JP2011105814A - Method for cleaning electronic device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は半導体基板の洗浄方法に関する。 The present invention relates to a method for cleaning a semiconductor substrate.
近年では、大規模集積回路の微細化、高密度化、高集積化による高速化が成される動向にあり、配線の多層化による技術開発が行われている。配線の多層化を達成するには配線ピッチ幅の縮小及び配線間容量の低減等を行うことが必要となり配線ピッチ幅の縮小解決策として金属配線材料を抵抗率の低いタングステンや銅等が用いられてきている。特に銅は抵抗率が低いため、配線等に用いられてきているが、同時に銅イオンが拡散しやすいため、コバルト等のバリア膜が銅に付与されたりして、金属材料が複雑化してきている。 In recent years, there has been a trend toward high speed by miniaturization, high density, and high integration of large-scale integrated circuits, and technology development by multilayering of wiring has been performed. In order to achieve multi-layer wiring, it is necessary to reduce the wiring pitch width and reduce the inter-wiring capacitance. As a solution for reducing the wiring pitch width, tungsten, copper, etc. with low resistivity are used as the metal wiring material. It is coming. In particular, since copper has low resistivity, it has been used for wiring and the like, but at the same time, copper ions are easily diffused, so that a barrier film such as cobalt is applied to copper, and metal materials have become complicated. .
一方、半導体、ＬＣＤ等のフラットディスプレイ等の電子デバイスの製造工程においては、多くの洗浄工程が実施されている。例えば、現像、エッチングの工程を経た後、不要のレジストは薬液で除去、洗浄される。この場合、モノエタノールアミンと有機溶媒からなる組成物がレジストを剥離する液として最も広く使用されている（例えば、特許文献１参照）。 On the other hand, in the manufacturing process of electronic devices such as semiconductors and flat displays such as LCDs, many cleaning processes are performed. For example, after the development and etching steps, unnecessary resist is removed and washed with a chemical solution. In this case, a composition comprising monoethanolamine and an organic solvent is most widely used as a resist stripping solution (see, for example, Patent Document 1).
ところが、従来使用されてきた洗浄液は銅配線等の金属材料にダメージを与えるだけでなく、エッチング後に発生した酸化物等の除去性が不十分で、綺麗に洗浄できなくなってきている。 However, conventionally used cleaning solutions not only damage metal materials such as copper wiring, but also have insufficient removal of oxides and the like generated after etching, making it impossible to clean cleanly.
そのため、汎用の洗浄液にフッ化物を添加し酸化物除去能を高める試みがなされている。例えば、有機溶媒、フッ化物含有化合物、キレート剤及び水を含有する洗浄液でエッチング後の残留物を除去する方法（例えば、特許文献２参照）や、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、フッ酸及び界面活性剤を洗浄成分とする方法が提案されている（例えば、特許文献３参照）。これらはいずれもフッ化物を添加して特に酸化物等に対する洗浄能を高めているが、銅やコバルトを腐食してしまい、これら金属材料を含む電子デバイスの洗浄方法として満足できるものではなかった。 Therefore, an attempt has been made to increase the oxide removal ability by adding fluoride to a general-purpose cleaning liquid. For example, a method of removing residues after etching with a cleaning solution containing an organic solvent, a fluoride-containing compound, a chelating agent and water (see, for example, Patent Document 2), ethylenediaminetetramethylenephosphonic acid, hydrofluoric acid, and a surfactant. Has been proposed (for example, see Patent Document 3). In any of these, fluoride is added to improve the cleaning ability for oxides and the like, but it corrodes copper and cobalt, and is not satisfactory as a cleaning method for an electronic device containing these metal materials.
本発明は上記の背景技術に鑑みてなされたものであり、その目的は、アルミニウム、チタン、コバルト及び銅からなる群より選ばれる金属材料にダメージを与えることなく、エッチング残渣やレジスト残渣等の洗浄性能に優れた電子デバイスの洗浄用組成物及びそれを用いた洗浄方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the background art described above, and its purpose is to clean etching residues, resist residues, etc. without damaging a metal material selected from the group consisting of aluminum, titanium, cobalt and copper. An object of the present invention is to provide an electronic device cleaning composition having excellent performance and a cleaning method using the same.
本発明者らは、アルミニウム、チタン、コバルト及び銅からなる群より選ばれる金属材料を含有する電子デバイスを洗浄する方法について鋭意検討した結果、特定のアミン類、フッ化物、及び水を含む洗浄液を見出した。そして、この洗浄液を用いることで、上記した金属材料に大きなダメージを与えることなく、電子デバイスを洗浄できることを見出し、本発明を完成させるに至ったものである。 As a result of intensive studies on a method for cleaning an electronic device containing a metal material selected from the group consisting of aluminum, titanium, cobalt, and copper, the present inventors have found a cleaning liquid containing specific amines, fluorides, and water. I found it. And it discovered that an electronic device can be wash | cleaned without giving a big damage to an above-described metal material by using this washing | cleaning liquid, and came to complete this invention.
すなわち、本発明は、以下に示すとおりの電子デバイスの洗浄用組成物及びそれを用いた洗浄方法である。 That is, the present invention is a cleaning composition for an electronic device and a cleaning method using the same as shown below.
［１］アルミニウム、チタン、コバルト及び銅からなる群より選ばれる金属材料を含有する電子デバイスの製造プロセスにおいて発生する有機物及び／又は無機物を洗浄するための組成物であって、下記一般式（１） [1] A composition for cleaning an organic substance and / or an inorganic substance generated in a manufacturing process of an electronic device containing a metal material selected from the group consisting of aluminum, titanium, cobalt and copper, and having the following general formula (1 )
で表されるアミン類、フッ化物、及び水を含むことを特徴とする電気デバイスの洗浄用組成物。
A cleaning composition for an electrical device comprising an amine represented by the formula:
［２］一般式（１）で示されるアミンがＮ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミンである上記［１］に記載の洗浄用組成物。 [2] The cleaning composition according to [1], wherein the amine represented by the general formula (1) is N, N-dimethylethanolamine or N-methylethanolamine.
［３］洗浄用組成物に対し、フッ化物がフッ素イオンとして１０重量ｐｐｍ〜１０重量％、及び一般式（１）で示されるアミンが１重量１０ｐｐｍ〜１０重量％であることを特徴とする上記［１］又は［２］に記載の洗浄用組成物。 [3] The above composition, wherein the fluoride is 10 wt ppm to 10 wt% as the fluoride ion and the amine represented by the general formula (1) is 1 wt 10 ppm to 10 wt% with respect to the cleaning composition. The cleaning composition according to [1] or [2].
［４］洗浄用組成物のｐＨが３〜７の範囲であることを特徴とする上記［１］乃至［３］のいずれかに記載の洗浄用組成物。 [4] The cleaning composition as described in any one of [1] to [3] above, wherein the pH of the cleaning composition is in the range of 3-7.
［５］さらに水溶性有機溶媒を含むことを特徴とする上記［１］乃至［４］のいずれかに記載の洗浄用組成物。 [5] The cleaning composition as described in any one of [1] to [4] above, further comprising a water-soluble organic solvent.
［６］水溶性有機溶媒が、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、及びジプロピレングリコールモノブチルエーテルからなる群より選ばれる一種又は二種以上であることを特徴とする上記［５］に記載の洗浄用組成物。 [6] The water-soluble organic solvent is dimethyl sulfoxide, dimethyl sulfone, diethyl sulfone, N, N-dimethylformamide, N, N-diethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N, N-diethylacetamide, N-methyl- 2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, propylene glycol, dipropylene glycol, tripropylene glycol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene Glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether , One or more selected from the group consisting of propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, and dipropylene glycol monobutyl ether The cleaning composition as described in [5] above, wherein
［７］電子デバイスが半導体デバイス、ＬＣＤモジュール、プリント配線基板及びＭＥＭＳデバイスのいずれかである上記［１］乃至［６］のいずれかに記載の洗浄用組成物。 [7] The cleaning composition according to any one of [1] to [6], wherein the electronic device is any one of a semiconductor device, an LCD module, a printed wiring board, and a MEMS device.
［８］上記［１］乃至［８］のいずれかに記載の洗浄用組成物を用い、電子デバイスの製造プロセスにおいて発生する有機物及び／又は無機物を洗浄することを特徴とする電子デバイスの洗浄方法。 [8] A method for cleaning an electronic device, wherein the cleaning composition according to any one of [1] to [8] is used to clean an organic substance and / or an inorganic substance generated in a manufacturing process of the electronic device. .
本発明の洗浄方法は、アルミニウム、チタン、コバルト及び銅からなる群より選ばれる金属材料にダメージを与えることなく、優れた洗浄能力示し、工業的に極めて有用である。 The cleaning method of the present invention exhibits excellent cleaning capability without causing damage to a metal material selected from the group consisting of aluminum, titanium, cobalt and copper, and is extremely useful industrially.
本発明の洗浄用組成物は、上記一般式（１）で表されるアミン類を含む。 The cleaning composition of the present invention contains an amine represented by the general formula (1).
具体的には、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミンが例示され、これらのうち、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミンが特に好ましい。これらのアミン類を用いてフッ素イオンと塩（フッ酸塩）を形成させることにより、優れた洗浄能を示すとともに、アルミニウム、チタン、コバルト及び銅からなる群より選ばれる金属材料の腐食を抑制し、異種金属を接触させたときに生ずるガルバニック腐食をも抑制することができる。これらのアミン類は工業的に市販されており、容易に入手することができる。 Specific examples include N-methylethanolamine, N-ethylethanolamine, N, N-dimethylethanolamine, and N, N-diethylethanolamine. Among these, N-methylethanolamine, N, N- Dimethylethanolamine is particularly preferred. By using these amines to form fluoride ions and salts (fluoric acid salts), it exhibits excellent cleaning performance and suppresses corrosion of metal materials selected from the group consisting of aluminum, titanium, cobalt, and copper. Also, galvanic corrosion that occurs when different metals are brought into contact can be suppressed. These amines are commercially available and can be easily obtained.
本発明の洗浄用組成物は、フッ化物を含む。フッ化物としては、アミンと混合すると、アミンの一部又は全部がアミンのフッ酸塩に変化するものであれば良く、特に限定されるものではない。例えば、フッ化水素を使用することができ、フッ化水素としては、工業的に市販されているフッ化水素酸を使用することができる。なかでも特に金属不純物の少ない電子材料用グレードが好ましい。 The cleaning composition of the present invention contains a fluoride. The fluoride is not particularly limited as long as it is mixed with an amine so that part or all of the amine can be converted into an amine fluoride. For example, hydrogen fluoride can be used, and as the hydrogen fluoride, commercially available hydrofluoric acid can be used. Of these, a grade for electronic materials with few metal impurities is particularly preferable.
本発明の洗浄用組成物は、さらに水溶性有機溶媒を添加して使用することができる。水溶性有機溶媒としては、例えば、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン等のスルホン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等のアミド類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキエチル−２−ピロリドン等のラクタム類、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン類、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール等グリコール類、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル等のグリコールエーテル類等が挙げられる。これらの水溶性有機溶媒は単独で使用しても良いし、二種類以上を混合して使用しても良い。 The cleaning composition of the present invention can be used by further adding a water-soluble organic solvent. Examples of the water-soluble organic solvent include sulfoxides such as dimethyl sulfoxide, sulfones such as dimethyl sulfone and diethyl sulfone, N, N-dimethylformamide, N, N-diethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N, N Amides such as diethylacetamide, lactams such as N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, N-propyl-2-pyrrolidone, N-hydroxyethyl-2-pyrrolidone, 1,3-dimethyl -2-Iridazolidinones such as imidazolidinone, ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, propylene glycol, dipropylene glycol, tripropylene glycol and other glycols, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoester Ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, di Examples include glycol ethers such as propylene glycol monobutyl ether. These water-soluble organic solvents may be used alone or in combination of two or more.
本発明の洗浄用組成物には、さらに、一般に使用されている防食剤、例えば、ベンゾトリアゾール等を添加することができる。 Further, a commonly used anticorrosive agent such as benzotriazole can be added to the cleaning composition of the present invention.
本発明の洗浄用組成物のｐＨは、通常３〜７、好ましくは４〜６．５の範囲である。ｐＨが３以上とすることで金属材料の腐食を抑えることができるが、ｐＨが７を超えるとフッ素の効果が小さくなり洗浄能が低下するおそれがある。 The pH of the cleaning composition of the present invention is usually in the range of 3 to 7, preferably 4 to 6.5. Although the corrosion of the metal material can be suppressed by setting the pH to 3 or more, if the pH exceeds 7, the effect of fluorine may be reduced and the cleaning ability may be reduced.
本発明の洗浄用組成物中の各成分の濃度は、用いる化合物、選定するｐＨによって変動するため、規定することは困難ではあるが、あえて規定すると、洗浄用組成物全体に対するフッ化物の濃度は、フッ素イオンとして、通常１０重量ｐｐｍ〜１０重量％、好ましくは５０重量ｐｐｍ〜５重量％、特に好ましくは１００重量ｐｐｍ〜１重量％の範囲である。１０重量ｐｐｍ以上とすることで洗浄能は十分となり、１０重量％以下とすることで金属材料に対するダメージを小さくすることができる。 The concentration of each component in the cleaning composition of the present invention varies depending on the compound to be used and the pH to be selected, so it is difficult to specify, but if it is specified, the concentration of fluoride relative to the entire cleaning composition is The fluorine ion is usually in the range of 10 ppm to 10% by weight, preferably 50 ppm to 5% by weight, particularly preferably 100 ppm to 1% by weight. By setting it to 10 weight ppm or more, the cleaning ability becomes sufficient, and by setting it to 10 weight% or less, damage to the metal material can be reduced.
また、洗浄用組成物全体に対する上記一般式で示されるアミン類の濃度は、通常１０重量ｐｐｍ〜１０重量％、好ましくは５０重量ｐｐｍ〜８重量％、特に好ましくは１００重量ｐｐｍ〜５重量％の範囲である。 The concentration of the amines represented by the above general formula with respect to the entire cleaning composition is usually 10 ppm to 10% by weight, preferably 50 ppm to 8% by weight, and particularly preferably 100 ppm to 5% by weight. It is a range.
さらに、水溶性有機溶媒を用いる場合、洗浄用組成物全体に対する水溶性有機溶媒の濃度は、通常１〜９０重量％、好ましくは５〜８０重量％、特に好ましくは１０〜８０重量％の範囲である。９０重量％を超える量を添加しても入れただけの効果が得られない。 Furthermore, when a water-soluble organic solvent is used, the concentration of the water-soluble organic solvent relative to the entire cleaning composition is usually 1 to 90% by weight, preferably 5 to 80% by weight, particularly preferably 10 to 80% by weight. is there. Even if an amount exceeding 90% by weight is added, the effect just added cannot be obtained.
本発明の洗浄用組成物は、アルミニウム、チタン、コバルト及び銅からなる群より選ばれる金属材料を含有する電子デバイスの製造工程において、発生する有機物及び／又は無機物を洗浄するために、使用することができる。ここで電子デバイスとしては、具体的には、ＬＣＤモジュール、ＰＤＰモジュール、有機ＥＬモジュール等のフラットパネルディスプレイや半導体デバイス、プリント配線基板、及びＭＥＭＳデバイス等が例示できるが、それらのみに限定されるものではない。 The cleaning composition of the present invention is used for cleaning organic substances and / or inorganic substances generated in the manufacturing process of an electronic device containing a metal material selected from the group consisting of aluminum, titanium, cobalt and copper. Can do. Specific examples of the electronic device include flat panel displays such as LCD modules, PDP modules, and organic EL modules, semiconductor devices, printed wiring boards, MEMS devices, and the like, but are not limited thereto. is not.
本発明の電子デバイスも洗浄方法は、本発明の洗浄剤組成物を用い、これらの電子デバイスの製造プロセスにおいて発生する有機物及び／又は無機物の洗浄することをその特徴とする。 The cleaning method of the electronic device of the present invention is characterized by cleaning organic substances and / or inorganic substances generated in the manufacturing process of these electronic devices using the cleaning composition of the present invention.
電子デバイスの製造プロセスにおいて発生する有機物としては、具体的には、レジストやレジスト残渣等が例示できる。 Specific examples of organic substances generated in the electronic device manufacturing process include resists and resist residues.
また、電子デバイスの製造プロセスにおいて発生する無機物としては、カーボン、ケイ素酸化物、アルミ酸化物、チタン酸化物、コバルト酸化物、銅酸化物、モリブデン酸化物、タングステン酸化物等が例示できる。これらの無機物は、電子デバイスの製造プロセスにおいて、例えば、エッチング等の処理の過程で生成するものである。本発明の洗浄方法は、これらの無機物の剥離、洗浄において特に優れた性能を発揮する。 Examples of the inorganic substance generated in the electronic device manufacturing process include carbon, silicon oxide, aluminum oxide, titanium oxide, cobalt oxide, copper oxide, molybdenum oxide, and tungsten oxide. These inorganic substances are produced in the process of processing such as etching in the manufacturing process of electronic devices. The cleaning method of the present invention exhibits particularly excellent performance in peeling and cleaning these inorganic substances.
本発明の洗浄方法において、洗浄温度としては、通常０〜１００℃、好ましくは１０〜５０℃の範囲である。０℃以上とすることで、洗浄速度が実用的なものとなるが、１００℃を超えるとは、水等成分の蒸発が激しくなるため、実用的な洗浄温度ではない。 In the cleaning method of the present invention, the cleaning temperature is usually 0 to 100 ° C, preferably 10 to 50 ° C. By setting the temperature to 0 ° C. or higher, the cleaning speed becomes practical. However, if the temperature exceeds 100 ° C., the evaporation of components such as water becomes intense, so that the cleaning temperature is not practical.
本発明を以下の実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定して解釈されるものではない。なお、表記を簡潔にするため、以下の略記号を使用した。 The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the present invention should not be construed as being limited thereto. In order to simplify the notation, the following abbreviations were used.
Ｎ−メチルモノエタノールアミン：ＭＭＥＡ，
Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン：ＤＭＥＡ，
モノエタノールアミン：ＭＥＡ，
メチルジエタノールアミン：ＭＤＥＡ，
フッ化水素酸：ＨＦ，
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド：ＤＦＭ，
ジメチルスルホキシド：ＤＭＳＯ，
ジエチレングリコールモノブチルエーテル：ＤＥＧＢＥ，
Ｎ−メチル−２−ピロリドン：ＮＭＰ。
N-methylmonoethanolamine: MMEA,
N, N-dimethylethanolamine: DMEA,
Monoethanolamine: MEA,
Methyldiethanolamine: MDEA
Hydrofluoric acid: HF,
N, N-dimethylformamide: DFM,
Dimethyl sulfoxide: DMSO,
Diethylene glycol monobutyl ether: DEGBE,
N-methyl-2-pyrrolidone: NMP.
実施例１〜実施例１１、比較例１〜比較例３．
表１に記載の組成からなる洗浄液を用いて、下記に記載の方法に従って、洗浄力評価、Ｃｏ、Ｃｕ腐食評価、及びＣｏ−Ｃｕガルバニック腐食を行った。評価結果を表１に併せて示す。
Example 1 to Example 11, Comparative Example 1 to Comparative Example 3.
Detergency evaluation, Co, Cu corrosion evaluation, and Co-Cu galvanic corrosion were performed according to the method described below using the cleaning liquid having the composition shown in Table 1. The evaluation results are also shown in Table 1.
表１に記載の組成からなる洗浄液に、２５℃で１分間、エッチング残渣（Ｃｏ酸化物、銅酸化物、ポジ型フォトレジスト）が残留する基板を浸漬させた。浸漬後、基板を取り出し、水洗した後、乾燥し、表面状態を光学顕微鏡（オリンパス社製、ＢＨ２−ＵＭＡ）及び走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ、日本電子社製ＪＳＭ−６３９０）で観察した。
The substrate on which the etching residue (Co oxide, copper oxide, positive photoresist) remained was immersed in a cleaning liquid having the composition shown in Table 1 at 25 ° C. for 1 minute. After immersion, the substrate was taken out, washed with water, and dried, and the surface state was observed with an optical microscope (Olympus, BH2-UMA) and a scanning electron microscope (SEM, JEOL JSM-6390).
なお、洗浄力の評価は以下のようにした。 The cleaning power was evaluated as follows.
○ 完全に除去，
△ ９０％以上除去，
× ９０％未満の除去。
○ Complete removal,
△ More than 90% removed,
X Less than 90% removal.
〔腐食性評価〕
銅、コバルトの各々の腐食は表１に示す洗浄液に２５℃で１時間浸漬し、銅、コバルトの状態を光学顕微鏡及び走査型電子顕微鏡で確認した。更に、銅、モリブデン間のガルバニック腐食についても、各々の金属の腐食性と同条件で確認した。
(Corrosive evaluation)
Each corrosion of copper and cobalt was immersed in the cleaning liquid shown in Table 1 at 25 ° C. for 1 hour, and the states of copper and cobalt were confirmed with an optical microscope and a scanning electron microscope. Furthermore, galvanic corrosion between copper and molybdenum was also confirmed under the same conditions as the corrosivity of each metal.
なお、腐食性の評価は以下のようにした。 The corrosive evaluation was performed as follows.
○：腐食なし，
△：一部腐食あり，
×：腐食が激しい。
○: No corrosion,
Δ: Partially corroded,
X: Corrosion is severe.
Claims (8)
で表されるアミン類、フッ化物、及び水を含むことを特徴とする電気デバイスの洗浄用組成物。 A composition for cleaning an organic substance and / or an inorganic substance generated in a manufacturing process of an electronic device containing a metal material selected from the group consisting of aluminum, titanium, cobalt and copper, the following general formula (1)
A cleaning composition for an electrical device comprising an amine represented by the formula:
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