに、前記第1のメモリに続いて接続される、信号切替スイッチ、メモリ用ソケット、及び、前記信号切替スイッチから分岐する終端抵抗を有し、
前記メモリ用ソケットに第2のメモリが挿入されない場合に、前記第1のメモリから前記メモリコントローラとは異なる方向への接続を、前記終端抵抗に接続する、前記信号切替スイッチの切替を行う、接続切替手段を有することを特徴とする請求項3記載のメモリシステム。 - メモリコントローラからの接続が、一以上のバス接続に分岐するメモリシステムであって、
前記バス接続は、直列に配置される、バスの接続を制御するバス接続スイッチと、第1のメモリとを有し、
前記バス接続のうちの何れか一のバス接続への接続を有効にするバス切替スイッチにより、前記メモリコントローラと前記バス接続との接続を制御するバス切替手段を有することを特徴とするメモリシステム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010049461A JP2011186635A (ja) | 2010-03-05 | 2010-03-05 | メモリシステム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2010049461A Pending JP2011186635A (ja) | 2010-03-05 | 2010-03-05 | メモリシステム |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013175095A (ja) * | 2012-02-27 | 2013-09-05 | Hitachi Ltd | 演算処理制御装置および信号処理装置 |
JP2015077850A (ja) * | 2013-10-16 | 2015-04-23 | 日本精機株式会社 | 車両用表示装置の回路基板 |
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- 2010-03-05 JP JP2010049461A patent/JP2011186635A/ja active Pending
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