JP2011135006A5 - - Google Patents
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Description
本発明に係るテラヘルツ波を発振させるための発振素子は、テラヘルツ波（３０ＧＨｚ以上３０ＴＨｚ以下の周波数の電磁波）を発振させるための発振素子であって、サブバンド間でのキャリアの遷移によりテラヘルツ波を発生させる活性層と、前記活性層から発生されたテラヘルツ波を共振させるための共振部と、前記活性層に歪を生じさせるための歪発生部と、前記歪発生部を制御する制御部と、を備え、前記活性層に生じる歪に応じて該活性層の微分負性抵抗が変わることにより、前記共振部で共振されるテラヘルツの発振特性が変わることを特徴とする。
Claims (10)
- テラヘルツ波（３０ＧＨｚ以上３０ＴＨｚ以下の周波数の電磁波）を発振させるための発振素子であって、
サブバンド間でのキャリアの遷移によりテラヘルツ波を発生させる活性層と、
前記活性層から発生されたテラヘルツ波を共振させるための共振部と、
前記活性層に歪を生じさせるための歪発生部と、
前記歪発生部を制御する制御部と、を備え
前記活性層に生じる歪に応じて該活性層の微分負性抵抗が変わることにより、前記共振部で共振されるテラヘルツの発振特性が変わる
ることを特徴とする発振素子。 - 前記発振特性は、テラヘルツ波の周波数あるいはパワーであることを特徴とする請求項１に記載の発振素子。
- 前記活性層は、少なくとも２種類の半導体のヘテロ接合により構成され、
前記歪発生部は、前記ヘテロ接合の界面の方向、あるいは該界面に対して略垂直な方向に、前記活性層に歪を生じさせることを特徴とする請求項１あるいは２に記載の発振素子。 - 前記歪発生部は、たわみ可能に構成され、
前記活性層は、前記歪発生部によるたわみによって、該活性層の面内方向に歪む位置に配置されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発振素子。 - 前記歪発生部は、ピエゾ電界を発生可能に構成され、
前記活性層は、前記歪発生部により発生されるピエゾ電界によって、該活性層の面内方向に対して略垂直な方向に歪む位置に配置されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発振素子。 - 前記歪発生部により前記活性層に歪を生じさせることで、該活性層おける電子の有効質量を変えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発振素子。
- 前記活性層は、共鳴トンネルダイオードであり、
前記共鳴トンネルダイオードに電圧を印加可能に構成され、前記共振部で共振されたテラヘルツ波を放射可能に構成されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の発振素子。 - 前記共振部は、前記共振されたテラヘルツ波を放射するための放射部を含むことを特徴とする請求項７に記載の発振素子。
- 前記活性層にバイアス電圧を入力するための電源を備え、
前記電源は、前記制御部に接続されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の発振素子。 - 前記制御部は、前記活性層に入力する電圧と前記歪発生部とを制御することで、前記発振特性を制御することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の発振素子。
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