JP2011142229A - 電子部品用パッケージ、電子部品装置、及び電子部品装置の製造方法 - Google Patents

電子部品用パッケージ、電子部品装置、及び電子部品装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】
低コストで作製可能な電子部品用パッケージ、電子部品装置、及び電子部品装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
平板状の電子部品に接続されるリードフレームと、電磁シールド構造を有し、前記電子部品の一方の面側に配設されるシールド板とを含む、電子部品用パッケージであって、前記シールド板は、前記リードフレームに含まれる複数のリードのうち、所定電位のリードによって保持される。
【選択図】図２

Description

本発明は、電子部品用パッケージ、電子部品装置、及び電子部品装置の製造方法に関する。
従来より、半導体素子やボンディングワイヤを保護する蓋部材を被せた後に、モールド樹脂で封止された半導体装置があった（例えば、特許文献１参照）。
また、所謂半導体素子ではなく、例えば、半導体製造工程を応用したＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術等で作製された加速度センサや光スイッチ等の電子部品を収容した電子部品装置が様々な分野で用いられている。ＭＥＭＳ素子は、半導体製造工程によって作製される振動子を有する微小な電子部品であり、振動子が動くための空間を内部に確保する必要がある。このため、従来は、セラミック製の中空のハウジング、又は、予めモールド成形された樹脂製のハウジングにＭＥＭＳ素子を実装していた。
また、ＭＥＭＳ素子を含む電子部品装置は、振動子の変位による静電容量等の物理量の変位を検出するため、電磁波等の外部ノイズから保護する必要がある。このため、従来は、ハウジングの蓋部をＧＮＤ電位等に保持していた。
図１は、従来の電子部品装置の断面構造を示す図である。図１には、一例として、加速度センサとして用いられる電子部品装置１を示す。この電子部品装置１は、ＭＥＭＳ素子２をセラミック製のハウジング３の内部に収容し、ハウジング３に導電性のある蓋部４を被せて密封されている。ハウジング３は、シート状の部材（典型的には、グリーンシート）を積層してから焼結したものである。
ＭＥＭＳ素子２は、加速度を受けると振動子が変位し、これにより静電容量が変化する。このような静電容量の変化を検出し、加速度の変化を表す信号として外部に取り出すため、ＭＥＭＳ素子２にはリードフレーム５が接続されている。
リードフレーム５は、ハウジング３の側壁を貫通するように設けられており、ハウジング３の内側でワイヤ６を介してＭＥＭＳ素子２に接続され、ＭＥＭＳ素子２で検出された静電容量の変化をハウジング３の外部に取り出せるように構成されている。
このような電子部品装置１において、ＭＥＭＳ素子２を外部の電磁ノイズ等から保護するために、ハウジング３の側壁を深さ方向に貫通するビアホール内にビア７を形成し、このビア７を介して蓋部４をリードフレーム５のうちのＧＮＤ電位のラインに接続していた。このように蓋部４をＧＮＤ電位に保持することにより、ＭＥＭＳ素子２は、主に蓋部４の方向の電磁ノイズから保護されていた（例えば、特許文献２参照）。
特開昭６２−２８５４５１号公報 特開２００１−３０８２１７号公報
上述のような構造の電子部品装置に用いられていたセラミック製のハウジングは、高価であるという問題があった。
また、蓋部をＧＮＤ電位に保持するために、ビアホールとビアを作製するためには、ハウジングを加工する工程が必要となる。セラミック製のハウジングは、シート状の部材（典型的には、グリーンシート）を積層することによって作製されるため、積層するシート状の部材の各々にビアホール用の開口部を形成し、積層して焼結した後にビアを形成する必要があった。このため、高価なセラミック製のハウジングがさらに高価になるという問題があった。
また、セラミック製ではなく、予めモールド成形したモールド樹脂製のハウジングを用いた場合には、蓋部をＧＮＤ電位に保持する手法が存在しなかった。例えば、蓋部が帯電すると、ＭＥＭＳ素子のように質量の軽い素子は、静電気の影響を受けやすいため、動作に影響が生じる場合があった。
また、モールド成形したハウジングにビアホール及びビアを形成しようとすると、高度な加工が要求されるため、製造コストが嵩むという問題があった。さらに、モールド成形したハウジングは、ＭＥＭＳ素子等の部品のサイズを変更する場合に、蓋部の大幅な設計変更を伴うという問題もあった。
そこで、本発明は、低コストで作製可能な電子部品用パッケージ、電子部品装置、及び電子部品装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一局面の電子部品用パッケージは、平板状の電子部品に接続されるリードフレームと、電磁シールド構造を有し、前記電子部品の一方の面側に配設されるシールド板とを含む、電子部品用パッケージであって、前記シールド板は、前記リードフレームに含まれる複数のリードのうち、所定電位のリードによって保持される。
また、前記所定電位のリードは、平面視で他のリードよりも前記シールド板に近い位置において、前記他のリードよりも高さ方向において高い位置にあり、当該位置で前記シールド板に接続されてもよい。
また、前記所定電位のリードは、前記他のリードよりもディプレス位置が前記シールド板に近いことにより、平面視で前記他のリードよりも前記シールド板に近い位置において、前記他のリードよりも高さ方向において高い位置にあってもよい。
また、前記電子部品の他方の面側に配設される基台と、前記電子部品と前記シールド板との間に空間を保持しつつ、前記基台と前記シールド板の間で前記電子部品を囲繞する囲繞部材とをさらに含んでもよい。
また、前記シールド板に前記電子部品とは別の電子部品が実装されてもよい。
また、前記シールド板は、他の電子部品用パッケージに含まれてもよい。
本発明の一局面の電子部品装置は、前記いずれかの電子部品用パッケージと、前記リードフレームに接続される電子部品とを含む。
本発明の一局面の電子部品装置の製造方法は、平板状の電子部品と、前記電子部品に接続されるリードフレームと、電磁シールド構造を有し、前記電子部品の一方の面側に配設されるシールド板と、前記電子部品の他方の面側に配設される基台とを含む電子部品装置の製造方法であって、前記シールド板を前記リードフレームに含まれる複数のリードのうちの所定電位のリードに接続する工程と、前記電子部品と前記シールド板との間に空間を保持しつつ、前記基台と前記シールド板の間で前記電子部品を封止材で封止する工程と、前記封止材で封止された前記基台及び前記シールド板を覆う樹脂部材をモールド成形する工程とを含む。
本発明によれば、低コストで作製可能な電子部品用パッケージ、電子部品装置、及び電子部品装置の製造方法を提供できるという特有の効果が得られる。
従来の電子部品装置の断面構造を示す図である。 実施の形態１の電子部品装置１０の断面構造を示す図である。 実施の形態１の電子部品装置１０の製造方法を示す図である。 実施の形態１の電子部品装置１０の製造方法を示す図である。 実施の形態２の電子部品装置の構造を示す断面図である。 実施の形態３の電子部品装置の構造を示す断面図である。 実施の形態４の電子部品装置の構造を示す断面図である。 実施の形態５の電子部品装置の構造を示す断面図である。
以下、本発明の電子部品用パッケージ、電子部品装置、及び電子部品装置の製造方法を適用した実施の形態について説明する。
［実施の形態１］
図２は、実施の形態１の電子部品装置を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢視Ａ−Ａ’断面図である。
図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、実施の形態１の電子部品装置１０は、ダイパッド１１に搭載されたＭＥＭＳ素子１２、ＭＥＭＳ素子１２の周囲（側方）を囲繞する側壁部１３、ＭＥＭＳ素子１２に対向するように側壁部１３の上に配設される蓋部１４、リードフレーム１５、ＭＥＭＳ素子１２とリードフレーム１５を接続するワイヤ１６、及びモールド樹脂１７を含む。
ダイパッド１１は、例えば、樹脂製であればよい。
ＭＥＭＳ素子１２は、半導体製造工程によって作製される電子部品であり、振動子（可動部）と圧電素子とを含む。互いに直交するＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を含むＸ−Ｙ−Ｚ座標系において、圧電素子によって振動子がＸ軸方向に励振された状態で、振動子がＺ軸（スピン軸）を回転軸として回転すると、Ｙ軸方向にコリオリ力が発生する。このコリオリ力は、振動子を介して、圧電素子を押圧する。これにより、圧電素子がコリオリ力に応じた電気信号を出力するので、角速度を検出できる。なお、ＭＥＭＳ素子１２は、例えば、多結晶シリコン製である。
ＭＥＭＳ素子１２は、ダイパッド１１に接着剤（例えば、銀ペースト）によって固定され、ワイヤ１６を介してリードフレーム１５に接続されている。
側壁部１３は、ＭＥＭＳ素子１２の周囲（側方）を囲繞するように形成されており、例えば、ダイパッド１１と蓋部１４との間でＭＥＭＳ素子１２の側方を封止することによって作製される。この工程には、アンダーフィル剤（封止材）として、例えば、液状のエポキシ樹脂を用いることができる。なお、側壁１３によってリードフレーム１５も固定される。
蓋部１４は、平板状のＭＥＭＳ素子１２の一方の面側に配設され、ＭＥＭＳ素子１２との間に空間を隔てて対向するように側壁部１３の上に配設される。この空間は、ＭＥＭＳ素子１２の振動子を振動可能にするために設けられている。蓋部１４は、ＭＥＭＳ素子１２を電磁ノイズから保護するために導電体で構成され、後述する手法によってＧＮＤ電位に保持されるシールド板である。
なお、ダイパッド１１、側壁部１３、及び蓋部１４は、ＭＥＭＳ素子１２を密封し、異物等の混入を抑制している。
リードフレーム１５は、例えば、鉄系又は銅系の合金製であり、ＧＮＤ電位に保持されるＧＮＤライン１５Ａ、電源ライン１５Ｂ、及び信号ライン１５Ｃを含む。リードフレーム１５は、電源ライン１５Ｂを通じてＭＥＭＳ素子１２に電力供給を行うとともに、信号ライン１５Ｃが外部の演算処理装置に接続されており、ＭＥＭＳ素子１２で静電容量の変位として検出された加速度を表す信号を外部の演算処理装置に受け渡すための信号線として機能する。
図２（Ａ）に示すリードフレーム１５は、４本のＧＮＤライン１５Ａ、４本の電源ライン１５Ｂ、１２本の信号ライン１５Ｃを含む多層リードフレームである。すなわち、ＧＮＤライン１５Ａ、電源ライン１５Ｂ、及び信号ライン１５Ｃは、各々が別々にプレス成形され、互いに電気的に絶縁された状態で積層されることにより、リードフレーム１５を構成している。
実施の形態１の電子部品装置１０では、ＧＮＤライン１５Ａのディプレス位置（折り曲げ位置）が電源ライン１５Ｂ及び信号ライン１５Ｃのディプレス位置よりも、平面視で蓋部１４に近い位置にされており、ＧＮＤライン１５Ａは蓋部１４に接し、電源ライン１５Ｂ及び信号ライン１５Ｃは蓋部１４に接しないように構成されている。
このようなディプレス位置の相違により、図２（Ｂ）に示すように、ＧＮＤライン１５Ａは、平面視で電源ライン１５Ｂ及び信号ライン１５Ｃよりも蓋部１４に近い位置において、電源ライン１５Ｂ及び信号ライン１５Ｃよりも高さ方向に高い位置に存在し、ディプレス位置の近傍で、蓋部１４を保持している。
ＧＮＤライン１５Ａと蓋部１４は、例えば、導電性接着剤、溶接、又は半田等によって機械的及び電気的に接続されるか、あるいは、ＧＮＤライン１５Ａを蓋部１４に嵌めることによって機械的及び電気的に接続すればよい。
このようにＧＮＤライン１５Ａで蓋部１４を保持することにより、蓋部１４はＧＮＤ電位に保持されるとともに、ＭＥＭＳ素子１２との間に空間を隔てた状態で固定される。
なお、ここでは、４本のＧＮＤライン１５Ａが蓋部１４に接続される形態について説明するが、蓋部１４には、少なくとも１本のＧＮＤライン１５Ａが接続されていればよい。
また、リードフレーム１５内におけるＧＮＤライン１５Ａ、電源ライン１５Ｂ、及び信号ライン１５Ｃの位置は、図２に示す位置に限られず、どこであってもよい。
ワイヤ１６は、ワイヤボンディングによってＭＥＭＳ素子２とリードフレーム５の間にわたされる金属線であり、例えば、金で構成される。ワイヤ６の太さは、例えば、３０μｍ程度である。ワイヤ１６は、ＭＥＭＳ素子１２のＧＮＤ端子とＧＮＤライン１５Ａを接続するワイヤ１６Ａ、ＭＥＭＳ素子１２の電源端子と電源ライン１５Ｂを接続するワイヤ１６Ｂ、及びＭＥＭＳ素子１２の信号端子と信号ライン１５Ｃを接続するワイヤ１６Ｃを含む。
モールド樹脂１７は、図示しない金型（モールド）を用いて一体成形された樹脂製の筐体であり、例えば、エポキシ樹脂によって作製される。モールド樹脂１７は、ダイパッド１１、側壁部１３、及び蓋部１４をすべて密封して覆い、リードフレーム１５の外側の一部（インナーフレームの外端）が側部から突出するように形成されている。
ここで、モールド樹脂１７の外寸は、例えば、平面視で縦×横が１０ｍｍ×１０ｍｍ、高さが５〜６ｍｍ程度である。また、ＭＥＭＳ素子１２は、例えば、平面視で４〜５ｍｍ角の正方形であり、厚さは、例えば、０．５〜１ｍｍ程度である。蓋部１４の寸法は、例えば、平面視で縦×横が７〜８ｍｍ×７〜８ｍｍ、厚さが１ｍｍ程度であればよい。
また、図２には、説明の便宜上、４本のＧＮＤライン１５Ａ、４本の電源ライン１５Ｂ、及び１２本の信号ライン１５Ｃを示すが、リードフレーム１５に含まれるＧＮＤライン１５Ａ、電源ライン１５Ｂ、及び信号ライン１５Ｃの総数は、ここに示す数に限られるものではない。リードフレーム１５に含まれる各ラインの数は、ＭＥＭＳ素子１２の種類や性能等によって異なり、例えば、４８本や９２本等、あるいはそれ以上の本数のものもある。このようなリードフレーム１５は、例えば、化学薬品を用いたエッチング処理によって金属板を加工する方法、又は、金型を用いて、プレス加工により金属板を加工する方法によって作製することができる。
また、ここでは、蓋部１４が導電性材料で構成される形態について説明するが、蓋部１４は全体が導電性材料で構成される必要はなく、例えば、ガラス板の底面にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜のような導電性膜が形成された部材であってもよい。ＩＴＯ膜のような導電性膜は、例えば、ガラス板の表面にスパッタリング法等によって成膜することができる。
以上のような実施の形態１の電子部品装置１０では、静電容量素子としてのＭＥＭＳ素子２で検出される静電容量の変位は、ワイヤ１６Ａ、１６Ｃを介して、ＧＮＤ電位に対する信号電位の変位として検出される。
次に、図３及び図４を用いて実施の形態１の電子部品装置１０の製造方法について説明する。
図３及び図４は、実施の形態１の電子部品装置１０の製造方法を示す図である。図３（Ａ１）は、製造段階における平面図、（Ａ２）は（Ａ１）におけるＡ−Ａ’矢視断面図、（Ｂ１）は製造段階における平面図、（Ｂ２）は（Ｂ１）におけるＡ−Ａ’矢視断面図、（Ｃ１）は製造段階における平面透視図、（Ｃ２）は（Ｃ１）におけるＡ−Ａ’矢視断面図である。また、図４（Ａ１）は製造段階における平面図、図４（Ａ２）は（Ａ１）におけるＡ−Ａ’矢視断面図、図４（Ｂ１）は完成状態における平面図、図４（Ｂ２）は（Ｂ１）におけるＡ−Ａ’矢視断面図を示す。
まず、図３（Ａ１）、（Ａ２）に示すように、リードフレーム１５のディプレスと、ダイボンディング及びワイヤボンディングを行う。
ディプレスは、ＧＮＤライン１５Ａのディプレス位置Ａが電源ライン１５Ｂ及び信号ライン１５Ｃのディプレス位置Ｂ、Ｃよりも中心寄りに位置するように行う。このとき、ＧＮＤライン１５Ａのディプレス位置Ａは、後に蓋部１４が合わせられる際に、平面視で蓋部１４の四角形の内側に入る位置であり、電源ライン１５Ｂ及び信号ライン１５Ｃのディプレス位置Ｂ、Ｃは、平面視で蓋部１４の四角形の内側に入らない位置である。
また、ディプレスを行ったリードフレーム１５とＭＥＭＳ素子１２をワイヤボンディングにより接続する。これにより、ＭＥＭＳ素子１２のＧＮＤ端子とＧＮＤライン１５Ａを接続するワイヤ１６Ａ、ＭＥＭＳ素子１２の電源端子と電源ライン１５Ｂを接続するワイヤ１６Ｂ、及びＭＥＭＳ素子１２の信号端子と信号ライン１５Ｃを接続するワイヤ１６Ｃが形成される。
次に、図３（Ｂ１）、（Ｂ２）に示すように、ダイパッド１１、ＭＥＭＳ素子１２、及びリードフレーム１５を裏返して（天地逆にして）、蓋部１４の位置合わせをしてから、ＧＮＤライン１５Ａと蓋部１４を接続する。ここでは、ＧＮＤライン１５Ａと蓋部１４を、例えば、導電性接着剤で接続する。これにより、蓋部１４は、ＧＮＤライン１５Ａに電気的に接続される。なお、電源ライン１５Ｂ及び信号ライン１５Ｃのディプレス位置Ｂ、Ｃは、平面視で蓋部１４の四角形の内側に入らない位置にあるため、蓋部１４とは接続されない。
次に、図３（Ｃ１）、（Ｃ２）に示すように、ダイパッド１１と蓋部１４の間を液状の封止材で囲繞して側壁部１３を作製する。このとき、ダイパッド１１及びＭＥＭＳ素子１２の側方を囲み、ダイパッド１１と蓋部１４との間に側壁を形成するように、液状の封止材を塗布すればよい。なお、リードフレーム１５は、側壁部１３を貫通するため、側壁部１３とリードフレーム１５との間が密着させることが望ましい。
次に、図４（Ａ１）、（Ａ２）に示すように、ダイパッド１１、側壁部１３、及び蓋部１４の全体を覆うように、かつ、リードフレーム１５の外側の一部（インナーフレームの外端）が側部から突出するように、エポキシ樹脂をモールド成形し、モールド樹脂１７を作製する。
そして、最後に、図４（Ｂ１）、（Ｂ２）に示すように、リードフレーム１５にアウターリード１５Ａを接続する。これにより、実施の形態１の電子部品装置１０が完成する。
以上の工程によって作製される実施の形態１の電子部品装置１０は、ＭＥＭＳ素子１２と蓋部１４との間に空間が形成されており、ＭＥＭＳ素子１２の振動子が振動するためのスペースが確保されている。
また、蓋部１４は、ＧＮＤライン１５Ａに接続されており、ＧＮＤ電位に保持されているため、ＭＥＭＳ素子１２を電磁ノイズ等から保護するための電磁シールドとして機能させることができる。
そして、蓋部１４をＧＮＤ電位に保持することは、リードフレーム１５に含まれるリードのうちのＧＮＤライン１５Ａのディプレス位置を中心よりにずらすことによって実現できるため、製造が非常に容易である。
このため、従来のようにハウジングの側壁にビアホール及びビア（図１参照）を作製することなく、また、製造工程を追加することなく、蓋部１４をＧＮＤ電位に保持することができる。
また、上述のような構造をモールド成形によって実現できるため、低コストで電子部品装置１０を提供することができる。そして、実施の形態１の電子部品装置１０は、モールド樹脂１７で覆われているので、一般的な樹脂製のパッケージを有する電子部品装置と同等の取り扱いが可能である。
以上、実施の形態１によれば、従来のようにビアホール及びビアを作製することなく、ＧＮＤライン１５Ａのディプレス位置を中心よりにずらすことによって蓋部１４をＧＮＤ電位に保持することができ、ＭＥＭＳ素子１２の静電シールドを確保しつつ、大幅にコストダウンを図った電子部品装置１０を提供することができる。
また、容易な製造工程で静電シールドを実現できるので、ＭＥＭＳ素子１２に静電気等が帯電することを抑制でき、ＭＥＭＳ素子１２の特性変動を抑制した安価な電子部品装置用パッケージ、及び電子部品装置を提供することができる。
特に、ＨＶ（Hybrid Vehicle）やＥＶ（Electric Vehicle）のように、スイッチング素子でモータ等の電動機を駆動する環境で用いる場合には、スイッチングノイズのような電磁ノイズの対策が必要になる。実施の形態１では、このような環境下でも利用することのできる電子部品装置用パッケージ、及び電子部品装置１０を低コストで提供することができる。
なお、以上では、ＧＮＤライン１５Ａのディプレス位置を電源ライン１５Ｂ及び信号ライン１５Ｃのディプレス位置よりも中心寄りにすることにより、蓋部１４にＧＮＤライン１５Ａを接続する形態について説明したが、ディプレス位置を中央寄りにずらすことによって蓋部１４に接続されるのは、電源ライン１５Ｂ又は信号ライン１５Ｃであってもよい。
また、以上では、電子部品としてのＭＥＭＳ素子１２を含み、このＭＥＭＳ素子１２を加速度センサとして用いるヨーレートセンサとしての電子部品装置１０について説明したが、電子部品はＭＥＭＳに限らず、電磁ノイズからのシールドが必要なものであればよい。また、内部に配設される電子部品の機能により、電子部品装置１０はヨーレートセンサ以外の装置として利用され得る。
また、以上では、モールド樹脂１７の内部にＭＥＭＳ素子１２が配設される形態について説明したが、モールド樹脂１７内には、例えば、加速度センサとしてのＭＥＭＳ素子１２に加えて、ＭＥＭＳ素子１２で検出された加速度を表す信号を処理するＩＣ（Integrated Circuit）チップが配設されてもよい。
［実施の形態２］
図５は、実施の形態２の電子部品装置の構造を示す断面図である。
実施の形態２の電子部品装置２０は、ダイパッド２１が金属製であり、かつ、リードフレーム１５の信号ライン１５Ｃに接続されている点と、ＭＥＭＳ素子２２の可動部にミラー及び磁石が配設されている点が実施の形態１の電子部品装置１０と異なる。なお、ダイパッド２１に接続される信号ライン１５Ｃは、図２（Ａ）に示す１２本の信号ライン１５Ｃのうちの少なくとも１本でよい。また、蓋部１４はＧＮＤライン１５Ａに接続されている。
実施の形態２の電子部品装置２０は、信号ライン１５Ｃに所定の電圧を印加することによってダイパッド２１と蓋部１４との間に生じる電界を利用して、ＭＥＭＳ素子１２のミラーを動かすことができる。このような実施の形態２の電子部品装置２０は、ＭＥＭＳミラーとして利用することができる。
以上、実施の形態２によれば、従来のようにビアホール及びビアを作製することなく、ＧＮＤライン１５Ａのディプレス位置を中心よりにずらすことによって蓋部１４をＧＮＤ電位に保持することができ、また、可動部にミラー及び磁石を備えるＭＥＭＳ素子２２を用いることにより、ＭＥＭＳミラーを低コストで提供することができる。
また、このようなＭＥＭＳミラーとしての電子部品装置２０は、ミラーを動かすための駆動部（ここでは、ダイパッド２１、蓋部１４）がモールド樹脂１７の内部に配設されているため、従来のＭＥＭＳミラーのように、駆動部を外部に備えるものに比べて、装置の小型化を図ることができる。また、実施の形態２の電子部品装置２０は、モールド樹脂１７で覆われているので、一般的な樹脂製のパッケージを有する電子部品装置と同等の取り扱いが可能である。
［実施の形態３］
図６は、実施の形態３の電子部品装置の構造を示す断面図である。
実施の形態３の電子部品装置３０は、ＭＥＭＳ素子１２のような可動部を有しないＥＭＩ（Electromagnetic Interference）／ＥＭＣ（Electromagnetic Compatibility）対策の必要な電子部品３２をＭＥＭＳ素子１２の代わりにモールド樹脂１７内に実装する点が実施の形態１と異なる。このような電子部品３２としては、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）チップが挙げられる。
ＭＥＭＳ素子１２のような可動部を有しない場合には、図２に示すような空間（ＭＥＭＳ素子１２と蓋部１４との間の空間）を作製する必要がないため、実施の形態３の電子部品装置３０は側壁１３（図２参照）を必要としない。また、その製造工程は、図３（Ｃ１）、（Ｃ２）に示す封止材で封止する工程が不要となるため、より簡単なものとなる。
以上、実施の形態３によれば、従来のようにビアホール及びビアを作製することなく、ＧＮＤライン１５Ａのディプレス位置を中心よりにずらすことによって蓋部１４をＧＮＤ電位に保持することができ、これにより、電子部品のＥＭＩ／ＥＭＣ対策を講じた電子部品装置３０を低コストで提供することができる。また、実施の形態３の電子部品装置３０は、モールド樹脂１７で覆われているので、一般的な樹脂製のパッケージを有する電子部品装置と同等の取り扱いが可能である。
なお、蓋部１４を鉛板にすれば、宇宙線対策を講じた電子部品装置３０を実現することができる。
［実施の形態４］
図７は、実施の形態４の電子部品装置の構造を示す断面図である。
実施の形態４の電子部品装置４０は、蓋部１４の代わりに、他のＭＥＭＳ素子４２を実装したインターポーザ４１を含む点が実施の形態１の電子部品装置１０と異なる。
実施の形態４の電子部品装置４０では、インターポーザ４１がＧＮＤライン１５Ａに接続されてＧＮＤ電位に保持され、ＭＥＭＳ素子１２の電磁シールドとして機能する。
インターポーザ４１には、ＭＥＭＳ素子４２が実装されており、ＭＥＭＳ１２とＭＥＭＳ素子４２は空間を隔てて対向するように配設されている。このため、ＭＥＭＳ素子１２とＭＥＭＳ素子４２には、ともに振動子を振動させることのできる空間が確保されている。
このような電子部品装置４０の製造は、図３（Ｂ１）、（Ｂ２）に示す蓋部１４の代わりに、予めＭＥＭＳ素子４２が実装されたインターポーザ４１をＭＥＭＳ素子１２の電磁シールドとして用いるだけで実現されるため、非常に容易に製造することができる。
なお、ＭＥＭＳ４２は、予めインターポーザ４１にダイボンディング及びワイヤボンディングしておけばよく、インターポーザ４１とリードフレーム１５の接続は、例えば、図３（Ｂ１）、（Ｂ２）に示す段階で適宜行えばよい。
以上、実施の形態４によれば、従来のようにビアホール及びビアを作製することなく、ＧＮＤライン１５Ａのディプレス位置を中心よりにずらすことによってインターポーザ４１をＧＮＤ電位に保持することができ、これにより、ＭＥＭＳ素子１２の電磁シールドを備える電子部品装置４０を低コストで提供することができる。また、実施の形態４の電子部品装置４０は、モールド樹脂１７で覆われているので、一般的な樹脂製のパッケージを有する電子部品装置と同等の取り扱いが可能である。
また、従来、２つのＭＥＭＳ素子を１つのパッケージ内に実装する場合は、２つのＭＥＭＳ素子を（隣同士に）並べていたため、実装面積が２倍必要であったが、実施の形態４によれば、１つ分の実装面積に２つのＭＥＭＳ素子（１２、４２）を実装した電子部品装置４０を提供することができる。
また、２つのＭＥＭＳ素子を対向して配置することにより、１つの電磁シールド（ここではインターポーザ４１）を２つのＭＥＭＳ素子の電磁シールドとして用いることができる。
また、ＭＥＭＳ素子１２とＭＥＭＳ素子４２は、同一のＭＥＭＳ素子であってもよいし、異なっていてもよい。
なお、実施の形態４では、電磁シールドとしてインターポーザ４１を用いる形態について説明したが、インターポーザ４１の代わりに、ダイパッド又はリードフレームを用いてもよい。
［実施の形態５］
図８は、実施の形態５の電子部品装置の構造を示す断面図である。
実施の形態５の電子部品装置５０は、蓋部１４の代わりに、他のパッケージ装置である電子部品装置１００を含む点が実施の形態１の電子部品装置１０と異なる。実施の形態５の電子部品装置５０では、電子部品装置１００のインターポーザ１１１がＧＮＤライン１５Ａに接続されてＧＮＤ電位に保持され、ＭＥＭＳ素子１２の電磁シールドとして機能する。
電子部品装置１００は、例えば、ＩＣチップ１０１を内蔵するパッケージ型の装置であり、完成品を用いることができる。電子部品装置１００は、インターポーザ１１１を含んでいればよく、また、ＥＭＩ／ＥＭＣ対策が必要である場合には、電磁シールド構造を有するものを用いればよい。
このような電子部品装置５０の製造は、図３（Ｂ１）、（Ｂ２）に示す蓋部１４の代わりに、電子部品装置１００のインターポーザ１１１をＭＥＭＳ素子１２の電磁シールドとして用いるだけで実現されるため、非常に容易に製造することができる。
また、所謂ＰｉＰ（Package in Package）構造となるため、良品の電子部品装置１００を組み込めるので、トータルでの歩留まりを向上させることができる。
また、電子部品装置１００として用いるパッケージ装置は、どのようなものであっても構わないため、例えば、完成品として購入したものをそのまま組み込むこともできる。
なお、実施の形態５では、電磁シールドとしてインターポーザ１１１を含む電子部品装置１００を用いる形態について説明したが、電子部品装置１００は、インターポーザ１１１の代わりに、ダイパッド又はリードフレームを含んでもよい。
以上、実施の形態５によれば、従来のようにビアホール及びビアを作製することなく、ＧＮＤライン１５Ａのディプレス位置を中心よりにずらすことによって電子部品装置１００のインターポーザ１１１をＧＮＤ電位に保持することができ、これにより、ＭＥＭＳ素子１２の電磁シールドを備える電子部品装置５０を低コストで提供することができる。また、実施の形態５の電子部品装置５０は、モールド樹脂１７で覆われているので、一般的な樹脂製のパッケージを有する電子部品装置と同等の取り扱いが可能である。
以上、本発明の例示的な実施の形態の電子部品用パッケージ、電子部品装置、及び電子部品用パッケージについて説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。
１１ ダイパッド
１２、４２ ＭＥＭＳ素子
１３ 側壁部
１４ 蓋部
１５ リードフレーム
１５Ａ ＧＮＤライン
１５Ｂ 電源ライン
１５Ｃ 信号ライン
１６、１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ ワイヤ
１７ モールド樹脂
１０、２０、３０、４０、５０，１００ 電子部品装置
３２ 電子部品
４１、１１１ インターポーザ
１０１ ＩＣチップ

Claims (8)

  1. 平板状の電子部品に接続されるリードフレームと、
    電磁シールド構造を有し、前記電子部品の一方の面側に配設されるシールド板と
    を含む、電子部品用パッケージであって、
    前記シールド板は、前記リードフレームに含まれる複数のリードのうち、所定電位のリードによって保持される、電子部品用パッケージ。
  2. 前記所定電位のリードは、平面視で他のリードよりも前記シールド板に近い位置において、前記他のリードよりも高さ方向において高い位置にあり、当該位置で前記シールド板に接続される、請求項１に記載の電子部品用パッケージ。
  3. 前記所定電位のリードは、前記他のリードよりもディプレス位置が前記シールド板に近いことにより、平面視で前記他のリードよりも前記シールド板に近い位置において、前記他のリードよりも高さ方向において高い位置にある、請求項２に記載の電子部品用パッケージ。
  4. 前記電子部品の他方の面側に配設される基台と、
    前記電子部品と前記シールド板との間に空間を保持しつつ、前記基台と前記シールド板の間で前記電子部品を囲繞する囲繞部材と
    をさらに含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子部品用パッケージ。
  5. 前記シールド板に前記電子部品とは別の電子部品が実装される、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子部品用パッケージ。
  6. 前記シールド板は、他の電子部品用パッケージに含まれる、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子部品用パッケージ。
  7. 請求項１乃至６のいずれか記載の電子部品用パッケージと、
    前記リードフレームに接続される電子部品と
    を含む、電子部品装置。
  8. 平板状の電子部品と、前記電子部品に接続されるリードフレームと、電磁シールド構造を有し、前記電子部品の一方の面側に配設されるシールド板と、前記電子部品の他方の面側に配設される基台とを含む電子部品装置の製造方法であって、
    前記シールド板を前記リードフレームに含まれる複数のリードのうちの所定電位のリードに接続する工程と、
    前記電子部品と前記シールド板との間に空間を保持しつつ、前記基台と前記シールド板の間で前記電子部品を封止材で封止する工程と、
    前記封止材で封止された前記基台及び前記シールド板を覆う樹脂部材をモールド成形する工程と
    を含む、電子部品装置の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2015501734A (ja) * 2011-12-07 2015-01-19 ジョージア・テック・リサーチ・コーポレーション パッケージングに適合する、ｍｅｍｓデバイスのウェハレベルキャッピング

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