JP2011138940A - リアクトル - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、ギャップレスのコア部を用いたリアクトルにおいて、コイルのコア部に比較的低い透磁率の材料を用いつつ、漏洩磁場を抑制し得るリアクトルを提供する。
【解決手段】本発明のリアクトルＤは、第１コア部１と、第１コア部１の外側に配されるコイル２と、コイル２の外側に配される第２コア部３と、良導体で形成され第２コア部３の側面を覆うように第２コア部３の外周を取り囲む導体部材４と、コイル２の各両端部および導体部材４の各両端部を覆うと共に、第１および第２コア部１、３を相互に連結する連結コア部５、５とを備え、第１コア部１は、連結コア部５、５の透磁率よりも低い第１透磁率であり、第２コア部３は、連結コア部５、５の透磁率よりも低い第２透磁率である。
【選択図】図１

Description

本発明は、例えば、電気回路や電子回路等に好適に用いられるリアクトルに関する。

リアクトルは、巻き線を利用した受動素子であり、例えば、力率改善回路における高調波電流の防止、電流型インバータやチョッパ制御における電流脈動の平滑化およびコンバータにおける直流電圧の昇圧等に用いられている。

このようなリアクトルのコア部には、主に、ケイ素鋼板を積層した部材が用いられている。このケイ素鋼板は、透磁率が高いため、コア部は、通電電流を増加させると比較的直ぐに飽和磁化に達してしまう。このため、広いバイアス電流範囲で、リアクトルのインダクタンス特性を安定させるために、通常、コア部には、ギャップが設けられる。

しかしながら、このようなギャップをコア部に設けると、一般に、コア部において騒音や漏れ磁束の問題が生じてしまう。また、コア部のギャップは、その寸法精度がリアクトルのインダクタンス特性に影響するため、精度よく前記ギャップを形成する必要がある。このため、リアクトルの加工コストが高くなるという不都合も生じてしまう。前記騒音対策や熱膨張対策としてギャップ部分にセラミック素材を用いることが挙げられるが、このような騒音対策では、リアクトルの加工コストが高くなってしまう。

そこで、例えば、特許文献１には、ギャップを設けない磁性素子（リアクトル）が開示されている。図１３は、特許文献１に開示のリアクトルを示す部分切欠斜視図である。このリアクトルＲは、図１３に示すように、軟磁性複合材料から成るコアＭと、このコアＭと一体に形成されているコイルＣとを備え、前記コアＭは、コイルＣの内側に配される内側コアＭｉと、コイルＣの外側に配される外側コアＭｏと、コイルＣの両端側の各々に配される端部コアＭｅとを有するポットコアであり、前記軟磁性複合材料は、軟磁性粉末と、この粉末を分散した状態で内包する樹脂とを有する材料であって、軟磁性粉末の平均粒径が０．１〜０．５μｍ未満であり、その飽和磁束密度が０．２〜０．８Ｔで比透磁率が５．５未満である。そして、特許文献１には、ポットコアＭとすれば、コイルＣがコアＭ内に収容された状態のリアクトルＲとなるため、コイルＣの励磁に伴う振動による騒音を効果的に抑制したり、コイルＣを機械的に保護したりすることができる、と記載されている（００５１段落）。

特開２００８−１４７４０４号公報

ところで、前記特許文献１に開示のリアクトルＲでは、比透磁率が５．５未満であるコアＭ（外側コアＭｏおよび端部コアＭｅ）でコイルＣを覆っているため、コイルＣからコアＭを介して外部へ比較的大きな漏れ磁束が生じてしまう。すなわち、リアクトルにおける、コアＭからの漏洩磁場が大きくなってしまう。

このため、リアクトルの近傍に導体があると、漏洩磁場によって前記導体に渦電流が発生してしまい、ロス（損失）が生じてしまう。さらに、この渦電流とリアクトルとの間における相互インダクタンスによって、リアクトルのインダクタンス特性が設計からずれてしまう。

本発明は、上述の事情に鑑みて為された発明であり、その目的は、ギャップレスのコア部を用いたリアクトルにおいて、コイルのコア部に比較的低い透磁率の材料を用いつつ、漏洩磁場を抑制することができるリアクトルを提供することである。

本発明者は、種々検討した結果、上記目的は、以下の本発明により達成されることを見出した。すなわち、本発明の一態様にかかるリアクトルは、第１コア部と、前記第１コア部の外側に配されるコイルと、前記コイルの外側に配される第２コア部と、良導体で形成され、前記第２コア部の側面を覆うように前記第２コア部の外周を取り囲む導体部材と、前記コイルの各両端部および前記導体部材の各両端部を覆うと共に、前記第１および第２コア部を相互に連結する連結コア部とを備え、前記第１コア部は、前記連結コア部の透磁率よりも低い第１透磁率であり、前記第２コア部は、前記連結コア部の透磁率よりも低い第２透磁率であることを特徴とする。

本発明にかかるリアクトルでは、第１コア部を備えるコイルが第２コア部および連結コア部で囲まれ、ギャップを無くした構造である。このようなギャップレス構造を採用するとともに、第１コア部の透磁率が連結コア部の透磁率よりも相対的に低くされるとともに、第２コア部の透磁率が連結コア部の透磁率よりも相対的に低くされる。このため、本発明にかかるリアクトルは、飽和磁束の点で有利となる。そして、第２コア部の側面が導体部材で取り囲まれている。このため、直流バイアス（直流成分）に交流成分を重畳した電流が当該リアクトルに流れた場合に、前記交流成分によって生じる磁界は、前記導体部材に生じる渦電流によって抑制され、好ましくはシールドされる。したがって、このような構成のリアクトルでは、ギャップレス構造であって、コイルのコア部に比較的低い透磁率の材料を用いつつ、漏れ磁束も低減することが可能となる。

ここで、良導体とは、導体部材に生じる渦電流損がリアクトルに生じるヒステリシス損よりも小さくすることができる電気伝導度の導体、例えば、幅１５ｍｍ×厚み１．０ｍｍ（断面積１５．０ｍｍ^２）である場合において、電気伝導度が１×１０^７Ｓ／ｍ以上の導体をいう。

また、上述のリアクトルにおいて、前記導体部材は、銅またはアルミニウムで形成されていることを特徴とする。この構成によれば、導体部材が銅またはアルミニウムで形成されているので、幅１５ｍｍ×厚み１．０ｍｍ（断面積１５ｍｍ^２）である場合において、導体部材の電気伝導度を１×１０^７（Ｓ／ｍ）以上とすることができる。

また、これら上述のリアクトルにおいて、前記導体部材の外側に配される第３コア部をさらに備え、前記連結コア部は、前記コイルの各両端部および前記導体部材の各両端部を覆うと共に、前記第１、第２および第３コア部を相互に連結し、前記第１コア部の前記第１透磁率は、前記第３コア部の透磁率よりも低く、前記第２コア部の前記第２透磁率は、前記第３コア部の透磁率よりも低いことを特徴とする。

この構成によれば、第１コア部の第１透磁率が第３コア部の透磁率よりも相対的に低くされるとともに、第２コア部の第２透磁率が第３コア部の透磁率よりも相対的に低くされる。このため、第３コア部の透磁率が比較的高くされ、直流バイアスに交流成分を重畳した電流が当該リアクトルに流れた場合に、直流バイアス（直流成分）によって生じる磁界も、この比較的高い透磁率の第３コア部によって抑制され、好ましくはシールドされる。したがって、漏れ磁束をより低減することが可能となる。

また、上述のリアクトルにおいて、前記第３コア部は、軟磁性体粉末を形成したもの、または、バルクの鋼材から形成したものであることを特徴とする。この構成によれば、第３コア部が軟磁性体粉末で形成されるので、第３コア部について、所望の磁気特性が比較的容易に得られるとともに、所望の形状が比較的容易に成形され得る。または、この構成によれば、第３コア部がバルクの鋼材から形成されるので、軟磁性体粉末で形成する場合よりも製造コストを削減（低減）することができる。

また、これら上述のリアクトルにおいて、前記連結コア部は、軟磁性体粉末を成形したものであることを特徴とする。この構成によれば、連結コア部について、所望の磁気特性が比較的容易に得られるとともに、所望の形状が比較的容易に成形され得る。

また、これら上述のリアクトルにおいて、前記第３コア部および連結コア部は、同一材料であることを特徴とする。この構成によれば、複数の材料種を使用しないので、低コスト化が可能となる。

また、これら上述のリアクトルにおいて、前記第１および第２コア部は、それぞれ、軟磁性体粉末と非磁性体粉末との混合物を成形したものであることを特徴とする。この構成によれば、第１および第２コア部について、所望の磁気特性が比較的容易に得られるとともに、所望の形状が比較的容易に成形され得る。

また、これら上述のリアクトルにおいて、前記第１コア部および前記第２コア部は、同一材料であることを特徴とする。この構成によれば、複数の材料種を使用しないので、低コスト化が可能となる。

また、これら上述のリアクトルにおいて、前記第１コア部および前記第２コア部は、それぞれ、初期透磁率が２〜２０の材料で形成され、前記連結コア部は、初期透磁率が５０〜２５０の材料で形成されていることを特徴とする。この構成によれば、リアクトルに一般的に要求される電流−インダクタンス特性、すなわち、電流の変化に対してインダクタンスが略一定（微小な所定の範囲内である場合を含む）となる電流−インダクタンス特性を実現することが可能となる。

また、これら上述のリアクトルにおいて、前記コイルは、絶縁被覆されたテープ状の導体を巻紙状に巻線したものであることを特徴とする。また、これら上述のリアクトルにおいて、前記コイルにおける巻紙状の巻線は、ダブルパンケーキ構造（α巻構造）の巻線であることを特徴とする。この構成によれば、テープ状の導体を紙巻状に巻線することによってコイルが構成されるので、コイル内において、コイルによって生じる磁束の方向にテープの幅方向が略一致するので、導体部材に生じる渦電流を低減でき、銅損を低減することが可能となる。そして、第１コア部やコイルに生じた熱をテープの幅方向に沿って熱伝導させ、テープの幅方向における各端部から連結コア部を介して外部へ放熱することも可能となる。

また、これら上述のリアクトルにおいて、前記テープ状の導体における厚みは、当該リアクトルの駆動周波数に対する表皮厚み以下であることを特徴とする。この構成によれば、リアクトルに交流電流（直流バイアスに交流電流が重畳されている場合を含む。）を通電しても前記テープ状の導体における電気抵抗の増加を抑制することが可能となる。ここで、テープ状の導体における厚みとは、巻紙状に巻線された状態において、テープ状の導体単体（一重）における径方向の長さをいい、表皮厚みδは、駆動周波数の角周波数をωとし、テープ状の導体における透磁率および電気伝導率をそれぞれμおよびσとする場合に、δ＝（２／（ω・μ・σ））^１／２である。

本発明では、ギャップレスのコア部を用いたリアクトルにおいて、コイルのコア部に比較的低い透磁率の材料を用いつつ、漏洩磁場を抑制することができる。

実施形態におけるリアクトルの構成を示す図である。 鉄粉を含む磁性体における密度別の磁束密度−比透磁率特性を示す図である。 銅で形成された導体部材における厚みまたは電気伝導度と損失との関係を示す図である。 ダブルパンケーキ構造の場合におけるリアクトルの製作工程を説明するための図である。 実施形態におけるリアクトルの磁束線を示す図である。 実施形態におけるリアクトルの磁束密度の分布を示す図である。 第１比較例におけるリアクトルの磁束線を示す図である。 第１比較例におけるリアクトルの磁束密度の分布を示す図である。 第２比較例におけるリアクトルの磁束線を示す図である。 第２比較例におけるリアクトルの磁束密度の分布を示す図である。 コイルの巻線構造を示す断面図である。 コイルの巻き線構造別における周波数と損失との関係を示す図である。 特許文献１に開示のリアクトルを示す部分切欠斜視図である。

以下、本発明にかかる実施の一形態を図面に基づいて説明する。なお、各図において同一の符号を付した構成は、同一の構成であることを示し、適宜、その説明を省略する。

図１は、実施形態におけるリアクトルの構成を示す図である。図１（Ａ）は、連結コア部を一部取り除いた場合における上面図（一部切欠上面図）を示し、図１（Ｂ）は、中心軸を含む径方向で切断した断面図を示す。なお、図１には、一部の磁力線が一点鎖線で記載されている。図２は、鉄粉を含む磁性体における密度別の磁束密度−比透磁率特性を示す図である。図２（Ａ）は、全体を示し、図２（Ｂ）は、その一部を示す。図２の横軸は、Ｔ単位で表す磁束密度であり、その縦軸は、比透磁率である。図３は、銅で形成された導体部材における厚みまたは電気伝導度と損失との関係を示す図である。図３（Ａ）は、厚みと損失との関係を示し、その横軸は、ｍｍ単位で表す厚みであり、その縦軸は、Ｗ単位で表す損失である。図３（Ｂ）は、電気伝導度と損失との関係を示し、その横軸は、Ｓ／ｍ単位で表す厚み１ｍｍの場合における電気伝導度であり、その縦軸は、Ｗ単位で表す損失である。図４は、ダブルパンケーキ構造の場合におけるリアクトルの製作工程を説明するための図である。

図１において、実施形態のリアクトルＤは、第１コア部１と、第１コア部１の外側に配されるコイル２と、コイル２の外側に配される第２コア部３と、第２コア部３の側面を覆うように第２コア部の外周を取り囲む導体部材４と、コイル１の各両端部および導体部材４の各両端部を覆うと共に、第１および第２コア部１、３を相互に連結する連結コア部５、５とを備えている。すなわち、第１コア部１を備えるコイル２は、第２コア部３および連結コア部５、５で囲まれている。言い換えれば、第１コア部１を備えるコイル２は、第２コア部３および連結コア部５、５で形成される空間内に収納されている。このように本実施形態にかかるリアクトルＤは、いわゆるポット型のリアクトルであり、ギャップレス構造である。

そして、図１に示す例では、リアクトルＤは、さらに、導体部材４の外側に配される第３コア部６を備えており、連結コア部５、５は、コイル１の各両端部および導体部材４の各両端部を覆うと共に、第１、第２および第３コア部１、３、６を相互に連結している。

第１コア部１は、後述する所定の磁気特性を有する中実円柱形状であり、第２コア部３は、後述する所定の磁気特性を有し、第１コア部１と同じ高さの円筒形状であり、そして、第３コア部６は、後述する所定の磁気特性を有し、第１コア部１（第２コア部３）の高さに連結コア部５、５の厚みを加えた高さの円筒形状である。第３コア部６の高さは、第１コア部１（第２コア部３）の高さと同じであってもよい。第２コア部３は、第１コア部１をコア（磁芯）として備えるコイル２を内包し得る内径であり、第３コア部６は、導体部材４を外側に備える第２コア部３を内包し得る内径である。したがって、第２コア部３の内径は、第１コア部１の外径よりもコイル２の厚みだけ少なくとも大きく、第３コア部６の内径は、第２コア部３の外径よりも導体部材４の厚みだけ少なくとも大きい。

連結コア部５、５は、後述する所定の磁気特性を有する円板であり、その外形は、第２コア部３の外径に導体部材４の厚みを足した長さよりも大きい。連結コア部５、５の一方（上部連結コア部５）は、略隙間が生じないように、第１コア部１の一方端部、第２コア部３の一方端部および第３コア部６の一方端部にそれぞれ連結され、そして、連結コア部５、５の他方（下部連結コア部５）は、略隙間が生じないように、第１コア部１の他方端部、第２コア部３の他方端部および第３コア部６の他方端部にそれぞれ連結されている。また、連結コア部５、５には、径方向に長いスリット状の孔であるスリット５ａが形成されている。このスリット５ａは、例えば、コイル２を固定するための樹脂を充填する際に用いられる。なお、連結コア部５、５は、それぞれ個別に成形されてもよく、また、連結コア部５、５のうちのいずれか一方は、第３コア部６と一体に成形されてもよい。

ここで、第１コア部１は、連結コア部５、５の透磁率よりも低い第１透磁率であり、第２コア部３は、連結コア部５、５の透磁率よりも低い第２透磁率である。そして、本実施形態では、さらに、第１コア部１の第１透磁率は、第３コア部６の透磁率よりも低く、第２コア部３の第２透磁率は、第３コア部６の透磁率よりも低くされている。なお、第１コア部１の第１透磁率と第２コア部３の第２透磁率とは、同一であっても、異なってもよい。これらが異なる場合は、その大小関係はいずれであってもよい。また、第３コア部６の第３透磁率と連結コア部５、５の第４透磁率とは、同一であっても、異なっていてもよい。これらが異なる場合は、その大小関係はいずれであってもよい。前記同一である場合では、１種類の材料で済むため、製造コストを削減することができる。一方、前記異なる場合では、リアクトルのインダクタンス設計の自由度が高まり、設計が容易になる。

例えば、第１および第２コア部１、３は、所望の磁気特性（比較的低い透磁率）の実現容易性および所望の形状の成形容易性の観点から、軟磁性体粉末と非磁性体粉末との混合物を成形したものであることが好ましい。軟磁性体粉末と非磁性体粉末との混合率比を比較的容易に調整することができ、前記混合比率を適宜に調整することによって、第１コア部１の磁気特性や第２コア部３の磁気特性をそれぞれ所望の磁気特性（比較的低い透磁率）に容易に実現することが可能となる。また、軟磁性体粉末と非磁性体粉末との混合物であるので、様々な形状に成形することができ、第１コア部１の形状や第２コア部３の形状をそれぞれ所望の形状に容易に成形することが可能となる。また、第１および第２コア部１、３は、低コスト化の観点から、同一材料であることが好ましい。

この軟磁性粉末は、第３コア部６および連結コア部５、５の軟磁性粉末も同様に、強磁性の金属粉末であり、より具体的には、例えば、純鉄粉、鉄基合金粉末（Ｆｅ−Ａｌ合金、Ｆｅ−Ｓｉ合金、センダスト、パーマロイ等）およびアモルファス粉末、さらには、表面にリン酸系化成皮膜などの電気絶縁皮膜が形成された鉄粉等が挙げられる。これら軟磁性粉末は、例えば、アトマイズ法等によって微粒子化する方法や、酸化鉄等を微粉砕した後にこれを還元する方法等によって製造することができる。また、一般に、透磁率が同一である場合に飽和磁束密度が大きいので、軟磁性粉末は、例えば上記純鉄粉、鉄基合金粉末およびアモルファス粉末等の金属系材料であることが特に好ましい。

このような第１および第２コア部１、３は、例えば、公知の常套手段を用いることによって、軟磁性体粉末としての鉄粉と、非磁性体粉末としての樹脂とを混合して成形した所定の密度の部材であり、この部材は、例えば、図２（Ｂ）に示す磁束密度−比透磁率特性を有している。なお、磁束密度−比透磁率特性は、磁束密度の変化に対する比透磁率の変化である。図２（Ｂ）に示すように、密度約５ｇ／ｃｃ以下の部材（密度約４．９８ｇ／ｃｃ（○）、密度約３．６３ｇ／ｃｃ（＋）、密度約２．７３ｇ／ｃｃ（▲））では、磁束密度−比透磁率特性は、比較的小さい初期比透磁率から、磁束密度が微小増加すると比透磁率が比較的急激に増加してピーク（最大値）となり、その後、磁束密度の増加に従って緩やかに比透磁率が減少して行く第１プロファイルである。例えば、密度約２．７３ｇ／ｃｃの部材では、磁束密度−比透磁率特性は、約２．８Ｔの初期比透磁率から、磁束密度が微小増加すると、磁束密度が約０．０２Ｔで比透磁率が約３．５まで急激に増加し、その後、磁束密度の増加に従って緩やかに比透磁率が減少して行くプロファイルである。図２（Ｂ）に示す例では、比透磁率が、初期比透磁率から磁束密度の増加に従って再び初期比透磁率となる磁束密度は、約０．５２Ｔである。また、密度約３．６３ｇ／ｃｃの部材および密度約４．９８ｇ／ｃｃの部材における初期比透磁率は、それぞれ、約４Ｔおよび約１４．１Ｔである。このように初期透磁率が約２〜２０Ｔの材料は、この例では、約２．８Ｔ〜約１４．１Ｔの材料は、略同様に、磁束密度−比透磁率特性が第１プロファイルとなり、比較的低い比透磁率の材料である。

また、第３コア部６および連結コア部５、５は、所望の磁気特性（比較的高い透磁率）の実現容易性および所望の形状の成形容易性の観点から、軟磁性体粉末を成形したものであることが好ましく、また、低コスト化の観点から、同一材料であることが好ましい。

このような第３コア部６および連結コア部５、５は、例えば、公知の常套手段を用いることによって、鉄粉を圧粉成形した所定の密度の部材であり、この部材は、例えば、図２（Ａ）に示す磁束密度−比透磁率特性を有している。なお、図２（Ａ）には、図２（Ｂ）に示す磁束密度−比透磁率特性も示されている。図２（Ａ）に示すように、密度約６ｇ／ｃｃ以上の部材（密度約５．９９ｇ／ｃｃ（□）、密度約６．５ｇ／ｃｃ（×）、密度約７ｇ／ｃｃ（△）、密度約７．５ｇ／ｃｃ（◆））では、磁束密度−比透磁率特性は、比較的高い初期比透磁率から、磁束密度が増加すると比透磁率が徐々に増加してピーク（最大値）となり、その後、磁束密度の増加に従って徐々に比透磁率が減少して行く第２プロファイルである。例えば、密度約７ｇ／ｃｃの部材では、磁束密度−比透磁率特性は、約１２０Ｔの初期比透磁率から、磁束密度が増加すると、磁束密度が約０．３５Ｔで比透磁率が約２００まで徐々に増加し、その後、磁束密度の増加に従って徐々に比透磁率が減少して行くプロファイルである。図２（Ａ）に示す例では、比透磁率が、初期比透磁率から磁束密度の増加に従って再び初期比透磁率となる磁束密度は、約１Ｔである。また、密度約５．９９ｇ／ｃｃの部材、密度約６．５ｇ／ｃｃの部材および密度約７．５ｇ／ｃｃの部材における初期比透磁率は、それぞれ、約７０Ｔ、約９０Ｔおよび約１６０Ｔである。このように初期透磁率が約５０〜２５０Ｔの材料は、この例では、約７０Ｔ〜約１６０Ｔの材料は、略同様に、磁束密度−比透磁率特性が第２プロファイルとなり、比較的高い比透磁率の材料である。

また、図２（Ａ）と図２（Ｂ）とを比較すると分かるように、比較的低い比透磁率の部材の方が比較的高い比透磁率の部材よりも磁束密度の変化に従って比透磁率が早く（より小さい磁束密度で）最大値となっている。

なお、第３コア部６は、例えば削りだし加工やプレス加工等の機械加工によってバルクの鋼材から形成したものであってもよい。前記鋼材は、例えば、一般的によく使用される鉄鋼材料である普通鋼（炭素鋼）である。このように第３コア部６がバルクの鋼材から形成されることによって、軟磁性体粉末で形成する場合よりも製造コストを削減（低減）することができる。

コイル２は、導体線または導体テープ（導体シート）等を所定回数だけ第１コア部１の外周に巻回した部材であり、第１コア部１の外周面、連結コア部５、５の各内面および第２コア部３の内周面によって形成された第１空間に配置されている。前記第１空間は、コイル２によって略隙間無く満たされていてもよく、また、コイル２を配置された状態で隙間があってもよい。コイル２で生じた熱を外部へ向けて熱伝導して外部へ放熱する観点から、前記第１空間は、比較的熱伝導性のよい樹脂で充填されることが好ましい。

より具体的には、本実施形態では、コイル２は、図１（Ｂ）に示すように、径方向に積層されるように、絶縁被覆されたテープ状の導体（導体テープ）を巻紙状に巻線した上部コイル２ａと、同様に、径方向に積層されるように、絶縁被覆されたテープ状の導体（導体テープ）を巻紙状に巻線した下部コイル２ｂを備え、これら上部コイル２ａと下部コイル２ｂとは、直列に接続され、そして、軸方向に重ねられた上部コイル２ａと下部コイル２ｂとの間には、弾性体から成るシート状の弾性シート９が介在されている。

そして、上部コイル２ａの上端部（弾性シート９に当接する下端部の反対端部）と連結コア部（上部連結コア部）５との間には、例えばＢＮ（チッ化ボロン）セラミック等の絶縁材料８が充填されており、そして、下部コイル２ｂの下端部（弾性シート９に当接する上端部の反対端部）と連結コア部（下部連結コア部）５との間にも同様に絶縁材料８が充填されている。前記弾性シート９は、例えば耐熱性ゴム等から形成されており、軸方向に、連結コア部５、５へ（外方向へ）向かう付勢力を生じさせる。このため、上部コイル２ａは、弾性シート９の前記付勢力によって絶縁材料８を介して上部連結コア部５に押し付けられており、その接触性が高められている。同様に、下部コイル２ｂは、弾性シート９の前記付勢力によって絶縁材料８を介して下部連結コア部５に押し付けられており、その接触性が高められている。このようにコイル２が導体テープの幅方向を軸方向に平行になるように巻紙状に巻線され、さらに、その各端部における連結コア部５、５への接触性が高められている。したがって、このような構造のリアクトルＤは、コイル２によって軸方向（上下方向）の熱伝導性が良くなるとともに、コイル２の熱を絶縁材料８、８を介して連結コア部５、５に熱伝導させることが可能となり、コイル２に発生するジュール熱や第１および第２コア部１、３に発生する鉄損による熱をコイル２および絶縁材料８、８を介して連結コア部５、５に熱伝導させることができ、効率よく外部に廃熱することが可能となる。また、このため、外部から、より具体的には連結コア部５、５を冷却することによって、リアクトルＤの内部が高熱になることを防止することが可能となる。

ここで、コイル２のテープ状の導体における厚みは、当該リアクトルＤの駆動周波数に対する表皮厚み以下であることが好ましい。一般に、リアクトルのように交流電流（直流バイアスに交流電流が重畳されている場合を含む。）を通電した場合、コイル状に巻き回している導体では、その通電電流は、導体内部（導体中心部）まで流れずに、導体表面から厚みδまでしか流れない（表皮効果）。この結果、導体断面全体に一様の電流密度で電流が流れず、導体の電気抵抗が増加することになる。前記厚みδを表皮厚みといい、表皮厚みδは、コイル２（リアクトルＤ）の駆動周波数の角周波数をωとし、テープ状の導体における透磁率および電気伝導率をそれぞれμおよびσとする場合に、δ＝（２／（ω・μ・σ））^１／２である。前記構成では、コイル２のテープ状の導体における厚みが当該リアクトルＤの駆動周波数に対する表皮厚み以下とされるので、前記テープ状の導体における電気抵抗の増加を抑制することが可能となる。ここで、テープ状の導体における厚みとは、巻紙状に巻線された状態において、テープ状の導体単体（一重）における径方向の長さをいう。

導体部材４は、良導体で形成され、第２コア部３の側面を覆うように、前記第２コア部３の外周を取り囲んでいる。すなわち、その一態様では、導体部材４は、第２コア部３を囲むように、パイプ状、あるいはリング状に形成されている。このような導体部材４は、コイル２が通電されると渦電流を生じ、この渦電流によってリアクトル２の漏れ磁束（漏洩磁場）を抑制することができる。

この導体部材４に生じる渦電流損は、その幅を一定とした場合に導体部材４の厚みに依存し、導体部材４を例えば無酸素銅等の純銅で形成した場合に、図３（Ａ）に示すように、その厚みの増加に従って徐々に増大し、厚み約０．０１５ｍｍで最大値約１５２０Ｗに達し、その後、その厚みの増加に従って徐々に減少する。その厚み約１ｍｍでは、渦電流損は、約１２０Ｗとなっている。また、その渦電流損は、導体部材４の電気伝導度にも依存し、前記と同様に、導体部材４を例えば無酸素銅等の純銅で形成した場合に、図３（Ｂ）に示すように、その電気伝導度の増加に従って徐々に増大し、電気伝導度約２．５×１０^６Ｓ／ｍで最大値約１５００Ｗに達し、その後、電気伝導度の増加に従って徐々に減少する。その電気伝導度約１×１０^８Ｓ／ｍでは、渦電流損は、約１２０Ｗとなっている。したがって、図３から分かるように、導体部材４の厚みおよび電気伝導度を適宜に選択すれば、導体部材４の渦電流損よりも導体部材４の渦電流によるリアクトル２の漏れ磁束の抑制効果の方を大きくすることが可能となり、好ましくは、シールドすることができる。本実施形態では、導体部材４は、良導体によって形成され、渦電流損よりも漏れ磁束の抑制効果が大きくなるように、好ましくはシールドすることができるように、適宜に、その厚みを選択すればよい。

このため、良導体とは、導体部材４に生じる渦電流損がリアクトルＤに生じるヒステリシス損よりも小さくすることができる電気伝導度の導体であり、導体部材４の断面積および導体部材４の材質に依存する。より具体的には、例えば、幅１５ｍｍ×厚み１．０ｍｍ（断面積１５．０ｍｍ^２）である場合において、電気伝導度が１×１０^７Ｓ／ｍ以上の導体をいう。このような電気伝導度を持つ金属導体は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）および金（Ａｕ）等である。これらには、例えば純銅や純アルミニウム等のように呼ばれる純金属だけでなく、精錬の都合上残存してしまう微量不純物（不可避不純物）を含む金属も含まれる。

このように導体部材４は、コイル２に通電されることによって生じる交流電流による漏れ磁束（漏洩磁場）を抑制するものであり、導体部材４の電気伝導度、断面積およびリアクトルＤに許容される漏れ磁束等に応じて、導体部材４は、第２コア部３の側面の全面を覆っても良く、また、その側面の一部を覆っても良い。

このような構成のリアクトルＤは、例えば、次の各工程によって作成可能である。まず、図４（Ａ）に示すように、両端からそれぞれ巻回されたリボン状の導体シート（導体テープ）が用意され、その中間部分が例えば塑性成形によって導体シートを含む平面内において長尺方向と直交する方向に所定角度だけ曲げられる。続いて、図４（Ｂ）に示すように、この曲げた部分が第１コア部１の外周面に当接され、この導体テープが、この当接点を起点に、図略の弾性シート９を介在させながら、コイル２の巻き数となるように、第１コア部１の外周面に巻き付けられ、第１コア部１を巻枠としてＤＰ巻き（ダブルパンケーキ巻き、α巻き）される。これによって、それらの間に弾性シート９を介在した上部コイル２ａおよび下部コイル２ｂを備えるダブルパンケーキ構造（フラットワイズ巻線構造）のコイル２が形成される。続いて、図４（Ｃ）に示すように、前記導体テープをコイル２として巻回した第１コア部１が、前記導体テープを取り出すための間隙が形成された第２コア部（バイパス）３に、前記間隙を介して前記導体テープの巻き残しが外部に取り出されるように、挿入される。続いて、第２コア部３の前記間隙内で、各端子が、上下から引き出されるように導体テープの前記巻き残しに接続され、導体テープの前記巻き残しにおける第２コア部３の前記間隙から露出する部分が切断される。そして、図４（Ｄ）に示すように、第１コア部１を備えるコイル２を内周に内包する第２コア部３がリング状の導体部材４に挿入される。続いて、図４（Ｅ）に示すように、第３コア部６、および、前記各端子を取り出すための孔がそれぞれ形成された連結３コア部５、５、によって形成される内部空間に、前記孔を介して前記各端子が外部に取り出されつつ、第１コア部１、コイル２および第２コア部２を周内に内包する導体部材４が収容される。その後、連結コア部５、５に形成されている図略のスリット５ａ、５ａから絶縁材料８が充填される。このような手順によって、第１コア部１、コイル２、第２コア部３、導体部材４、第３コア部６および連結コア部５、５が組み立てられ、リアクトルＤが作成される。

このような構成のリアクトルＤでは、第１コア部１を備えるコイル２が第２コア部３および連結コア部５、５で囲まれ、ギャップを無くした構造である。このようなギャップレス構造を採用するとともに、第１コア部１の透磁率が連結コア部５、５の透磁率よりも相対的に低くされるとともに、第２コア部３の透磁率が連結コア部５、５の透磁率よりも相対的に低くされる。このため、本実施形態にかかるリアクトルＤは、飽和磁束の点で有利となる。そして、第２コア部３の側面が導体部材４で取り囲まれている。このため、直流バイアスに交流成分を重畳した電流が当該リアクトルＤに流れた場合に、前記交流成分によって生じる磁界は、導体部材４に生じる渦電流によって抑制され、好ましくはシールドされる。したがって、このような構成のリアクトルＤでは、ギャップレス構造であって、第１および第２コア部１、３に比較的低い透磁率の材料を用いつつ、漏れ磁束も低減することが可能となる。

また、本実施形態のリアクトルＤでは、第１コア部１の第１透磁率が第３コア部６の透磁率よりも相対的に低くされるとともに、第２コア部３の第２透磁率が第３コア部６の透磁率よりも相対的に低くされる。このため、第３コア部６の透磁率が比較的高くされ、直流バイアスに交流成分を重畳した電流が当該リアクトルに流れた場合に、直流バイアス（直流成分）によって生じる磁界も、この比較的高い透磁率の第３コア部６によって抑制され、好ましくはシールドされる。したがって、漏れ磁束をより低減することが可能となる。

また、本実施形態のリアクトルＤでは、第１および第２コア部１、３の透磁率が相対的に低くされる一方、連結コア部５、５および第３コア部６の透磁率が相対的に高くされる。このため、本実施形態のリアクトルＤは、第１コア部１が比較的低い透磁率であることから、飽和磁束の点で有利であり、連結コア部５、５および第３コア部６が比較的高い透磁率であることから、さらに、リアクトルＤから外部空間に漏れる漏れ磁束を抑制することができ、したがって、より小型化が可能である。そして、図２（Ａ）および（Ｂ）に示す比較的比透磁率の高い部材の上述した第２プロファイルと比較的比透磁率の低い部材の上述した第１プロファイルから、本実施形態のリアクトルＤでは、相対的に高い透磁率の第３コア部６における磁束密度の変化に対する透磁率の変化を、相対的に低い透磁率の第１コア部１によって補償することで、リアクトルＤにおける、いわゆるＢ−Ｈカーブ（励磁磁場と磁束密度との関係）の直線性が改善されるので、加えて、電流制御性がより良くなる。

そして、最終的にリアクトルＤに要求される特性にもよるが、一般的に要求される電流−インダクタンス特性の観点から、第１および第２コア部１、３の各初期比透磁率は、それぞれ２〜２０であり、第３コア部６および連結コア部５、５の各初期比透磁率は、それぞれ５０〜２５０であることが好ましい。このように構成することによって、リアクトルに一般的に要求される電流−インダクタンス特性、すなわち、電流の変化に対してインダクタンスが略一定（微小な所定の範囲内である場合を含む）となる電流−インダクタンス特性を実現することが可能となる。

この本実施形態のリアクトルＤの優位性を示すために、本実施形態のリアクトルＤに対する比較例として他の構造のリアクトル（第１および第２比較例のリアクトル）と比較するシミュレーション実験を行った。

図５は、実施形態におけるリアクトルの磁束線を示す図である。図６は、実施形態におけるリアクトルの磁束密度の分布を示す図である。図７は、第１比較例におけるリアクトルの磁束線を示す図である。図８は、第１比較例におけるリアクトルの磁束密度の分布を示す図である。図９は、第２比較例におけるリアクトルの磁束線を示す図である。図１０は、第２比較例におけるリアクトルの磁束密度の分布を示す図である。図６、図７および図９では、磁束密度の分布は、その分布の形状が所定のレベルごとに同じレベルの磁束密度の点を連結した等高線によって表示されるとともに、磁束密度の大きさがグレースケールで表示されている。グレースケールの表示色が濃いほど、磁束密度の大きさが大きい。

本実施形態におけるリアクトルＤでは、コイル２に通電することによって生じた磁束の磁束線は、図５に示すように、コイル２の一方端部から一方の連結コア部５を介して第１コア部１の一方端部に到達し、第１コア部１を介して第１コア部１の他方端部から他方の連結コア部５を介してコイル２の他方端部に到達している。また、磁束線は、コイル２の一方端部から一方の連結コア部５を介して導体部材４の一方端部に到達する一方、コイル２の他方端部から他方の連結コア部５を介して導体部材４の他方端部に到達している。そして、コイル２から径方向に磁束線を見ると、コイル２の内側（第１コア部１側）では、コイル２から中心に向かうに従って磁束線間の間隔が緩やかに広くなっている。一方、コイル２の外側（導体部材４側）であって導体部材４の内側では、磁束線間の間隔があまり変わらず比較的密の状態であるが、さらに、導体部材４の外側では、磁束線がほとんど存在していない。このため、磁束密度で見ると、図６に示すように、第１コア部１および連結コア部５、５に磁束が集中しており、径方向での導体部材４の外側（第３コア部６を含む）では、磁束がほとんど存在していない。したがって、本実施形態におけるリアクトルＤでは、漏れ磁束が効果的に低減されている。

一方、第１比較例のリアクトルＤｃ１は、第１コア部１１と、第１コア部１１の外側に配されるコイル１２と、コイル１２の外側に配される第２コア部１３と、コイル１２の各両端部を覆うと共に、第１および第２コア部１、３を相互に連結する連結コア部１５、１５とを備え、第１および第２コア部１１、１３は、同じ透磁率であって、連結コア部１５、１５の透磁率よりも低い透磁率である。すなわち、第１比較例のリアクトルＤｃ１は、本実施形態のリアクトルＤに対して較べると、導体部材４および第３コア部６を備えない構造である。この第１比較例のリアクトルＤｃ１は、前記特許文献１に開示のリアクトルに相当している。

このような構造のリアクトルＤｃ１では、コイル１２に通電することによって生じた磁束の磁束線は、図７に示すように、コイル１２の一方端部から一方の連結コア部１５を介して第１コア部１１の一方端部に到達し、第１コア部１１を介して第１コア部１１の他方端部から他方の連結コア部１５を介してコイル１２の他方端部に到達している。また、磁束線は、コイル１２の一方端部から一方の連結コア部５を介してその一部が第２コア部１３の一方端部に到達し、第２コア部１３を介してその一部が第２コア部１３の他方端部から他方の連結コア部１５を介してコイル１２の他方端部に到達しているとともに、残部の磁束線が連結コア部１５、１５および第２コア部１３から漏れ出している。このため、磁束密度で見ると、図８に示すように、連結コア部１５、１５および第２コア部１３の外部にも、図６に比較してより多くの磁束が存在している。したがって、第１比較例のリアクトルＤｃ１では、充分に漏れ磁束を抑制することができていない。

また、第２比較例のリアクトルＤｃ２は、第１コア部２１と、第１コア部２１の外側に配されるコイル２２と、コイル２２の外側に配される第２コア部２３と、第２コア部２３の外側に配される第３コア部２６と、コイル２２の各両端部を覆うと共に、第１、第２および第３コア部２１、２３、２６を相互に連結する連結コア部２５、２５とを備え、第１および第２コア部２１、２３は、同一の透磁率であって、第３コア部２６および連結コア部２５、２５の透磁率よりも低い透磁率である。すなわち、第２比較例のリアクトルＤｃ２は、第１比較例のリアクトルＤｃ１に対して較べると、磁束に対するシールド効果を高めるべくさらに比較的高い透磁率の第３コア部２６をさらに備えており、一方、本実施形態のリアクトルＤに対して較べると、導体部材４を備えない構造である。

このような構造のリアクトルＤｃ２では、コイル２２に通電することによって生じた磁束の磁束線は、図９に示すように、コイル２２の一方端部から一方の連結コア部２５を介して第１コア部２１の一方端部に到達し、第１コア部２１を介して第１コア部２１の他方端部から他方の連結コア部２５を介してコイル２２の他方端部に到達している。また、磁束線は、コイル２２の一方端部から一方の連結コア部２５を介して第２コア部２３および第３コア部２６の各一方端部に到達し、第２コア部２３および第３コア部２６を介してその一部が第２コア部２３および第３コア部２６の各他方端部から他方の連結コア部２５を介してコイル２２の他方端部に到達しているとともに、残部の磁束線が連結コア部２５、２５から漏れ出している。そして、第３コア部２６の透磁率が第２コア部２３の透磁率よりも大きいので、磁束線は、第２コア部２３よりも多く第３コア部２６に集中している。このため、磁束密度で見ると、図１０に示すように、コイル２２の外側の磁束は、第２コア部２３よりも第３コア部２６に集中しており、第１比較例のリアクトルＤｃ１に較べて漏れ磁束が抑制されているが、連結コア部２５、２５および第３コア部２６の外部にも、図６に比較して多くの磁束が存在している。したがって、第２比較例のリアクトルＤｃ２でも漏れ磁束を抑制しきれていない。そして、この第２比較例のリアクトルＤｃ２では、第３コア部２６に磁束が集中しているため（高くなっているため）、バイアス電流（直流成分）に交流電流（交流成分）を重畳させて通電すると、ヒステリシス損も増加してしまう。

第１および第２比較例のリアクトルＤｃ１、Ｄｃ２と比較すると分かるように、本実施形態のリアクトルＤは、充分に漏れ磁束を抑制することができ、上述したように、前記ヒステリシス損も低減することが可能である。

図１１は、コイルの巻線構造を示す断面図である。図１１（Ａ）は、線材巻線構造を示し、図１１（Ｂ）は、フラットワイズ巻線構造を示し、そして、図１１（Ｃ）は、エッジワイズ巻線構造を示す。図１１には、磁力線も一点鎖線で示されている。図１２は、コイルの巻線構造別における周波数と損失との関係を示す図である。図１２の横軸は、周波数であり、その縦軸は、損失である。

なお、上述の実施形態では、コイル２は、図１（Ｂ）や図１１（Ｂ）に示すように、テープ状の導体を径方向に積層するように巻紙状に巻回した巻線構造（フラットワイズ（flatwise）巻線構造）であったが、これに限定されるものではなく、他の巻き線構造であってもよい。例えば、図１１（Ａ）に示すように、絶縁被覆された、例えば断面円形状の導体線や断面四角形状の導体線（線材）等を第１コア部１に巻回した巻線構造（線材巻線構造）であっても良く、また例えば、図１１（Ｃ）に示すように、絶縁被覆された、テープ状の導体を軸方向に積層するように巻回した巻線構造（エッジワイズ（edgewise）巻線構造）であってもよい。

ここで、線材巻線構造に用いられる断面四角形状の線材は、アスペクト比２以下の平角導体をいい、エッジワイズ巻線構造に用いられるテープ状導体は、アスペクト比４以上のシート状導体をいう。なお、前記アスペクト比の値は、巻線構造の分類上の数値であって、もちろん、アスペクト比が２よりも大きく４よりも小さい長尺導体もコイル２に用いることが可能である。

コイル２は、このような線材巻線構造、フラットワイズ巻線構造およびエッジワイズ巻線構造を採用することができるが、コイル２に生じる損失およびリアクトルＤ内で生じる熱の放熱の各観点から、フラットワイズ巻線構造が優れている。以下、その理由を説明する。

コイル２に通電すると、コイル２も導体から構成されているので、磁力線に垂直な面（直交面）に渦電流が発生し、それによって損失（ロス）が発生する。この渦電流の大きさは、磁束密度が同一である場合には、磁束線と交差する面積、すなわち、磁力線に垂直な面の面積に比例する。コイル２によって発生する磁力線は、図１１（Ａ）ないし（Ｃ）に示すように、コイル２内では軸方向に沿っているので、渦電流は、コイル２を構成する導体における、軸方向に直交する径方向の面の面積に比例することになる。

このため、線材巻線構造では、図１１（Ａ）に示すように、前記導体としての線材は、径方向の面積が小さく、この渦電流を生じ難く、渦電流によって生じる損失よりも電気抵抗によって生じる損失の方が支配的となる。そして、線材巻線構造では、そのアスペクト比を変えると、前記導体としての線材は、径方向の面積がそのアスペクト比に応じて大きくなって、これに従って渦電流も生じるようになる。したがって、線材巻線構造では、図１２に示すように、断面形状が例えば丸○や四角□等であって小断面積である場合には、渦電流がほとんど生じず、損失は、通電電流の周波数に依らず、略一定であり、比較的大きな電気抵抗によって初期損失が比較的大きくなる（○〜□小断面線材）。また、断面積が中程度から大断面積へ大きくなるに従って、渦電流も生じて徐々に大きくなり、損失は、通電電流の周波数に依存して周波数の増加に伴って増大する一方、電気抵抗が徐々に減少して初期損失が徐々に小さくなる（中断面線材、□大断面線材）。

エッジワイズ巻線構造では、図１１（Ｃ）に示すように、前記導体としてのテープ状導体（テープ線材）は、径方向の面積が大きく、渦電流を生じ易く、渦電流によって生じる損失の方が電気抵抗によって生じる損失よりも支配的となる。したがって、エッジワイズ巻線構造では、損失は、通電電流の周波数に依存して周波数の増加に伴って増大し、比較的小さな電気抵抗によって初期損失が比較的小さくなる（エッジワイズ巻テープ線材）。

一方、フラットワイズ巻線構造では、図１１（Ｂ）に示すように、前記導体としてのテープ状導体（テープ線材）は、径方向の面積が小さく、渦電流を生じ難い一方で、軸方向の面積が大きい。したがって、フラットワイズ巻線構造では、図１２に示すように、渦電流がほとんど生じず、損失は、通電電流の周波数に依らず、略一定であり、比較的小さな電気抵抗によって初期損失も比較的小さくなる（フラットワイズ巻テープ線材）。

渦電流によってコイル２に生じる損失の観点では、優位性は、「フラットワイズ巻線構造≧線材巻線構造＞エッジワイズ巻線構造」である。

そして、図１１（Ａ）ないし（Ｃ）に示すように、線材巻線構造およびエッジワイズ巻線構造では、前記導体としての線材およびテープ線材は、軸方向に重ねられた構造であるが、フラットワイズ巻線構造では、前記導体としてのテープ線材は、上述したように、その幅方向が軸方向に略一致し、連続している。このため、フラットワイズ巻線構造は、線材巻線構造およびエッジワイズ巻線構造よりも、効果的に熱伝導する。

よって、フラットワイズ巻線構造が前記両観点からコイル２の巻線構造として最も優れている。

本発明を表現するために、上述において図面を参照しながら実施形態を通して本発明を適切且つ十分に説明したが、当業者であれば上述の実施形態を変更および／または改良することは容易に為し得ることであると認識すべきである。したがって、当業者が実施する変更形態または改良形態が、請求の範囲に記載された請求項の権利範囲を離脱するレベルのものでない限り、当該変更形態または当該改良形態は、当該請求項の権利範囲に包括されると解釈される。

Ｄ リアクトル
１ 第１コア部
２ コイル
２ａ 上部コイル
２ｂ 下部コイル
３ 第２コア部
４ 導体部材
５ 連結コア部
６ 第３コア部

Claims (12)

1. 第１コア部と、
   前記第１コア部の外側に配されるコイルと、
   前記コイルの外側に配される第２コア部と、
   良導体で形成され、前記第２コア部の側面を覆うように前記第２コア部の外周を取り囲む導体部材と、
   前記コイルの各両端部および前記導体部材の各両端部を覆うと共に、前記第１および第２コア部を相互に連結する連結コア部とを備え、
   前記第１コア部は、前記連結コア部の透磁率よりも低い第１透磁率であり、
   前記第２コア部は、前記連結コア部の透磁率よりも低い第２透磁率であること
   を特徴とするリアクトル。
2. 前記導体部材は、銅またはアルミニウムで形成されていること
   を特徴とする請求項１に記載のリアクトル。
3. 前記導体部材の外側に配される第３コア部をさらに備え、
   前記連結コア部は、前記コイルの各両端部および前記導体部材の各両端部を覆うと共に、前記第１、第２および第３コア部を相互に連結し、
   前記第１コア部の前記第１透磁率は、前記第３コア部の透磁率よりも低く、
   前記第２コア部の前記第２透磁率は、前記第３コア部の透磁率よりも低いこと
   を特徴とする請求項１または請求項２に記載のリアクトル。
4. 前記第３コア部は、軟磁性体粉末を形成したもの、または、バルクの鋼材から形成したものであること
   を特徴とする請求項３に記載のリアクトル。
5. 前記連結コア部は、軟磁性体粉末を成形したものであること
   を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のリアクトル。
6. 前記第３コア部および連結コア部は、同一材料であること
   を特徴とする請求項３ないし請求項５のいずれか１項に記載のリアクトル。
7. 前記第１および第２コア部は、それぞれ、軟磁性体粉末と非磁性体粉末との混合物を成形したものであること
   を特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載のリアクトル。
8. 前記第１コア部および前記第２コア部は、同一材料であること
   を特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載のリアクトル。
9. 前記第１コア部および前記第２コア部は、それぞれ、初期透磁率が２〜２０の材料で形成され、
   前記連結コア部は、初期透磁率が５０〜２５０の材料で形成されていること
   を特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載のリアクトル。
10. 前記コイルは、絶縁被覆されたテープ状の導体を巻紙状に巻線したものであること
    を特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載のリアクトル。
11. 前記コイルにおける巻紙状の巻線は、ダブルパンケーキ構造の巻線であること
    を特徴とする請求項１０に記載のリアクトル。
12. 前記テープ状の導体における厚みは、当該リアクトルの駆動周波数に対する表皮厚み以下であること
    を特徴とする請求項１０または請求項１１に記載のリアクトル。