JP2011107460A - フォトマスクおよびこれを用いたトランジスタの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】各トランジスタの特性を均一化することができるフォトマスクを提供する。
【解決手段】フォトマスク１００には、複数のチャネルパターン１０１と、配線パターン１０２と、補助パターン１０３とが形成されている。複数のチャネルパターン１０１は、半導体基板上に形成された拡散層２１１の２つの縁部に跨って延ばされ、互いに並列に配された複数のチャネル部を形成するために、並列に配されている。配線パターン１０２は、チャネル部から延びたゲート配線部を形成するために、チャネルパターン１０１から延びている。補助パターン１０３は、各々のチャネル部の、拡散層の縁部２１２から一定の距離だけ離れた部分を、該チャネル部が延びている方向と直交する方向Ｔ２に広げるように、各々のチャネルパターン１０１に対して設けられている。各々のチャネルパターンに対して設けられた補助パターン１０３は、互いに同一形状になっている。
【選択図】図１

Description

本発明は、トランジスタのゲート電極を、フォトリソグラフィ法で形成するためのフォトマスクと、これを用いたトランジスタの製造方法に関する。

トランジスタは、例えば、半導体基板の拡散層にゲート電極を形成し、当該ゲートを利用した自己整合法により拡散層に不純物を導入してソース領域およびドレイン領域を形成することによって製造される。

一般的に、ゲート電極は、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィ法によって形成される。具体的には、半導体基板および拡散層上にレジストが形成され、フォトマスクを介してこのレジストを露光する。その後、露光したレジストを現像し、エッチング工程を経て、半導体基板および拡散層上にゲート電極が形成される。しかし、露光時における光近接効果により、ゲート電極の形状が所望のレイアウトパターンからずれるという課題があった。

近年では、半導体装置が有するトランジスタの集積化および微細化にともない、トランジスタのゲート電極が微細な間隔をあけて並置されることが要求されている。このように、ゲート電極が微細化されるとともに、光近接効果による、ゲート電極の形状変化の影響が大きくなってきている。

特許文献１には、光近接効果によってゲート電極の先端部が先細りすることを抑制するためのフォトマスクが開示されている。特許文献１に記載のフォトマスクは、主パターンの先端部に、長方形状の補助パターンが配されている。これらの補助パターンのサイズは、主パターンが転写されて出来る形状と、主パターンの形状との差が、許容値以下になるように決定される。

特許文献２には、フォトマスク上の、ゲート電極の縁部と拡散層の縁部に対応する位置に、補助パターンが形成されたフォトマスクが開示されている。これにより、拡散層の境界にある段差の影響により生じる、ゲート電極の細りが抑制される。

特開２０００−３９６９８号 特開平１１−３３８１２１号

図７は、特許文献１に開示されている発明を参考にして、発明者が検討を行ったフォトマスクのレイアウトパターンである。なお、図７には、参考のため、マスク使用時における半導体基板上の拡散層の位置が点線によって示されている。また、図８は、図７に示すフォトマスクを用いて半導体基板に形成されるゲート電極の形状を、発明者が計算機によってシミュレーションした結果を示している。

図７では、フォトマスク１０００に形成されたレイアウトパターンは、ゲート電極のチャネル部１１０１に対応するチャネルパターン１００１と、ゲート電極のゲート配線部１１０２に対応する配線パターン１００２と、補助パターン１００３と、を有している。チャネル部１１０１は、略長方形状であり、拡散層１０１１の２つの縁部に跨って延ばされている。ゲート配線部１１０２は、チャネル部１１０１に電力を供給するために形成され、ゲート配線部１１０２の一端部はチャネル部１１０１の一端に接続される。

一般に、ゲート配線部１１０２は、トランジスタの設計パターンに応じて、様々な形状になり得る。したがって、フォトマスク１０００に形成される配線パターン１００２も様々な形状になり得る。特許文献１では、チャネルパターンから延びている配線パターンが考慮されていない。そのため、フォトマスクに形成される配線パターンからの光近接効果によって、ゲート電極、特にチャネル部の形状が変化することを解決することができない。

このように、発明者は、チャネルパターンに連結した配線パターンの形状に応じて、各々のチャネル部１１０１の形状が変化し、各々のトランジスタの特性が変わってしまうという課題があることを明らかにした（図８参照。）。このような課題は、トランジスタのチャネル部の幅が細くなるとともに顕著に表れる。特に、チャネル部の形状が少し異なるだけで、各々のトランジスタの特性が均一にならないことがわかってきた。

各々のトランジスタの特性が異なると、高速動作が必要な回路やアンプのように対称的に設計される回路の特性が劣化してしまう。

特許文献１に記載のフォトマスクでは、フォトマスクに形成される複数の補助パターンのサイズが各々独立して設定されるため、マスク設計のプロセスが複雑になるという課題もある。

特許文献２に記載のフォトマスクにおいても、チャネル部から延びている配線パターンからの光近接効果の影響が考慮されていないため、同様に、各々のトランジスタの特性が均一にならないという課題が生じる。

したがって、並んで配される複数のトランジスタの特性を均一に形成することができる、フォトマスクが提供されることが望まれる。

本発明の一実施形態におけるフォトマスクには、トランジスタの、複数のチャネル部と該チャネル部の端部から延びたゲート配線部とを有するゲート電極を、フォトリソグラフィ法で形成するため、複数のチャネルパターンと、配線パターンと、補助パターンとが形成されている。複数のチャネルパターンは、半導体基板上に形成された拡散層の２つの縁部に跨って延ばされ、互いに並列に配された複数のチャネル部を形成するために、並列に配されている。配線パターンは、ゲート配線部を形成するために、チャネルパターンから延びている。補助パターンは、各々のチャネル部の、拡散層の縁部から一定の距離だけ離れた部分を、該チャネル部が延びている方向と直交する方向に広げるように、各々のチャネルパターンに対して設けられている。各々のチャネルパターンに対して設けられた補助パターンは、互いに同一形状になっている。

また、本発明の一実施形態におけるトランジスタの製造方法は、フォトリソグラフィによって、半導体基板上に拡散層を形成するステップと、上記のフォトマスクを用いて、フォトリソグラフィ法によって、前記拡散層の２つの縁部に跨って延ばされ、互いに並列に配された複数のチャネル部を有するゲート電極を形成するステップと、を有する。

本発明によれば、ゲート電極のチャネル部の形状が各トランジスタで均一になり、各トランジスタの特性を均一化することができる。

第１の実施形態におけるフォトマスクのレイアウトパターンを示す概略図である。 第１の実施形態におけるフォトマスクを用いて半導体基板に形成されるゲート電極の形状を計算機によってシミュレーションした結果を示す概略図である。 図２の領域Ａ３の部分拡大図である。 図２の領域Ａ４の部分拡大図である。 図２の領域Ａ５の部分拡大図である。 図２の領域Ａ６の部分拡大図である。 比較例におけるフォトマスクのレイアウトパターンを示す概略図である。 比較例に示すフォトマスクを用いて半導体基板に形成されるゲート電極の形状を計算機によってシミュレーションした結果を示す概略図である。 図８の領域Ｂ９の部分拡大図である。 図８の領域Ｂ１０の部分拡大図である。 図８の領域Ｂ１１の部分拡大図である。 図８の領域Ｂ１２の部分拡大図である。 第２の実施形態におけるフォトマスクのレイアウトパターンを示す概略図である。 第２の実施形態におけるフォトマスクを用いて半導体基板に形成されるゲート電極の形状を計算機によってシミュレーションした結果を示す概略図である。 第３の実施形態におけるフォトマスクのレイアウトパターンを示す概略図である。 第３の実施形態におけるフォトマスクを用いて半導体基板に形成されるゲート電極の形状を計算機によってシミュレーションした結果を示す概略図である。 第４の実施形態におけるフォトマスクのレイアウトパターンを示す概略図である。 第４の実施形態におけるフォトマスクを用いて半導体基板に形成されるゲート電極の形状を計算機によってシミュレーションした結果を示す概略図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。

図１は、第１の実施形態に係るフォトマスクに形成されたレイアウトパターンを示す概略図である。なお、図１には、参考のため、マスクの使用時における半導体基板上の拡散層の位置が点線によって示されている。図２は、第１の実施形態におけるフォトマスクを用いて半導体基板に形成されるゲート電極の形状を計算機によってシミュレーションした結果を示している。

半導体装置が有するトランジスタのゲート電極は、半導体基板の拡散層に跨って形成されるチャネル部２０１と、チャネル部に電力を供給するためのゲート配線部２０２と、を有する。ゲート配線部２０２は、チャネル部２０１の端部から延びている。なお、ゲート配線部２０２の、チャネル部２０１から離れた部分には、外部から電力を受け取るためのコンタクト２０８が形成される。

このような、トランジスタのゲート電極をフォトリソグラフィ法で形成するため、第１の実施形態におけるフォトマスク１００には、少なくとも、チャネル部２０１を形成するためのチャネルパターン１０１と、ゲート配線部２０２を形成するための配線パターン１０２と、補助パターン１０３と、が形成されている。

複数のゲート電極の各チャネル部２０１が、半導体基板２１０上に形成された拡散層２１１に跨り、互いに並列に形成されるように、マスク上のチャネルパターン１０１は並列に配されている。配線パターン１０２は、チャネルパターン１０１から延びており、トランジスタの設計パターンに応じて様々な形状をしている。

第１の実施形態では、各々のチャネル部２０１の、拡散層の縁部２１２から一定の距離だけ離れた部分を、当該チャネル部２０１が延びている方向Ｔ１と直交する方向に広げるように、各々のチャネルパターン１０１に対して、互いに同一形状の補助パターン１０３が形成されている。

さらに、フォトマスク１００には、複数のチャネルパターン１０１が並んでいる方向Ｔ２における両端のチャネルパターンの外側に、チャネルパターン１０１と同一形状のダミーチャネルパターン１０４が形成されている。

ダミーチャネルパターン１０４は、各々のチャネル部２０１に与えられる光近接効果の影響を均一にするために設けられる。この場合、図１に示すように、ダミーチャネルパターン１０４に対して、チャネルパターン１０１に形成された補助パターン１０３と同一形状の別の補助パターン１０５がさらに形成されていることが好ましい。これは、各々のチャネル部２０１に出来るだけ均一な光近接効果の影響を与えるためである。

図３は図２の領域Ａ３の部分拡大図であり、図４は図２の領域Ａ４の部分拡大図であり、図５は図２の領域Ａ５の部分拡大図であり、図６は図２の領域Ａ６の部分拡大図である。図３〜図６では、参考のために、フォトマスク１００に形成されているレイアウトパターンが点線によって示されている。なお、図３〜６では、ゲート配線部２０２，４０２，６０２，８０２の、チャネル部２０１，４０１，６０１，８０１に形成された補助ゲート部２０３，４０３，６０３，８０３から離れた部分は明示されていない。この明示されていない部分は、トランジスタの特性にほとんど影響を及ぼさない。

領域Ａ３では、チャネル部２０１とゲート配線部２０２とがＬ字型に接続されている（図３参照。）。領域Ａ４では、チャネル部２０１とゲート配線部２０２とがＴ字型に接続されている（図４参照。）。具体的には、ゲート配線部２０２は、チャネル部の幅方向Ｔ２の両側に長く延びている。領域Ａ５では、チャネル部２０１とゲート配線部２０２とがＴ字型に接続されている（図５参照。）。ただし、ゲート配線部２０２は、チャネル部の幅方向Ｔ２の一方に長く延びており、チャネル部の幅方向Ｔ２の他方には短く延びている。領域Ａ６では、チャネル部２０１とゲート配線部２０２とがＴ字型に接続されている（図６参照。）。ただし、ゲート配線部２０２は、チャネル部２０１の幅方向の両側に短く延びている。

図２および図３〜図６を参照すると、各々のチャネル部２０１の形状が実質的に均一に形成されている。特に、チャネル部２０１の中央から、補助パターン１０３によって形成された補助ゲート部分２０３に至るまでの、チャネル部２０１の形状が均一に形成される。これは、補助パターン１０３よりも外側に形成されているパターン（本例では、配線パターン１０２）がチャネル部２０１に与える光近接効果の影響が、チャネル部２０１の幅を積極的に広げる補助パターン１０３によって抑制されているからである。さらに、各々の補助パターン１０３が同一形状であるため、各々のチャネル部２０１に対して、光近接効果の影響が均一になり、チャネル部２０１の形状が均一化される。

また、チャネル部の、拡散層上に位置する部分は、同一の幅になっていることが好ましいため、本実施形態では、補助パターン１０３は拡散層２１１の縁部２１２から離れた位置に対応する場所に形成されている。

上述したように、第１の実施形態におけるフォトマスク１００を用いることで、トランジスタのゲート電極の形状の均一化を図り、各トランジスタの特性を均一化することができる。

また、露光する度に露光量やフォーカスなどの露光条件が変動したとしても、全てのトランジスタが同じ変動の影響を受けるため、露光条件の変動によってトランジスタ毎に特性が変わってしまうという問題が生じ難くなるという利点もある。

次に、図７に示す比較例としてのフォトマスク１０００と、第１の実施形態のフォトマスク１００とを比較した結果について説明する。図８は、比較例に示すフォトマスク１０００を用いて半導体基板１０１０に形成されるゲート電極の形状を計算機によってシミュレーションした結果を示している。

図９は図８の領域Ｂ９の部分拡大図であり、図１０は図８の領域Ｂ１０の部分拡大図であり、図１１は図８の領域Ｂ１１の部分拡大図であり、図１２は図８の領域Ｂ１２の部分拡大図である。なお、図９〜図１２では、フォトマスク１０００に形成されているレイアウトパターンが、参考のために、点線によって示されている。

比較例におけるチャネルパターン部１００１および配線パターン１００２は、第１の実施形態におけるチャネルパターン１０１および配線パターン１０２と同じ形状である。つまり、比較例におけるフォトマスク１０００と、第１の実施形態におけるフォトマスク１００とは、補助パターンのみが異なっている。

領域Ｂ９では、チャネル部１１０１とゲート配線部１１０２とがＬ字型に接続されている（図９参照。）。つまり、ゲート配線部１１０２は、チャネル部の幅方向Ｔ２の片側のみに長く延びている。このように、ゲート配線部１１０２が、チャネル部の幅方向Ｔ２に長く延びている場合、ゲート配線部１１０２の形状に引きずられるように、チャネル部１１０１の幅が広がってしまう。

領域Ｂ１０では、チャネル部１１０１とゲート配線部１１０２とがＴ字型に接続されている（図１０参照。）。具体的には、ゲート配線部１１０２は、チャネル部の幅方向Ｔ２の両側に長く延びている。この場合、チャネル部１１０１は、チャネル部の幅方向Ｔ２の両側に広がってしまう。

領域Ｂ１１では、チャネル部１１０１とゲート配線部１１０２とがＴ字型に接続されている（図１１参照。）。ただし、ゲート配線部１１０２は、チャネル部の幅方向Ｔ２の一方に長く延びており、チャネル部の幅方向Ｔ２の他方には短く延びている。この場合、チャネル部１１０１の、ゲート配線部１１０２が長く延びている方向に湾曲して形成される。

領域Ｂ１２では、チャネル部１１０１とゲート配線部１１０２とがＴ字型に接続されている（図１２参照。）。ただし、ゲート配線部１１０２は、チャネル部の幅方向Ｔ２の両側に短く延びている。この場合、ゲート配線部１１０２近傍のチャネル部１１０１の幅は、狭くなってしまう。

上述したように、第１の実施形態におけるフォトマスク１００と比較すると、比較例におけるフォトマスク１０００では、各々のゲート電極の形状にばらつきが生じる。特に、拡散層１０１１の縁部近傍の、チャネル部１１０１の形状が変化した場合、ゲート電極の特性の変化が大きくなってしまい、結果として、トランジスタの特性が不均一になってしまう。このように、第１の実施形態におけるフォトマスク１００は、比較例におけるフォトマスク１０００と比較して、優位な効果を有している。

上記の第１の実施形態では、フォトマスク１００にダミーチャネルパターン１０４が形成されているが、光近接効果による、両端のチャネル部への影響が小さい場合には、ダミーチャネルパターン１０４は不要である。

図１３は、第２の実施形態に係るフォトマスクに形成されたレイアウトパターンを示す概略図である。なお、図１３には、参考のため、マスクの使用時における半導体基板上の拡散層２１１の位置が点線によって示されている。また、図１４は第２の実施形態におけるフォトマスクを用いて半導体基板２１０に形成されるゲート電極の形状を計算機によってシミュレーションした結果を示している。

第２の実施形態におけるフォトマスク３００では、等電位のチャネル部４０１に対応するチャネルパターン３０１に形成された補助パターン３０３同士が、繋がって一体になっている。この場合にも、第１の実施形態と同様に、配線パターン３０２からの光近接効果の影響がチャネル部４０１に及ぶことが抑制される。これにより、チャネル部４０１の形状が均一化されて、各トランジスタの特性が均一化される（図１４参照）。

等電位のチャネル部４０１に対応するチャネルパターン３０１に形成された補助パターン３０３同士が連通されるか否かは、露光条件および拡散プロセスに基づいて適宜決定される。

また第１の実施形態と同様に、フォトマスク３００には、複数のチャネルパターンが並んでいる方向Ｔ２における両端のチャネルパターン３０１の外側に、チャネルパターン３０１と同一形状のダミーチャネルパターン３０４が形成されていることが好ましい。

図１５は、第３の実施形態に係るフォトマスクに形成されたレイアウトパターンを示す概略図である。なお、図１５には、参考のため、マスクの使用時における半導体基板上の拡散層２１１の位置が点線によって示されている。また、図１６は、第３の実施形態におけるフォトマスクを用いて半導体基板２１０に形成されるゲート電極の形状を計算機によってシミュレーションした結果を示している。

第３の実施形態におけるフォトマスク５００では、チャネルパターン５０１に形成された補助パターン５０３と、ダミーチャネルパターン５０４に形成された補助パターン５０３とが、連通して長方形の枠状になっている。この場合にも、第１の実施形態と同様に、配線パターン５０２からの光近接効果の影響がチャネル部６０１に及ぶことが抑制される。これにより、各々のチャネル部６０１の形状が均一化されて、各トランジスタの特性が均一化される（図１６参照）。

図１７は、第４の実施形態に係るフォトマスクに形成されたレイアウトパターンを示す概略図である。なお、図１７には、参考のため、マスクの使用時における半導体基板上の拡散層２１１の位置が点線によって示されている。また、図１８は、第４の実施形態におけるフォトマスクを用いて半導体基板２１０に形成されるゲート電極の形状を計算機によってシミュレーションした結果を示している。

上述したように、第１の実施形態では、フォトマスク１００上の補助パターン１０３が、各々のチャネルパターン１０１から、該チャネルパターンが延びている方向と直交する方向Ｔ２の両側に延びている。しかし、第４の実施形態におけるフォトマスク７００では、補助パターン７０３は、各々のチャネルパターン７０１から、該チャネルパターンが延びている方向と直交する方向Ｔ２の片側に延びている。この場合にも、第１の実施形態と同様に、配線パターン７０２からの光近接効果の影響がチャネル部８０１に及ぶことが抑制される。これにより、各々のチャネル部８０１の形状が均一化されて、各トランジスタの特性が均一化される（図１８参照）。

また第１の実施形態と同様に、フォトマスク７００には、複数のチャネルパターンが並んでいる方向Ｔ２における両端のチャネルパターン７０１の外側に、チャネルパターン７０１と同一形状のダミーチャネルパターン７０４が形成されていることが好ましい。

各々の実施形態で述べたように、フォトマスクに形成される補助パターンは、様々な形状をしていて良い。また、隣接する補助パターン同士が連通しているか否かは、露光条件および拡散プロセスに基づいて適宜決定される。また、ゲート補助パターンの幅、ゲート補助パターンの位置なども露光条件および拡散プロセスに基づいて適宜決定される。

一実施形態におけるトランジスタの製造方法は、フォトリソグラフィによって、半導体基板上に拡散層を形成するステップと、上述した各実施形態のフォトマスクを用いて、フォトリソグラフィ法によって、拡散層の２つの縁部に跨って延ばされ、互いに並列に配された複数のチャネル部を有するゲート電極を形成するステップと、を有する。

フォトマスクは、フォトマスクに形成されているパターンが等倍露光されるものであっても良く、縮小露光されるものであっても良い。

上記実施形態で説明したフォトマスクは、ＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor、ＭＩＳ（Metal-Insulator Semiconductor）、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の様々な電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を形成するために利用できる。また、このフォトマスクは、ＦＥＴ以外のトランジスタを形成するためにも利用することができる。

半導体基板は、Ｐ型の半導体基板、Ｎ型の半導体基板、およびＳＯＩ（Silicon on Insulator）構造の半導体基板などの様々な半導体基板であって良い。

また、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＭＣＵ（Micro Control Unit）、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、ＡＳＳＰ（Application Specific Standard Circuit）、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、フラッシュメモリ等の半導体装置全般を製造するために、本発明のフォトマスクが利用可能である。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更および修正が可能であり、それらも本発明の範囲内に含まれるものであることはいうまでもない。すなわち、本発明は、請求の範囲を含む全ての記載および技術的思想に基づいて、当業者であればなし得るであろう各種の変形および修正を含むことは勿論である。

１００，３００，５００，７００ フォトマスク
１０１，３０１，５０１，７０１ チャネルパターン
１０２，３０２，５０２，７０２ 配線パターン
１０３，３０３，５０３，７０３ 補助パターン
１０４，３０４，５０４，７０４ ダミーチャネルパターン
１０５ 補助パターン
２０１，４０１，６０１，８０１ チャネル部
２０２，４０２，６０２，８０２ ゲート配線部
２０３，４０３，６０３，８０３ 補助ゲート部分
２０８ コンタクト
２１０ 半導体基板
２１１ 拡散層
２１２ 拡散層の縁部
Ｔ１ チャネル部が延びている方向Ｔ
Ｔ２ チャネル部の幅方向（チャネルパターンが並んでいる方向）

Claims (9)

1. トランジスタの、複数のチャネル部と該チャネル部の端部から延びたゲート配線部とを有するゲート電極を、フォトリソグラフィ法で形成するためのフォトマスクであって、
   半導体基板上に形成された拡散層の２つの縁部に跨って延ばされ、互いに並列に配された前記複数のチャネル部を形成するための、並列に配された複数のチャネルパターンと、
   前記ゲート配線部を形成するための、前記チャネルパターンから延びた配線パターンと、
   各々の前記チャネル部の、前記拡散層の前記縁部から一定の距離だけ離れた部分を、該チャネル部が延びている方向と直交する方向に広げるように、各々の前記チャネルパターンに対して設けられた、互いに同一形状の補助パターンと、が形成されたフォトマスク。
2. 前記補助パターンは、各々の前記チャネルパターンから、該チャネルパターンが延びている方向と直交する方向の両側に延びている、請求項１に記載のフォトマスク。
3. 前記補助パターンは、各々の前記チャネルパターンから、該チャネルパターンが延びている方向と直交する方向の片側に延びている、請求項１に記載のフォトマスク。
4. 隣接する前記チャネルパターンに形成された前記補助パターン同士が、連通して一体になっている、請求項１から３のいずれか１項に記載のフォトマスク。
5. 等電位の前記チャネル部に対応する前記チャネルパターンに形成された前記補助パターン同士が、連通して一体になっている、請求項１から３のいずれか１項に記載のフォトマスク。
6. 前記複数のチャネルパターンが並んでいる方向における両端のチャネルパターンの外側に、前記チャネルパターンと同一形状のダミーチャネルパターンが、前記両端のチャネルパターンに並んで形成されている、請求項１から５のいずれか１項に記載のフォトマスク。
7. 前記ダミーチャネルパターンに、前記チャネルパターンに形成された前記補助パターンと同一形状の補助パターンがさらに形成されている、請求項６に記載のフォトマスク。
8. 前記チャネルパターンに形成された前記補助パターンと、前記ダミーチャネルパターンに形成された前記補助パターンと、前記ダミーチャネルパターンとは、連通して一体に形成されており、長方形の枠状になっている、請求項７に記載のフォトマスク。
9. フォトリソグラフィによって、半導体基板上に拡散層を形成するステップと、
   請求項１から８のいずれか１項に記載のフォトマスクを用いて、フォトリソグラフィ法によって、前記拡散層の２つの縁部に跨って延ばされ、互いに並列に配された複数のチャネル部を有するゲート電極を形成するステップと、を有するトランジスタの製造方法。

Images