JP2011112517A - Probe card and method for manufacturing the same - Google Patents

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Futoshi Kamimura
太志 上村
Koji Okura
宏司 大倉
Hirobumi Nakano
博文 中野
Kazuhiro Matsuda
一宏 松田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a probe card from which a probe substrate can be easily removed when a probe is repaired and to provide a method for manufacturing the same. <P>SOLUTION: The probe card includes the probe substrate 12 having a first surface in which contact probes 11 are formed and a second surface in which a resin layer 40b is formed, an ST substrate 20 opposed to the second surface of the probe substrate 12 with an interval, and three stud bumps 23 or more dotted and sandwiched between the probe substrate 12 and the ST substrate 20. With the stud bumps 23 pressed into contact with the resin layer 40b, the probe substrate 12 and the ST substrate 20 are fixed. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、プローブカード及びその製造方法に係り、さらに詳しくは、コンタクトプローブが形成されたプローブ基板と配線基板とが固定されるプローブカード及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a probe card and a manufacturing method thereof, and more particularly to a probe card to which a probe board on which a contact probe is formed and a wiring board are fixed, and a manufacturing method thereof.

半導体装置の製造工程には、半導体ウエハなどの検査基板上に形成された電子回路の電気的特性を検査する検査工程がある。この電気的特性の検査は、検査対象とする電子回路にテスト信号を入力し、その応答を検出するテスター装置を用いて行われる。通常、テスター装置から出力されたテスト信号は、プローブカードを介して検査基板上の電子回路に伝達される。プローブカードは、電子回路の微小な端子電極に接触させてテスト信号を伝達する多数のコンタクトプローブと、これらのコンタクトプローブとテスター装置とを導通させる配線基板からなる。   The manufacturing process of a semiconductor device includes an inspection process for inspecting electrical characteristics of an electronic circuit formed on an inspection substrate such as a semiconductor wafer. This electrical property inspection is performed using a tester device that inputs a test signal to an electronic circuit to be inspected and detects the response. Usually, a test signal output from a tester device is transmitted to an electronic circuit on an inspection board via a probe card. The probe card includes a large number of contact probes that contact a minute terminal electrode of an electronic circuit and transmit a test signal, and a wiring board that electrically connects the contact probes and the tester device.

一般に、プローブカードは、多数のコンタクトプローブと多数の外部端子とが共通の配線基板上に形成され、配線基板上の配線パターンを介して、対応するコンタクトプローブ及び外部端子を導通させている。コンタクトプローブは、電子回路の端子電極に接触させるための探針であり、端子電極と同一のピッチで配設されている。一方、外部端子は、テスター装置を接続するための入出力端子であり、コンタクトプローブよりも広いピッチで配設されている。   In general, in a probe card, a large number of contact probes and a large number of external terminals are formed on a common wiring board, and the corresponding contact probes and the external terminals are made conductive through a wiring pattern on the wiring board. The contact probe is a probe for making contact with the terminal electrode of the electronic circuit, and is arranged at the same pitch as the terminal electrode. On the other hand, the external terminals are input / output terminals for connecting the tester device, and are arranged at a wider pitch than the contact probes.

近年、電子回路は、微細加工技術の進歩によって集積度が向上し、端子電極の配置が狭ピッチ化される傾向にある。このため、例えば、コンタクトプローブをプローブ基板上に配設する一方、外部端子はプローブ基板よりも大きなメイン基板上に配設されるようになってきた。この様なプローブカードでは、プローブ基板及びメイン基板間において配線ピッチを拡大させるために、ST(スペーストランスフォーマ)基板が用いられる場合がある。   In recent years, the degree of integration of electronic circuits has been improved by the advancement of microfabrication technology, and the arrangement of terminal electrodes tends to be narrowed. For this reason, for example, the contact probe is disposed on the probe substrate, while the external terminal is disposed on the main substrate larger than the probe substrate. In such a probe card, an ST (space transformer) substrate may be used to increase the wiring pitch between the probe substrate and the main substrate.

ここで、一方の主面上にだけコンタクトプローブが形成されたプローブ基板をプローブタイルと呼ぶと、ST基板は、複数のプローブタイルに共通の配線基板である。各プローブタイルは、検査基板上の電子回路に合わせた配置態様でST基板に固定され、プローブタイル上の端子電極とST基板上の端子電極とをワイヤボンディングすることによってコンタクトプローブ及び外部端子を導通させている。通常、各プローブタイルは、プローブ基板に合わせた形状及びサイズに切断された接着シートを用いてST基板に固定される。   Here, when a probe substrate in which a contact probe is formed only on one main surface is called a probe tile, the ST substrate is a wiring substrate common to a plurality of probe tiles. Each probe tile is fixed to the ST board in a manner that matches the electronic circuit on the inspection board, and the contact probe and the external terminal are made conductive by wire bonding the terminal electrode on the probe tile and the terminal electrode on the ST board. I am letting. Usually, each probe tile is fixed to the ST substrate using an adhesive sheet cut into a shape and size matched to the probe substrate.

上述した様な従来のプローブカードでは、不具合の生じたプローブタイルを取り外してST基板をリペアする際に、接着剤がST基板上に残るので、ST基板の再利用が困難であった。また、プローブタイルが接着シートによってST基板に強固に固定されているために、プローブタイルを剥し難いという問題があった。   In the conventional probe card as described above, when the defective probe tile is removed and the ST substrate is repaired, the adhesive remains on the ST substrate, which makes it difficult to reuse the ST substrate. Further, since the probe tile is firmly fixed to the ST substrate by the adhesive sheet, there is a problem that it is difficult to remove the probe tile.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、プローブ基板が固定された配線基板を再利用することができるプローブカード及びその製造方法を提供することを目的としている。特に、プローブ基板を配線基板から剥し易くした上で、プローブ基板を取り外した際に、配線基板上に接着剤が残るのを抑制することができるプローブカード及びその製造方法を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a probe card capable of reusing a wiring board to which a probe board is fixed and a method for manufacturing the same. In particular, it is an object of the present invention to provide a probe card and a method of manufacturing the same that can prevent the adhesive from remaining on the wiring board when the probe board is removed after the probe board is easily peeled off from the wiring board. Yes.

第1の本発明によるプローブカードは、第1面にコンタクトプローブが形成され、第2面に樹脂層が形成されたプローブ基板と、上記プローブ基板の第2面と間隔を空けて対向する配線基板と、上記プローブ基板及び上記配線基板に挟持された点在する3以上のバンプにより構成される。上記プローブ基板及び上記配線基板は、上記バンプを上記樹脂層に押接させた状態で、固定されている。   A probe card according to a first aspect of the present invention includes a probe substrate having a contact probe formed on a first surface and a resin layer formed on a second surface, and a wiring substrate facing the second surface of the probe substrate with a space therebetween. And three or more interspersed bumps sandwiched between the probe substrate and the wiring substrate. The probe substrate and the wiring substrate are fixed in a state where the bumps are pressed against the resin layer.

この様な構成によれば、樹脂層が形成されたプローブ基板の第2面と間隔を空けて配線基板を対向させるので、プローブ基板を配線基板から取り外した際に、接着剤が配線基板上に残るのを抑制することができる。また、点在するバンプ間の空隙によって接着力が低減されるので、プローブ基板を配線基板に直接に接着する場合に比べて、プローブ基板を剥し易くすることができる。さらに、点在するバンプ間の空隙に所定の部材を押し込むことによって、プローブ基板を配線基板から剥離させることができるので、プローブ基板を配線基板から取り外す際の作業効率を向上させることができる。   According to such a configuration, since the wiring substrate is opposed to the second surface of the probe substrate on which the resin layer is formed, the adhesive is placed on the wiring substrate when the probe substrate is removed from the wiring substrate. It can suppress remaining. Further, since the adhesive force is reduced by the gaps between the scattered bumps, the probe substrate can be easily peeled off as compared with the case where the probe substrate is directly bonded to the wiring substrate. Furthermore, since the probe board can be peeled from the wiring board by pushing a predetermined member into the gaps between the scattered bumps, it is possible to improve work efficiency when removing the probe board from the wiring board.

第2の本発明によるプローブカードは、上記構成に加え、上記配線基板には、金属膜が形成されており、上記バンプが、上記金属膜に接合された金属バンプであるように構成される。この様な構成によれば、配線基板上に固定させたバンプを容易に除去することができるので、配線基板を再利用する際の作業効率を向上させることができる。   In addition to the above configuration, the probe card according to the second aspect of the present invention is configured such that a metal film is formed on the wiring board, and the bump is a metal bump bonded to the metal film. According to such a configuration, since the bumps fixed on the wiring board can be easily removed, it is possible to improve work efficiency when the wiring board is reused.

第3の本発明によるプローブカードは、上記構成に加え、上記配線基板には、上記プローブ基板の取付領域の外に端子電極が形成されており、上記コンタクトプローブが、上記端子電極とワイヤによりボンディングされているように構成される。   In the probe card according to the third aspect of the present invention, in addition to the above configuration, a terminal electrode is formed on the wiring board outside the mounting area of the probe board, and the contact probe is bonded by the terminal electrode and a wire. Configured to be

第4の本発明によるプローブカードの製造方法は、コンタクトプローブをプローブ基板の第1面に形成するステップと、接着層を上記プローブ基板の第2面に形成するステップと、3以上のバンプを配線基板上に固定するステップと、上記プローブ基板及び上記配線基板を互いに近づけ、上記バンプを上記接着層に押接させた状態で、上記プローブ基板を上記配線基板に固定するステップとを備えて構成される。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a probe card manufacturing method comprising: forming a contact probe on a first surface of a probe substrate; forming an adhesive layer on a second surface of the probe substrate; and wiring three or more bumps. And fixing the probe board to the wiring board in a state where the probe board and the wiring board are brought close to each other and the bumps are pressed against the adhesive layer. The

本発明によるプローブカード及びその製造方法によれば、樹脂層が形成されたプローブ基板の第2面と間隔を空けて配線基板を対向させるので、プローブ基板を配線基板から取り外した際に、接着剤が配線基板上に残るのを抑制することができる。従って、プローブ基板が固定された配線基板を再利用することができる。また、点在するバンプ間の空隙によって接着力が低減されるので、プローブ基板を剥し易くすることができる。   According to the probe card and the method of manufacturing the same according to the present invention, the wiring board is opposed to the second surface of the probe board on which the resin layer is formed, so that the adhesive is removed when the probe board is removed from the wiring board. Can be prevented from remaining on the wiring board. Therefore, the wiring board on which the probe board is fixed can be reused. Moreover, since the adhesive force is reduced by the gaps between the scattered bumps, the probe substrate can be easily peeled off.

本発明の実施の形態によるプローブカードの概略構成の一例を示した図であり、複数のプローブタイル10が固定されたプローブカード100が示されている。It is the figure which showed an example of schematic structure of the probe card by embodiment of this invention, and the probe card 100 to which the several probe tile 10 was fixed is shown. 図1のプローブカード100の要部における構成例を示した平面図であり、ST基板20上のプローブタイル10が示されている。It is the top view which showed the structural example in the principal part of the probe card 100 of FIG. 1, and the probe tile 10 on the ST board | substrate 20 is shown. 図1のプローブカード100の製造方法の一例を示した分解斜視図であり、プローブタイル10をST基板20に固定する工程が示されている。FIG. 2 is an exploded perspective view showing an example of a method for manufacturing the probe card 100 of FIG. 1, in which a process of fixing the probe tile 10 to the ST substrate 20 is shown. 図1のプローブカード100の要部における構成例を示した断面図であり、プローブタイル10が固定されたST基板20の垂直面による切断面が示されている。It is sectional drawing which showed the structural example in the principal part of the probe card 100 of FIG. 1, and the cut surface by the vertical surface of the ST board | substrate 20 to which the probe tile 10 was fixed is shown. 図1のプローブカード100の製造方法の一例を示した図であり、Z方向の高さバラツキを調整する工程が示されている。It is the figure which showed an example of the manufacturing method of the probe card 100 of FIG. 1, and the process of adjusting the height variation in a Z direction is shown. 図1のプローブカード100の製造方法の一例を模式的に示した説明図であり、プローブ基板12の反りによる高さバラツキが矯正される様子が示されている。It is explanatory drawing which showed typically an example of the manufacturing method of the probe card 100 of FIG. 1, and the mode that the height variation by the curvature of the probe board | substrate 12 is corrected is shown. 図1のプローブカード100の製造方法の一例を示した図であり、部材A3を用いてプローブタイル10をST基板20から剥離する工程が示されている。It is the figure which showed an example of the manufacturing method of the probe card 100 of FIG. 1, and the process of peeling the probe tile 10 from the ST board | substrate 20 using member A3 is shown. 図1のプローブカード100の製造方法の一例を示した図であり、スタッドバンプ23を金属膜22に固定する工程が示されている。FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a method for manufacturing the probe card 100 of FIG. 1, in which a process of fixing a stud bump 23 to a metal film 22 is illustrated. 図1のプローブカード100の要部における構成例を示した図であり、ST基板20上に形成されるバンプの他の例が示されている。It is the figure which showed the structural example in the principal part of the probe card 100 of FIG. 1, and the other example of the bump formed on the ST board | substrate 20 is shown. 図1のプローブカード100の要部における構成例を示した平面図であり、金属膜22上に形成されるスタッドバンプ23の他の配置態様が示されている。FIG. 2 is a plan view showing a configuration example of a main part of the probe card 100 of FIG. 1, and shows another arrangement mode of stud bumps 23 formed on the metal film 22.

<プローブカード>
図1(a)及び(b)は、本発明の実施の形態によるプローブカードの概略構成の一例を示した図であり、複数のプローブタイル10がST基板20上に固定されたプローブカード100が示されている。図1(a)には、プローブカード100を下側から見た様子が示され、図1(b)には、プローブカード100を水平方向から見た様子が示されている。
<Probe card>
1A and 1B are diagrams showing an example of a schematic configuration of a probe card according to an embodiment of the present invention. A probe card 100 in which a plurality of probe tiles 10 are fixed on an ST substrate 20 is shown. It is shown. FIG. 1A shows a state where the probe card 100 is viewed from below, and FIG. 1B shows a state where the probe card 100 is viewed from the horizontal direction.

プローブカード100は、検査基板上の電子回路の電気的特性を検査する際に用いられる検査装置であり、複数のプローブタイル10、ST基板20及びメイン基板30により構成される。メイン基板30は、プローブ装置(図示せず)に着脱可能に取り付けられる円形形状のPCB(プリント回路基板)であり、テスター装置(図示せず)との間で信号の入出力を行うための多数の外部端子31が周縁部に設けられている。   The probe card 100 is an inspection device used when inspecting the electrical characteristics of the electronic circuit on the inspection substrate, and includes a plurality of probe tiles 10, the ST substrate 20, and the main substrate 30. The main board 30 is a circular PCB (printed circuit board) that is detachably attached to a probe device (not shown), and is used for inputting / outputting signals to / from a tester device (not shown). The external terminal 31 is provided at the periphery.

プローブタイル10は、複数のコンタクトプローブ11と、これらのコンタクトプローブ11が一方の主面上に形成されるプローブ基板12とからなるプローブユニットである。このプローブタイル10は、プローブ基板12の他方の主面をST基板20に対向させて当該ST基板20上に固定されている。ここでは、プローブ基板12について、コンタクトプローブ11が形成される側の主面を第1面と呼び、反対側の主面を第2面と呼ぶことにする。   The probe tile 10 is a probe unit including a plurality of contact probes 11 and a probe substrate 12 on which one of the contact probes 11 is formed on one main surface. The probe tile 10 is fixed on the ST substrate 20 with the other main surface of the probe substrate 12 facing the ST substrate 20. Here, with respect to the probe substrate 12, the main surface on the side where the contact probe 11 is formed is referred to as a first surface, and the main surface on the opposite side is referred to as a second surface.

各コンタクトプローブ11は、電子回路の微小な電極に接触させる探針であり、電子回路の電極の配置に対応付けて整列配置されている。また、各プローブタイル10は、共通の検査基板上の1又は2以上の電子回路に対応付けて形成され、互いに離間させてST基板20上に配列されている。この例では、縦長の矩形形状のプローブタイル10が、3行6列のマトリクス状に配置されている。   Each contact probe 11 is a probe that is brought into contact with a minute electrode of the electronic circuit, and is arranged in alignment with the arrangement of the electrode of the electronic circuit. Each probe tile 10 is formed in association with one or more electronic circuits on a common inspection substrate, and is arranged on the ST substrate 20 so as to be separated from each other. In this example, vertically long rectangular probe tiles 10 are arranged in a matrix of 3 rows and 6 columns.

ST基板20は、プローブタイル10とメイン基板30との間で配線ピッチを拡大させ、或いは、コンタクトプローブ11のメイン基板30からの高さを調整するための配線基板である。このST基板20は、プローブタイル10が固定されている側とは反対側の主面をメイン基板30に対向させて当該メイン基板30上に固定されている。また、ST基板20は、そのサイズがメイン基板30よりも小さな横長の矩形形状からなり、メイン基板30の中央部に配置されている。   The ST substrate 20 is a wiring substrate for increasing the wiring pitch between the probe tile 10 and the main substrate 30 or adjusting the height of the contact probe 11 from the main substrate 30. The ST substrate 20 is fixed on the main substrate 30 with the main surface opposite to the side on which the probe tile 10 is fixed facing the main substrate 30. Further, the ST substrate 20 has a horizontally-long rectangular shape whose size is smaller than that of the main substrate 30, and is arranged at the center of the main substrate 30.

プローブカード100は、プローブ装置によって、コンタクトプローブ11が配設されている面を下にして水平に保持され、テスター装置が接続される。この状態で検査基板を下方から近づけ、コンタクトプローブ11を検査基板上の電子回路の端子電極に当接させれば、当該コンタクトプローブ11を介してテスト信号をテスター装置及び電子回路間で入出力させることができる。   The probe card 100 is held horizontally by the probe device with the surface on which the contact probe 11 is disposed facing downward, and the tester device is connected. In this state, when the inspection board is approached from below and the contact probe 11 is brought into contact with the terminal electrode of the electronic circuit on the inspection board, a test signal is input / output between the tester device and the electronic circuit via the contact probe 11. be able to.

<プローブタイル>
図2は、図1のプローブカード100の要部における構成例を示した平面図であり、ST基板20上のプローブタイル10が示されている。プローブタイル10は、複数のコンタクトプローブ11と、これらのコンタクトプローブ11が固定されたプローブ基板12とからなり、ST基板20上に固定される。
<Probe tile>
FIG. 2 is a plan view showing a configuration example of the main part of the probe card 100 of FIG. 1, in which the probe tile 10 on the ST substrate 20 is shown. The probe tile 10 includes a plurality of contact probes 11 and a probe substrate 12 to which these contact probes 11 are fixed, and is fixed on the ST substrate 20.

プローブ基板12は、コンタクトプローブ11が固定される薄い平板状の保持部材であり、シリコンなどの半導体からなる半導体基板、セラミックなどの絶縁体からなる絶縁基板が用いられる。プローブ基板12の第1面には、コンタクトプローブ11を接合するためのプローブ電極13と、配線パターンを介してプローブ電極13と導通する端子電極14が形成されている。コンタクトプローブ11は、例えば、検査対象物に接触させるコンタクト部11aが先端部に形成されたカンチレバー(片持ち梁)型のプローブである。   The probe substrate 12 is a thin flat holding member to which the contact probe 11 is fixed, and a semiconductor substrate made of a semiconductor such as silicon or an insulating substrate made of an insulator such as ceramic is used. Formed on the first surface of the probe substrate 12 are a probe electrode 13 for joining the contact probe 11 and a terminal electrode 14 electrically connected to the probe electrode 13 through a wiring pattern. The contact probe 11 is, for example, a cantilever (cantilever) type probe in which a contact portion 11a to be brought into contact with an inspection object is formed at a tip portion.

この例では、プローブ基板12の長辺に沿って5つのコンタクトプローブ11が配列されている。各コンタクトプローブ11は、互いに平行に一定間隔で配置されている。この様なコンタクトプローブ11の配列は、プローブ基板12の左右の長辺にそれぞれ形成されている。   In this example, five contact probes 11 are arranged along the long side of the probe substrate 12. Each contact probe 11 is arranged in parallel with each other at a constant interval. Such an array of contact probes 11 is formed on the left and right long sides of the probe substrate 12, respectively.

プローブ電極13及び端子電極14は、コンタクトプローブ11ごとに形成され、端子電極14は、ST基板20上に形成された端子電極21と接続ワイヤ15によりボンディングされている。端子電極21は、プローブ基板12に対向する領域の外に形成され、接続ワイヤ15を介して端子電極14と導通している。この端子電極21は、図示しない配線パターンを介してメイン基板30の外部端子31と導通している。   The probe electrode 13 and the terminal electrode 14 are formed for each contact probe 11, and the terminal electrode 14 is bonded to the terminal electrode 21 formed on the ST substrate 20 by a connection wire 15. The terminal electrode 21 is formed outside the region facing the probe substrate 12 and is electrically connected to the terminal electrode 14 via the connection wire 15. The terminal electrode 21 is electrically connected to the external terminal 31 of the main board 30 through a wiring pattern (not shown).

<プローブタイルを固定する工程>
図3は、図1のプローブカード100の製造方法の一例を示した分解斜視図であり、プローブタイル10をST基板20に固定する工程が示されている。ここでは、プローブ基板12の短辺方向をX方向、長辺方向をY方向、ST基板20と垂直な方向をZ方向と呼ぶことにする。
<Step of fixing probe tile>
FIG. 3 is an exploded perspective view showing an example of a method for manufacturing the probe card 100 of FIG. 1, and shows a process of fixing the probe tile 10 to the ST substrate 20. Here, the short side direction of the probe substrate 12 is called the X direction, the long side direction is called the Y direction, and the direction perpendicular to the ST substrate 20 is called the Z direction.

プローブ基板12の第1面上には、カンチレバー型のコンタクトプローブ11が配置されている。このコンタクトプローブ11は、コンタクト部11aがビーム部11bの一端に形成され、ビーム部11bの他端にベース部11cが形成されている。各コンタクトプローブ11は、ベース部11cをプローブ電極13に半田付けすることによってプローブ基板12に固定されている。   On the first surface of the probe substrate 12, a cantilever type contact probe 11 is arranged. In the contact probe 11, a contact portion 11a is formed at one end of the beam portion 11b, and a base portion 11c is formed at the other end of the beam portion 11b. Each contact probe 11 is fixed to the probe substrate 12 by soldering the base portion 11 c to the probe electrode 13.

コンタクトプローブ11をプローブ基板12上に形成する方法としては、予め作成したコンタクトプローブ11をプローブ基板12上のプローブ電極13に接合させる上記方法の他に、プローブ基板12上に導電層を積層することによって、コンタクトプローブ11を形成する方法も考えられる。   As a method of forming the contact probe 11 on the probe substrate 12, a conductive layer is laminated on the probe substrate 12 in addition to the above-described method of bonding the contact probe 11 prepared in advance to the probe electrode 13 on the probe substrate 12. Thus, a method of forming the contact probe 11 is also conceivable.

プローブ基板12の第2面上には、接着シート40を貼り付けることによって、接着層が形成される。接着シート40は、プローブ基板12をST基板20に固定するためのフィルム状の接着剤であり、例えば、ポリイミド樹脂やポリアミドイミド樹脂などの高Tg材、或いは、線膨張係数や硬化収縮率が低い絶縁性の樹脂を主成分とする熱可塑性の接着剤が用いられる。   An adhesive layer is formed on the second surface of the probe substrate 12 by attaching the adhesive sheet 40. The adhesive sheet 40 is a film-like adhesive for fixing the probe substrate 12 to the ST substrate 20, for example, a high Tg material such as polyimide resin or polyamideimide resin, or a low linear expansion coefficient or cure shrinkage rate. A thermoplastic adhesive mainly composed of an insulating resin is used.

この例では、プローブ基板12と同じ形状及びサイズに切断された接着シート40がプローブ基板12に貼り付けられ、プローブ基板12の第2面全体に接着層が形成される。プローブ基板12上に接着層を形成する方法としては、所望の形状及びサイズに切断した接着シート40をプローブ基板12に貼り付ける上記方法の他に、液状の接着剤をプローブ基板12、もしくは、ST基板20のどちらかに塗布し、固化させる方法も考えられる。   In this example, the adhesive sheet 40 cut into the same shape and size as the probe substrate 12 is attached to the probe substrate 12, and an adhesive layer is formed on the entire second surface of the probe substrate 12. As a method of forming an adhesive layer on the probe substrate 12, in addition to the above method of attaching the adhesive sheet 40 cut into a desired shape and size to the probe substrate 12, a liquid adhesive may be used as the probe substrate 12 or ST. A method of applying and solidifying either of the substrates 20 is also conceivable.

ST基板20には、端子電極21、金属膜22及びスタッドバンプ23が形成されている。金属膜22は、複数のスタッドバンプ23を形成するための下地膜であり、例えば、スパッタリングによって金やアルミニウムなどの金属をST基板20上に成膜することによって形成される。   A terminal electrode 21, a metal film 22, and a stud bump 23 are formed on the ST substrate 20. The metal film 22 is a base film for forming a plurality of stud bumps 23, and is formed, for example, by depositing a metal such as gold or aluminum on the ST substrate 20 by sputtering.

この金属膜22は、例えば、プローブ基板12と同じ形状及びサイズの取付領域24内に形成される。この例では、金属膜22がプローブタイル10ごとに形成されているが、金属膜22を複数のプローブタイル10にまたがって形成し、或いは、1つのプローブタイル10に対して複数の金属膜22を形成しても良い。   For example, the metal film 22 is formed in an attachment region 24 having the same shape and size as the probe substrate 12. In this example, the metal film 22 is formed for each probe tile 10, but the metal film 22 is formed across a plurality of probe tiles 10, or a plurality of metal films 22 are formed on one probe tile 10. It may be formed.

スタッドバンプ23は、金やアルミニウムなどの金属からなる金属バンプであり、プローブ基板12を支持するための支持部材として用いられる。このスタッドバンプ23は、プローブ基板12側の一端が、ST基板20側の他端よりも細い形状からなる小片であり、そのサイズは、例えば、ST基板20上に点在させて配置されるスタッドバンプ23間の距離に比べて十分小さくなっている。具体的には、プローブ基板12上の接着層に押接させる当接部23aと、当接部23aを支持し、金属膜22に固定される固定部23bにより構成される。   The stud bump 23 is a metal bump made of a metal such as gold or aluminum, and is used as a support member for supporting the probe substrate 12. The stud bump 23 is a small piece whose one end on the probe substrate 12 side is thinner than the other end on the ST substrate 20 side, and the size of the stud bump 23 is, for example, a stud arranged in a scattered manner on the ST substrate 20. It is sufficiently smaller than the distance between the bumps 23. Specifically, the contact portion 23 a is configured to be pressed against the adhesive layer on the probe substrate 12, and the fixing portion 23 b that supports the contact portion 23 a and is fixed to the metal film 22.

スタッドバンプ23のXY平面に垂直な断面形状は、当接部23aが固定部23bの中央部からZ方向に突出しているT字型となっている。また、XY平面に平行な断面形状は、当接部23aと固定部23bとで外径の異なる円形形状となっている。   The cross-sectional shape perpendicular to the XY plane of the stud bump 23 is a T-shape in which the contact portion 23a protrudes in the Z direction from the center portion of the fixed portion 23b. The cross-sectional shape parallel to the XY plane is a circular shape having different outer diameters between the contact portion 23a and the fixing portion 23b.

金属膜22上には、3以上のスタッドバンプ23が配置される。この例では、9個のスタッドバンプ23が3行3列のマトリクス状に配置されている。すなわち、ST基板20上の矩形形状の取付領域24の各辺について、辺の端部及び辺の中央部と、当該取付領域24の中央部とにそれぞれスタッドバンプ23が形成されている。また、各スタッドバンプ23は、互いに離間させて固定されている。   Three or more stud bumps 23 are disposed on the metal film 22. In this example, nine stud bumps 23 are arranged in a matrix of 3 rows and 3 columns. That is, for each side of the rectangular attachment region 24 on the ST substrate 20, the stud bumps 23 are formed at the end of the side and the central portion of the side and the central portion of the attachment region 24, respectively. The stud bumps 23 are fixed so as to be separated from each other.

プローブタイル10は、スタッドバンプ23の形成後のST基板20に固定される。すなわち、接着シート40を貼り付けることによって接着層が形成されたプローブ基板12をST基板20に対向させたまま、プローブ基板12及びST基板20を互いに近づけ、プローブ基板12上の接着層にスタッドバンプ23を押接させることにより、プローブタイル10がST基板20に固定される。   The probe tile 10 is fixed to the ST substrate 20 after the stud bumps 23 are formed. That is, the probe substrate 12 and the ST substrate 20 are brought close to each other while the probe substrate 12 on which the adhesive layer is formed by attaching the adhesive sheet 40 is opposed to the ST substrate 20, and the stud bump is applied to the adhesive layer on the probe substrate 12. By pressing 23, the probe tile 10 is fixed to the ST substrate 20.

図4は、図1のプローブカード100の要部における構成例を示した断面図であり、プローブタイル10が固定されたST基板20の垂直面による切断面が示されている。プローブタイル10は、金属膜22上に形成されたスタッドバンプ23をプローブ基板12上に形成された接着層40aに押接させることにより、ST基板20に固定される。接着層40aは、硬化し、樹脂層40bとなる。   FIG. 4 is a cross-sectional view showing a configuration example of a main part of the probe card 100 of FIG. 1, and shows a cut surface by a vertical surface of the ST substrate 20 to which the probe tile 10 is fixed. The probe tile 10 is fixed to the ST substrate 20 by pressing the stud bump 23 formed on the metal film 22 against the adhesive layer 40 a formed on the probe substrate 12. The adhesive layer 40a is cured to become the resin layer 40b.

プローブ基板12の第1面を均等に押圧して、プローブ基板12をST基板20と略平行な状態を保持したまま当該ST基板20にZ方向から近づけることにより、スタッドバンプ23の当接部23aが接着層40aに突き刺さり、プローブ基板12の第2面に当接するように食い込んでいる。   By pressing the first surface of the probe substrate 12 evenly and bringing the probe substrate 12 closer to the ST substrate 20 from the Z direction while maintaining a state substantially parallel to the ST substrate 20, the contact portion 23a of the stud bump 23 is obtained. Pierces the adhesive layer 40 a and bites into contact with the second surface of the probe substrate 12.

ST基板20に近づけてプローブ基板12をST基板20に固定する際、押圧力の付加により、一部のスタッドバンプ23について、当接部23aが変形する。スタッドバンプ23の先端部が変形することにより、プローブ基板12の反りや歪み、厚さの不均一さを吸収させることができる。   When the probe substrate 12 is fixed to the ST substrate 20 close to the ST substrate 20, the contact portion 23 a is deformed with respect to a part of the stud bumps 23 by applying a pressing force. By deforming the front end portion of the stud bump 23, it is possible to absorb warpage, distortion, and non-uniform thickness of the probe substrate 12.

本実施の形態のスタッドバンプ23は、プローブ基板12側の当接部23aがST基板20側の固定部23bよりも断面の小さな構造体からなるので、当接部23aが固定部23bに比べて変形し易くなっている。しかも、変形し、押接された当接部23aは、プローブ基板12とスタッドバンプ23との接着力を高める。従って、プローブ基板12がスタッドバンプ23の当接部23aと接着剤により接着されている上に、ST基板20は、スタッドバンプ23の固定部23bと金属膜22を介して接合されているので、プローブ基板12とST基板20とは通常の使用において剥がれることはない。   In the stud bump 23 of the present embodiment, the contact portion 23a on the probe substrate 12 side is made of a structure having a smaller cross section than the fixed portion 23b on the ST substrate 20 side, and therefore the contact portion 23a is compared to the fixed portion 23b. It is easy to deform. In addition, the deformed and pressed contact portion 23 a enhances the adhesive force between the probe substrate 12 and the stud bump 23. Therefore, the probe substrate 12 is bonded to the contact portion 23a of the stud bump 23 with an adhesive, and the ST substrate 20 is bonded to the fixing portion 23b of the stud bump 23 via the metal film 22. The probe substrate 12 and the ST substrate 20 are not peeled off during normal use.

また、ST基板20は、樹脂層40bが形成されたプローブ基板12の第2面と間隔を空けて対向し、プローブタイル10は、点在するスタッドバンプ23間に空隙50が形成された状態でST基板20に固定されている。また、各スタッドバンプ23は、プローブ基板12及びST基板20に挟持されている。   Further, the ST substrate 20 faces the second surface of the probe substrate 12 on which the resin layer 40b is formed with a space therebetween, and the probe tile 10 is in a state where the gap 50 is formed between the stud bumps 23 that are scattered. It is fixed to the ST substrate 20. Each stud bump 23 is sandwiched between the probe substrate 12 and the ST substrate 20.

スタッドバンプ23間の空隙50によって保持力が低減されるので、プローブ基板12をST基板20に直接に接着する場合に比べて、ST基板20からプローブ基板12を容易に剥すことができる。特に、スタッドバンプ23の数やサイズを調整することにより、接着層40aとの接触面積を変えることができるので、プローブ基板12及びST基板20間の保持力を容易に調整することができる。従って、プローブタイル10のサイズが変わっても保持力を一定にして、剥し易くすることもできる。   Since the holding force is reduced by the gap 50 between the stud bumps 23, the probe substrate 12 can be easily peeled from the ST substrate 20 as compared with the case where the probe substrate 12 is directly bonded to the ST substrate 20. In particular, by adjusting the number and size of the stud bumps 23, the contact area with the adhesive layer 40a can be changed, so that the holding force between the probe substrate 12 and the ST substrate 20 can be easily adjusted. Therefore, even if the size of the probe tile 10 is changed, the holding force can be made constant and can be easily peeled off.

また、スタッドバンプ23は、プローブ基板12の固定時、完全に潰れてしまうわけではなく、接着層40aと金属膜22との間には空隙50が形成されているので、スタッドバンプ23間の空隙50に所定の部材を押し込むことによって、プローブ基板12をST基板20から容易に剥離させることができる。   Further, the stud bump 23 is not completely crushed when the probe substrate 12 is fixed, and a gap 50 is formed between the adhesive layer 40 a and the metal film 22. By pushing a predetermined member into 50, the probe substrate 12 can be easily peeled off from the ST substrate 20.

ここでは、スタッドバンプ23の幅、すなわち、固定部23bの外径が、点在するスタッドバンプ23の間隔に比べて十分に小さいものとし、スタッドバンプ23と接着層40aとは点接触に近い状態で接触する。なお、1つのスタッドバンプ23で一点を支えきれない場合には、一点に複数個のスタッドバンプ23を群配置させても良い。   Here, the width of the stud bump 23, that is, the outer diameter of the fixing portion 23b is sufficiently smaller than the distance between the stud bumps 23 scattered, and the stud bump 23 and the adhesive layer 40a are close to a point contact. Contact with. When one point cannot be supported by one stud bump 23, a plurality of stud bumps 23 may be arranged in groups at one point.

<Z方向の高さバラツキを調整する工程>
図5は、図1のプローブカード100の製造方法の一例を示した図であり、平坦な押圧面を有するバラツキ調整部材(定盤など)A2を用いてZ方向の高さバラツキを調整する工程が示されている。複数のプローブタイル10を共通のST基板20に固定させる際には、平坦な押圧面を有するバラツキ調整部材A2が各プローブタイル10に押し当てられる。
<Process for adjusting height variation in Z direction>
FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a method for manufacturing the probe card 100 of FIG. 1, and a process of adjusting the height variation in the Z direction using a variation adjusting member (such as a surface plate) A2 having a flat pressing surface. It is shown. When fixing the plurality of probe tiles 10 to the common ST substrate 20, the variation adjusting member A <b> 2 having a flat pressing surface is pressed against each probe tile 10.

ST基板20は、水平な作業台A1上に載置され、各プローブタイル10のプローブ基板12には、Zバラツキ調整用の複数の当接部材16が予め形成されている。各当接部材16は、同じ高さの柱状体からなり、プローブ基板12の第1面上に配置されている。   The ST substrate 20 is placed on a horizontal work table A1, and a plurality of contact members 16 for adjusting Z variation are formed in advance on the probe substrate 12 of each probe tile 10. Each contact member 16 is formed of a columnar body having the same height, and is disposed on the first surface of the probe substrate 12.

バラツキ調整部材A2を均等に押圧して、その押圧面を水平に保持したままST基板20に近づけ、当接部材16を押圧面に当接させることにより、各プローブタイル10について、コンタクトプローブ11のZ方向の高さのバラツキを矯正することができる。当接部材16は、プローブタイル10をST基板20に固定させた後、除去される。   The contact adjustment member A2 is pressed evenly, and the pressing surface is held horizontally while approaching the ST substrate 20 and the contact member 16 is brought into contact with the pressing surface. Variations in height in the Z direction can be corrected. The contact member 16 is removed after the probe tile 10 is fixed to the ST substrate 20.

図6(a)及び(b)は、図1のプローブカード100の製造方法の一例を模式的に示した説明図であり、プローブ基板12の反りにより高さバラツキが生じているプローブタイル10をST基板20に押し付ける前の状態と押し付けた後の状態とが示されている。   FIGS. 6A and 6B are explanatory views schematically showing an example of a method for manufacturing the probe card 100 of FIG. 1. The probe tile 10 in which the height variation is caused by the warp of the probe substrate 12 is shown. A state before being pressed against the ST substrate 20 and a state after being pressed are shown.

図6(a)には、プローブタイル10をST基板20に押し付ける前の様子が示されている。プローブ基板12に反りや歪み、厚さの不均一さが存在する場合、プローブ基板12上のコンタクトプローブ11にZ方向の高さバラツキが生じる。   FIG. 6A shows a state before the probe tile 10 is pressed against the ST substrate 20. When the probe substrate 12 is warped, distorted, or uneven in thickness, the contact probe 11 on the probe substrate 12 has a height variation in the Z direction.

この例では、プローブ基板12の厚さの不均一さにより、プローブ基板12の左端部下面が下方向に反っている。この様なプローブタイル10をそのままST基板20に接着すれば、プローブタイル10内のコンタクトプローブ11にZ方向の高さバラツキが生じることになる。   In this example, the lower surface of the left end portion of the probe substrate 12 warps downward due to the uneven thickness of the probe substrate 12. If such a probe tile 10 is bonded to the ST substrate 20 as it is, the height of the contact probe 11 in the probe tile 10 varies in the Z direction.

図6(b)には、プローブタイル10をST基板20に押し付けた際に、一部のスタッドバンプ23が変形することによって、プローブ基板12の反りに起因する高さバラツキが矯正される様子が示されている。この例では、プローブ基板12の左端部下面に対向しているスタッドバンプ23の先端部が他よりも多く変形している。つまり、プローブ基板12の厚さの不均一さをスタッドバンプ23の変形量によって吸収させている。   In FIG. 6B, when the probe tile 10 is pressed against the ST substrate 20, a part of the stud bumps 23 is deformed so that the height variation due to the warp of the probe substrate 12 is corrected. It is shown. In this example, the tip end portion of the stud bump 23 facing the lower surface of the left end portion of the probe substrate 12 is deformed more than the others. That is, the uneven thickness of the probe substrate 12 is absorbed by the deformation amount of the stud bump 23.

プローブ基板12の反りに起因する高さバラツキをスタッドバンプ23の変形によって吸収させる方法としては、上述した方法の他に、反りによる高さバラツキが解消されるように、プローブ基板12をST基板20に対して傾けた状態で固定させても良い。   As a method of absorbing the height variation caused by the warp of the probe substrate 12 by the deformation of the stud bump 23, in addition to the method described above, the probe substrate 12 is attached to the ST substrate 20 so as to eliminate the height variation due to the warp. You may fix in the state inclined with respect to.

プローブ基板12をST基板20に押し付けた際、この様に一部のスタッドバンプ23について、その先端部が変形することにより、プローブ基板12の反りに起因するコンタクトプローブ11のST基板20からの高さのバラツキが解消されている。   When the probe substrate 12 is pressed against the ST substrate 20, the tip portions of some of the stud bumps 23 are deformed in this manner, so that the height of the contact probe 11 from the ST substrate 20 due to warpage of the probe substrate 12 is increased. This variation has been eliminated.

スタッドバンプ23は、プローブ基板12の押圧時に、可逆的に弾性変形するものであっても良いが、Z方向の高さバラツキを高精度に制御するためには、不可逆的な変形によって潰れてしまうものが望ましい。   The stud bump 23 may be elastically deformed reversibly when the probe substrate 12 is pressed. However, in order to control the height variation in the Z direction with high accuracy, the stud bump 23 is crushed by irreversible deformation. Things are desirable.

<ST基板のリペア>
図7(a)及び(b)は、図1のプローブカード100の製造方法の一例を示した図であり、部材A3を用いてプローブタイル10をST基板20から剥離する工程が示されている。図7(a)には、部材A3の爪部A4をスタッドバンプ23間の空隙50に水平方向から押し込む様子が示されている。また、図7(b)には、樹脂層40b及び金属膜22間に爪部A4が押し込まれることによってプローブ基板12の一部がST基板20から剥離したプローブタイル10が示されている。
<Repair ST board>
FIGS. 7A and 7B are diagrams showing an example of a method for manufacturing the probe card 100 of FIG. 1, and a process of peeling the probe tile 10 from the ST substrate 20 using the member A3 is shown. . FIG. 7A shows a state in which the claw portion A4 of the member A3 is pushed into the gap 50 between the stud bumps 23 from the horizontal direction. FIG. 7B shows the probe tile 10 in which a part of the probe substrate 12 is peeled off from the ST substrate 20 when the claw portion A4 is pushed between the resin layer 40b and the metal film 22.

スタッドバンプ23と接着層40aとは点接触に近い状態で接着されるので、プローブタイル10のプローブ基板12をST基板20から容易に剥すことができる。例えば、傾斜面を有するくさび状の爪部A4を備えた部材A3を用いることにより、プローブ基板12をST基板20から容易に剥離させることができる。すなわち、部材A3の爪部A4をスタッドバンプ23間の空隙50に水平方向から押し込めば、爪部A4の傾斜面によってプローブ基板12が上方に案内されるので、プローブ基板12をST基板20から剥離させることができる。従って、この様な部材A3を用いて容易に剥離することができるので、プローブ基板12をST基板20から取り外す際の作業効率を向上させることができる。   Since the stud bump 23 and the adhesive layer 40a are bonded in a state close to point contact, the probe substrate 12 of the probe tile 10 can be easily peeled from the ST substrate 20. For example, the probe substrate 12 can be easily separated from the ST substrate 20 by using the member A3 provided with the wedge-shaped claw portion A4 having an inclined surface. That is, if the claw portion A4 of the member A3 is pushed into the gap 50 between the stud bumps 23 from the horizontal direction, the probe substrate 12 is guided upward by the inclined surface of the claw portion A4. Can be made. Therefore, since it can peel easily using such member A3, the working efficiency at the time of removing the probe board | substrate 12 from the ST board | substrate 20 can be improved.

プローブタイル10を取り外してST基板20をリペアする際には、プローブタイル10をST基板20から剥した後、当該プローブタイルが固定されていた金属膜22からスタッドバンプ23が除去される。そして、新たなプローブタイル10を貼り付けるために、スタッドバンプ23が金属膜22上に再度形成される。   When removing the probe tile 10 and repairing the ST substrate 20, the probe bump 10 is peeled from the ST substrate 20, and then the stud bump 23 is removed from the metal film 22 to which the probe tile is fixed. Then, in order to attach a new probe tile 10, the stud bump 23 is formed again on the metal film 22.

この新たなスタッドバンプ23は、プローブタイル10を剥す前の旧スタッドバンプと同じ位置に形成する必要はなく、旧スタッドバンプ間の空隙内に配置しても良い。新たなスタッドバンプ23を旧スタッドバンプ間の空隙内に形成する場合、旧スタッドバンプを完全に除去しなくても、例えば、Z方向の高さが半分程度になるまで除去できていれば良い。   The new stud bump 23 does not need to be formed at the same position as the old stud bump before the probe tile 10 is peeled off, and may be disposed in the gap between the old stud bumps. When the new stud bump 23 is formed in the gap between the old stud bumps, the old stud bump need only be removed until the height in the Z direction is reduced to about half, without being completely removed.

<スタッドバンプ>
図8(a)〜(c)は、図1のプローブカード100の製造方法の一例を示した図であり、スタッドバンプ23を金属膜22に固定する工程が示されている。図8(a)には、金属ワイヤの先端部を溶融させてボール状体を形成する工程が示され、図8(b)には、ボール状体を金属膜22に固定する工程が示されている。図8(c)には、金属膜に固定された金属ワイヤを切断する工程が示されている。
<Stud bump>
8A to 8C are diagrams showing an example of a method for manufacturing the probe card 100 of FIG. 1, and a process of fixing the stud bump 23 to the metal film 22 is shown. FIG. 8A shows a step of forming the ball-shaped body by melting the tip of the metal wire, and FIG. 8B shows a step of fixing the ball-shaped body to the metal film 22. ing. FIG. 8C shows a step of cutting the metal wire fixed to the metal film.

スタッドバンプ23は、ボンディング装置を用いて、ST基板20上のプローブタイル10(プローブ基板12)の取付領域24内に形成される。取付領域24には、金又はアルミニウムなどの金属からなる金属膜22が予め形成される。スタッドバンプ23は、この金属膜22上に形成される。   The stud bump 23 is formed in the attachment region 24 of the probe tile 10 (probe substrate 12) on the ST substrate 20 by using a bonding apparatus. In the attachment region 24, a metal film 22 made of a metal such as gold or aluminum is formed in advance. The stud bump 23 is formed on the metal film 22.

まず、金又はアルミニウムなどの金属からなる金属ワイヤを加熱し、その先端部を溶融させることにより、金属ワイヤに微小なボール状体を形成する。例えば、金属ワイヤに電圧を印加することによって生じる先端放電を利用して金属ワイヤの先端部を溶融させる。   First, a metal wire made of a metal such as gold or aluminum is heated and its tip is melted to form a minute ball-like body on the metal wire. For example, the tip portion of the metal wire is melted by using tip discharge generated by applying a voltage to the metal wire.

次に、超音波振動などを利用して金属ワイヤのボール状体を加熱し、ボール状体を金属膜22に接合させて固定する。そして、金属膜22に固定された金属ワイヤを切断すれば、ボール状体からなる固定部23bと、金属ワイヤの一部からなる当接部23aとにより構成されるスタッドバンプ23がST基板20上に残され、スタッドバンプ23を金属膜22に固定する工程が完了する。ただし、金属ワイヤの切断後、固定部23bのZ方向の高さをそろえるために、キャピラリを用いたレべリングが必要に応じて行われる。   Next, the ball-shaped body of metal wire is heated using ultrasonic vibration or the like, and the ball-shaped body is bonded and fixed to the metal film 22. Then, when the metal wire fixed to the metal film 22 is cut, the stud bump 23 constituted by the fixed portion 23b made of a ball-shaped body and the contact portion 23a made of a part of the metal wire is formed on the ST substrate 20. The step of fixing the stud bump 23 to the metal film 22 is completed. However, after cutting the metal wire, leveling using a capillary is performed as necessary in order to align the heights of the fixing portions 23b in the Z direction.

金属膜22上に形成される各スタッドバンプ23は、固定部23bの外径B1が、20〜100μm程度、当接部23aのZ方向の高さB2が、50μm〜100μm程度であり、プローブタイル10をST基板20に固定させる際に、押圧力が均等にかかるように配置される。図3のスタッドバンプ23の場合、取付領域の中心を通ってX方向に平行な直線と、Y方向に平行な直線とに関して、各スタッドバンプ23が線対称に配置されている。   Each stud bump 23 formed on the metal film 22 has an outer diameter B1 of the fixing portion 23b of about 20 to 100 μm, and a height B2 of the contact portion 23a in the Z direction of about 50 μm to 100 μm. When the 10 is fixed to the ST substrate 20, the pressing force is evenly applied. In the case of the stud bump 23 of FIG. 3, each stud bump 23 is arranged symmetrically with respect to a straight line parallel to the X direction and a straight line parallel to the Y direction through the center of the attachment region.

本実施の形態によれば、ST基板20上に固定されたスタッドバンプ23を接着層40aに押接させ、スタッドバンプ23間に空隙50が形成された状態でプローブ基板12をST基板20に固定するので、プローブ基板12をST基板20から取り外した際に、接着剤がST基板20上に残るのを抑制することができる。また、スタッドバンプ23間の空隙50によって保持力が低減されるので、プローブ基板12をST基板20に直接に接着する場合に比べて、プローブ基板12を剥し易くすることができる。   According to the present embodiment, the stud bump 23 fixed on the ST substrate 20 is pressed against the adhesive layer 40a, and the probe substrate 12 is fixed to the ST substrate 20 with the gap 50 formed between the stud bumps 23. Therefore, it is possible to suppress the adhesive from remaining on the ST substrate 20 when the probe substrate 12 is detached from the ST substrate 20. Further, since the holding force is reduced by the gap 50 between the stud bumps 23, the probe substrate 12 can be easily peeled compared to the case where the probe substrate 12 is directly bonded to the ST substrate 20.

また、ST基板20上に固定されたスタッドバンプ23を容易に除去することができるので、ST基板20を再利用する際の作業効率を向上させることができる。さらに、スタッドバンプ23を接着層40aに当接させることによってプローブ基板12をST基板20に固定する際に、スタッドバンプ23の一端を変形させるので、プローブ基板12の反りや歪み、厚さの不均一さを吸収させることができる。従って、プローブ基板12に反りや歪み、厚さの不均一さがある場合であっても、コンタクトプローブ11のST基板20からの高さにバラツキが生じるのを抑制することができる。   Moreover, since the stud bumps 23 fixed on the ST substrate 20 can be easily removed, the working efficiency when the ST substrate 20 is reused can be improved. Further, when the probe substrate 12 is fixed to the ST substrate 20 by bringing the stud bump 23 into contact with the adhesive layer 40a, one end of the stud bump 23 is deformed, so that the probe substrate 12 is not warped, distorted, or thin. Uniformity can be absorbed. Therefore, even when the probe substrate 12 is warped, distorted, or uneven in thickness, it is possible to suppress variations in the height of the contact probe 11 from the ST substrate 20.

なお、本実施の形態では、外径の異なる当接部23a及び固定部23bからなるスタッドバンプ23が金属膜22上に形成される場合の例について説明したが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、プローブ基板12側の一端がST基板20側の他端に比べて細い形状のものであれば、他の形状であっても良い。   In the present embodiment, the example in which the stud bump 23 including the contact portion 23a and the fixing portion 23b having different outer diameters is formed on the metal film 22 has been described. However, the present invention is not limited thereto. is not. For example, as long as one end on the probe substrate 12 side is thinner than the other end on the ST substrate 20 side, another shape may be used.

図9(a)〜(c)は、図1のプローブカード100の要部における構成例を示した平面図であり、ST基板20上に形成されるバンプの他の例が示されている。図9(a)には、傾斜角が一定のテーパー面を有する当接部を備えた金属バンプが示されている。この金属バンプは、Z方向に等幅で延伸する柱状の固定部と、Z方向の高さが高くなるに従って、一定の割合で外径が小さくなっているテーパー面を有する円錐形状の当接部とによって構成されている。   FIGS. 9A to 9C are plan views showing a configuration example of the main part of the probe card 100 of FIG. 1, and other examples of bumps formed on the ST substrate 20 are shown. FIG. 9A shows a metal bump including a contact portion having a tapered surface with a constant inclination angle. This metal bump has a columnar fixed portion extending in the Z direction with an equal width, and a conical contact portion having a tapered surface whose outer diameter decreases at a constant rate as the height in the Z direction increases. And is composed of.

図9(b)には、傾斜角が先端部ほど大きなテーパー面を有する錐体からなる金属バンプが示されている。この金属バンプは、Z方向の高さが高くなるに従って、外径が小さくなっているテーパー面を有する錐体によって構成されている。   FIG. 9B shows a metal bump made of a cone having a tapered surface with a larger inclination angle toward the tip. This metal bump is constituted by a cone having a tapered surface whose outer diameter decreases as the height in the Z direction increases.

図9(c)には、傾斜角が一定のテーパー面を有する当接部を備えた樹脂バンプが示されている。この樹脂バンプは、Z方向に等幅で延伸する柱状の固定部と、Z方向の高さが高くなるに従って、一定の割合で外径が小さくなっているテーパー面を有する円錐形状の当接部とによって構成されている。   FIG. 9C shows a resin bump including a contact portion having a tapered surface with a constant inclination angle. This resin bump has a columnar fixed portion extending in the Z direction with a uniform width, and a conical contact portion having a tapered surface whose outer diameter decreases at a constant rate as the height in the Z direction increases. And is composed of.

この様な樹脂バンプは、ディスペンサを用いて熱可塑性の樹脂をST基板20上に塗布し、固化させることによって形成される。金属バンプは、金属膜22上に形成されるのに対して、樹脂バンプは、ST基板20上に直接に固定されている。   Such a resin bump is formed by applying a thermoplastic resin onto the ST substrate 20 using a dispenser and solidifying it. Metal bumps are formed on the metal film 22, whereas resin bumps are directly fixed on the ST substrate 20.

また、本実施の形態では、スタッドバンプ23が3行3列のマトリクス状に配置される場合の例について説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、プローブタイル10をST基板20に固定する際に、押圧力が均等にかかるような配置態様であれば、他の配置態様であっても良い。   In the present embodiment, an example in which the stud bumps 23 are arranged in a matrix of 3 rows and 3 columns has been described. However, the present invention is not limited to this, and the probe tile 10 is attached to the ST substrate 20. Other arrangement modes may be used as long as the arrangement is such that the pressing force is equally applied when fixing.

図10(a)〜(c)は、図1のプローブカード100の要部における構成例を示した平面図であり、ST基板20の金属膜22上に形成されるスタッドバンプ23の他の配置態様が示されている。図10(a)には、矩形形状の金属膜22の4つの頂点の近傍と矩形領域の中央部とにそれぞれ形成された5つのスタッドバンプ23が示されている。   FIGS. 10A to 10C are plan views showing a configuration example of the main part of the probe card 100 of FIG. 1, and other arrangements of the stud bumps 23 formed on the metal film 22 of the ST substrate 20. Embodiments are shown. FIG. 10A shows five stud bumps 23 formed in the vicinity of the four vertices of the rectangular metal film 22 and the central portion of the rectangular area.

図10(b)には、矩形領域の2つの長辺について、長辺の端部と中央部とにそれぞれ形成された6つのスタッドバンプ23が示されている。図10(c)には、矩形領域の2つの長辺について、長辺に沿って形成された6つのスタッドバンプ23が示されている。接着層40aに当接させるバンプとしては、この様な配置態様のスタッドバンプ23であっても良い。   FIG. 10B shows six stud bumps 23 respectively formed at the end and center of the long side for the two long sides of the rectangular region. FIG. 10C shows six stud bumps 23 formed along the long sides of the two long sides of the rectangular region. The bump to be brought into contact with the adhesive layer 40a may be the stud bump 23 having such an arrangement.

10 プローブタイル
11 コンタクトプローブ
11a コンタクト部
11b ビーム部
11c ベース部
12 プローブ基板
13 プローブ電極
14 端子電極
15 接続ワイヤ
16 Zバラツキ調整用の当接部材
20 ST基板
21 端子電極
22 金属膜
23 スタッドバンプ
23a 当接部
23b 固定部
24 取付領域
30 プローブ基板
31 外部端子
40 接着シート
40a 接着層
40b 樹脂層
50 空隙
100 プローブカード
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Probe tile 11 Contact probe 11a Contact part 11b Beam part 11c Base part 12 Probe board 13 Probe electrode 14 Terminal electrode 15 Connection wire 16 Contact member 20 for Z variation adjustment ST board 21 Terminal electrode 22 Metal film 23 Stud bump 23a Contact portion 23b Fixing portion 24 Attachment region 30 Probe substrate 31 External terminal 40 Adhesive sheet 40a Adhesive layer 40b Resin layer 50 Air gap 100 Probe card

Claims (4)

第1面にコンタクトプローブが形成され、第2面に樹脂層が形成されたプローブ基板と、
上記プローブ基板の第2面と間隔を空けて対向する配線基板と、
上記プローブ基板及び上記配線基板に挟持された点在する3以上のバンプとを備え、
上記バンプを上記樹脂層に押接させた状態で、上記プローブ基板及び上記配線基板が固定されていることを特徴とするプローブカード。
A probe substrate having a contact probe formed on the first surface and a resin layer formed on the second surface;
A wiring board facing the second surface of the probe board with a space therebetween;
Comprising three or more interspersed bumps sandwiched between the probe board and the wiring board,
The probe card, wherein the probe board and the wiring board are fixed in a state where the bump is pressed against the resin layer.
上記配線基板には、金属膜が形成されており、
上記バンプが、上記金属膜に接合された金属バンプであることを特徴とする請求項1に記載のプローブカード。
A metal film is formed on the wiring board,
The probe card according to claim 1, wherein the bump is a metal bump bonded to the metal film.
上記配線基板には、上記プローブ基板の取付領域の外に端子電極が形成されており、
上記コンタクトプローブが、上記端子電極とワイヤによりボンディングされていることを特徴とする請求項1に記載のプローブカード。
The wiring board has a terminal electrode formed outside the mounting area of the probe board,
The probe card according to claim 1, wherein the contact probe is bonded to the terminal electrode by a wire.
コンタクトプローブをプローブ基板の第1面に形成するステップと、
接着層を上記プローブ基板の第2面に形成するステップと、
3以上のバンプを配線基板上に固定するステップと、
上記プローブ基板及び上記配線基板を互いに近づけ、上記バンプを上記接着層に押接させた状態で、上記プローブ基板を上記配線基板に固定するステップとを備えたことを特徴とするプローブカードの製造方法。
Forming a contact probe on the first surface of the probe substrate;
Forming an adhesive layer on the second surface of the probe substrate;
Fixing three or more bumps on the wiring board;
And a step of fixing the probe board to the wiring board in a state in which the probe board and the wiring board are brought close to each other and the bumps are pressed against the adhesive layer. .
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101591501B1 (en) * 2014-09-29 2016-02-04 주식회사 오킨스전자 Contact ratio improved contact pin
JP2017194388A (en) * 2016-04-21 2017-10-26 日本電子材料株式会社 Probe card
US10064162B2 (en) * 2011-11-02 2018-08-28 Sharp Kabushiki Kaisha Communication system, mobile station apparatus, base station apparatus, communication method, and integrated circuit

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