JP2011143106A - 磁気ノイズ低減構造 - Google Patents

Abstract

【課題】被影響機器の配置計画の自由度を損ねることなく、被影響機器に対する磁気ノイズの影響を低減する提供すること。
【解決手段】磁場発生源にて発生される磁場を低減するための磁気ノイズ低減構造であって、磁場発生源であるエレベータ３の周囲に配置された複数の磁気遮蔽材１０と、これら複数の磁気遮蔽材１０の相互間に形成されることにより、磁場発生源であるエレベータ３にて発生される磁場のうち磁場低減対象方向に沿った磁場の方向を他の方向に向けさせる隙間２０とを備える。
【選択図】図１

Description

この発明は、磁場発生源にて発生される磁場を低減するための磁気ノイズ低減構造に関する。

従来、医療施設で用いられるＭＲＩ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ Ｉｍａｇｉｎｇ）装置や、半導体生産施設で用いられるＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ）露光装置等は、変動磁場発生源にて発生された磁場による磁気ノイズの影響を受け、検査精度や製造精度を低減させる可能性がある。このため、変動磁場による磁気ノイズを低減することのできる装置や方法が要望されている。

磁気ノイズを低減するためには、変動磁場発生源から、磁気ノイズの影響を受けるＭＲＩ装置やＥＢ露光装置等の各種の機器（以下、被影響機器）を離れた位置に配置すればよいとも考えられる。例えば、一般的には、変動磁場発生源と被影響機器の相互間の離隔距離として、被影響機器がＭＲＩ装置である場合には７〜９ｍ程度、被影響機器がＥＢ露光装置である場合には１０ｍ程度を確保できるように、これら被影響機器の配置計画を立案することで、被影響機器の変動磁場に対する許容値を満足することができる。しかしながら、施設における各種機器の集約化の要請や動線の効率化の要請から、実際には、十分な離隔距離を確保することが困難な場合がある。特に、被影響機器が高精度化することに伴って、被影響機器の変動磁場に対する許容値が低下することが予想されており、この場合には離隔距離を一層長く取る必要が生じるため、離隔距離を確保することが一層困難になってきている。

このような点に鑑みて、従来、被影響機器に対する磁気ノイズの入射量を低減するためのシステムも提案されている。例えば、特許文献１や特許文献２には、いわゆるアクティブ式の磁気キャンセラーが開示されている。この磁気キャンセラーは、被影響機器の周囲に設置した磁気センサーと、被影響機器が設置された部屋の周囲に設置された補償コイルとを備えて構成されており、磁気センサーで検知した磁場と逆位相の磁場を補償コイルで発生させることで、磁気ノイズを低減するためのものである。

特開２００５−３５０３号公報 特開２００５−２９４５３７号公報

しかしながら、上記従来の磁気キャンセラーでは、磁場発生源と補償コイルが隣接している場合には磁気ノイズを適切に低減することが困難であるため、これら磁場発生源と補償コイルとを相互に一定距離以上離隔する必要があり、結局は、ある程度の離隔距離を確保する必要があるため、従来の課題を完全に解決することはできない。また、上述したように、施設における各種機器の集約化の要請や動線の効率化の要請があり、例えば、医療施設においては複数のＭＲＩ装置を隣接する部屋に配置したいとの要望があるが、磁気キャンセラーを隣接する位置に複数配置した場合には、これら複数の磁気キャンセラーが相互に干渉してしまうため、このような配置を取ることも実際には不可能であった。

本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、被影響機器の配置計画の自由度を損ねることなく、被影響機器に対する磁気ノイズの影響を低減する提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するため、請求項１に係る磁気ノイズ低減構造は、磁場発生源にて発生される磁場を低減するための磁気ノイズ低減構造であって、前記磁場発生源の周囲に配置された複数の磁気遮蔽材と、前記複数の磁気遮蔽材の相互間に形成されることにより、前記磁場発生源にて発生される磁場のうち磁場低減対象方向に沿った磁場の方向を他の方向に向けさせる隙間とを備えるものである。

請求項２に係る磁気ノイズ低減構造は、請求項１に係る磁気ノイズ低減構造において、前記磁場発生源と、この磁場発生源にて発生された磁場による磁気ノイズの影響を受け得る被影響手段とを、略水平方向に沿って並設し、前記磁場低減対象方向を水平方向とし、前記複数の磁気遮蔽材の少なくとも複数の一部を略鉛直方向に沿って配置し、前記隙間を、略鉛直方向に沿って配置した前記磁気遮蔽材の相互間に形成したものである。

請求項３に係る磁気ノイズ低減構造は、請求項２に係る磁気ノイズ低減構造において、前記磁場発生源は、略鉛直方向に沿って移動するエレベータであり、前記複数の磁気遮蔽材の少なくとも複数の一部を、前記エレベータのエレベータシャフトにおける側壁に沿って配置し、前記隙間を、前記エレベータのエレベータシャフトにおける側壁に沿って配置した前記磁気遮蔽材の相互間であって、前記エレベータの出入口扉に対応した位置に形成したものである。

請求項４に係る磁気ノイズ低減構造は、請求項３に係る磁気ノイズ低減構造において、前記複数の磁気遮蔽材の少なくとも複数の一部を、前記エレベータのエレベータシャフトにおける側壁の外側に配置したものである。

請求項５に係る磁気ノイズ低減構造は、請求項１から４のいずれか一項に係る磁気ノイズ低減構造において、前記複数の磁気遮蔽材の少なくとも一部に対して略直交する方向に沿って第２の磁気遮蔽材を配置することで形成されるもので、前記磁場発生源にて発生される磁場のうち磁場低減対象方向に沿った磁場の方向を他の方向に向けさせる庇を備えるものである。

請求項６に係る磁気ノイズ低減構造は、請求項５に係る磁気ノイズ低減構造において、前記磁場発生源は、略鉛直方向に沿って移動するエレベータであり、前記複数の磁気遮蔽材の少なくとも複数の一部を、前記エレベータのエレベータシャフトにおける側壁に沿って配置し、前記庇を、前記エレベータのエレベータシャフトに隣接する床スラブ又は天井に沿って前記第２の磁気遮蔽材を配置することにより形成したものである。

請求項１に係る発明によれば、磁場発生源の周囲に磁気遮蔽材を配置したので、従来の磁気キャンセラーのように被影響機器を取り囲むことで磁気ノイズの提供を低減する構造に比べて、磁気のセンシングや補償を行う必要がないため、磁場発生源から被影響機器の離隔距離や、複数の被影響機器の相互間の離隔距離を低減することができ、被影響機器の配置計画の自由度を損ねることなく、被影響機器に対する磁気ノイズの影響を低減することが可能となる。特に、複数の磁気遮蔽材の相互間に形成されたもので、磁場低減対象方向に沿った磁場の方向を他の方向に向けさせるための隙間を備えるので、磁場発生源から隙間に至る方向へ引き寄せられる磁場成分が弱くなり、複数の磁気遮蔽材に至る方向への磁場成分が強くなるので、磁場発生源から隙間に至る方向への磁場を低減することが可能になり、磁場低減対象方向に関する磁気ノイズ低減効果を一層増大させることが可能となる。

請求項２に係る発明によれば、水平方向へ引き寄せられる磁場成分が弱くなり、鉛直方向への磁場成分が強くなるので、水平方向への磁場を低減することが可能になる。

請求項３に係る発明によれば、磁場発生源であるエレベータシャフトから被影響機器に至る水平方向の磁場成分が弱くなり、エレベータシャフトに沿った鉛直方向への磁場成分が強くなるので、エレベータシャフトから被影響機器に至る水平方向の磁場を低減することが可能になる。特に、隙間をエレベータの出入口扉に対応した位置に形成することで、エレベータの出入口扉を介して当該エレベータに人や物が出入りすることを妨げることがないため、エレベータの利用上の問題を生じさせることなく、磁気ノイズ低減構造を設置することが可能となる。

請求項４に係る発明によれば、複数の磁気遮蔽材をエレベータシャフトにおける側壁の外側に配置したので、エレベータ用のレール等の付属物が磁気遮蔽材を設置する上での障害になることもなく、工事上の安全確保の点からエレベータシャフトの内部に工事用足場を設置する必要もなくなるので、エレベータを長期間に渡って停止させる必要がなくなり、既存建屋のエレベータに対しても磁気ノイズ低減構造を容易かつ安価に設置することが可能となる。

請求項５に係る発明によれば、複数の磁気遮蔽材の少なくとも一部に対して略直交する方向に沿って第２の磁気遮蔽材を配置することで形成されるもので、磁場発生源にて発生される磁場のうち磁場低減対象方向に沿った磁場の方向を他の方向に向けさせる庇を備えるので、磁場発生源から庇に至る方向へ引き寄せられる磁場成分が強くなるので、磁場発生源から他の方向への磁場を低減することが可能になる。

請求項６に係る発明によれば、磁場発生源であるエレベータシャフトから被影響機器に至る水平方向の磁場成分が一層弱くなり、エレベータシャフトから床スラブ又は天井に至る鉛直方向への磁場成分が強くなるので、エレベータシャフトから被影響機器に至る水平方向の磁場を低減することが可能になる。

本発明の実施の形態１に係る磁気ノイズ低減構造が適用された建屋の縦断面図である。 図１のＡ−Ａ矢視断面図である。 磁気遮蔽材の高さの最適寸法を検討するための磁界解析モデルを示す図であり、対象性を有するための１／２領域のみを示す図である。 図３の磁界解析モデルによる評価結果であり、磁場の水平方向の成分の評価結果を示す図である。 図３の磁界解析モデルによる評価結果であり、磁場の垂直方向の成分の評価結果を示す図である。 磁気遮蔽材の隙間の高さの最適寸法を検討するための磁界解析モデルを示す図であり、対象性を有するための１／２領域のみを示す図である。 図６の磁界解析モデルによる評価結果であり、磁場の水平方向の成分の評価結果を示す図である。 図６の磁界解析モデルによる評価結果であり、磁場の垂直方向の成分の評価結果を示す図である。 磁気遮蔽材の庇の幅の最適寸法を検討するための磁界解析モデルを示す図であり、対象性を有するための１／２領域のみを示す図である。 図９の磁界解析モデルによる評価結果であり、磁場の水平方向の成分の評価結果を示す図である。 図９の磁界解析モデルによる評価結果であり、磁場の垂直方向の成分の評価結果を示す図である。 磁気ノイズ低減構造による磁気ノイズ低減効果の検討結果を示す図であり、磁場の水平方向の成分の評価結果を示す図である。 磁気ノイズ低減構造による磁気ノイズ低減効果の検討結果を示す図であり、磁場の垂直方向の成分の評価結果を示す図である。 磁気遮蔽材を設けていない場合における磁場の方向の解析結果を示した図である。 磁気遮蔽材を設けていない場合における磁場の方向の解析結果を示した図であり、図１４の位置よりもエレベータカゴを上昇させた条件での解析結果を示す図である。 磁気遮蔽材を設けた場合における磁場の方向の解析結果を示した図である。 図１５の解析結果に示す評価点周辺（図１５のＡ領域）の拡大図である。 図１６の解析結果に示す評価点周辺（図１６のＡ領域）の拡大図である。 磁気遮蔽材及び隙間を設けた場合における磁場の方向の解析結果を示した図である。 図１９の解析結果に示す評価点周辺（図１９のＡ領域）の拡大図である。 磁気遮蔽材、隙間、及び庇を設けた場合における磁場の方向の解析結果を示した図である。 図２１の解析結果に示す評価点周辺（図２１のＡ領域）の拡大図である。 変形例に係る磁気ノイズ低減構造が適用された建屋の縦断面図である。 変形例に係る磁気ノイズ低減構造が適用された建屋の図２に対応する断面における縦断面図である。 変形例に係る磁気ノイズ低減構造の磁界解析モデルを示す図であり、対象性を有するための１／２領域のみを示す図である。

以下に添付図面を参照して、本発明に係る実施の形態を詳細に説明する。まず、〔I〕本実施の形態の基本的概念を説明した後、〔II〕本実施の形態の具体的内容について説明し、〔III〕最後に、本実施の形態に対する変形例について説明する。ただし、本実施の形態によって本発明が限定されるものではない。

〔I〕本実施の形態の基本的概念
まず本実施の形態の基本的概念について説明する。本実施の形態に係る磁気ノイズ低減構造は、磁場発生源にて発生される磁場を低減するための構造である。

この磁場発生源としては、磁場発生源の時間的な位置変動を伴う変動磁場発生源と、磁場発生源の時間的な位置変動を伴わない静的な磁場発生源を挙げることができる。変動磁場発生源としては、エレベータや電車の如き移動金属体が該当する。静的な磁場発生源としては、電源室の如き電気設備やＭＲＩ装置のような磁場発生装置が該当する。以下では、磁場発生源が変動磁場発生源としてのエレベータである場合について説明する。

この磁場発生源にて発生された磁場による磁気ノイズの影響を受け得る被影響機器(特許請求の範囲における被影響手段）としては、上述のＭＲＩ装置やＥＢ露光装置を含む任意の機器を挙げることができる。以下では、被影響機器がＭＲＩ装置である場合について説明する。

各実施の形態に共通の特徴の一部は、磁気ノイズ低減構造が、磁場発生源の周囲に配置された磁気遮蔽材を備える点にある。すなわち、従来の磁気キャンセラーのように、被影響機器を取り囲むことで磁気ノイズの提供を低減するのではなく、磁場発生源を取り囲む構造を採用することで磁気ノイズの提供を低減するという発想の転換を行ったものである。この場合には、磁気のセンシングや補償を行う必要がないため、磁場発生源から被影響機器の離隔距離や、複数の被影響機器の相互間の離隔距離を低減することができ、被影響機器の配置計画の自由度を損ねることなく、被影響機器に対する磁気ノイズの影響を低減することが可能となる。

しかしながら、単に磁場発生源を磁気遮蔽材で取り囲んだ場合には、新たな問題が生じ得る。特に、変動磁場発生源の代表例と言えるエレベータを磁気遮蔽材で取り囲む場合には、種々の問題が生じ得る。すなわち、エレベータシャフト全体を磁気遮蔽材で取り囲もうとしても、エレベータカゴの出入口扉の部分においてエレベータへの人や物の出入りを可能とするためには、磁気遮蔽材を配置できないスペースが必ず生じることになり、この場合には磁気遮蔽材により形成されるべき磁路が分断されてしまい、磁気遮蔽効果が低減するという懸念があった。また、既存建屋のエレベータを磁気遮蔽材で取り囲む場合において、エレベータシャフトの内部に磁気遮蔽材を配置しようとすると、エレベータ用のレール等の付属物が障害になることや、工事上の安全確保の点からエレベータシャフトの内部に工事用足場を設置する必要があるために大規模な工事となり、エレベータを長期間に渡って停止させる必要がある等の問題がある。一方、エレベータシャフトの外部に磁気遮蔽材を配置しようとすると、各階の床スラブが障害となり、この部分には磁気遮蔽材を配置できないため、やはり、磁気遮蔽材により形成されるべき磁路が分断されてしまい、磁気遮蔽効果が低減するという懸念があった。

このような課題を解決するため、本願発明者は、単に磁場発生源を磁気遮蔽材で取り囲むのではなく、さらに磁場方向変更部を設けることを見出した。磁場方向変更部とは、磁気遮蔽材に設けられるものであって、磁場発生源にて発生される磁場のうち、磁場低減対象方向に沿った磁場の方向を他の方向に向けさせるためのものである。ここで、磁場低減対象方向とは、磁場が取り得る３次元方向の中で、被影響機器への影響を低減するために特に低減対象とすべき磁場の方向を意味する。例えば、被影響機器がＭＲＩ装置である場合、磁場低減対象方向は、ＭＲＩ装置の主軸方向（超電導電磁石コイル方式のＭＲＩ装置においては水平方向）である。すなわち、磁場発生源を磁気遮蔽材で取り囲む場合において、上述のように磁気遮蔽材を配置できないスペースを設けざる負えない場合には、当該スペースにおける磁場のうち、磁場低減対象方向に沿った磁場を他の方向に向けさせることで、磁場低減対象方向に沿った磁場を低減し、被影響機器への影響を低減する。

この磁場方向変更部としては、少なくとも、複数の磁気遮蔽材の相互間に形成された「隙間」を形成する。例えば、磁場方向変更部を「隙間」とした場合、この「隙間」をエレベータカゴの出入口扉の部分に配置することで、この出入口扉に磁気遮蔽材を配置できないことによる課題を解決することが可能となる。また、磁場方向変更部として、磁気遮蔽材に対して略直交するように設けられた第２の磁気遮蔽材により形成される「庇」を設けることもできる。例えば、「庇」を床スラブに沿って配置することで、床スラブに磁気遮蔽材を配置できないことによる課題を解決することが可能となる。このように、隙間を設け、あるいはさらに庇を設けることで、磁気ノイズ低減効果を増大させることが可能となる。

〔II〕本実施の形態の具体的内容
次に、本実施の形態の具体的内容について説明する。

（構成）
最初に、本実施の形態に係る磁気ノイズ低減構造の具体的内容について説明する。図１は本実施の形態に係る磁気ノイズ低減構造が適用された建屋の縦断面図、図２は図１のＡ−Ａ矢視断面図である。以下、図１、２におけるＺ方向を「高さ」、Ｙ方向を「幅」、Ｘ方向を「奥行き」と称する。ただし、これら「高さ」、「幅」、「奥行き」との表現は便宜的なものであり、本構造が図示とは異なる方向で配置される可能性があり、また、異なる表現（「高さ」を「長さ」と表現すること等）を適用することもできる。

図１に示すように、建屋１は、病院等の医療施設であり、複数階の中層階に設けられたＭＲＩ室２に隣接して、これら複数階を移動するためのエレベータ３が設けられている。各階は、コンクリート製の床スラブ４によって区画されており、この床スラブ４の下方には各階の天井部５が設けられている（以下、ＭＲＩ室２が設けられた階を対象階、この対象階の一つ上方の階を上階、この対象階の一つ下方の階を下階と称する）。

天井部５は、天井板５ａを備えて構成されており、この天井板５ａと床スラブ４との相互間に形成された天井スペース５ｂには図示しない空調ダクト等が収容されている。図２に示すように、ＭＲＩ室２は、ＭＲＩ装置２ａを磁気シールド壁２ｂで取り囲むように構成されており、この磁気シールド壁２ｂの一画には出入口２ｃが設けられている。図１、２に示すように、エレベータ３は、鉛直方向に沿って形成された空間部であるエレベータシャフト３ａと、このエレベータシャフト３ａの内部において当該エレベータシャフト３ａに沿って移動可能となるように配置されたエレベータカゴ３ｂを備えて構成されている。ここでは、対象階におけるエレベータ３の出入口扉３ｃを、エレベータシャフト３ａを挟んでＭＲＩ室２と反対側の面に設けている。

このように構成された建屋１の主要部分の寸法としては、図１、２に示した寸法を想定しており、各階の高さ＝約４、２５０ｍｍ、各階の天井部５の高さ＝約１、７５０ｍｍ、各階における天井部５から床スラブ４までの高さ＝約２、５００ｍｍ、エレベータシャフト３ａの奥行き及び幅＝約２、０００ｍｍ、床スラブ４からＭＲＩ装置２ａの高さ方向の超電導電磁石コイルの中心までの距離＝約１、０００ｍｍ、ＭＲＩ装置２ａの奥行き方向の超電導電磁石コイルの中心からエレベータ３の奥行き方向の中心までの距離＝約３、０００ｍｍである。

このように構成された建屋１に対して、図１に示すように、本実施の形態においては、エレベータシャフト３ａの側壁の外側に磁気遮蔽材１０を設けている。具体的には、対象階においては、エレベータシャフト３ａの側壁の外側面のうち、ＭＲＩ室２側の外側面に磁気遮蔽材１０を設けると共に、ＭＲＩ室２と反対側の外側面に磁気遮蔽材１０を設けている。また、下階においては、エレベータシャフト３ａの外側面のうち、ＭＲＩ室２側の外側面に磁気遮蔽材１０を設けると共に、ＭＲＩ室２と反対側の外側面に磁気遮蔽材１０を設けている。これら磁気遮蔽材１０は、エレベータシャフト３ａの外側面に沿って（略鉛直方向に沿って）、当該エレベータシャフト３ａを構成するコンクリート側壁の表面に、直接的に、又は任意の中間層（例えば、電磁波を遮断するための電磁波遮断層）を介して間接的に、接着等の固定手段にて固定されている。これら磁気遮蔽材１０は、図２に２点鎖線で示すように、エレベータシャフト３ａの幅に略対応する幅で配置されている。

ここで、対象階においては、磁場方向変更部としての隙間２０が設けられている。この隙間２０は、対象階にエレベータカゴ３ｂが停止した状態において、当該エレベータカゴ３ｂの高さに対応する高さ部分に設けられており、具体的には、エレベータシャフト３ａの全周に渡って、当該エレベータカゴ３ｂの高さに対応する高さ部分の磁気遮蔽材１０を省略することによって形成されている。すなわち、図１の寸法においては、磁気遮蔽材１０の高さは約１、７５０ｍｍとなっており、この磁気遮蔽材１０の下方における磁気遮蔽材１０が省略されることによって、対象階の磁気遮蔽材１０と、下階の磁気遮蔽材１０との相互間に、高さ約２、５００ｍｍの隙間２０が形成されている。このように隙間２０を設けることの効果については後述する。この隙間２０は、エレベータシャフト３ａの幅方向及び奥行き方向の四周の全域に設けられている。なお、図１のＡ−Ａ矢視断面位置においては、隙間２０が設けられているために、磁気遮蔽材１０は存在していないが、図２には、隙間２０の上下に配置された磁気遮蔽材１０の位置を便宜的に示すため、磁気遮蔽材１０を２点鎖線にて示している。

さらに、対象階及び下階においては、磁場方向変更部としての庇３０が設けられている。この庇３０は、ＭＲＩ室２側の外側面に設けた磁気遮蔽材１０に対して略直交する方向に沿って、磁気遮蔽材（第２の磁気遮蔽材）４０を配置することにより形成されている（ただし、磁気遮蔽材４０としては、磁気遮蔽材１０と同一のものを用いることができる）。具体的には、対象階の庇３０は、対象階と上階とを区画する床スラブ４の下面に沿って配置されており、下階の庇３０は、下階の天井板５ａの上面に沿って配置されており、これら床スラブ４や天井板５ａの表面に、直接的に、又は任意の中間層（例えば、電磁波を遮断するための電磁波遮断層）を介して間接的に、接着等の固定手段にて固定されている。これら庇３０は、奥行き＝約２、０００ｍｍで配置されている。また、これら庇３０は、エレベータシャフト３ａから、ＭＲＩ装置２ａの奥行き方向の超電導電磁石コイルの中心に至る奥行きで配置されている。これら庇３０は、磁気遮蔽材１０に接するように設けられることで、これら磁気遮蔽材１０との間に連続的な磁路を形成する。また、これら庇３０は、図２に２点鎖線で示すように、エレベータシャフト３ａの幅に略対応する幅で配置されている。このように庇３０を設けることの効果については後述する。

なお、各磁気遮蔽材１０、４０の具体的な製造方法は任意であるが、例えば珪素鋼板（方向性珪素鋼板、無方向性珪素鋼板）、パーマロイ、電磁鋼板、あるいは、アモルファス板の如き磁性板を、単体で、又は複数枚を重合あるいは並設させて、形成することができる。特に、磁気遮蔽材１０、４０を珪素鋼板から形成した場合には、パーマロイ等から形成する場合に比べて材料コストが安価である点で好ましい。また、磁気遮蔽材１０、４０は、これら相互間における磁路が遮断されることがないように形成されることが好ましく、例えば、１枚の珪素鋼板を曲げ加工したり、２枚の珪素鋼板を相互に溶接あるいは付き合わせにて接合することで、磁気遮蔽材１０、４０を同時に形成する。好ましくは、磁気遮蔽材１０、４０を、１枚の珪素鋼板を曲げ加工することにより形成し、この折り曲げ部分に焼き鈍し処理を施することで磁化特性を初期化する。なお、磁気遮蔽材１０、４０の各側面には、錆び止め等のための塗装を行なってもよい。

（最適寸法）
次に、本実施の形態に係る磁気ノイズ低減構造における各部の最適寸法の検討結果を説明する。

（最適寸法−磁気遮蔽材の高さ）
最初に、隙間２０及び庇３０を設けていない場合の磁気ノイズ低減構造の磁気ノイズ低減効果を解析し、磁気遮蔽材１０の高さ方向の最適寸法を検討する。図３は、磁界解析モデルを示す図であり、対象性を有するための１／２領域のみを示す図である。この図３に示すＺ方向、Ｙ方向、Ｘ方向は、図１、２のＺ方向、Ｙ方向、Ｘ方向にそれぞれ対応させてある（後述する図６、９、１４〜２１も同様）。エレベータカゴ３ｂは、実機のＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の変動磁場の強度及び方向と一致するように、最小二乗法を用いて、垂直方向下向き０．８ｍＷｂ・ｍで、長さ２ｍの磁気双極子としてモデル化した。ここでは、このエレベータカゴ３ｂを４方から取り囲むように磁気遮蔽材１０を設置した（ただし、上述のように、図３には対象性を有するための１／２領域のみを示す）。磁気遮蔽材１０の奥行きは１ｍ、幅は２ｍとし、エレベータカゴ３ｂの奥行き方向の中心から水平方向に沿って３ｍ離れた位置（図１のＭＲＩ装置２ａの奥行き方向の超電導電磁石コイルの中心位置を想定）を評価点Ｐとした。解析は、三次元有限要素法による線形磁界解析により行った。磁気遮蔽材１０は、厚さ１０ｍｍの珪素鋼板とし、透磁率を３０００とした。エレベータカゴ３ｂを高さ方向に１ｍ間隔で移動させ、各高さにおける評価点Ｐにおける磁束密度を評価した。この評価を、磁気遮蔽材１０の高さを、０ｍ（磁気遮蔽材１０がない場合）、２ｍ、４ｍ、６ｍ、８ｍ、１０ｍの６つの高さに変えて、それぞれ行った。

図４は、磁場の水平方向（図３のＸ方向）の成分(以下、Ｂｘ成分）の評価結果を示す図であり、横軸は、エレベータカゴ３ｂの高さ方向の位置、縦軸は、磁束密度を示す。この図４に示すように、磁束密度の最大値を、異なる高さの磁気遮蔽材１０の相互間で比べると、磁気遮蔽材１０の高さが高くなる程、磁束密度の最大値が小さくなることが判る。従って、Ｂｘ成分については、磁気遮蔽材１０を極力高くすることが好ましいことが判る。

図５は、磁場の垂直方向（鉛直方向であり、図３のＺ方向。以下同じ）の成分(以下、Ｂｚ成分）の評価結果を示す図であり、横軸は、エレベータカゴ３ｂの高さ方向の位置、縦軸は、磁束密度を示す。この図５に示すように、磁束密度の最大値を、異なる高さの磁気遮蔽材１０の相互間で比べると、磁気遮蔽材１０の高さが６ｍ、８ｍ、１０ｍの３つの場合では、磁気遮蔽材１０の高さを８ｍ以上にしても、エレベータカゴ３ｂの高さ方向の位置＝０ｍの場合における磁束密度が高止まりしているため、磁気遮蔽材１０の高さ＝６ｍが最適値と言える。この評価結果と、建屋１の各階の高さ方向の間隔は通常は６ｍ程度であることから、Ｂｚ成分については、磁気遮蔽材１０の高さを約６ｍとすることが好ましいことが判る。

（最適寸法−隙間の高さ）
次に、隙間２０の高さの最適寸法を検討する。図６は、磁界解析モデルを示す図であり、対象性を有するための１／２領域のみを示す図である。この図６に示す磁界解析モデルは、特に説明なき部分は図３の磁界解析モデルと同様に構成されているが、磁気遮蔽材１０の高さを６ｍに固定した上で、高さ方向の中心に隙間２０を設けている点で異なる。ここでは、隙間２０の高さを、１ｍ、２ｍ、２．５ｍ、３ｍ、４ｍとした各場合について、エレベータカゴ３ｂを高さ方向に１ｍ間隔で移動させ、各高さにおける評価点Ｐにおける磁束密度を評価した。

図７は、磁場の水平方向（図６のＸ方向）のＢｘ成分の評価結果を示す図であり、横軸は、エレベータカゴ３ｂの高さ方向の位置、縦軸は、磁束密度を示す。この図７に示すように、磁束密度の最大値を、異なる高さの隙間２０の相互間で比べると、磁束密度の最大値は、隙間２０の高さ＝２．５ｍの場合が一番小さくなることが判る。また、この隙間２０の高さ＝２．５ｍの場合における磁束密度の最大値は、エレベータカゴ３ｂの高さ方向の位置＝４ｍにおいて約０．６９μＴであり、図４に示したグラフにおいて同じく磁気遮蔽材１０の高さ＝６ｍである場合における、エレベータカゴ３ｂの高さ方向の位置＝４ｍでの磁束密度の最大値＝約０．７７μＴに対して小さくなっていることから、Ｂｘ成分に関しては、磁気遮蔽材１０の高さが同じである場合には、隙間２０を設けることで遮断性能が向上することが判った。

図８は、磁場の垂直方向（図３のＺ方向）のＢｚ成分の評価結果を示す図であり、横軸は、エレベータカゴ３ｂの高さ方向の位置、縦軸は、磁束密度を示す。この図８に示すように、磁束密度の最大値を、異なる高さの隙間２０の相互間で比べると、磁束密度の最大値は、各隙間２０の高さの相互間で大きな違いはないことが判った。また、各隙間２０の高さにおける磁束密度の最大値は、図４に示したグラフにおいて同じく磁気遮蔽材１０の高さを６ｍである場合における磁束密度の最大値＝約０．２６μＴに対していずれも大きくなっており、Ｂｚ成分に関しては、隙間２０を設けた場合には遮断性能が低下することが判った。

（最適寸法−庇の奥行き）
次に、庇３０の奥行きの最適寸法を検討する。図９は、磁界解析モデルを示す図であり、対象性を有するための１／２領域のみを示す図である。この図９に示す磁界解析モデルは、特に説明なき部分は図６の磁界解析モデルと同様に構成されているが、隙間２０の高さ＝２．５ｍに固定した上で、上方の磁気遮蔽材１０の上端と下方の磁気遮蔽材１０の下端に、エレベータシャフト３ａの奥行き方向に沿って奥行き１ｍの庇３０を設けている点で異なる。ここでは、庇３０の幅を、１ｍ、２ｍ、３ｍとした各場合について、エレベータカゴ３ｂを高さ方向に１ｍ間隔で移動させ、各高さにおける評価点Ｐにおける磁束密度を評価した。

図１０は、磁場の水平方向（図９のＸ方向）のＢｘ成分の評価結果を示す図であり、横軸は、エレベータカゴ３ｂの高さ方向の位置、縦軸は、磁束密度を示す。この図１０に示すように、磁束密度の最大値を、異なる幅の庇３０の相互間で比べると、磁束密度の最大値は、隙間２０の幅＝２ｍの場合が一番小さくなることが判る。また、この隙間２０の幅＝２ｍの場合における磁束密度の最大値は、エレベータカゴ３ｂの高さ方向の位置＝４ｍにおいて約０．６２μＴであり、図４に示したグラフにおいて同じく磁気遮蔽材１０の高さ＝６ｍである場合における、エレベータカゴ３ｂの高さ方向の位置＝４ｍでの磁束密度の最大値＝約０．７７μＴに対して小さくなっており、Ｂｘ成分に関しては、磁気遮蔽材１０の高さが同じである場合には、庇３０を設けることで遮断性能が向上することが判った。

図１１は、磁場の垂直方向（図３のＺ方向）のＢｚ成分の評価結果を示す図であり、横軸は、エレベータカゴ３ｂの高さ方向の位置、縦軸は、磁束密度を示す。この図１１に示すように、磁束密度の最大値を、異なる幅の庇３０の相互間で比べると、庇３０の幅が大きくなる程、磁束密度の最大値が大きくなることが判った。

（磁気ノイズ低減構造による磁気ノイズ低減効果の検討）
次に、本実施の形態に係る磁気ノイズ低減構造による磁気ノイズ低減効果の検討結果をまとめる。図１２は、磁場の水平方向のＢｘ成分の評価結果を示す図であり、図４、７、１０に示した評価結果の要部を一つにまとめた図である。具体的には、図４における磁気遮蔽材１０の高さ＝０ｍの評価結果（磁気遮蔽材１０がない場合の評価結果）、同図における磁気遮蔽材１０の高さ＝６ｍで、隙間２０及び庇３０がない場合の評価結果、図７における磁気遮蔽材１０の高さ＝６ｍで、隙間２０の高さ＝２．５ｍの評価結果（隙間２０のみがあり、庇３０がない場合の評価結果）、及び図１０における磁気遮蔽材１０の高さ＝６ｍ、隙間２０の高さ＝２．５ｍ、庇３０の幅＝２ｍの評価結果（隙間２０及び庇３０がある場合の評価結果）をまとめた。この図１２から判るように、Ｂｘ成分に関して、磁束密度の最大値は、隙間２０及び庇３０がない場合の評価結果に比べて、隙間２０を設けた場合が小さくなっており、庇３０を設けた場合にはさらに小さくなっていることが判る。これらのことから、隙間２０又は庇３０のいずれか一方、あるいは隙間２０及び庇３０の両方を設けた場合には、Ｂｘ成分の磁気ノイズ低減効果が得られることが確認できた。

図１３は、磁場の垂直方向のＢｚ成分の評価結果を示す図であり、図５、８、１１に示した評価結果の要部を一つにまとめた図である。ここでは、図１２と同じ各場合の評価結果をまとめた。この図１３から判るように、Ｂｚ成分に関しては、隙間２０や庇３０による磁束密度の最大値の低減は確認できなかった。

これらのことから、隙間２０や庇３０を設けることで、少なくとも、特定の方向（上記の場合にはＢｘ成分に対応するＸ方向）の磁気ノイズ低減効果が得られることが確認できた。ここで、被影響機器の中には、特定の方向の磁場変動に対する許容値が厳しく求められるものが存在する。例えば、ＭＲＩ装置２ａは、現在は、水平方向に磁場を発生する超電導電磁石コイル方式が主流となっているが、この方式のＭＲＩ装置２ａでは、水平方向の変動磁場に対しての許容値が厳しく設定されている。よって、このように許容値が厳しく設定されている方向を磁場低減対象方向とし、隙間２０や庇３０による磁気ノイズ低減効果が得られる方向が磁場低減対象方向に合致するように、磁気遮蔽材１０、隙間２０、及び庇３０を設置することができれば、単に磁気遮蔽材１０のみを設ける場合に比べて、好ましい磁気ノイズ低減効果を得ることが可能になる。

そこで、本実施の形態においては、磁場低減対象方向＝水平方向とし、この水平方向における磁気ノイズ低減効果が得られる構造で、磁気遮蔽材１０、隙間２０、及び庇３０を設置している。具体的には、図１に関して説明したように、磁気遮蔽材１０をエレベータシャフト３ａに沿って（鉛直方向に沿って）配置し、磁気遮蔽材１０の全体の高さ（磁気遮蔽材１０の上端から、磁気遮蔽材１０高さの下端に至る高さ）＝約６ｍ、隙間２０の高さ＝約２．５ｍ、庇３０の奥行き＝約２ｍとしている。また、隙間２０を、対象階にエレベータカゴ３ｂが停止した状態において、当該エレベータカゴ３ｂの高さに対応する高さ部分に配置したので、エレベータカゴ３ｂの出入口扉３ｃの部分を磁気遮蔽材１０で塞ぐこともないため、この出入口扉３ｃに磁気遮蔽材１０を配置できないことによる課題を解決することができた。

（磁気ノイズ低減効果の説明）
最後に、隙間２０や庇３０を設けることで特定の方向の磁気ノイズ低減効果が得られる理由について説明する。図１４は、磁気遮蔽材１０を設けていない場合における磁束の方向の解析結果を示した図である。エレベータカゴ３ｂは、上述のように、垂直方向下向き０．８ｍＷｂ・ｍ、長さ２ｍの磁気双極子としてモデル化している。この図１４においては、各点における磁束の向きを２等辺三角形の頂点方向により示している。なお、各点における磁束密度の大きさは正規化により表現していない。この図１４から判るように、エレベータカゴ３ｂの下方からＺ方向にでた磁束は、徐々にＸ方向に向きを変え、Ｚ方向に向きを変えつつ上方に回り込み、エレベータシャフト３ａおよびその周囲を通って、再びエレベータカゴ３ｂに戻るように分布している。

図１５は、同様の条件で図１４よりもエレベータカゴ３ｂを評価点Ｐの位置よりもＺ方向に２ｍ上昇させた点での解析結果を示す。この図１５においても、エレベータカゴ３ｂを中心として、図１４とほぼ同様の磁束分布が確認される。なお、エレベータカゴ３ｂを２ｍ上昇させたのは、図４に示した、評価点における磁束密度が最も大きくなる位置であるためである。

次に、図１６には、磁気遮蔽材１０をエレベータシャフト３ａに沿って高さ＝６ｍで設置した場合において、エレベータカゴ３ｂを評価点Ｐの位置よりもＺ方向に４ｍ上昇させた地点での解析結果を示す。これも同じく図４に示した評価点における磁束密度が最も大きくなる位置である。ここで磁気遮蔽材１０の外側において、磁束の方向が変わっていることがわかる。これは、磁束は磁気遮蔽材１０に対し、直交する方向で吸い込まれる性質があるためである。

図１７には、図１５の解析結果に示す評価点周辺（図１５のＡ領域）の拡大図を示す。ここでは、磁束量を表す磁束密度の大きさを２等辺三角形の大きさにより表現している（５μＴ、３μＴ、１μＴの３種類。後述する図１８、２０、２２において同じ）。同様に図１８には、図１６の解析結果に示す評価点周辺（図１６のＡ領域）の拡大図を示す。これら図１７、１８を参照し、図１５に示す磁気遮蔽材１０なしの場合と図１６に示す磁気遮蔽材１０ありの場合を比較すると、磁束の方向はいずれも水平方向となっており、Ｂｘ成分（水平方向）の磁束が強くなっているが、磁気遮蔽材１０を設置することにより、Ｂｘ成分が小さくなっていることがわかる。

次に、図１９には、磁気遮蔽材１０に隙間２．５ｍを設けた場合において、エレベータカゴ３ｂを評価点Ｐの位置よりもＺ方向に４ｍ上昇させた地点での解析結果を示す。これも同じく、図７に示した評価点における磁束密度が最も大きくなる地点である。図２０には、図１９の解析結果に示す評価点周辺（図１９のＡ領域）の拡大図を示す。ここでは、磁束量を表す磁束密度の大きさを２等辺三角形の大きさにより表現している。ここで、図１６の場合に比べて、評価点周辺における磁束の方向が、Ｚ方向に変更されていることが判る。これは、隙間に磁気遮蔽材１０が存在しないことから、隙間に至る方向（水平方向）への磁束成分が弱くなり、その上下の磁気遮蔽材１０に引き寄せられることで、これら上下の磁気遮蔽材１０に至る方向（鉛直方向）への磁束成分が強くなったためであると考えられる。このため、評価点周辺においては、Ｂｘ成分が弱くなったものと考えられる。

最後に、図２１に磁気遮蔽材１０に高さ＝２．５ｍの隙間２０を設け、更に磁気遮蔽材１０の上下端部に庇３０を設置した場合において、エレベータカゴ３ｂをＺ方向に４ｍ上昇させた地点での解析結果を示す。これも同じく図１０に示した評価点における磁束密度が最も大きくなる地点である。図２２には、図２１の解析結果に示す評価点周辺（図２１のＡ領域）の拡大図を示す。ここでは、磁束量を表す磁束密度の大きさを２等辺三角形の大きさにより表現している。ここで図２２では、図２０に比べて、評価点周辺における磁束密度が小さくなり、特に、評価点周辺における磁束の方向が、Ｚ方向に一層変化していることが判る。これは、庇３０が存在するために、磁束が庇３０に引き寄せされることで、庇３０に至る方向（鉛直方向）への磁束成分が強くなったためであると考えられる。このため、評価点周辺においては、Ｂｘ成分が一層弱くなったものと考えられる。

以上のように、磁束密度の低減対象方向（例えば、超電導電磁石コイル方式におけるＢｘ成分すなわち水平方向）に沿った磁束の方向を他の方向に向けさせるための隙間２０や庇３０を備えることで、評価点周辺の変動磁場量を低減させることが可能になっていると考えられる。

（本実施の形態の効果）
このように本実施の形態によれば、磁場発生源の周囲に磁気遮蔽材１０を配置したので、従来の磁気キャンセラーのように被影響機器を取り囲むことで磁気ノイズの提供を低減する構造に比べて、磁気のセンシングや補償を行う必要がないため、磁場発生源から被影響機器の離隔距離や、複数の被影響機器の相互間の離隔距離を低減することができ、被影響機器の配置計画の自由度を損ねることなく、被影響機器に対する磁気ノイズの影響を低減することが可能となる。特に、磁場低減対象方向に沿った磁場の方向を他の方向に向けさせるための磁場方向変更部とを備えるので、磁場低減対象方向に関する磁気ノイズ低減効果を一層増大させることが可能となる。

また、磁場方向変更部を、複数の磁気遮蔽材１０の相互間の隙間２０として形成したので、磁場発生源から隙間２０に至る方向へ引き寄せられる磁場成分が弱くなり、複数の磁気遮蔽材１０に至る方向への磁場成分が強くなるので、磁場発生源から隙間２０に至る方向への磁場を低減することが可能になる。

また、水平方向へ引き寄せられる磁場成分が弱くなり、鉛直方向への磁場成分が強くなるので、水平方向への磁場を低減することが可能になる。

また、磁場発生源であるエレベータシャフト３ａから被影響機器に至る水平方向の磁場成分が弱くなり、エレベータシャフト３ａに沿った鉛直方向への磁場成分が強くなるので、エレベータシャフト３ａから被影響機器に至る水平方向の磁場を低減することが可能になる。特に、隙間２０をエレベータ３の出入口扉３ｃに対応した位置に形成することで、エレベータ３の出入口扉３ｃを介して当該エレベータ３に人や物が出入りすることを妨げることがないため、エレベータ３の利用上の問題を生じさせることなく、磁気ノイズ低減構造を設置することが可能となる。

また、複数の磁気遮蔽材１０をエレベータシャフト３ａにおける側壁の外側に配置したので、エレベータ３用のレール等の付属物が磁気遮蔽材１０を設置する上での障害になることもなく、工事上の安全確保の点からエレベータシャフト３ａの内部に工事用足場を設置する必要もなくなるので、エレベータ３を長期間に渡って停止させる必要がなくなり、既存の建屋１のエレベータ３に対しても磁気ノイズ低減構造を容易かつ安価に設置することが可能となる。

また、磁場方向変更部を庇３０として形成したので、磁場発生源から庇３０に至る方向へ引き寄せられる磁場成分が強くなるので、磁場発生源から他の方向への磁場を低減することが可能になる。

また、磁場発生源であるエレベータシャフト３ａから被影響機器に至る水平方向の磁場成分が一層弱くなり、エレベータシャフト３ａから床スラブ４又は天井に至る鉛直方向への磁場成分が強くなるので、エレベータシャフト３ａから被影響機器に至る水平方向の磁場を低減することが可能になる。

〔III〕本実施の形態に対する変形例
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明の具体的な構成及び手段は、特許請求の範囲に記載した各発明の技術的思想の範囲内において、任意に改変及び改良することができる。以下、このような変形例について説明する。

（解決しようとする課題や発明の効果について）
また、発明が解決しようとする課題や発明の効果は、前記した内容に限定されるものではなく、本発明によって、前記に記載されていない課題を解決したり、前記に記載されていない効果を奏することもでき、また、記載されている課題の一部のみを解決したり、記載されている効果の一部のみを奏することがある。

（形状や数値について）
上記実施の形態で示した形状や数値は例示であり、各寸法値は任意に変更することができる。特に、隙間２０の位置や寸法、庇３０の位置や寸法については、本発明の概念に合致する限りにおいて、任意に変更可能である。例えば、対象階の下階の庇３０に関しては、天井面の上面に沿うように配置する以外にも、対象階と下階を相互に区画する床スラブ４の下面に沿うように配置してもよい。

（磁場低減対象方向について）
磁場低減対象方向は、上述のような水平方向に限られず、被影響機器の種類、仕様、設置環境（磁場発生源と被影響機器との相互の位置関係を含む）等を考慮して任意に定めることができる。また、磁場低減対象方向は、必ずしも一つの方向に限定されず、２以上の磁場低減対象方向に対して、磁場方向変更部を設けてもよい。

（磁場方向変更部について）
磁場方向変更部は、上述した隙間２０や庇３０以外にも、他の構造で構築することもできる。例えば、エレベータシャフト３ａに沿って複数枚の磁気遮蔽材１０を並設する場合において、一部の磁気遮蔽材１０のみの厚みを、他の磁気遮蔽材１０に比べて増すことで、当該厚みを増した磁気遮蔽材１０に引き寄せられる磁場を増大させてもよい。

（庇３０の配置位置について）
上記実施の形態１においては、図１に示すように、庇３０を、対象階と上階の間の床スラブ４の下面に沿った位置や、下階の天井板５ａに沿った位置に配置しているが、庇３０を他の位置に配置してもよい。図２３は、変形例に係る磁気ノイズ低減構造が適用された建屋の縦断面図である。この図２３に示すように、庇３０を、対象階の天井板５ａに沿った位置や、対象階と下階の間の床スラブ４の下面に沿った位置に配置してもよい。あるいは、この他にも、床スラブ４や天井板５ａから離れた位置に配置することも可能である。

また、上記実施の形態１においては、庇３０を、図２に２点鎖線で示すように、エレベータシャフト３ａの幅に対応する幅で設けているが、他の幅で設けてもよい。図２４は、変形例に係る磁気ノイズ低減構造が適用された建屋の図２に対応する断面における縦断面図である。この図２４に２点鎖線で示すように、庇３０を、ＭＲＩ室２の幅に対応する幅で設けてもよい。あるいは、この他にも、エレベータシャフト３ａやＭＲＩ室２の幅とは異なる幅で設けることもできる。

あるいは、上記実施の形態１においては、庇３０を、図９の解析モデルにて示すように、磁場低減対象方向（Ｘ方向）に沿った方向にのみ設けているが、庇３０をさらに他の方向に設けてもよい。図２５は、変形例に係る磁気ノイズ低減構造の磁界解析モデルを示す図であり、対象性を有するための１／２領域のみを示す図である。この図２５に示すように、磁場低減対象方向に沿って第２の磁気遮蔽材４０Ａを設けることにより形成した庇３０Ａに加えて、磁場低減対象方向に直交する方向（ここではＺ方向）に沿って第２の磁気遮蔽材４０Ｂを設けることにより庇３０Ｂを形成してもよい。この第２の磁気遮蔽材４０Ｂは、磁気遮蔽材１０及び第２の磁気遮蔽材４０Ａに接するように設けられることで、これらとの間に連続的な磁路を形成する。

１ 建屋
２ ＭＲＩ室
２ａ ＭＲＩ装置
２ｂ 磁気シールド壁
２ｃ 出入口
３ エレベータ
３ａ エレベータシャフト
３ｂ エレベータカゴ
３ｃ 出入口扉
４ 床スラブ
５ 天井部
５ａ 天井板
５ｂ 天井スペース
１０、４０、４０Ａ、４０Ｂ 磁気遮蔽材（第２の磁気遮蔽材）
２０ 隙間
３０、３０Ａ、３０Ｂ 庇
Ｐ 評価点

Claims (6)

1. 磁場発生源にて発生される磁場を低減するための磁気ノイズ低減構造であって、
   前記磁場発生源の周囲に配置された複数の磁気遮蔽材と、
   前記複数の磁気遮蔽材の相互間に形成されることにより、前記磁場発生源にて発生される磁場のうち磁場低減対象方向に沿った磁場の方向を他の方向に向けさせる隙間と、
   を備える磁気ノイズ低減構造。
2. 前記磁場発生源と、この磁場発生源にて発生された磁場による磁気ノイズの影響を受け得る被影響手段とを、略水平方向に沿って並設し、
   前記磁場低減対象方向を水平方向とし、
   前記複数の磁気遮蔽材の少なくとも複数の一部を略鉛直方向に沿って配置し、
   前記隙間を、略鉛直方向に沿って配置した前記磁気遮蔽材の相互間に形成した、
   請求項１に記載の磁気ノイズ低減構造。
3. 前記磁場発生源は、略鉛直方向に沿って移動するエレベータであり、
   前記複数の磁気遮蔽材の少なくとも複数の一部を、前記エレベータのエレベータシャフトにおける側壁に沿って配置し、
   前記隙間を、前記エレベータのエレベータシャフトにおける側壁に沿って配置した前記磁気遮蔽材の相互間であって、前記エレベータの出入口扉に対応した位置に形成した、
   請求項２に記載の磁気ノイズ低減構造。
4. 前記複数の磁気遮蔽材の少なくとも複数の一部を、前記エレベータのエレベータシャフトにおける側壁の外側に配置した、
   請求項３に記載の磁気ノイズ低減構造。
5. 前記複数の磁気遮蔽材の少なくとも一部に対して略直交する方向に沿って第２の磁気遮蔽材を配置することで形成されるもので、前記磁場発生源にて発生される磁場のうち磁場低減対象方向に沿った磁場の方向を他の方向に向けさせる庇を備える、
   請求項１から４のいずれか一項に記載の磁気ノイズ低減構造。
6. 前記磁場発生源は、略鉛直方向に沿って移動するエレベータであり、
   前記複数の磁気遮蔽材の少なくとも複数の一部を、前記エレベータのエレベータシャフトにおける側壁に沿って配置し、
   前記庇を、前記エレベータのエレベータシャフトに隣接する床スラブ又は天井に沿って前記第２の磁気遮蔽材を配置することにより形成した、
   請求項５に記載の磁気ノイズ低減構造。

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