JP2011117058A - 成膜装置および成膜方法 - Google Patents

成膜装置および成膜方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2011117058A
JP2011117058A JP2009277867A JP2009277867A JP2011117058A JP 2011117058 A JP2011117058 A JP 2011117058A JP 2009277867 A JP2009277867 A JP 2009277867A JP 2009277867 A JP2009277867 A JP 2009277867A JP 2011117058 A JP2011117058 A JP 2011117058A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film forming
holder
film
refrigerant
film deposition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009277867A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Kanno
毅 寒野
Hideaki Awata
英章 粟田
Kaoru Shibata
馨 柴田
Mitsuho Ueda
光保 上田
Tomoharu Takeyama
知陽 竹山
Kotaro Kimura
弘太郎 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP2009277867A priority Critical patent/JP2011117058A/ja
Publication of JP2011117058A publication Critical patent/JP2011117058A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

【課題】水と反応すると危険な成膜原料で薄膜を形成する際、安全に成膜を実施できる成膜装置、および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜対象である基材9を内部に収納する真空チャンバー2と、真空チャンバー2内で基材9を保持するホルダー4と、ホルダー4に対向する位置に設けられる蒸発源3と、ホルダー4内に冷媒を循環させる循環機構40とを備える成膜装置1である。そして、この成膜装置1においてホルダー4内に循環される冷媒を非水系冷媒とする。このような構成とすることで、ホルダー4に保持される基材9を冷却しつつ、蒸発源3で蒸発させた成膜原料を基材9の表面に成膜することができ、その成膜の際に安全性を確保することができる。
【選択図】図1

Description

本発明は、成膜対象を冷却しつつ成膜対象に薄膜を形成することができる成膜装置および成膜方法に関するものである。特に、Li金属や硫化物などの水と反応すると危険な物質を成膜原料とする際に、安全に成膜を実施することができる成膜装置および成膜方法に関するものである。
従来から、気相法により成膜対象に薄膜を形成するための成膜装置として、真空蒸着装置が知られている。例えば、特許文献1に記載の真空蒸着装置は、フィルム(成膜対象)を収納する真空チャンバーと、真空チャンバー内で成膜対象を保持するキャン(ホルダー)と、ホルダーに対向する位置に設けられる蒸発源と、ホルダー内に水冷媒を循環させる循環機構とを備える。この真空蒸着装置で成膜対象に薄膜を形成する際は、ホルダー内に水冷媒を循環させて、ホルダーに保持される成膜対象を冷却しつつ、成膜を行うことができる。
一方、近年では、携帯機器の発達に伴い電池の薄型化が望まれており、そのような要請に応える電池として、電池に備わる正極層や負極層、電解質層などの各層を全て薄膜とした全固体型の非水電解質電池が注目されている。そこで、電池に備わる各層を上述したような成膜装置により形成することが検討されている。
特開平9−49080号公報
ところで、非水電解質電池の代表例であるLiイオン電池、即ち、電池反応にLiを利用した電池では、負極層としてLi金属を利用することがあるし、電解質層としてLiS+Pなどの硫化物を利用することがある。ここで、Li金属は、水を激しく還元して水素を発生させ、水素爆発を起こさせる危険性があるし、硫化物は、水と反応して硫化水素を発生させる危険性がある。そのため、非水電解質電池の各層を形成する成膜装置では、万が一にも循環機構から水冷媒が漏れないようにする必要がある。しかし、成膜装置の使用に伴い当該装置に備わる循環機構も劣化していくので、長期間に亘って循環機構を完全に封止することは困難である。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、水と反応すると危険な成膜原料で薄膜を形成する際、安全に成膜を実施できる成膜装置、および成膜方法を提供することにある。
(1)本発明成膜装置は、成膜対象を内部に収納する真空チャンバーと、真空チャンバー内で成膜対象を保持するホルダーと、真空チャンバー内でホルダーに対向する位置に設けられる蒸発源と、ホルダー内に冷媒を循環させる循環機構とを備え、ホルダーに保持される成膜対象を冷却しつつ、蒸発源で蒸発させた成膜原料を成膜対象の表面に成膜する成膜装置に係る。そして、本発明成膜装置は、ホルダー内に循環される冷媒を非水系冷媒としたことを特徴とする。
本発明成膜装置であれば、Li金属や硫化物などの、水と反応して危険物を生じるような成膜原料を使用して成膜を行う際、仮に循環機構から真空チャンバー内に冷媒が漏れたとしても、冷媒が非水系冷媒であるため上記危険物が発生しない。そのため、本発明成膜装置であれば、Li金属の成膜や硫化物の成膜を安全に行うことができる。
(2)本発明成膜装置において、使用する非水系冷媒は、フッ素を含有する高分子であることが好ましい。
フッ素を含有する高分子を冷媒とすれば、Li金属を成膜する際、特に成膜の安全性を高めることができる。フッ素含有高分子は、Li金属と反応して安定したLiFを生成するため、水素爆発の危険性をなくすことができる。
(3)本発明成膜装置において、フッ素含有高分子は、パーフルオロカーボン、パーフルオロアミン、パーフルオロポリエーテル、又はハイドロフルオロポリエーテル、あるいはこれらを2種以上含む混合物であることが好ましい。
上記列挙したフッ素含有高分子は、熱伝導率に優れるので、冷媒として好適である上、ホルダー内を循環させることができる適度な粘度を有する。
(4)本発明成膜方法は、真空チャンバー内に配置されるホルダーに成膜対象を保持させ、前記ホルダーに対向する位置に設けられる蒸発源で蒸発させた成膜原料を前記成膜対象の表面に成膜する方法に係る。そして、本発明成膜方法は、ホルダー内に非水系冷媒を循環させて、ホルダーに保持される成膜対象を冷却しつつ、前記成膜対象への成膜を行うことを特徴とする。
本発明成膜方法によれば、水と反応すると危険な物質を成膜原料としても、安全に成膜を実施することができる。
本発明の成膜装置および成膜方法によれば、Li金属や硫化物などの、水と反応すると危険な物質を成膜原料とする際、成膜時の安全性を確保することができる。
実施形態に示す成膜装置の概略構成図である。
以下、本発明の実施形態を図1に基づいて説明する。
<成膜装置の構成>
図1は、抵抗加熱式の真空蒸着により成膜対象(基材9)に薄膜を形成する成膜装置1の概略構成図である。この成膜装置1は、成膜対象である基板9を収納する真空チャンバー2と、真空チャンバー2内で基板9を保持するホルダー4と、基板9に対向する位置に配置され、水と反応すると危険な成膜原料を蒸発させる蒸発源3とを備える。また、この成膜装置1は、基板9を保持するホルダー4内に冷媒を循環させる循環機構40を備えており、ホルダー4に保持される基板9を冷却できるようになっている。このような成膜装置1で成膜を実施する際は、ホルダー4を介して冷媒により基材9を冷却しつつ、蒸発源3から成膜原料を蒸発させ、その蒸発した成膜原料を基板9上に薄膜9Fとして付着させる。このような成膜装置1の最も特徴とするところは、冷媒として非水系冷媒を使用したことにある。以下、成膜装置1に備わる各構成について詳細に説明する。
真空チャンバー2は、当該真空チャンバー2内に開口する排気管20と、排気管20に接続される真空ポンプなどの排気機構20Pとを備え、成膜時に真空チャンバー2内を真空排気できるようになっている。また、真空チャンバー2内に配される蒸発源3は、電源30から電力の供給を受けて発熱し、蒸発源3に配される成膜原料を蒸発させる。成膜原料は水と反応すると危険物を生じるもの、例えば、Li金属や硫化物などを使用することができる。
また、基材9を保持するホルダー4内に冷媒を循環させる循環機構40は、冷媒が貯留される貯留槽40Tと、貯留槽からホルダー4に連結される往路配管40Aおよび復路配管40Bと、両配管40A,40Bに接続されてホルダー4内に張り巡らされる流路配管(図示せず)とを備える。
ここで、本実施形態の成膜装置1では、循環機構40で循環させる冷媒として非水系冷媒を使用する。非水系冷媒としては、フッ素含有高分子、特にパーフルオロカーボン、パーフルオロアミン、パーフルオロポリエーテル、又はハイドロフルオロポリエーテル、あるいはこれらを2種以上含む混合物が好適である。例えば、非水系冷媒であるフッ素含有高分子として、Solvay Solexis社製のGALDEN(登録商標;パーフルオロポリエーテルの一種)やH−GALDEN(登録商標;ハイドロフルオロポリエーテルの一種)などを利用できる。これらフッ素含有高分子は、特に成膜原料がLiの場合に、Liと反応して安定なLiFとなる。そのため、フッ素含有高分子を冷媒とすれば、水冷媒を用いて循環機構40に液漏れが起きたときに生じる虞のある水素爆発を抑制できる。
上記非水系冷媒は、成膜時の安全性を飛躍的に向上させる反面、水冷媒よりも若干不利な点がある。例えば、非水系冷媒の熱伝導率は、一般的に水冷媒よりも低いため、ホルダー4の冷却効果の面で非水系冷媒は水冷媒に若干ではあるが劣る。また、非水系冷媒の動粘度は、水のそれに比べて高いため、循環効率の面で非水系冷媒は水冷媒に若干ではあるが劣る。もちろん、これらの不利な点は、成膜時の安全性を向上させることに比べれば重要度は低いものの、改善することが好ましい。例えば、往路配管40Aと復路配管40Bに連結され、ホルダー4内に配される流路配管を網の目状にするなど、ホルダー4と流路配管を流れる非水系冷媒との熱交換率を上げる工夫を施すと良い。その他、水冷媒よりも動粘度の高い非水系冷媒の循環効率を向上させる構成として、網の目状の流路配管を構成する一つ一つの管路を太く、短くすることが挙げられる。
上記流路配管以外に、循環機構40に備わる構成の好ましい態様として、非水系冷媒を冷却する冷却機構を貯留槽40Tに設けることが挙げられる。貯留槽40Tが冷却機構を備えていれば、常に最適な温度にホルダー4を冷却することができるし、その結果としてホルダー4に保持される基板9を効率的に冷却することができる。
以上説明した本実施形態の構成によれば、基材を冷却しつつ成膜を行うことができるし、成膜途中で真空チャンバー2内に非水系冷媒が漏れたとしても、非水系冷媒と成膜原料とが反応して危険物が生じることがなく、成膜時の安全性を確保することができる。
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるわけではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更して実施可能である。例えば、成膜原料を蒸発させる構成は抵抗加熱式に限定されるわけではなく、例えば、電子ビーム式、高周波誘導式、パルスレーザー式などを用いても良い。また、本発明成膜装置は、水と反応して危険物を生じることがない成膜原料を用いた成膜にも使用することができる。
本発明成膜装置および成膜方法は、Li金属や硫化物などの水と反応すると危険な成膜原料で薄膜を形成することに好適に利用可能である。
1 成膜装置
2 真空チャンバー
20 排気管 20P 排気機構
3 蒸発源
30 電源
4 ホルダー
40 循環機構 40A 往路配管 40B 復路配管 40T 貯留槽
9 基材(成膜対象)
9F 薄膜

Claims (4)

  1. 成膜対象を内部に収納する真空チャンバーと、
    前記真空チャンバー内で前記成膜対象を保持するホルダーと、
    前記真空チャンバー内でホルダーに対向する位置に設けられる蒸発源と、
    前記ホルダー内に冷媒を循環させる循環機構と、
    を備え、前記ホルダーに保持される成膜対象を冷却しつつ、前記蒸発源で蒸発させた成膜原料を成膜対象の表面に成膜する成膜装置であって、
    前記冷媒は、非水系冷媒であることを特徴とする成膜装置。
  2. 前記非水系冷媒は、フッ素を含有する高分子であることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
  3. 前記フッ素含有高分子は、パーフルオロカーボン、パーフルオロアミン、パーフルオロポリエーテル、又はハイドロフルオロポリエーテル、あるいはこれらを2種以上含む混合物であることを特徴とする請求項2に記載の成膜装置。
  4. 真空チャンバー内に配置されるホルダーに成膜対象を保持させ、前記ホルダーに対向する位置に設けられる蒸発源で蒸発させた成膜原料を前記成膜対象の表面に成膜する方法であって、
    前記ホルダー内に非水系冷媒を循環させて、前記ホルダーに保持される成膜対象を冷却しつつ、前記成膜対象への成膜を行うことを特徴とする成膜方法。
JP2009277867A 2009-12-07 2009-12-07 成膜装置および成膜方法 Pending JP2011117058A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009277867A JP2011117058A (ja) 2009-12-07 2009-12-07 成膜装置および成膜方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009277867A JP2011117058A (ja) 2009-12-07 2009-12-07 成膜装置および成膜方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011117058A true JP2011117058A (ja) 2011-06-16

Family

ID=44282712

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009277867A Pending JP2011117058A (ja) 2009-12-07 2009-12-07 成膜装置および成膜方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2011117058A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110004414A (zh) * 2019-04-15 2019-07-12 哈尔滨工业大学 一种大面积单元素二维材料制备设备及制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001085164A (ja) * 1999-07-14 2001-03-30 Nec Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及びパネルの製造方法と製造装置
JP2007026157A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Tokyo Electron Ltd 脈動軽減装置及び検査装置
JP2007109695A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Sumitomo Precision Prod Co Ltd 起動特性に優れる素子冷却器
JP2007149546A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Dainippon Printing Co Ltd 導電性基板
JP2008019459A (ja) * 2006-07-11 2008-01-31 Sumitomo Electric Ind Ltd 成膜装置
JP2008103287A (ja) * 2006-10-20 2008-05-01 Idemitsu Kosan Co Ltd 無機固体電解質層の形成方法
JP2009114517A (ja) * 2007-11-08 2009-05-28 Seiko Epson Corp 蒸着装置、蒸着方法、および有機el装置の製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001085164A (ja) * 1999-07-14 2001-03-30 Nec Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及びパネルの製造方法と製造装置
JP2007026157A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Tokyo Electron Ltd 脈動軽減装置及び検査装置
JP2007109695A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Sumitomo Precision Prod Co Ltd 起動特性に優れる素子冷却器
JP2007149546A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Dainippon Printing Co Ltd 導電性基板
JP2008019459A (ja) * 2006-07-11 2008-01-31 Sumitomo Electric Ind Ltd 成膜装置
JP2008103287A (ja) * 2006-10-20 2008-05-01 Idemitsu Kosan Co Ltd 無機固体電解質層の形成方法
JP2009114517A (ja) * 2007-11-08 2009-05-28 Seiko Epson Corp 蒸着装置、蒸着方法、および有機el装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110004414A (zh) * 2019-04-15 2019-07-12 哈尔滨工业大学 一种大面积单元素二维材料制备设备及制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Zhou et al. A hydrogel-based antifouling solar evaporator for highly efficient water desalination
US20090176148A1 (en) Thermal management of electrochemical cells
KR20120106887A (ko) 열 전달 유체와 상 변화 물질의 조합을 이용한 전기화학 셀의 열 관리
JP5244723B2 (ja) 成膜装置
Zuo et al. Highly Thermal Conductive Separator with In‐Built Phosphorus Stabilizer for Superior Ni‐Rich Cathode Based Lithium Metal Batteries
WO2012124246A1 (ja) 薄膜の製造方法及び製造装置
TW201842224A (zh) 鍍膜裝置以及用於在真空下於基板上進行反應性氣相沉積的方法
JP2011117058A (ja) 成膜装置および成膜方法
Kim et al. Flattening of Lithium Plating in Carbonate Electrolytes Enabled by All‐In‐One Separator
Li et al. Promoting Air Stability of Li Anode via an Artificial Organic/Inorganic Hybrid Layer for Dendrite‐Free Lithium Batteries
JP7310685B2 (ja) 耐食性被膜の成膜方法、耐食性被膜が形成された耐食性部材、熱交換器、および燃料電池システム
JP5260843B2 (ja) 蒸着法による成膜装置
JP3788835B2 (ja) 有機薄膜製造方法
EP3999608B1 (en) Heat exchange method using fluorinated compounds having a low gwp
KR102586352B1 (ko) 증착원, 증착장치
US20220145153A1 (en) Heat exchange method using fluorinated compounds having a low gwp
JP5709661B2 (ja) 窒化リン酸リチウム膜の成膜方法、及び窒化リン酸リチウム膜の成膜装置
JP2006348376A (ja) 真空蒸着方法および真空蒸着装置
Majumder et al. Fabrication of aluminum coatings via thermal evaporation technique for enhancement of pool boiling performance of R-600a
JP2011150793A (ja) Li膜の成膜方法、および発電要素
KR101225128B1 (ko) 폴리테트라플루오로에틸렌 박막의 형성 방법
Shen et al. Enhanced boiling heat transfer on surfaces patterned with mixed wettability
RU2792661C1 (ru) Способ создания приёмной пластины дивертора токамака
JP2023540030A (ja) 低いgwpを有するフッ素化ビニルエーテルを使用する熱交換方法
KR20200001891A (ko) 전열성능이 향상된 전열관 및 이의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Effective date: 20120622

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130621

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130711

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20131107