JP2011121111A - リフロー装置 - Google Patents

Abstract

【課題】窒素ガスの供給量を減少し、炉内に外気が入って酸素の濃度が高くなることを防止する。
【解決手段】ゾーンＺ６のガス吸い込み部から吸い込まれたガスがフラックス回収装置を介してガス分岐器４０に供給され、二つの経路に分岐される。一方の経路を通ったガスがガス混合器３２に供給される。ガス混合器３２に対して流量調整バルブ３３を通過した大気が供給される。流量調整バルブ３３に対して入った大気が設定された流量Ｘでもってガス混合器３２に対して出力される。吸い込み量Ａと、吐き出し量Ｂとが等しくなるように制御される。混合器３２からのガスがフィルタおよび温度調整ユニットを介して窒素ガス発生器３６に供給される。窒素ガス発生器３６からの窒素ガスと他方の経路を通ったガスとがガス混合器４１で混合されてゾーンＺ７の吐き出し部から炉内に噴射される。
【選択図】図３

Description

この発明は、窒素ガス雰囲気中でリフローを行うリフロー装置に関する。

電子部品またはプリント配線基板に対して、予めはんだ組成物を供給しておき、リフロー炉の中に基板を搬送コンベヤで搬送するリフロー装置が使用されている。リフロー装置は、基板を搬送する搬送コンベヤと、この搬送コンベヤによって被加熱物としての基板が供給されるリフロー炉本体とを備えている。リフロー炉は、例えば、搬入口から搬出口に至る搬送経路に沿って、複数のゾーンに分割されており、これらの複数のゾーンがインライン状に配列されている。複数のゾーンは、その機能によって、加熱ゾーン、冷却ゾーンなどの役割を有する。

加熱ゾーンのそれぞれは、上部炉体および下部炉体を有する。例えばゾーンの上部炉体から基板に対して熱風が吹きつけられ、下部炉体から基板に対して熱風が吹きつけられることによって、はんだ組成物内のはんだを溶融させて基板の電極と電子部品とがはんだ付けされる。リフロー装置では、被加熱物例えば基板の表面温度を所望の温度プロファイルにしたがって制御することによって、所望のはんだ付けを行うことができる。かかるリフロー装置は、非接触ではんだ付けを行うことができ、また、窒素ガス（Ｎ₂ ）等の不活性ガスの雰囲気においてはんだ付けを行うので、酸化を防止することができる。

下記の特許文献１には、リフロー炉の入口および出口から大気が侵入し、また、リフロー炉内の窒素ガスが外部に逃げることによって、炉内の窒素ガスの濃度が低下し、窒素ガスの補給を常時行うことによるランニングコストの上昇を解決することが記載されている。

特許文献１に記載の装置は、リフロー装置の炉内のガスを吸い込み、コンデンサによって窒素ガスを冷却し、液化させることによって溶剤ガスを回収し、窒素ガス供給手段によって酸素ガスを分離し、炉内に戻すようにしている。

特開平０４−２５１６６１号公報

特許文献１に記載の装置のように、内部のガスを吸い込んで酸素を分離して内部に戻す場合には、酸素ガスを分離した結果、吸い込んだガスの量に比して吐き出すガスの量が減少する。このガスの減少は、入口側および出口側から炉内へ侵入する外部空気によって補充される。その結果、炉内の雰囲気の酸素濃度が高くなる問題が生じ、窒素ガスの供給量を多くしなければならない問題が生じる。

したがって、この発明の目的は、炉内の酸素濃度が高くなることを防止しつつ、窒素ガスの供給量を減少させてランニングコストを減少することができるリフロー装置を提供することにある。

上述した課題を解決するために、この発明は、搬送される被加熱物の搬送路に沿って複数のゾーンにリフロー炉が順次分割され、複数のゾーンの温度を制御することによって、搬送される被加熱物をリフローするリフロー装置において、
リフロー炉の入口側および出口側にそれぞれ設けられたガス流出制限部と、
複数のゾーンの少なくとも一つに設けられ、該ゾーンから内部のガスを吸い込むガス吸い込み部と、
ガス吸い込み部から吸い込んだガスが供給されるフラックス回収装置と、
複数のゾーンの少なくとも一つのゾーンの内部へガスを吐き出すガス吐き出し部と、
フラックス回収装置からのガスが供給され、窒素ガスを生成し、生成した窒素ガスをガス吐き出し部に供給する窒素ガス濃度調整部と、
ガス吸い込み部からの吸い込み量とガス吐き出し部からの吐き出し量とがほぼ等しくなるように、制御する流量調整部と
を備えるリフロー装置である。
この発明では、フラックス回収装置を設けなくても良い。
好ましくは、ガス吐き出し部が複数のゾーンの中のリフローを行うための１または複数のゾーンに設けられる。
好ましくは、窒素ガス濃度調整部は、供給されたガスに対して大気を混合し、大気が混合されたガスから酸素を分離することによって窒素ガスを生成し、生成した窒素ガスをガス吐き出し部に供給する。
好ましくは、流量調整部が大気の混合量を制御するものである。
好ましくは、フラックス回収装置によってフラックス回収後のガスを第１および第２の経路に分割し、第１の経路を通るガスが窒素ガス濃度調整部に供給され、窒素ガス濃度調整部からの窒素ガスが第２の経路を通るガスと混合されてガス吐き出し部に供給される。
好ましくは、第１の経路を通るガスの流量に比して、第２の経路を通るガスの流量が大とされる。

この発明によれば、空気に比して窒素の濃度が高いガスを使用して窒素ガスを発生するので、空気を使用する場合にして効率良く窒素ガスを発生できると共に、窒素ガスの供給量を少なくでき、コストを低くすることができる。この発明によれば、炉内に吐き出すガスの量が吸い込んだガスの量より減少し、その結果、外気が炉内に入り込んで、炉内の酸素濃度が高くなることを防止することができる。さらに、吸い込むガスの量と吐き出すガスの量とをほぼ等しくすることによって、炉内の圧力をほぼ一定に保つことができる。

この発明を適用できるリフロー装置の概略を示す略線図である。 リフロー時の温度プロファイルの一例を示すグラフである。 この発明の第１の実施の形態を説明するための略線図である。 この発明の第２の実施の形態を説明するための略線図である。

以下、この発明を実施するための最良の形態（以下実施の形態とする）について説明する。なお、説明は、以下の順序で行う。
＜１．第１の実施の形態＞
＜２．第２の実施の形態＞
＜３．変形例＞

＜１．第１の実施の形態＞
「リフロー装置の一例」
図１は、この発明を適用できるリフロー装置の外板を除く概略的構成を示す。なお、以下に説明する複数の実施の形態は、この発明の好適な具体例であり、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、この発明の範囲は、以下の説明において、特にこの発明を限定する旨の記載がない限り、これらの実施の形態に限定されないものとする。

プリント配線基板の両面に表面実装用電子部品が搭載された被加熱物が搬送コンベヤの上に置かれ、搬入口１１からリフロー装置の炉体内に搬入される。例えば搬送用ローラチェーンの構成の搬送コンベヤが所定速度で矢印方向（図１に向かって左から右方向）へ被加熱物を搬送し、被加熱物が搬出口１２から取り出される。搬入口１１および１２のそれぞれには、炉内の雰囲気ガスが外部に流出することを防止するガス流出制限部として、ガスシール部２１および２２が設けられている。ガスシール部２１および２２としては、例えばラビリンスシール機構を使用できる。

搬入口１１から搬出口１２に至る搬送経路に沿って、リフロー炉が例えば９個のゾーンＺ１からＺ９に順次分割され、これらのゾーンＺ１〜Ｚ９がインライン状に配列されている。入り口側から７個のゾーンＺ１〜Ｚ７が加熱ゾーンであり、出口側の２個のゾーンＺ８およびＺ９が冷却ゾーンである。冷却ゾーンＺ８およびＺ９に関連して強制冷却ユニット１４が設けられている。さらに、冷却ゾーンＺ８およびＺ９に関連してフラックス回収ユニット１７および１８が設けられている。

上述した複数のゾーンＺ１〜Ｚ９がリフロー時の温度プロファイルにしたがって被加熱物の温度を制御する。図２に温度プロファイルの例の概略を示す。横軸が時間であり、縦軸が被加熱物例えば電子部品が実装されたプリント配線基板の表面温度である。最初の区間が加熱によって温度が上昇する昇温部Ｒ１であり、次の区間が温度がほぼ一定のプリヒート（予熱）部Ｒ２であり、次の区間が本加熱（リフロー）部Ｒ３であり、最後の区間が冷却部Ｒ４である。

昇温部Ｒ１は、常温からプリヒート部Ｒ２（例えば１５０°Ｃ〜１７０°Ｃ）まで基板を加熱する期間である。プリヒート部Ｒ２は、等温加熱を行い、フラックスを活性化し、電極、はんだ粉の表面の酸化膜を除去し、また、プリント配線基板の加熱ムラをなくすための期間である。本加熱部Ｒ３（例えばピーク温度で２２０°Ｃ〜２４０°Ｃ）は、はんだが溶融し、接合が完成する期間である。本加熱部Ｒ３では、はんだの溶融温度を超える温度まで昇温が必要とされる。本加熱部Ｒ３は、プリヒート部Ｒ２を経過していても、温度上昇のムラが存在するので、はんだの溶融温度を超える温度までの加熱が必要とされる。最後の冷却部Ｒ４は、急速にプリント配線基板を冷却し、はんだ組成を形成する期間である。

図２において、曲線１は、鉛フリーはんだの温度プロファイルを示す。共晶はんだの場合の温度プロファイルは、曲線２で示すものとなる。鉛フリーはんだの融点は、共晶はんだの融点より高いので、プリヒート部Ｒ２における設定温度が共晶はんだに比して高いものとされている。

リフロー装置では、図２における昇温部Ｒ１の温度制御を、主としてゾーンＺ１およびＺ２が受け持つ。プリヒート部Ｒ２の温度制御は、主としてゾーンＺ３、Ｚ４およびＺ５が受け持つ。本加熱部Ｒ３の温度制御は、ゾーンＺ６およびＺ７が受け持つ。冷却部Ｒ４の温度制御は、ゾーンＺ８およびゾーンＺ９が受け持つ。

加熱ゾーンＺ１〜Ｚ７のそれぞれは、それぞれ送風機を含む上部炉体１５および下部炉体１６を有する。例えばゾーンＺ１の上部炉体１５および下部炉体１６から搬送される被加熱物に対して熱風（熱せられた雰囲気ガス）が吹きつけられる。被加熱物は、プリント配線基板の両面に表面実装用電子部品が搭載されたものである。さらに、上部炉体１５内および下部炉体１６内は、不活性ガス例えば窒素ガス（Ｎ₂ ）が充満している。なお、熱風と共に赤外線を照射しても良い。

加熱ゾーンＺ１〜Ｚ７の上部炉体１５は、例えばターボファンの構成の送風機と、ヒータ線を複数回折り返して構成したヒータと、熱風が通過する多数の小孔を有するパネル（蓄熱部材）とを有し、パネルの小孔を通過した熱風が被加熱物に対して上側から吹きつけられる。下部炉体１６も上部炉体１５と同様の構成を有する。

リフロー時には、上部炉体および下部炉体の対向間隙を搬送手段例えば搬送チェーンによって被加熱物が所定の速度で搬送されると共に、これらの上部炉体および下部炉体のそれぞれの温度が予め設定された温度となるように制御される。さらに、送風機の送風量も所定値とされる。

「第１の実施の形態」
図３に示すように、この発明の第１の実施の形態では、リフロー炉の本加熱部を担当する複数ゾーン（Ｚ６，Ｚ７，Ｚ８）の内のゾーンＺ６にガス吸い込み部が設けられ、ガス吸い込み部から炉内のガスが吸い込まれ、外部へ導出される。図３に示す構成は、図１に示すリフロー装置を模式的に描いている。但し、ゾーン数が一つ多くされ、図１では、二つのゾーンＺ６，Ｚ７が本加熱（リフロー）部を受け持っているのに対して、図３では、三つのゾーンＺ６，Ｚ７，Ｚ８が本加熱部を受け持っている。さらに、フラックス回収装置については、図３では省略されている。

本加熱部のゾーンＺ６の炉内から吸い込まれた流量（吸い込み量と適宜称する）Ａのガスがフラックス回収ユニット３８に供給される。フラックス回収ユニット３８は、炉から取り出した雰囲気ガスを冷却して雰囲気ガス内のフラックス成分を凝集させ、液状のフラックスを回収するものである。

フラックス回収ユニット３８からのフラックス回収後のガスがブロワ３９に供給される。ブロワ３９がガスの流れを作り出し、配管内を所望の速度でガスが流れる。ブロワ３９の出力ガス（流量Ｃ）がガス分岐器４０に供給される。ガス分岐器４０は、二つの経路にガスを分岐させる。すなわち、ガス混合器３２に対してガスを供給する第１の経路と、ガス混合器４１に対してガスを供給する第２の経路とが形成される。

ガス混合器３２に対して流量調整バルブ３３によって設定された量Ｘの大気が供給される。ガス混合器３２に対して流量調整バルブ３３を通過した大気が供給される。流量調整バルブ３３に対して入った大気が設定された流量Ｘでもってガス混合器３２に対して出力される。ガス混合器３２は、ガス分岐器４０からの量Ｄのガスと流量調整バルブ３３からの量Ｘの大気とを均一に混合する。

後述するように、炉内例えば本加熱部のゾーンＺ７に設けられたガス吐き出し部から内部へ吐き出されるガスの流量（吐き出し量と適宜称する）をＢと表記する。流量調整バルブ３３を含む流量調整部は、吸い込み量Ａと吐き出し量Ｂとが等しくなるような量Ｘの大気を混合器３２に対して出力する。この付加量Ｘは、窒素ガス発生器３６の変換効率を考慮して決定される。

流量調整用のコントロール信号は、例えば流量計によって流量ＡおよびＢを測定することによって生成することができる。他の方法として、濃度調整を行わない場合の流量Ｂ（＜Ａ）を予め測定しておき、流量ＡおよびＢの差を求めることによって、コントロール信号を生成する方法を採用しても良い。さらに、窒素ガス濃度調整部による酸素除去量を予め測定して測定結果からコントロール信号を生成しても良い。

ガス混合器３２からのガスがフィルタ３４および温度調整ユニット３５を介して窒素ガス発生器３６に供給される。フィルタ３４は、ガス中のゴミや埃等の後段の窒素ガス発生器３６に対して流入させたくない成分、水分、油文等を事前に濾過して取り除く。窒素ガス発生器３６からの窒素ガスがガス混合器４１に供給される。ガス混合器４１に対してガス分岐器４０で分岐されたガス（流量Ｅ）が供給される。ガス混合器４１の出力ガス（吐き出し量Ｂ）がゾーンＺ７の吐き出し部から炉内に吐き出される。

ガス分岐器４０を設けるのは、フラックス回収のためのガスの流量Ｃが窒素ガスを発生するためのガスの流量Ｄに比してかなり大きいためである。例えばブロワ３９からのガスの流量Ｃが1000リットル／分とすると、ガス混合器３２に対するガスの流量Ｄが250〜350リットル／分とされ、ガス混合器４１に対するガスの流量Ｅが750〜650リットル／分とされる。窒素ガス発生器３６からガス混合器４１に対するガスの流量250〜350リットル／分となるように大気の量Ｘが制御される。したがって、リフロー装置のゾーンＺ７の吐き出し部から吐き出される窒素ガスの流量Ｂが1000リットル／分となる。

窒素ガスガス発生器３６の一例は、膜分離窒素ガス発生器である。さらに、図示しないが、発生した窒素ガスの酸素濃度を低下させるために、窒素ガスに水素ガスを混合しても良い。この方式において、炉内の酸素濃度を検出し、炉内の酸素濃度をほぼ一定に保つために、水素ガスの供給量を制御しても良い。

膜分離窒素ガス発生器は、耐圧容器内に高分子ポリイミドを素材とする中空糸膜を束ねて収納したものである。耐圧容器の一端から圧縮空気が供給される。圧縮空気中の窒素、酸素等の各分子が中空糸膜を透過する速度（相対透過度）の違いを利用して窒素と酸素冨化空気（酸素リッチガス）とが分離される。すなわち、圧縮空気が中空糸膜内部を通過して行くうちに、酸素、水蒸気、二酸化炭素等の速いガスが膜を透過して酸素リッチガスとして容器から排出される。濃縮された窒素ガスが中空糸膜の反対出口からドライ窒素として供給圧力と殆ど同じ圧力で回収される。

窒素ガス発生器３６としてかかる膜分離窒素ガス発生器を使用する場合には、窒素ガスを分離する効率が良い温度が存在するために、温度調整ユニット３５によって、窒素ガス発生器３６に供給されるガスの温度が制御される。さらに、温度調整ユニット３５から出力されるガスがエアコンプレッサによって圧縮されて窒素ガス発生器３６に供給される。フィルタ３４、温度調整ユニット３５および窒素ガス発生器３６が窒素ガス濃度調整部を構成する。窒素ガス発生器３６からの窒素ガスがリフロー装置の例えばゾーンＺ７の吐き出し部から炉内に噴射され、炉内の雰囲気を不活性ガス化する。炉内に吐き出される窒素ガスは、例えば酸素が１０ppm(parts per million)以上で１００ppm以下の高純度窒素ガ
スであることが好ましい。

なお、この発明では、膜分離方式に限らず、ゼオライト、活性炭等の微多孔に対する窒素と酸素の吸着力の違いを利用して窒素ガスを発生するＰＳＡ方式、酸素と窒素の沸点の違いを利用する分離法等を使用して窒素ガスを発生しても良い。

上述したように、リフロー装置のゾーンＺ７の吐き出し部から炉内に吐き出される窒素ガスの吐き出し量Ｂが測定または推定され、吸い込み量Ａと吐き出し量Ｂの差（Ａ−Ｂ）に対して窒素ガス発生器３６の変換効率を考慮して追加すべき大気の量Ｘが計算される。大気の量Ｘが出力されるように、流量調整バルブ３３がコントロール信号によって制御される。

この制御によって、リフロー装置の炉内から吸い込んだガスの量とほぼ等しい量の窒素ガスを炉内に吐き出すことができる。その結果、炉内の窒素ガスの濃度を高くすることができ、すなわち、酸素濃度を低下させることができる。窒素ガス発生器３６は、空気に比して窒素の濃度が高いガスを使用して窒素ガスを発生するので、空気を使用する場合にして効率良く窒素ガスを発生できる。

窒素ガス発生器３６は、窒素ガスを生成する場合に、酸素を分離するので、窒素ガスの発生によってガスの量が減少する。混合器３２において、減少する窒素ガスの量を補うのに必要な量Ｘの大気が追加される。その結果、炉内の窒素ガスの量が減少し、炉内の圧力が低下し、搬入口１１或いは搬出口１２から大気が侵入し、炉内の窒素ガスの濃度が低下することを防止できる。すなわち、リフロー炉の内部の圧力をほぼ一定とすることができる。

上述したこの発明の第１の実施の形態は、リフロー装置の炉内から吸い込んだガスの量とほぼ等しい量の窒素ガスを炉内に吐き出すことができる。その結果、炉内の酸素濃度を低下させることができる。さらに、この発明の第１の実施の形態は、窒素の濃度が高く、しかも、フラックスが除去されたガスを使用して窒素ガスを発生するので、空気を使用する場合にして効率良く窒素ガスを発生でき、フラックスによるフィルタ３４が汚れる程度を抑えることができる。さらに、炉内の圧力をほぼ一定に保持することができる。

「第２の実施の形態」
図４に示すように、この発明の第２の実施の形態は、上述した第１の実施の形態の構成において、フラックス回収ユニット３８、ブロワ（送風器）３９、ガス分岐器４０およびガス混合器４１を取り除いたものである。

搬入口１１側のゾーンＺ１（昇温部）のガス吸い込み部から炉内のガスが吸い込まれ、外部へ導出される。上述した第１の実施の形態と同様に、ガス混合器３２に対して流量調整バルブ３３によって設定された量Ｘの大気が供給され、吸い込み量Ａと吐き出し量Ｂの差（Ａ−Ｂ）に対して窒素ガス発生器３６の変換効率を考慮して追加すべき大気の量Ｘを計算し、大気の量Ｘが出力されるように、流量調整バルブ３３がコントロール信号によって制御される。

ガス混合器３２からのガスがフィルタ３４および温度調整ユニット３５を介して窒素ガス発生器３６に供給される。窒素ガス発生器３６からの窒素ガス（吐き出し量Ｂ）がゾーンＺ７の吐き出し部から炉内に吐き出される。

上述したこの発明の第２の実施の形態は、第１の実施の形態と同様に、リフロー装置の炉内から吸い込んだガスの量とほぼ等しい量の窒素ガスを炉内に吐き出すことができる。その結果、炉内の酸素濃度を低下させることができる。さらに、第１の実施の形態と同様に、炉内の圧力をほぼ一定に保持することができる。

＜３．変形例＞
以上、この発明の実施の形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えばガスの吸い込み部の個数は、２箇所に限られず、３個以上のゾーンからガスを吸い込みようにしても良い。同様に、窒素ガスの吐き出し部も、１箇所に限られない。但し、リフローを行う本加熱部の１箇所以上のゾーンに対してガスを吐き出すことが効果的である。さらに、リフロー炉の内部の圧力を上昇させるために、別経路で補助的に窒素ガスを本加熱部のゾーンに対して供給しても良い。

１１・・・搬入口
１２・・・搬出口
１４・・・強制冷却ユニット
１５・・・上部炉体
１６・・・下部炉体
Ｚ１〜Ｚ１０・・・ゾーン
２１，２２・・・ガスシール部
３２，４１・・・ガス混合器
３３・・・流量調整バルブ
３６・・・窒素ガス発生器
３８・・・フラックス回収ユニット
４０・・・ガス分岐器

Claims (7)

1. 搬送される被加熱物の搬送路に沿って複数のゾーンにリフロー炉が順次分割され、上記複数のゾーンの温度を制御することによって、搬送される上記被加熱物をリフローするリフロー装置において、
   上記リフロー炉の入口側および出口側にそれぞれ設けられたガス流出制限部と、
   上記複数のゾーンの少なくとも一つに設けられ、該ゾーンから内部のガスを吸い込むガス吸い込み部と、
   上記ガス吸い込み部から吸い込んだガスが供給されるフラックス回収装置と、
   上記複数のゾーンの少なくとも一つのゾーンの内部へガスを吐き出すガス吐き出し部と、
   上記フラックス回収装置からのガスが供給され、窒素ガスを生成し、生成した窒素ガスを上記ガス吐き出し部に供給する窒素ガス濃度調整部と、
   上記ガス吸い込み部からの吸い込み量と上記ガス吐き出し部からの吐き出し量とがほぼ等しくなるように、制御する流量調整部と
   を備えるリフロー装置。
2. 搬送される被加熱物の搬送路に沿って複数のゾーンにリフロー炉が順次分割され、上記複数のゾーンの温度を制御することによって、搬送される上記被加熱物をリフローするリフロー装置において、
   上記リフロー炉の入口側および出口側にそれぞれ設けられたガス流出制限部と、
   上記複数のゾーンの少なくとも一つに設けられ、該ゾーンから内部のガスを吸い込むガス吸い込み部と、
   上記複数のゾーンの少なくとも一つのゾーンの内部へガスを吐き出すガス吐き出し部と、
   上記ガス吸い込み部から吸い込まれたガスが供給され、窒素ガスを生成し、生成した窒素ガスを上記ガス吐き出し部に供給する窒素ガス濃度調整部と、
   上記ガス吸い込み部からの吸い込み量と上記ガス吐き出し部からの吐き出し量とがほぼ等しくなるように、制御する流量調整部と
   を備えるリフロー装置。
3. 上記ガス吐き出し部が上記複数のゾーンの中のリフローを行うための１または複数のゾーンに設けられた請求項１または２に記載のリフロー装置。
4. 上記窒素ガス濃度調整部は、供給されたガスに対して大気を混合し、大気が混合されたガスから酸素を分離することによって窒素ガスを生成し、生成した窒素ガスを上記ガス吐き出し部に供給する請求項１または２に記載のリフロー装置。
5. 上記流量調整部が上記大気の混合量を制御するものである請求項４記載のリフロー装置。
6. 上記フラックス回収装置によってフラックス回収後のガスを第１および第２の経路に分割し、
   上記第１の経路を通るガスが上記窒素ガス濃度調整部に供給され、
   上記窒素ガス濃度調整部からの窒素ガスが上記第２の経路を通るガスと混合されて上記ガス吐き出し部に供給される
   請求項１記載のリフロー装置。
7. 上記第１の経路を通るガスの流量に比して、上記第２の経路を通るガスの流量が大とされた請求項６記載のリフロー装置。

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