JP2011175957A - Fuse device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve characteristics at the time of over-current while improving productivity of a fuse device. <P>SOLUTION: The fuse device includes a ceramic structure 1 and a conductor pattern 2 for a fuse element. The ceramic structure 1 includes a base part 11, a frame part 12 provided on the base part 11, and a cover part 13 provided on the frame part 12. The base part 11, the frame part 12, and the cover part 13 are formed integrally by calcination. The conductor pattern 2 for a fuse element is formed on the upper side of the base part 11 by calcination. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば、過電流から電気回路を保護するヒューズ装置に関するものである。   The present invention relates to a fuse device for protecting an electric circuit from an overcurrent, for example.

ヒューズ装置は、例えば、定格以上の電流から電気回路などを保護するものであり、定格以上の電流が流れるとその電流によって発生されたジュール熱により溶融および切断されるヒューズ素子を有している。   The fuse device, for example, protects an electric circuit or the like from a current exceeding the rating, and has a fuse element that is melted and cut by Joule heat generated by the current exceeding the rating.

特開２００１−１５０００号公報JP 2001-15000 A

ヒューズ装置においては、生産性を向上させつつ過電流時における特性に関して改善される必要がある。   In the fuse device, it is necessary to improve the characteristics at the time of overcurrent while improving the productivity.

本発明の一つの態様によれば、ヒューズ装置は、セラミック構造体と、ヒューズ素子用導体パターンとを含んでいる。セラミック構造体は、ベース部と、ベース部の上に設けられたフレーム部と、フレーム部の上に設けられたカバー部とを含んでいる。ベース部とフレーム部とカバー部とは、焼成によって一体的に形成されている。ヒューズ素子用導体パターンは、ベース部の上面に焼成によって形成されている。   According to one aspect of the present invention, a fuse device includes a ceramic structure and a fuse element conductor pattern. The ceramic structure includes a base portion, a frame portion provided on the base portion, and a cover portion provided on the frame portion. The base part, the frame part, and the cover part are integrally formed by firing. The fuse element conductor pattern is formed on the upper surface of the base portion by firing.

本発明の一つの態様によれば、ヒューズ装置は、焼成によって一体的に形成されたセラミック構造体と、セラミック構造体のベース部の上面に焼成によって形成されたヒューズ素子用導体パターンとを含んでいることにより、生産性に関して向上されつつ過電流時における特性に関して改善されている。   According to one aspect of the present invention, a fuse device includes a ceramic structure integrally formed by firing, and a conductor pattern for a fuse element formed by firing on the upper surface of the base portion of the ceramic structure. As a result, the productivity at the time of overcurrent is improved while the productivity is improved.

本発明の第１の実施形態におけるヒューズ装置の透視斜視図を示している。1 shows a perspective view of a fuse device according to a first embodiment of the present invention. 図１に示されたヒューズ装置の分解斜視図を示している。FIG. 2 shows an exploded perspective view of the fuse device shown in FIG. 1. 図１に示されたヒューズ装置の縦断面図を示している。FIG. 2 shows a longitudinal sectional view of the fuse device shown in FIG. 1. 本発明の第２の実施形態におけるヒューズ装置の縦断面図を示している。The longitudinal cross-sectional view of the fuse apparatus in the 2nd Embodiment of this invention is shown. 本発明の第３の実施形態におけるヒューズ装置の分解斜視図を示している。The disassembled perspective view of the fuse apparatus in the 3rd Embodiment of this invention is shown. 本発明の第４の実施形態におけるヒューズ装置の分解斜視図を示している。The disassembled perspective view of the fuse apparatus in the 4th Embodiment of this invention is shown. 図６に示されたヒューズ装置を説明する図である。It is a figure explaining the fuse apparatus shown by FIG. 本発明の第５の実施形態におけるヒューズ装置の分解斜視図を示している。The disassembled perspective view of the fuse apparatus in the 5th Embodiment of this invention is shown. 図８に示されたヒューズ装置を説明する図である。It is a figure explaining the fuse apparatus shown by FIG. 本発明の第６の実施形態におけるヒューズ装置の透視斜視図を示している。FIG. 10 is a perspective view of a fuse device according to a sixth embodiment of the present invention. 本発明の第７の実施形態におけるヒューズ装置の分解斜視図を示している。The disassembled perspective view of the fuse apparatus in the 7th Embodiment of this invention is shown. 本発明の第８の実施形態におけるヒューズ装置の縦断面図を示している。The longitudinal cross-sectional view of the fuse apparatus in the 8th Embodiment of this invention is shown. 本発明の第９の実施形態におけるヒューズ装置の縦断面図を示している。The longitudinal cross-sectional view of the fuse apparatus in the 9th Embodiment of this invention is shown. 本発明の第１−第９の実施形態におけるヒューズ装置の端子部分の第１の例を示す図である。It is a figure which shows the 1st example of the terminal part of the fuse apparatus in the 1st-9th embodiment of this invention. 図１４に示された端子部分の第２の例を示す図である。It is a figure which shows the 2nd example of the terminal part shown by FIG. 図１４に示された端子部分の第３の例を示す図である。It is a figure which shows the 3rd example of the terminal part shown by FIG. 図１４に示された端子部分の第４の例を示す図である。It is a figure which shows the 4th example of the terminal part shown by FIG. 図１４に示された端子部分の第５の例を示す図である。It is a figure which shows the 5th example of the terminal part shown by FIG. 図１４に示された端子部分の第６の例を示す図である。It is a figure which shows the 6th example of the terminal part shown by FIG. 本発明の第１−第９の実施形態におけるヒューズ装置のヒューズ素子用導体パターン２の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the conductor pattern 2 for fuse elements of the fuse apparatus in the 1st-9th embodiment of this invention.

以下、本発明のいくつかの例示的な実施形態について図面を参照して説明する。   Hereinafter, some exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態におけるヒューズ装置は、図１から図３までに示されているように、セラミック構造体１と、セラミック構造体１に設けられたヒューズ素子用導体パターン２と、端子３，４とを含んでいる。図１において、ヒューズ装置は、仮想のｘｙｚ空間におけるｘｙ平面に実装されている。図１において、上方向とは、仮想のｚ軸の正方向のことをいう。図１において、セラミック構造体１は、内部構造を示すことを目的に、部分的に透視された状態で示されている。図１において、内部構造が、破線によって示されている。 (First embodiment)
As shown in FIGS. 1 to 3, the fuse device according to the first embodiment of the present invention includes a ceramic structure 1, a fuse element conductor pattern 2 provided on the ceramic structure 1, and a terminal. 3 and 4 are included. In FIG. 1, the fuse device is mounted on an xy plane in a virtual xyz space. In FIG. 1, the upward direction means the positive direction of the virtual z axis. In FIG. 1, the ceramic structure 1 is shown in a partially transparent state for the purpose of showing the internal structure. In FIG. 1, the internal structure is indicated by broken lines.

セラミック構造体１は、ベース部１１と、ベース部１１の上に設けられたフレーム部１２と、フレーム部１２の上に設けられたカバー部１３とを含んでいるとともに、焼成によって一体的に形成されている。セラミック構造体１は、ベース部１１とカバー部１３との間でありフレーム部１２の内側に設けられた空洞部１６を有している。   The ceramic structure 1 includes a base part 11, a frame part 12 provided on the base part 11, and a cover part 13 provided on the frame part 12, and is integrally formed by firing. Has been. The ceramic structure 1 has a hollow portion 16 provided between the base portion 11 and the cover portion 13 and inside the frame portion 12.

ヒューズ素子用導体パターン２は、ベース部１１の上面に焼成によって形成されている。ヒューズ素子用導体パターン２は、例えば、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）またはマンガン（Ｍｎ）などの導電材料を含んでいる。   The fuse element conductor pattern 2 is formed on the upper surface of the base portion 11 by firing. The fuse element conductive pattern 2 includes a conductive material such as tungsten (W), molybdenum (Mo), copper (Cu), silver (Ag), or manganese (Mn).

端子３，４は、セラミック構造体１の下面に設けられているとともに、ヒューズ素子用導体パターン２に電気的に接続されている。端子３，４は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）またはマンガン（Ｍｎ）などの導電材料を含んでいるとともに、焼成によって形成されている。本実施形態におけるヒューズ装置は、表面実装型の装置である。   The terminals 3 and 4 are provided on the lower surface of the ceramic structure 1 and are electrically connected to the fuse element conductor pattern 2. The terminals 3 and 4 include a conductive material such as tungsten (W), molybdenum (Mo), copper (Cu), silver (Ag), or manganese (Mn), and are formed by firing. The fuse device in the present embodiment is a surface mount type device.

本実施形態のヒューズ装置において、ヒューズ素子用の導体パターン２が、焼成によって一体的に形成されたセラミック構造体１の内部に焼成によって形成されているため、本実施形態におけるヒューズ装置は、生産性に関して向上されている。   In the fuse device of the present embodiment, since the conductor pattern 2 for the fuse element is formed by firing inside the ceramic structure 1 integrally formed by firing, the fuse device in this embodiment has a high productivity. Has been improved.

本実施形態のヒューズ装置において、ヒューズ素子用導体パターン２が、セラミック構造体１によって構成されている空洞部１６に設けられていることにより、本実施形態におけるヒューズ装置は、ヒューズ素子用導体パターン２によって発生されたジュール熱の損失が低減されて、過電流状態における特性に関して向上されている。   In the fuse device according to the present embodiment, the fuse element conductor pattern 2 is provided in the cavity 16 formed of the ceramic structure 1, so that the fuse device according to the present embodiment includes the fuse element conductor pattern 2. The loss of Joule heat generated by is reduced and the characteristics in the overcurrent state are improved.

（第２の実施形態）
図４を参照して、本発明の第２の実施形態におけるヒューズ装置について説明する。第２の実施形態のヒューズ装置において第１の実施形態のヒューズ装置と異なる構成は、セラミック構造体１のベース部１１である。その他の構成は、第１の実施形態におけるヒューズ装置と同様である。 (Second Embodiment)
With reference to FIG. 4, the fuse apparatus in the 2nd Embodiment of this invention is demonstrated. In the fuse device of the second embodiment, a configuration different from the fuse device of the first embodiment is a base portion 11 of the ceramic structure 1. Other configurations are the same as those of the fuse device according to the first embodiment.

セラミック構造体１のベース部１１は、伝熱抑制手段を有している。本実施形態において、伝熱抑制手段は、ベース部１１の内部に設けられているとともにヒューズ素子用導体パターン２の直下に位置している空洞部１４である。空洞部１４は、減圧状態であることが好ましい。   The base portion 11 of the ceramic structure 1 has heat transfer suppression means. In the present embodiment, the heat transfer suppression means is a hollow portion 14 provided inside the base portion 11 and positioned immediately below the fuse element conductor pattern 2. The cavity 14 is preferably in a reduced pressure state.

本実施形態のヒューズ装置において、ベース部１１が空洞部１４を有していることにより、本実施形態におけるヒューズ装置は、ヒューズ素子用導体パターン２からセラミック構造体１の下面への熱伝導に関して低減されている。従って、本実施形態におけるヒューズ装置は、ヒューズ素子用導体パターン２によって発生されたジュール熱の損失に関して低減されており、過電流状態における特性に関して向上されている。   In the fuse device according to the present embodiment, since the base portion 11 has the cavity portion 14, the fuse device according to the present embodiment reduces the heat conduction from the fuse element conductor pattern 2 to the lower surface of the ceramic structure 1. Has been. Therefore, the fuse device in the present embodiment is reduced with respect to the loss of Joule heat generated by the fuse element conductor pattern 2, and is improved with respect to the characteristics in the overcurrent state.

（第３の実施形態）
図５を参照して、本発明の第３の実施形態におけるヒューズ装置について説明する。第３の実施形態のヒューズ装置において第１の実施形態のヒューズ装置と異なる構成は、セラミック構造体１におけるベース部１１の上面の構造である。その他の構成は、第１の実施形態におけるヒューズ装置と同様である。 (Third embodiment)
With reference to FIG. 5, a fuse device according to a third embodiment of the present invention will be described. The fuse device of the third embodiment is different from the fuse device of the first embodiment in the structure of the upper surface of the base portion 11 in the ceramic structure 1. Other configurations are the same as those of the fuse device according to the first embodiment.

セラミック構造体１のベース部１１は、伝熱抑制手段を有している。本実施形態において、伝熱抑制手段は、ベース部１１の上面に設けられているとともにヒューズ素子用導体パターン２の配置方向に形成された溝１５である。図５において、ヒューズ素子用導体パターン２の“配置方向”とは、仮想のｘ軸方向である。“配置方向に形成された”とは、図５において、仮想のｘ軸方向に延びるように形成されていることをいう。溝１５は、平面視において、ヒューズ素子３の配置領域を挟むように設けられている。   The base portion 11 of the ceramic structure 1 has heat transfer suppression means. In the present embodiment, the heat transfer suppressing means is a groove 15 provided in the upper surface of the base portion 11 and formed in the arrangement direction of the fuse element conductor pattern 2. In FIG. 5, the “arrangement direction” of the fuse element conductor pattern 2 is a virtual x-axis direction. “Formed in the arrangement direction” means that it is formed so as to extend in the virtual x-axis direction in FIG. The groove 15 is provided so as to sandwich the arrangement region of the fuse element 3 in plan view.

本実施形態のヒューズ装置において、ベース部１１が溝１５を有していることにより、本実施形態におけるヒューズ装置は、ヒューズ素子用導体パターン２によって発生されるジュール熱の伝導に関して低減されている。従って、本実施形態におけるヒューズ装置は、過電流状態における特性に関して向上されている。   In the fuse device of this embodiment, the base portion 11 has the groove 15, so that the fuse device of this embodiment is reduced in terms of conduction of Joule heat generated by the fuse element conductor pattern 2. Therefore, the fuse device in the present embodiment is improved with respect to the characteristics in the overcurrent state.

（第４の実施形態）
図６および７を参照して、本発明の第４の実施形態におけるヒューズ装置について説明する。第４の実施形態のヒューズ装置において第１の実施形態のヒューズ装置と異なる構成は、ヒューズ素子用導体パターン２の構成である。その他の構成は、第１の実施形態におけるヒューズ装置と同様である。 (Fourth embodiment)
A fuse device according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The fuse device of the fourth embodiment is different from the fuse device of the first embodiment in the configuration of the fuse element conductor pattern 2. Other configurations are the same as those of the fuse device according to the first embodiment.

ヒューズ素子用導体パターン２は、互いに並列接続された複数のサブパターン２１−２４を含んでいる。図７の上段に示されているように、ヒューズ装置の全体における定格電流が、例えば、５アンペア（Ａ）であるとする。複数のサブパターン２１−２４の各々が互いに同じ定格電流の場合、図７の下段に示されているように、複数のサブパターン２１−２４の各々は、１．２５Ａの定格電流を有している。   The fuse element conductor pattern 2 includes a plurality of sub-patterns 21-24 connected in parallel to each other. As shown in the upper part of FIG. 7, it is assumed that the rated current of the entire fuse device is, for example, 5 amperes (A). When each of the plurality of sub-patterns 21-24 has the same rated current, each of the plurality of sub-patterns 21-24 has a rated current of 1.25 A, as shown in the lower part of FIG. Yes.

一般的に、例えば製造ばらつき等を考慮すると、より定格電流の小さなヒューズ素子の方が溶断電流に対する感度が高い。本実施形態のヒューズ装置において、装置全体の定格電流が、互いに並列接続された複数のサブパターン２１−２４によって実現されていることにより、本実施形態におけるヒューズ装置は、過電流に対する感度に関して向上されている。   In general, taking into account manufacturing variations, for example, fuse elements with smaller rated currents are more sensitive to fusing currents. In the fuse device of this embodiment, the rated current of the entire device is realized by the plurality of sub-patterns 21-24 connected in parallel to each other, so that the fuse device of this embodiment is improved with respect to sensitivity to overcurrent. ing.

端子３から端子４に過電流が流れる場合、まず、複数のサブパターン２１−２４のいずれか一つが溶断される。ここでは、例えば、サブパターン２１が溶断されるとする。サブ
パターン２１が溶断されることにより、残りのサブパターン２２−２４の各々には、定格電流より遥かに大きな電流が流れることとなり、サブパターン２２−２４の各々は、短時間で溶断される。 When an overcurrent flows from the terminal 3 to the terminal 4, first, any one of the plurality of sub patterns 21-24 is melted. Here, for example, it is assumed that the sub-pattern 21 is melted. When the sub pattern 21 is melted, a current much larger than the rated current flows in each of the remaining sub patterns 22-24, and each of the sub patterns 22-24 is melted in a short time.

（第５の実施形態）
図８および９を参照して、本発明の第５の実施形態におけるヒューズ装置について説明する。第５の実施形態のヒューズ装置において第１の実施形態のヒューズ装置と異なる構成は、ヒューズ素子用導体パターン２の構成である。その他の構成は、第１の実施形態におけるヒューズ装置と同様である。 (Fifth embodiment)
A fuse device according to a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The fuse device of the fifth embodiment is different from the fuse device of the first embodiment in the configuration of the fuse element conductor pattern 2. Other configurations are the same as those of the fuse device according to the first embodiment.

ヒューズ素子用導体パターン２は、互いに電気的に独立している複数のサブパターン２１−２３を含んでいる。複数のサブパターン２１−２３の各々は、互いに異なる定格電流を有している。   The fuse element conductor pattern 2 includes a plurality of sub-patterns 21-23 that are electrically independent from each other. Each of the plurality of sub-patterns 21-23 has a different rated current.

本実施形態のヒューズ装置において、複数のサブパターン２１−２３の各々が、互いに電気的に独立しているとともに、互いに異なる定格電流を有していることにより、本実施形態におけるヒューズ装置は、定格電流の選択性に優れている。   In the fuse device of the present embodiment, each of the plurality of sub-patterns 21-23 is electrically independent from each other and has different rated currents. Excellent current selectivity.

（第６の実施形態）
図１０を参照して、本発明の第６の実施形態におけるヒューズ装置について説明する。第６の実施形態のヒューズ装置において第１の実施形態のヒューズ装置と異なる構成は、複数の実装脚部８をさらに含んでいることである。その他の構成は、第１の実施形態におけるヒューズ装置と同様である。 (Sixth embodiment)
A fuse device according to a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The fuse device of the sixth embodiment is different from the fuse device of the first embodiment in that it further includes a plurality of mounting legs 8. Other configurations are the same as those of the fuse device according to the first embodiment.

複数の実装脚部８は、セラミック構造体１の下面に設けられているとともに、ヒューズ素子用導体パターン２に電気的に接続されている。複数の実装脚部８は、実質的に導電性材料からなる。   The plurality of mounting legs 8 are provided on the lower surface of the ceramic structure 1 and are electrically connected to the fuse element conductor pattern 2. The plurality of mounting legs 8 are substantially made of a conductive material.

本実施形態におけるヒューズ装置は、複数の実装脚部８をさらに含んでいることにより、セラミック構造体１を介してヒューズ素子用導体パターン２から実装基板へ伝導される熱に関して低減されている。従って、本実施形態におけるヒューズ装置は、過電流状態における特性に関して向上されている。   Since the fuse device in the present embodiment further includes a plurality of mounting legs 8, the heat conducted from the fuse element conductor pattern 2 to the mounting substrate via the ceramic structure 1 is reduced. Therefore, the fuse device in the present embodiment is improved with respect to the characteristics in the overcurrent state.

（第７の実施形態）
図１１を参照して、本発明の第７の実施形態におけるヒューズ装置について説明する。第７の実施形態のヒューズ装置において第１の実施形態のヒューズ装置と異なる構成は、第２のヒューズ素子用導体パターン５さらに含んでいる点である。その他の構成は、第１の実施形態におけるヒューズ装置と同様である。第２のヒューズ素子用導体パターン５は、カバー部１３の下面に焼成によって形成されている。 (Seventh embodiment)
A fuse device according to a seventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The fuse device of the seventh embodiment is different from the fuse device of the first embodiment in that it further includes a second fuse element conductor pattern 5. Other configurations are the same as those of the fuse device according to the first embodiment. The second fuse element conductive pattern 5 is formed on the lower surface of the cover portion 13 by firing.

本実施形態におけるヒューズ装置は、第２のヒューズ素子用導体パターン５をさらに含んでいることにより、小型化を図りつつ定格電流の選択性に関して向上されている。   The fuse device according to the present embodiment further includes a second fuse element conductor pattern 5, thereby improving the rated current selectivity while reducing the size.

（第８の実施形態）
図１２を参照して、本発明の第８の実施形態におけるヒューズ装置について説明する。第８の実施形態のヒューズ装置において第１の実施形態のヒューズ装置と異なる構成は、予め形成されたカバー部１３が、フレーム部１２に接合されている点である。カバー部１３は、焼結接合または接合材によってフレーム部１２に固定されている。接合材は、例えば、ロウ材、半田または低融点ガラスである。 (Eighth embodiment)
A fuse device according to an eighth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The fuse device of the eighth embodiment is different from the fuse device of the first embodiment in that a cover portion 13 formed in advance is joined to the frame portion 12. The cover portion 13 is fixed to the frame portion 12 by sintered bonding or a bonding material. The bonding material is, for example, a brazing material, solder, or low-melting glass.

（第９の実施形態）
図１３を参照して、本発明の第９の実施形態におけるヒューズ装置について説明する。第９の実施形態のヒューズ装置における第１の実施形態のヒューズ装置と異なる構成は、ヒューズ素子用の導体パターン２が、複数のメタライズパターンの積層構造になっている点である。すなわち、ヒューズ素子用導体パターン２が、複数のメタライズパターンが積層された構造である。図１３に示す実施形態では、ベース部１１の上面に、まず下層としての第１のメタライズパターン２ａを塗って乾燥させる。さらに、第１のメタライズパターン２ａ上に、中層としての第２のメタライズパターン２ｂを塗って乾燥させる。最後に、第２のメタライズパターン２ｂ上に、上層としての第３のメタライズパターン２ｃを塗って乾燥させる。なお、第２のメタライズパターン２ｂは、印刷パターンの位置ずれが発生しないように、第１のメタライズパターン２ａ内に収まるように形成する。同様に、第３のメタライズパターン２ｃは、印刷パターンの位置ずれが発生しないように、第２のメタライズパターン２ｂ内に収まるように形成する。このようにして、ヒューズ素子用導体パターン２を形成してもよい。 (Ninth embodiment)
With reference to FIG. 13, a fuse device according to a ninth embodiment of the present invention will be described. The fuse device of the ninth embodiment is different from the fuse device of the first embodiment in that the fuse element conductor pattern 2 has a laminated structure of a plurality of metallized patterns. That is, the fuse element conductor pattern 2 has a structure in which a plurality of metallized patterns are laminated. In the embodiment shown in FIG. 13, first, the first metallized pattern 2 a as the lower layer is first applied to the upper surface of the base portion 11 and dried. Further, a second metallized pattern 2b as an intermediate layer is applied on the first metallized pattern 2a and dried. Finally, a third metallized pattern 2c as an upper layer is applied on the second metallized pattern 2b and dried. The second metallized pattern 2b is formed so as to be accommodated in the first metallized pattern 2a so that the print pattern is not misaligned. Similarly, the third metallized pattern 2c is formed so as to be accommodated in the second metallized pattern 2b so that the print pattern is not displaced. In this way, the fuse element conductor pattern 2 may be formed.

このように、ヒューズ素子用導体パターン２の断面形状を階段状とすることにより、印刷の厚みを制御し、厚み設計の自由度を向上させることができ、パッケージの大きさを変更しなくても、ヒューズ素子用導体パターン２の溶断電流値の範囲を拡大することができる。   Thus, by making the cross-sectional shape of the fuse element conductor pattern 2 stepped, the thickness of printing can be controlled, the degree of freedom in thickness design can be improved, and the size of the package can be changed. The range of the fusing current value of the fuse element conductor pattern 2 can be expanded.

（端子部分の例）
図１４を参照して、本発明の第１−第９の実施形態におけるヒューズ装置の端子部分の第１の例について説明する。図１４においては、端子３について示されているが、端子４についても同様の構造である。ヒューズ素子用導体パターン２と端子３とは、キャスタレーション導体９１によって電気的に接続されている。 (Example of terminal part)
With reference to FIG. 14, the 1st example of the terminal part of the fuse apparatus in the 1st-9th embodiment of this invention is demonstrated. In FIG. 14, the terminal 3 is shown, but the terminal 4 has the same structure. The fuse element conductor pattern 2 and the terminal 3 are electrically connected by a castellation conductor 91.

図１５を参照して、本発明の第１−第９の実施形態におけるヒューズ装置の端子部分の第２の例について説明する。ヒューズ素子用導体パターン２と端子３とは、ビア導体９２によって電気的に接続されている。   With reference to FIG. 15, the 2nd example of the terminal part of the fuse apparatus in the 1st-9th embodiment of this invention is demonstrated. The fuse element conductor pattern 2 and the terminal 3 are electrically connected by a via conductor 92.

図１６を参照して、本発明の第１−第９の実施形態におけるヒューズ装置の端子部分の第３の例について説明する。ヒューズ素子用導体パターン２と端子３とは、複数のビア導体９３によって電気的に接続されている。   With reference to FIG. 16, the 3rd example of the terminal part of the fuse apparatus in the 1st-9th embodiment of this invention is demonstrated. The fuse element conductor pattern 2 and the terminal 3 are electrically connected by a plurality of via conductors 93.

図１７を参照して、本発明の第１−第９の実施形態におけるヒューズ装置の端子部分の第４の例について説明する。図１６に示された第３の例と異なる点は、複数のビア導体９３に接続されている介在導体層９４を有している点である。   With reference to FIG. 17, the 4th example of the terminal part of the fuse apparatus in the 1st-9th embodiment of this invention is demonstrated. A difference from the third example shown in FIG. 16 is that an intervening conductor layer 94 connected to a plurality of via conductors 93 is provided.

図１８を参照して、本発明の第１−第９の実施形態におけるヒューズ装置の端子部分の第５の例について説明する。ヒューズ素子用導体パターン２と端子３とは、キャスタレーション導体９１およびビア導体９２によって電気的に接続されている。   With reference to FIG. 18, the 5th example of the terminal part of the fuse apparatus in the 1st-9th embodiment of this invention is demonstrated. The fuse element conductor pattern 2 and the terminal 3 are electrically connected by a castellation conductor 91 and a via conductor 92.

図１９を参照して、本発明の第１−第９の実施形態におけるヒューズ装置の端子部分の第６の例について説明する。端子３は、ヒューズ素子用導体パターン２に電気的に接続された金属ポスト９５の下端である。   A sixth example of the terminal portion of the fuse device according to the first to ninth embodiments of the present invention will be described with reference to FIG. The terminal 3 is the lower end of the metal post 95 electrically connected to the fuse element conductor pattern 2.

（ヒューズ素子用導体パターン２の例）
図２０を参照して、本発明の第１−第９の実施形態におけるヒューズ装置のヒューズ素子用導体パターン２の例について説明する。ヒューズ素子用導体パターン２は、トリミングが施されており、このトリミング部分において溶断されやすくなっている。図２０にお
いて、溶断箇所が点線の記号によって示されている。 (Example of conductor pattern 2 for fuse element)
With reference to FIG. 20, an example of the fuse element conductor pattern 2 of the fuse device according to the first to ninth embodiments of the present invention will be described. The fuse element conductor pattern 2 is trimmed, and is easily melted at the trimmed portion. In FIG. 20, the fusing location is indicated by a dotted line symbol.

１ セラミック構造体
１１ ベース部
１２ フレーム部
１３ カバー部
２ ヒューズ素子用導体パターン
３、４ 端子
５ 第２のヒューズ素子用導体パターン
８ 実装脚部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ceramic structure 11 Base part 12 Frame part 13 Cover part 2 Fuse element conductive pattern 3, 4 Terminal 5 Second fuse element conductive pattern 8 Mounting leg

Claims (11)

ベース部と、前記ベース部の上に設けられたフレーム部と、前記フレーム部の上に設けられたカバー部とを含んでおり、前記ベース部と前記フレーム部と前記カバー部とが焼成によって一体的に形成されている、セラミック構造体と、
前記ベース部の上面に焼成によって形成されたヒューズ素子用導体パターンと
を備えたヒューズ装置。 A base part, a frame part provided on the base part, and a cover part provided on the frame part are included, and the base part, the frame part, and the cover part are integrated by firing. A ceramic structure,
A fuse device comprising a fuse element conductor pattern formed on the upper surface of the base portion by firing. 前記ベース部が、伝熱抑制手段を有していることを特徴とする請求項１記載のヒューズ装置。   The fuse device according to claim 1, wherein the base portion includes heat transfer suppression means. 前記伝熱抑制手段が、前記ベース部の内部に設けられているとともに前記ヒューズ素子用導体パターンの直下に位置している空洞であることを特徴とする請求項２記載のヒューズ装置。   3. The fuse device according to claim 2, wherein the heat transfer suppression means is a cavity provided inside the base portion and positioned immediately below the conductor pattern for the fuse element. 前記伝熱抑制手段が、前記ベース部の上面に設けられているとともに平面視において前記ヒューズ素子用導体パターンを挟むように設けられた複数の溝であることを特徴とする請求項２記載のヒューズ装置。   3. The fuse according to claim 2, wherein the heat transfer suppression means is a plurality of grooves provided on the upper surface of the base portion and provided so as to sandwich the fuse element conductor pattern in a plan view. apparatus. 前記ヒューズ素子用導体パターンが、複数のサブパターンを含んでいることを特徴とする請求項１記載のヒューズ装置。   The fuse device according to claim 1, wherein the fuse element conductor pattern includes a plurality of sub-patterns. 前記複数のサブパターンが、並列接続されていることを特徴とする請求項５記載のヒューズ装置。   The fuse device according to claim 5, wherein the plurality of sub-patterns are connected in parallel. 前記複数のサブパターンが、電気的に独立していることを特徴とする請求項５記載のヒューズ装置。   The fuse device according to claim 5, wherein the plurality of sub-patterns are electrically independent. 前記セラミック構造体の下面に設けられているとともに前記ヒューズ素子用導体パターンに電気的に接続された複数の実装脚部をさらに備えていることを特徴とする請求項１記載のヒューズ装置。   The fuse device according to claim 1, further comprising a plurality of mounting legs provided on a lower surface of the ceramic structure and electrically connected to the fuse element conductive pattern. 前記カバー部の下面に焼成によって形成された第２のヒューズ素子用導体パターンをさらに備えていることを特徴とする請求項１記載のヒューズ装置。   The fuse device according to claim 1, further comprising a second fuse element conductor pattern formed by firing on a lower surface of the cover portion. ベース部と、前記ベース部の上に設けられたフレーム部と、前記フレーム部の上に設けられたカバー部とを含んでおり、前記カバー部が前記フレーム部に接合されている、セラミック構造体と、
前記ベース部の上面に焼成によって形成されたヒューズ素子用導体パターンと
を備えたヒューズ装置。 A ceramic structure including a base part, a frame part provided on the base part, and a cover part provided on the frame part, wherein the cover part is joined to the frame part When,
A fuse device comprising a fuse element conductor pattern formed on the upper surface of the base portion by firing. 前記ヒューズ素子用導体パターンが、複数のメタライズパターンが積層された構造であることを特徴とする請求項１記載のヒューズ装置。   2. The fuse device according to claim 1, wherein the conductor pattern for the fuse element has a structure in which a plurality of metallized patterns are laminated.
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