JP2011100903A - Electronic element module and method of manufacturing the same, electronic element wafer module and method of manufacturing the same, and electronic information apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、入射光を集光する複数のレンズまたは、出射光を直進させたり入射光を所定方向に曲げて導いたりする複数の光学機能素子と、各レンズにそれぞれ対応して、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の受光部を有する撮像素子または、各光学機能素子にそれぞれ対応して、出射光を発生させるための発光素子および入射光を受光するための受光素子とが複数モジュール化された電子素子モジュールおよびその製造方法、この電子素子モジュールがウエハ状に複数配設された電子素子ウエハモジュールおよびその製造方法、この電子素子モジュールを画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばデジタルビデオカメラおよびデジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、監視カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ装置、ファクシミリ装置、テレビジョン電話装置、カメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器に関する。 The present invention provides a plurality of lenses that collect incident light, or a plurality of optical functional elements that linearly guide outgoing light or bend the incident light in a predetermined direction, and a lens corresponding to each lens. An image sensor having a plurality of light receiving units that photoelectrically convert image light to image, or a light emitting element for generating outgoing light and a light receiving element for receiving incident light, corresponding to each optical functional element, respectively. Electronic device module formed into a plurality of modules and manufacturing method thereof, electronic device wafer module in which a plurality of electronic device modules are arranged in a wafer shape and manufacturing method thereof, and electronic device module used as an image input device in an imaging unit, for example Digital cameras such as digital video cameras and digital still cameras, image input cameras such as surveillance cameras, and scanner devices A facsimile machine, a television telephone device, an electronic information device, such as a camera-equipped mobile phone device.
この種の従来の電子素子モジュールとしてのセンサモジュールは、入射光を集光するレンズ部と、このレンズ部に対応して、被写体からの入射光を光電変換して撮像する複数の受光部を有する撮像素子とがモジュール化されている。この従来のセンサモジュールにおいて、撮像素子に対する現状の遮光加工は、個片化されて出来上がったセンサモジュールに対して実施される場合がほとんどである。その現状の遮光加工は、個片化されて出来上がったセンサモジュールに遮光ホルダーを被せたり、センサモジュールの周辺や上部に遮光剤を塗布したり、センサモジュールとして遮光ブロックを積み上げるなどの加工方法が挙げられる。センサモジュールの周辺や上部に遮光剤を塗布する場合については、特許文献1に提案されている。 A sensor module as a conventional electronic element module of this type has a lens unit that collects incident light, and a plurality of light receiving units that photoelectrically convert incident light from a subject to image corresponding to the lens unit. The imaging device is modularized. In this conventional sensor module, the current light-shielding process for the image sensor is almost always performed on a sensor module that has been singulated. The current light-shielding process includes processing methods such as putting a light-shielding holder on the sensor module that has been singulated, applying a light-shielding agent to the periphery or top of the sensor module, and stacking light-shielding blocks as the sensor module. It is done. Patent Document 1 proposes a case in which a light shielding agent is applied to the periphery or top of the sensor module.
図5(a)〜図5(e)は、特許文献1の従来の半導体撮像素子の各製造工程を説明するための要部縦断面図である。 FIG. 5A to FIG. 5E are main part longitudinal cross-sectional views for explaining each manufacturing process of the conventional semiconductor imaging device of Patent Document 1. FIG.
図5(a)に示すように、半導体基板101の上面101aに、中央部の撮像領域102と、この撮像領域102に隣接するようにその外周領域の周辺回路領域103とが形成されている。この上面101aの周辺回路領域103の更に外周側に複数の電極部104が配置されている。また、撮像領域102上には各受光部に入射光をそれぞれ集光させるための複数のマイクロレンズ105が設けられている。複数のマイクロレンズ105のそれぞれは各画素毎に対応して設けられている。 As shown in FIG. 5A, an imaging region 102 in the center part and a peripheral circuit region 103 in the outer peripheral region so as to be adjacent to the imaging region 102 are formed on the upper surface 101 a of the semiconductor substrate 101. A plurality of electrode portions 104 are arranged on the outer peripheral side of the peripheral circuit region 103 on the upper surface 101a. In addition, a plurality of microlenses 105 are provided on the imaging region 102 for condensing incident light on each light receiving unit. Each of the plurality of microlenses 105 is provided corresponding to each pixel.
このとき、図5(b)に示すように、周辺回路領域103の更に外周側の各電極部104上にはそれぞれ、バンプ106がそれぞれ配置されている。このバンプ106は、例えば導電性ワイヤを用いてワイヤボンダーにより形成してもよい。また、このバンプ106の接続面は、バンプ106が形成された後に板状の金属板などでバンプ106の接続面を押える。この板状の金属板は、レンズ部で構成される光学部材108の大きさよりも大きい開口部を持つ。このように、板状の金属板などでバンプ106の接続面を押えることにより、高さを揃え、かつバンプ106の接続面が導電性ワイヤと電気的に接続しやすいように平坦化されていてもよい。 At this time, as shown in FIG. 5B, bumps 106 are arranged on the electrode portions 104 on the outer peripheral side of the peripheral circuit region 103. The bump 106 may be formed by a wire bonder using a conductive wire, for example. Further, the connection surface of the bump 106 is pressed by a plate-shaped metal plate or the like after the bump 106 is formed. This plate-shaped metal plate has an opening larger than the size of the optical member 108 constituted by the lens portion. In this way, by pressing the connection surface of the bump 106 with a plate-shaped metal plate or the like, the height is made uniform and the connection surface of the bump 106 is flattened so as to be easily electrically connected to the conductive wire. Also good.
図5(c)に示すように、レンズ部で構成される光学部材108の側面領域に、遮光性を有する金属や樹脂材料を用いて形成された遮光膜109を予め有している。しかも、少なくとも撮像領域102を覆う形状の光学部材108を準備する。 As shown in FIG. 5C, a light-shielding film 109 formed in advance using a light-shielding metal or resin material is provided in advance in the side surface region of the optical member 108 formed of a lens portion. In addition, an optical member 108 having a shape that covers at least the imaging region 102 is prepared.
次に、図5(d)に示すように、各半導体素子107のマイクロレンズ105上およびその周辺の周辺回路領域103上を覆うように、紫外線硬化型の透明接着部材110を塗布する。この透明接着部材110は、例えば描画方式、印刷方式またはスタンピング方式などにより塗布することができる。 Next, as shown in FIG. 5D, an ultraviolet curable transparent adhesive member 110 is applied so as to cover the microlens 105 of each semiconductor element 107 and the peripheral circuit region 103 around it. The transparent adhesive member 110 can be applied by, for example, a drawing method, a printing method, a stamping method, or the like.
さらに、図5(e)に示すように、透明接着部材110が塗布された撮像領域102に対して、レンズ部で構成される光学部材108の位置合せを行う。その後、光学部材108の上面と、撮像領域102の上面との平行度を維持しながら、光学部材108の上面から加圧する。つぎに、透明接着部材110が硬化する波長の紫外線を、矢印111に示すように光学部材108の上面側へ照射する。これによって、撮像領域102と光学部材108とが透明接着部材110で接着される。この結果、半導体素子107上に光学部材108が接着された半導体撮像素子100Aが得られる。 Further, as shown in FIG. 5E, the optical member 108 formed of a lens portion is aligned with the imaging region 102 to which the transparent adhesive member 110 is applied. Thereafter, pressure is applied from the upper surface of the optical member 108 while maintaining parallelism between the upper surface of the optical member 108 and the upper surface of the imaging region 102. Next, ultraviolet light having a wavelength that cures the transparent adhesive member 110 is irradiated to the upper surface side of the optical member 108 as indicated by an arrow 111. As a result, the imaging region 102 and the optical member 108 are bonded by the transparent adhesive member 110. As a result, a semiconductor imaging element 100A in which the optical member 108 is bonded onto the semiconductor element 107 is obtained.
上記のようにして製造された、半導体ウェハ状の複数の半導体撮像素子100Aの隣接の半導体素子107間をダイシングする。このダイシングによって、図5(e)に示すような各半導体撮像素子100Aを得ることができる。これによって、光学部材108を透明接着部材110で半導体素子107のマイクロレンズ105上に直接に接着することにより、薄型化が実現できる。このとき、透明接着部材110が周辺回路領域103上に流れても、電極部104上にバンプ106が接続されているため、問題なく、透明接着部材110の表面101aよりもバンプ106が高く形成されている。このため、導電性ワイヤの不着の可能性もなく高信頼性が実現できる。しかも、光学部材108の接着工程の前に電極部104にバンプ106を形成しておくだけでよい。このため、量産性を妨げることなく、生産性も高い。 Dicing is performed between adjacent semiconductor elements 107 of a plurality of semiconductor imaging elements 100A in the form of a semiconductor wafer manufactured as described above. By this dicing, each semiconductor image sensor 100A as shown in FIG. 5E can be obtained. As a result, the optical member 108 can be directly adhered onto the microlens 105 of the semiconductor element 107 with the transparent adhesive member 110, thereby realizing a reduction in thickness. At this time, even if the transparent adhesive member 110 flows on the peripheral circuit region 103, the bump 106 is connected to the electrode portion 104, so that the bump 106 is formed higher than the surface 101 a of the transparent adhesive member 110 without any problem. ing. For this reason, high reliability can be realized without the possibility of non-bonding of the conductive wires. Moreover, it is only necessary to form the bump 106 on the electrode portion 104 before the bonding step of the optical member 108. For this reason, productivity is also high, without disturbing mass productivity.
その後、図6に示すように、透明接着部材110の露出領域110aおよび光学部材108の側面領域108aを含む遮光部材112をさらに備えている。遮光部材112は、周辺回路領域103面上で電極部104およびバンプ106を開口するように形成されている。なお、この場合の遮光部材112の表面112aがバンプ106の先端部の接続面106aよりも低くなるように遮光部材112が塗布されている。 Thereafter, as shown in FIG. 6, a light shielding member 112 including an exposed region 110 a of the transparent adhesive member 110 and a side region 108 a of the optical member 108 is further provided. The light shielding member 112 is formed so as to open the electrode portion 104 and the bump 106 on the surface of the peripheral circuit region 103. In this case, the light shielding member 112 is applied so that the surface 112 a of the light shielding member 112 is lower than the connection surface 106 a at the tip of the bump 106.
次に、従来のセンサモジュールにおける遮光加工として遮光ブロックを積み上げる加工方法について図7および図8に示している。 Next, FIGS. 7 and 8 show a processing method for stacking the light shielding blocks as the light shielding processing in the conventional sensor module.
図7は、特許文献2の従来の複眼撮像装置の組立て時の状態を示す分解斜視図、図8は、図7の複眼撮像装置200の光学レンズアレイを保持したホルダ部材と遮光ブロック部分の縦断面図である。 FIG. 7 is an exploded perspective view showing a state of assembling the conventional compound-eye imaging device of Patent Document 2, and FIG. 8 is a longitudinal section of a holder member holding the optical lens array of the compound-eye imaging device 200 of FIG. FIG.
図7および図8において、従来の複眼撮像装置200は、光学レンズアレイ203と、ホルダ部材204と、受光素子アレイ205と、遮光ブロック206と、枠部材207とを備えている。光学レンズアレイ203は、光軸Lが互いに平行である3行3列の9個の光学レンズ201が1枚の透明基板202の下面に片凸レンズとして一体的に形成されている。ホルダ部材204は、この光学レンズアレイ203を上下から挟込むようにして保持する。受光素子アレイ205は、この光学レンズアレイ203の下方に配置され、各光学レンズ201によってそれぞれ形成される9個の像を撮像する。遮光ブロック206は、光学レンズアレイ203と受光素子アレイ205との間に配置され、各光学レンズ201から出射する光が互いに干渉しないように光学レンズアレイ203と受光素子アレイ205との間の空間を光軸Lに直交する面上において区画する。枠部材207は、この遮光ブロック206と受光素子アレイ205との間に配置され、受光素子アレイ205の周囲を額縁状に取囲んで受光素子アレイ205に遮光ブロック206が当たらないように設置するためのスペーサである。 7 and 8, the conventional compound-eye imaging apparatus 200 includes an optical lens array 203, a holder member 204, a light receiving element array 205, a light shielding block 206, and a frame member 207. In the optical lens array 203, nine optical lenses 201 in three rows and three columns whose optical axes L are parallel to each other are integrally formed on the lower surface of one transparent substrate 202 as a single convex lens. The holder member 204 holds the optical lens array 203 so as to be sandwiched from above and below. The light receiving element array 205 is arranged below the optical lens array 203 and picks up nine images respectively formed by the optical lenses 201. The light blocking block 206 is disposed between the optical lens array 203 and the light receiving element array 205, and a space between the optical lens array 203 and the light receiving element array 205 is provided so that the light emitted from each optical lens 201 does not interfere with each other. Partition on a plane orthogonal to the optical axis L. The frame member 207 is disposed between the light-blocking block 206 and the light-receiving element array 205. The frame member 207 surrounds the light-receiving element array 205 in a frame shape so that the light-blocking block 206 does not hit the light-receiving element array 205. Spacer.
ホルダ部材204は、上板部材204aと、光学レンズアレイ203の縁部が嵌合される溝が形成された下枠部材204bとから構成されている。この上板部材204aは、光学レンズ201に対応する9箇所の位置に所定の大きさの絞り開口204cが形成されることにより、光学レンズ201への不要な外光入射を遮断する絞り部材として構成されている。 The holder member 204 includes an upper plate member 204a and a lower frame member 204b in which a groove into which an edge of the optical lens array 203 is fitted is formed. The upper plate member 204 a is configured as a diaphragm member that blocks unnecessary external light from entering the optical lens 201 by forming diaphragm openings 204 c of a predetermined size at nine positions corresponding to the optical lens 201. Has been.
遮光ブロック206は、厚みが120μmの板金製単位プレートPaが6枚積層され、さらにその上に厚みが80μmの板金製単位プレートPbが2枚積層されて構成されている。つまり、厚みの異なった2種類の単位プレートPa、Pbが8枚積層される。これによって、トータル880μmの厚みの遮光ブロック206が形成される。この遮光ブロック206の厚みに、受光素子アレイ205を囲む枠部材207と光学レンズアレイ203のホルダ部材204が寄与する厚み部分が加算された長さが光学レンズ201の光学長に等しくなるように構成されている。 The light shielding block 206 is configured by stacking six sheet metal unit plates Pa having a thickness of 120 μm and further stacking two sheet metal unit plates Pb having a thickness of 80 μm thereon. That is, eight types of unit plates Pa and Pb having different thicknesses are stacked. As a result, a light blocking block 206 having a total thickness of 880 μm is formed. The length obtained by adding the thickness portion contributed by the frame member 207 surrounding the light receiving element array 205 and the holder member 204 of the optical lens array 203 to the thickness of the light blocking block 206 is equal to the optical length of the optical lens 201. Has been.
次に、従来の密着型イメージセンサにおける電磁シールドの作成方法について、特許文献3に示されている。 Next, Patent Document 3 discloses a method for creating an electromagnetic shield in a conventional contact image sensor.
図9は、従来の密着型イメージセンサにおける電磁シールドの形成方法の一例を示す要部縦断面図である。 FIG. 9 is a longitudinal sectional view of an essential part showing an example of a method for forming an electromagnetic shield in a conventional contact image sensor.
図9に示すように、この密着型イメージセンサ300は、イメージセンサチップ303と、光源となるLED302と、それらを実装する基板304と、光源の光を原稿310まで導く導光板305と、原稿310からの反射光をイメージセンサチップ303上の受光素子に集光するレンズ306と、上記部品を収めるケーシング301と、ケーシング301に取り付けられ導光板305やレンズ306を支えるガラスカバー307と、このガラスカバー307の表面に形成された酸化インジウム薄膜などの酸化物透明導電性薄膜308と、この酸化物透明導電性薄膜308とイメージセンサチップ303を実装した基板304のGNDとを接続する導電性バネなどの導電体309とを備えている。 As shown in FIG. 9, the contact image sensor 300 includes an image sensor chip 303, an LED 302 serving as a light source, a substrate 304 for mounting them, a light guide plate 305 that guides light from the light source to the document 310, and a document 310. A lens 306 for condensing the reflected light from the light receiving element on the image sensor chip 303, a casing 301 for housing the above components, a glass cover 307 attached to the casing 301 and supporting the light guide plate 305 and the lens 306, and the glass cover An oxide transparent conductive thin film 308 such as an indium oxide thin film formed on the surface of 307 and a conductive spring that connects the oxide transparent conductive thin film 308 and the GND of the substrate 304 on which the image sensor chip 303 is mounted. And a conductor 309.
このイメージセンサチップ303は、基板304に接続される。基板304は導電性のばねなどの導電体309によって、表面側の導電膜308と接続することにより、電シールドが形成される。このような従来の方法では、基板304、ケーシング301、導電性ばねなどの導電体309を組み立てる必要があり、体積の増加、部品の増加、製造工程の増加となり、低コスト、小サイズモジュールの実現の大きな障害となっている。 The image sensor chip 303 is connected to the substrate 304. The substrate 304 is connected to the conductive film 308 on the surface side by a conductor 309 such as a conductive spring, whereby an electric shield is formed. In such a conventional method, it is necessary to assemble the conductor 309 such as the substrate 304, the casing 301, and the conductive spring, which results in an increase in volume, an increase in parts, and an increase in manufacturing processes, thereby realizing a low cost and small size module. Has become a major obstacle.
前述したように、特許文献1では、センサチップの撮像領域102上に、側面に遮光膜109として遮光材料がコーティングされた光学素子としてのレンズやリッドガラスなどの光学部材108を配置している。その後、光学部材108の周囲にも遮光部材112を塗
布している。また、前述したように、特許文献2では、光学レンズアレイ203と受光素子アレイ205との間に、その周囲を遮光するための遮光ブロック206を積み上げて遮光している。さらに、前述したように、特許文献3では、電磁シールドの形成のために、基板304、導電体309、導電膜のついたガラスカバー307、ケーシング301など、多くの部品を準備し、個片の組み立てを実施している。
As described above, in Patent Document 1, an optical member 108 such as a lens or a lid glass as an optical element having a light shielding material coated as a light shielding film 109 on its side surface is disposed on the imaging region 102 of the sensor chip. Thereafter, the light shielding member 112 is also applied around the optical member 108. Further, as described above, in Patent Document 2, a light shielding block 206 for shielding light around the optical lens array 203 and the light receiving element array 205 is stacked to shield the light. Furthermore, as described above, in Patent Document 3, many components such as a substrate 304, a conductor 309, a glass cover 307 with a conductive film, and a casing 301 are prepared for forming an electromagnetic shield. Assembly is carried out.
上記従来の遮光構成では、特許文献1のように遮光が半導体基板101の表面のみに実施されており、半導体基板101の側面には遮光を形成することができない。また、特許文献2のように、遮光構造を実現するするために遮光ブロック206を別途必要としている。また、周囲に遮光ブロック206を被せるためにスペースも必要となり、モジュールサイズが大きくなるという問題を有している。しかも、これらの処理は個片処理であり、生産効率が非常に悪い。さらに、特許文献3のように、基板304への実装、部品の追加、個片組立が必要であり、コストがアップすると共に、生産効率が非常に悪いという問題を有している。 In the conventional light shielding configuration, the light shielding is performed only on the surface of the semiconductor substrate 101 as in Patent Document 1, and the light shielding cannot be formed on the side surface of the semiconductor substrate 101. Further, as in Patent Document 2, a light shielding block 206 is separately required to realize a light shielding structure. In addition, a space is required to cover the light shielding block 206 around the periphery, and there is a problem that the module size increases. Moreover, these processes are individual piece processes, and the production efficiency is very poor. Further, as in Patent Document 3, mounting on the board 304, addition of parts, and assembly of individual pieces are necessary, which increases the cost and has a problem of very poor production efficiency.
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、従来のように、遮光加工工程を分離して行うことなく、また、遮光構造を実現するために遮光ブロックを別途必要とすることもなく、一括して遮光材料を配置して、一括して必要箇所を切断して個片化することにより、遮光構造を容易かつ素早く配置でき、かつ別基板、別部品の必要がなく、電磁シールド形成可能な生産効率の高い電子素子モジュールおよびその製造方法、この電子素子モジュールがウエハ状に複数配設された電子素子ウエハモジュールおよびその製造方法、この電子素子モジュールを画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばカメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器を提供することを目的とする。 The present invention solves the above-mentioned conventional problems, without performing the light shielding processing step separately as in the prior art, and without separately requiring a light shielding block to realize a light shielding structure, By arranging the light shielding material in a lump, and cutting the necessary parts in a lump into pieces, the light shielding structure can be easily and quickly arranged, and an electromagnetic shield can be formed without the need for a separate board or parts. Electronic device module with high production efficiency and manufacturing method thereof, electronic device wafer module in which a plurality of electronic device modules are arranged in a wafer shape and manufacturing method thereof, and using the electronic device module as an image input device for an imaging unit, for example An object of the present invention is to provide an electronic information device such as a mobile phone device with a camera.
本発明の電子素子ウエハモジュールの製造方法は、複数の開口部がマトリクス状に形成された遮光基板を所定位置に設置する工程と、電子素子上に光学素子が積層された各電子素子ユニットを、該複数の開口部にそれぞれ該光学素子の光学領域を位置合わせした状態で、該遮光基板上に固定する工程と、該遮光基板上に固定された複数の電子素子ユニットを金型内に固定し、隣接する電子素子ユニットの隙間内で該遮光基板上に遮光性樹脂材料を充填して電子素子ウエハモジュールを形成する工程とを有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。 The method of manufacturing an electronic element wafer module of the present invention includes a step of installing a light shielding substrate having a plurality of openings formed in a matrix at predetermined positions, and each electronic element unit in which an optical element is stacked on the electronic element. The step of fixing on the light shielding substrate with the optical regions of the optical elements aligned with the plurality of openings, respectively, and fixing the plurality of electronic element units fixed on the light shielding substrate in the mold And a step of filling the light-shielding substrate with a light-shielding resin material in a gap between adjacent electronic element units to form an electronic element wafer module, whereby the above object is achieved.
また、好ましくは、本発明の電子素子ウエハモジュールの製造方法における電子素子ユニットは、前記電子素子が表面中央部に形成され、外部接続端子が裏面に形成された電子素子基板と、該電子素子の周囲の該電子素子基板上に形成された樹脂接着層と、該樹脂接着層および該電子素子上を覆う透明支持基板と、該透明支持基板上に、該電子素子と対応して設けられた前記光学素子とを有している。 Preferably, in the electronic element unit in the method for manufacturing an electronic element wafer module of the present invention, an electronic element substrate in which the electronic element is formed in the center of the surface and an external connection terminal is formed on the back surface, and the electronic element A resin adhesive layer formed on the surrounding electronic element substrate, a transparent support substrate covering the resin adhesive layer and the electronic element, and the transparent support substrate provided in correspondence with the electronic element And an optical element.
さらに、好ましくは、本発明の電子素子ウエハモジュールの製造方法における金型は、前記外部接続端子に接触せず、前記電子素子ユニットの裏面にある該外部接続端子の周囲の外周端縁部を押さえる凹部およびその周辺部を有している。 Still preferably, in a method for manufacturing an electronic element wafer module according to the present invention, the mold does not contact the external connection terminal, and presses an outer peripheral edge around the external connection terminal on the back surface of the electronic element unit. It has a recess and its periphery.
さらに、好ましくは、本発明の電子素子ウエハモジュールの製造方法における凹部およびその周辺部の表面には耐熱樹脂膜が形成されている。 Further preferably, a heat-resistant resin film is formed on the surface of the concave portion and its peripheral portion in the method for manufacturing an electronic element wafer module of the present invention.
さらに、好ましくは、本発明の電子素子ウエハモジュールの製造方法における隣接する電子素子ユニットの隙間は、100〜300マイクロミリである。 Further preferably, the gap between adjacent electronic element units in the method for manufacturing an electronic element wafer module of the present invention is 100 to 300 μm.
さらに、好ましくは、本発明の電子素子ウエハモジュールの製造方法における遮光基板
および前記遮光樹脂は共に導電性機能を有している。
Further preferably, both the light-shielding substrate and the light-shielding resin in the method for producing an electronic element wafer module of the present invention have a conductive function.
さらに、好ましくは、本発明の電子素子ウエハモジュールの製造方法における遮光基板は、遮光樹脂シートまたは遮光樹脂板である。 Still preferably, in a method for manufacturing an electronic element wafer module according to the present invention, the light shielding substrate is a light shielding resin sheet or a light shielding resin plate.
さらに、好ましくは、本発明の電子素子ウエハモジュールの製造方法における複数の開口部のそれぞれと前記光学素子の光学領域との位置合わせは、該開口部の円形中心と該光学領域の円形中心とを一致させるように位置合わせする。 Further preferably, in the method of manufacturing an electronic element wafer module according to the present invention, the alignment of each of the plurality of openings and the optical region of the optical element is performed by using a circular center of the opening and a circular center of the optical region. Align to match.
本発明の電子素子モジュールの製造方法は、本発明の上記電子素子ウエハモジュールの製造方法により製造された電子素子ウエハモジュールであって、前記金型から取り出された電子素子ウエハモジュールの隣接電子素子ユニット間に充填された遮光樹脂の幅方向中央線上をダイシングして、該電子素子ユニットの側面に該遮光樹脂が残るように、該電子素子ユニットの一または複数毎に個片化する個片化工程を有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。 An electronic element module manufacturing method of the present invention is an electronic element wafer module manufactured by the above-described electronic element wafer module manufacturing method of the present invention, and is an adjacent electronic element unit of the electronic element wafer module taken out from the mold. A dicing step for dicing each one or more of the electronic element units so that the light shielding resin remains on the side surface of the electronic element unit by dicing the width direction center line of the light shielding resin filled in between This achieves the above object.
また、好ましくは、本発明の電子素子モジュールの製造方法における個片化工程で残す遮光樹脂の膜厚は、100マイクロミリ±20マイクロミリである。 Preferably, the thickness of the light-shielding resin left in the separation step in the method for manufacturing an electronic element module of the present invention is 100 μm ± 20 μm.
さらに、好ましくは、本発明の電子素子モジュールの製造方法における遮光樹脂の側面は、ダイシングされた切断跡が残されて表面が凹凸状になっている。 Further preferably, the side surface of the light-shielding resin in the method for manufacturing an electronic element module of the present invention has a concavo-convex surface with a diced cut mark remaining.
本発明の電子素子ウエハモジュールは、電子素子が表面中央部に設けられ、外部接続端子が裏面に設けられた電子素子基板と、該電子素子の周囲の該電子素子基板上に形成された樹脂接着層と、該樹脂接着層および該電子素子上を覆う透明支持基板と、該透明支持基板上に該電子素子と対応して設けられた光学素子とを有する複数の電子素子ユニットが、開口部以外の光学素子表面を遮光する遮光基板の複数の開口部にそれぞれ該光学素子の光学領域を位置合わせした状態で、該遮光基板上に固定されており、隣接する電子素子ユニットの隙間内で該遮光基板上に遮光性樹脂が充填されているものであり、そのことにより上記目的が達成される。 The electronic element wafer module of the present invention includes an electronic element substrate in which an electronic element is provided in the center of the front surface and an external connection terminal is provided on the back surface, and a resin adhesive formed on the electronic element substrate around the electronic element. A plurality of electronic element units each including a layer, a transparent support substrate covering the resin adhesive layer and the electronic element, and an optical element provided on the transparent support substrate corresponding to the electronic element The optical elements are fixed on the light-shielding substrate in a state where the optical regions of the optical elements are aligned with the plurality of openings of the light-shielding substrate that shields the surface of the optical element, and the light-shielding substrate is disposed within the gap between adjacent electronic element units. The substrate is filled with a light-shielding resin, thereby achieving the above object.
本発明の電子素子モジュールは、本発明の上記電子素子モジュールの製造方法によって製造された電子素子モジュールであって、電子素子が表面中央部に設けられ、外部接続端子が裏面に設けられた電子素子基板と、該電子素子の周囲の該電子素子基板上に形成された樹脂接着層と、該樹脂接着層および該電子素子上を覆う透明支持基板と、該透明支持基板上に該電子素子と対応して設けられた光学素子と、該光学素子の光学領域が開口した開口部以外の光学素子表面を遮光する遮光基板とが積層された電子素子モジュールにおいて、該電子素子基板側面、該樹脂接着層の側面、該透明支持基板の側面および該光学素子の側面を覆って遮光する遮光樹脂が残っているものであり、そのことにより上記目的が達成される。 The electronic element module of the present invention is an electronic element module manufactured by the above-described method for manufacturing an electronic element module of the present invention, wherein the electronic element is provided in the center of the surface and the external connection terminal is provided on the back surface. A substrate, a resin adhesive layer formed on the electronic element substrate around the electronic element, a transparent support substrate covering the resin adhesive layer and the electronic element, and the electronic element on the transparent support substrate In an electronic element module in which an optical element provided and a light-shielding substrate that shields the surface of an optical element other than an opening in which an optical region of the optical element is opened are laminated, the side surface of the electronic element substrate, the resin adhesive layer In other words, the light shielding resin that covers the side surface of the transparent support substrate and the side surface of the transparent supporting substrate and shields the side surface of the optical element remains, thereby achieving the above object.
また、好ましくは、本発明の電子素子モジュールにおける遮光樹脂の膜厚は、100マイクロミリ±20マイクロミリである。 Preferably, the thickness of the light shielding resin in the electronic element module of the present invention is 100 μm ± 20 μm.
さらに、好ましくは、本発明の電子素子モジュールにおける遮光樹脂の側面は切断跡が残されて表面が凹凸状である。 Further preferably, the side surface of the light shielding resin in the electronic element module of the present invention has a cut mark and the surface is uneven.
さらに、好ましくは、本発明の電子素子モジュールにおける遮光樹脂の切断側面はグランド電位である。 Further preferably, the cut side surface of the light shielding resin in the electronic element module of the present invention is a ground potential.
さらに、好ましくは、本発明の電子素子モジュールにおいて、前記遮光基板および前記遮光樹脂は共に導電性機能を有している。 Further preferably, in the electronic element module of the present invention, both the light shielding substrate and the light shielding resin have a conductive function.
さらに、好ましくは、本発明の電子素子モジュールにおける電子素子は、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の受光部を有する撮像素子である。 Further preferably, the electronic element in the electronic element module according to the present invention is an image pickup element having a plurality of light receiving sections that perform image conversion by photoelectrically converting image light from a subject.
さらに、好ましくは、本発明の電子素子モジュールにおける光学素子は、前記電子素子に入射光を集光させる集光レンズを含む。 Further preferably, the optical element in the electronic element module of the present invention includes a condenser lens for condensing incident light on the electronic element.
さらに、好ましくは、本発明の電子素子モジュールにおける電子素子は、出射光を発生させるための発光素子および入射光を受光するための受光素子を有している。 Further preferably, the electronic element in the electronic element module of the present invention has a light emitting element for generating outgoing light and a light receiving element for receiving incident light.
さらに、好ましくは、本発明の電子素子モジュールにおける光学素子は、前記発光素子からの出射光を直進させて出射させると共に、入射光を曲げて前記受光素子に入射させる光学機能素子である。 Further preferably, the optical element in the electronic element module of the present invention is an optical functional element that causes the emitted light from the light emitting element to go straight and emit, and bends the incident light to enter the light receiving element.
さらに、好ましくは、本発明の電子素子モジュールにおける光学素子は、前記中央部の光学領域としてレンズ領域が設けられ、該レンズ領域の外周側に所定厚さを持つスペーサ部が重ね合わせ部として設けられている。 Further preferably, in the optical element in the electronic element module of the present invention, a lens region is provided as the optical region in the central portion, and a spacer portion having a predetermined thickness is provided as an overlapping portion on the outer peripheral side of the lens region. ing.
本発明の電子情報機器は、本発明の上記電子素子モジュールからの撮像信号を所定の信号処理をしてカラー画像信号を得る固体撮像装置を画像入力デバイスとして撮像部に用いたものであり、そのことにより上記目的が達成される。 The electronic information device of the present invention uses a solid-state imaging device that obtains a color image signal by performing predetermined signal processing on the imaging signal from the electronic element module of the present invention as an image input device in an imaging unit. This achieves the above object.
本発明の電子情報機器は、本発明の上記電子素子モジュールを情報記録再生部に用いたものであり、そのことにより上記目的が達成される。 An electronic information device according to the present invention uses the electronic element module according to the present invention as an information recording / reproducing unit, thereby achieving the above object.
上記構成により、以下、本発明の作用を説明する。 With the above configuration, the operation of the present invention will be described below.
本発明の電子素子モジュールの製造方法においては、複数の開口部がマトリクス状に形成された遮光基板を所定位置に設置する工程と、電子素子上に光学素子が積層された各電子素子ユニットを、該複数の開口部にそれぞれ該光学素子の光学領域を位置合わせした状態で該遮光基板上に固定する工程と、該遮光基板上に固定された複数の電子素子ユニットを金型の所定位置に固定し、隣接する電子素子ユニットの隙間内で該遮光基板上に遮光性樹脂材料を充填して電子素子ウエハモジュールを得る工程と、該金型から取り出された電子素子ウエハモジュールの各電子素子ユニットの周囲に充填された遮光樹脂の幅方向中央部をダイシングして、該各電子素子ユニットの側面に該遮光樹脂が残るように、該電子素子ユニットの一または複数毎に個片化する個片化工程を有している。 In the method for manufacturing an electronic element module of the present invention, a step of installing a light shielding substrate having a plurality of openings formed in a matrix at predetermined positions, and each electronic element unit in which an optical element is laminated on the electronic element, A step of fixing the optical regions of the optical elements to the plurality of openings in a state of being aligned with the light shielding substrate, and fixing a plurality of electronic element units fixed on the light shielding substrate to predetermined positions of the mold. A step of filling the light-shielding substrate with a light-shielding resin material in a gap between adjacent electronic element units to obtain an electronic element wafer module; and each electronic element unit of the electronic element wafer module taken out from the mold Each of the electronic element units is diced so that the light shielding resin remains on the side surface of each electronic element unit by dicing the width direction central portion of the light shielding resin filled in the periphery. And a fragmented singulation process.
このような電子素子モジュールの製造方法によって製造された電子素子モジュールは、電子素子が表面中央部に設けられ貫通電極が裏面周囲に設けられた電子素子基板と、電子素子の周囲上に形成された樹脂接着層と、樹脂接着層および電子素子上を覆う透明支持基板と、透明支持基板上に電子素子と対応して設けられた光学素子と、光学素子の光学領域が開口した開口部以外の光学素子表面を遮光する遮光基板とが積層された電子素子モジュールであって、電子素子基板側面、樹脂接着層の側面、透明支持基板の側面および光学素子の側面を覆って遮光する遮光樹脂が切断後に残っている。 An electronic element module manufactured by such an electronic element module manufacturing method is formed on the periphery of the electronic element, the electronic element substrate in which the electronic element is provided in the center of the front surface, and the through electrode is provided around the back surface. A resin adhesive layer, a transparent support substrate covering the resin adhesive layer and the electronic element, an optical element provided in correspondence with the electronic element on the transparent support substrate, and an optical element other than the opening in which the optical area of the optical element is opened An electronic element module in which a light shielding substrate that shields the element surface is laminated, and the light shielding resin that shields light by covering the side surface of the electronic element substrate, the side surface of the resin adhesive layer, the side surface of the transparent support substrate, and the side surface of the optical element is cut. Remaining.
このように、金型を用いて、複数の電子素子ユニットに対してその側面を覆うための遮光樹脂材料を一括して、隣接電子素子ユニット間に充填し、一括して個片化するので、従来のように、遮光加工工程を分離して行うことなく、また、遮光構造を実現するために遮
光ブロックを別途必要とすることもなく、一括して遮光材料を配置して、一括して必要箇所を切断して個片化することにより、遮光構造を容易かつ素早く配置でき、かつ別基板、別部品の必要がなく、電磁シールドも形成可能で、生産効率が大幅に高い。
In this way, using a mold, the light-shielding resin material for covering the side surfaces of a plurality of electronic element units is collectively packed between adjacent electronic element units, and is batched into individual pieces. As in the past, without the need for separate light-blocking processing steps, and without the need for a separate light-blocking block to realize a light-blocking structure, the light-blocking material is placed in a lump and is collectively required. By cutting the parts into pieces, the light shielding structure can be easily and quickly arranged, and there is no need for a separate substrate or separate parts, and an electromagnetic shield can be formed, resulting in significantly higher production efficiency.
以上により、本発明によれば、金型を用いて、複数の電子素子ユニットに対してその側面を覆うための遮光樹脂材料を一括して、隣接電子素子ユニット間に充填し、一括して個片化するため、従来のように、遮光処理をするのに個片毎に行う必要はなく、また、遮光構造を実現するために遮光ブロックの必要もなく、さらに、電磁シールド機能のために、従来のように、基板実装、部品組み立てをする必要もなく、遮光樹脂材料に導電性機能を持たせるだけで電磁シールド機能を得ることができ、遮光、電磁シールド構造を容易かつ素早く得ることができて、生産効率を大幅に向上させることができる。 As described above, according to the present invention, by using a mold, a light shielding resin material for covering the side surfaces of a plurality of electronic element units is collectively packed between adjacent electronic element units. In order to divide into pieces, it is not necessary to perform the light shielding process for each individual piece as in the prior art, and there is no need for a light shielding block to realize the light shielding structure, and for the electromagnetic shielding function, There is no need for board mounting and parts assembly as in the past, and the electromagnetic shielding function can be obtained simply by providing the light shielding resin material with a conductive function, and the light shielding and electromagnetic shielding structure can be obtained easily and quickly. Production efficiency can be greatly improved.
以下に、本発明の電子素子ウエハモジュールの製造方法により製造された電子素子ウエハモジュールから一括切断して得られる本発明の電子素子モジュールおよびその製造方法の実施形態1および、この電子素子モジュールの実施形態1を画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばカメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器の実施形態2について図面を参照しながら詳細に説明する。 Embodiment 1 of an electronic element module of the present invention obtained by batch cutting from an electronic element wafer module produced by the method of producing an electronic element wafer module of the present invention, and a method for producing the same, and implementation of this electronic element module Embodiment 2 of an electronic information device such as a mobile phone device with a camera using the form 1 as an image input device for an imaging unit will be described in detail with reference to the drawings.
(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態1における電子素子ウエハモジュールの構成例を示す要部断面図である。ここでは、二つの電子素子モジュールを示しているが、マトリクス状に多数の電子素子モジュールがウエハ状に配列されている。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a cross-sectional view of an essential part showing a configuration example of an electronic element wafer module according to Embodiment 1 of the present invention. Here, although two electronic element modules are shown, a large number of electronic element modules are arranged in a matrix in a matrix.
図1において、本実施形態1の電子素子ウエハモジュールとしてのセンサウエハモジュール1は、複数の画素に対応した各光電変換部(フォトダイオード)である複数の受光部からなる撮像素子2(センサチップ)が電子素子としてその中央部に設けられ、貫通孔3aが表面と裏面間に設けられて導通した電子素子基板としての撮像素子基板3と、この撮像素子基板3の撮像素子2の周囲上に形成された樹脂接着層4と、この樹脂接着層4および撮像素子2上を覆う透明支持基板としてのカバーガラス5と、このカバーガラス5上に設けられ、撮像素子2に入射光を集光させるための光学素子としての一または複数のレンズ板が積層されたレンズモジュール6(1枚のレンズ板の場合を含む)と、レンズモジュール6の平面視中央部のレンズ領域6aが開口した円形開口部7a(光入射穴)以外の表面部分を遮光する遮光・導電性基板7と、これらの撮像素子基板3の側面3b、樹脂接着層4の側面4b、カバーガラス5の側面5bおよびレンズモジュール6の側面6bを覆って遮光する遮光導電性樹脂8とを有している。 In FIG. 1, a sensor wafer module 1 as an electronic element wafer module according to the first embodiment includes an imaging element 2 (sensor chip) including a plurality of light receiving units that are photoelectric conversion units (photodiodes) corresponding to a plurality of pixels. Is formed in the center part as an electronic element, and a through-hole 3a is provided between the front surface and the back surface, and is formed on the periphery of the imaging element 2 of the imaging element substrate 3 as a conductive electronic element substrate. The resin adhesive layer 4 formed, a cover glass 5 as a transparent support substrate covering the resin adhesive layer 4 and the image pickup device 2, and a cover glass 5 provided on the cover glass 5 for condensing incident light on the image pickup device 2. A lens module 6 (including the case of a single lens plate) in which one or a plurality of lens plates are stacked as an optical element, and a lens in the center of the lens module 6 in plan view The light-shielding / conductive substrate 7 that shields the surface portion other than the circular opening 7a (light incident hole) in which the region 6a is opened, the side surface 3b of the imaging element substrate 3, the side surface 4b of the resin adhesive layer 4, and the cover glass 5 The side surface 5b of the lens module 6 and the side surface 6b of the lens module 6 are shielded and light-shielding conductive resin 8 is provided.
電子素子ユニットとしてのカメラユニット11として、撮像素子基板3上に、カバーガラス5およびレンズモジュール6がこの順に互いにアライメント(位置合わせ)をとって樹脂接着層4などにより上下に貼り合わされている。したがって、センサウエハモジュール1は、遮光・導電性基板7上に、多数のカメラユニット11がマトリクス状に配置されて、それらの隙間に遮光導電性樹脂8が格子状に充填されている。 As a camera unit 11 as an electronic element unit, a cover glass 5 and a lens module 6 are aligned on each other in this order on the image pickup device substrate 3 and are bonded up and down by a resin adhesive layer 4 or the like. Therefore, in the sensor wafer module 1, a large number of camera units 11 are arranged in a matrix on the light-shielding / conductive substrate 7, and the light-shielding conductive resin 8 is filled in a gap between the camera units 11.
撮像素子基板3は、各表面側に、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の受光部を有する撮像素子2が配列されており、裏面から表面のパッド(電極パッド;貫通電極3d)下に貫通する複数の貫通孔3aが明けられている。この貫通孔3aの側壁と裏面側は絶縁膜で覆われており、電極パッドの貫通電極3dにコンタクトを持つ配線層が貫通孔3aを介して裏面まで形成されている。この配線層上および裏面には絶縁膜としてソルダーレジストが形成され、この配線層上に裏面の外部との外部接続端子である半田ボール3cが形成される部分はソルダーレジストが窓明けされて半田ボール3cが外部に露出している。 The image pickup device substrate 3 has an image pickup device 2 having a plurality of light receiving portions that photoelectrically convert image light from a subject on each surface side. ) A plurality of through holes 3a penetrating below are opened. A side wall and a back surface side of the through hole 3a are covered with an insulating film, and a wiring layer having a contact with the through electrode 3d of the electrode pad is formed to the back surface through the through hole 3a. Solder resist is formed as an insulating film on the wiring layer and on the back surface, and the solder resist 3 is opened on the portion where the solder ball 3c, which is an external connection terminal on the back surface, is formed on the wiring layer. 3c is exposed to the outside.
レンズモジュール6は、中央部に光学領域としての円形のレンズ領域6aが設けられ、このレンズ領域6aの外周側に所定厚さを持つスペーサ部が重ね合わせ部として設けられて、一または複数のレンズ板が積層されている。ここでは、1枚のレンズ板として、撮像素子2に入射光を集光させる集光レンズである。 The lens module 6 is provided with a circular lens region 6a as an optical region at the center, and a spacer portion having a predetermined thickness is provided as an overlapping portion on the outer peripheral side of the lens region 6a. Plates are stacked. Here, it is a condensing lens that condenses incident light on the image sensor 2 as a single lens plate.
遮光・導電性基板7は、樹脂製の遮光・導電性シートまたは遮光・導電性板で構成されており、複数の円形開口部7aがマトリクス状に配置されている。この円形開口部7aは、各撮像素子2にそれぞれ光を取り込むために開口している。遮光・導電性基板7は、レンズモジュール6のレンズ領域6aと円形開口部7aとが位置決めされて、遮光・導電性基板7上に複数のカメラユニット11がマトリクス状に配置される。 The light shielding / conductive substrate 7 is formed of a resin light shielding / conductive sheet or a light shielding / conductive plate, and a plurality of circular openings 7a are arranged in a matrix. The circular opening 7a is opened to take light into each imaging element 2. The light shielding / conductive substrate 7 has the lens region 6a and the circular opening 7a of the lens module 6 positioned, and a plurality of camera units 11 are arranged in a matrix on the light shielding / conductive substrate 7.
遮光導電性樹脂8は、撮像素子基板3の側面3b、樹脂接着層4の側面4b、カバーガラス5の側面5bおよびレンズモジュール6の側面6bに接して充填されており、遮光導電性樹脂8は撮像素子基板3の側面3bで電気的に導通している。したがって、遮光導電性樹脂8と接する領域はグランド電位とすることができる。これによって、カメラユニット11はその周囲(側面)を遮光導電性樹脂8で覆い、この遮光導電性樹脂8をグランド電位に接地すれば、遮光・導電性基板7および遮光導電性樹脂8の内部の撮像素子2に対して、外部からの電磁ノイズを遮断する電磁シールドの機能を実現することができる。 The light shielding conductive resin 8 is filled in contact with the side surface 3b of the image pickup device substrate 3, the side surface 4b of the resin adhesive layer 4, the side surface 5b of the cover glass 5, and the side surface 6b of the lens module 6. Electrical conduction is provided at the side surface 3b of the image pickup device substrate 3. Therefore, the region in contact with the light-shielding conductive resin 8 can be set to the ground potential. As a result, the camera unit 11 covers the periphery (side surface) with the light-shielding conductive resin 8 and grounds the light-shielding conductive resin 8 to the ground potential. It is possible to realize the function of an electromagnetic shield that blocks electromagnetic noise from the outside with respect to the image sensor 2.
図2(a)〜図2(c)は、本発明の実施形態1におけるセンサモジュール1Aの製造方法の各工程(その1)までの要部縦断面図であり、図3(a)〜図3(c)は、図2(
c)に続くセンサモジュールの製造方法の各工程(その2)までの要部縦断面図である。
2 (a) to 2 (c) are main part longitudinal sectional views up to each step (No. 1) of the manufacturing method of the sensor module 1A according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 3 (a) to FIG. 3 (c) is the same as FIG.
It is a principal part longitudinal cross-sectional view to each process (the 2) of the manufacturing method of the sensor module following c).
まず、図2(a)に示すように、穴周囲にテーパが付いた複数の円形開口部7aの表面が下側(裏面が上側)になるように遮光・導電性基板7を所定位置に設置する。この所定位置は、カメラユニット11をそれぞれ遮光・導電性基板7の円形開口部7aに対して位置合わせして載置するピックアップ装置のステージ上である。 First, as shown in FIG. 2 (a), the light-shielding / conductive substrate 7 is placed at a predetermined position so that the front surfaces of the plurality of circular openings 7a tapered around the hole are on the lower side (the back surface is the upper side). To do. This predetermined position is on the stage of the pickup device on which the camera unit 11 is placed in alignment with the circular opening 7 a of the light shielding / conductive substrate 7.
次に、図2(b)に示すように、遮光導電性基板2の円形開口部7aに中央のレンズ領域6a(凸レンズ)を位置合わせして、カメラユニット11を接着して固定する。即ち、遮光・導電性基板7の複数の円形開口部7aのそれぞれと、各カメラユニット11における円形凸状のレンズ領域6aとの位置合わせは、円形開口部7aの中心と円形凸状のレンズ領域6a中心とを一致させるように位置合わせする。 Next, as shown in FIG. 2B, the central lens region 6a (convex lens) is aligned with the circular opening 7a of the light-shielding conductive substrate 2, and the camera unit 11 is bonded and fixed. That is, the alignment of each of the plurality of circular openings 7a of the light-shielding / conductive substrate 7 and the circular convex lens region 6a in each camera unit 11 is performed by aligning the center of the circular opening 7a with the circular convex lens region. 6a is aligned so as to coincide with the center.
その後、図2(c)に示すように、遮光・導電性基板7の裏面上に複数のカメラユニット11がマトリクス状に設置された基板全体を金型20の内部の所定位置に設置する。金型20は、カメラユニット11の裏面部分11aの接続端子としての半田ボール3cが接触せず、カメラユニット11の貫通孔3aのさらに周辺部のみが金型20によって上から押さえられる凹構造(凹部およびその周辺部)になっている。また、金型20の上型21の凹構造の表面には、薄い耐熱樹脂21aが金型20のショット毎に自動的に貼り付けられる。この耐熱樹脂21aの上型の凹構造への貼り付けは、フィーダと巻き取り装置により耐熱樹脂21aを上型21の凹構造の下方位置に供給した後に、真空吸着により耐熱樹脂21aを上型21の下面に貼り付ける。 Thereafter, as shown in FIG. 2C, the entire substrate on which the plurality of camera units 11 are arranged in a matrix on the back surface of the light-shielding / conductive substrate 7 is placed at a predetermined position inside the mold 20. The mold 20 has a concave structure (recessed portion) in which the solder ball 3c as a connection terminal of the back surface portion 11a of the camera unit 11 is not in contact and only the peripheral portion of the through hole 3a of the camera unit 11 is pressed from above by the mold 20. And its surroundings). Further, a thin heat-resistant resin 21 a is automatically attached to the surface of the concave structure of the upper mold 21 of the mold 20 for each shot of the mold 20. The heat-resistant resin 21a is attached to the upper concave structure by supplying the heat-resistant resin 21a to the lower position of the concave structure of the upper mold 21 with a feeder and a winding device, and then attaching the heat-resistant resin 21a to the upper mold 21 by vacuum suction. Affix to the bottom surface.
この上型21内面に貼り付けられた耐熱樹脂21aが撮像素子基板3の端縁部を上から押圧することにより、後で、金型20を介して充填される遮光導電性樹脂8が、半田ボール3cのある凹部空間11bに侵入することを防止すると共に、金型表面に遮光導電性樹脂8が残留することを防止する効果も有している。これによって、遮光導電性樹脂8の表面と撮像素子基板3の表面が同じレベルかまたは、耐熱樹脂21aが凹む分だけわずかに撮像素子基板3の表面の方が高い位置になる。 The heat-resistant resin 21a affixed to the inner surface of the upper mold 21 presses the edge portion of the image pickup device substrate 3 from above, so that the light-shielding conductive resin 8 filled later through the mold 20 is soldered. In addition to preventing entry into the recessed space 11b where the balls 3c are located, it also has the effect of preventing the light-shielding conductive resin 8 from remaining on the mold surface. As a result, the surface of the light-shielding conductive resin 8 and the surface of the image pickup device substrate 3 are at the same level, or the surface of the image pickup device substrate 3 is slightly higher than the heat-resistant resin 21a is recessed.
続いて、図3(a)に示すように、隣接するカメラユニット11の間で遮光・導電性基板7の裏面上に遮光導電樹脂材料8aを充填する。このとき、遮光導電樹脂材料8aは、耐熱樹脂21aによって、カメラユニット11の裏面部分11aの半田ボール3cに回り込むことなく、撮像素子基板3の表面とほぼ同じ高さまで充填することが可能である。 Subsequently, as shown in FIG. 3A, a light-shielding conductive resin material 8 a is filled on the back surface of the light-shielding / conductive substrate 7 between adjacent camera units 11. At this time, the light-shielding conductive resin material 8a can be filled with the heat-resistant resin 21a to almost the same height as the surface of the image pickup device substrate 3 without going around the solder balls 3c on the back surface portion 11a of the camera unit 11.
次に、図3(b)に示すように、図1の電子素子ウエハモジュール1を金型20から取り出し、図3(c)に示すように、電子素子ウエハモジュール1の隣接カメラユニット11間の遮光導電性樹脂8をダイシングブレードやワイヤなどでダイシングすれば、個片の電子素子モジュールとしてのセンサモジュール1Aを製造することができる。 Next, as shown in FIG. 3B, the electronic element wafer module 1 of FIG. 1 is taken out from the mold 20, and between adjacent camera units 11 of the electronic element wafer module 1 as shown in FIG. If the light-shielding conductive resin 8 is diced with a dicing blade or a wire, the sensor module 1A as an individual electronic element module can be manufactured.
遮光導電性樹脂8は、隣接するカメラユニット11間に金型20により一括して平面視格子状に充填することが可能であり、また、遮光導電性樹脂8の幅方向中央部で一括切断して各センサモジュール1Aに個片化することが可能である。 The light-shielding conductive resin 8 can be filled in a lattice shape in plan view between the adjacent camera units 11 by the mold 20, and can be cut at a central portion in the width direction of the light-shielding conductive resin 8. The sensor modules 1A can be separated into individual pieces.
この場合、カメラユニット11毎に個片化するが、これに限らず、カメラユニット11の複数、例えばカメラユニット11の二つ毎に個片化してもよく、カメラユニット11の三つ毎に個片化してもよい。この個片化工程で残す遮光導電性樹脂8の膜厚は、100マイクロミリ±20マイクロミリにここでは設定するが、100マイクロミリ以上あれば遮光性に問題ない(上限値は300マイクロミリであってもよい)。これにより、隣接するカメラユニット11間の隙間は、遮光導電性樹脂8の膜厚が100マイクロミリ±20マ
イクロミリの場合に、100〜300マイクロミリ程度に設定している。このとき、遮光導電性樹脂8の側面は切断跡が残されて表面が凹凸状(細かくて目には凹凸は見えないが、この凹凸も遮光に寄与する)になっている。
In this case, each camera unit 11 is divided into pieces. However, the present invention is not limited to this, and a plurality of camera units 11, for example, every two camera units 11 may be divided into pieces. It may be separated. The film thickness of the light-shielding conductive resin 8 left in the individualization step is set here to 100 μm ± 20 μm, but if it is 100 μm or more, there is no problem with light shielding (the upper limit is 300 μm). May be). Thus, the gap between the adjacent camera units 11 is set to about 100 to 300 μm when the thickness of the light-shielding conductive resin 8 is 100 μm ± 20 μm. At this time, the side surface of the light-shielding conductive resin 8 is left with a cut mark, and the surface has an uneven shape (it is fine and the unevenness is not visible to the eyes, but this unevenness also contributes to light shielding).
したがって、本実施形態1の電子素子モジュールとしてのセンサモジュール1Aの製造方法は、複数の穴(円形開口部7a)がマトリクス状に縦方向および横方向で等間隔に形成された樹脂基板の遮光導電基板7を設置する工程と、この遮光・導電性基板7上に、各穴に凸状のレンズ領域6aを嵌め込んで位置合わせしてカメラユニット11を接着する工程と、遮光導電基板7上に接着固定されたカメラユニット11を金型20内に固定し、隣接するカメラユニット11間に導電性樹脂材料8aを充填する工程と、隣接するカメラユニット11間の遮光導電性樹脂8の幅方向中央線上をダイシングブレードにてダイシングして個片化する工程とを有しており、上面を覆う遮光・導電性基板7、および側面を覆う遮光導電性樹脂8により、遮光および電磁シールド構造が形成される。この遮光電磁シールド構造は、TSV(撮像素子基板3)の側面に遮光導電性樹脂8を接触させてカメラユニット11をグランド接地構造で覆うものである。 Therefore, in the manufacturing method of the sensor module 1A as the electronic element module according to the first embodiment, the light-shielding conduction of the resin substrate in which a plurality of holes (circular openings 7a) are formed in a matrix shape at equal intervals in the vertical direction and the horizontal direction. A step of installing the substrate 7, a step of fitting and aligning the convex lens region 6 a in each hole on the light shielding / conductive substrate 7, and adhering the camera unit 11; The process of fixing the adhesively fixed camera unit 11 in the mold 20 and filling the conductive resin material 8a between the adjacent camera units 11, and the center of the light-shielding conductive resin 8 in the width direction between the adjacent camera units 11 And a step of dicing into individual pieces with a dicing blade. The light shielding / conductive substrate 7 covering the upper surface and the light shielding conductive resin 8 covering the side surface shield the light. And electromagnetic shielding structure is formed. In this light shielding electromagnetic shield structure, the light shielding conductive resin 8 is brought into contact with the side surface of the TSV (imaging device substrate 3) to cover the camera unit 11 with a ground ground structure.
以上により、本実施形態1によれば、電子素子モジュールとしてのセンサモジュール1Aの製造方法において、撮像素子2上にレンズモジュール6が積層された各カメラユニット11を、複数の円形開口部7aにそれぞれレンズモジュール6のレンズ領域6aを位置合わせした状態で遮光・導電性基板7上に固定する工程と、遮光・導電性基板7上に固定された複数のカメラユニット11を金型20の所定位置に固定し、隣接するカメラユニット11の隙間内で遮光・導電性基板7上に遮光導電性樹脂材料8aを充填してセンサウエハモジュール1を得る工程と、金型20から取り出されたセンサウエハモジュール1の各カメラユニット11の周囲に充填された遮光導電性樹脂材料8aの幅方向中央線上をダイシングして、各カメラユニット11の側面に遮光導電性樹脂材料8aが残るように、カメラユニット11の一または複数毎に個片化する個片化工程を有している。 As described above, according to the first embodiment, in the method for manufacturing the sensor module 1A as the electronic element module, each camera unit 11 in which the lens module 6 is stacked on the image pickup device 2 is disposed in each of the plurality of circular openings 7a. A step of fixing the lens region 6a of the lens module 6 on the light shielding / conductive substrate 7 in a state of alignment, and a plurality of camera units 11 fixed on the light shielding / conductive substrate 7 at predetermined positions of the mold 20 The step of fixing and filling the light-shielding / conductive substrate 7 with the light-shielding conductive resin material 8a in the gap between the adjacent camera units 11 to obtain the sensor wafer module 1, and the sensor wafer module 1 taken out from the mold 20 Each camera unit 11 is diced on the center line in the width direction of the light-shielding conductive resin material 8a filled around each camera unit 11. As the first light-shielding conductive resin material 8a on the side surface remains has a singulation step of singulating the one or more each of the camera unit 11.
このようなセンサモジュール1Aの製造方法によって、一括切断されて製造されたセンサモジュール1Aは、撮像素子基板3の側面3b、樹脂接着層4の側面4b、カバーガラス5の側面5bおよびレンズモジュール6の側面6bを覆って遮光する遮光導電性樹脂8が一括切断後に残っている。 The sensor module 1A manufactured by being collectively cut by the manufacturing method of the sensor module 1A includes the side surface 3b of the imaging element substrate 3, the side surface 4b of the resin adhesive layer 4, the side surface 5b of the cover glass 5, and the lens module 6. The light-shielding conductive resin 8 that covers the side surface 6b and shields light remains after the collective cutting.
このように、金型20を用いて、複数のカメラユニット11に対してその側面を覆うための遮光導電性樹脂材料8aを一括して、隣接カメラユニット11間で遮光・導電性基板7上に充填し、一括して個片化するので、従来のように、遮光加工工程を分離して行うことなく、また、遮光構造を実現するために遮光ブロックを別途必要とすることもなく、金型20を用いて一括して遮光導電性樹脂材料8aを配置して、一括して必要箇所を切断して個片化することにより、遮光・導電性構造を容易かつ素早く配置でき、かつ別基板、別部品の必要がなく、電磁シールドも形成可能で、生産効率も大幅に高くなる。 In this way, by using the mold 20, the light-shielding conductive resin material 8 a for covering the side surfaces of the plurality of camera units 11 is collectively put on the light-shielding / conductive substrate 7 between the adjacent camera units 11. Fills and separates into individual pieces, so that the light-blocking process is not performed separately as in the past, and a light-blocking block is not separately required to realize a light-blocking structure. 20, the light-blocking conductive resin material 8a is collectively disposed, and necessary portions are collectively cut into individual pieces so that the light-shielding / conductive structure can be easily and quickly disposed, and a separate substrate, There is no need for separate parts, electromagnetic shields can be formed, and production efficiency is greatly increased.
即ち、TSV(撮像素子基板3)が組み合わされた状態で製造可能で、シートモールド工法で、撮像素子基板3ぎりぎりまで遮光導電性樹脂材料8aを形成可能で、グランド接地も可能で実装時のグランド接続が不要である。部品点数が少なく一括製造が可能なため、製造工数も極端に少なくて済む。 That is, it can be manufactured in a state where the TSV (image pickup device substrate 3) is combined, and by the sheet mold method, the light-shielding conductive resin material 8a can be formed up to the edge of the image pickup device substrate 3, and grounding is possible. No connection is required. Since the number of parts is small and batch manufacturing is possible, the number of manufacturing steps can be extremely small.
なお、上記実施形態では、遮光・電磁シールド構造として、カメラユニット11の上面および側面に、遮光・導電性基板7および遮光導電性樹脂8を用いたが、これに限らず、遮光・導電性基板7に代えて遮光基板でもよく、遮光導電性樹脂8に代えて遮光性樹脂でもよい。 In the above embodiment, the light shielding / conductive substrate 7 and the light shielding conductive resin 8 are used as the light shielding / electromagnetic shielding structure on the upper surface and the side surface of the camera unit 11. 7 may be a light shielding substrate, and may be a light shielding resin instead of the light shielding conductive resin 8.
この場合、センサウエハモジュール1の製造方法は、複数の円形開口部7aがマトリクス状に形成された遮光基板を所定位置に設置する工程と、撮像素子2上にレンズモジュール6が積層された各カメラユニット11を、複数の円形開口部7aにそれぞれレンズモジュール6のレンズ領域6aを位置合わせした状態で遮光基板上に固定する工程と、遮光基板上に固定された複数のカメラユニット11を金型20の所定位置に固定し、隣接するカメラユニット11の隙間内で遮光基板の裏面上に遮光性樹脂材料を充填してセンサウエハモジュール1を得る工程とを有している。 In this case, the manufacturing method of the sensor wafer module 1 includes a step of installing a light shielding substrate having a plurality of circular openings 7a formed in a matrix at a predetermined position, and each camera in which the lens module 6 is laminated on the image sensor 2. A step of fixing the unit 11 on the light shielding substrate in a state where the lens regions 6a of the lens modules 6 are aligned with the plurality of circular openings 7a, and a plurality of camera units 11 fixed on the light shielding substrate 20 are molded. The sensor wafer module 1 is obtained by filling the back surface of the light shielding substrate with the light shielding resin material in the gap between the adjacent camera units 11.
また、センサモジュール1Aの製造方法は、上記センサウエハモジュール1の製造方法により製造されたセンサウエハモジュール1であって、金型20から取り出されたセンサウエハモジュール1の各カメラユニット11の周囲に充填された遮光樹脂の幅方向中央線上をダイシングして、各カメラユニット11の側面に遮光樹脂が残るように、カメラユニット11の一または複数毎に個片化する個片化工程を有している。このセンサモジュール1Aの遮光基板および遮光樹脂は導電性機能を有していないので電磁シールド構造ではないのに対して、上記遮光・導電性基板7および遮光導電性樹脂8は導電性機能を有しているので電磁シールド構造である。 The sensor module 1 </ b> A is manufactured by the sensor wafer module 1 manufactured by the sensor wafer module 1 manufacturing method, and is filled around each camera unit 11 of the sensor wafer module 1 taken out from the mold 20. A dicing step is performed in which each of the camera units 11 is diced so that the light shielding resin remains on the side surface of each camera unit 11 by dicing on the center line in the width direction of the light shielding resin. . The light shielding substrate and the light shielding resin of the sensor module 1A do not have a conductive function and thus do not have an electromagnetic shield structure, whereas the light shielding / conductive substrate 7 and the light shielding conductive resin 8 have a conductive function. Therefore, it has an electromagnetic shield structure.
(実施形態2)
図4は、本発明の実施形態2として、本発明の実施形態1のセンサモジュール1Aを含む固体撮像装置を撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。
(Embodiment 2)
FIG. 4 is a block diagram illustrating a schematic configuration example of an electronic information device using, as an imaging unit, a solid-state imaging device including the sensor module 1A according to the first embodiment of the present invention as the second embodiment of the present invention.
図4において、本実施形態2の電子情報機器90は、上記実施形態1のセンサモジュール1Aからの撮像信号を所定の信号処理をしてカラー画像信号を得る固体撮像装置91と、この固体撮像装置91からのカラー画像信号を記録用に所定の信号処理した後にデータ記録可能とする記録メディアなどのメモリ部92と、この固体撮像装置91からのカラー画像信号を表示用に所定の信号処理した後に液晶表示画面などの表示画面上に表示可能とする液晶表示装置などの表示手段93と、この固体撮像装置91からのカラー画像信号を通信用に所定の信号処理をした後に通信処理可能とする送受信装置などの通信手段94と、この固体撮像装置91からのカラー画像信号を印刷用に所定の印刷信号処理をした後に印刷処理可能とするプリンタなどの画像出力手段95とを有している。なお、この電子情報機器90として、これに限らず、固体撮像装置91の他に、メモリ部92と、表示手段93と、通信手段94と、プリンタなどの画像出力手段95とのうちの少なくともいずれかを有していてもよい。 4, the electronic information device 90 of the second embodiment includes a solid-state imaging device 91 that obtains a color image signal by performing predetermined signal processing on the imaging signal from the sensor module 1A of the first embodiment, and the solid-state imaging device. After a predetermined signal processing for recording the color image signal from 91, a memory unit 92 such as a recording medium capable of recording data, and after a predetermined signal processing for display of the color image signal from the solid-state imaging device 91 Display means 93 such as a liquid crystal display device that can be displayed on a display screen such as a liquid crystal display screen, and transmission / reception that enables communication processing after color signal signals from the solid-state imaging device 91 are subjected to predetermined signal processing for communication A communication unit 94 such as an apparatus, and a printer capable of performing print processing after performing predetermined print signal processing for color image signals from the solid-state imaging device 91 for printing. And an image output unit 95. The electronic information device 90 is not limited to this, but in addition to the solid-state imaging device 91, at least one of a memory unit 92, a display unit 93, a communication unit 94, and an image output unit 95 such as a printer. You may have.
この電子情報機器90としては、前述したように例えばデジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、監視カメラ、ドアホンカメラ、車載用後方監視カメラなどの車載用カメラおよびテレビジョン電話用カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ装置、ファクシミリ装置、カメラ付き携帯電話装置および携帯端末装置(PDA)などの画像入力デバイスを有した電子機器が考えられる。 As described above, the electronic information device 90 includes, for example, a digital camera such as a digital video camera and a digital still camera, an in-vehicle camera such as a surveillance camera, a door phone camera, and an in-vehicle rear surveillance camera, and a video phone camera. An electronic device having an image input device such as an image input camera, a scanner device, a facsimile device, a camera-equipped mobile phone device, and a portable terminal device (PDA) is conceivable.
したがって、本実施形態2によれば、この固体撮像装置91からのカラー画像信号に基づいて、これを表示画面上に良好に表示したり、これを紙面にて画像出力手段95により良好にプリントアウト(印刷)したり、これを通信データとして有線または無線にて良好に通信したり、これをメモリ部92に所定のデータ圧縮処理を行って良好に記憶したり、各種データ処理を良好に行うことができる。 Therefore, according to the second embodiment, on the basis of the color image signal from the solid-state imaging device 91, it is displayed on the display screen, or is printed out on the paper by the image output means 95. (Printing), communicating this as communication data in a wired or wireless manner, performing a predetermined data compression process in the memory unit 92 and storing it in a good manner, or performing various data processings satisfactorily Can do.
なお、上記実施形態2の電子情報機器90に限らず、本発明の電子素子モジュールを情報記録再生部に用いたピックアップ装置などの電子情報機器であってもよい。この場合のピックアップ装置の光学素子としては、出射光を直進させて出射させると共に、入射光を曲げて所定方向に入射させる光学機能素子である。また、ピックアップ装置の電子素子と
しては、出射光を発生させるための発光素子および入射光を受光するための受光素子を有している。
Note that the electronic information device 90 is not limited to the electronic information device 90 of the second embodiment, and may be an electronic information device such as a pickup device using the electronic element module of the present invention for an information recording / reproducing unit. In this case, the optical element of the pickup device is an optical functional element that emits the emitted light in a straight line and emits the incident light in a predetermined direction. The electronic device of the pickup device has a light emitting element for generating outgoing light and a light receiving element for receiving incident light.
要するに、本発明の電子素子モジュールとしてのセンサモジュール1Aからの撮像信号を所定の信号処理をしてカラー画像信号を得る固体撮像装置91を画像入力デバイスとして撮像部に用いた電子情報機器90の場合に限らず、本発明の電子素子モジュールを情報記録再生部に用いたピックアップ装置などの電子情報機器であってもよい。 In short, in the case of the electronic information device 90 in which the solid-state imaging device 91 that obtains a color image signal by performing predetermined signal processing on the imaging signal from the sensor module 1A as the electronic element module of the present invention is used as an image input device in the imaging unit. The present invention is not limited to this, and it may be an electronic information device such as a pickup device using the electronic element module of the present invention for an information recording / reproducing unit.
以上のように、本発明の好ましい実施形態1、2を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態1、2に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態1、2の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。 As mentioned above, although this invention was illustrated using preferable Embodiment 1, 2 of this invention, this invention should not be limited and limited to this Embodiment 1,2. It is understood that the scope of the present invention should be construed only by the claims. It is understood that those skilled in the art can implement an equivalent range based on the description of the present invention and the common general technical knowledge, from the description of specific preferred embodiments 1 and 2 of the present invention. Patents, patent applications, and documents cited herein should be incorporated by reference in their entirety, as if the contents themselves were specifically described herein. Understood.
本発明は、入射光を集光する複数のレンズまたは、出射光を直進させたり入射光を所定方向に曲げて導いたりする複数の光学機能素子と、各レンズにそれぞれ対応して、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の受光部を有する撮像素子または、各光学機能素子にそれぞれ対応して、出射光を発生させるための発光素子および入射光を受光するための受光素子とが複数モジュール化された電子素子モジュールおよびその製造方法、この電子素子モジュールを画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばデジタルビデオカメラおよびデジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、監視カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ装置、ファクシミリ装置、テレビジョン電話装置、カメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器の分野において、金型を用いて、複数の電子素子ユニットに対してその側面を覆うための遮光樹脂材料を一括して、隣接電子素子ユニット間に充填し、一括して個片化するため、従来のように、遮光処理をするのに個片毎に行う必要はなく、また、遮光構造を実現するために遮光ブロックの必要もなく、さらに、電磁シールド機能のために、従来のように、基板実装、部品組み立てをする必要もなく、遮光樹脂材料に導電性機能を持たせるだけで電磁シールド機能を得ることができ、遮光、電磁シールド構造を容易かつ素早く得ることができて、生産効率を大幅に向上させることができる。 The present invention provides a plurality of lenses that collect incident light, or a plurality of optical functional elements that linearly guide outgoing light or bend the incident light in a predetermined direction, and a lens corresponding to each lens. An image sensor having a plurality of light receiving units that photoelectrically convert image light to image, or a light emitting element for generating outgoing light and a light receiving element for receiving incident light, corresponding to each optical functional element, respectively. Electronic device module made into a plurality of modules and manufacturing method thereof, digital camera such as digital video camera and digital still camera, image input camera such as surveillance camera, and scanner using the electronic device module as an image input device in an imaging unit In the field of electronic information equipment such as equipment, facsimile devices, television telephone devices, and mobile phone devices with cameras. In order to divide a plurality of electronic element units with a light-shielding resin material for covering the side surfaces of the electronic element units, and to fill between adjacent electronic element units, and to divide them into individual pieces, As described above, it is not necessary to perform the light shielding process for each piece, and there is no need for a light shielding block to realize a light shielding structure. , No need to assemble parts, it is possible to obtain an electromagnetic shielding function simply by giving the light shielding resin material a conductive function, and a light shielding and electromagnetic shielding structure can be obtained easily and quickly, greatly increasing production efficiency. Can be improved.
1 センサウエハモジュール(電子素子ウエハモジュール)
1A センサモジュール(電子素子モジュール)
2 撮像素子(電子素子)
3 撮像素子基板(電子素子基板)
3a 貫通孔
3b 側面
3c 半田ボール(外部接続端子)
3d 貫通電極
4 樹脂接着層
4b 側面
5 カバーガラス(透明支持基板)
5b 側面
6 レンズモジュール(光学素子)
6a レンズ領域
6b 側面
7 遮光・導電性基板
7a 円形開口部
8 遮光導電性樹脂
8a 遮光導電性樹脂材料
11 カメラユニット(電子素子ユニット)
11a カメラユニット11の裏面部分
11b 凹部空間
20 金型
21 上型
21a 耐熱樹脂(耐熱保護シート)
90 電子情報機器
91 固体撮像装置
92 メモリ部
93 表示手段
94 通信手段
95 画像出力手段
1. Sensor wafer module (electronic element wafer module)
1A Sensor module (electronic element module)
2 Imaging element (electronic element)
3 Imaging device substrate (electronic device substrate)
3a Through hole 3b Side surface 3c Solder ball (external connection terminal)
3d Penetration electrode 4 Resin adhesive layer 4b Side surface 5 Cover glass (transparent support substrate)
5b Side face 6 Lens module (optical element)
6a Lens area 6b Side surface 7 Light-shielding / conductive substrate 7a Circular opening 8 Light-shielding conductive resin 8a Light-shielding conductive resin material 11 Camera unit (electronic element unit)
11a Back portion of camera unit 11 11b Recessed space 20 Mold 21 Upper mold 21a Heat resistant resin (heat resistant protective sheet)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 90 Electronic information apparatus 91 Solid-state imaging device 92 Memory part 93 Display means 94 Communication means 95 Image output means
Claims (24)
前記電子素子ユニットは、前記電子素子が表面中央部に形成され、外部接続端子が裏面に形成された電子素子基板と、該電子素子の周囲の該電子素子基板上に形成された樹脂接着層と、該樹脂接着層および該電子素子上を覆う透明支持基板と、該透明支持基板上に、該電子素子と対応して設けられた前記光学素子とを有している電子素子ウエハモジュールの製造方法。 It is a manufacturing method of the electronic element wafer module according to claim 1,
The electronic element unit includes an electronic element substrate in which the electronic element is formed at the center of the front surface and an external connection terminal formed on the back surface, and a resin adhesive layer formed on the electronic element substrate around the electronic element. A method of manufacturing an electronic element wafer module, comprising: a transparent support substrate covering the resin adhesive layer and the electronic element; and the optical element provided on the transparent support substrate corresponding to the electronic element .
前記金型は、前記外部接続端子に接触せず、前記電子素子ユニットの裏面にある該外部接続端子の周囲の外周端縁部を押さえる凹部およびその周辺部を有している電子素子ウエハモジュールの製造方法。 It is a manufacturing method of the electronic element wafer module according to claim 2,
The mold has a recess that does not contact the external connection terminal and that holds the outer peripheral edge of the periphery of the external connection terminal on the back surface of the electronic element unit, and an electronic element wafer module that includes the periphery. Production method.
前記凹部およびその周辺部の表面には耐熱樹脂膜が形成されている電子素子ウエハモジュールの製造方法。 It is a manufacturing method of the electronic element wafer module according to claim 3,
A method of manufacturing an electronic element wafer module, wherein a heat-resistant resin film is formed on the surface of the concave portion and its peripheral portion.
前記隣接する電子素子ユニットの隙間は、100〜300マイクロミリである電子素子ウエハモジュールの製造方法。 It is a manufacturing method of the electronic element wafer module according to claim 1,
The method of manufacturing an electronic element wafer module, wherein a gap between the adjacent electronic element units is 100 to 300 μm.
前記遮光基板および前記遮光樹脂は共に導電性機能を有している電子素子ウエハモジュールの製造方法。 It is a manufacturing method of the electronic element wafer module according to claim 1,
The method of manufacturing an electronic element wafer module, wherein both the light shielding substrate and the light shielding resin have a conductive function.
前記遮光基板は、遮光樹脂シートまたは遮光樹脂板である電子素子ウエハモジュールの製造方法。 It is a manufacturing method of the electronic element wafer module according to claim 1,
The method for manufacturing an electronic element wafer module, wherein the light shielding substrate is a light shielding resin sheet or a light shielding resin plate.
前記複数の開口部のそれぞれと前記光学素子の光学領域との位置合わせは、該開口部の円形中心と該光学領域の円形中心とを一致させるように位置合わせする電子素子ウエハモジュールの製造方法。 It is a manufacturing method of the electronic element wafer module according to claim 1,
The method of manufacturing an electronic element wafer module, wherein the alignment of each of the plurality of openings and the optical region of the optical element is performed such that the circular center of the opening coincides with the circular center of the optical region.
前記個片化工程で残す遮光樹脂の膜厚は、100マイクロミリ±20マイクロミリであ
る電子素子モジュールの製造方法。 It is a manufacturing method of the electronic element module according to claim 9,
The method for manufacturing an electronic element module, wherein the thickness of the light-shielding resin left in the individualizing step is 100 μm ± 20 μm.
前記遮光樹脂の側面は、ダイシングされた切断跡が残されて表面が凹凸状になっている電子素子モジュールの製造方法。 It is a manufacturing method of the electronic element module according to claim 9,
The side surface of the light shielding resin is a method of manufacturing an electronic element module in which a dicing cut mark is left and the surface is uneven.
電子素子が表面中央部に設けられ、外部接続端子が裏面に設けられた電子素子基板と、該電子素子の周囲の該電子素子基板上に形成された樹脂接着層と、該樹脂接着層および該電子素子上を覆う透明支持基板と、該透明支持基板上に該電子素子と対応して設けられた光学素子と、該光学素子の光学領域が開口した開口部以外の光学素子表面を遮光する遮光基板とが積層された電子素子モジュールにおいて、該電子素子基板側面、該樹脂接着層の側面、該透明支持基板の側面および該光学素子の側面を覆って遮光する遮光樹脂が残っている電子素子モジュール。 An electronic element module manufactured by the method for manufacturing an electronic element module according to claim 9,
An electronic element substrate in which an electronic element is provided in the center of the front surface and an external connection terminal is provided on the back surface, a resin adhesive layer formed on the electronic element substrate around the electronic element, the resin adhesive layer, and the A transparent support substrate that covers the electronic element, an optical element that is provided on the transparent support substrate so as to correspond to the electronic element, and a light shield that shields light from the optical element surface other than the opening in which the optical region of the optical element is opened In an electronic element module laminated with a substrate, an electronic element module in which a light shielding resin that covers and covers the side surface of the electronic element substrate, the side surface of the resin adhesive layer, the side surface of the transparent support substrate, and the side surface of the optical element remains. .
前記遮光樹脂の膜厚は、100マイクロミリ±20マイクロミリである電子素子モジュール。 The electronic element module according to claim 13,
The electronic element module having a thickness of the light shielding resin of 100 μm ± 20 μm.
前記遮光樹脂の側面は切断跡が残されて表面が凹凸状である電子素子モジュール。 The electronic element module according to claim 13,
An electronic element module in which a side surface of the light-shielding resin has a cut mark and the surface is uneven.
前記遮光基板および前記遮光樹脂は共に導電性機能を有している電子素子モジュール。 The electronic element module according to claim 13,
An electronic element module in which both the light shielding substrate and the light shielding resin have a conductive function.
前記遮光樹脂の切断側面はグランド電位である電子素子モジュール。 The electronic element module according to claim 16, wherein
An electronic element module in which a cut side surface of the light shielding resin is at a ground potential.
前記電子素子は、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の受光部を有する撮像素子である電子素子モジュール。 The electronic element module according to claim 13,
The electronic device is an electronic device module that is an image pickup device having a plurality of light receiving units that perform image conversion by photoelectrically converting image light from a subject.
前記光学素子は、前記電子素子に入射光を集光させる集光レンズを含む電子素子モジュール。 The electronic element module according to claim 18,
The optical element is an electronic element module including a condenser lens that condenses incident light on the electronic element.
前記電子素子は、出射光を発生させるための発光素子および入射光を受光するための受光素子を有している電子素子モジュール。 The electronic element module according to claim 13,
The electronic element module includes a light emitting element for generating outgoing light and a light receiving element for receiving incident light.
前記光学素子は、前記発光素子からの出射光を直進させて出射させると共に、入射光を曲げて前記受光素子に入射させる光学機能素子である電子素子ウエハモジュール。 The electronic element module according to claim 20, wherein
The optical element is an electronic element wafer module which is an optical functional element that causes the emitted light from the light emitting element to go straight and emit, and also bends incident light to enter the light receiving element.
前記光学素子は、前記中央部の光学領域としてレンズ領域が設けられ、該レンズ領域の外周側に所定厚さを持つスペーサ部が重ね合わせ部として設けられている電子素子モジュール。 The electronic element module according to claim 13 or 19,
The optical element is an electronic element module in which a lens region is provided as an optical region in the central portion, and a spacer portion having a predetermined thickness is provided as an overlapping portion on the outer peripheral side of the lens region.
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016009972A1 (en) * | 2014-07-17 | 2016-01-21 | 関根 弘一 | Solid state imaging device and manufacturing method therefor |
US9496310B2 (en) | 2015-02-26 | 2016-11-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photodetector, method of manufacturing photodetector, radiation detector, and radiation detection apparatus |
JP2017531310A (en) * | 2014-08-19 | 2017-10-19 | ヘプタゴン・マイクロ・オプティクス・プライベート・リミテッドHeptagon Micro Optics Pte. Ltd. | Optoelectronic module having a silicon substrate and method of making such a module |
CN112652639A (en) * | 2019-10-11 | 2021-04-13 | 豪威科技股份有限公司 | Shading camera and manufacturing method thereof |
JP2022019935A (en) * | 2015-11-05 | 2022-01-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | Semiconductor device and electronic apparatus |
CN113990812A (en) * | 2020-07-27 | 2022-01-28 | 华为技术有限公司 | Electronic packaging module and preparation method thereof |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002164367A (en) * | 2001-10-16 | 2002-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | Method of manufacturing semiconductor device |
JP2007043628A (en) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Hitachi Maxell Ltd | Camera module |
WO2008084646A1 (en) * | 2007-01-11 | 2008-07-17 | Konica Minolta Opto, Inc. | Imaging device manufacturing method, imaging device and portable terminal |
JP2008219854A (en) * | 2007-02-05 | 2008-09-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical device, optical device wafer, method for manufacturing them, and camera module and endoscope module equipped with optical device |
WO2008132979A1 (en) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Konica Minolta Opto, Inc. | Imaging device manufacturing method and imaging device |
JP2009147093A (en) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Sharp Corp | Electronic element wafer module, electronic element module, sensor wafer module, sensor module, method of manufacturing sensor module, and electronic information equipment |
-
2009
- 2009-11-06 JP JP2009255543A patent/JP5356980B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002164367A (en) * | 2001-10-16 | 2002-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | Method of manufacturing semiconductor device |
JP2007043628A (en) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Hitachi Maxell Ltd | Camera module |
WO2008084646A1 (en) * | 2007-01-11 | 2008-07-17 | Konica Minolta Opto, Inc. | Imaging device manufacturing method, imaging device and portable terminal |
JP2008219854A (en) * | 2007-02-05 | 2008-09-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical device, optical device wafer, method for manufacturing them, and camera module and endoscope module equipped with optical device |
WO2008132979A1 (en) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Konica Minolta Opto, Inc. | Imaging device manufacturing method and imaging device |
JP2009147093A (en) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Sharp Corp | Electronic element wafer module, electronic element module, sensor wafer module, sensor module, method of manufacturing sensor module, and electronic information equipment |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016009972A1 (en) * | 2014-07-17 | 2016-01-21 | 関根 弘一 | Solid state imaging device and manufacturing method therefor |
JP2016025164A (en) * | 2014-07-17 | 2016-02-08 | 関根 弘一 | Solid-state image pickup device and manufacturing method of the same |
US10157945B2 (en) | 2014-07-17 | 2018-12-18 | Setech Co., Ltd. | Solid-state imaging device and method for manufacturing the same |
JP2017531310A (en) * | 2014-08-19 | 2017-10-19 | ヘプタゴン・マイクロ・オプティクス・プライベート・リミテッドHeptagon Micro Optics Pte. Ltd. | Optoelectronic module having a silicon substrate and method of making such a module |
US9496310B2 (en) | 2015-02-26 | 2016-11-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photodetector, method of manufacturing photodetector, radiation detector, and radiation detection apparatus |
JP2022019935A (en) * | 2015-11-05 | 2022-01-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | Semiconductor device and electronic apparatus |
JP7364653B2 (en) | 2015-11-05 | 2023-10-18 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | Semiconductor equipment and electronic equipment |
US12014968B2 (en) | 2015-11-05 | 2024-06-18 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic apparatus |
CN112652639A (en) * | 2019-10-11 | 2021-04-13 | 豪威科技股份有限公司 | Shading camera and manufacturing method thereof |
CN112652639B (en) * | 2019-10-11 | 2023-05-09 | 豪威科技股份有限公司 | Shading camera and manufacturing method thereof |
CN113990812A (en) * | 2020-07-27 | 2022-01-28 | 华为技术有限公司 | Electronic packaging module and preparation method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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