JP2011096957A - Vcselの故障検出方法および故障検出装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ダメージを受けたVCSELを、短時間に且つ安価に検出する技術を提案する。
【解決手段】図3(a)は、ESDダメージを受ける前のマルチモードVCSELの発光スペクトラムを示しており、活性層(MQW)及び上下の反射鏡(DBR)の構造に対応した数分のピークを示す発光スペクトラムが得られる。一方、図3(b)に示すように、ESDダメージを受けたVCSELは、活性層にダメージがある場合、当初のピーク数よりも少ないピークを示す発光スペクトラムが得られる。したがって、光スペクトラムアナライザで発光スペクトラムを解析し、ピーク数が所定数、例えば、2以下となったときに、ESDダメージが発生したと判断する。
【選択図】図3
【解決手段】図3(a)は、ESDダメージを受ける前のマルチモードVCSELの発光スペクトラムを示しており、活性層(MQW)及び上下の反射鏡(DBR)の構造に対応した数分のピークを示す発光スペクトラムが得られる。一方、図3(b)に示すように、ESDダメージを受けたVCSELは、活性層にダメージがある場合、当初のピーク数よりも少ないピークを示す発光スペクトラムが得られる。したがって、光スペクトラムアナライザで発光スペクトラムを解析し、ピーク数が所定数、例えば、2以下となったときに、ESDダメージが発生したと判断する。
【選択図】図3
Description
本発明は、VCSELの故障検出方法および故障検出装置に関する。
半導体レーザには、基板面と平行方向に光を共振させその方向に光を出射させるタイプの他に、基板面に対して垂直方向に光を共振させ基板面と垂直方向に出射させるVCSEL(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser)がある。このVCSELは、システムの消費電力が小さい、低電流でも高速変調が可能、温度変化に対する特性変化の幅が少なく温度制御装置が簡易化できる等の利点が多く、ギガビットイーサネット(登録商標)やファイバチャンネルの光源、レーザプリンタ、光インターコネクトなどに応用分野が広がっている。
一方で、VCSELは、ESD(静電気放電;Electrostatic Discharge)によりダメージを受け、電気光学特性が劣化する故障が起こりやすいという課題がある。そこで、ESDによる損傷や故障の発生を検出する様々な技術が提案されている。たとえば、VCSELがESDダメージを受けているかを判断する手段として、逆バイアスのリーク電流試験を行う技術が提案されている。
ところで、VCSELは通常、図5に示すような、電流−発光パワー特性、電流−電圧特性や、図6に示すようなエレクトロルミネッセンス(EL)測定等の各種の電気光学評価を行い、ESDによるダメージを受けているか否かを判断する。しかし、これらの測定は以下の様な理由から故障したVCSELの検出が難しいという課題がある。
(1)評価には、半導体パラメータシステムや光パワーメータ、赤外線カメラ、顕微鏡等の複数の設備が必要となる。
(2)VCSELを設備に取り付けてから、測定完了するまでの測定時間が長い。
(3)レンズやパッケージで封止されたモジュール状態では、評価ができない。
(4)上記特許文献1に開示の技術においては、上述の通り、VCSELがESDダメージを受けているかを判断する手段として、逆バイアスのリーク電流試験を行う。しかし、逆バイアスをVCSELへ印加する為には、電圧源、電流計や配線都合上の追加のパッドが必要となり、大がかりなシステムになってしまったり高コストになるという課題があった。
これらの理由から、VCSELにおけるESDダメージを検知する別の技術が求められていた。
(1)評価には、半導体パラメータシステムや光パワーメータ、赤外線カメラ、顕微鏡等の複数の設備が必要となる。
(2)VCSELを設備に取り付けてから、測定完了するまでの測定時間が長い。
(3)レンズやパッケージで封止されたモジュール状態では、評価ができない。
(4)上記特許文献1に開示の技術においては、上述の通り、VCSELがESDダメージを受けているかを判断する手段として、逆バイアスのリーク電流試験を行う。しかし、逆バイアスをVCSELへ印加する為には、電圧源、電流計や配線都合上の追加のパッドが必要となり、大がかりなシステムになってしまったり高コストになるという課題があった。
これらの理由から、VCSELにおけるESDダメージを検知する別の技術が求められていた。
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、上記課題を解決することができ、ダメージを受けたVCSELを、短時間に且つ安価に検出する技術を提供することを目的とする。
本発明のある態様は、VCSELの故障検出方法に関する。この方法は、VCSELの出力光を取得する工程と、前記出力光の発光スペクトラムを解析して、発光スペクトラムのピーク数を特定する工程と、前記ピーク数が、所定数より小さいときに、前記VCSELに故障が発生していると判断する工程と、を備える。
また、前記所定数は、前記VCSELの活性層及び当該活性層の上下に形成される反射鏡の構造に対応してもよい。
本発明の別の態様は、VCSELの故障検出装置に関する。この故障検出装置は、検査対象のVCSELの出力光を取得し、前記出力光の発光スペクトラムを解析して、発光スペクトラムのピーク数を特定し、前記ピーク数が、故障が発生していない状態の前記VCSELのピーク数である基準閾値より小さいときに、前記VCSELに故障が発生していると判断する。
また、前記所定数は、前記VCSELの活性層及び当該活性層の上下に形成される反射鏡の構造に対応してもよい。
本発明の別の態様は、VCSELの故障検出装置に関する。この故障検出装置は、検査対象のVCSELの出力光を取得し、前記出力光の発光スペクトラムを解析して、発光スペクトラムのピーク数を特定し、前記ピーク数が、故障が発生していない状態の前記VCSELのピーク数である基準閾値より小さいときに、前記VCSELに故障が発生していると判断する。
本発明によれば、ダメージを受けたVCSELを、短時間に且つ安価に検出する技術を提案することができる。
以下、発明を実施するための形態(以下、「実施形態」という)を、図面を参照しつつ説明する。VCSELにフォワード及びリバース方向でのESDが印加され、VCSEL内部にダメージが与えられた場合に、従来の各種電気光学評価を行う事なく、VCSELの発光スペクトラムを測定するだけで、故障したVCSELを検出できる技術を提案する。
図1に、一般的な酸化型マルチモードVCSELの構造を示す。VCSELは、活性層の上部に、選択酸化された電流狭窄径があり、上下に半導体多層膜反射鏡(DBR)が配置される構造となっている。また、活性層は、多重量子井戸(MQW)の構造を有している。図2に、活性層と発振スペクトルの関係を示した概念図を示す。図示のように、MQWが中心波長とそのサイドモードの光を発振する重要な部分となっている。
ESDを印加させた場合、従来より、電気光学特性が劣化することが知られていた。さらに、種々の実験を行った結果、出力される光の中心波長とサイドモードに変化が表れるという知見が得られた。
図3に、ESDダメージが無いVCSELとESDダメージを受けたVCSELの発光スペクトル(「発振スペクトラム」ともいう)を示す。図3(a)は、ESDダメージを受ける前のマルチモードVCSELの発光スペクトラムを示しており、活性層(MQW)及び上下の反射鏡(DBR)の構造に対応した数分のピークを示す発光スペクトラムが得られる。ここでは、3つのピークとなっている。一方、図3(b)に示すように、ESDダメージを受けたVCSELは、活性層にダメージがある場合、当初のピーク数より少ないピークを示す発光スペクトラムが得られる。ここでは、二つのピークとなっている。
そこで、発光スペクトラムを検知できるシステムがあれば、ESDのダメージの有無が判別できる。図4に、上記の現象を検出するシステムを示す。検出システムとしては、複雑な測定は不要であり、図示のように、公知の光スペクトラムアナライザ50を使用することで発光スペクトラムの変化を検知することが可能である。具体的には、VCSEL20を備える通信モジュール10からの光出力を、光ファイバ30を用いて光スペクトラムアナライザ50に接続する。そして光スペクトラムアナライザ50は、発光スペクトラムの解析を行い、図3に示したような表示態様で、解析結果を出力する。解析の結果、発光スペクトラムのピークが所定数より少ない場合、ESDによるダメージがVCSEL20に発生していると判断される。そして、閾値となる所定数は、予め測定しておいたピーク数より少ない数に設定される。つまり、あらかじめ使用するVCSEL20の出力光の発光スペクトラムを取得しピーク数を調べておく。つぎに、検査するVCSEL20の出力光を取得し、発光スペクトラムを取得し得たピーク数が、先に取得しておいたピーク数より小さいときに、故障と判断する。
通信モジュール10を作製する実装プロセスにおいて、ESDがどのプロセスで発生しVCSEL20ヘダメージを与えるかを特定することは非常に難しい。従って、モジュール化した完成品の状態で、故障したVCSEL20のスクリーニングを行うことが最も効果的である。
モジュール化したときに、IV(電流−電圧)特性等の電気特性でスクリーニングする場合は、モジュール内を複雑にしてしまう。また、IL(電流−光出力)特性をもとにスクリーニングする場合、モジュール化した状態だとモジュールの結合損失が含まれる為に、VCSEL20単体の発光強度は測定できない。
しかし、上述のように発光スペクトラムのピーク数を検出する手法によると、発光スペクトラムを測定するだけで、VCSEL20のESDダメージを検知することができる。従って、非常に簡単に安価な検査でスクリーニングが可能となる。つまり、電流−発光パワー特性、電流−電圧特性、EL測定をすることなく、発光スペクトラムだけを測定するだけで、故障したVCSEL20を検出することができる。これにより、1台の故障検出設備(例えば、光スペクトラムアナライザ50)で短時間に測定できることができる。さらに、封止されたモジュールであっても測定可能となり、非常に有効な出荷検査が可能となる。
以上、本発明を実施形態を基に説明した。この実施形態は例示であり、それらの各構成要素及びその組合せにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。
例えば、光スペクトラムアナライザ50に、発光スペクトルの解析結果からピーク数を算出する手段を設け、ユーザが設定する閾値以下となったときに、故障である旨の警告等を行うようにしてもよい。より具体的には、FET入力のオペアンプ(又はコンパレータ)を用いた公知のピーク検出回路をシミュレートする機能を用いることで実現できる。また、通信モジュール10を出荷した後に、ESDによる故障も想定できるので、通信モジュール10の出荷時に、ピーク数を検査結果表等に記載しておくことで、通信モジュール設置後の故障診断に使用することができる。また、検出履歴を記録する手段を設け、ピーク数の変化をもとに、故障の重度が判断されるようにしてもよい。また、ピーク数の変化が、活性層(MQW)の数に大きく依存する場合もあり、そのような特性が予め分かっている場合は、閾値として設定する所定数を、活性層の数に依存させてもよい。
10 通信モジュール
20 VCSEL
30 光ファイバ
50 光スペクトラムアナライザ
20 VCSEL
30 光ファイバ
50 光スペクトラムアナライザ
Claims (3)
- VCSELの出力光を取得する工程と、
前記出力光の発光スペクトラムを解析して、発光スペクトラムのピーク数を特定する工程と、
前記ピーク数が、所定数より小さいときに、前記VCSELに故障が発生していると判断する工程と、
を備えることを特徴とするVCSELの故障検出方法。 - 前記所定数は、前記VCSELの活性層及び当該活性層の上下に形成される反射鏡の構造に対応していることを特徴とする請求項1に記載のVCSELの故障検出方法。
- 検査対象のVCSELの出力光を取得し、前記出力光の発光スペクトラムを解析して、発光スペクトラムのピーク数を特定し、前記ピーク数が、故障が発生していない状態の前記VCSELのピーク数である基準閾値より小さいときに、前記VCSELに故障が発生していると判断することを特徴とするVCSELの故障検出装置。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5116767A (en) * | 1991-09-09 | 1992-05-26 | Bell Communications Research, Inc. | Semiconductor laser passivation and overstressing |
JPH11150325A (ja) * | 1997-11-18 | 1999-06-02 | Advantest Corp | 分布反射型レーザのレイジング波長測定方法および設計方法 |
JP2005123289A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-05-12 | Sony Corp | 発光素子検査装置および発光素子検査方法 |
JP2006303365A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Sony Corp | レーザ駆動装置、レーザ発光装置およびレーザ駆動方法 |
JP2007129011A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Seiko Epson Corp | 光半導体素子 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7295590B2 (en) | 2004-11-15 | 2007-11-13 | Intel Corporation | Method for measuring VCSEL reverse bias leakage in an optical module |
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US7403275B2 (en) * | 2006-12-05 | 2008-07-22 | Finisar Corporation | Optical reflectometry using integrated VCSEL photodiode chip |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5116767A (en) * | 1991-09-09 | 1992-05-26 | Bell Communications Research, Inc. | Semiconductor laser passivation and overstressing |
JPH11150325A (ja) * | 1997-11-18 | 1999-06-02 | Advantest Corp | 分布反射型レーザのレイジング波長測定方法および設計方法 |
JP2005123289A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-05-12 | Sony Corp | 発光素子検査装置および発光素子検査方法 |
JP2006303365A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Sony Corp | レーザ駆動装置、レーザ発光装置およびレーザ駆動方法 |
JP2007129011A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Seiko Epson Corp | 光半導体素子 |
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