JP2011146686A - パワー半導体モジュール、電力変換装置および鉄道車両 - Google Patents

パワー半導体モジュール、電力変換装置および鉄道車両 Download PDF

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Abstract

【課題】更なる小型化を可能とし且つ鉄道車両用の電力変換装置に適用可能なパワー半導体モジュールを提供すること。
【解決手段】鉄道車両用の電力変換装置に適用されるパワー半導体モジュールにおいて、IGBTとSiC−FWDとが逆並列に接続されてなる素子対62と、Si−IGBTとSiC−FWDとが逆並列に接続されてなる素子対64と、を有し、素子対62は電力変換装置の正側アームとして動作し、素子対64は電力変換装置の負側アームとして動作するように1つのモジュール内に収容され、2in1モジュールとして構成されると共に、素子対62,64におけるIGBTチップの占有面積に対するSiC−FWDチップの占有面積の比が15%以上、且つ、45%未満であるように形成される。
【選択図】図3

Description

本発明は、鉄道車両に適用可能な電力変換装置に係り、詳細には、この種の電力変換装置に搭載可能なパワー半導体モジュールに関する。
鉄道車両用に限定されるものではないが、比較的高出力な電力変換用途に適用可能なパワー半導体モジュールとして、例えば下記特許文献1に示されたものがある。この特許文献1に示されるパワー半導体モジュールでは、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)と呼ばれるスイッチング素子と、フライ・ホイール・ダイオード(Fly Wheel Diode:FWD)と呼ばれるダイオード素子とが逆並列に接続されてなる素子対の組を2組有する構成が開示されている。すなわち、このパワー半導体モジュールは、いわゆる「2in1」のパワー半導体モジュールとして構成されている(同文献の図1〜図4などを参照)。
特開2009−59923号公報
上記のような2in1タイプのパワー半導体モジュール(以下、必要に応じて「2in1モジュール」と称する)を構成する各1組の素子対をモジュール内で直列に接続すれば、インバータおよびコンバータにおける正側および負側の負アーム素子として使用することができる。したがって、例えば3相インバータであれば、3個の2in1モジュールで構成することができるので、装置の小型化が可能となる。
ところが、上記2in1モジュールを鉄道車両用のインバータに適用する場合には、話が簡単ではなかった。というのも、パワー半導体モジュールを鉄道車両に適用した場合、車両が加速する力行モードでは主としてIGBT側に大きな電流が流れ、ブレーキによって電力を回生して減速する回生モードでは主にFWD側に大きな電流が流れるので、力行モードではIGBTが、回生モードではFWDが大きく発熱する。このため、力行モードではIGBTチップの接合温度を、回生モードではFWDチップの接合温度を、それぞれの許容接合温度以下になるように、電流やスイッチング周波数を設定もしくは制御しなければならない。
しかしながら、現状の2in1モジュールでは、回生モードにおけるFWDチップの接合温度を許容接合温度以下になるように電流やスイッチング周波数を設定することは困難であった。ここで、IGBTチップのサイズとFWDチップのサイズとはトレードオフの関係にあるので、IGBTチップのサイズを小さくし、その削減分をFWDチップに割り当てることも考えられるが、現状の2in1モジュールでは、IGBTのチップサイズは可能な限り小さくしており、これ以上のサイズ削減は力行モードにおける電流容量の確保が困難になるため限界であった。したがって、現状の鉄道応用における3相インバータでは、同電流クラスのパワー半導体モジュールとして、IGBTおよびFWDの組が1組搭載されている、いわゆる「1in1」のパワー半導体モジュール(以下、必要に応じて「1in1モジュール」と称する)を6個用いて構成せざるを得ず、電力変換装置の更なる小型化が困難であった。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、更なる小型化を可能とし、かつ、鉄道車両用の電力変換装置に適用可能なパワー半導体モジュールを提供することを目的とする。
また、本発明は、既存の1in1タイプのモジュールサイズを大きくすることなくこれを互換的に利用することのできる2in1タイプのパワー半導体モジュールを提供することを目的とする。
また、本発明は、上記のようなパワー半導体モジュールを備えた電力変換装置および、上記のような電力変換装置を備えた鉄道車両を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明にかかるパワー半導体モジュールは、鉄道車両用の電力変換装置に適用されるパワー半導体モジュールにおいて、第1のスイッチング素子と第1のダイオード素子とが逆並列に接続されてなる第1の素子対と、第2のスイッチング素子と第2のダイオード素子とが逆並列に接続されてなる第2の素子対と、を有し、前記第1および第2のダイオード素子は、ワイドバンドギャップ半導体により形成され、前記第1の素子対は前記電力変換装置の正側アームとして動作し、前記第2の素子対は前記電力変換装置の負側アームとして動作するように1つのモジュール内に収容され、2in1モジュールとして構成されていることを特徴とする。
本発明にかかるパワー半導体モジュールによれば、既存の1in1タイプのモジュールサイズを大きくすることなくこれを利用し、鉄道車両に適用可能な2in1タイプのパワー半導体モジュールを提供することができるという効果を奏する。
図1は、本発明の実施の形態にかかる電力変換装置の概略の機能構成を示す図である。 図2は、2in1モジュールとして構成した本実施の形態にかかるパワー半導体モジュールの概略形状を示す斜視図である。 図3は、図2に示すパワー半導体モジュールが有する回路構成を概略的に示す図である。 図4は、従来から使用されている1in1モジュールの概略形状を示す斜視図である。 図5は、図4に示すパワー半導体モジュールが有する回路構成を概略的に示す図である。 図6は、力行モード時に主として流れる主回路電流の向きを示す図である。 図7は、回生モード時に主として流れる主回路電流の向きを示す図である。 図8は、従来の1in1モジュールを6個用いて構成した3相インバータの回路図である。 図9は、SiC−FWDを用いて構成した本実施の形態の2in1モジュールにおける一つの素子対の配置例を示す図である。 図10は、Si−FWDを用いて構成した従来の2in1モジュールにおける一つの素子対の配置例を示す図である。 図11は、本実施の形態の2in1モジュールを3個用いて構成した3相インバータの回路図である。
本願発明者は、オン電圧を低減することができ、その結果、リカバリ損失も大幅に低減することができるSiCダイオードに着目し、このSiCダイオードを上記2in1モジュールに適用して電力変換装置を構成することにより、鉄道応用に好適なパワー半導体モジュールおよび電力変換装置を導き出すに至った。以下、添付図面を参照し、本発明の実施の形態にかかるパワー半導体モジュールおよび電力変換装置について説明する。なお、以下に示す実施の形態により本発明が限定されるものではない。
<実施の形態>
まず、本発明の実施の形態にかかる電力変換装置について説明する。図1は、本実施の形態にかかる電力変換装置の概略の機能構成を示す図であり、鉄道車両100に搭載される電力変換装置50の一構成例を示している。同図に示すように、電力変換装置50は、コンバータ10、コンデンサ20およびインバータ30を備えて構成される。鉄道車両100には、電力変換装置50の入力端側に配置されてコンバータ10に接続される変圧器6および、電力変換装置50の出力端側に配置されてインバータ30に接続され、電力変換装置50からの電力供給を受けて車両を駆動する電動機40が搭載されている。なお、電動機40としては、誘導電動機や同期電動機が好適である。
変圧器6の一次巻線の一端は集電装置2を介して架線1に接続され、他端は車輪3を介して大地電位であるレール4に接続されている。架線1から供給される電力は、集電装置2を介して変圧器6の一次巻線に入力されるとともに、変圧器6の二次巻線に生じた電力がコンバータ10に入力される。
コンバータ10は、スイッチング素子UPC,VPCで構成される正側アーム(例えばU相ではUPC)と、スイッチング素子UNC,VNCで構成される負側アーム(例えばU相ではUNC)とがそれぞれ直列に接続された回路部(以下「レグ」という)を有している。すなわち、コンバータ10には、2組(U相分、V相分)のレグを有する単相ブリッジ回路が構成されている。
コンバータ10は、スイッチング素子UPC,VPC,UNC,VNCをPWM制御することで入力された交流電圧を所望の直流電圧に変換して出力する。
コンバータ10の出力端には、直流電源となるコンデンサ20が並列に接続されるとともに、コンデンサ20の直流電圧を入力とし、任意電圧および任意周波数の交流電圧に変換し出力するインバータ30が接続される。
インバータ30は、スイッチング素子UPI,VPI,WPIで構成される正側アーム(例えばU相ではUPI)と、スイッチング素子UNI,VNI,WNIで構成される負側アーム(例えばU相ではUNI)とがそれぞれ直列に接続されたレグを有している。すなわち、インバータ30には、3組(U相分、V相分、W相分)のレグを有する3相ブリッジ回路が構成されている。
インバータ30は、スイッチング素子UPI,VPI,WPI,UNI,VNI,WNIをPWM制御することで入力された直流電圧を所望の交流電圧に変換して出力する。
なお、図1では、本実施の形態にかかる電力変換装置の好適な例として、交流入力の電気車に適用する場合を一例として示したが、地下鉄や郊外電気車等に多用される直流入力の電気車に対しても同様に適用することができる。なお、直流入力の電気車に適用する場合、変圧器6およびコンバータ10の構成が不要となる点を除き、図1と同等の構成を採ることができ、本実施の形態にかかる内容を当該直流入力の電気車に適用することも無論可能である。
つぎに、本実施の形態の電力変換装置に用いられるパワー半導体モジュールについて説明する。図2は、2in1モジュールとして構成した本実施の形態にかかるパワー半導体モジュールの概略形状を示す斜視図であり、図3は、図2に示すパワー半導体モジュールが有する回路構成を概略的に示す図である。また、図4は、比較例として示すパワー半導体モジュールであり、従来から使用されている1in1モジュールの概略形状を示す斜視図である。また、図5は、図4に示すパワー半導体モジュールが有する回路構成を概略的に示す図である。
図4および図5に示すように、従来から使用されてきている1in1モジュール70では、シリコンをベースとするIGBT(Si−IGBT)と、シリコンベースのFWD(Si−FWD)とが逆並列に接続された1組の素子対72がパッケージ内に収容されている。Si−IGBTのコレクタとSi−FWDのカソードとはモジュール内で接続され、その接続端は引き出されて1in1モジュール70の上面に設けられたコレクタ電極Cに接続される。同様に、Si−IGBTのエミッタとSi−FWDのアノードとはモジュール内で接続され、その接続端は引き出されて1in1モジュール70の上面に設けられたエミッタ電極Eに接続されるように構成されている。
一方、図2および図3に示すように、本実施の形態にかかる2in1モジュール60では、シリコン(Si)をベースとするIGBT(Si−IGBT)と、シリコン・カーバイド(炭化ケイ素:SiC)をベースとするFWD(SiC−FWD)とが逆並列に接続された2組の素子対である第1の素子対62,第2の素子対64がパッケージ内に収容されている。
ここで、シリコン・カーバイド(SiC)は、ワイドバンドギャップ半導体と称される半導体の一例であり、シリコン・カーバイド以外にも、例えば窒化ガリウム系材料または、ダイヤモンドを用いて形成される半導体も、ワイドバンドギャップ半導体に属する。したがって、シリコン・カーバイド以外の他のワイドバンドギャップ半導体を用いる構成も、本発明の要旨を成すものである。
これら図2および図3において、第1の素子対62では、Si−IGBTのコレクタとSiC−FWDのカソードとがモジュール内で接続され、その接続端は引き出されて2in1モジュール60の上面に設けられたコレクタ電極C1に接続されると共に、Si−IGBTのエミッタとSiC−FWDのアノードとがモジュール内で接続され、その接続端は引き出されて2in1モジュール60の上面に設けられたエミッタ電極E1に接続されるように構成されている。同様に、第2の素子対64では、Si−IGBTのコレクタとSiC−FWDのカソードとがモジュール内で接続され、その接続端は引き出されて2in1モジュール60の上面に設けられたコレクタ電極C2に接続されると共に、Si−IGBTのエミッタとSiC−FWDのアノードとがモジュール内で接続され、その接続端は引き出されて2in1モジュール60の上面に設けられたエミッタ電極E2に接続されるように構成されている。
なお、図2の構造および図3の回路構成から明らかなように、2in1モジュール60における電極E1と電極C2とを、導体バーなどで電気的に接続すれば第1の素子対62と第2の素子対64とが直列接続されたレグを構成することができる。
つぎに、本実施の形態のパワー半導体モジュールが、既存の1in1モジュールのパッケージを互換的に使用し、既存の1in1モジュールのサイズを大きくすることなく2in1モジュールとして構成できる理由について説明する。
車両が加速走行する力行モードでは、コンデンサ20の正極側から電動機40に向けて電流が流れるため、例えばU相およびV相への印加電圧が正の期間であり、W相の印加電圧が負の期間では、図6に示すように、スイッチング素子UPI,VPIの各IGBTを通じて電動機40に電流が流れ込み、電動機40からの電流はスイッチング素子WNIのIGBTを通じてコンデンサ20の負極側に戻る。その結果、力行モード時においては、FWDに比してIGBTが大きく発熱することになる。
一方、車両が減速走行する回生モードでは、電動機40が発電機となり、電動機40からの電流がコンデンサ20の正極側に流れ込むため、例えば電動機40におけるU相およびV相の誘起電圧が正の期間であり、W相の誘起電圧が負の期間では、図7に示すように、スイッチング素子UPI,VPIの各FWDを通じてコンデンサ20側に電流が流れ込み、その戻り電流はスイッチング素子WNIのFWDを通じて電動機40に戻る。その結果、回生モード時においては、IGBTに比してFWDが大きく発熱することになる。
つぎに、汎用的な2in1モジュールの発熱量について、下記表1に示すパラメータを用いて計算する。なお、ここで用いる2in1モジュールは、シリコンベースのIGBT(Si−IGBT)と、シリコンベースのFWD(Si−FWD)とにより構成されるものである。
Figure 2011146686
上記表1のパラメータを用い、さらに、インバータ電流を定格電流の1/2(600A)とし、インバータ制御のキャリア周波数を1kHzとして発熱量を計算したときの結果を示したものが下記表2である。なお、簡易な計算結果を得るため、力率やインバータ効率などは考慮していない。
Figure 2011146686
上記表2において、IGBTおよびFWDの各オン損失は、1個のIGBTに半周期分の電流が流れる、すなわち1個のIGBTおよびFWDは1周期のうちの半周期の間だけ動作すると仮定するため、電圧と電流との積を2で割っている。また、IGBTおよびFWDの各スイッチング損失についても同様であり、パルス数(スイッチング周波数)を2で割っている。
上記表2の結果に示されるように、IGBTの温度上昇が12.5℃であるのに対し、FWDの温度上昇は30℃になっており、FWDの温度上昇が高いことが理解できる。
ここでIGBTの接合温度を許容接合温度以下となるよう、モジュールのケース温度を110℃となるように冷却器を選定した場合を考える。この場合、FWDの接合温度は110℃+30℃=140℃となり、FWDの許容接合温度125℃を上回る。したがって、上記表1に示した2in1モジュールは鉄道車両用として使用できないということになる。
この考えとは逆に、FWDの温度上昇に合わせた冷却器を選定した場合を考える。この場合、モジュールのケース温度は125℃−30℃=90℃以下とする必要がある。例えばモジュールのケース温度を90℃とした場合、IGBTの接合温度は90℃+12.5℃=102.5℃となり、125℃/102.5℃=1.22であることから、FWDの温度上昇に合わせた場合の冷却器は、IGBTの温度上昇に合わせた場合の冷却器に対して20%以上の余裕度を持っていることになる。すなわち、FWDの温度上昇に合わせた冷却器を構成しようとすると、より高性能な冷却器が必要となるので、冷却器のサイズが増大し、冷却器のコストが増加する。
つぎに、汎用的な1in1モジュールの発熱量について、下記表3に示すパラメータを用いて計算する。なお、ここで用いる1in1モジュールは、シリコンベースのIGBT(Si−IGBT)と、シリコンベースのFWD(Si−FWD)とにより構成されるものである。また、この1in1モジュールは、2in1モジュールに比べてスペース的に余裕があるので、表1に示すFWDよりもダイオード損失が小さく、熱抵抗も小さいものを収容することが可能となっている。
Figure 2011146686
表1の場合と同様に、表3のパラメータを用い、さらに、インバータ電流を定格電流の1/2(600A)とし、インバータ制御のキャリア周波数を1kHzとして発熱量を計算したときの結果を示したものが下記表4である。なお、簡易な計算結果を得るため、力率やインバータ効率などを考慮していない点は、表2のときと同様である。
Figure 2011146686
上記表4の結果に示されるように、IGBTの温度上昇は9.5℃であり、FWDの温度上昇は11.7℃であるため、IGBTおよびFWDの各温度上昇には大きな差がないことが分かる。
ここで、例えばモジュールのケース温度を110℃となるように冷却器を選定した場合を考える。この場合、FWDの接合温度は110℃+11.7℃=121.7℃となり、FWDの許容接合温度125℃を下回る。したがって、上記表3に示した1in1モジュールは鉄道車両用としての使用が可能となる。
このように、力行モードと回生モードとがある鉄道応用においては、従来の2in1モジュールは、FWDの温度上昇がIGBTの温度上昇に対して2倍程度の大きさを有しているため、冷却器をIGBTの温度上昇に合わせた冷却性能とすると、FWDの温度上昇が許容値を超えて使用不可となる。これとは逆に、冷却器をFWDの温度上昇に合わせた冷却性能とすると、冷却器のサイズが大きくなり、且つ、高価になってしまう。このため、鉄道車両に適用される従来の電力変換装置では、冷却器のサイズが増大し、冷却器のコストが増加することを防止するため、FWD損失が小さく、熱抵抗も小さい1in1モジュールを6個用いて3相インバータを構成していた(図8参照)。
つぎに、本実施の形態の2in1モジュールにおけるチップ配置(レイアウト)について説明する。図9は、SiC−FWDを用いて構成した本実施の形態の2in1モジュールにおける一つの素子対の配置例を示す図である。なお、図10には、比較例として、Si−FWDを用いて構成した従来の2in1モジュールにおける一つの素子対の配置例を示している。
従来の2in1モジュールでは、図10に示すように、1素子対あたり4個のIGBTチップと、2個のSi−FWDチップを用いて構成していた。なお、図10において、Si−FWDチップの占有面積は、IGBTチップの占有面積の約1/2(50%)である。
一方、本実施の形態の2in1モジュールでは、FWDとしてSiCを用いることとしたので、SiC−FWDチップの占有面積を従来のものよりも小さくすることが可能となる。例えば、図9に示すように、1素子対あたり4個のIGBTチップと、8個のSiC−FWDチップを有する構成ではあるが、SiC−FWDチップの占有面積は、IGBTチップの占有面積の約1/4(25%)である。
SiCをFWDとして用いた場合には、FWDのオン電圧を低減することができるので、リカバリ損失も大幅に低減することができる。SiCの場合、さらにチップ厚も薄くすることができるので、熱抵抗も小さくなる。このため、図9に示すように、各チップのレイアウトを変更することなく、FWDの温度上昇を1in1タイプのIGBTモジュールなみに抑制することができる。つまり、SiCをFWDとした場合、IGBTチップの占有面積に対するSiC−FWDチップの占有面積の比(以下「FWDチップ占有面積比」と称する)が1/2未満であっても、1in1タイプなみの温度上昇に抑えることが可能となる。
実際に、FWDチップをSiCとした2in1モジュールの発熱量について、下記表5に示すパラメータを用いて計算した結果を示すと表6のようになる。なお、本計算では、上記表2,4と同様に、力率やインバータ効率などは考慮せず、インバータ電流を定格電流の1/2(600A)とし、インバータ制御のキャリア周波数を1kHzとして計算している。
Figure 2011146686
Figure 2011146686
上記表6の結果に示されるように、SiC−FWDチップの温度上昇は、IGBTチップの温度上昇と同程度となる。また、従来の2in1モジュールにおけるSi−FWDチップの温度上昇値である30℃に対し(表2参照)、1/2以下の温度上昇値とすることができ、IGBTチップの温度上昇に合わせ、モジュールのケース温度を110℃となるような冷却器を用いても、FWDチップの接合温度は、接合温度許容値の125℃以下とすることが可能となる。
このため、本実施の形態の電力変換装置では、図11に示すように、3個の2in1モジュールを用いて3相インバータを構成することが可能となる。
なお、高温度での使用が可能であるというSiCの特徴を生かせば、SiC−FWDチップの許容動作温度を150℃以上に引き上げることができ、SiC−FWDチップの占有面積をさらに小さくすることができるので、モジュールサイズの更なる削減が可能となる。
また、SiC−FWDチップの占有面積の削減分を、IGBTチップの占有面積の増加に振り向けることとすれば、既存のモジュールサイズを大きくすることなくモジュール性能の向上が可能となる。
さらに、SiC−FWDチップの許容動作温度の高温化により、SiCに対する冷却器の性能を低減することができるので、冷却器の小型化および低コスト化が可能となる。
なお、本実施の形態では、FWDチップ占有面積比を約1/4(=0.25)として説明したが、この1/4という数値に限定されるものではない。本発明の意義は、鉄道応用の電力変換装置に適用可能な2in1モジュールを提供することにあるため、これを実現可能であればFWDチップ占有面積比は幾つであっても構わない。
例えば、上述したように高温度での使用が可能であるというSiCの特徴を活用したり、SiC−FWDチップの占有面積の削減分を、IGBTチップに振り向けたりする手法を用いれば、SiC−FWDチップの占有面積の削減分とIGBTチップの占有面積の増加分との相乗効果により、FWDチップ占有面積比の更なる低減が可能である。ここで、前者による低減効果を20%とし、後者による低減効果を20%と見積もれば、両者を合わせて40%程度の低減が可能であり、FWDチップ占有面積比を0.15(=(1/4)×(1-0.4))程度まで低減することが可能となる。
また、本実施の形態では、2in1モジュールのチップサイズを小さくすることができるという付随的な効果が得られるが、この効果は、FWDとしてSiCを用いることにより、従来の2in1モジュールにおけるFWDチップ占有面積比を1/2未満に低減できることから得られる。ただし、従来の2in1モジュールの設計に際しては、種々の設計条件に応じて±10%程度の誤差は生じるものである。これらの観点に鑑みて見れば、FWDチップ占有面積比を0.45(=0.5×(1-0.1))未満に低減できる点に本発明の意義があると言っても過言ではない。
また、本実施の形態では、2in1モジュールを構成するスイッチング素子として、IGBTを一例として示したが、IGBTに代えてMOSFETを搭載するものであっても構わない。なお、MOSFETの方がIGBTよりもスイッチング損失が小さいため、MOSFETの使用により、モジュールおよび冷却器の小型化、低コスト化が実現可能となる。
なお、各SiC−FWDチップを、それぞれの素子対をなす各IGBTチップと温度上昇が同等になるようなサイズに形成すれば、冷却器の設計が容易になり、冷却器の小型化、低コスト化に効果的である。
また、本実施の形態では、インバータへの適用を一例として説明したが、コンバータに適用することも無論可能である。コンバータに適用する場合、従来技術では4つの1in1モジュールを用いて構成することになるが、本実施の形態の技術を用いれば、2つの2in1モジュールを用いて構成することが可能となる。なお、鉄道応用において、コンバータの場合もIGBTに流れる電流よりもFWDに流れる電流のほうが大きいため、FWDにSiCを適用することにより、損失低減による装置の小型化、低コスト化、および部品点数低減による高信頼度化が実現可能となる。
また、本実施の形態の技術を鉄道車両用の補助電源装置に適用する場合、負荷力率の悪い状態下でのインバータ損失を低減することができるので、補助電源装置に用いるインバータを小型化することができ、装置の小型化および低コスト化が実現可能となる。
以上のように、本発明は、更なる小型化を可能とし、鉄道車両に適用可能なパワー半導体モジュールおよび電力変換装置として有用である。
1 架線
2 集電装置
3 車輪
4 レール
6 変圧器
10 コンバータ
20 コンデンサ
30 インバータ
40 電動機
50 電力変換装置
60 2in1モジュール
62 素子対(第1の素子対)
64 素子対(第2の素子対)
72 素子対
70 1in1モジュール
100 鉄道車両
C,C1,C2 コレクタ電極
E,E1,E2 エミッタ電極
UNC,VNC,WNC,UNI,VNI,WNI,UPC,VPC,WPC,UPI,VPI,WPI スイッチング素子

Claims (10)

  1. 鉄道車両用の電力変換装置に適用されるパワー半導体モジュールにおいて、
    第1のスイッチング素子と第1のダイオード素子とが逆並列に接続されて前記電力変換装置の正側アームとして動作する第1の素子対と、
    第2のスイッチング素子と第2のダイオード素子とが逆並列に接続されて前記電力変換装置の負側アームとして動作する第2の素子対とを直列に接続し、
    前記車両の加速時には前記第1のダイオード素子と前記第2のダイオード素子とに電流が流れ、
    前記車両の減速時には前記第1のスイッチング素子と前記第2のスイッチング素子とに電流が流れる2in1モジュールとして構成され、
    前記各素子対におけるスイッチング素子の占有面積に対するダイオード素子の占有面積の比が15%以上、且つ、45%未満であり、
    前記第1および第2のダイオード素子は、ワイドバンドギャップ半導体により形成され、前記第1および第2のスイッチング素子と温度上昇が同等になるようなサイズに形成されている
    ことを特徴とするパワー半導体モジュール。
  2. 前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化ケイ素、窒化ガリウム系材料または、ダイヤモンドを用いた半導体であることを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体モジュール。
  3. 前記第1および第2のスイッチング素子は、IGBT素子またはMOSFET素子であることを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体モジュール。
  4. 鉄道車両に搭載され、入力された交流電圧を所望の直流電圧に変換して出力するコンバータを有する電力変換装置において、
    前記コンバータは、
    第1のスイッチング素子と第1のダイオード素子とが逆並列に接続されて前記電力変換装置の正側アームが構成され、
    第2のスイッチング素子と第2のダイオード素子とが逆並列に接続されて前記電力変換装置の負側アームが構成され、
    前記正側アームと前記負側アームとが直列接続されてなるレグが1つのモジュール内に収容され、
    前記各レグを構成する第1および第2の素子対は、1つのモジュール内に収容され、
    前記車両の加速時には前記第1のダイオード素子と前記第2のダイオード素子とに電流が流れ、
    前記車両の減速時には前記第1のスイッチング素子と前記第2のスイッチング素子とに電流が流れる2in1モジュールとして構成され、
    前記モジュールにおける前記第1および第2のスイッチング素子の占有面積に対する前記第1および第2のダイオード素子の占有面積の比が15%以上、且つ、45%未満であり、
    前記第1および第2のダイオード素子は、ワイドバンドギャップ半導体により形成され、前記第1および第2のスイッチング素子と温度上昇が同等になるようなサイズに形成されている
    ことを特徴とする電力変換装置。
  5. 入力された交流電圧を所望の直流電圧に変換して出力するコンバータを有する電力変換装置と、
    前記電力変換装置からの電力供給を受けて車両を駆動する電動機とを備えた鉄道車両において、
    前記コンバータは、
    第1のスイッチング素子と第1のダイオード素子とが逆並列に接続されて前記電力変換装置の正側アームが構成され、
    第2のスイッチング素子と第2のダイオード素子とが逆並列に接続されて前記電力変換装置の負側アームが構成され、
    前記正側アームと前記負側アームとが直列接続されてなるレグが1つのモジュール内に収容され、
    前記車両の加速時には前記第1のダイオード素子と前記第2のダイオード素子とに電流が流れ、
    前記車両の減速時には前記第1のスイッチング素子と前記第2のスイッチング素子とに電流が流れる2in1モジュールとして構成され、
    前記モジュールにおける前記第1および第2のスイッチング素子の占有面積に対する前記第1および第2のダイオード素子の占有面積の比が15%以上、且つ、45%未満であり、
    前記第1および第2のダイオード素子は、ワイドバンドギャップ半導体により形成され、前記第1および第2のスイッチング素子と温度上昇が同等になるようなサイズに形成されている
    ことを特徴とする鉄道車両。
  6. 鉄道車両用の電力変換装置に適用されるパワー半導体モジュールにおいて、
    第1のスイッチング素子と第1のダイオード素子とが逆並列に接続されて前記電力変換装置の正側アームとして動作する第1の素子対と、
    第2のスイッチング素子と第2のダイオード素子とが逆並列に接続されて前記電力変換装置の負側アームとして動作する第2の素子対とを直列に接続し、
    前記第1および第2のダイオード素子は、ワイドバンドギャップ半導体により形成され、
    前記車両の加速時には前記第1のスイッチング素子と前記第2のスイッチング素子とに電流が流れ、
    前記車両の減速時には前記第1のダイオード素子と前記第2のダイオード素子とに電流が流れる2in1モジュールとして構成され、
    前記2in1モジュールの上面には、第1のコレクタ電極、第2のコレクタ電極、第1のエミッタ電極、第2のエミッタ電極が設けられたことを特徴とするパワー半導体モジュール。
  7. 前記第1のスイッチング素子のコレクタと前記第1のダイオード素子のカソードとが前記1つのモジュール内で接続され、その接続端が前記第1のコレクタ電極に接続され、
    前記第1のスイッチング素子のエミッタと前記第1のダイオード素子のアノードとが前記1つのモジュール内で接続され、その接続端が前記第1のエミッタ電極に接続され、
    前記第2のスイッチング素子のコレクタと前記第2のダイオード素子のカソードとが前記1つのモジュール内で接続され、その接続端が前記第2のコレクタ電極に接続され、
    前記第2のスイッチング素子のエミッタと前記第2のダイオード素子のアノードとが前記1つのモジュール内で接続され、その接続端が前記第2のエミッタ電極に接続されていることを特徴とする請求項6に記載のパワー半導体モジュール。
  8. 前記第1のエミッタ電極と前記第2のコレクタ電極を接続することによって、前記電力変換装置の正側アームと前記電力変換装置の負側アームとが直列接続されることを特徴とする請求項6に記載のパワー半導体モジュール。
  9. 鉄道車両に搭載され、入力された直流電圧または交流電圧を所望の交流電圧に変換して出力する電力変換装置において、
    スイッチング素子とダイオード素子とが逆並列に接続されて正側アームを構成する第1の素子対と、
    スイッチング素子とダイオード素子とが逆並列に接続されて負側アームを構成する第2の素子対とが直列接続されてなるレグを複数組有し、
    前記ダイオード素子は、ワイドバンドギャップ半導体により形成され、
    前記各レグを構成する第1および第2の素子対は、1つのモジュール内に収容され、
    前記車両の加速時には前記第1のスイッチング素子と前記第2のスイッチング素子とに電流が流れ、
    前記車両の減速時には前記第1のダイオード素子と前記第2のダイオード素子とに電流が流れる2in1モジュールとして構成され、
    前記2in1モジュールの上面には、第1のコレクタ電極、第2のコレクタ電極、第1のエミッタ電極、第2のエミッタ電極が設けられたことを特徴とする電力変換装置。
  10. 入力された直流電圧または交流電圧を所望の交流電圧に変換して出力する電力変換装置と、
    前記電力変換装置からの電力供給を受けて車両を駆動する電動機とを備えた鉄道車両において、
    前記電力変換装置は、
    スイッチング素子とダイオード素子とが逆並列に接続されて正側アームを構成する第1の素子対と、
    スイッチング素子とダイオード素子とが逆並列に接続されて負側アームを構成する第2の素子対とが直列接続されてなるレグを複数組有し、
    前記ダイオード素子は、ワイドバンドギャップ半導体により形成され、
    前記各レグを構成する第1および第2の素子対は、1つのモジュール内に収容され、
    前記車両の加速時には前記第1のスイッチング素子と前記第2のスイッチング素子とに電流が流れ、
    前記車両の減速時には前記第1のダイオード素子と前記第2のダイオード素子とに電流が流れる2in1モジュールとして構成され、
    前記2in1モジュールの上面には、第1のコレクタ電極、第2のコレクタ電極、第1のエミッタ電極、第2のエミッタ電極が設けられたことを特徴とする鉄道車両。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5031128B1 (ja) * 2011-09-30 2012-09-19 三菱電機株式会社 電動機の制御装置および制御方法、それらを適用した電動機ならびに車両駆動システム
JP2013223357A (ja) * 2012-04-17 2013-10-28 Mitsubishi Electric Corp 電力変換装置
KR101428527B1 (ko) * 2011-12-14 2014-08-11 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 전력용 반도체장치
JP2018129897A (ja) * 2017-02-07 2018-08-16 株式会社日立製作所 鉄道車両用電力変換装置
US10218351B2 (en) 2017-04-18 2019-02-26 Denso Corporation Parallel driving circuit of voltage-driven type semiconductor element

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001245479A (ja) * 2000-02-29 2001-09-07 Mitsubishi Electric Corp 電力半導体モジュール
JP2005005593A (ja) * 2003-06-13 2005-01-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体パワーモジュール

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001245479A (ja) * 2000-02-29 2001-09-07 Mitsubishi Electric Corp 電力半導体モジュール
JP2005005593A (ja) * 2003-06-13 2005-01-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体パワーモジュール

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5031128B1 (ja) * 2011-09-30 2012-09-19 三菱電機株式会社 電動機の制御装置および制御方法、それらを適用した電動機ならびに車両駆動システム
WO2013046460A1 (ja) * 2011-09-30 2013-04-04 三菱電機株式会社 電動機の制御装置および制御方法、それらを適用した電動機ならびに車両駆動システム
CN103843245A (zh) * 2011-09-30 2014-06-04 三菱电机株式会社 电动机的控制装置及控制方法、适用该控制装置及控制方法的电动机以及车辆驱动系统
EP2763312A4 (en) * 2011-09-30 2015-08-19 Mitsubishi Electric Corp CONTROL DEVICE AND METHOD FOR AN ELECTRIC MOTOR, ELECTRIC MOTOR THEREWITH AND VEHICLE DRIVE SYSTEM
US9178450B2 (en) 2011-09-30 2015-11-03 Mitsubishi Electric Corporation Control device and control method for electric motor, and motor and vehicle driving system to which the control device and control method are applied
CN103843245B (zh) * 2011-09-30 2017-09-15 三菱电机株式会社 电动机的控制装置及控制方法、适用该控制装置及控制方法的电动机以及车辆驱动系统
KR101428527B1 (ko) * 2011-12-14 2014-08-11 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 전력용 반도체장치
JP2013223357A (ja) * 2012-04-17 2013-10-28 Mitsubishi Electric Corp 電力変換装置
JP2018129897A (ja) * 2017-02-07 2018-08-16 株式会社日立製作所 鉄道車両用電力変換装置
US10218351B2 (en) 2017-04-18 2019-02-26 Denso Corporation Parallel driving circuit of voltage-driven type semiconductor element

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