JP2011157226A - Silicon recovery system and silicon recovery method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To recover a silicon sludge having a high content of pure silicon. <P>SOLUTION: A silicon recovery system is structured by using a resin-made or stainless steel pipe to circulate waste water accompanying polishing and/or grinding of a crystal silicon, and disposing a sludge adsorption apparatus to adsorb a silicon sludge to a membrane element immersed in the waste water in a storage tank to store the circulated waste water, and a sludge drying apparatus to dry the adsorbed silicon sludge to obtain dried silicon sludge, wherein the amount of the waste water per unit time circulated in the pipe and the amount of waste water per unit time treated in the sludge adsorption apparatus are determined so that the residence time in which the silicon stays in the state of being contacted with water is made equal to or less than an upper-limit time calculated based on an oxidation coefficient indicating the time change rate of the oxygen concentration in the silicon in such a state and a target value of the oxygen concentration in the silicon recovered. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

この発明は、シリコンを含んだ排水からシリコンを回収するシリコン回収システム、シリコン回収方法、回収物および回収物の化合物に関する。   The present invention relates to a silicon recovery system for recovering silicon from wastewater containing silicon, a silicon recovery method, a recovered material, and a compound of the recovered material.

従来、シリコンインゴットやシリコンウェハを加工する工場では、シリコンの研磨や研削に伴って大量のシリコン汚泥を排出している。そして、近年のエコロジー機運の高まりもあり、かかるシリコン汚泥の再利用について種々検討されている。   Conventionally, in a factory for processing silicon ingots and silicon wafers, a large amount of silicon sludge is discharged along with polishing and grinding of silicon. With the recent increase in ecological momentum, various studies have been conducted on the reuse of such silicon sludge.

たとえば、特許文献1には、シリコン屑を含んだ排水のpH値を調整したうえで、調整後の排水をフィルタに通過させてシリコン屑を回収する技術が開示されている。そして、特許文献1には、回収したシリコン屑を溶融させてインゴットとして再利用したり、セメントやコンクリートの材料として再利用したりする旨が記載されている。   For example, Patent Document 1 discloses a technology for collecting silicon waste by adjusting the pH value of waste water containing silicon waste and passing the adjusted waste water through a filter. Patent Document 1 describes that the collected silicon waste is melted and reused as an ingot or reused as a material for cement or concrete.

特許第3773823号公報Japanese Patent No. 3773823

しかしながら、特許文献1の技術では、pH調整剤を排水へ注入するため、回収される回収物にpH調整剤の成分が含まれてしまうおそれがある。また、排水中に含まれるピュアシリコン(Si)が化合物へ変成することを促進してしまうおそれもある。このため、特許文献1の技術には、回収物に含まれるピュアシリコン(Si)の比率が低くなってしまうという問題があった。   However, in the technique of Patent Document 1, since the pH adjusting agent is injected into the waste water, there is a possibility that the recovered material to be collected may contain a component of the pH adjusting agent. Moreover, there is a possibility that pure silicon (Si) contained in the waste water is promoted to be transformed into a compound. For this reason, the technique of Patent Document 1 has a problem that the ratio of pure silicon (Si) contained in the recovered material is low.

そして、特許文献1の技術を用いた場合には、回収物に含まれるピュアシリコン(Si)の比率を高めるために回収後の後処理が必要となり、再利用するためのコストが高くつくという問題もあった。すなわち、回収物に含まれるピュアシリコンの比率が高いほど再利用価値が高いためピュアシリコンの含有率が高いほど好ましいが、コストをかけすぎると採算をとることが困難となってしまう。   And when the technique of patent document 1 is used, the post-processing after collection | recovery is needed in order to raise the ratio of the pure silicon (Si) contained in a collection | recovery thing, and the cost for the reuse increases. There was also. That is, the higher the ratio of pure silicon contained in the recovered material, the higher the reuse value, and thus the higher the pure silicon content, the better. However, if the cost is excessive, it becomes difficult to make a profit.

ところで、特許文献1の回収物をはじめとするシリコン汚泥は、脱水工程を経たとしても含水率が60%程度であることが知られている。このため、回収したシリコン汚泥は容積が大きく運搬コストが高くつくという問題もあった。   By the way, it is known that the silicon sludge including the recovered material of Patent Document 1 has a moisture content of about 60% even after a dehydration step. For this reason, the recovered silicon sludge has a problem that the volume is large and the transportation cost is high.

これらのことから、ピュアシリコンの含有率が高いシリコン汚泥をいかにして回収するかが大きな課題となっている。   For these reasons, how to recover silicon sludge having a high pure silicon content is a major issue.

本発明は、上述した従来技術による問題点を解消するためになされたものであって、ピュアシリコンの含有率が高い回収物を回収することができるシリコン回収システム、シリコン回収方法、回収される回収物および回収物の化合物を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems caused by the prior art, and is a silicon recovery system, a silicon recovery method, and a recovered recovery that can recover a recovered material having a high pure silicon content. It is an object to provide a product and a compound of a recovered product.

上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明は、シリコンを含んだ排水からシリコンを回収するシリコン回収システムであって、結晶シリコンの研磨および/または研削に伴う排水を流通させる流通手段と、前記流通手段によって流通される排水を貯留する貯留槽内の排水に浸漬した膜エレメントへシリコン汚泥を吸着させる汚泥吸着手段と、前記汚泥吸着手段によって吸着されたシリコン汚泥を乾燥させることによって乾燥シリコン汚泥を得る汚泥乾燥手段とを備え、シリコンが水と接した状態で留まる滞留時間が、前記状態のシリコンにおける酸素濃度の時間変化率を示す酸化係数および回収されるシリコンにおける前記酸素濃度の目標値に基づいて算出される上限時間以下となるように、前記流通手段によって流通される単位時間あたりの排水の量および前記汚泥吸着手段によって処理される単位時間あたりの排水の量を決定したことを特徴とする。   In order to solve the above-described problems and achieve the object, the present invention is a silicon recovery system for recovering silicon from waste water containing silicon, and distributes the waste water accompanying polishing and / or grinding of crystalline silicon. A sludge adsorbing means for adsorbing silicon sludge to a membrane element immersed in drainage in a storage tank for storing drainage circulated by the distribution means, and drying by drying the silicon sludge adsorbed by the sludge adsorbing means A sludge drying means for obtaining silicon sludge, and the residence time during which the silicon stays in contact with water is an oxidation coefficient indicating a time change rate of the oxygen concentration in the silicon in the state and a target of the oxygen concentration in the recovered silicon Units distributed by the distribution means so as to be less than or equal to the upper limit time calculated based on the value And wherein the determining the amount of waste water per unit time to be processed by the waste water quantity and the sludge suction unit somewhere between.

また、本発明は、上記の発明において、前記流通手段は、樹脂製またはステンレス製の配管であることを特徴とする。   Moreover, the present invention is characterized in that, in the above-mentioned invention, the distribution means is a pipe made of resin or stainless steel.

また、本発明は、上記の発明において、前記汚泥吸着手段の上流側に設けられ、排水を濃縮する濃縮手段をさらに備え、前記流通手段は、前記濃縮手段の上流側および下流側にそれぞれ設けられており、前記汚泥吸着手段は、前記濃縮手段によって濃縮された排水を前記流通手段経由で受け取ることを特徴とする。   Further, the present invention is the above invention, further provided with a concentration means for concentrating waste water provided upstream of the sludge adsorption means, wherein the circulation means are provided respectively upstream and downstream of the concentration means. The sludge adsorption means receives the waste water concentrated by the concentration means via the distribution means.

また、本発明は、上記の発明において、前記汚泥吸着手段は、上流側からみて並列に設けられることを特徴とする。   Further, the present invention is characterized in that, in the above invention, the sludge adsorbing means is provided in parallel as viewed from the upstream side.

また、本発明は、上記の発明において、前記汚泥乾燥手段は、前記シリコン汚泥を乾燥させることによって含水率が30%以下の前記乾燥シリコン汚泥を得ることを特徴とする。   Further, the present invention is characterized in that, in the above invention, the sludge drying means obtains the dry silicon sludge having a moisture content of 30% or less by drying the silicon sludge.

また、本発明は、上記の発明において、前記滞留時間の終点は、前記乾燥シリコン汚泥の含水率が30%となった時点であることを特徴とする。   Further, the present invention is characterized in that, in the above-mentioned invention, the end point of the residence time is a time point when the moisture content of the dry silicon sludge becomes 30%.

また、本発明は、上記の発明において、前記上限時間は、100時間以下であることを特徴とする。   Further, the present invention is characterized in that, in the above-mentioned invention, the upper limit time is 100 hours or less.

また、本発明は、上記の発明において、前記酸化係数は、前記流通手段によって流通される排水に含まれるシリコンの粒度に基づいて求められるものであって、前記上限時間は、前記目標値を前記酸化係数で除することによって算出されることを特徴とする。   Further, the present invention is the above invention, wherein the oxidation coefficient is obtained based on a particle size of silicon contained in the wastewater circulated by the circulation means, and the upper limit time is the target value It is calculated by dividing by an oxidation coefficient.

また、本発明は、シリコンを含んだ排水からシリコンを回収するシリコン回収方法であって、結晶シリコンの研磨および/または研削に伴う排水のみを流通させる流通工程と、前記流通工程によって流通される排水を貯留する貯留槽を用い、前記貯留槽内の排水に浸漬した膜エレメントへシリコン汚泥を吸着させる汚泥吸着工程と、前記汚泥吸着工程によって吸着されたシリコン汚泥を乾燥させることによって乾燥シリコン汚泥を得る汚泥乾燥工程とを含んでおり、シリコンが水と接した状態で留まる滞留時間が、前記状態のシリコンにおける酸素濃度の時間変化率を示す酸化係数および回収されるシリコンにおける前記酸素濃度の目標値に基づいて算出される上限時間以下となるように、前記流通工程によって流通される単位時間あたりの排水の量および前記汚泥吸着工程によって処理される単位時間あたりの排水の量を決定したことを特徴とする。   The present invention also relates to a silicon recovery method for recovering silicon from waste water containing silicon, the distribution step for distributing only the waste water accompanying polishing and / or grinding of crystalline silicon, and the waste water distributed by the distribution step. A sludge adsorption step for adsorbing silicon sludge to a membrane element immersed in the waste water in the storage tank, and drying silicon sludge adsorbed by the sludge adsorption step to obtain dry silicon sludge Sludge drying step, and the residence time in which the silicon stays in contact with water is an oxidation coefficient indicating a time change rate of the oxygen concentration in the silicon in the state and a target value of the oxygen concentration in the recovered silicon. Per unit time distributed by the distribution process so as to be less than or equal to the upper limit time calculated based on And wherein the determining the amount of waste water per unit time to be processed by the amount and the sludge adsorption step of water.

また、本発明は、上記の発明において回収される回収物であることを特徴とする。   The present invention is also characterized in that it is a recovered material recovered in the above invention.

また、本発明は、上記の発明において回収される回収物の化合物であることを特徴とする。   The present invention is also characterized in that it is a compound of the recovered product recovered in the above invention.

本発明によれば、結晶シリコンの研磨および/または研削に伴う排水を流通させる流通手段と、流通手段によって流通される排水を貯留する貯留槽内の排水に浸漬した膜エレメントへシリコン汚泥を吸着させる汚泥吸着手段と、汚泥吸着手段によって吸着されたシリコン汚泥を乾燥させることによって乾燥シリコン汚泥を得る汚泥乾燥手段とを備え、シリコンが水と接した状態で留まる滞留時間が、かかる状態のシリコンにおける酸素濃度の時間変化率を示す酸化係数および回収されるシリコンにおける酸素濃度の目標値に基づいて算出される上限時間以下となるように、流通手段によって流通される単位時間あたりの排水の量および汚泥吸着手段によって処理される単位時間あたりの排水の量を決定することとしたので、ピュアシリコンに由来するシリコン屑を含んだ排水のみを回収対象とすることで、回収物のシリコン濃度を高めることができるとともに、滞留時間を制限することによって排水に含まれるシリコンの酸化を防止することができるという効果を奏する。これにより、ピュアシリコンの含有率が高い回収物を回収することができるという効果を奏する。   According to the present invention, the silicon sludge is adsorbed to the distribution means for distributing the wastewater accompanying the polishing and / or grinding of the crystalline silicon, and the membrane element immersed in the wastewater in the storage tank for storing the wastewater distributed by the distribution means. The sludge adsorbing means and the sludge drying means for obtaining dry silicon sludge by drying the silicon sludge adsorbed by the sludge adsorbing means, and the residence time in which the silicon stays in contact with water, the oxygen in the silicon in such a state The amount of wastewater per unit time circulated by the circulation means and sludge adsorption so as to be less than the upper limit time calculated based on the oxidation coefficient indicating the rate of change in concentration over time and the target value of oxygen concentration in the recovered silicon Since we decided to determine the amount of wastewater per unit time processed by the means, By collecting only the wastewater containing the coming silicon waste, it is possible to increase the silicon concentration of the recovered material, and it is possible to prevent the oxidation of silicon contained in the wastewater by limiting the residence time. There is an effect. Thereby, there exists an effect that the collection | recovery with a high content rate of pure silicon can be collect | recovered.

また、本発明によれば、流通手段は、樹脂製またはステンレス製の配管であることとしたので、配管の成分に由来する物質が排水を汚染することを防止することができるという効果を奏する。これにより、不純物の含有率が低い回収物を回収することができるという効果を奏する。   In addition, according to the present invention, since the distribution means is a pipe made of resin or stainless steel, there is an effect that substances derived from the components of the pipe can be prevented from contaminating the waste water. Thereby, there exists an effect that the collection | recovery with a low content rate of an impurity can be collect | recovered.

また、本発明によれば、汚泥吸着手段の上流側に設けられ、排水を濃縮する濃縮手段をさらに備え、流通手段は、濃縮手段の上流側および下流側にそれぞれ設けられており、汚泥吸着手段は、濃縮手段によって濃縮された排水を流通手段経由で受け取ることとしたので、汚泥吸着手段による吸着効率を高めて汚泥吸着工程に要する時間を短縮することができるので、排水に含まれるシリコンの酸化を防止することができるという効果を奏する。   In addition, according to the present invention, the apparatus further includes a concentration unit that is provided on the upstream side of the sludge adsorbing unit, and concentrates the waste water, and the distribution unit is provided on the upstream side and the downstream side of the concentration unit, respectively. Since the wastewater concentrated by the concentration means is received via the distribution means, the adsorption efficiency by the sludge adsorption means can be increased and the time required for the sludge adsorption process can be shortened, so the oxidation of silicon contained in the wastewater can be reduced. There is an effect that can be prevented.

また、本発明によれば、汚泥吸着手段は、上流側からみて並列に設けられることとしたので、汚泥吸着工程における処理能力と排水の発生量とのバランスを容易にとることができるという効果を奏する。これにより、排水に含まれるシリコンの滞留を防止し、排水に含まれるシリコンの酸化を防止することができるという効果を奏する。   Further, according to the present invention, since the sludge adsorbing means is provided in parallel when viewed from the upstream side, it is possible to easily balance the treatment capacity in the sludge adsorption process and the amount of generated wastewater. Play. Thereby, it is possible to prevent the silicon contained in the waste water from staying and prevent the silicon contained in the waste water from being oxidized.

また、本発明によれば、汚泥乾燥手段は、シリコン汚泥を乾燥させることによって含水率が30%以下の乾燥シリコン汚泥を得ることとしたので、シリコン汚泥内でシリコンが酸化されることを防止することができるという効果を奏する。   According to the present invention, since the sludge drying means obtains dry silicon sludge having a moisture content of 30% or less by drying the silicon sludge, silicon is prevented from being oxidized in the silicon sludge. There is an effect that can be.

また、本発明によれば、滞留時間の終点は、乾燥シリコン汚泥の含水率が30%となった時点であることとしたので、シリコンの酸化を停止させることで、回収物におけるピュアシリコンの含有率を高めることができるという効果を奏する。   Further, according to the present invention, since the end point of the residence time is the time when the moisture content of the dry silicon sludge becomes 30%, the content of pure silicon in the recovered material is stopped by stopping the oxidation of silicon. There is an effect that the rate can be increased.

また、本発明によれば、上限時間は、100時間以下であることとしたので、排水に含まれるシリコンを効率良く回収することができるという効果を奏する。   According to the present invention, since the upper limit time is 100 hours or less, there is an effect that silicon contained in the waste water can be efficiently recovered.

また、本発明によれば、酸化係数は、流通される排水に含まれるシリコンの粒度に基づいて求められるものであって、上限時間は、目標値を酸化係数で除することによって算出されることとしたので、回収物におけるピュアシリコンの含有率の目標値に応じて柔軟な運用を行うことができるという効果を奏する。   Further, according to the present invention, the oxidation coefficient is obtained based on the particle size of silicon contained in the circulated waste water, and the upper limit time is calculated by dividing the target value by the oxidation coefficient. As a result, there is an effect that flexible operation can be performed according to the target value of the content of pure silicon in the collected material.

図1は、本実施例に係るシリコン回収システムの概要を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an outline of a silicon recovery system according to the present embodiment. 図2は、シリコン回収システムの構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the silicon recovery system. 図3は、酸化係数の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of the oxidation coefficient. 図4は、滞留時間の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of the residence time. 図5は、膜エレメントの構成を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing the configuration of the membrane element. 図6は、膜モジュールの構成例を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration example of the membrane module. 図7は、汚泥吸着装置が実行する各工程を示す図である。FIG. 7 is a diagram illustrating each process executed by the sludge adsorption device. 図8は、汚泥吸着装置および汚泥乾燥装置の概観図である。FIG. 8 is an overview of the sludge adsorption device and the sludge drying device. 図9は、従来技術に係るシリコン回収システムの概要を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing an outline of a silicon recovery system according to the prior art.

以下に添付図面を参照して、本発明に係るシリコン回収システム、シリコン回収方法、回収物および回収物の化合物についての実施例を詳細に説明する。   Exemplary embodiments of a silicon recovery system, a silicon recovery method, a recovered material, and a compound of the recovered material according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.

なお、以下では、従来技術に係るシリコン回収システムについて図9を用いて説明した後に、本発明に係るシリコン回収手法を適用したシリコン回収システムの実施例について図1〜図8を用いて説明することとする。   In the following, the silicon recovery system according to the prior art will be described with reference to FIG. 9, and then an embodiment of the silicon recovery system to which the silicon recovery method according to the present invention is applied will be described with reference to FIGS. And

まず、従来技術に係るシリコン回収システムの概要について図9を用いて説明する。図9は、従来技術に係るシリコン回収システムの概要を示す図である。同図に示すように、従来技術に係るシリコン回収システム300は、BSG(バックサイドグラインダ)装置101、D/S(ダイシング/ソー)装置102、冷却塔201、純水製造装置202、PKG(パッケージ)ダイシング203といった各種装置から排出される排水をまとめて収集し、収集した排水からシリコン汚泥(以下、単に「汚泥」と記載する場合もある)を回収していた。   First, an outline of a silicon recovery system according to the prior art will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a diagram showing an outline of a silicon recovery system according to the prior art. As shown in the figure, a silicon recovery system 300 according to the prior art includes a BSG (backside grinder) apparatus 101, a D / S (dicing / saw) apparatus 102, a cooling tower 201, a pure water production apparatus 202, and a PKG (package). ) Collected wastewater discharged from various devices such as dicing 203 and collected silicon sludge (hereinafter sometimes simply referred to as “sludge”) from the collected wastewater.

ここで、BSG装置101は、ピュアシリコン(たとえば、純度イレブン・ナインの単結晶シリコン)のインゴットをスライスしたウェハを研磨して所望の厚みのウェハへ加工する装置であり、D/S装置102は、厚み調整後のウェハを研削して矩形状に切り分ける装置である。   Here, the BSG apparatus 101 is an apparatus that polishes a wafer obtained by slicing an ingot of pure silicon (for example, single-crystal silicon having a purity of 11 and 9) and processes the wafer into a wafer having a desired thickness, and the D / S apparatus 102 This is an apparatus for grinding the wafer after thickness adjustment and cutting it into a rectangular shape.

そして、BSG装置101およびD/S装置102から排出された排水は、濃縮装置301へ導かれ、フィルタリングによって純水を回収するとともに、濃縮された排水が調整槽302へ排出される。   Then, the waste water discharged from the BSG device 101 and the D / S device 102 is guided to the concentration device 301 to collect pure water by filtering, and the concentrated waste water is discharged to the adjustment tank 302.

また、かかる調整槽302には、冷却塔201や純水製造装置202、PKGダイシング203といった各種装置からの排水も収集される。なお、PKGダイシング203とは、ウェハを樹脂等で封止したパッケージを切り分ける装置である。   In addition, wastewater from various apparatuses such as the cooling tower 201, the pure water production apparatus 202, and the PKG dicing 203 is also collected in the adjustment tank 302. Note that the PKG dicing 203 is an apparatus for cutting a package in which a wafer is sealed with a resin or the like.

そして、調整槽302に蓄えられた排水は、排水処理施設303へ導かれ、PAC(ポリ塩化アルミニウム:Poly Aluminum Chloride)などの凝集剤が添加される。   And the waste_water | drain stored in the adjustment tank 302 is guide | induced to the waste water treatment facility 303, and flocculants, such as PAC (Poly Aluminum Chloride: Poly Aluminum Chloride), are added.

かかる凝集剤の添加によって、排水中に含まれるシリコン屑などの成分は沈殿物として排水から分離される。このようにして得られた沈殿物は、脱水機304へと導かれ、脱水工程を経て最終的な回収物である汚泥(シリコン汚泥)が得られていた。   By adding such a flocculant, components such as silicon waste contained in the wastewater are separated from the wastewater as precipitates. The precipitate thus obtained was led to the dehydrator 304, and sludge (silicon sludge) as the final recovered product was obtained through the dehydration process.

なお、排水処理施設303に集められた排水の一部は、調整槽302へ逆送されることが一般的であった。このため、排水中に含まれるシリコン屑は、数日程度のスパンでシリコン回収システム300内に滞留していた。   Note that a part of the wastewater collected in the wastewater treatment facility 303 is generally sent back to the adjustment tank 302. For this reason, the silicon waste contained in the waste water stayed in the silicon recovery system 300 with a span of several days.

このように、従来技術に係るシリコン回収システム300では、ピュアシリコンに由来するシリコン屑以外の物質(たとえば、凝集剤に由来する物質や、冷却塔201、純水製造装置202、PKGダイシング203に由来する物質)が排水に含まれていたため、回収される汚泥に含まれるピュアシリコンの含有率は概ね55%程度に留まっていた。   As described above, in the silicon recovery system 300 according to the related art, a substance other than silicon scrap derived from pure silicon (for example, a substance derived from a flocculant, a cooling tower 201, a pure water production apparatus 202, and a PKG dicing 203 is derived. Therefore, the content of pure silicon contained in the recovered sludge remained at about 55%.

このように、従来技術に係るシリコン回収システム300によって得られる汚泥は、利用価値が低いという問題があった。   Thus, the sludge obtained by the silicon recovery system 300 according to the prior art has a problem that the utility value is low.

また、従来技術に係るシリコン回収システム300では、排水に含まれるシリコン屑が調整槽302や排水処理施設303で長期間にわたって滞留するため、シリコン屑の酸化が進んでしまい、回収汚泥におけるピュアシリコンの含有率を低める一因となっていた。さらに、従来技術に係るシリコン回収システム300によって得られる汚泥は、含水率が60%程度であり、汚泥の運搬コストがかさむという問題もあった。   Further, in the silicon recovery system 300 according to the prior art, silicon waste contained in the wastewater stays in the adjustment tank 302 and the wastewater treatment facility 303 for a long period of time, so that the oxidation of the silicon waste progresses and pure silicon in the recovered sludge It contributed to lowering the content rate. Further, the sludge obtained by the silicon recovery system 300 according to the prior art has a moisture content of about 60%, and there is a problem that the sludge transportation cost is increased.

そこで、本発明に係るシリコン回収手法では、以下に示す2つの観点からあらたな汚泥回収手法を構築した。すなわち、1つめの観点は、純シリコンに由来するシリコン屑以外の物質による排水の汚染(コンタミネーション:以下、単に「コンタミ」と記載する)を防止するという観点である(コンタミ防止)。   Therefore, in the silicon recovery method according to the present invention, a new sludge recovery method was constructed from the following two viewpoints. That is, the first point of view is to prevent wastewater contamination (contamination: hereinafter simply referred to as “contamination”) from substances other than silicon scrap derived from pure silicon (contamination prevention).

そして、2つめの観点は、排水中のシリコン屑の酸化を防止するという観点である(酸化防止)。これにより、本発明に係るシリコン回収手法によれば、回収汚泥に含まれるピュアシリコンの含有率を概ね99%以上とすることに成功した。   And the 2nd viewpoint is a viewpoint of preventing the oxidation of the silicon | silicone waste in waste_water | drain (antioxidation). Thereby, according to the silicon | silicone collection | recovery method which concerns on this invention, it succeeded in making the content rate of the pure silicon contained in collection | recovery sludge substantially 99% or more.

以下では、本発明に係るシリコン回収手法の具体的な内容について説明する。   Hereinafter, specific contents of the silicon recovery method according to the present invention will be described.

図1は、本実施例に係るシリコン回収システムの概要を示す図である。なお、同図においては、従来技術に係るシリコン回収システム300の説明に用いた図9と同一の構成要素には同一の符号を付している。   FIG. 1 is a diagram showing an outline of a silicon recovery system according to the present embodiment. In the figure, the same components as those in FIG. 9 used for explaining the silicon recovery system 300 according to the prior art are denoted by the same reference numerals.

図1に示すように、本実施例に係るシリコン回収システム1は、ピュアシリコンを加工する装置(同図では、BSG装置101およびD/S装置102)から排出される排水(同図に示す「排水A」)のみを受け入れ、受け入れた排水の濃縮工程、汚泥吸着工程および汚泥乾燥工程を経て、シリコン汚泥(同図に示す「汚泥A」)を得ることとした。   As shown in FIG. 1, the silicon recovery system 1 according to the present embodiment is configured to discharge wastewater (a BSG device 101 and a D / S device 102 in FIG. 1) that processes pure silicon (“ Only the wastewater A ") was accepted, and the silicon sludge (" sludge A "shown in the figure) was obtained through the accepted wastewater concentration process, sludge adsorption process and sludge drying process.

具体的には、シリコン回収システム1は、配管10と、濃縮装置20と、汚泥吸着乾燥装置30とを備えている。ここで、配管10は、たとえば、ポリ塩化ビニル(PVC:Polyvinyl Chloride)などの樹脂製あるいはステンレス製の流路である。   Specifically, the silicon recovery system 1 includes a pipe 10, a concentration device 20, and a sludge adsorption / drying device 30. Here, the pipe 10 is a flow path made of resin or stainless steel such as polyvinyl chloride (PVC).

このように、樹脂製またはステンレス製の流路を用いる理由は、流路の成分に由来する物質が排水を汚染することを防止するためである(コンタミ防止)。ここで、流路を構成する一部の部材を樹脂製とし、その他の部材をステンレス製とすることができる。たとえば、パイプを樹脂製として、ジョイントやバルブをステンレス製とすれば、配管10全体としてのコストを低下させることが可能となる。なお、シリコン回収システム1では、かかる配管10を、排水Aの流路すべてに用いることとしている。   Thus, the reason for using a resin or stainless steel flow path is to prevent substances derived from the flow path components from contaminating the waste water (contamination prevention). Here, some members constituting the flow path can be made of resin, and other members can be made of stainless steel. For example, if the pipe is made of resin and the joint and valve are made of stainless steel, the cost of the entire pipe 10 can be reduced. In the silicon recovery system 1, the pipe 10 is used for all the channels of the drainage A.

濃縮装置20は、図9に示した濃縮装置301と同型式の装置とすることができる。ただし、濃縮装置20における排水の濃縮率や、単位時間あたりの排水処理量は、排水Aの単位時間あたりの量や、汚泥吸着乾燥装置30の処理量に見合うように調整される。なお、具体的な調整内容については、後述する。   The concentrator 20 can be the same type as the concentrator 301 shown in FIG. However, the concentration rate of waste water in the concentrator 20 and the amount of waste water treated per unit time are adjusted to match the amount of waste water A per unit time and the amount treated by the sludge adsorption drying device 30. Specific adjustment contents will be described later.

汚泥吸着乾燥装置30は、後述する膜エレメントを排水中に浸漬することで排水を濾過し、膜エレメント表面に付着した汚泥を回収する装置である。また、汚泥吸着乾燥装置30は、回収した汚泥を乾燥させることで汚泥Aを得る装置でもある。   The sludge adsorption drying device 30 is a device that filters the waste water by immersing a membrane element, which will be described later, in the waste water, and collects the sludge adhered to the surface of the membrane element. Moreover, the sludge adsorption drying apparatus 30 is also an apparatus for obtaining the sludge A by drying the collected sludge.

そして、シリコン回収システム1では、排水Aから汚泥Aを得るにあたり、排水Aに含まれるシリコン屑が、水と接している時間(以下、「滞留時間」と記載する)を、所定の上限時間以下に制限することとした。そして、シリコン屑の滞留時間が、かかる上限時間以下となるように、排水Aの量および排水Aを処理する各装置の処理能力を調整することとした。   In the silicon recovery system 1, when the sludge A is obtained from the wastewater A, the time during which the silicon waste contained in the wastewater A is in contact with water (hereinafter referred to as “residence time”) is equal to or less than a predetermined upper limit time. It was decided to limit to. Then, the amount of the waste water A and the processing capacity of each device for treating the waste water A are adjusted so that the residence time of the silicon waste is less than the upper limit time.

このように、シリコン屑の滞留時間を制限する理由は、シリコン屑が水に接している時間が長くなればなるほど、シリコン(Si)の酸化が進んで酸化シリコン(SiO)が生成されやすくなるためである。 As described above, the reason for limiting the residence time of the silicon scrap is that the longer the time that the silicon scrap is in contact with water, the more the oxidation of silicon (Si) proceeds and the more easily silicon oxide (SiO 2 ) is generated. Because.

すなわち、シリコン回収システム1では、シリコン屑の滞留時間を制限することで、汚泥Aに含まれる酸化シリコンの比率を抑え、汚泥Aにおけるピュアシリコンの含有率を高めることとした。なお、シリコンの酸化については、図3を用いて後述する。また、シリコン屑の滞留時間の詳細な内容については、図4を用いて後述する。   That is, in the silicon recovery system 1, the ratio of silicon oxide contained in the sludge A is suppressed by restricting the residence time of silicon waste, and the pure silicon content in the sludge A is increased. The oxidation of silicon will be described later with reference to FIG. Details of the residence time of silicon scrap will be described later with reference to FIG.

そして、シリコン回収システム1で得られる汚泥Aは、上述したように乾燥工程を経て得られるので、汚泥Aの運搬性を高めることができるとともに、汚泥A中におけるシリコン屑の酸化を防止することもできる。   And since the sludge A obtained with the silicon | silicone collection | recovery system 1 is obtained through a drying process as mentioned above, while being able to improve the transportability of sludge A, the oxidation of the silicon waste in the sludge A can also be prevented. it can.

なお、図1に示したように、冷却塔201、純水製造装置202、PKGダイシング203等の装置から排出される排水Bは、従来と同様に、排水処理施設303および脱水機304を経由し、汚泥Bが回収されることになる。   As shown in FIG. 1, the waste water B discharged from the cooling tower 201, the pure water production apparatus 202, the PKG dicing 203 and the like passes through the waste water treatment facility 303 and the dehydrator 304 as in the conventional case. Sludge B will be collected.

以下では、シリコン回収システム1の構成についてさらに詳細に説明する。   Hereinafter, the configuration of the silicon recovery system 1 will be described in more detail.

図2は、シリコン回収システム1の構成を示す図である。なお、同図では、図1に示した汚泥吸着乾燥装置30を、汚泥吸着装置40と、汚泥乾燥装置50とに分離して構成した場合について示している。   FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the silicon recovery system 1. In addition, in the same figure, the case where the sludge adsorption drying apparatus 30 shown in FIG. 1 is separated into a sludge adsorption apparatus 40 and a sludge drying apparatus 50 is shown.

以下では、説明を簡略化するために、BSG装置101およびD/S装置102から排出される排水Aの単位時間あたりの総量が、100m/hである場合について説明する。また、以下では、BSG装置101およびD/S装置102から排出された直後の排水Aにおけるピュアシリコンの濃度が200ppmである場合について説明する。 Below, in order to simplify description, the case where the total amount per unit time of the waste_water | drain A discharged | emitted from the BSG apparatus 101 and the D / S apparatus 102 is 100 m < 3 > / h is demonstrated. Moreover, below, the case where the density | concentration of the pure silicon in the waste_water | drain A immediately after discharged | emitted from the BSG apparatus 101 and the D / S apparatus 102 is 200 ppm is demonstrated.

図2に示すように、BSG装置101およびD/S装置102と、濃縮装置20とは、上記した配管10で接続されている。また、濃縮装置20と、汚泥吸着装置40とについても、同じく配管10で接続されている。すなわち、シリコン回収システム1では、排水A専用の配管10で排水(排水A)を取り扱う装置を連結している(図2の(A)参照)。   As shown in FIG. 2, the BSG device 101 and the D / S device 102 and the concentrating device 20 are connected by the pipe 10 described above. Further, the concentrating device 20 and the sludge adsorbing device 40 are also connected by the pipe 10. That is, in the silicon recovery system 1, a device that handles drainage (drainage A) is connected by a pipe 10 dedicated to drainage A (see FIG. 2A).

ここで、かかる配管10は樹脂製またはステンレス製であるので、排水Aのコンタミ防止を図ることができる。また、排水A自体のコンタミを防止する観点からは、BSG装置101あるいはD/S装置102が加工対象とするウェハに対して保護膜等を付与しないことが好ましい。また、BSG装置101あるいはD/S装置102の内部においても、排水Aが滞留する形状を排したり、排水Aが接する部位を配管10と同種の樹脂でコーティングしたりすることとしてもよい。   Here, since the pipe 10 is made of resin or stainless steel, contamination of the drainage A can be prevented. Further, from the viewpoint of preventing contamination of the drainage A itself, it is preferable that the BSG apparatus 101 or the D / S apparatus 102 does not provide a protective film or the like on the wafer to be processed. Also, inside the BSG device 101 or the D / S device 102, the shape in which the drainage A stays may be removed, or the part that the drainage A contacts may be coated with the same kind of resin as the pipe 10.

さらに、シリコン回収システム1では、従来技術に係るシリコン回収システム300では必須であった凝集剤を必要としないので、排水Aには、凝集剤に由来する物質は含まれない。   Furthermore, since the silicon recovery system 1 does not require a flocculant that was essential in the silicon recovery system 300 according to the prior art, the waste water A does not include substances derived from the flocculant.

このようにして、シリコン回収システム1では、回収シリコンに含まれる不純物を極めて少なくすることに成功した。具体的には、回収シリコンに含まれる鉄(Fe)、アルミ(Al)、カルシウム(Ca)、ボロン(B)、リン(P)といった不純物が、それぞれ20ppm以下となることを確認した。   In this way, the silicon recovery system 1 succeeded in extremely reducing impurities contained in the recovered silicon. Specifically, it was confirmed that impurities such as iron (Fe), aluminum (Al), calcium (Ca), boron (B), and phosphorus (P) contained in the recovered silicon were each 20 ppm or less.

また、シリコン回収システム1では、排水A中に含まれるシリコン屑の滞留時間が所定時間以下となるように各装置の単位処理量を調整している(図2の(B)参照)。具体的には、排水Aが100m/hで発生する場合、濃縮装置20の単位処理量は、100m/h以上となるように調整される。なお、単体の濃縮装置20による単位処理量が不足している場合には、複数台の濃縮装置20を並列に設けることとすればよい。 Further, in the silicon recovery system 1, the unit processing amount of each device is adjusted so that the residence time of the silicon waste contained in the waste water A is a predetermined time or less (see FIG. 2B). Specifically, when the waste water A is generated at 100 m 3 / h, the unit processing amount of the concentrating device 20 is adjusted to be 100 m 3 / h or more. When the unit throughput by the single concentrator 20 is insufficient, a plurality of concentrators 20 may be provided in parallel.

このように、排水A中に含まれるシリコン屑の滞留時間を所定時間以下に調整する理由は、以下の通りである。すなわち、シリコンを水と接触させた状態の継続時間である滞留時間と、シリコンが酸化される度合いとの関係を示す酸化係数を実験によって求めた結果、所望する回収シリコンの酸素濃度に応じて滞留時間を調整することが有用であることが確認されたためである。   Thus, the reason for adjusting the residence time of the silicon | silicone waste contained in the waste_water | drain A to below predetermined time is as follows. In other words, as a result of experimentally determining an oxidation coefficient indicating the relationship between the residence time, which is the duration of time when the silicon is in contact with water, and the degree to which silicon is oxidized, the residence time depends on the desired oxygen concentration of recovered silicon. This is because it has been confirmed that adjusting the time is useful.

ここで、実験によって求めた酸化係数について図3を用いて説明しておく。図3は、酸化係数の説明図である。なお、同図に示したグラフの縦軸は、シリコン中の酸素濃度の重量%(mass%)であり、横軸は、時間(hour)である(なお、同図では、「hour」を「h」と略記している)。   Here, the oxidation coefficient obtained by experiment will be described with reference to FIG. FIG. 3 is an explanatory diagram of the oxidation coefficient. The vertical axis of the graph shown in the figure is weight% (mass%) of the oxygen concentration in silicon, and the horizontal axis is time (hour) (in the figure, “hour” is represented by “ h ”).

また、図3では、含水率を99.8%とした場合のデータを「○」で、含水率を30%とした場合のデータを「◇」で、それぞれ示している。そして、図3に示した各データは、中性、常温かつ常圧で取得されたものであり、シリコンの粒度は、1μmセンターである。   In FIG. 3, the data when the moisture content is 99.8% is indicated by “◯”, and the data when the moisture content is 30% is indicated by “◇”. Each data shown in FIG. 3 is acquired at neutral, normal temperature and normal pressure, and the silicon particle size is 1 μm center.

なお、以下では、説明を簡略化するために、(100[mass%]−酸素濃度[mass%])を、「シリコン純度」と記載することとする。   Hereinafter, in order to simplify the description, (100 [mass%] − oxygen concentration [mass%]) is described as “silicon purity”.

図3に示すように、酸素濃度の増加率は、初期段階では大きく、時間の経過に伴って一定値に近づいていくことがわかる。そして、初期段階の概ね70時間までは、増加率はほぼ一定であるので、各データを結んだ曲線の傾きは、直線とみなすことができる。そして、かかる直線の傾きを「酸化係数」と呼ぶこととする。   As shown in FIG. 3, it can be seen that the increase rate of the oxygen concentration is large in the initial stage and approaches a constant value as time passes. Since the increase rate is substantially constant until approximately 70 hours in the initial stage, the slope of the curve connecting the data can be regarded as a straight line. The slope of the straight line is called “oxidation coefficient”.

ここで、図3に示したように、含水率が99.8%である場合には、酸化係数は、0.18[mass%/h]である。たとえば、含水率が99.8%のシリコンを10時間放置すると、酸素濃度は、1.8%(0.18×10)となる。なお、含水率が99.8%である場合とは、シリコンが排水中にある状態に対応する。   Here, as shown in FIG. 3, when the moisture content is 99.8%, the oxidation coefficient is 0.18 [mass% / h]. For example, if silicon having a moisture content of 99.8% is left for 10 hours, the oxygen concentration becomes 1.8% (0.18 × 10). In addition, the case where the moisture content is 99.8% corresponds to a state where silicon is in the waste water.

これに対し、含水率が30%である場合には、酸化係数は、0.02[mass%/h]である。さらに、含水率が30%である場合には、500時間以上経過しても酸素濃度が2%を上回らないことがわかる。   On the other hand, when the moisture content is 30%, the oxidation coefficient is 0.02 [mass% / h]. Furthermore, it can be seen that when the moisture content is 30%, the oxygen concentration does not exceed 2% even if 500 hours or more have elapsed.

このように、含水率を99.8%から30%へ下げることで、シリコンの酸化速度が1桁低下する。また、最終的に到達する酸素濃度も、30%から2%へ1桁低下している。すなわち、含水率を30%まで下げることで、酸化の進行をほぼ停止させることができる。   Thus, by reducing the water content from 99.8% to 30%, the oxidation rate of silicon decreases by an order of magnitude. Further, the oxygen concentration finally reached also decreases by an order of magnitude from 30% to 2%. That is, the progress of oxidation can be almost stopped by reducing the water content to 30%.

かかる実験結果に基づき、シリコン回収システム1では、回収シリコンに要求される酸素濃度に応じ、滞留時間についての上限時間を算出し、シリコンの滞留時間が、かかる上限時間以下となるように各装置の単位処理量を調整することとした。   Based on the experimental results, the silicon recovery system 1 calculates an upper limit time for the residence time in accordance with the oxygen concentration required for the recovered silicon, and the silicon residence time of each apparatus is set so that the silicon residence time is less than the upper limit time. The unit throughput was adjusted.

たとえば、回収シリコンに要求される酸素濃度が1%以下である場合、すなわち、回収シリコンのシリコン純度を99%以上にしたい場合には、上限時間は5.5h(1÷0.18)と算出される。このように、回収シリコンのシリコン純度として99%が要求される場合には、シリコン回収システム1では、シリコンの滞留時間が5.5h以下となるように各装置の単位処理量を調整する。   For example, when the oxygen concentration required for the recovered silicon is 1% or less, that is, when the silicon purity of the recovered silicon is desired to be 99% or more, the upper limit time is calculated as 5.5 h (1 ÷ 0.18). Is done. Thus, when 99% is required as the silicon purity of the recovered silicon, the silicon recovery system 1 adjusts the unit throughput of each device so that the residence time of silicon is 5.5 hours or less.

また、回収シリコンに要求される酸素濃度が5%以下である場合、すなわち、回収シリコンのシリコン純度を95%以上にしたい場合には、上限時間は27.7h(5÷0.18)と算出される。このように、回収シリコンのシリコン純度として95%が要求される場合には、シリコン回収システム1では、シリコンの滞留時間が27.7h以下となるように各装置の単位処理量を調整する。   When the oxygen concentration required for recovered silicon is 5% or less, that is, when the silicon purity of recovered silicon is desired to be 95% or more, the upper limit time is calculated as 27.7h (5 ÷ 0.18). Is done. Thus, when the silicon purity of the recovered silicon is required to be 95%, the silicon recovery system 1 adjusts the unit throughput of each device so that the residence time of silicon is 27.7 h or less.

なお、排水中におけるシリコンの酸素濃度が20%程度まで上昇すると汚泥吸着装置40によるシリコンの回収効率が低下するため、上限時間の最大値は、概ね100時間(111=20÷0.18)以下とすることが好ましい。   In addition, since the silicon | silicone collection | recovery efficiency by the sludge adsorption | suction apparatus 40 will fall if the oxygen concentration of the silicon | silicone in waste_water | drain raises to about 20%, the maximum value of upper limit time is about 100 hours (111 = 20 ÷ 0.18) or less. It is preferable that

このように、シリコン回収システム1では、回収シリコンに求められる品質に応じてシリコンの滞留時間を調整する。さらに、シリコン回収システム1では、かかる実験結果に基づき、最終的に回収されるシリコンの含水率を30%まで下げることで、回収シリコン中で酸化が進行することを防止している。   Thus, in the silicon recovery system 1, the residence time of silicon is adjusted according to the quality required for the recovered silicon. Furthermore, in the silicon recovery system 1, the oxidation of the recovered silicon is prevented from proceeding by reducing the moisture content of the finally recovered silicon to 30% based on the experimental results.

なお、図3では、シリコンの粒度が1μmセンターである場合の酸化係数を例示したが、これは、本実施例に係るシリコン回収システム1が取り扱うシリコン(シリコン屑)の粒度が1μmセンターであるためである。しかしながら、これに限らず、他の粒度の場合にも同様にシリコン係数を求めることができる。すなわち、回収対象となるシリコンの粒度に応じて図3に示した実験と同様の実験を行うことによって、回収対象となるシリコンの粒度ごとに酸化係数を求めることができる。   FIG. 3 illustrates the oxidation coefficient when the silicon particle size is 1 μm center. This is because the particle size of silicon (silicon scrap) handled by the silicon recovery system 1 according to the present embodiment is 1 μm center. It is. However, the present invention is not limited to this, and the silicon coefficient can be obtained similarly in the case of other particle sizes. That is, by performing an experiment similar to the experiment shown in FIG. 3 according to the particle size of silicon to be collected, the oxidation coefficient can be obtained for each particle size of silicon to be collected.

なお、シリコン屑の酸化係数(酸化速度)は、シリコン屑の表面積に比例すると考えられるので、たとえば、シリコン屑の形状を球形と仮定し、所定の粒度(たとえば、1μmセンター)で求めた酸化係数に基づいて他の粒度の酸化係数を推定することとしてもよい。たとえば、1μmセンターで求めた酸化係数がAである場合、2μmセンターの酸化係数Bを、B=A/2と推定することができる。 Since the oxidation coefficient (oxidation rate) of silicon scrap is considered to be proportional to the surface area of silicon scrap, for example, assuming that the shape of the silicon scrap is spherical, the oxidation coefficient obtained with a predetermined particle size (for example, 1 μm center) It is good also as estimating the oxidation coefficient of another particle size based on this. For example, when the oxidation coefficient obtained at the 1 μm center is A, the oxidation coefficient B at the 2 μm center can be estimated as B = A / 2 2 .

図2の説明に戻り、濃縮装置20ついて説明する。図2に示した場合では、濃縮装置20は、上流から受け取った排水Aを200倍に濃縮する。この結果、汚泥吸着装置40に対しては、40,000ppmの濃度の排水Aが供給される。ここで、濃縮装置20における濃縮率を200倍と設定した理由は、汚泥吸着装置40における汚泥回収効率を高めるためであるが、この点については、後述する。   Returning to the description of FIG. 2, the concentration device 20 will be described. In the case shown in FIG. 2, the concentrating device 20 concentrates the waste water A received from the upstream 200 times. As a result, wastewater A having a concentration of 40,000 ppm is supplied to the sludge adsorption device 40. Here, the reason why the concentration rate in the concentration device 20 is set to 200 times is to increase the sludge recovery efficiency in the sludge adsorption device 40, which will be described later.

なお、単体の濃縮装置20における濃縮性能が不足している場合には、複数台の濃縮装置20を直列に設けることとすればよい。たとえば、単体の濃縮装置20が10倍の濃縮性能を有している場合には、20台の濃縮装置20を直列に連結することで、200倍の濃縮性能を得ることができる。   When the concentration performance of the single concentration device 20 is insufficient, a plurality of concentration devices 20 may be provided in series. For example, when a single concentration device 20 has a 10-fold concentration performance, it is possible to obtain a 200-fold concentration performance by connecting 20 concentration devices 20 in series.

つづいて、濃縮装置20によって200倍に濃縮された排水Aを受け取る汚泥吸着装置40の単位処理量は、0.5m/h(100m/h÷200倍)以上となるように調整される。そして、汚泥吸着装置40は、含水率が60%の汚泥4を回収する。なお、汚泥4の濃度は、400,000ppmである。 Subsequently, the unit treatment amount of the sludge adsorption device 40 that receives the waste water A concentrated 200 times by the concentration device 20 is adjusted to be 0.5 m 3 / h (100 m 3 / h ÷ 200 times) or more. . And the sludge adsorption | suction apparatus 40 collect | recovers the sludge 4 whose moisture content is 60%. In addition, the density | concentration of the sludge 4 is 400,000 ppm.

なお、単体の汚泥吸着装置40における汚泥吸着性能が不足している場合には、複数台の汚泥吸着装置40を並列に設けることとすればよい。また、単体の汚泥吸着装置40を用いる場合であっても、汚泥吸着装置40が用いる濾過膜の総面積や、濾過膜経由で吸引する排水の量を、単位時間あたりに処理すべき排水Aの量に見合うように調整することとすればよい。   When the sludge adsorption performance of the single sludge adsorption device 40 is insufficient, a plurality of sludge adsorption devices 40 may be provided in parallel. Further, even when the single sludge adsorption device 40 is used, the total area of the filtration membrane used by the sludge adsorption device 40 and the amount of drainage to be sucked through the filtration membrane of the wastewater A to be treated per unit time. It may be adjusted to match the amount.

つづいて、汚泥吸着装置40によって回収された汚泥4を受け取った汚泥乾燥装置50は、汚泥4を乾燥させることによって乾燥汚泥5を得る。ここで、乾燥汚泥5の含水率は30%であり、乾燥汚泥5の濃度は、700,000ppmである。なお、汚泥4は自然乾燥させることとしてもよいし、冷風や熱風を吹きかけるなどして強制乾燥させることとしてもよい。また、熱風を用いる場合には、汚泥4に含まれるピュアシリコンの変成を防止するために、熱風の温度を100℃未満とすることが好ましい。   Subsequently, the sludge drying device 50 that has received the sludge 4 collected by the sludge adsorption device 40 obtains the dried sludge 5 by drying the sludge 4. Here, the moisture content of the dried sludge 5 is 30%, and the concentration of the dried sludge 5 is 700,000 ppm. The sludge 4 may be naturally dried, or may be forcedly dried by blowing cold air or hot air. When hot air is used, the temperature of the hot air is preferably less than 100 ° C. in order to prevent the degeneration of pure silicon contained in the sludge 4.

なお、単体の汚泥乾燥装置50における汚泥乾燥性能が不足している場合には、複数台の汚泥乾燥装置50を並列に設けることとすればよい。   When the sludge drying performance of the single sludge drying device 50 is insufficient, a plurality of sludge drying devices 50 may be provided in parallel.

また、図2では、排水Aの発生元として、BSG装置101およびD/S装置102を例示しているが、ピュアシリコンを加工する装置であれば、その種別は問わない。そして、図2では、排水Aを濃縮装置20で濃縮してから汚泥吸着装置40へ渡す場合について示しているが、濃縮装置20を省略することとしてもよい。なお、濃縮装置20を省略する場合には、汚泥吸着装置40において使用される濾過膜の総面積を、濃縮装置20を用いる場合よりも増加させる必要がある。   In FIG. 2, the BSG device 101 and the D / S device 102 are illustrated as the sources of the drainage A, but any type may be used as long as the device processes pure silicon. 2 shows the case where the drainage A is concentrated by the concentrating device 20 and then passed to the sludge adsorption device 40, the concentrating device 20 may be omitted. In the case where the concentration device 20 is omitted, it is necessary to increase the total area of the filtration membrane used in the sludge adsorption device 40 as compared with the case where the concentration device 20 is used.

次に、シリコン屑の滞留時間について図4を用いて説明する。図4は、滞留時間の説明図である。なお、同図には、シリコン屑2および排水3を模式的に示している。   Next, the residence time of silicon waste will be described with reference to FIG. FIG. 4 is an explanatory diagram of the residence time. In addition, the silicon | silicone waste 2 and the waste_water | drain 3 are typically shown in the figure.

図4に示すように、排水3におけるシリコン屑2の滞留時間は、シリコン屑2が排水3に入ってから(同図の「開始時点」参照)、シリコン屑2が排水3から取り出されるまで(同図の「終了時点」参照)の時間を指す。   As shown in FIG. 4, the residence time of the silicon waste 2 in the waste water 3 is from when the silicon waste 2 enters the waste water 3 (refer to “Starting point” in FIG. 4) until the silicon waste 2 is taken out from the waste water 3 ( Refers to the “end point” in the figure.

具体的には、BSG装置101やD/S装置102では、純水を噴霧しながら研磨や研削が行われるので、研磨や研削によってシリコン屑2が発生した時点が、「開始時点」となる。また、汚泥吸着装置40によって吸着された汚泥が排水3から引き上げられた時点が、「終了時点」となる。   Specifically, in the BSG device 101 and the D / S device 102, polishing and grinding are performed while spraying pure water, and therefore, the point in time when the silicon scrap 2 is generated by polishing and grinding becomes the “starting point”. In addition, the time point when the sludge adsorbed by the sludge adsorption device 40 is pulled up from the waste water 3 is the “end time point”.

なお、後述するように、汚泥吸着装置40は、濾過槽に排水3を貯め、排水3に浸漬した膜エレメントへ汚泥を吸着させるので、かかる濾過槽内でのシリコン屑2の滞留が問題となる。このため、汚泥吸着装置40による単位処理量は、高めに見積もることが好ましい。   As will be described later, the sludge adsorbing device 40 stores the drainage 3 in the filtration tank and adsorbs the sludge to the membrane element immersed in the drainage 3, so that the retention of the silicon waste 2 in the filtration tank becomes a problem. . For this reason, it is preferable to estimate the unit processing amount by the sludge adsorption apparatus 40 highly.

たとえば、濃縮装置20から単位時間に受け取る排水3の量が0.5m/hである場合、本来なら、汚泥吸着装置40の単位処理量は、0.5m/hで足りる。しかしながら、膜エレメントへ吸着されず濾過槽内に滞留するシリコン屑2の滞留時間を考慮すると、本来必要な単位処理量の3倍程度以上とすることが好ましい。 For example, when the amount of waste water 3 received from the concentrator 20 per unit time is 0.5 m 3 / h, the unit treatment amount of the sludge adsorption device 40 is originally 0.5 m 3 / h. However, considering the residence time of the silicon waste 2 that is not adsorbed to the membrane element and stays in the filtration tank, it is preferable to set it to about three times or more the unit processing amount that is originally required.

すなわち、濃縮装置20の単位処理量との関係から汚泥吸着装置40に要求される単位処理量が0.5m/hである場合、汚泥吸着装置40の単位処理量を、3倍程度の1.5m/h以上とすることが好ましい。 That is, when the unit treatment amount required for the sludge adsorption device 40 is 0.5 m 3 / h from the relationship with the unit treatment amount of the concentration device 20, the unit treatment amount of the sludge adsorption device 40 is about 3 times 1 0.5 m 3 / h or more is preferable.

そして、BSG装置101やD/S装置102でシリコン屑2が発生してから、汚泥吸着装置40によって吸着された汚泥が排水3から引き上げられるまでの時間(滞留時間)を概ね5.5時間以下とすることで、酸素濃度が1%以下のシリコンを回収することができる。   And the time (residence time) until the sludge adsorbed by the sludge adsorbing device 40 is lifted from the drainage 3 after the silicon waste 2 is generated in the BSG device 101 or the D / S device 102 is approximately 5.5 hours or less. By doing so, silicon having an oxygen concentration of 1% or less can be recovered.

なお、汚泥吸着装置40によって回収される汚泥4の含水率は60%程度であるが、回収汚泥の含水率が30%以下であれば、回収汚泥に含まれるシリコン屑2の酸化がほぼ停止することが、実験によって確認された(図3参照)。したがって、図4に示した「終了時点」を、汚泥乾燥装置50によって乾燥汚泥5が生成された時点としたうえで、滞留時間の管理を行うこととしてもよい。   In addition, although the moisture content of the sludge 4 collect | recovered by the sludge adsorption | suction apparatus 40 is about 60%, if the moisture content of a collection | recovery sludge is 30% or less, the oxidation of the silicon | silicone waste 2 contained in collection | recovery sludge will stop substantially. This was confirmed by experiments (see FIG. 3). Accordingly, the “end point” shown in FIG. 4 may be set as the time when the dried sludge 5 is generated by the sludge drying apparatus 50 and the residence time may be managed.

たとえば、BSG装置101やD/S装置102でシリコン屑2が発生してから、かかるシリコン屑2を含んだ乾燥汚泥5が生成されるまでの時間が概ね5.5時間以下となるように、濃縮装置20、汚泥吸着装置40および汚泥乾燥装置50の単位処理量を決定することとしてもよい。   For example, the time from when silicon waste 2 is generated in the BSG device 101 or the D / S device 102 until the dry sludge 5 containing the silicon waste 2 is generated is approximately 5.5 hours or less. It is good also as determining the unit processing amount of the concentration apparatus 20, the sludge adsorption apparatus 40, and the sludge drying apparatus 50. FIG.

以下では、汚泥吸着装置40および汚泥乾燥装置50についてさらに詳細に説明する。   Hereinafter, the sludge adsorption device 40 and the sludge drying device 50 will be described in more detail.

まず、汚泥吸着装置40の構成について図5〜図7を用いて説明する。図5は、膜エレメントの構成を示す図である。なお、図5の(A)には、膜エレメント41の外観図を、同じく(B)には、膜エレメント41の内部構造を、同じく(C)には、連結ブロック42を、同じく(D)には、連結された膜エレメント41を、それぞれ示している。   First, the structure of the sludge adsorption | suction apparatus 40 is demonstrated using FIGS. FIG. 5 is a diagram showing the configuration of the membrane element. 5A is an external view of the membrane element 41, FIG. 5B is an internal structure of the membrane element 41, FIG. 5C is a connection block 42, and FIG. Fig. 1 shows the membrane elements 41 connected to each other.

図5の(A)に示すように、膜エレメント41は、樹脂製の濾板41aの両面に膜41cを貼り付けることで構成される。ここで、膜41cは、孔径0.25μmの高分子精密濾過膜であり、0.25μm以上の微粒子を捕捉することができる。しかし、実際には、膜41cの表面に捕捉した微粒子で形成されるケーク層がさらに微細なネットワークを形成するため、0.05μm以上の微粒子をほぼ捕捉することができる。   As shown to (A) of FIG. 5, the membrane element 41 is comprised by affixing the film | membrane 41c on both surfaces of the resin-made filter plates 41a. Here, the membrane 41c is a polymer microfiltration membrane having a pore diameter of 0.25 μm, and can capture fine particles having a size of 0.25 μm or more. However, actually, the cake layer formed of the fine particles captured on the surface of the film 41c forms a finer network, so that fine particles of 0.05 μm or more can be substantially captured.

なお、膜エレメント41のサイズ(耳部41bを除いたサイズ)は、たとえば、高さ150mm程度、幅500mm程度、厚さ5mm程度である。   The size of the membrane element 41 (the size excluding the ear portion 41b) is, for example, about 150 mm in height, about 500 mm in width, and about 5 mm in thickness.

また、膜エレメント41の両端部には、耳部41bがそれぞれ設けられている。ここで、耳部41bの中央部には、1つの通水穴41baが設けられており、通水穴41baを挟む位置には、2つの連結穴41bbが設けられている。なお、通水穴41baにはOリングが設けられており、図5の(C)に示す連結ブロック42との接合面からの液漏れを防止する。   In addition, ear portions 41b are provided at both ends of the membrane element 41, respectively. Here, one water passage hole 41ba is provided in the central portion of the ear part 41b, and two connection holes 41bb are provided at positions sandwiching the water passage hole 41ba. Note that an O-ring is provided in the water passage hole 41ba to prevent liquid leakage from the joint surface with the connection block 42 shown in FIG.

そして、図5の(B)に示すように、濾板41aには、流路41aaが設けられており膜41cを透過した膜透過水を一方の耳部41bへ導くこととしている。そして、耳部41bへ導かれた膜透過水は、通水穴41baへとさらに導かれる。なお、図5の(B)には、膜透過水を、同図の右側に示した耳部41bへ導く場合について示している。   As shown in FIG. 5B, the filter plate 41a is provided with a flow path 41aa, and the membrane permeated water that has permeated through the membrane 41c is guided to one ear portion 41b. The membrane permeated water guided to the ear portion 41b is further guided to the water passage hole 41ba. FIG. 5B shows a case where the membrane permeated water is guided to the ear portion 41b shown on the right side of FIG.

図5の(C)に示したのは、膜エレメント41を連結する際に用いる連結ブロック42である。この連結ブロック42は、膜エレメント41の耳部41bとそれぞれ対応する位置に、1つの通水穴42aと、2つの連結穴42bとが設けられている。そして、厚みが異なる連結ブロック42を用いることで、膜エレメント41と膜エレメント41との間隔を調整することができる。なお、連結ブロック42の厚み(すなわち、膜エレメント41同士の間隔)は、たとえば、15mmとすることができる。   FIG. 5C shows a connecting block 42 used when connecting the membrane elements 41. The connection block 42 is provided with one water passage hole 42 a and two connection holes 42 b at positions corresponding to the ear portions 41 b of the membrane element 41. And the space | interval of the membrane element 41 and the membrane element 41 can be adjusted by using the connection block 42 from which thickness differs. In addition, the thickness (namely, space | interval of the membrane elements 41) of the connection block 42 can be 15 mm, for example.

図5の(D)に示したのは、連結ブロック42を用いて連結した膜エレメント41の様子である。なお、図5の(D)には、図5の(B)に示した膜エレメント41を左右反転させつつ交互に連結した場合について示している。   FIG. 5D shows the state of the membrane element 41 connected using the connection block 42. FIG. 5D shows a case where the membrane elements 41 shown in FIG. 5B are alternately connected while being reversed left and right.

この場合、手前から奇数番目の膜エレメント41の膜透過水は、連結ブロック42を介して同図に示した43Rのように集水される。また、手前から偶数番目の膜エレメント41の膜透過水は、同じく43Lのように集水される。なお、図5の(D)には、各耳部41bへ濾過水を分散して集水する場合について示したが、片側の耳部41bのみへ濾過水を集水することとしてもよい。   In this case, the membrane permeated water of the odd-numbered membrane element 41 from the front is collected through the connection block 42 as shown by 43R shown in FIG. Further, the membrane permeated water of the even-numbered membrane element 41 from the front is also collected like 43L. In addition, although (D) of FIG. 5 showed about the case where filtered water was disperse | distributed and collected to each ear | edge part 41b, it is good also as collecting filtered water only to the ear | edge part 41b of one side.

次に、図5に示した膜エレメント41を連結した膜モジュールについて図6を用いて説明する。図6は、膜モジュールの構成例を示す図である。図6に示すように、図5の(D)に示した膜エレメント41および連結ブロック42を、連結穴41bbおよび連結穴42bを貫通するボルト44aで固定する。そして、ボルトで固定した膜エレメント41群を、レール44bを用いて固定することで、膜モジュール44が得られる。   Next, a membrane module in which the membrane elements 41 shown in FIG. 5 are connected will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration example of the membrane module. As shown in FIG. 6, the membrane element 41 and the connection block 42 shown in FIG. 5D are fixed with bolts 44a penetrating the connection hole 41bb and the connection hole 42b. And the membrane module 44 is obtained by fixing the membrane element 41 group fixed with the volt | bolt using the rail 44b.

なお、図6には、6枚の膜エレメント41からなるセットを上下2段組みした膜モジュール44について例示しているが、各セットに含まれる膜エレメント41の個数や、段数については、任意の数とすることができる。   FIG. 6 shows an example of a membrane module 44 in which a set of six membrane elements 41 is assembled in two upper and lower stages. However, the number of membrane elements 41 included in each set and the number of steps are arbitrary. Can be a number.

次に、図6に示した膜モジュール44を用いた汚泥吸着装置40の動作について図7を用いて説明する。図7は、汚泥吸着装置40が実行する各工程を示す図である。なお、図7の(A)には濾過工程を、同じく(B)には逆洗準備工程を、同じく(C)には逆洗工程を、同じく(D)には濾過準備工程を、それぞれ示している。   Next, operation | movement of the sludge adsorption | suction apparatus 40 using the membrane module 44 shown in FIG. 6 is demonstrated using FIG. FIG. 7 is a diagram showing each process executed by the sludge adsorption device 40. 7A shows the filtration step, FIG. 7B shows the backwash preparation step, FIG. 7C shows the backwash step, and FIG. 7D shows the filtration preparation step. ing.

また、図7に示したように、汚泥吸着装置40は、濃縮装置20から配管10経由で受け取った濃縮排水を貯留する濾過槽45と、膜モジュール44の引き上げを行う引上機構46とを備えている。また、汚泥吸着装置40は、膜モジュール44に含まれる各膜エレメント41を吸引することで得られた濾過水を処理水として排出したり、各膜エレメント41へ処理水を逆送したりするポンプ47を備えている。   As shown in FIG. 7, the sludge adsorption device 40 includes a filtration tank 45 that stores concentrated wastewater received from the concentration device 20 via the pipe 10, and a pulling mechanism 46 that pulls up the membrane module 44. ing. Further, the sludge adsorption device 40 is a pump that discharges filtered water obtained by sucking each membrane element 41 included in the membrane module 44 as treated water, or reversely feeds treated water to each membrane element 41. 47 is provided.

そして、膜モジュール44は、引上機構46の支持軸46aまわりに回動するアーム46bにつり下げられており、支持軸46aが同図の時計回りに回動することで、濾過槽45から引き上げられ、ベルトコンベア52の上方へ位置付けられる。また、支持軸46aが同図の反時計まわりに回動することで、膜モジュール44は、濃縮排水を満たした濾過槽45へ浸漬される。   The membrane module 44 is suspended by an arm 46b that rotates about the support shaft 46a of the pulling mechanism 46, and the support shaft 46a is rotated clockwise in FIG. And positioned above the belt conveyor 52. Further, as the support shaft 46a rotates counterclockwise in the figure, the membrane module 44 is immersed in the filtration tank 45 filled with concentrated drainage.

ここで、ベルトコンベア52は、汚泥乾燥装置50へ汚泥4を運搬する機構であり、汚泥吸着装置側40側よりも汚泥乾燥装置50側が高くなるように傾斜が設けられている。そして、ベルトコンベア52は、汚泥吸着装置側40側の端部が濾過槽45よりも高い位置に設置されている。したがって、逆洗水やベルトコンベア52上で汚泥4から流出した排水は、汚泥吸着装置40側の端部に集められたうえで自重で濾過槽45へ流入する。   Here, the belt conveyor 52 is a mechanism for transporting the sludge 4 to the sludge drying device 50, and is inclined so that the sludge drying device 50 side is higher than the sludge adsorption device side 40 side. And the belt conveyor 52 is installed in the position where the edge part by the side of the sludge adsorption apparatus 40 is higher than the filtration tank 45. FIG. Therefore, the waste water flowing out from the sludge 4 on the backwash water or the belt conveyor 52 is collected at the end on the sludge adsorption device 40 side and then flows into the filtration tank 45 by its own weight.

また、ポンプ47に接続されたチューブ47aは、膜モジュール44の最前面に位置する膜エレメント41の通水穴41baにそれぞれ接続される。なお、図7には、片側の耳部41b(同図の右側)のみへ濾過水を集水するように組み立てられた膜モジュール44を例示している。   The tubes 47 a connected to the pump 47 are connected to water passage holes 41 ba of the membrane element 41 located on the forefront of the membrane module 44. FIG. 7 illustrates a membrane module 44 assembled so as to collect filtered water only on one ear 41b (the right side in the figure).

図7の(A)に示したように、濾過工程では、膜モジュール44は、濃縮排水を満たした濾過槽45に浸漬されており、ポンプ47は、各膜エレメント41を吸引するように作動する。これにより、各膜エレメント41に張られた膜41cの表面には、ケーク層が形成される。そして、汚泥吸着装置40は、ケーク層の厚さが2〜5mm程度となるまで濾過工程を継続する。なお、濾過工程の継続時間は、概ね45分程度である。   As shown in FIG. 7A, in the filtration step, the membrane module 44 is immersed in a filtration tank 45 filled with concentrated waste water, and the pump 47 operates to suck each membrane element 41. . Thereby, a cake layer is formed on the surface of the membrane 41c stretched on each membrane element 41. And the sludge adsorption | suction apparatus 40 continues a filtration process until the thickness of a cake layer becomes about 2-5 mm. The duration of the filtration process is approximately 45 minutes.

ここで、ケーク層の厚さが2〜5mm程度となるまで濾過工程を継続する理由は、ケーク層が薄すぎると、ケーク層の剥離性が悪く大量の逆洗水が必要となるためである。また、逆にケーク層が厚すぎると、汚泥吸着装置40における排水の処理速度が低下するためでもある。   Here, the reason for continuing the filtration step until the thickness of the cake layer is about 2 to 5 mm is that if the cake layer is too thin, the peelability of the cake layer is poor and a large amount of backwash water is required. . On the other hand, if the cake layer is too thick, the wastewater treatment speed in the sludge adsorption device 40 is reduced.

なお、濾過槽45内の排水の濃度は、上流の濃縮装置20によって40,000ppm程度に濃縮されているため、濾過工程の継続時間を45分程度にとどめることができる。これに対し、排水の濃度が1,500ppm程度である場合には、ケーク層の成長速度が遅いため、濾過工程の継続時間を概ね240分程度とする必要がある。   In addition, since the density | concentration of the waste_water | drain in the filtration tank 45 is concentrated to about 40,000 ppm with the upstream concentration apparatus 20, the continuation time of a filtration process can be limited to about 45 minutes. On the other hand, when the concentration of the waste water is about 1,500 ppm, the growth rate of the cake layer is slow, so the duration of the filtration step needs to be about 240 minutes.

つづいて、ケーク層の厚さが適切な厚さとなったならば、汚泥吸着装置40は、引上機構46を作動させて膜モジュール44を、濾過槽45から引き上げる。そして、図7の(B)に示したように、引き上げた膜モジュール44を、ベルトコンベア52の上方へ位置付けたうえで停止させる。なお、この逆洗準備工程においても、ポンプ47による吸引を継続してケーク層からの脱水を進行させる。   Subsequently, when the thickness of the cake layer becomes an appropriate thickness, the sludge adsorption device 40 operates the pulling mechanism 46 to pull up the membrane module 44 from the filtration tank 45. Then, as shown in FIG. 7B, the pulled up membrane module 44 is positioned above the belt conveyor 52 and then stopped. In this backwash preparation step, the suction by the pump 47 is continued and the dehydration from the cake layer is advanced.

ここで、膜モジュール44の引き上げからベルトコンベア52上方への位置付けまでに要する時間は、概ね1分以内である。また、ポンプ47によってケーク層からの脱水を継続する時間は、概ね5分以内である。   Here, the time required from lifting the membrane module 44 to positioning it above the belt conveyor 52 is approximately within one minute. Further, the time for which the pump 47 continues to dehydrate from the cake layer is generally within 5 minutes.

つづいて、汚泥吸着装置40は、ポンプ47を反転作動させることで、処理水を逆送する。これにより、膜エレメント41内部から膜41cへ向けて処理水が噴き出すので、図7の(C)に示したように、膜41cの表面に形成されたケーク層が膜41cから剥離してベルトコンベア52上へ落下する。このようにして、汚泥4が得られる。なお、この逆洗工程に要する時間は、概ね1分以内である。   Subsequently, the sludge adsorption device 40 reversely feeds the treated water by reversing the pump 47. As a result, the treated water spouts from the inside of the membrane element 41 toward the membrane 41c, so that the cake layer formed on the surface of the membrane 41c peels off from the membrane 41c as shown in FIG. Drops onto 52. In this way, the sludge 4 is obtained. Note that the time required for this backwashing step is generally within one minute.

なお、ポンプ47によって逆送される処理水(逆洗水)の圧力は、50kPa以下の低水圧で足りる。このように、低水圧を用いることができる理由は、汚泥吸着装置40における膜41cの外側に支持体がなく、膜41cの表面に吸着されたケーク層が自重で落下するほど剥離性が良いためである。   In addition, the low pressure of 50 kPa or less is enough for the pressure of the treated water (backwash water) sent back by the pump 47. Thus, the reason why the low water pressure can be used is that there is no support on the outside of the membrane 41c in the sludge adsorption device 40, and the peelability is so good that the cake layer adsorbed on the surface of the membrane 41c falls by its own weight. It is.

つづいて、汚泥吸着装置40は、図7の(D)に示したように、膜モジュール44を図7の(A)に示した位置へ戻すべく、支持軸46a(図7の(A)参照)を同図の反時計回りに回動させる。なお、膜モジュール44を図7の(A)に示した位置へ戻すために要する時間は、概ね1分以内である。また、この濾過準備工程では、ベルトコンベア52の傾斜に沿って集水された処理水(余剰逆洗水)は、自重で濾過槽45へ返送される。   Subsequently, as shown in FIG. 7D, the sludge adsorption device 40 returns the membrane module 44 to the position shown in FIG. 7A so as to return the support shaft 46a (see FIG. 7A). ) Is rotated counterclockwise in the figure. The time required to return the membrane module 44 to the position shown in FIG. 7A is approximately within 1 minute. Moreover, in this filtration preparation process, the treated water (surplus backwash water) collected along the inclination of the belt conveyor 52 is returned to the filtration tank 45 by its own weight.

そして、汚泥吸着装置40は、同図に示した(A)〜(D)の工程を繰り返すことで、汚泥4の回収を連続して行っていくことになる。また、汚泥吸着装置40によって回収された汚泥4は、ベルトコンベア52によって汚泥乾燥装置50へ随時搬送されることになる。   And the sludge adsorption | suction apparatus 40 will collect | recover the sludge 4 continuously by repeating the process of (A)-(D) shown to the same figure. Further, the sludge 4 collected by the sludge adsorption device 40 is conveyed to the sludge drying device 50 by the belt conveyor 52 as needed.

このように、汚泥吸着装置40は、凝集剤などの添加物を用いることなくシリコン汚泥を回収するので、回収されるシリコン汚泥に含まれるピュアシリコンの含有率を高めることができる。   Thus, since the sludge adsorption | suction apparatus 40 collect | recovers silicon sludge without using additives, such as a coagulant | flocculant, it can raise the content rate of the pure silicon contained in the silicon sludge collect | recovered.

なお、汚泥4を濾布で包み込んで強制的に含水率を下げる手法(フィルタープレス手法)をとった場合には、汚泥4が高温となることが知られており、汚泥4に含まれるシリコンが変成する可能性が高くなるため好ましくない。   In addition, when the method (filter press method) which wraps the sludge 4 with a filter cloth and forcibly reduces the water content is taken, it is known that the sludge 4 becomes high temperature, and silicon contained in the sludge 4 This is not preferable because the possibility of transformation is increased.

次に、汚泥乾燥装置50の構成と、汚泥吸着装置40および汚泥乾燥装置50の配置例とについて、図8を用いて説明する。図8は、汚泥吸着装置40および汚泥乾燥装置50の外観図である。なお、図8の(A)には、汚泥吸着装置40および汚泥乾燥装置50の上面図を、同じく(B)には、汚泥吸着装置40および汚泥乾燥装置50の側面図を、それぞれ示している。   Next, the configuration of the sludge drying device 50 and an arrangement example of the sludge adsorption device 40 and the sludge drying device 50 will be described with reference to FIG. FIG. 8 is an external view of the sludge adsorption device 40 and the sludge drying device 50. 8A shows a top view of the sludge adsorption device 40 and the sludge drying device 50, and FIG. 8B shows a side view of the sludge adsorption device 40 and the sludge drying device 50, respectively. .

また、図8には、落下する汚泥4を受け止める枠状(上方からみた中央部は空洞)のガイド48の下方に設けられたベルトコンベア52を挟む形で、2台の汚泥吸着装置40(汚泥吸着装置40Aおよび汚泥吸着装置40B)を並列に設けた場合を示している。この場合、汚泥吸着装置40Aおよび汚泥吸着装置40Bは、1つのベルトコンベア52を共有しているので、膜モジュール44をベルトコンベア52の上方へ移動させる工程(図7の(B)あるいは(C)参照)が交互に行われるように調整される。   FIG. 8 also shows two sludge adsorption devices 40 (sludge sludges) sandwiching a belt conveyor 52 provided below a frame-shaped guide 48 (the center portion is hollow from above) that catches the falling sludge 4. The case where the adsorption device 40A and the sludge adsorption device 40B) are provided in parallel is shown. In this case, since the sludge adsorption device 40A and the sludge adsorption device 40B share one belt conveyor 52, the step of moving the membrane module 44 above the belt conveyor 52 ((B) or (C) in FIG. 7). Are adjusted alternately.

なお、図8では、2台の汚泥吸着装置40に対して1台の汚泥乾燥装置50を設けた場合について示しているが、汚泥吸着装置40ごとに汚泥乾燥装置50を設けることとしてもよい。   Although FIG. 8 shows the case where one sludge drying device 50 is provided for two sludge adsorption devices 40, the sludge drying device 50 may be provided for each sludge adsorption device 40.

ここで、ベルトコンベア52は、汚泥吸着装置40側よりも汚泥乾燥装置50側が高くなるように傾斜が設けられており、汚泥吸着装置40側の端部は、汚泥吸着装置40の濾過槽45よりも高い位置に設置されている(図8の(B)参照)。かかる配置によって、ベルトコンベア52で回収された排水や逆洗水は自重で濾過槽45へ戻ることになる。なお、汚泥吸着装置40の構成および動作については、図7を用いて既に説明したので、ここでの説明を省略する。   Here, the belt conveyor 52 is inclined so that the sludge drying device 50 side is higher than the sludge adsorption device 40 side, and the end on the sludge adsorption device 40 side is from the filtration tank 45 of the sludge adsorption device 40. Is also installed at a higher position (see FIG. 8B). With this arrangement, the waste water and backwash water collected by the belt conveyor 52 returns to the filtration tank 45 by its own weight. Since the configuration and operation of the sludge adsorption device 40 have already been described with reference to FIG. 7, the description thereof is omitted here.

以下では、汚泥乾燥装置50の構成および動作について説明する。なお、本実施例では、熱風を吹き付けることによって乾燥汚泥5を得る汚泥乾燥装置50を例示しているが、他の乾燥手法を用いることとしてもよい。たとえば、汚泥4に対して冷風を吹き付けたり、汚泥4を自然乾燥させたりすることとしてもよい。   Below, the structure and operation | movement of the sludge drying apparatus 50 are demonstrated. In the present embodiment, the sludge drying apparatus 50 that obtains the dried sludge 5 by blowing hot air is illustrated, but other drying methods may be used. For example, it is good also as spraying cold wind with respect to the sludge 4, or drying the sludge 4 naturally.

図8の(A)に示すように、汚泥乾燥装置50は、乾燥室51と、ベルトコンベア52とを備えている。また、乾燥室51には、排気口55が設けられるとともに、ヒータ53からの熱風を乾燥室51へ導く熱風導入パイプ54が接続されている。ここで、ヒータ53は、熱風の温度が100℃未満となるように調整する。   As shown in FIG. 8A, the sludge drying apparatus 50 includes a drying chamber 51 and a belt conveyor 52. The drying chamber 51 is provided with an exhaust port 55 and connected with a hot air introduction pipe 54 that guides hot air from the heater 53 to the drying chamber 51. Here, the heater 53 adjusts so that the temperature of hot air may be less than 100 degreeC.

また、ベルトコンベア52は、ガイド48を通過して落下してくる汚泥4を、乾燥室51へと運搬する。つづいて、運搬された汚泥4には、乾燥室51において熱風が吹き付けられ、汚泥4の含水率は低下していく。そして、汚泥4が乾燥室51端(同図におけるベルトコンベア52の右端)に達した時点では、含水率が30%以下の乾燥汚泥5が得られる。   Further, the belt conveyor 52 conveys the sludge 4 falling through the guide 48 to the drying chamber 51. Subsequently, hot air is blown to the transported sludge 4 in the drying chamber 51, and the moisture content of the sludge 4 decreases. When the sludge 4 reaches the end of the drying chamber 51 (the right end of the belt conveyor 52 in the figure), the dried sludge 5 having a moisture content of 30% or less is obtained.

なお、乾燥汚泥5は、ベルトコンベア52の右端に達すると落下し、図示しない収納器へ格納されることになる。   The dried sludge 5 falls when it reaches the right end of the belt conveyor 52 and is stored in a container (not shown).

このように、汚泥吸着装置40によって吸着された汚泥4は、ただちに、汚泥乾燥装置50へ導かれ、乾燥汚泥5へと加工されるので、汚泥4中でシリコンの酸化が進行することを防止することができる。   Thus, since the sludge 4 adsorbed by the sludge adsorption device 40 is immediately guided to the sludge drying device 50 and processed into the dried sludge 5, the oxidation of silicon in the sludge 4 is prevented from proceeding. be able to.

次に、シリコン回収システム1によって得られる乾燥汚泥5の性質および乾燥汚泥5の利用例について説明する。   Next, the property of the dried sludge 5 obtained by the silicon recovery system 1 and the usage example of the dried sludge 5 will be described.

シリコン回収システム1によって得られる乾燥汚泥5における鉄(Fe)、アルミ(Al)、カルシウム(Ca)、ボロン(B)、リン(P)といった不純物は、それぞれ20ppm以下であることが確認されている。なお、シリコン屑の発生元となるBSG装置101あるいはD/S装置102で用いられる砥石やカッティングソーに由来する物質を排除することとすれば、かかる不純物の比率をさらに低くすることも可能である。   Impurities such as iron (Fe), aluminum (Al), calcium (Ca), boron (B), and phosphorus (P) in the dried sludge 5 obtained by the silicon recovery system 1 are each confirmed to be 20 ppm or less. . It should be noted that if the substances derived from the grindstone or cutting saw used in the BSG device 101 or the D / S device 102 that are the sources of silicon scrap are eliminated, the ratio of such impurities can be further reduced. .

また、シリコンの滞留時間が5.5時間以下となるように各装置の単位処理量を調整した場合、乾燥汚泥5におけるシリコン純度は概ね99%以上(すなわち、酸素濃度が1%以下)であることも確認されている。   Further, when the unit treatment amount of each device is adjusted so that the residence time of silicon is 5.5 hours or less, the silicon purity in the dried sludge 5 is approximately 99% or more (that is, the oxygen concentration is 1% or less). It has also been confirmed.

さらに、シリコン回収システム1によって得られる乾燥汚泥5に含まれるシリコン屑の粒度は、1μmセンターであり、粉砕加工を行わずとも利用価値が非常に高い。このため、シリコン回収システム1によって得られる乾燥汚泥5は、太陽電池の原料、硬質セラミックの原料、シリコン樹脂の原料、耐火物の原料などに広く用いることができる。   Furthermore, the particle size of the silicon waste contained in the dried sludge 5 obtained by the silicon recovery system 1 is 1 μm center, and the utility value is very high without performing pulverization. Therefore, the dried sludge 5 obtained by the silicon recovery system 1 can be widely used as a raw material for solar cells, a raw material for hard ceramics, a raw material for silicon resins, a raw material for refractories, and the like.

また、上述したように、シリコン回収システム1によって得られる乾燥汚泥5におけるピュアシリコンの含有率は非常に高いので、ケイ素化合物の原料としても有用である。たとえば、シリコン回収システム1によって得られる乾燥汚泥5を、一酸化ケイ素(SiO)、二酸化ケイ素(SiO)、窒化ケイ素(Si)、炭化ケイ素(SiC)などのケイ素化合物の原料として用いることができる。 Moreover, since the pure silicon content in the dried sludge 5 obtained by the silicon recovery system 1 is very high as described above, it is also useful as a raw material for silicon compounds. For example, the dried sludge 5 obtained by the silicon recovery system 1 is used as a raw material for silicon compounds such as silicon monoxide (SiO), silicon dioxide (SiO 2 ), silicon nitride (Si 3 N 4 ), and silicon carbide (SiC). be able to.

そして、生成されたケイ素化合物は、たとえば、二酸化ケイ素(SiO)については半導体封止樹脂添加剤として、窒化ケイ素(Si)については、回路基板や窒化ケイ素工具として、それぞれ利用することができる。 The generated silicon compound is used, for example, as a semiconductor sealing resin additive for silicon dioxide (SiO 2 ) and as a circuit board or silicon nitride tool for silicon nitride (Si 3 N 4 ), respectively. Can do.

上述してきたように、本実施例では、結晶シリコンの研磨および/または研削に伴う排水を流通させる樹脂製またはステンレス製の配管を用いることとしたうえで、流通される排水を貯留する貯留槽内の排水に浸漬した膜エレメントへシリコン汚泥を吸着させる汚泥吸着装置と、吸着されたシリコン汚泥を乾燥させることによって乾燥シリコン汚泥を得る汚泥乾燥装置とを配置し、シリコンが水と接した状態で留まる滞留時間が、かかる状態のシリコンにおける酸素濃度の時間変化率を示す酸化係数および回収されるシリコンにおける酸素濃度の目標値に基づいて算出される上限時間以下となるように、配管によって流通される単位時間あたりの排水の量および汚泥吸着装置によって処理される単位時間あたりの排水の量を決定するようにシリコン回収システムを構成した。   As described above, in the present embodiment, the resin-made or stainless-steel pipe that circulates the drainage accompanying polishing and / or grinding of crystalline silicon is used, and the inside of the storage tank that stores the circulated drainage is used. A sludge adsorption device that adsorbs silicon sludge to a membrane element immersed in the waste water and a sludge drying device that obtains dry silicon sludge by drying the adsorbed silicon sludge, and the silicon stays in contact with water Units circulated by piping so that the residence time is not more than the upper limit time calculated based on the oxidation coefficient indicating the rate of change of oxygen concentration with time in silicon in such a state and the target value of oxygen concentration in recovered silicon To determine the amount of wastewater per hour and the amount of wastewater per unit time processed by the sludge adsorber It was constructed near-recovery system.

したがって、本発明に係るシリコン回収システムおよびシリコン回収方法によれば、ピュアシリコンの含有率が高いシリコン汚泥を回収することができる。そして、回収されたシリコン汚泥を広く再利用することができる。   Therefore, according to the silicon recovery system and the silicon recovery method of the present invention, silicon sludge having a high pure silicon content can be recovered. And the recovered silicon sludge can be widely reused.

なお、上述した実施例では、回収対象となるシリコン屑の粒度が、1μmセンターである場合について説明した。しかしながら、本発明は、様々な粒度のシリコン屑に対応することができる。すなわち、回収対象となるシリコン屑の粒度に応じた酸化係数を実験等で求め、求めた酸化係数に基づいて滞留時間の上限値を算出することとすればよい。   In the embodiment described above, the case where the particle size of silicon scrap to be collected is 1 μm center has been described. However, the present invention can deal with silicon scraps of various particle sizes. That is, an oxidation coefficient corresponding to the particle size of silicon scrap to be collected may be obtained through experiments and the upper limit value of the residence time may be calculated based on the obtained oxidation coefficient.

以上のように、本発明に係るシリコン回収システムおよびシリコン回収方法は、シリコンを加工するプラントへの適用に有用であり、特に、回収したシリコンを広く再利用したい場合に適している。   As described above, the silicon recovery system and the silicon recovery method according to the present invention are useful for application to a plant that processes silicon, and are particularly suitable when the recovered silicon is desired to be widely reused.

1 シリコン回収システム
2 シリコン屑
3 排水
4 汚泥
5 乾燥汚泥
10 配管
20 濃縮装置
30 汚泥吸着乾燥装置
40 汚泥吸着装置
41 膜エレメント
41a 濾板
41aa 流路
41b 耳部
41ba 通水穴
41bb 連結穴
41c 膜
42 連結ブロック
42a 通水穴
42b 連結穴
44 膜モジュール
44a ボルト
44b レール
45 濾過槽
46 引上機構
46a 支持軸
46b アーム
47 ポンプ
47a チューブ
48 ガイド
50 汚泥乾燥装置
51 乾燥室
52 ベルトコンベア
53 ヒータ
54 熱風導入パイプ
55 排気口
101 BSG装置
102 D/S装置
201 冷却塔
202 純水製造装置
203 PKGダイシング
300 従来技術に係るシリコン回収システム
301 濃縮装置
302 調整槽
303 排水処理施設
304 脱水機
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Silicon recovery system 2 Silicon waste 3 Drainage 4 Sludge 5 Dry sludge 10 Piping 20 Concentration device 30 Sludge adsorption drying device 40 Sludge adsorption device 41 Membrane element 41a Filter plate 41aa Flow path 41b Ear part 41ba Water passage hole 41bb Connection hole 41c Membrane 42 Connection block 42a Water passage hole 42b Connection hole 44 Membrane module 44a Bolt 44b Rail 45 Filtration tank 46 Lifting mechanism 46a Support shaft 46b Arm 47 Pump 47a Tube 48 Guide 50 Sludge drying device 51 Drying chamber 52 Belt conveyor 53 Heater 54 Hot air introduction pipe 55 Exhaust port 101 BSG device 102 D / S device 201 Cooling tower 202 Pure water production device 203 PKG dicing 300 Silicon recovery system 301 according to the prior art 301 Concentrator 302 Adjustment tank 303 Wastewater treatment facility 3 04 Dehydrator

Claims (11)

シリコンを含んだ排水からシリコンを回収するシリコン回収システムであって、
結晶シリコンの研磨および/または研削に伴う排水を流通させる流通手段と、
前記流通手段によって流通される排水を貯留する貯留槽内の排水に浸漬した膜エレメントへシリコン汚泥を吸着させる汚泥吸着手段と、
前記汚泥吸着手段によって吸着されたシリコン汚泥を乾燥させることによって乾燥シリコン汚泥を得る汚泥乾燥手段と
を備え、
シリコンが水と接した状態で留まる滞留時間が、前記状態のシリコンにおける酸素濃度の時間変化率を示す酸化係数および回収されるシリコンにおける前記酸素濃度の目標値に基づいて算出される上限時間以下となるように、前記流通手段によって流通される単位時間あたりの排水の量および前記汚泥吸着手段によって処理される単位時間あたりの排水の量を決定したことを特徴とするシリコン回収システム。
A silicon recovery system for recovering silicon from wastewater containing silicon,
Distribution means for distributing drainage accompanying polishing and / or grinding of crystalline silicon;
Sludge adsorbing means for adsorbing silicon sludge to the membrane element immersed in the wastewater in the storage tank storing the wastewater distributed by the distribution means;
A sludge drying means for obtaining dry silicon sludge by drying the silicon sludge adsorbed by the sludge adsorption means,
The residence time in which the silicon stays in contact with water is equal to or less than the upper limit time calculated based on the oxidation coefficient indicating the time change rate of the oxygen concentration in the silicon in the state and the target value of the oxygen concentration in the recovered silicon. Thus, the silicon recovery system, wherein the amount of waste water per unit time distributed by the distribution means and the amount of waste water per unit time processed by the sludge adsorption means are determined.
前記流通手段は、
樹脂製またはステンレス製の配管であることを特徴とする請求項1に記載のシリコン回収システム。
The distribution means is:
2. The silicon recovery system according to claim 1, wherein the silicon recovery system is made of resin or stainless steel.
前記汚泥吸着手段の上流側に設けられ、排水を濃縮する濃縮手段
をさらに備え、
前記流通手段は、
前記濃縮手段の上流側および下流側にそれぞれ
設けられており、
前記汚泥吸着手段は、
前記濃縮手段によって濃縮された排水を前記流通手段経由で受け取ることを特徴とする請求項1または2に記載のシリコン回収システム。
Provided further upstream of the sludge adsorption means, further comprising a concentration means for concentrating the waste water,
The distribution means is:
Provided upstream and downstream of the concentration means,
The sludge adsorption means is
3. The silicon recovery system according to claim 1, wherein the waste water concentrated by the concentration means is received via the distribution means.
前記汚泥吸着手段は、
上流側からみて並列に設けられることを特徴とする請求項1、2または3に記載のシリコン回収システム。
The sludge adsorption means is
The silicon recovery system according to claim 1, wherein the silicon recovery system is provided in parallel when viewed from the upstream side.
前記汚泥乾燥手段は、
前記シリコン汚泥を乾燥させることによって含水率が30%以下の前記乾燥シリコン汚泥を得ることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載のシリコン回収システム。
The sludge drying means is
The silicon recovery system according to any one of claims 1 to 4, wherein the dry silicon sludge having a moisture content of 30% or less is obtained by drying the silicon sludge.
前記滞留時間の終点は、
前記乾燥シリコン汚泥の含水率が30%となった時点であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載のシリコン回収システム。
The end point of the residence time is
The silicon recovery system according to any one of claims 1 to 5, wherein the moisture content of the dry silicon sludge is 30%.
前記上限時間は、
100時間以下であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載のシリコン回収システム。
The upper limit time is
It is 100 hours or less, The silicon | silicone collection | recovery system as described in any one of Claims 1-6 characterized by the above-mentioned.
前記酸化係数は、
前記流通手段によって流通される排水に含まれるシリコンの粒度に基づいて求められるものであって、
前記上限時間は、
前記目標値を前記酸化係数で除することによって算出されることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一つに記載のシリコン回収システム。
The oxidation coefficient is
It is obtained based on the particle size of silicon contained in the wastewater circulated by the distribution means,
The upper limit time is
The silicon recovery system according to claim 1, wherein the silicon recovery system is calculated by dividing the target value by the oxidation coefficient.
シリコンを含んだ排水からシリコンを回収するシリコン回収方法であって、
結晶シリコンの研磨および/または研削に伴う排水のみを流通させる流通工程と、
前記流通工程によって流通される排水を貯留する貯留槽を用い、前記貯留槽内の排水に浸漬した膜エレメントへシリコン汚泥を吸着させる汚泥吸着工程と、
前記汚泥吸着工程によって吸着されたシリコン汚泥を乾燥させることによって乾燥シリコン汚泥を得る汚泥乾燥工程と
を含んでおり、
シリコンが水と接した状態で留まる滞留時間が、前記状態のシリコンにおける酸素濃度の時間変化率を示す酸化係数および回収されるシリコンにおける前記酸素濃度の目標値に基づいて算出される上限時間以下となるように、前記流通工程によって流通される単位時間あたりの排水の量および前記汚泥吸着工程によって処理される単位時間あたりの排水の量を決定したことを特徴とするシリコン回収方法。
A silicon recovery method for recovering silicon from wastewater containing silicon,
A distribution process for distributing only wastewater associated with polishing and / or grinding of crystalline silicon;
Using a storage tank for storing the wastewater distributed by the distribution process, a sludge adsorption process for adsorbing silicon sludge to the membrane element immersed in the wastewater in the storage tank;
A sludge drying step of obtaining dry silicon sludge by drying the silicon sludge adsorbed by the sludge adsorption step,
The residence time in which the silicon stays in contact with water is equal to or less than the upper limit time calculated based on the oxidation coefficient indicating the time change rate of the oxygen concentration in the silicon in the state and the target value of the oxygen concentration in the recovered silicon. Thus, the silicon recovery method characterized in that the amount of wastewater per unit time distributed by the distribution step and the amount of wastewater per unit time processed by the sludge adsorption step are determined.
請求項9に記載のシリコン回収方法によって回収される回収物。   A recovered material recovered by the silicon recovery method according to claim 9. 請求項9に記載のシリコン回収方法によって回収される回収物の化合物。   A compound of a recovered product recovered by the silicon recovery method according to claim 9.
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