JP2011171521A - レーザ光源の評価方法、並びに露光方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】レーザ光源を露光光源とする場合に、レーザ光のスペクトルの状態の露光パターン又は結像性能に対する影響をより正確に評価する。
【解決手段】レーザ光LBを出力するレーザ光源16の評価方法において、露光本体部10側の分光計8でレーザ光LBのスペクトルを計測することと、分光計8による計測結果からレーザ光LBの中心波長を求めることと、そのスペクトル及び中心波長から、レーザ光LBの各波長におけるその中心波長からのずれ量と光強度とに対応する波長オフセットの情報を求めることと、を含む。
【選択図】図1
【解決手段】レーザ光LBを出力するレーザ光源16の評価方法において、露光本体部10側の分光計8でレーザ光LBのスペクトルを計測することと、分光計8による計測結果からレーザ光LBの中心波長を求めることと、そのスペクトル及び中心波長から、レーザ光LBの各波長におけるその中心波長からのずれ量と光強度とに対応する波長オフセットの情報を求めることと、を含む。
【選択図】図1
Description
本発明は、レーザ光源の評価技術、レーザ光源を露光光源とする露光技術、及びこの露光技術を用いるデバイス製造技術に関する。
半導体素子等の電子デバイス(マイクロデバイス)を製造するためのリソグラフィー工程で、レチクル(又はフォトマスク等)のパターンをフォトレジストが塗布されたウエハ(又はガラスプレート等)に転写するためにステッパー又はスキャニングステッパーなどの露光装置が使用されている。これらの露光装置の露光光源として、近年は、例えば放電励起型でスペクトルが狭帯域化されたパルス発振型のエキシマレーザ等のレーザ光源が用いられている。
そのレーザ光源から射出される露光光としてのレーザ光のスペクトル幅については、特に投影光学系の色収差許容量が小さいことから一層の狭帯域化が要求されているが、それでもそのスペクトルには或る程度の広がりがある。そのスペクトル幅を表す量として、従来より、スペクトルのピーク値に対して強度が1/2に低下するときの2つの波長の幅である半値全幅FWHM(Full Width Half Maximum)と、スペクトルを所定レベルでスライスしたときの2つの波長の幅内の強度分布の積分値がスペクトルの強度分布の全積分値に対して95%になるときの幅である95%エネルギー純度幅E95とが用いられている。
また、近年、露光パターンの線幅に対する光学的近接効果(OPE:Optical Proximity Effect)を事前に予測し、予めレチクルのパターンの幅を補正しておくことで、ウエハ表面で所望の線幅のパターンを得る光学的近接効果補正(OPC:Optical Proximity Effect Correction)技術が使用されている。これに関して、レーザ光のスペクトル幅によってもOPEは異なるため、従来より、例えば半値全幅FWHM又は95%エネルギー純度幅E95に基づいて露光パターンの像の線幅の変化量を求め、この変化量をも考慮してOPCの補正量を求めることも行われている(例えば、特許文献1参照)。
特開2007−142052号公報
レーザ光のスペクトル幅は、OPEに影響を与えるとともに、レーザ光の実質的な波長ずれによって、投影光学系による像のデフォーカス量にも影響を与えている。即ち、スペクトル幅が広くなると、デフォーカス量も実質的に大きくなると考えられる。しかしながら、例えばレーザ光のスペクトルの半値全幅FWHM又は95%エネルギー純度幅E95の情報から、デフォーカス量を評価すると、半値全幅FWHM又は95%エネルギー純度幅E95の値がほぼ同じでも、露光パターンの実質的なデフォーカス量が異なる場合のあることが分かってきた。これは、半値全幅FWHM又は95%エネルギー純度幅E95では、レーザ光のスペクトルの実質的な波長ずれに起因する露光パターンのデフォーカス量、ひいては投影光学系の結像性能に対する影響を必ずしも正確に評価できない場合があることを意味している。
本発明は斯かる点に鑑み、レーザ光源を露光光源とする場合に、レーザ光のスペクトルの状態の露光パターン又は結像性能に対する影響をより正確に評価することを目的とする。
本発明の第1の態様によれば、レーザ光を出力するレーザ光源の評価方法が提供される。この評価方法は、そのレーザ光のスペクトル情報を計測することと、計測されたそのスペクトル情報からそのレーザ光の中心波長の情報を求めることと、そのスペクトル情報及びその中心波長からそのレーザ光の各波長におけるその中心波長からのずれ量と光強度とに対応するそのレーザ光の波長オフセットの情報を求めることと、を含むものである。
また、本発明の第2の形態によれば、レーザ光源からのレーザ光でパターンを照明し、そのレーザ光でそのパターン及び投影光学系を介して基板を露光する露光方法において、そのレーザ光源を本発明のレーザ光源の評価方法で評価する露光方法が提供される。
また、本発明の第3の形態によれば、レーザ光源からのレーザ光でパターンを照明し、そのレーザ光でそのパターン及び投影光学系を介して基板を露光する露光方法が提供される。この露光方法は、そのレーザ光のスペクトル情報を計測することと、計測されたそのスペクトル情報からそのレーザ光の中心波長の情報を求めることと、そのスペクトル情報及びその中心波長からそのレーザ光の各波長におけるその中心波長からのずれ量と光強度とに対応するそのレーザ光の波長オフセットの情報を求めることと、を含むものである。
また、本発明の第3の形態によれば、レーザ光源からのレーザ光でパターンを照明し、そのレーザ光でそのパターン及び投影光学系を介して基板を露光する露光方法が提供される。この露光方法は、そのレーザ光のスペクトル情報を計測することと、計測されたそのスペクトル情報からそのレーザ光の中心波長の情報を求めることと、そのスペクトル情報及びその中心波長からそのレーザ光の各波長におけるその中心波長からのずれ量と光強度とに対応するそのレーザ光の波長オフセットの情報を求めることと、を含むものである。
また、本発明の第4の形態によれば、レーザ光源からのレーザ光でパターンを照明し、そのレーザ光でそのパターン及び投影光学系を介して基板を露光する露光装置が提供される。この露光装置は、そのレーザ光のスペクトル情報を計測する計測装置と、計測されたそのスペクトル情報からそのレーザ光の中心波長、及びそのレーザ光の各波長におけるその中心波長からのずれ量と光強度とに対応するそのレーザ光の波長オフセットの情報を求める演算装置と、を備えるものである。
また、本発明の第5の形態によれば、本発明の露光装置又は露光方法を用いて、基板に感光層のパターンを形成することと、そのパターンが形成されたその基板を処理することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
本発明によれば、レーザ光の各波長における中心波長からのずれ量と光強度とに対応するそのレーザ光の波長オフセットの情報、言い換えるとレーザ光の実質的に全部のスペクトルの情報を考慮した波長オフセットの情報が求められる。従って、レーザ光源を露光光源とする場合に、その波長オフセットの情報から例えば露光パターンのデフォーカス量の評価が可能になるため、レーザ光のスペクトルの状態の露光パターン又は結像性能に対する影響をより正確に評価できる。
以下、本発明の実施形態の一例につき図1〜図6を参照して説明する。
図1は、本実施形態の露光装置EXの構成を概略的に示す。露光装置EXは、露光光源にレーザ光源を用いたスキャニングステッパーよりなる走査露光型の投影露光装置である。図1において、露光装置EXは、露光光源としてのレーザ光源16と、レーザ光源16からのレーザ光LBよりなる露光光ILのもとでレチクルR(マスク)のパターンの像をフォトレジスト(感光材料)が塗布されたウエハW(基板)の表面に露光する露光本体部10とを備えている。また、露光本体部10は、露光光ILでレチクルRを照明する照明光学系12と、レチクルRを保持して移動するレチクルステージRSTと、レチクルRのパターンの像をウエハWの表面に投影する投影光学系PLと、ウエハWを保持して移動するウエハステージWSTと、露光装置EX全体の動作を統括的に制御するコンピュータを含む主制御装置50とを備えている。さらに、露光本体部10は、レーザ光源16から出力されるレーザ光LBのスペクトルを計測する分光計8を備えている。
図1は、本実施形態の露光装置EXの構成を概略的に示す。露光装置EXは、露光光源にレーザ光源を用いたスキャニングステッパーよりなる走査露光型の投影露光装置である。図1において、露光装置EXは、露光光源としてのレーザ光源16と、レーザ光源16からのレーザ光LBよりなる露光光ILのもとでレチクルR(マスク)のパターンの像をフォトレジスト(感光材料)が塗布されたウエハW(基板)の表面に露光する露光本体部10とを備えている。また、露光本体部10は、露光光ILでレチクルRを照明する照明光学系12と、レチクルRを保持して移動するレチクルステージRSTと、レチクルRのパターンの像をウエハWの表面に投影する投影光学系PLと、ウエハWを保持して移動するウエハステージWSTと、露光装置EX全体の動作を統括的に制御するコンピュータを含む主制御装置50とを備えている。さらに、露光本体部10は、レーザ光源16から出力されるレーザ光LBのスペクトルを計測する分光計8を備えている。
主制御装置50には、オペレータとの間で制御コマンド及び動作情報等の入出力を行うための入出力装置49、記憶装置51、所定の演算を行うための演算装置53、及びレーザ光源16の制御を行うための光源制御系52が接続されている。なお、例えば主制御系50及び演算装置53は、コンピュータのソフトウェア上の機能であってもよい。
以下、図1において、投影光学系PLの光軸AXに平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面(本実施形態ではほぼ水平面に平行な面)内で図1の紙面に垂直な方向にX軸を、図1の紙面に平行な方向にY軸を取って説明する。また、X軸、Y軸、及びZ軸に平行な軸の回りの回転方向をθx方向、θy方向、及びθz方向とも呼ぶこととする。本実施形態では、露光時のレチクルR及びウエハWの走査方向はY軸に平行な方向(Y方向)である。
以下、図1において、投影光学系PLの光軸AXに平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面(本実施形態ではほぼ水平面に平行な面)内で図1の紙面に垂直な方向にX軸を、図1の紙面に平行な方向にY軸を取って説明する。また、X軸、Y軸、及びZ軸に平行な軸の回りの回転方向をθx方向、θy方向、及びθz方向とも呼ぶこととする。本実施形態では、露光時のレチクルR及びウエハWの走査方向はY軸に平行な方向(Y方向)である。
まず、レーザ光源16としては、一例として、ArFエキシマレーザ(発振波長193.3nm)が用いられている。なお、レーザ光源16として、ArFエキシマレーザに代えて、KrFエキシマレーザ(発振波長248.4nm)、F2 レーザ(発振波長157nm)、又はYAGレーザ若しくは他の固体レーザ(半導体レーザ等)の高調波発生装置等を使用することも可能である。
レーザ光源16は、レーザ共振器16a、このレーザ共振器16aから射出されるレーザ光(レーザビーム)LBの光路上に配置された透過率が97%程度のビームスプリッタ16b、このビームスプリッタ16bの反射光路上に順次配置されたハーフミラー(又はビームスプリッタ)16g及びビームモニタ機構16c、基準光源16h、ビームモニタ機構16cからの検出情報が入力されるレーザ制御装置16e、及びレーザ制御装置16eによって電源電圧などが制御されるレーザ電源部16d等を備えている。レーザ光源16の各構成部材(16a〜16e,16g,16hなど)は、ハウジング17内に収納されている。レーザ共振器16aから射出され、ビームスプリッタ16bを透過したレーザ光LBがハウジング17の光透過部及び不図示の送光光学系を介して照明光学系12に入射する。
レーザ共振器16aは、放電電極を含むエキシマレーザチューブ(レーザチャンバ)64、このエキシマレーザチューブ64の後側(図1における−Y方向)に配置された全反射ミラー(リアミラー)66、エキシマレーザチューブ64の前側(図1における+Y方向)に配置された低反射率ミラー(フロントミラー)68、及び狭帯域化モジュール70等を含む。狭帯域化モジュール70は、一例としてエキシマレーザチューブ64とフロントミラー68との間のレーザ光LBの光路上に順次配置される固定の粗調用のファブリ・ぺロー・エタロン(Fabry-Perot etalon)(以下、エタロンと略称する。)と、可変傾角の微調用のエタロンとを含んで構成される。エタロンは、2枚の石英板を所定の空隙(エアーギャップ)を空けて平行に対向させたものである。これらのエタロンは、レーザ共振器16aから射出されるレーザ光LBのスペクトル幅を、ここでは自然発振スペクトル幅の約1/100〜1/300程度に狭めて出力する。また、可変傾角のエタロンの傾角を調整することにより、レーザ共振器16aから射出されるレーザ光LBの波長(中心波長)を所定範囲でシフトできる。
なお、例えば上記の粗調用のエタロンを取り去り、リアミラー66の代りに波長選択素子としての反射型の回折格子(グレーティング)を傾斜可能に設けることにより、レーザ共振器を構成しても良い。この場合、回折格子とフロントミラー68とによって共振器が構成される。また、回折格子と微調用のエタロンとによって前述と同様の機能の狭帯域化モジュールが構成される。このときに、回折格子は波長設定時の粗調に用いられ、エタロンは微調に用いられる。レーザ光源16には、その可変傾角のエタロン(又は回折格子及び可変傾角のエタロン、あるいは回折格子やプリズム)等の分光素子を駆動するための駆動機構19が設けられている。なお、狭帯域化モジュールを、例えばプリズムと回折格子とを組み合わせたものによって構成することも可能である。
エキシマレーザチューブ64内には、所定の混合比のレーザガス(例えば媒体ガスであるアルゴンAr、フッ素F2、及びバッファガスであるヘリウムHeから成る)が充填されている。そのため、エキシマレーザチューブ64には、不図示の給気バルブを有するフレキシブルなガス供給管の一端が接続され、このガス供給管の他端はAr、F2、Heなどのガスボンベ(図示省略)に接続されている。エキシマレーザチューブ64には、不図示の排気バルブを有する例えばフレキシブルな排気管が接続されている。この排気管には、フッ素を卜ラップして除去する除去用フィルタや排気用ポンプなどが設けられている。
ハーフミラー16gは、基準光源16hからの光の光路上に位置している。さらに、ビームスプリッタ16bとハーフミラー16gとの間の光路上には、その光路を開閉する第1シャッタ21が設けられている。また、基準光源16hとハーフミラー16gとの間の光路上には、その光路を開閉する第2シャッタ23が設けられている。従って、ビームモニタ機構16cには、ビームスプリッタ16bで反射されたレーザ光LB及び基準光源16hからの光のいずれかが選択的に入射可能である。シャッタ21,23の開閉はレーザ制御装置16eによって行われる。通常は、図1に示すように第1シャッタ21は開状態にされ、第2シャッタ23は閉状態にされる。
ビームモニタ機構16cは、その内部にエネルギーモニタとスペクトルモニタ(分光計)とを含む。エネルギーモニタは、例えばハーフミラー16gの透過光路上に配置された不図示のハーフミラーの反射光路上に配置されている。このエネルギーモニタとしては、高い応答周波数を有するフォトダイオードなどの受光素子が用いられる。このエネルギーモニタからの光電変換信号はレーザ制御装置16eに出力される。
スペクトルモニタとしては、例えばハーフミラー16gの透過光路上に順次配置された集光レンズ、コリメータレンズ、エタロン、テレメータレンズ及びラインセンサ等を含むファブリペロー干渉計が用いられている。そのエタロンにレーザ光LBが入射すると、部分反射面での回折光はエアーギャップ間で反射と透過とを繰り返し、所定の入射角の光のみがエタロンを透過して強め合う。これにより、テレメータレンズの焦点面に干渉縞(フリンジパターン)が形成され、このフリンジパターンがその焦点面に配置されたラインセンサによって検出される。そのラインセンサで検出される光強度の分布(干渉縞の撮像信号)を、ビームモニタ機構16cの検出部で処理することによって、レーザ光LBの山型のスペクトル分布が求められる。このスペクトル分布の情報がレーザ制御装置16eに送出される。
図2(A)は、ビームモニタ機構16cのスペクトルモニタによって計測されるレーザ光LBのスペクトル分布の一例を示す。図2(A)の横軸は波長λ、縦軸は光強度I(λ)である。また、図2(B)及び図2(C)もそれぞれ波長軸の方向に圧縮したレーザ光LBのスペクトルの例を示す。
レーザ光源16側では、通常は、図2(B)に示すように、レーザ光LBのスペクトルのピーク値IPに対して光強度Iが1/2に低下するときのスペクトルの波長λ1及びλ2の幅である半値全幅FWHM(Full Width Half Maximum)が検出される。さらに、図2(C)に示すように、レーザ光LBのスペクトルをピーク値IPよりも低い所定レベルILPでスライスしたときの2つの波長λ3及びλ4の幅内の光強度Iの積分値がそのスペクトルの光強度分布の全積分値に対して95%になるときの幅である95%エネルギー純度幅E95も検出される。また、図2(A)におけるスペクトルの中心波長λcとしては、スペクトルがピーク値IPを取るときの波長が使用される。なお、中心波長λcとして、光強度分布の重心位置の波長(重心波長)を用いることもできる。
レーザ光源16側では、通常は、図2(B)に示すように、レーザ光LBのスペクトルのピーク値IPに対して光強度Iが1/2に低下するときのスペクトルの波長λ1及びλ2の幅である半値全幅FWHM(Full Width Half Maximum)が検出される。さらに、図2(C)に示すように、レーザ光LBのスペクトルをピーク値IPよりも低い所定レベルILPでスライスしたときの2つの波長λ3及びλ4の幅内の光強度Iの積分値がそのスペクトルの光強度分布の全積分値に対して95%になるときの幅である95%エネルギー純度幅E95も検出される。また、図2(A)におけるスペクトルの中心波長λcとしては、スペクトルがピーク値IPを取るときの波長が使用される。なお、中心波長λcとして、光強度分布の重心位置の波長(重心波長)を用いることもできる。
図1に戻り、レーザ光源16のハウジング17内におけるビームスプリッタ16bの照明光学系側には、主制御装置50(光源制御系52)からの制御情報に応じてレーザ光LBを遮光するためのシャッタ16fも配置されている。また、レーザ制御装置16eは、図2(A)のスペクトルから中心波長λc、半値全幅FWHM、及び95%エネルギー純度幅E95を求める演算部を備えている。
また、レーザ制御装置16eの制御部は、露光時には、露光本体部10側から供給される発光トリガーパルスTPに応じた発光タイミング及びパルスエネルギーでレーザ光LBが発光されるように、レーザ電源部16dを制御する。
次に、基準光源16hは、ビームモニタ機構16c内部のスペクトルモニタの絶対波長キャリブレーションを行う際の基準光源であって、例えば所定の固体狭帯化レーザが用いられる。スペクトルモニタの絶対波長キャリブレーションを行う場合には、第1シャッタ21を開き、第2シャッタ23を閉じた状態で、スペクトルモニタでその時のレーザ光LBに対応するフリンジパターンの情報を求めて記憶する。その後、第1シャッタ21を閉じて第2シャッタ23を開いて基準光源16hからの光をビームモニタ機構16cに入射させる。そして、このときスペクトルモニタで得られるフリンジパターンとその記憶してあるフリンジパターンとを比較することにより、レーザ光LBの波長の基準波長からのずれを求め、この求めたずれを補正するように、狭帯域化モジュール70を調整することによって、レーザ光LBの絶対波長キャリブレーションを行うことができる。この結果、ビームモニタ機構16cのスペクトルモニタでは、レーザ光LBのスペクトルの各光強度Iに対応する波長λを高精度に求めることができる。
次に、基準光源16hは、ビームモニタ機構16c内部のスペクトルモニタの絶対波長キャリブレーションを行う際の基準光源であって、例えば所定の固体狭帯化レーザが用いられる。スペクトルモニタの絶対波長キャリブレーションを行う場合には、第1シャッタ21を開き、第2シャッタ23を閉じた状態で、スペクトルモニタでその時のレーザ光LBに対応するフリンジパターンの情報を求めて記憶する。その後、第1シャッタ21を閉じて第2シャッタ23を開いて基準光源16hからの光をビームモニタ機構16cに入射させる。そして、このときスペクトルモニタで得られるフリンジパターンとその記憶してあるフリンジパターンとを比較することにより、レーザ光LBの波長の基準波長からのずれを求め、この求めたずれを補正するように、狭帯域化モジュール70を調整することによって、レーザ光LBの絶対波長キャリブレーションを行うことができる。この結果、ビームモニタ機構16cのスペクトルモニタでは、レーザ光LBのスペクトルの各光強度Iに対応する波長λを高精度に求めることができる。
本実施形態では、レーザ制御装置16e中の演算部は、主制御装置50から設定されたタイミングで、ビームモニタ機構16cから供給されるレーザ光LBのスペクトルの情報から、中心波長λc、半値全幅FWHM、及び95%エネルギー純度幅E95を求め、これらの情報を光源制御系52に出力する。
また、レーザ光源16と露光本体部10の照明光学系12との間に、レーザ光LBの光路を照明光学系12側に向かう光路と、分光計8側に向かう光路とのいずれかに切り替える可動ミラー6が配置されている。可動ミラー6の切り替えは主制御装置50によって行われる。通常の露光時には、可動ミラー6は退避しており、レーザ光源16からのレーザ光LBは照明光学系12に向かう。また、露光本体部10側でレーザ光LBのスペクトルの評価を行うときには、可動ミラー6がレーザ光LBの光路に設置され、可動ミラー6で反射されたレーザ光LBが分光計8に入射する。分光計8は、レーザ光LBのスペクトル分布を計測する。分光計8は、例えば回折格子を含み、レーザ光源16側のビームモニタ機構16cのスペクトルモニタよりも高精度にスペクトル分布を計測する。分光計8としては、例えばLTB社(Lasertechnik Berlin GmbH)のARYELLE400等の高分解能の分光計を使用できる。
また、レーザ光源16と露光本体部10の照明光学系12との間に、レーザ光LBの光路を照明光学系12側に向かう光路と、分光計8側に向かう光路とのいずれかに切り替える可動ミラー6が配置されている。可動ミラー6の切り替えは主制御装置50によって行われる。通常の露光時には、可動ミラー6は退避しており、レーザ光源16からのレーザ光LBは照明光学系12に向かう。また、露光本体部10側でレーザ光LBのスペクトルの評価を行うときには、可動ミラー6がレーザ光LBの光路に設置され、可動ミラー6で反射されたレーザ光LBが分光計8に入射する。分光計8は、レーザ光LBのスペクトル分布を計測する。分光計8は、例えば回折格子を含み、レーザ光源16側のビームモニタ機構16cのスペクトルモニタよりも高精度にスペクトル分布を計測する。分光計8としては、例えばLTB社(Lasertechnik Berlin GmbH)のARYELLE400等の高分解能の分光計を使用できる。
分光計8で計測されたレーザ光LBのスペクトル分布の情報は、主制御装置50を介して演算装置53に供給される。演算装置53は、そのレーザ光LBのスペクトル分布の情報から、中心波長λc、及びレーザ光LBの各波長λにおける中心波長λcからのずれ量と光強度I(λ)とに対応するレーザ光LBの波長オフセットの情報である次の評価量Fを求め、これらの情報を主制御装置50に供給する。なお、中心波長λcについては、レーザ光源16のビームモニタ機構16cのスペクトルモニタで基準光源16hを用いて計測される値を使用してもよい。ここで、分光計8で計測されるスペクトル分布も図2(A)の分布であるとする。
その評価量Fを計算するために、まず図2(A)のスペクトルの光強度I(λ)をスペクトルの光強度が0レベル(ノイズとみなすことができるレベル)を超える有効波長範囲(波長λaからλb)で式(3A)を満たすように(積分値が1になるように)規格化する。そして、この規格化された光強度I(λ)を用いて、式(3B)で示すように、各波長λにおける中心波長λcからのずれ量δλ(=λ−λc)の自乗と光強度I(λ)との積の有効波長範囲における積分を評価量Fと定義する。評価量Fの次元は長さの2乗である。
Δλ=(λb−λa)/kb …(4A),λk=λa+k・Δλ …(4B),λb=λa+kb・Δλ …(4C)
なお、波長幅Δλが波長の計測分解能程度になるように分割数kbを選んでも良い。そして、波長λkにおけるスペクトルの光強度をIkとすると、式(3A)に対応する式(5A)で示すように、光強度Ikの積算値が1になるように光強度Ikを規格化してもよい。また、式(3B)に対応する式(5B)で示すように、波長λkにおける中心波長λcからのずれ量δλk(=λk−λc)の自乗と規格化された光強度Ikとの積の有効波長範囲(k=0〜kb)における積算値を評価量Fと定義してもよい。
なお、波長幅Δλが波長の計測分解能程度になるように分割数kbを選んでも良い。そして、波長λkにおけるスペクトルの光強度をIkとすると、式(3A)に対応する式(5A)で示すように、光強度Ikの積算値が1になるように光強度Ikを規格化してもよい。また、式(3B)に対応する式(5B)で示すように、波長λkにおける中心波長λcからのずれ量δλk(=λk−λc)の自乗と規格化された光強度Ikとの積の有効波長範囲(k=0〜kb)における積算値を評価量Fと定義してもよい。
この場合、評価量Fの平方根であるF1/2は、図2(A)のスペクトルの中心波長からの実効的な波長ずれ量を表している。
具体的に、図3に示すレーザ光の種々のスペクトルについて例えば式(5A)及び(5B)から評価量Fを計算すると以下のようになる。図3において、横軸は中心波長λcからのずれ量δλ[pm]、縦軸は波長のずれ量がδλのときの光強度I(δλ)(任意単位)である。また、曲線B1,B2,B3,B4,B5,B6,B7は、それぞれ半値全幅FWHM[pm]と95%エネルギー純度幅E95[pm]との組み合わせ(FWHM,E95)がそれぞれ(0.12,0.3),(0.12,0.4),(0.12,0.5),(0.12,0.6),(0.16,0.4),(0.20,0.5),(0.24,0.6)のスペクトルを表している。
具体的に、図3に示すレーザ光の種々のスペクトルについて例えば式(5A)及び(5B)から評価量Fを計算すると以下のようになる。図3において、横軸は中心波長λcからのずれ量δλ[pm]、縦軸は波長のずれ量がδλのときの光強度I(δλ)(任意単位)である。また、曲線B1,B2,B3,B4,B5,B6,B7は、それぞれ半値全幅FWHM[pm]と95%エネルギー純度幅E95[pm]との組み合わせ(FWHM,E95)がそれぞれ(0.12,0.3),(0.12,0.4),(0.12,0.5),(0.12,0.6),(0.16,0.4),(0.20,0.5),(0.24,0.6)のスペクトルを表している。
図3の曲線B1〜B7で表されるスペクトルの評価量F[pm2]は、ほぼ0.0050,0.0087,0.0093,0.0135,0.0143,0.0196,0.0210と単調に大きくなる。これに対して、図3の曲線B1〜B4は互いに半値全幅FWHMの値が等しく、曲線B2及び曲線B5(又は曲線B3及び曲線B6、及び曲線B4及び曲線B7)は互いに95%エネルギー純度幅E95の値が等しい。従って、曲線B1〜B7のスペクトルの状態を互いに区別するためには、半値全幅FWHM又は95%エネルギー純度幅E95ではなく、本実施形態の評価量Fが有効であることが分かる。
また、図4(A)は、評価量F[pm2]とスペクトルの中心波長λcに対する波長ずれ量Sλ[pm]との関係を示す。このように、波長ずれ量Sλの2乗が評価量Fとなっている。従って、次のように波長ずれ量Sλは評価量Fの平方根に等しい。この関係を示すのが図4(B)である。
Sλ=F1/2 …(6)
図1に戻り、照明光学系12は、レーザ光源16からのレーザ光LBを整形するビーム整形光学系18、レーザ光LBのエネルギーを複数段階に減少させるエネルギー粗調器20、オプティカルインテグレータとしてのフライアイレンズ(この他に内面反射型インテグレータなども使用できる)22、照明系開口絞り板24、ビームスプリッタ26、第1リレーレンズ28A、レチクルブラインド30、第2リレーレンズ28B、光路折り曲げ用のミラー29、及びコンデンサレンズ32等を備えている。レチクルブラインド30は、固定ブラインドと走査露光時に開閉される可動ブラインドとを含んでいる。
Sλ=F1/2 …(6)
図1に戻り、照明光学系12は、レーザ光源16からのレーザ光LBを整形するビーム整形光学系18、レーザ光LBのエネルギーを複数段階に減少させるエネルギー粗調器20、オプティカルインテグレータとしてのフライアイレンズ(この他に内面反射型インテグレータなども使用できる)22、照明系開口絞り板24、ビームスプリッタ26、第1リレーレンズ28A、レチクルブラインド30、第2リレーレンズ28B、光路折り曲げ用のミラー29、及びコンデンサレンズ32等を備えている。レチクルブラインド30は、固定ブラインドと走査露光時に開閉される可動ブラインドとを含んでいる。
エネルギー粗調器20は、主制御装置50によって駆動モータ38で回転される回転板20に透過率の異なる複数の減衰板36A,36D等を設けたものであり、いずれかの減衰板がレーザ光LBの光路上に配置される。照明系開口絞り板24は、フライアイレンズ22の射出面近傍の照明光学系12の瞳面に、駆動モータ40によって回転可能に配置されている。照明系開口絞り板24には、例えば通常照明用の円形の開口絞り、輪帯照明用の開口絞り、並びに2極及び4極照明用の複数の開口が形成された開口絞り等が形成されている。主制御装置50からの制御情報に応じて、いずれかの開口絞りをレーザ光LBの光路上に選択的に設定することで、照明条件が設定される。なお、例えば米国特許出願公開第2003/0025890号明細書などに開示されるように、瞳面における光量分布を設定するために、複数の回折光学素子、1対の間隔可変のアキシコン、及びズームレンズ等を使用してもよい。
照明系開口絞り板24から射出されるレーザ光LBよりなる露光光ILの光路上に、透過率の大きなビームスプリッタ26が配置され、ビームスプリッタ26を透過した露光光ILは、リレーレンズ28A,28B、レチクルブラインド30、及びコンデンサレンズ32等を介してレチクルRのパターン面(下面)のX方向に細長い照明領域を均一な照度分布で照明する。また、ビームスプリッタ26で反射された露光光ILは、集光レンズ44を介して光電検出器よりなるインテグレータセンサ46で受光され、インテグレータセンサ46の検出信号DSが主制御装置50に供給される。その検出信号DSを用いることによって、ウエハWに対する露光量制御が行われる。
また、主制御装置50は、光源制御系52を介してレーザ光源16のレーザ制御装置16eに発光トリガーパルスTP及び制御情報等を出力する。そして、レーザ制御装置16eから出力されるレーザ光LBの中心波長λc及び半値全幅FWHM等のレーザ光LBのスペクトル情報は、光源制御系52を介して主制御装置50に取り込まれる。
また、レチクルステージRSTにレチクルRが吸着保持されている。レチクルステージRSTは、不図示のレチクルベースの上面(XY平面に平行な面)にY方向に一定速度で移動可能に、かつX方向、Y方向、θz方向に微小移動可能に載置されている。レチクルステージRSTの少なくともX方向、Y方向、θz方向の位置は、レチクルステージRSTに固定された移動鏡58に計測用ビームを照射するレーザ干渉計54Rによって計測され、この計測値が主制御装置50に供給される。主制御装置50は、その計測値に基づいて、リニアモータ等の駆動系48を介してレチクルステージRSTの位置及び速度を制御する。
また、レチクルステージRSTにレチクルRが吸着保持されている。レチクルステージRSTは、不図示のレチクルベースの上面(XY平面に平行な面)にY方向に一定速度で移動可能に、かつX方向、Y方向、θz方向に微小移動可能に載置されている。レチクルステージRSTの少なくともX方向、Y方向、θz方向の位置は、レチクルステージRSTに固定された移動鏡58に計測用ビームを照射するレーザ干渉計54Rによって計測され、この計測値が主制御装置50に供給される。主制御装置50は、その計測値に基づいて、リニアモータ等の駆動系48を介してレチクルステージRSTの位置及び速度を制御する。
投影光学系PLとしては、例えば両側テレセントリックな縮小系(投影倍率は例えば1/4、1/5等)である屈折系が用いられているが、反射屈折系等も使用できる。投影光学系PLは、露光光ILのもとで、レチクルRの照明領域内のパターンの像を、ウエハWの表面の一つのショット領域内のX方向に細長い露光領域に形成する。最近の露光装置に装着される投影光学系の色収差は殆どが軸上成分(軸上色収差)のみである。そして、投影光学系PLの軸上色収差量LCA(=収差量/波長ずれ量)(nm/pm)が予め求められており、その情報が記憶装置51に記憶されている。この場合、レーザ光LBのスペクトルの上記の評価量Fの平方根F1/2である波長ずれ量Sλに、その軸上色収差量LCAを乗ずることによって、次のように波長ずれ量Sλに起因する投影光学系PLの像面のデフォーカス量DFを求めることができる。
DF=LCA×Sλ …(7)
従って、波長ずれ量Sλとデフォーカス量DFとの関係は図4(C)のように一意的に定まる。ただし、軸上色収差量LCAは、投影光学系PLの構成によって異なるため、投影光学系PLが異なると、波長ずれ量Sλとデフォーカス量DFとの関係は図4(C)の直線C1,C2,C3等のように異なった関係になる。直線C1は、軸上色収差CLAが約250nm/pmである場合に対応している。
従って、波長ずれ量Sλとデフォーカス量DFとの関係は図4(C)のように一意的に定まる。ただし、軸上色収差量LCAは、投影光学系PLの構成によって異なるため、投影光学系PLが異なると、波長ずれ量Sλとデフォーカス量DFとの関係は図4(C)の直線C1,C2,C3等のように異なった関係になる。直線C1は、軸上色収差CLAが約250nm/pmである場合に対応している。
また、図1のウエハステージWSTは、XYステージ14XYと、この上に搭載されたZステージ14Zと、Zステージ14Zの上部でウエハWを吸着保持するウエハホルダWHとを有する。XYステージ14は、不図示のウエハベースの上面(XY平面に平行な面)内で、Y方向へ一定速度で移動し、X方向、Y方向へステップ移動する。Zステージ14Zは、ウエハWのZ方向の位置(フォーカス位置)及びθx方向、θy方向の傾斜角を調整する機能を有する。また、XYステージ14の少なくともX方向、Y方向、θz方向の位置は、Zステージ14Zの側面の反射面(又は移動鏡)に計測用ビームを照射するレーザ干渉計54Wにより計測され、このレーザ干渉計54Wの計測値が主制御装置50に供給される。主制御装置50は、その計測値に基づいて、リニアモータ等の駆動系56を介してXYステージ14XYの位置及び速度を制御する。さらに、駆動系56は、不図示のオートフォーカスセンサで計測されるウエハWの表面の複数の計測点におけるフォーカス位置の情報に基づいて、ウエハWの表面が投影光学系PLの像面に合焦されるようにZステージ14Zを駆動する。
また、本実施形態の露光装置EXは液浸型であり、投影光学系PLの下端の光学部材の下面に配置される例えばリング状のノズルヘッド60と、露光光ILを透過する所定の液体Lq(純水等)の供給及び回収を行う液体供給回収装置62とを含む局所液浸機構によって、走査露光中に、投影光学系PLの先端の光学部材とウエハWとの間の局所的な液浸領域に液体Lqが供給される。その局所液浸機構としては、例えば米国特許出願公開第2007/242247号明細書等に開示されている液浸機構を使用できる。
また、Zステージ14Zには、レチクルRのアライメントマークの像の位置を検出するレチクルアライメント系(不図示)が設けられ、投影光学系PLの側面にウエハWのアライメントマークの位置を検出するウエハアライメント系(不図示)が設けられている。これらのレチクルアライメント系及びウエハアライメント系によってレチクルR及びウエハWのアライメントが行われる。
ウエハWの露光時には、主制御装置50の制御のもとで、レーザ光源16にレーザ光LBのパルス発光を行わせ、レーザ光LBよりなる露光光ILでレチクルRのパターンの一部の投影光学系PLによる像でウエハWの一つのショット領域を露光しつつ、レチクルステージRST及びウエハステージWSTを駆動して、レチクルRとウエハWとを投影倍率を速度比としてY方向に同期して移動することで、ウエハWの当該ショット領域が走査露光される。その後、レーザ光源16からのレーザ光LBの出力を停止させて、ウエハステージWSTを介してウエハWをX方向、Y方向にステップ移動する動作と、上記の走査露光とを繰り返すことで、ステップ・アンド・スキャン方式でウエハWの全部のショット領域にレチクルRのパターンの像が露光される。
この露光動作中には、レーザ光源16のレーザ制御装置16eの制御部から露光本体部10の光源制御系52を介して主制御装置50にレーザ光LBのスペクトルの情報が供給される。また、必要に応じて、分光計8によってレーザ光LBのスペクトルが計測される。以下、本実施形態のレーザ光源16の評価方法及び露光方法の一例につき図6のフローチャートを参照して説明する。この動作は主制御装置50によって制御される。
この場合、本実施形態の露光装置EXでは、一例として解像限界に近い線幅の孤立線(孤立ラインパターン)の像をウエハWに露光するものとする。また、その孤立線のウエハW上での像のベストフォーカス状態での線幅を65nmとして、ウエハWの表面のベストフォーカス位置からのデフォーカス量DFを変えた場合の、その孤立線の像の線幅であるCD(Critical Dimension)をiCDとする。そのデフォーカス量DFと孤立線の像の線幅iCD[nm]との関係は、一例として図5(A)のようになる。図5(A)の横軸はデフォーカス量DF[nm]、縦軸は線幅iCD[nm]であり、線幅iCDはデフォーカス量DFのほぼ二次関数である。図5(A)の関係は例えば投影光学系PLの結像性能に基づいてシミュレーションによって求められる。
なお、図5(A)の横軸のデフォーカス量DFと、レーザ光LBのスペクトルの広がりによる波長ずれ量Sλ(又は評価量Fの平方根F1/2)との関係は、図4(C)の直線C1等で規定されているため、図5(A)の関係は、図5(B)に示す、線幅iCD[nm]とレーザ光LBの波長ずれ量Sλ[pm]との関係と等価である。所定の係数a1,a2,a3を用いて、線幅iCDと波長ずれ量Sλ(又はF1/2)との関係はほぼ次の二次関数になる。
iCD=a1・(Sλ)2+a2・Sλ+a3 …(8)
また、図5(B)の曲線に沿った点b1〜b7は、図3の曲線B1〜B7のスペクトルに基づいて式(5B)及び式(6)から計算される波長ずれ量Sλ(又はF1/2)と線幅iCDとの関係を表している。
なお、図10は、比較例として、図3の曲線B1〜B7の95%エネルギー純度幅E95の値[pm]と、孤立線の像の線幅iCD[nm]との関係を示す。図10より、95%エネルギー純度幅E95の値が同じであっても、線幅iCDが異なる場合があることが分かる。同様に、半値全幅FWHMの値が同じであっても、線幅iCDが異なる場合がある。これより、半値全幅FWHM又は95%エネルギー純度幅E95では、レーザ光LBの実質的な波長ずれ量、及びこれに基づくデフォーカス量、ひいては結像性能を必ずしも正確に表すことができないことが分かる。
また、図5(B)の曲線に沿った点b1〜b7は、図3の曲線B1〜B7のスペクトルに基づいて式(5B)及び式(6)から計算される波長ずれ量Sλ(又はF1/2)と線幅iCDとの関係を表している。
なお、図10は、比較例として、図3の曲線B1〜B7の95%エネルギー純度幅E95の値[pm]と、孤立線の像の線幅iCD[nm]との関係を示す。図10より、95%エネルギー純度幅E95の値が同じであっても、線幅iCDが異なる場合があることが分かる。同様に、半値全幅FWHMの値が同じであっても、線幅iCDが異なる場合がある。これより、半値全幅FWHM又は95%エネルギー純度幅E95では、レーザ光LBの実質的な波長ずれ量、及びこれに基づくデフォーカス量、ひいては結像性能を必ずしも正確に表すことができないことが分かる。
次に、図6のステップ101において、主制御装置50は、レーザ光源16から出力されるレーザ光LBのスペクトル計測を行うかどうかを判定する。スペクトル計測は、例えば露光工程の間に定期的に実行される。スペクトル計測を行わない場合には動作はステップ110の露光工程に移行する。ステップ101でスペクトル計測を行うと判定された場合、ステップ102に移行して、主制御装置50は、可動ミラー6で反射されたレーザ光LBが分光計8に入射するように、可動ミラー6をレーザ光LBの光路上に切り替える。
次のステップ103において、光源制御系52を介してレーザ制御装置16eに発光トリガーパルスを供給することによって、レーザ光源16を発光させる。そして、露光本体部10側の分光計8によってレーザ光LBのスペクトル分布を計測させる。この計測された図2(A)のようなスペクトルの情報は演算装置53に供給される。また、ステップ103と実質的に並行して実行されるステップ104において、レーザ光源16側のビームモニタ機構16cのスペクトルモニタでもレーザ光LBのスペクトルを計測する。さらに、レーザ光源16側では、そのスペクトルモニタで基準光源16hからのレーザ光のスペクトルを計測し、絶対波長キャリブレーションによってレーザ光LBの中心波長λc’を求める。この中心波長λcの情報は、レーザ制御装置16eから光源制御系52及び主制御装置50を介して演算装置53に出力される。
次のステップ105において、演算装置53は、分光計8から供給されたスペクトル分布からレーザ光LBの中心波長λcを求める。なお、この中心波長λcがレーザ光源16で計測された中心波長λc’となるように、分光計8で計測されたスペクトルの波長にオフセットを加えてもよい。この場合、レーザ光LBの中心波長としてレーザ光源16側で計測された値を用いることを意味する。
次のステップ106において、演算装置53は、式(5A)、(5B)からスペクトル分布(レーザ光LB)の波長ずれの評価量Fを計算する。次のステップ107において、演算装置53は、計算された評価量Fから式(6)より波長ずれ量Sλを計算する。さらに、演算装置53は、計算された波長ずれ量Sλ及び投影光学系PLの既知の軸上色収差量LCAを用いて、式(7)から波長ずれ量Sλを投影光学系PLの像面のデフォーカス量DF(フォーカスオフセット)に換算する。
一例として、スペクトルの状態が図3の曲線B1で示すように、半値全幅FWHMが0.12pmで95%エネルギー純度幅E95が0.30pmの場合に相当するものとすると、評価量Fは約0.005pm2となり、式(6)から波長ずれ量Sλxは約0.07pmとなる。また、投影光学系PLの開口数NAが液浸時に1.30で、軸上色収差量LCAを約250nm/pmとすると、式(7)(図4(C)の直線C1)からデフォーカス量DFxは約18nmであることが分かる。
さらに、このデフォーカス量DFxを図5(A)の孤立線の像の線幅iCDとデフォーカス量DFとの既知の関係に当てはめることによって、レーザ光LBの波長ずれ量Sλに起因するデフォーカスによって変化した後の孤立線の像の線幅はiCDxであることが分かる。このデフォーカス量DFx及び線幅iCDの情報は主制御装置50に供給される。
次のステップ108において、主制御装置50は、一例としてレーザ光LBのスペクトルの波長ずれ量Sλ(評価量F)に起因する投影光学系PLの像のデフォーカス量DFx(フォーカスオフセット)を、Zステージ14ZによるウエハWのZ位置の制御誤差と比較する。一例として、主制御装置50は、レーザ光LBに起因するデフォーカス量DFxと、Zステージ14ZのZ位置の制御誤差との和が予め定められているデフォーカス量DFtになるように、Zステージ14Zの制御誤差を調整してもよい。その予め定められているデフォーカス量DFtは、例えばそのデフォーカス量DFtのときに、孤立線の像の線幅が目標値(例えば65nm)になるように、孤立線に対応するレチクルRのパターンの線幅が補正してあるものである。
次のステップ108において、主制御装置50は、一例としてレーザ光LBのスペクトルの波長ずれ量Sλ(評価量F)に起因する投影光学系PLの像のデフォーカス量DFx(フォーカスオフセット)を、Zステージ14ZによるウエハWのZ位置の制御誤差と比較する。一例として、主制御装置50は、レーザ光LBに起因するデフォーカス量DFxと、Zステージ14ZのZ位置の制御誤差との和が予め定められているデフォーカス量DFtになるように、Zステージ14Zの制御誤差を調整してもよい。その予め定められているデフォーカス量DFtは、例えばそのデフォーカス量DFtのときに、孤立線の像の線幅が目標値(例えば65nm)になるように、孤立線に対応するレチクルRのパターンの線幅が補正してあるものである。
その後、ステップ109で、可動ミラー6をレーザ光LBの光路外に退避させた後、ステップ110の露光工程に移行することによって、レーザ光LBのスペクトルに起因するデフォーカス量が存在しても、孤立線の像の線幅を目標値に近づけることができる。
また、孤立線ではなく、微細な線幅のライン・アンド・スペースパターン(L&Sパターン)の像の線幅を制御する場合にも、同様にレーザ光LBのスペクトルの評価量Fに基づく波長ずれ量Sλに起因するデフォーカス量DFを考慮することができる。この場合にも、L&Sパターンの像の線幅の制御精度を向上できる。
また、孤立線ではなく、微細な線幅のライン・アンド・スペースパターン(L&Sパターン)の像の線幅を制御する場合にも、同様にレーザ光LBのスペクトルの評価量Fに基づく波長ずれ量Sλに起因するデフォーカス量DFを考慮することができる。この場合にも、L&Sパターンの像の線幅の制御精度を向上できる。
また、露光工程中には、所定のタイミングでレーザ光源16から光源制御系52を介して主制御装置50に、レーザ光LBの中心波長λc、半値全幅FWHM、及び95%エネルギー純度幅E95の情報が供給される。これらの情報から主制御装置50は、例えばレーザ光源16の発振状態をモニタしてもよい。
本実施形態の効果等は以下の通りである。
本実施形態の効果等は以下の通りである。
(1)本実施形態のレーザ光LBを出力するレーザ光源16の評価方法は、露光本体部10側の分光計8でレーザ光LBのスペクトル分布を計測するステップ103と、計測されたそのスペクトル分布からレーザ光LBの中心波長λcを求めるステップ105と、そのスペクトル分布及び中心波長λcからレーザ光LBの波長オフセットの情報である式(3B)又は式(5B)の評価量Fを求めるステップ106と、を含んでいる。
また、本実施形態の露光装置EXの露光方法は、レーザ光源16からのレーザ光LBでレチクルRのパターンを照明し、レーザ光LBでそのパターン及び投影光学系PLを介してウエハW(基板)を露光する露光方法である。この露光方法は、分光計8でレーザ光LBのスペクトル分布を計測するステップ103と、そのスペクトル分布からレーザ光LBの中心波長λcを求めるステップ105と、そのスペクトル分布及び中心波長λcから評価量Fを求めるステップ106と、を含んでいる。
本実施形態によれば、レーザ光LBのスペクトル分布から求められる評価量Fは、レーザ光LBの実質的に全部のスペクトルの情報を考慮した波長オフセットの情報であり、評価量Fから例えば式(6)よりレーザ光LBの実質的な波長ずれ量Sλを求めることができる。従って、レーザ光源16を露光光源とする場合に、仮に投影光学系PLの軸上色収差LCAが分かっていれば、式(7)から露光パターンのデフォーカス量DF(投影光学系PLの像位置のオフセット量)を求めることができる。従って、評価量Fを用いることによって、レーザ光LBのスペクトルの状態の露光パターン又は投影光学系PLの結像性能に対する影響をより正確に評価できる。
さらに、その露光方法によれば、評価量Fによってレーザ光LBのスペクトルの状態が投影光学系PLの像位置のオフセットに与える影響を評価できるため、例えばその影響を補正することによって、露光精度(解像度、重ね合わせ精度等)を向上できる。
(2)また、分光計8は、回折格子を含む高精度の分光器であるため、レーザ光LBのスペクトルを高精度に評価できる。なお、分光計8(計測装置)としてエタロンを含む簡易型の分光器を使用してもよい。
(2)また、分光計8は、回折格子を含む高精度の分光器であるため、レーザ光LBのスペクトルを高精度に評価できる。なお、分光計8(計測装置)としてエタロンを含む簡易型の分光器を使用してもよい。
(3)また、本実施形態の露光装置EXは、レーザ光源16からのレーザ光LBでレチクルRのパターンを照明し、レーザ光LBでそのパターン及び投影光学系PLを介してウエハW(基板)を露光する露光装置である。この露光装置は、レーザ光LBのスペクトル分布を計測する可動ミラー6及び分光計8(計測装置)と、その計測されたスペクトル分布からレーザ光LBの中心波長λc、レーザ光LBの各波長λにおける中心波長λcからのずれ量δλと光強度I(λ)とに対応するレーザ光LBの式(3B)又は式(5B)の評価量F(波長オフセットの情報)を求める演算装置53と、を備えている。
この露光装置によれば、評価量Fによってレーザ光LBのスペクトルの状態が投影光学系PLの像位置のオフセットに与える影響を評価できるため、例えばその影響を補正することによって、露光精度(解像度、重ね合わせ精度等)を向上できる。
(4)また、露光装置EXの演算装置53は、レーザ光LBの評価量F(波長ずれ量Sλ)と投影光学系PLの軸上色収差LCA(色収差情報)とを用いて、露光パターンのデフォーカス量DF(投影光学系PLの像位置のオフセットの情報)を求めている。従って、評価量Fからレーザ光LBのスペクトルの投影光学系PLの結像性能に与える影響を容易に評価できる。
(4)また、露光装置EXの演算装置53は、レーザ光LBの評価量F(波長ずれ量Sλ)と投影光学系PLの軸上色収差LCA(色収差情報)とを用いて、露光パターンのデフォーカス量DF(投影光学系PLの像位置のオフセットの情報)を求めている。従って、評価量Fからレーザ光LBのスペクトルの投影光学系PLの結像性能に与える影響を容易に評価できる。
次に、本実施形態の露光装置EXを用いる露光工程において、累進焦点露光法(又はCDP露光法)を用いる場合につき、図7及び図8を参照して説明する。累進焦点露光法は、露光対象のレチクルRのパターンが例えばコンタクトホールのような孤立パターン又は複数の孤立パターンが近接して配置された孤立的なパターンである場合に、投影光学系PLの見かけ上の焦点深度(DOF)を深くするために使用される。
図7は、累進焦点露光法で露光を行う場合の図1の露光装置EXの要部の概略構成を示す。なお、図7では、局所液浸機構の図示を省略している。図7において、レチクルRとウエハWとを投影光学系PLに対してY方向に同期して走査する走査露光時に、ウエハWの表面は、投影光学系PLの像面BFPに対してθx方向に角度θpで傾斜した方向BPに走査される。これは、ウエハステージWSTのXYステージ14XYがY方向に移動するときに、Zステージ14Zの例えば3箇所のZ駆動部3A,3B,3CによるZ方向の駆動量を次第に増加(又は減少)することによって行われる。この場合、ウエハWの表面の各点は、投影光学系PLの露光領域をY方向に横切るときに、それぞれ像面BFPを中心としてZ方向の幅(以下、CDP振り幅という。)がZcdの範囲を移動する。従って、ウエハWの各点において、累進焦点露光法の効果が同様に得られる。
一例として、投影光学系PLの開口数NAを1.0(液浸時)として、露光光IL(レーザ光LB)の照明条件をコヒーレンスファクタ(σ値)が0.8の非偏光の通常照明とする。そして、6%透過ハーフトーン膜によって、理想状態でウエハWの表面に110nm角の孤立ホールパターンの像を形成できるパターンが形成されたレチクルRを用いて、CDP振り幅Zcdが0の条件(通常露光)で、ウエハWの表面に幅が100nmの孤立ホールパターンの像が形成されるように露光条件を設定する。この条件下で、シミュレーションによって、累進焦点露光法によってCDP振り幅Zcdを次第に大きくしながら、ウエハWの表面にその孤立ホールパターンの像を露光したときの、その像の幅であるCD(Critical Dimension)を計算した。
図8の曲線CAは、そのシミュレーションによって計算されたCDP振り幅Zcdと、孤立ホールパターンの像の幅であるCDとの関係を示している。図8の横軸はCDP振り幅Zcd[nm]、縦軸はその像の幅であるCD[nm]である。図8の曲線CAより、CDP振り幅Zcdが次第に増加すると、像の幅であるCDは次第に狭くなることが分かる。
この場合、図7の累進焦点露光法による露光時に、CDP振り幅Zcd内の各フォーカス誤差の重みは均一であるため、各フォーカス誤差の自乗和にその重みを掛けた総和の平方根をとった、等価フォーカスオフセットは、CDP振り幅Zcdを2×31/2で割った値となる。そこで、シミュレーションによって、通常の露光方法で、かつ次第にウエハWの表面をその等価フォーカスオフセットだけデフォーカスさせながら、ウエハWの表面にその孤立ホールパターンの像を露光したときのその像の幅を計算した結果が、図8の曲線CBである。
即ち、図8の曲線CBは、通常の露光方法でウエハWの表面をZcd/(2×31/2)だけデフォーカスさせて露光した場合の孤立ホールパターンの像の幅を示している。曲線CBは曲線CAとほぼ一致していることから、CDP振り幅Zcdに対応する等価フォーカスオフセットによって、十分な精度で、CDP振り幅Zcdの累進焦点露光法で露光する場合の孤立ホールパターンの像の幅のCDを推定できることが分かる。
なお、CDP振り幅Zcdは図8の所定の目標値(例えば200nm)に設定されるとともに、この場合の像の幅のCDの減少量を相殺するように、レチクルRのパターンの幅が広く設定されている。また、実際にはZステージ14Zの制御誤差によって、CDP振り幅Zcdはその目標値に対して所定の誤差をもって設定されるが、その誤差に起因する像の幅の誤差は、図8の等価フォーカスオフセットに基づいて計算された曲線CBから容易に推定できる。
このとき、さらに図6のステップ102〜108のレーザ光源16の評価動作によって、レーザ光源16から出力されるレーザ光LBのスペクトルの式(3B)又は式(5B)の評価量F、式(6)の波長ずれ量Sλ、及び式(7)の投影光学系PLの像面のデフォーカス量DFが求められているものとする。この場合には、図8のCDP振り幅Zcdの誤差に実質的にそのレーザ光LBのスペクトルに起因するデフォーカス量DFが加算されるため、このデフォーカス量DFも考慮してZステージ14Zの制御誤差を調整することによって、累進焦点露光法による露光精度を向上できる。
なお、上記のCDP振り幅Zcdの設定誤差の影響の計算は、上記の単純な振り幅の変化に限定されるものではない。例えばZステージ14Zの制御誤差によって、累進焦点露光法による露光時の各時刻におけるウエハWのフォーカス位置が、その目標値に対してランダムな値の誤差を持つときにも、各時刻のフォーカス誤差を計測して、そのフォーカス誤差の自乗和の平方根をその等価フォーカスオフセット(換算フォーカスオフセット)として、図8の曲線CBに対応する像の幅の変化を計算してもよい。
なお、上記の実施形態においては、次のような変形が可能である。
まず、図6(A)のステップ106において、演算装置53は、評価量Fを求めているが、演算装置53さらに評価量Fの平方根F1/2を計算してもよい。この場合には、式(6)からその平方根F1/2は波長ずれ量Sλそのものであるため、ステップ107において、演算装置53は、式(7)から直接にデフォーカス量DFを計算できる。
まず、図6(A)のステップ106において、演算装置53は、評価量Fを求めているが、演算装置53さらに評価量Fの平方根F1/2を計算してもよい。この場合には、式(6)からその平方根F1/2は波長ずれ量Sλそのものであるため、ステップ107において、演算装置53は、式(7)から直接にデフォーカス量DFを計算できる。
また、上記の実施形態では、レーザ光LBのスペクトルの波長オフセットの情報として、式(3B)又は式(5B)の評価量F(又はこの平方根)を求めている。この他にその波長オフセットの情報として、次式から、レーザ光LBのスペクトルの中心波長λcからの波長λのずれ量δλの絶対値と規格化された光強度I(λ)との積の積分値である評価量F’を計算してもよい。
なお、レーザ波長幅による評価量F1(デフォーカス換算量D1)及びCDPによる評価量F2(デフォーカス換算量D2)は独立に制御する必要はなく、例えばF1とF2との和(D1とD2との自乗和)が一定となるような制御を行ってもよい。この場合には、レーザ波長幅の変化が検出されたときには、そのF1の変化に応じてCDP振り幅を変化させ、F1とF2との和を一定に保てばよい。一方、実効的なCDP振り幅が変化した場合には、そのF2の変化に応じてレーザ波長幅を変化させてF1とF2との和を一定に保つことで、結果として、CDP方式の露光においても結像性能を一定に保つことができる。
次に、上記の実施形態の露光装置EX又は露光方法を用いて半導体デバイス(電子デバイス)を製造する場合、この半導体デバイスは、図9に示すように、デバイスの機能・性能設計を行うステップ221、この設計ステップに基づいてマスク(レチクル)を製作するステップ222、デバイスの基材である基板(ウエハ)を製造するステップ223、露光装置EXによりレチクルのパターンをレジストが塗布された基板(感光基板)に露光する工程、露光した基板を現像してレジストパターンを形成する工程、現像した基板の加熱(キュア)及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ224、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)225、並びに検査ステップ226等を経て製造される。
言い換えると、このデバイスの製造方法は、上記の実施形態の露光装置又は露光方法を用いて基板(ウエハ)上に感光層のパターンを形成することと、そのパターンが形成された基板を処理することとを含んでいる。このとき、その露光装置又は露光方法では、レーザ光LB(露光光)のスペクトルの結像性能に与える影響を正確に評価でき、結像性能を向上できるため、微細パターンを有するデバイスを高精度に製造できる。
なお、上記実施形態では、本発明がスキャニングステッパーよりなる走査型露光装置に適用された場合について説明したが、これに限らず、本発明は、ステッパー等の一括露光型の露光装置にも好適に適用できる。また、本発明は、ドライ露光型の露光装置にも適用できる。
また、本発明は、半導体デバイスの製造プロセスへの適用に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置の製造プロセスや、撮像素子(CCD等)、マイクロマシーン、MEMS(Microelectromechanical Systems:微小電気機械システム)、薄膜磁気ヘッド、及びDNAチップ等の各種デバイスの製造プロセスにも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク(フォトマスク、レチクル等)をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の、製造工程にも適用することができる。
また、本発明は、半導体デバイスの製造プロセスへの適用に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置の製造プロセスや、撮像素子(CCD等)、マイクロマシーン、MEMS(Microelectromechanical Systems:微小電気機械システム)、薄膜磁気ヘッド、及びDNAチップ等の各種デバイスの製造プロセスにも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク(フォトマスク、レチクル等)をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の、製造工程にも適用することができる。
このように、本発明は上述の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
EX…露光装置、PL…投影光学系、8…分光計、10…露光本体部、12…照明光学系、16…レーザ光源、16c…ビームモニタ機構、16e…レーザ制御装置、50…主制御装置、53…演算装置
Claims (19)
- レーザ光を出力するレーザ光源の評価方法において、
前記レーザ光のスペクトル情報を計測することと、
計測された前記スペクトル情報から前記レーザ光の中心波長の情報を求めることと、
前記スペクトル情報及び前記中心波長から前記レーザ光の各波長における前記中心波長からのずれ量と光強度とに対応する前記レーザ光の波長オフセットの情報を求めることと、
を含むことを特徴とするレーザ光源の評価方法。 - 前記レーザ光の波長λにおける前記中心波長からのずれ量をδλ、波長λにおける前記レーザ光の規格化された光強度をI(λ)として、前記レーザ光の波長オフセットの情報は、光強度I(λ)の値が有効な波長範囲における次の積分で計算される評価量Fに関する情報であることを特徴とする請求項1に記載のレーザ光源の評価方法。
F=∫δλ2×I(λ)dλ - 前記波長オフセットの情報はF1/2を含む情報であることを特徴とする請求項2に記載のレーザ光源の評価方法。
- レーザ光源からのレーザ光でパターンを照明し、前記レーザ光で前記パターン及び投影光学系を介して基板を露光する露光方法において、
前記レーザ光源を請求項1〜3のいずれか一項に記載のレーザ光源の評価方法で評価することを含むことを特徴とする露光方法。 - 前記レーザ光の中心波長及び波長オフセットの情報と、前記投影光学系の色収差情報とを用いて、前記投影光学系の像位置のオフセットの情報を求めることを含むことを特徴とする請求項4に記載の露光方法。
- 前記基板を移動するステージの前記投影光学系の光軸方向の位置の制御誤差と、前記像位置のオフセットとを比較することを含むことを特徴とする請求項5に記載の露光方法。
- 前記基板を露光する際に、前記基板を前記投影光学系の像面に対して傾斜した面に沿って移動するとともに、
前記基板の各点が前記投影光学系の露光領域を横切る際の前記各点の前記投影光学系の光軸方向の移動量を前記投影光学系の像位置の等価的なオフセットに換算することを含むことを特徴とする請求項5又は6に記載の露光方法。 - レーザ光源からのレーザ光でパターンを照明し、前記レーザ光で前記パターン及び投影光学系を介して基板を露光する露光方法において、
前記レーザ光のスペクトル情報を計測することと、
計測された前記スペクトル情報から前記レーザ光の中心波長の情報を求めることと、
前記スペクトル情報及び前記中心波長から前記レーザ光の各波長における前記中心波長からのずれ量と光強度とに対応する前記レーザ光の波長オフセットの情報を求めることと、
を含むことを特徴とする露光方法。 - 前記レーザ光の波長λにおける前記中心波長からのずれ量をδλ、波長λにおける前記レーザ光の規格化された光強度をI(λ)として、前記レーザ光の波長オフセットの情報は、光強度I(λ)の値が有効な波長範囲における次の積分で計算される評価量Fに関する情報であることを特徴とする請求項8に記載の露光方法。
F=∫δλ2×I(λ)dλ - 前記波長オフセットの情報はF1/2を含む情報であることを特徴とする請求項9に記載の露光方法。
- 請求項4〜10のいずれか一項に記載の露光方法を用いて、基板に感光層のパターンを形成することと、
前記パターンが形成された前記基板を処理することと、を含むデバイス製造方法。 - レーザ光源からのレーザ光でパターンを照明し、前記レーザ光で前記パターン及び投影光学系を介して基板を露光する露光装置において、
前記レーザ光のスペクトル情報を計測する計測装置と、
計測された前記スペクトル情報から前記レーザ光の中心波長、及び前記レーザ光の各波長における前記中心波長からのずれ量と光強度とに対応する前記レーザ光の波長オフセットの情報を求める演算装置と、
を備えることを特徴とする露光装置。 - 前記レーザ光の波長λにおける前記中心波長からのずれ量をδλ、波長λにおける前記レーザ光の規格化された光強度をI(λ)として、前記レーザ光の波長オフセットの情報は、光強度I(λ)の値が有効な波長範囲における次の積分で計算される評価量Fに関する情報であることを特徴とする請求項12に記載の露光装置。
F=∫δλ2×I(λ)dλ - 前記波長オフセットの情報はF1/2を含む情報であることを特徴とする請求項13に記載の露光装置。
- 前記演算装置は、前記レーザ光の中心波長及び波長オフセットの情報と、前記投影光学系の色収差情報とを用いて、前記投影光学系の像位置のオフセットの情報を求めることを特徴とする請求項12〜14のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記計測装置は、回折格子を含むことを特徴とする請求項12〜15のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記基板を移動するステージと、
前記ステージの前記投影光学系の光軸方向の位置の制御誤差と、前記像位置のオフセットとを比較する制御装置とを備えることを特徴とする請求項15に記載の露光装置。 - 前記ステージは、前記基板を露光する際に、前記基板を前記投影光学系の像面に対して傾斜した面に沿って移動するとともに、
前記演算装置は、前記基板の各点が前記投影光学系の露光領域を横切る際の前記各点の前記投影光学系の光軸方向の移動量を前記投影光学系の像位置の等価的なオフセットに換算することを特徴とする請求項17に記載の露光装置。 - 請求項12〜18のいずれか一項に記載の露光装置を用いて、基板に感光層のパターンを形成することと、
前記パターンが形成された前記基板を処理することと、を含むデバイス製造方法。
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JP2010034143A JP2011171521A (ja) | 2010-02-18 | 2010-02-18 | レーザ光源の評価方法、並びに露光方法及び装置 |
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2010
- 2010-02-18 JP JP2010034143A patent/JP2011171521A/ja not_active Withdrawn
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