JP2011126963A - Resin sheet, printed-wiring board and semiconductor device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resin sheet which excels in handling properties and flowability on molding and makes a resin layer having a low linear expansion coefficient and a low water absorption, a printed-wiring board using the resin sheet which can form a thin and fine wiring circuit having excellent reliability, and furthermore a semiconductor device using the printed-wiring board having excellent reliability. <P>SOLUTION: The resin sheet is obtained by forming a resin layer composed of a resin composition having (A) a dicyclopentadiene type cyanate resin, (B) an epoxy resin, and (C) an inorganic filler as essential components on a base material. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、樹脂シート、プリント配線板、および半導体装置に関するものである。 The present invention relates to a resin sheet, a printed wiring board, and a semiconductor device.

近年の電子機器において、より高速伝送化、高密度集積化が進んでおり、これらの電子機器に用いられるプリント配線板はビルドアップ方式のプリント配線板が多く採用されている。 In recent electronic devices, higher-speed transmission and higher-density integration are progressing, and a build-up type printed wiring board is often used as a printed wiring board used in these electronic devices.

また、プリント配線板は、高密度集積化、薄型化が進んでいるが、薄くすることで強度が低下するという問題が生じている。前記問題を解決すべく、熱硬化性樹脂を用いた樹脂組成物をガラス布に含浸させたプリプレグをプリント配線板の絶縁樹脂層に用いる検討がなされている(特許文献1、2)。しかし、プリプレグを薄くした場合、積層時にプリプレグ上の樹脂厚みが均一とならず、平坦性を保てないため、後の微細配線加工ができない問題があった。また、レーザー照射によるビアの小径化が難しいこと、レーザー開孔が不十分であるために絶縁層間の接続信頼性が低下することなどの問題もあった。そのため、プリント配線板のさらなる薄型化、高密度化の要求に伴い、ガラス布等に含浸させたプリプレグを用いることなく、ハンドリング性、および成形性が容易であることに加え、多層プリント配線板の絶縁層として用いた場合、高強度、および絶縁層間の接続信頼性に優れ、半導体装置に用いた場合、反りが小さく、実装信頼性に優れる絶縁性の樹脂シートが必要とされている。   In addition, the printed wiring board has been densely integrated and thinned, but there is a problem that the strength is reduced by making the printed wiring board thinner. In order to solve the above problems, studies have been made to use a prepreg obtained by impregnating a glass cloth with a resin composition using a thermosetting resin for an insulating resin layer of a printed wiring board (Patent Documents 1 and 2). However, when the prepreg is thinned, the resin thickness on the prepreg is not uniform at the time of lamination, and flatness cannot be maintained. In addition, there are problems that it is difficult to reduce the via diameter by laser irradiation, and that the reliability of connection between insulating layers is lowered due to insufficient laser opening. Therefore, with the demand for further thinning and high density of the printed wiring board, it is easy to handle and mold without using a prepreg impregnated in glass cloth etc. In addition to the multilayer printed wiring board, When used as an insulating layer, there is a need for an insulating resin sheet that has high strength and excellent connection reliability between insulating layers, and when used in a semiconductor device, has low warpage and excellent mounting reliability.

特開2002−305374号公報JP 2002-305374 A 特開2003−73543号公報JP 2003-73543 A

本発明の目的は、ハンドリング性、および成形時の流動性に優れ、低線熱膨張係で低吸水の絶縁層となる樹脂シートを提供する。また、本発明の樹脂シートを用いた信頼性に優れた薄型で、微細配線回路形成が可能なプリント配線板、更には前記プリント配線板を用いた信頼性に優れる半導体装置を提供することである。     An object of the present invention is to provide a resin sheet that is excellent in handling properties and fluidity at the time of molding, and serves as a low water absorption insulating layer with low linear thermal expansion. Another object of the present invention is to provide a thin and excellent printed wiring board capable of forming a fine wiring circuit using the resin sheet of the present invention, and a semiconductor device having excellent reliability using the printed wiring board. .

このような目的は、下記[1]〜[9]に記載の本発明により達成される。
[1](A)ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂、(B)エポキシ樹脂、及び(C)無機充填材を必須成分とする樹脂組成物からなる絶縁樹脂層を基材上に形成してなることを特徴とする樹脂シート。
[2]前記(A)ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂は、樹脂組成物全体の5〜60重量%である[1]項に記載の樹脂シート。
[3]前記(B)エポキシ樹脂は、アリールアルキレン型エポキシ樹脂である[1]または[2]に記載の樹脂シート。
[4]前記(C)無機充填材は、平均粒径0.01〜5μmの無機充填材である[1]ないし[3]のいずれか一に記載の樹脂シート。
[5]前記(C)無機充填材は、球状シリカ、焼成タルク及び一水和アルミナからなる群より選ばれる少なくとも1種の無機充填材である[1]ないし[4]のいずれか一に記載の樹脂シート。
[6]前記(C)無機充填材は、樹脂組成物全体の30〜80重量%である[1]ないし[5]のいずれか一に記載の樹脂シート。
[7][1]ないし[6]のいずれか一に記載の樹脂シートを、内層回路板の片面または両面に重ね合わせて加熱加圧成形してなるプリント配線板、
[8][1]ないし[7]のいずれか一に記載の樹脂シートを、内層回路板の片面または両面に重ね合わせて加熱加圧成形したのち、デスミア、無電解メッキ、電解メッキ工程を含む回路形成プロセスを用いて回路形成された回路を有するプリント配線板、
[9][7]または[8]に記載のプリント配線板に半導体素子を搭載してなる半導体装置。
Such an object is achieved by the present invention described in the following [1] to [9].
[1] An insulating resin layer comprising a resin composition containing (A) a dicyclopentadiene-type cyanate resin, (B) an epoxy resin, and (C) an inorganic filler as essential components, is formed on a substrate. Characteristic resin sheet.
[2] The resin sheet according to item [1], wherein the (A) dicyclopentadiene-type cyanate resin is 5 to 60% by weight of the entire resin composition.
[3] The resin sheet according to [1] or [2], wherein the (B) epoxy resin is an aryl alkylene type epoxy resin.
[4] The resin sheet according to any one of [1] to [3], wherein the (C) inorganic filler is an inorganic filler having an average particle diameter of 0.01 to 5 μm.
[5] The inorganic filler (C) is at least one inorganic filler selected from the group consisting of spherical silica, calcined talc and monohydrated alumina, [1] to [4] Resin sheet.
[6] The resin sheet according to any one of [1] to [5], wherein the (C) inorganic filler is 30 to 80% by weight of the entire resin composition.
[7] A printed wiring board formed by heating and press-molding the resin sheet according to any one of [1] to [6] on one or both surfaces of the inner circuit board,
[8] The resin sheet according to any one of [1] to [7] is overlaid on one or both surfaces of the inner circuit board and heat-press molded, and then includes desmear, electroless plating, and electrolytic plating processes. A printed wiring board having a circuit formed using a circuit forming process;
[9] A semiconductor device in which a semiconductor element is mounted on the printed wiring board according to [7] or [8].

本発明の樹脂シートは、ハンドリング性、および成形性が容易であることに加え、プリント配線板の絶縁層として用いた場合、高強度、および絶縁層間の接続信頼性に優れ、半導体装置に用いた場合、反りが小さく、実装信頼性に優れる絶縁性に優れる。 The resin sheet of the present invention is easy to handle and moldability, and when used as an insulating layer of a printed wiring board, it has high strength and excellent connection reliability between insulating layers, and is used for a semiconductor device. In this case, the warpage is small, and the insulating property is excellent in mounting reliability.

以下に、本発明の樹脂シート、プリント配線板、および半導体装置について詳細に説明する。 Hereinafter, the resin sheet, the printed wiring board, and the semiconductor device of the present invention will be described in detail.

まず、本発明の樹脂シートについて説明する。   First, the resin sheet of this invention is demonstrated.

本発明の樹脂シートの樹脂層を形成する樹脂組成物は、(A)ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂(以下、(A)DCPD型シアネート樹脂と称すことがある。)、(B)エポキシ樹脂、及び(C)無機充填材を必須成分とする。   The resin composition forming the resin layer of the resin sheet of the present invention includes (A) a dicyclopentadiene type cyanate resin (hereinafter sometimes referred to as (A) a DCPD type cyanate resin), (B) an epoxy resin, and (C) An inorganic filler is an essential component.

前記(A)DCPD型シアネート樹脂は、特に限定されないが、例えばハロゲン化シアン化合物とジシクロペンタジエン型フェノールとを反応させ、必要に応じて加熱等の方法により得ることができる。DCPD型シアネート樹脂を用いることにより、硬化後はトリアジン環架橋構造による低線膨張率と、分子骨格由来の低吸水率、また、誘電特性に優れた硬化物を得ることが出来る。また、低吸水によって、吸湿耐熱性も向上する。(A)DCPD型シアネート樹脂としては、例えば式(I)で示されるものを使用することができる。 The (A) DCPD type cyanate resin is not particularly limited, and can be obtained, for example, by reacting a halogenated cyanide compound with a dicyclopentadiene type phenol and, if necessary, by a method such as heating. By using a DCPD type cyanate resin, a cured product having a low linear expansion coefficient due to a triazine ring cross-linked structure, a low water absorption rate derived from a molecular skeleton, and excellent dielectric properties can be obtained after curing. Moreover, moisture absorption heat resistance is also improved by low water absorption. (A) As DCPD type cyanate resin, what is shown, for example by Formula (I) can be used.

前記式(I)で示されるDCPD型シアネート樹脂のnは、特に限定されないが、1〜10が好ましく、特に1〜7が好ましい。これより少ないとDCPD型シアネート樹脂は結晶化しやすくなり、汎用溶媒に対する溶解性が比較的低下するため、取り扱いが困難となる場合がある。また、これより多いと架橋密度が高くなりすぎ、吸水性の低下や、硬化物が脆くなるなどの現象を生じる場合がある。   Although n of the DCPD type cyanate resin represented by the formula (I) is not particularly limited, 1 to 10 is preferable, and 1 to 7 is particularly preferable. If the amount is less than this, the DCPD type cyanate resin is easily crystallized, and the solubility in a general-purpose solvent is relatively lowered, which may make handling difficult. On the other hand, if the amount is larger than this, the crosslink density becomes too high, which may cause a phenomenon such as a decrease in water absorption and a cured product becoming brittle.

前記(A)DCPD型シアネート樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量5.0×10〜4.5×10が好ましく、特に6.0×10〜3.0×10が好ましい。前記下限値より小さいと樹脂シートを作製した場合にタック性が生じ、連続ロール状に樹脂シートを作製した場合ブリード現象が起こる可能性がある。また、前記上限値より大きいと反応が速くなりすぎ、成形不良を生じたり、プリント配線板に用いた場合樹脂層と樹脂層の層間ピール強度が低下したりする場合がある。 The weight average molecular weight of the (A) DCPD type cyanate resin is not particularly limited, but is preferably 5.0 × 10 2 to 4.5 × 10 3 , particularly 6.0 × 10 2 to 3.0 ×. 10 3 is preferred. If it is smaller than the lower limit, tackiness may occur when a resin sheet is produced, and a bleed phenomenon may occur when the resin sheet is produced in the form of a continuous roll. On the other hand, when the value is larger than the upper limit, the reaction becomes too fast, and molding failure may occur, or when used for a printed wiring board, the interlayer peel strength between the resin layer and the resin layer may be lowered.

なお、前記(A)DCPD型シアネート樹脂は、プレポリマー化したものも用いることができる。すなわち、(A)DCPD型シアネート樹脂を単独で用いてもよいし、重量平均分子量の異なるシアネート樹脂を併用したり、(A)DCPD型シアネート樹脂とそのプレポリマーとを併用したりすることもできる。
ここでプレポリマーとは、通常、上記シアネート樹脂を加熱反応などにより、例えば3量化することで得られるものであり、エポキシ樹脂組成物の成形性、流動性を調整するために好ましく使用されるものである。プレポリマーは、特に限定されないが、例えば、3量化率が20〜50重量%であるものを用いることが好ましい。この3量化率は、例えば赤外分光分析装置を用いて求めることができる。あるいは、分子骨格の異なるその他のシアネート樹脂と併用することもできる。その他のシアネート樹脂としては、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールA型シアネート樹脂、ビスフェノールE型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールF型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂等を挙げることができる。
The (A) DCPD type cyanate resin may be a prepolymerized one. That is, (A) DCPD type cyanate resin may be used alone, cyanate resins having different weight average molecular weights may be used in combination, or (A) DCPD type cyanate resin and its prepolymer may be used in combination. .
Here, the prepolymer is usually obtained by, for example, trimerizing the cyanate resin by a heat reaction or the like, and is preferably used for adjusting the moldability and fluidity of the epoxy resin composition. It is. Although a prepolymer is not specifically limited, For example, it is preferable to use what a trimerization rate is 20 to 50 weight%. This trimerization rate can be determined using, for example, an infrared spectroscopic analyzer. Alternatively, it can be used in combination with other cyanate resins having different molecular skeletons. Examples of the other cyanate resins include novolac type cyanate resins, bisphenol A type cyanate resins, bisphenol E type cyanate resins, and bisphenol type cyanate resins such as tetramethyl bisphenol F type cyanate resins.

前記(A)DCPD型シアネート樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の5〜60重量%が好ましく、特に10〜50重量%が好ましい。DCPD型シアネート樹脂及び/またはそのプレポリマーが前記下限値未満では、耐熱性や低熱膨張化する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると架橋密度が高くなり自由体積が増えるため耐湿性が低下する場合がある。   Although content of said (A) DCPD type cyanate resin is not specifically limited, 5 to 60 weight% of the whole resin composition is preferable, and 10 to 50 weight% is especially preferable. If the DCPD-type cyanate resin and / or its prepolymer is less than the lower limit, the heat resistance and the effect of low thermal expansion may be reduced, and if the upper limit is exceeded, the crosslinking density increases and the free volume increases, resulting in moisture resistance. May decrease.

前記樹脂組成物は、(A)DCPD型シアネート樹脂のほかに、シアネート樹脂を併用することもできる。中でもノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールA型シアネート樹脂、ビスフェノールE型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールF型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂を併用することが好ましい。   In addition to (A) DCPD type cyanate resin, the resin composition may be used in combination with a cyanate resin. Among them, it is preferable to use a bisphenol type cyanate resin such as a novolac type cyanate resin, a bisphenol A type cyanate resin, a bisphenol E type cyanate resin, or a tetramethylbisphenol F type cyanate resin.

本発明の樹脂シートの樹脂層を形成する樹脂組成物は、(B)エポキシ樹脂を必須成分とスル。前記(B)エポキシ樹脂は、特に限定されないが、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でもアリールアルキレン型エポキシ樹脂、およびナフタレン変性フェノールノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、耐湿性を向上することができる。前記アリールアルキレン型エポキシ樹脂とは、繰り返し単位中に一つ以上のアリールアルキレン基を有するエポキシ樹脂をいう。例えばキシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でもビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂が好ましい。ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は、例えば式(II)で示すことができる。前記ナフタレン変性フェノールノボラック型エポキシ樹脂は、例えば式(III)で示すことができる。   The resin composition for forming the resin layer of the resin sheet of the present invention comprises (B) an epoxy resin as an essential component. The (B) epoxy resin is not particularly limited, and examples thereof include a phenol novolac type epoxy resin, a bisphenol type epoxy resin, a naphthalene type epoxy resin, and an arylalkylene type epoxy resin. Among these, aryl alkylene type epoxy resins and naphthalene-modified phenol novolac type epoxy resins are preferable. Thereby, moisture resistance can be improved. The arylalkylene-type epoxy resin refers to an epoxy resin having one or more arylalkylene groups in a repeating unit. For example, a xylylene type epoxy resin, a biphenyl dimethylene type epoxy resin, etc. are mentioned. Among these, a biphenyl dimethylene type epoxy resin is preferable. A biphenyl dimethylene type | mold epoxy resin can be shown, for example by Formula (II). The naphthalene-modified phenol novolac type epoxy resin can be represented by, for example, the formula (III).

前記式(II)で示されるビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂のnは、特に限定されないが、1〜10が好ましく、特に2〜5が好ましい。これより少ないとビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は結晶化しやすくなり、汎用溶媒に対する溶解性が比較的低下するため、取扱いが困難となる場合がある。また、これより多いと樹脂の流動性が低下し、成形不良等の原因となる場合がある。(A)DCPD型シアネート樹脂とアリールアルキレン型エポキシ樹脂(特にビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂)、または前記式(III)で示されるナフタレン変性フェノールノボラック型エポキシ樹脂とを含む樹脂組成物を用い樹脂シートを作製した場合、低吸水性であり、プレッシャー・クッカー・テスト(PCT)においても低い吸水率性を達成することができる。 Although n of the biphenyl dimethylene type | mold epoxy resin shown by the said formula (II) is not specifically limited, 1-10 are preferable and 2-5 are especially preferable. If it is less than this, the biphenyl dimethylene type epoxy resin will be easily crystallized, and the solubility in general-purpose solvents will be relatively lowered, which may make handling difficult. Moreover, when more than this, the fluidity | liquidity of resin will fall and it may become a cause of a molding defect. (A) A resin sheet using a resin composition comprising a DCPD type cyanate resin and an arylalkylene type epoxy resin (particularly a biphenyldimethylene type epoxy resin) or a naphthalene-modified phenol novolac type epoxy resin represented by the formula (III) When produced, it has low water absorption and can achieve low water absorption even in the pressure cooker test (PCT).

前記(B)エポキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量5.0×10〜2.0×10が好ましく、特に8.0×10〜1.5×10が好ましい。重量平均分子量が、前記下限値より小さいと、樹脂シートを作製した場合にタック性が生じ、作業性が低下する。また、連続ロール状に樹脂シートを作製した場合ブリード現象が起こる可能性がある。前記上限値より大きいと溶融粘度が高くなり成形不良を生じたり、プリント配線板に用いた場合、絶縁層と絶縁層の層間ピール強度が低下したりする場合がある。 Although the weight average molecular weight of the (B) epoxy resin is not particularly limited, the weight average molecular weight is preferably 5.0 × 10 2 to 2.0 × 10 4 , particularly 8.0 × 10 2 to 1.5 × 10 4. Is preferred. When the weight average molecular weight is smaller than the lower limit, tackiness occurs when a resin sheet is produced, and workability is reduced. Moreover, when a resin sheet is produced in a continuous roll shape, a bleed phenomenon may occur. If it is larger than the upper limit, the melt viscosity becomes high and molding failure may occur, or when used for a printed wiring board, the interlayer peel strength between the insulating layer and the insulating layer may be lowered.

前記(B)エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の1〜55重量%が好ましく、特に2〜40重量%が好ましい。樹脂が前記下限値未満では、シアネート樹脂の反応性が低下したり、得られる製品の耐湿性が低下したり場合があり、前記上限値を超えると耐熱性が低下する場合がある。   Although content of the said (B) epoxy resin is not specifically limited, 1 to 55 weight% of the whole resin composition is preferable, and 2 to 40 weight% is especially preferable. If the resin is less than the lower limit, the reactivity of the cyanate resin may be reduced, or the moisture resistance of the resulting product may be reduced. If the resin exceeds the upper limit, the heat resistance may be reduced.

本発明の樹脂シートの樹脂層を形成する樹脂組成物は、(C)無機充填材を必須成分とする。前記(C)無機充填材は、特に限定されないが、例えば、タルク、アルミナ、ガラス、シリカ、ベーマイト、マイカ等を挙げることができる。これにより、低熱膨張化、及び難燃性の向上が図られる。また、前述した(A)DCPD型シアネート樹脂と(C)無機充填材との組合せにより、樹脂層の弾性率を高くすることができる。(C)無機充填材は、シリカが好ましく、低熱膨張率にする点で溶融シリカが優れる。一方、タルクと一水和アルミナが高温まで分解しない点、難燃性に優れる点で好ましい。   The resin composition forming the resin layer of the resin sheet of the present invention contains (C) an inorganic filler as an essential component. The (C) inorganic filler is not particularly limited, and examples thereof include talc, alumina, glass, silica, boehmite, and mica. Thereby, low thermal expansion and improvement in flame retardancy are achieved. Moreover, the elasticity modulus of a resin layer can be made high by the combination of (A) DCPD type cyanate resin and (C) inorganic filler mentioned above. (C) Silica is preferable as the inorganic filler, and fused silica is excellent in that it has a low coefficient of thermal expansion. On the other hand, talc and monohydrated alumina are preferable in that they do not decompose to high temperatures and are excellent in flame retardancy.

前記(C)無機充填材の形状は、特に限定されないが、例えば、破砕状、板状、球状等が挙げられる。成形時の流動性を確保するために樹脂組成物の溶融粘度を下げるには球状の無機充填材を用いることが好ましい。なお、形状は、その目的、用途、性能に応じて選択できる。   The shape of the (C) inorganic filler is not particularly limited, and examples thereof include a crushed shape, a plate shape, and a spherical shape. In order to reduce the melt viscosity of the resin composition in order to ensure fluidity during molding, it is preferable to use a spherical inorganic filler. The shape can be selected according to its purpose, application, and performance.

前記(C)無機充填材の平均粒径は、特に限定されないが、0.01〜5μmが好ましく、特に0.2〜2μmが好ましい。無機充填材の粒径が前記下限値より小さいとワニスの粘度が高くなるため、プリプレグ作製時の作業性に影響を与える場合がある。また、前記上限値より大きいと、ワニス中で無機充填剤の沈降等の現象が起こることがある。   The average particle diameter of the (C) inorganic filler is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 5 μm, particularly preferably 0.2 to 2 μm. If the particle size of the inorganic filler is smaller than the lower limit, the viscosity of the varnish becomes high, which may affect the workability at the time of preparing the prepreg. Moreover, when larger than the said upper limit, phenomena, such as sedimentation of an inorganic filler, may occur in a varnish.

前記(C)無機充填材の含有量は、樹脂組成物全体の30〜80重量%が好ましく、特に40〜70重量%が好ましい。無機充填材が前記範囲内であると低熱膨張であり、高い難燃性と高い耐熱性をすべて満たすことができる。   The content of the (C) inorganic filler is preferably 30 to 80% by weight, particularly preferably 40 to 70% by weight, based on the entire resin composition. When the inorganic filler is within the above range, it has low thermal expansion, and can satisfy all of high flame retardancy and high heat resistance.

本発明の樹脂シートの樹脂層を形成する樹脂組成物は、特に限定されないが、樹脂成分としてさらにフェノール樹脂を用いることができる。フェノール樹脂としては、特に限定されないが、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、アリールアルキレン型フェノール樹脂等が挙げられる。   Although the resin composition which forms the resin layer of the resin sheet of this invention is not specifically limited, A phenol resin can further be used as a resin component. Although it does not specifically limit as a phenol resin, A novolak type phenol resin, a resol type phenol resin, an aryl alkylene type phenol resin, etc. are mentioned.

本発明の樹脂シートの樹脂層を形成する樹脂組成物は、製膜性樹脂を含有してもよい。製膜性樹脂を用いた場合、樹脂シートを製造する際の製膜性やハンドリング性が、さらに向上する点で好ましい。   The resin composition forming the resin layer of the resin sheet of the present invention may contain a film-forming resin. When a film-forming resin is used, it is preferable in terms of further improving the film-forming property and handling property when a resin sheet is manufactured.

上記製膜性樹脂としては、特に限定されないが、例えば、フェノキシ系樹脂、ビスフェノールF系樹脂、オレフィン系樹脂、ビニルエステル樹脂、メラミン樹脂等の他の熱硬化性樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、およびポリエーテルスルホン樹脂等が挙げられる。製膜性樹脂として、これらの中の誘導体も含めて1種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する2種類以上を併用したり、1種類または2種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。これらの中でも、フェノキシ系樹脂が好ましい。これにより、耐熱性および難燃性を向上させることができる。   The film-forming resin is not particularly limited. For example, other thermosetting resins such as phenoxy resin, bisphenol F resin, olefin resin, vinyl ester resin, melamine resin, phenoxy resin, polyimide resin, polyamide Examples thereof include imide resins, polyphenylene oxide resins, and polyethersulfone resins. As the film-forming resin, one kind including derivatives thereof can be used alone, or two or more kinds having different weight average molecular weights can be used in combination, or one kind or two kinds or more can be used together. A polymer can also be used in combination. Among these, a phenoxy resin is preferable. Thereby, heat resistance and a flame retardance can be improved.

上記フェノキシ樹脂として、特に限定はされないが、例えば、ビスフェノールA骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールF骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールS骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールM骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールP骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールZ骨格を有するフェノキシ樹脂等ビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ノボラック骨格を有するフェノキシ樹脂、アントラセン骨格を有するフェノキシ樹脂、フルオレン骨格を有するフェノキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノキシ樹脂、ノルボルネン骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂、アダマンタン骨格を有するフェノキシ樹脂等が挙げられる。
またフェノキシ樹脂として、これら中の骨格を複数種類有した構造を用いることもできるし、それぞれの骨格の比率が異なるフェノキシ樹脂を用いることができる。さらに異なる骨格のフェノキシ樹脂を複数種類用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有するフェノキシ樹脂を複数種類用いたり、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。
The phenoxy resin is not particularly limited. For example, the phenoxy resin has a bisphenol A skeleton, a phenoxy resin having a bisphenol F skeleton, a phenoxy resin having a bisphenol S skeleton, a phenoxy resin having a bisphenol M skeleton, and a bisphenol P skeleton. Phenoxy resin, phenoxy resin having bisphenol Z skeleton, etc. Having a phenoxy resin having a naphthalene skeleton, a phenoxy resin having a biphenyl skeleton, an adamantane skeleton Phenoxy resins.
Further, as the phenoxy resin, a structure having a plurality of types of skeletons can be used, and phenoxy resins having different ratios of the skeletons can be used. Furthermore, a plurality of types of phenoxy resins having different skeletons can be used, a plurality of types of phenoxy resins having different weight average molecular weights can be used, or prepolymers thereof can be used in combination.

これらの中でも、ビフェニル骨格と、ビスフェノールS骨格とを有するフェノキシ樹脂を用いることができる。これにより、ビフェニル骨格が有する剛直性によりガラス転移温度を高くすることができるとともに、ビスフェノールS骨格により、多層プリント配線板を製造する際のメッキ金属の付着性を向上させることができる。
また、ビスフェノールA骨格とビスフェノールF骨格とを有するフェノキシ樹脂を用いることができる。これにより、多層プリント配線板の製造時に内層回路基板への密着性を向上させることができる。さらに、上記ビフェニル骨格とビスフェノールS骨格とを有するフェノキシ樹脂と、ビスフェノールA骨格とビスフェノールF骨格とを有するフェノキシ樹脂とを併用してもよい。
Among these, a phenoxy resin having a biphenyl skeleton and a bisphenol S skeleton can be used. Thereby, the glass transition temperature can be increased due to the rigidity of the biphenyl skeleton, and the adhesion of the plated metal when the multilayer printed wiring board is manufactured can be improved by the bisphenol S skeleton.
Alternatively, a phenoxy resin having a bisphenol A skeleton and a bisphenol F skeleton can be used. Thereby, the adhesiveness to an inner-layer circuit board can be improved at the time of manufacture of a multilayer printed wiring board. Further, the phenoxy resin having the biphenyl skeleton and the bisphenol S skeleton and the phenoxy resin having the bisphenol A skeleton and the bisphenol F skeleton may be used in combination.

上記製膜性樹脂の分子量としては特に限定されないが、重量平均分子量が1.0×10〜1.0×10であることが好ましい。さらに好ましくは1.0×10〜6.0×10である。製膜性樹脂の重量平均分子量が上記下限値未満であると、製膜性を向上させる効果が充分でない場合がある。一方、上記上限値を超えると、製膜性樹脂の溶解性が低下する場合がある。製膜性樹脂の重量平均分子量を上記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。 Although it does not specifically limit as molecular weight of the said film forming resin, It is preferable that a weight average molecular weight is 1.0 * 10 < 3 > -1.0 * 10 < 5 >. More preferably from 1.0 × 10 4 ~6.0 × 10 4 . If the weight average molecular weight of the film forming resin is less than the lower limit, the effect of improving the film forming property may not be sufficient. On the other hand, when the above upper limit is exceeded, the solubility of the film-forming resin may decrease. By making the weight average molecular weight of the film-forming resin within the above range, it is possible to achieve an excellent balance of these characteristics.

製膜性樹脂の含有量としては特に限定されないが、樹脂組成物全体の1〜30重量%であることが好ましい。さらに好ましくは4〜20重量%である。製膜性樹脂の含有量が上記下限値未満であると、製膜性を向上させる効果が充分でないことがある。一方、上記上限値を超えると、相対的にシアネート樹脂の含有量が少なくなるため、低熱膨張性を付与する効果が低下することがある。製膜性樹脂の含有量を上記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。   Although it does not specifically limit as content of film forming resin, It is preferable that it is 1 to 30 weight% of the whole resin composition. More preferably, it is 4 to 20% by weight. If the content of the film-forming resin is less than the lower limit, the effect of improving the film-forming property may not be sufficient. On the other hand, when the above upper limit is exceeded, the content of the cyanate resin is relatively reduced, and thus the effect of imparting low thermal expansion may be reduced. By setting the content of the film-forming resin within the above range, it is possible to achieve an excellent balance of these characteristics.

前記樹脂組成物は、さらに、カップリング剤を用いることができる。カップリング剤は、(A)DCPD型シアネート樹脂、および/または(B)エポキシ樹脂樹脂と(C)無機充填剤との界面の濡れ性を向上させることにより、基材に対して均一な樹脂組成物からなる樹脂層を定着させることができる。カップリング剤としては通常用いられるものなら何でも使用できるが、これらの中でもエポキシシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アミノシランカップリング剤及びシリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる1種以上のカップリング剤を使用することが無機充填剤界面との濡れ性が高く、耐熱性向上の点で好ましい。中でもアミノシランカップリング剤は、特に吸湿後の耐熱性に優れる。   The resin composition can further use a coupling agent. The coupling agent has a uniform resin composition with respect to the substrate by improving the wettability of the interface between (A) DCPD type cyanate resin and / or (B) epoxy resin resin and (C) inorganic filler. A resin layer made of a material can be fixed. Any coupling agent can be used as long as it is usually used. Among these, at least one selected from an epoxy silane coupling agent, a titanate coupling agent, an aminosilane coupling agent, and a silicone oil type coupling agent. Use of a coupling agent is preferable in terms of high wettability with the inorganic filler interface and improvement in heat resistance. Of these, aminosilane coupling agents are particularly excellent in heat resistance after moisture absorption.

前記カップリング剤は、(C)無機充填剤に対して0.05重量%以上、3重量%以下が好ましい。これより少ないと充填剤を十分に被覆できず十分な耐熱性が得られない場合があり、これより多いと反応に影響を与え、曲げ強度等が低下するようになるためこの範囲での使用が好ましい。   The coupling agent is preferably 0.05% by weight or more and 3% by weight or less based on (C) the inorganic filler. If the amount is less than this, the filler may not be sufficiently coated and sufficient heat resistance may not be obtained. If the amount is more than this, the reaction will be affected, and the bending strength will decrease. preferable.

前記樹脂組成物は、必要に応じて硬化促進剤を用いてもよい。硬化促進剤としては公知の物を用いることが出来る。特に限定されないが、例えば、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト(II)、トリスアセチルアセトナートコバルト(III)等の有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン等の3級アミン類、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−エチル−4−エチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシイミダゾール等のイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールA、ノニルフェノー等のフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸等、またはこの混合物が挙げられる。   The resin composition may use a curing accelerator as necessary. A well-known thing can be used as a hardening accelerator. Although not particularly limited, for example, organic metal salts such as zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin octylate, cobalt octylate, bisacetylacetonate cobalt (II), trisacetylacetonate cobalt (III), triethylamine, tributylamine , Tertiary amines such as diazabicyclo [2,2,2] octane, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-ethyl-4-ethylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4- Imidazoles such as methyl-5-hydroxyimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxyimidazole, phenolic compounds such as phenol, bisphenol A, nonylpheno, organic acids such as acetic acid, benzoic acid, salicylic acid, paratoluenesulfonic acid, etc. Or this mixed And the like.

本発明の樹脂シートの樹脂層を形成する樹脂組成物は、必要に応じて、上記成分以外の添加物を特性を損なわない範囲で添加することが出来る。   If necessary, the resin composition forming the resin layer of the resin sheet of the present invention may contain additives other than the above components as long as the properties are not impaired.

本発明の樹脂シートは、前記樹脂組成物からなる樹脂層を基材上に形成することにより得られる。まず、樹脂層を形成するには、まず前記樹脂組成物を、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサンシクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール等の有機溶剤中で、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転式分散方式などの各種混合機を用いて溶解、混合、撹拌して樹脂ワニスを作製する。   The resin sheet of this invention is obtained by forming the resin layer which consists of the said resin composition on a base material. First, in order to form a resin layer, first, the resin composition is made of acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, toluene, ethyl acetate, cyclohexane, heptane, cyclohexane cyclohexanone, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, ethylene glycol. In various organic solvents such as cellosolve, carbitol, and anisole, various mixing methods such as ultrasonic dispersion method, high-pressure collision dispersion method, high-speed rotation dispersion method, bead mill method, high-speed shear dispersion method, and rotation and revolution dispersion method A resin varnish is prepared by dissolving, mixing, and stirring using a machine.

前記樹脂ワニス中の樹脂組成物の含有量は、特に限定されないが、45〜85重量%が好ましく、特に55〜75重量%が好ましい。   Although content of the resin composition in the said resin varnish is not specifically limited, 45 to 85 weight% is preferable and 55 to 75 weight% is especially preferable.

次に前記樹脂ワニスを、各種塗工装置を用いて、支持基材上に塗工した後、これを乾燥することにより樹脂シートを作製することができる。基材は、特に限定されないが、例えば、フィルム、または金属箔を用いることができる。   Next, the resin varnish is coated on a supporting substrate using various coating apparatuses, and then dried to produce a resin sheet. Although a base material is not specifically limited, For example, a film or metal foil can be used.

フィルムとしては、特に限定されないが、フィルム上に樹脂層を形成するため、取扱いが容易であるものを選択することが好ましい。また、樹脂シートの樹脂層を内層回路基板面に積層後、フィルムを剥離することから、内層回路基板に積層後、剥離が容易であるものであることが好ましい。   Although it does not specifically limit as a film, In order to form a resin layer on a film, it is preferable to select what is easy to handle. Moreover, since a film is peeled after laminating | stacking the resin layer of a resin sheet on the inner layer circuit board surface, it is preferable that peeling is easy after laminating | stacking on an inner layer circuit board.

前記フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂などの耐熱性を有した熱可塑性樹脂フィルムなどを用いることが好ましい。これら基材の中でも、ポリエステルで構成されるフィルムが最も好ましい。これにより、樹脂層から適度な強度で剥離することが容易となる。   As the film, for example, a polyester resin such as polyethylene terephthalate or polybutylene terephthalate, or a thermoplastic resin film having heat resistance such as a fluorine resin or a polyimide resin is preferably used. Among these substrates, a film composed of polyester is most preferable. This facilitates peeling from the resin layer with an appropriate strength.

前記フィルムの厚さは、特に限定されないが、1〜100μmが好ましく、特に3〜50μmが好ましい。フィルムの厚さが前記範囲内であると、取扱いが容易で、また絶縁層表面の平坦性に優れる。   Although the thickness of the said film is not specifically limited, 1-100 micrometers is preferable and 3-50 micrometers is especially preferable. When the thickness of the film is within the above range, handling is easy and the flatness of the surface of the insulating layer is excellent.

前記金属箔は、前記フィルム同様、内層回路基板に樹脂シートを積層後、剥離して用いても良いし、また、金属箔をエッチングし導体回路として用いても良い。   Similar to the film, the metal foil may be used after being peeled off after laminating a resin sheet on the inner circuit board, or may be used by etching the metal foil as a conductor circuit.

前記金属箔は、特に限定されないが、例えば、銅及び/又は銅系合金、アルミ及び/又はアルミ系合金、鉄及び/又は鉄系合金、銀及び/又は銀系合金、金及び金系合金、亜鉛及び亜鉛系合金、ニッケル及びニッケル系合金、錫及び錫系合金等の金属箔などを用いることができる。   The metal foil is not particularly limited. For example, copper and / or copper-based alloy, aluminum and / or aluminum-based alloy, iron and / or iron-based alloy, silver and / or silver-based alloy, gold and gold-based alloy, Metal foils such as zinc and zinc alloys, nickel and nickel alloys, tin and tin alloys can be used.

また、前記金属箔は、キャリア箔付き極薄金属箔を用いることもできる。キャリア箔付き極薄金属箔とは、剥離可能なキャリア箔と極薄金属箔とを張り合わせた金属箔である。キャリア箔付き極薄金属箔を用いることで前記樹脂層の両面に極薄金属箔層を形成できることから、例えば、セミアディティブ法などで回路を形成する場合、無電解メッキを行うことなく、極薄金属箔を直接給電層として電解メッキすることで、回路を形成後、極薄銅箔をフラッシュエッチングすることができる。キャリア箔付き極薄金属箔を用いることによって、厚さ10μm以下の極薄金属箔でも、例えばプレス工程での極薄金属箔のハンドリング性の低下や、極薄銅箔の割れや切れを防ぐことができる。前記極薄金属箔の厚さは、1μm以上10μm以下が好ましい。さらに、1μm以上5μm以下が好ましく、さらに1μm以上3μm以下が好ましい。前記極薄金属箔の厚さが前記下限値未満であると、キャリア箔を剥離後の極薄金属箔の傷つき、極薄金属箔のピンホールの発生、ピンホールの発生による回路パターン成形時のメッキバラツキ、回路配線の断線、エッチング液やデスミア液等の薬液の染み込みなどが発生する怖れがあり、前記上限値を超えると、極薄金属箔の厚みバラツキが大きくなったり、極薄金属箔粗化面の表面粗さのバラツキが大きくなったりする場合がある。通常、キャリア箔付き極薄金属箔は、プレス成形後の積層板に回路パターン形成する前にキャリア箔を剥離する。 The metal foil may be an ultrathin metal foil with a carrier foil. The ultrathin metal foil with a carrier foil is a metal foil obtained by laminating a peelable carrier foil and an ultrathin metal foil. Since an ultrathin metal foil layer can be formed on both sides of the resin layer by using an ultrathin metal foil with a carrier foil, for example, when forming a circuit by a semi-additive method, etc. By electroplating the metal foil directly as a power feeding layer, the ultrathin copper foil can be flash etched after the circuit is formed. By using an ultra-thin metal foil with a carrier foil, even with an ultra-thin metal foil having a thickness of 10 μm or less, for example, a reduction in handling properties of the ultra-thin metal foil in a pressing process, and cracking or cutting of the ultra-thin copper foil are prevented. Can do. The thickness of the ultrathin metal foil is preferably 1 μm or more and 10 μm or less. Further, it is preferably 1 μm or more and 5 μm or less, more preferably 1 μm or more and 3 μm or less. When the thickness of the ultrathin metal foil is less than the lower limit, the ultrathin metal foil is damaged after peeling the carrier foil, the pinhole of the ultrathin metal foil is generated, and the circuit pattern is formed by the generation of the pinhole. Plating variation, disconnection of circuit wiring, penetration of chemicals such as etching liquid and desmear liquid, etc. may occur. If the above upper limit is exceeded, the thickness variation of the ultrathin metal foil will increase or the ultrathin metal foil There may be a case where the roughness of the roughened surface becomes large. Usually, an ultrathin metal foil with a carrier foil peels off the carrier foil before forming a circuit pattern on the press-molded laminate.

前記塗工装置は、特に限定されないが、例えば、ロールコーター、バーコーター、ナイフコーター、グラビアコーター、ダイコーター、コンマコーターおよびカーテンコーターなどを用いることができる。これらの中でも、ダイコーター、ナイフコーター、およびコンマコーターを用いる方法が好ましい。これにより、ボイドがなく、均一な樹脂層の厚みを有する樹脂シートを効率よく製造することができる。   Although the said coating apparatus is not specifically limited, For example, a roll coater, a bar coater, a knife coater, a gravure coater, a die coater, a comma coater, a curtain coater, etc. can be used. Among these, a method using a die coater, a knife coater, and a comma coater is preferable. Thereby, the resin sheet which does not have a void and has the thickness of the uniform resin layer can be manufactured efficiently.

次に、プリント配線板について一例を説明するが、特に限定されるものではなく、公知のプリント配線板の製造方法によりプリント配線板を得ることができる。
尚、本発明の樹脂シートを用い、ビルドアップ工法によりプリント配線板を製造すると歩留まりよくプリント配線板を製造することができ、得られたプリント配線板は信頼性に優れる。
Next, although an example is demonstrated about a printed wiring board, it is not specifically limited, A printed wiring board can be obtained with the manufacturing method of a well-known printed wiring board.
In addition, when a printed wiring board is manufactured by the buildup method using the resin sheet of the present invention, the printed wiring board can be manufactured with a high yield, and the obtained printed wiring board is excellent in reliability.

以下、ビルドアップ工法によるプリント配線板の製造方法の一例を示す。 Hereinafter, an example of a method for manufacturing a printed wiring board by a build-up method will be described.

まず、両面に金属箔を有する積層板(例えば銅張り積層板)を用意し、ドリル加工、レーザー加工等によりスルーホールを形成し、メッキにより前記スルーホールを充填した後、積層板の両面に、エッチング等により所定の導体回路(内層回路)を形成し、導体回路を黒化処理等の粗化処理することにより内層回路基板を作製する。   First, a laminate having metal foil on both sides (for example, a copper-clad laminate) is prepared, through holes are formed by drilling, laser processing, etc., and after filling the through holes by plating, on both sides of the laminate, A predetermined conductor circuit (inner layer circuit) is formed by etching or the like, and the inner layer circuit board is manufactured by subjecting the conductor circuit to a roughening process such as a blackening process.

次に前記内層回路基板の上下面に、前述した樹脂シートを形成し、加熱加圧成形する。
具体的には、前記樹脂シートと内層回路基板とを合わせて、真空加圧式ラミネーター装置などを用いて真空加熱加圧成形させる。その後、熱風乾燥装置等で加熱硬化させることにより内層回路基板上に樹脂層を形成することができる。
ここで加熱加圧成形する条件は、特に限定されないが、一例を挙げると、温度60〜160℃、圧力0.2〜3MPaで実施することができる。また、加熱硬化させる条件としては特に限定されないが、一例を挙げると、温度140〜240℃、時間30〜120分間で実施することができる。
Next, the above-described resin sheet is formed on the upper and lower surfaces of the inner layer circuit board, and is heated and pressed.
Specifically, the resin sheet and the inner circuit board are combined and subjected to vacuum heating and pressure molding using a vacuum pressure laminator device or the like. Thereafter, the resin layer can be formed on the inner circuit board by heating and curing with a hot air drying device or the like.
Here, the conditions for heat and pressure molding are not particularly limited, but for example, it can be carried out at a temperature of 60 to 160 ° C. and a pressure of 0.2 to 3 MPa. Moreover, it is although it does not specifically limit as conditions to heat-harden, If an example is given, it can implement in temperature 140-240 degreeC and time 30-120 minutes.

また、他の方法としては、前記樹脂シートを内層回路基板に重ね合わせ、平板プレス装置などを用いて加熱加圧成形することにより内層回路基板上に樹脂層を形成することもできる。
ここで加熱加圧成形する条件は、特に限定されないが、一例を挙げると、温度140〜240℃、圧力1〜4MPaで実施することができる。
As another method, the resin sheet can be formed on the inner circuit board by superimposing the resin sheet on the inner circuit board and performing heat-pressure molding using a flat plate press or the like.
Here, the conditions for heat and pressure molding are not particularly limited, but for example, it can be carried out at a temperature of 140 to 240 ° C. and a pressure of 1 to 4 MPa.

その後、前記樹脂層を加熱することにより硬化させる。硬化させる温度は、特に限定されないが、一例を挙げると、100℃〜250℃の範囲で硬化させることができる。好ましくは150℃〜230℃で硬化させることである。   Thereafter, the resin layer is cured by heating. Although the temperature to harden | cure is not specifically limited, If an example is given, it can be hardened in the range of 100 to 250 degreeC. Preferably it is made to harden | cure at 150 to 230 degreeC.

次に、樹脂層に、レーザー装置を用いて開口部を設け、過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤などによりレーザー開口底のスミア除去および樹脂表面を粗化処理した後、金属メッキにより新たな導電配線回路を形成することができる。例えば、電解銅めっきにより、レーザー開口部を金属で充填するか、開口壁面に金属メッキを行うことで外層回路と内層回路との導通を図る。また、同時に、表面樹脂層表面にも外層回路形成を行い、半導体素子を実装するための接続用電極部を設ける。上記回路形成方法は、一般的に知られているセミアディティブプロセスを用いることができる。前記レーザーは、エキシマレーザー、UVレーザーおよび炭酸ガスレーザー等が使用できる。
尚、外層回路形成後に、硬化をさらに進めるために、加熱処理を行ってもよい。
Next, an opening is formed in the resin layer using a laser device, and after removing smear from the bottom of the laser opening and roughening the resin surface with an oxidizing agent such as permanganate or dichromate, metal plating is performed. Thus, a new conductive wiring circuit can be formed. For example, the outer layer circuit and the inner layer circuit are electrically connected by filling the laser opening with metal by electrolytic copper plating or by performing metal plating on the wall surface of the opening. At the same time, an outer layer circuit is formed on the surface resin layer surface to provide a connection electrode portion for mounting a semiconductor element. For the circuit formation method, a generally known semi-additive process can be used. As the laser, an excimer laser, a UV laser, a carbon dioxide laser, or the like can be used.
Incidentally, after the outer layer circuit is formed, heat treatment may be performed in order to further advance the curing.

その後、最外層にソルダーレジストを形成し、露光・現像により半導体素子が実装できるよう接続用電極部を露出させ、ニッケル金メッキ処理を施し、所定の大きさに切断し、プリント配線板を得ることができる。ソルダーレジストの形成方法は、特に限定されないが、例えば、ドライフィルムタイプのソルダーレジストをラミネートし、露光、および現像により形成する方法、または液状レジストを印刷したものを露光、および現像により形成する方法によりなされる。   After that, a solder resist is formed on the outermost layer, the connection electrode part is exposed so that a semiconductor element can be mounted by exposure and development, nickel gold plating treatment is performed, and a printed wiring board is obtained by cutting to a predetermined size. it can. The method for forming the solder resist is not particularly limited, but for example, by laminating a dry film type solder resist and forming it by exposure and development, or by forming a liquid resist printed by exposure and development Made.

次に、半導体装置について説明する。
半導体装置は、上述した方法にて製造されたプリント配線板に半導体素子を実装し、製造することができる。半導体素子の実装方法、封止方法は特に限定されない。例えば、半導体素子とプリント配線板とを用い、フリップチップボンダーなどを用いてプリント配線板上の接続用電極部と半導体素子の半田バンプの位置合わせを行う。その後、IRリフロー装置、熱板、その他加熱装置を用いて半田バンプを融点以上に加熱し、プリント配線板と半田バンプとを溶融接合することにより接続する。そして、プリント配線板と半導体素子との間に液状封止樹脂を充填し、硬化させることで半導体装置を得ることができる。
Next, a semiconductor device will be described.
A semiconductor device can be manufactured by mounting a semiconductor element on a printed wiring board manufactured by the method described above. The mounting method and the sealing method of the semiconductor element are not particularly limited. For example, a semiconductor element and a printed wiring board are used, and a flip-chip bonder or the like is used to align the connection electrode portions on the printed wiring board and the solder bumps of the semiconductor element. Thereafter, the solder bump is heated to the melting point or higher by using an IR reflow device, a hot plate, or other heating device, and the printed wiring board and the solder bump are connected by fusion bonding. And a semiconductor device can be obtained by filling and hardening a liquid sealing resin between a printed wiring board and a semiconductor element.

なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。   It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and modifications, improvements, and the like within the scope that can achieve the object of the present invention are included in the present invention.

以下、本発明の樹脂シート、プリント配線板、半導体装置の実施例および比較例により説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。   Examples of the resin sheet, printed wiring board, and semiconductor device of the present invention and comparative examples will be described below, but the present invention is not limited thereto.

(実施例1)
1.樹脂ワニスの製造
(A)ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂(ロンザジャパン社製、プリマセットDT―4000)13.5重量部、(B)エポキシ樹脂としてメトキシナフタレンジメチレン変性フェノールノボラックエポキシ樹脂(DIC社製 EXA−7320L、エポキシ当量246)22.5重量部、(C)無機充填材として球状シリカ(アドマテックス社製、SO−25R、平均粒子径0.5μm)54.5重量部、硬化促進剤として1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール(四国化成工業社製、キュアゾール1B2PZ)0.2重量部、その他の成分としてフェノキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製、YX6954BH30、固形分30重量%)30重量部(固形分は、9重量部である。)、添加剤としてエポキシシラン化合物(GE東芝シリコーン株式会社製、A−187)0.3重量部とを、メチルイソブチルケトン、およびシクロヘキサノンに溶解・混合させた。次いで、高速撹拌装置を用いて60分間撹拌して、固形分約65重量%の樹脂ワニスを調製した。尚、樹脂組成物中の(C)無機充填材の比率は55重量%であった。
Example 1
1. Manufacture of resin varnish (A) 13.5 parts by weight of dicyclopentadiene type cyanate resin (Lonza Japan, Primaset DT-4000), (B) methoxynaphthalenediethylene-modified phenol novolac epoxy resin (manufactured by DIC) EXA-7320L, epoxy equivalent 246) 22.5 parts by weight, (C) 54.5 parts by weight of spherical silica (manufactured by Admatechs, SO-25R, average particle size 0.5 μm) as an inorganic filler, as a curing accelerator 0.2 part by weight of 1-benzyl-2-phenylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., Curazole 1B2PZ), 30 parts by weight (solid) of phenoxy resin (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., YX6954BH30, solid content 30% by weight) The amount is 9 parts by weight.) Compound and (GE Toshiba Silicone Co., Ltd., A-187) 0.3 parts by weight were dissolved and mixed in methyl isobutyl ketone, and cyclohexanone. Subsequently, it stirred for 60 minutes using the high-speed stirring apparatus, and prepared the resin varnish of about 65 weight% of solid content. In addition, the ratio of (C) inorganic filler in the resin composition was 55% by weight.

2.樹脂シートの製造
前記で得られた樹脂ワニスを、厚さ50μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(三菱ポリエステルフィルム社製、ダイアホイルMRX−50)の片面に、コンマコーター装置を用いて乾燥後の樹脂層が40μmとなるように塗工し、これを150℃の乾燥装置で10分間乾燥して、ポリエチレンテレフタレートフィルム(PETフィルム)を基材とした樹脂シートを製造した。
2. Production of Resin Sheet The resin varnish obtained above was dried on a single side of a 50 μm-thick polyethylene terephthalate film (Diafoil MRX-50, manufactured by Mitsubishi Polyester Film Co., Ltd.) using a comma coater device to a resin layer of 40 μm. Then, this was dried with a drying apparatus at 150 ° C. for 10 minutes to produce a resin sheet based on a polyethylene terephthalate film (PET film).

3.プリント配線板の製造
まず、総厚さが0.3mmで銅箔厚さが18μmの両面銅張り積層板(住友ベークライト(株)製ELC−4785GS)を用いて、ドリル機で開孔後、無電解めっきで上下銅箔間の導通を図り、前記両面の銅箔をエッチングすることにより内層回路を両面に形成し内層回路基板を得た。(導体回路幅(L)/回路間幅(S)=120/180μm、クリアランスホール1mmφ、3mmφ、スリット2mm)
3. Manufacture of printed wiring board First, using a double-sided copper-clad laminate (ELC-4785GS manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) having a total thickness of 0.3 mm and a copper foil thickness of 18 μm, Conduction between the upper and lower copper foils was achieved by electrolytic plating, and the inner layer circuit was formed on both sides by etching the copper foils on both sides to obtain an inner layer circuit board. (Conductor circuit width (L) / inter-circuit width (S) = 120/180 μm, clearance holes 1 mmφ, 3 mmφ, slit 2 mm)

次に内層回路基板に過酸化水素水と硫酸を主成分とする薬液(旭電化工業(株)製テックSO−G)をスプレー吹きつけすることにより粗化処理による凹凸形成を行った。次に前記で得られた樹脂シートを真空加圧式ラミネーター(名機製作所製、MVLP-500/600IIA)を用いてラミネートした。真空ラミネートゾーンは100℃、1MPaの条件で行い、加熱プレスゾーンは100℃、1.0MPaで行った。
次に樹脂シートのPETフィルムを剥離し、温度170℃、時間60分間加熱し、絶縁樹脂層を半硬化させた。
Next, the inner layer circuit board was sprayed with a chemical solution mainly composed of hydrogen peroxide and sulfuric acid (Tech SO-G manufactured by Asahi Denka Kogyo Co., Ltd.) to form irregularities by roughening treatment. Next, the resin sheet obtained above was laminated using a vacuum pressure laminator (manufactured by Meiki Seisakusho, MVLP-500 / 600IIA). The vacuum lamination zone was performed at 100 ° C. and 1 MPa, and the hot press zone was 100 ° C. and 1.0 MPa.
Next, the PET film of the resin sheet was peeled off, and the insulating resin layer was semi-cured by heating at a temperature of 170 ° C. for 60 minutes.

次に、炭酸レーザー装置を用いてφ60μmの開口部(ブラインド・ビアホール)を形成し、70℃の膨潤液(アトテックジャパン社製、スウェリングディップ セキュリガント P)に10分間浸漬し、さらに80℃の過マンガン酸カリウム水溶液(アトテックジャパン社製、コンセントレート コンパクト CP)に20分浸漬後、中和して粗化処理を行った。次に脱脂、触媒付与、活性化の工程を経た後、無電解銅メッキ皮膜を約0.5μmの給電層を形成した。次にこの給電層表面に、厚さ25μmの紫外線感光性ドライフィルム(旭化成社製AQ−2558)をホットロールラミネーターにより貼り合わせ、最小線幅/線間が20/20μmのパターンが描画されたクロム蒸着マスク(トウワプロセス社製)を使用して、位置を合わせ、露光装置(ウシオ電機社製UX−1100SM−AJN01)にて露光、炭酸ソーダ水溶液にて現像し、めっきレジストを形成した。   Next, a φ60 μm opening (blind via hole) is formed using a carbonic acid laser device, immersed in a swelling liquid at 70 ° C. (Swelling Dip Securigant P, manufactured by Atotech Japan) for 10 minutes, and further at 80 ° C. After immersion for 20 minutes in an aqueous potassium permanganate solution (manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., Concentrate Compact CP), it was neutralized and roughened. Next, after passing through degreasing, catalyst application, and activation steps, an electroless copper plating film was formed with a power supply layer of about 0.5 μm. Next, a 25 μm thick UV-sensitive dry film (AQ-2558 manufactured by Asahi Kasei Co., Ltd.) is bonded to the surface of the power supply layer with a hot roll laminator, and a chromium having a pattern with a minimum line width / line spacing of 20/20 μm is drawn. Using a vapor deposition mask (manufactured by Towa Process Co., Ltd.), the position was adjusted, exposure was performed with an exposure apparatus (UX-1100SM-AJN01 manufactured by USHIO INC.), And development was performed with a sodium carbonate aqueous solution to form a plating resist.

次に、給電層を電極として電解銅めっき(奥野製薬社製81−HL)を3A/dm2、30分間行って、厚さ約25μmの銅配線を形成した。ここで2段階剥離機を用いて、前記めっきレジストを剥離した。各薬液は、1段階目のアルカリ水溶液層にはモノエタノールアミン溶液(三菱ガス化学社製R−100)、2段階目の酸化性樹脂エッチング剤には過マンガン酸カリウムと水酸化ナトリウムを主成分とする水溶液(日本マクダーミッド社製マキュダイザー9275、9276)、中和には酸性アミン水溶液(日本マクダーミッド社製マキュダイザー9279)をそれぞれ用いた。   Next, electrolytic copper plating (81-HL manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) was performed at 3 A / dm 2 for 30 minutes using the power feeding layer as an electrode to form a copper wiring having a thickness of about 25 μm. Here, the plating resist was peeled off using a two-stage peeling machine. Each chemical solution is mainly composed of monoethanolamine solution (R-100 manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) in the first stage alkaline aqueous solution layer, and potassium permanganate and sodium hydroxide as the main ingredients in the second stage oxidizing resin etchant. An aqueous solution of acidic amine (Mc. Dicer 9279, manufactured by Nihon McDermid Co., Ltd.) was used for neutralization.

次に、給電層を過硫酸アンモニウム水溶液(メルテックス(株)製AD−485)に浸漬処理することで、エッチング除去し、配線間の絶縁を確保した。次に樹脂層を温度200℃時間60分で最終硬化させ、最後に回路表面にソルダーレジスト(太陽インキ社製PSR4000/AUS308)を形成しプリント配線板を得た。   Next, the power feeding layer was immersed in an aqueous ammonium persulfate solution (AD-485 manufactured by Meltex Co., Ltd.) to remove it by etching and ensure insulation between the wirings. Next, the resin layer was finally cured at a temperature of 200 ° C. for 60 minutes, and finally a solder resist (PSR4000 / AUS308 manufactured by Taiyo Ink Co., Ltd.) was formed on the circuit surface to obtain a printed wiring board.

4.半導体装置の製造
半導体装置は、前記で得られたプリント配線板を用い製造した。半導体装置に用いた半導体素子は、半田バンプを有するため、予め用いるプリント配線板は、半田バンプの配列に相当する回路部をニッケル金メッキ処理が施した。なお、用いたプリント配線板は、50mm×50mmの大きさのものである。
半導体素子(TEGチップ、サイズ15mm×15mm、厚み0.8mm)は、半田バンプはSn/Pb組成の共晶で形成され、回路保護膜はポジ型感光性樹脂(住友ベークライト社製CRC−8300)で形成されたものを使用した。
4). Manufacture of Semiconductor Device A semiconductor device was manufactured using the printed wiring board obtained above. Since the semiconductor element used in the semiconductor device has solder bumps, a printed wiring board used in advance was subjected to nickel gold plating on a circuit portion corresponding to the arrangement of the solder bumps. The printed wiring board used has a size of 50 mm × 50 mm.
In the semiconductor element (TEG chip, size 15 mm × 15 mm, thickness 0.8 mm), the solder bump is formed of a eutectic of Sn / Pb composition, and the circuit protective film is a positive photosensitive resin (CRC-8300 manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.). What was formed in was used.

半導体装置の組み立ては、まず、半田バンプにフラックス材を転写法により均一に塗布し、次にフリップチップボンダー装置を用い、プリント配線板上に加熱圧着により搭載した。次に、IRリフロー炉で半田バンプを溶融接合した後、液状封止樹脂(住友ベークライト社製、CRP−4152S)を充填し、液状封止樹脂を硬化させることで半導体装置を得た。尚、液状封止樹脂の硬化条件は、温度150℃、120分の条件であった。   In assembling the semiconductor device, first, a flux material was uniformly applied to the solder bumps by a transfer method, and then mounted on a printed wiring board by thermocompression bonding using a flip chip bonder device. Next, after solder bumps were melt-bonded in an IR reflow furnace, a liquid sealing resin (manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd., CRP-4152S) was filled and the liquid sealing resin was cured to obtain a semiconductor device. The curing condition of the liquid sealing resin was a temperature of 150 ° C. and 120 minutes.

(実施例2〜5、及び比較例1)
実施例2〜5、比較例1を、表1に記載の配合で実施例1と同様に樹脂ワニスを製造し、樹脂シート、プリント配線板、及び半導体装置を得た。
尚、実施例3は、フェノキシ樹脂をYX−6954BH30の代わりにYX−8100H30(ジャパンエポキシレジン社製、固形分30重量%)30重量部(固形分は、9重量部である。)を用いた、また実施例4、5、及び比較例1は、基材のPETフィルムに代えて、銅箔(日本電解社製、YSNAP−3B(3μm、キャリア付極薄箔))を用いた。
表中の配合は、固形分比率である。
(Examples 2 to 5 and Comparative Example 1)
In Examples 2 to 5 and Comparative Example 1, resin varnishes were produced in the same manner as in Example 1 with the formulation shown in Table 1, and resin sheets, printed wiring boards, and semiconductor devices were obtained.
In Example 3, 30 parts by weight (solid content is 9 parts by weight) of YX-8100H30 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., solid content of 30% by weight) was used as the phenoxy resin instead of YX-6654BH30. In Examples 4 and 5, and Comparative Example 1, a copper foil (manufactured by Nippon Electrolytic Co., Ltd., YSNAP-3B (3 μm, ultrathin foil with carrier)) was used in place of the base PET film.
The composition in the table is a solid content ratio.

表1に、樹脂ワニスの配合、実施例、並びに比較例で得られた樹脂シート、多層プリント配線板、並びに半導体装置について行った評価項目、及び評価結果を示す。   Table 1 shows the evaluation items and evaluation results of the resin varnish blends, the examples, and the resin sheets, multilayer printed wiring boards, and semiconductor devices obtained in the comparative examples.

上記評価は以下の方法で行った。 The above evaluation was performed by the following method.

<(1)ガラス転移温度>
前記で得られた樹脂シートより支持基材を除去し、続いて窒素雰囲気下の乾燥機により200℃で1時間、加熱硬化した樹脂板をサンプルとした。動的粘弾性装置(TAインスツルメント社製)を用い、窒素雰囲気下、周波数10Hz、昇温速度5℃/min、温度25〜350℃の引っ張り測定を行った。ガラス転移温度は、測定により得られたtanδ値が極大値を示すさいの温度とした。
<(1) Glass transition temperature>
The support base material was removed from the resin sheet obtained above, and then a resin plate heated and cured at 200 ° C. for 1 hour with a dryer under a nitrogen atmosphere was used as a sample. Using a dynamic viscoelastic device (TA Instruments), tensile measurement was performed at a frequency of 10 Hz, a heating rate of 5 ° C./min, and a temperature of 25 to 350 ° C. in a nitrogen atmosphere. The glass transition temperature was a temperature at which the tan δ value obtained by the measurement showed a maximum value.

<(2)線熱膨張係数>
前記で得られた樹脂シートより支持基材を除去し、続いて窒素雰囲気下の乾燥機により200℃で1時間、加熱硬化した樹脂板をサンプルとした。熱機械測定装置(TAインスツルメント社製)を用い、窒素雰囲気下、引っ張りモードで昇温速度10℃/min、温度25〜300℃、荷重5g、2サイクル測定を行った。線熱膨張係数は、2サイクル目の温度25〜100℃における平均線熱膨張係数とした。
<(2) Linear thermal expansion coefficient>
The support base material was removed from the resin sheet obtained above, and then a resin plate heated and cured at 200 ° C. for 1 hour with a dryer under a nitrogen atmosphere was used as a sample. Using a thermomechanical measuring apparatus (TA Instruments Co., Ltd.), a temperature increase rate of 10 ° C./min, a temperature of 25 to 300 ° C., a load of 5 g and a 2-cycle measurement were performed in a tension mode in a nitrogen atmosphere. The linear thermal expansion coefficient was an average linear thermal expansion coefficient at a temperature of 25 to 100 ° C. in the second cycle.

<(3)比誘電率、(4)誘電正接>
前記で得られた樹脂シートより基材(PETフィルム、又は銅箔)を除去し、続いて窒素雰囲気下の乾燥機により200℃で1時間、加熱硬化した厚み50um樹脂板を得た。得られた樹脂板から20mm×50mmに切り出し16枚重ねて1.6mm厚にしてトリプレート線路共振器法にて1GHzの比誘電率、および誘電正接値を測定した。
<(3) relative dielectric constant, (4) dielectric loss tangent>
The base material (PET film or copper foil) was removed from the resin sheet obtained above, and then a 50 um thick resin plate was obtained by heat curing at 200 ° C. for 1 hour with a drier in a nitrogen atmosphere. The obtained resin plate was cut into 20 mm × 50 mm, and 16 sheets were stacked to 1.6 mm thickness, and the relative dielectric constant and dielectric loss tangent value of 1 GHz were measured by the triplate line resonator method.

<(5)吸水率>
前記で得られた樹脂シートより基材(PETフィルム、又は銅箔)を除去し、続いて窒素雰囲気下の乾燥機により200℃で1時間、加熱硬化した厚み50um樹脂板を得た。得られた樹脂板50mm×50mmに切り出し、JIS6481に従い測定した。
<(5) Water absorption rate>
The base material (PET film or copper foil) was removed from the resin sheet obtained above, and then a 50 um thick resin plate was obtained by heat curing at 200 ° C. for 1 hour with a drier in a nitrogen atmosphere. The obtained resin plate was cut into 50 mm × 50 mm and measured according to JIS6481.

<(6)ピール強度測定>
前記で作製したプリント配線板製造工程の過程で、ソルダーレジストを形成する前の段階でプリント配線板の一部の外層銅箔のピール強度をJIS6481に従い測定した。
<(6) Peel strength measurement>
In the process of manufacturing the printed wiring board manufactured as described above, the peel strength of a part of the outer layer copper foil of the printed wiring board was measured according to JIS 6481 before the solder resist was formed.

<(7)PCT処理後のピール強度測定>
前記で作製したプリント配線板製造工程の過程で、ソルダーレジストを形成する前の段階でプリント配線板の一部をプレッシャークッカー(PCT)処理(121℃、100%RH、2.1atmm50時間処理)後のピール強度JIS6481に従い測定した。
<(7) Peel strength measurement after PCT treatment>
In the process of manufacturing the printed wiring board produced above, a part of the printed wiring board is subjected to a pressure cooker (PCT) treatment (121 ° C., 100% RH, 2.1 atmm 50 hours treatment) before the solder resist is formed. The peel strength was measured according to JIS6481.

<(8)熱衝撃試験>
前記で得られた半導体装置をフロリナートにいれ、フロリナート中で−55℃10分、125℃10分、−55℃10分を1サイクルとして、1000サイクル処理し、テストピースにクラックが発生していないか目視で確認した。
各符号は以下の通りである。
○:クラック発生なし
×:クラック発生
<(8) Thermal shock test>
The semiconductor device obtained above is put in Fluorinert. In Fluorinert, -55 ° C for 10 minutes, 125 ° C for 10 minutes, and -55 ° C for 10 minutes are treated for 1000 cycles, and no cracks are generated in the test piece. It was confirmed visually.
Each code is as follows.
○: No crack occurrence ×: Crack occurrence

表1の実施例1〜5の評価結果から明らかなように、190℃以上の高いガラス転移温度を有し、樹脂組成物の線熱膨張係数としても40ppm以下の低熱膨張性に優れていた。特に、吸水率が低くかった。また、特に耐プレッシャークッカー処理後のピール強度に優れる結果となった。さらに低熱膨張かつ高いガラス転移温度であるため、半導体装置の実装信頼性も結果であった。これに対して、比較例1は、特に、吸水率が実施例と比較して高い結果となった。また、プレッシャークッカー処理後のピール強度も低下する結果となった。 As is apparent from the evaluation results of Examples 1 to 5 in Table 1, the resin composition had a high glass transition temperature of 190 ° C. or higher, and was excellent in low thermal expansion of 40 ppm or less as the linear thermal expansion coefficient of the resin composition. In particular, the water absorption was low. Further, the peel strength after the pressure cooker treatment was particularly excellent. Furthermore, since the thermal expansion was low and the glass transition temperature was high, the mounting reliability of the semiconductor device was also a result. On the other hand, the comparative example 1 brought a result with a high water absorption rate especially compared with the Example. In addition, the peel strength after the pressure cooker treatment also decreased.

本発明によれば、樹脂層として必要な高信頼性の樹脂組成物を得ることができるので、高密度化のための微細加工を必要とするプリント配線板などの絶縁材として用いることができる。また、部品の小型化や信号の高速伝送性、および高信頼性が要求される電子機器用のプリント配線板が得られるので、高密度化、薄型化、および信頼性に優れた半導体装置などに適用できる。   According to the present invention, since a highly reliable resin composition required as a resin layer can be obtained, it can be used as an insulating material such as a printed wiring board that requires fine processing for high density. In addition, printed circuit boards for electronic devices that require miniaturization of parts, high-speed signal transmission, and high reliability can be obtained, making semiconductor devices with high density, thinness, and excellent reliability. Applicable.

Claims (9)

(A)ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂、(B)エポキシ樹脂、及び(C)無機充填材を必須成分とする樹脂組成物からなる絶縁樹脂層を基材上に形成してなることを特徴とする樹脂シート。     An insulating resin layer comprising a resin composition containing (A) a dicyclopentadiene-type cyanate resin, (B) an epoxy resin, and (C) an inorganic filler as essential components is formed on a substrate. Resin sheet. 前記(A)ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂は、樹脂組成物全体の5〜60重量%である請求項1に記載の樹脂シート。   The resin sheet according to claim 1, wherein the (A) dicyclopentadiene-type cyanate resin is 5 to 60% by weight based on the entire resin composition. 前記(B)エポキシ樹脂は、アリールアルキレン型エポキシ樹脂である請求項1、または2に記載の樹脂シート。   The resin sheet according to claim 1, wherein the (B) epoxy resin is an aryl alkylene type epoxy resin. 前記(C)無機充填材は、平均粒径0.01〜5μmの無機充填材である請求項1ないし3のいずれか一項に記載の樹脂シート。   The resin sheet according to any one of claims 1 to 3, wherein the (C) inorganic filler is an inorganic filler having an average particle diameter of 0.01 to 5 µm. 前記(C)無機充填材は、球状シリカ、焼成タルク及び一水和アルミナからなる群より選ばれる少なくとも1種の無機充填材である請求項1ないし4のいずれか一項に記載の樹脂シート。   The resin sheet according to any one of claims 1 to 4, wherein the (C) inorganic filler is at least one inorganic filler selected from the group consisting of spherical silica, calcined talc, and monohydrated alumina. 前記(C)無機充填材は、樹脂組成物全体の30〜80重量%である請求項1ないし5のいずれか一項に記載の樹脂シート。   The resin sheet according to claim 1, wherein the (C) inorganic filler is 30 to 80 wt% of the entire resin composition. 請求項1ないし6のいずれか一項に記載の樹脂シートを、内層回路板の片面または両面に重ね合わせて加熱加圧成形してなるプリント配線板、   A printed wiring board formed by heating and press-molding the resin sheet according to any one of claims 1 to 6 on one or both sides of an inner layer circuit board, 請求項1ないし7のいずれか一項に記載の樹脂シートを、内層回路板の片面または両面に重ね合わせて加熱加圧成形したのち、デスミア、無電解メッキ、電解メッキ工程を含む回路形成プロセスを用いて回路形成された回路を有するプリント配線板、   A circuit forming process including desmear, electroless plating, and electrolytic plating steps after the resin sheet according to any one of claims 1 to 7 is heated and pressed over one or both sides of an inner circuit board. A printed wiring board having a circuit formed by using a circuit; 請求項7、または8に記載のプリント配線板に半導体素子を搭載してなる半導体装置。 A semiconductor device in which a semiconductor element is mounted on the printed wiring board according to claim 7.
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