TWI733579B - 垂直共振腔表面放射雷射二極體（vcsel）的量測方法及磊晶片測試治具 - Google Patents

垂直共振腔表面放射雷射二極體（vcsel）的量測方法及磊晶片測試治具 Download PDF

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Abstract

一種VCSEL的量測方法及磊晶片測試治具，尤其是可以量測得到背面出光型VCSEL的法布裡- 珀羅標準具（Fabry–Perot Etalon）。透過量測設備量測VCSEL磊晶片，其中使量測設備的測試光源向該VCSEL磊晶片的基板表面入射，而量測出VCSEL反射頻譜中的法布裡- 珀羅標準具（Fabry–Perot Etalon）。透過VCSEL磊晶片測試治具而使背面出光型的VCSEL能直接被現有量測設備量測，如此不須變更量測設備的光學設計，且能避免VCSEL磊晶片被刮傷或汙染。

Description

垂直共振腔表面放射雷射二極體（VCSEL）的量測方法及磊晶片測試治具
一種VCSEL的反射頻譜量測方法及測試治具，尤其能量測背面出 光型VCSEL的的法布裡- 珀羅標準具（Fabry–Perot Etalon）。
VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)為一種逐漸被廣為使 用於傳感、光通信或紅外線照明的雷射二極體。
VCSEL根據出光方向能區分成正面出光與背面出光的VCSEL。現 有光學量測設備主要包含測試光源、信號接收裝置與量測平台。量測平台上放置VCSEL磊晶片，測試光源則設置於量測平台之上方。
VCSEL磊晶片包含基板與磊晶結構，磊晶結構是形成在基板之上。 在量測VCSEL磊晶片時，VCSEL磊晶片是放置於量測平台上，VCSEL磊晶片是以基板與量測平台接觸。在搬送VCSEL磊晶片時，也是以基板與機械手臂接觸。藉此，避免磊晶結構因接觸量測平台或機械手臂等部件而受到汙染或刮傷。
正面出光型VCSEL的上DBR層的總反射率低於下DBR層的總反射 率。由於上DBR層的總反射率較低，測試光源中能到達共振腔的光線會較多，因此信號接收裝置所接受到的訊號較強，容易測到VCSEL的反射頻譜中的法布裡- 珀羅標準具（Fabry–Perot Etalon）。
然而，背面出光型VCSEL的上DBR層的總反射率是高於下DBR層 的總反射率。當上DBR層的總反射率太高，測試光源中能到達共振腔的光線會變得越少，因為測試光源的大部分光線都被上DBR層反射回去。因此，信號接收裝置所接受到的訊號會很微弱如雜訊。當有雜訊干擾時，反射頻譜中的Fabry–Perot Etalon會不容易辨識甚至無法辨識。
以正面出光型VCSEL而言，在下DBR層總反射率夠高的情形下， 若適度降低上DBR層的總反射率，可能有助於增進正面出光型VCSEL的特性。
在背面出光型VCSEL中，則是上DBR層的總反射率應足夠高則 背面出光型VCSEL的特性會較佳。然而，受限於現有的光學量測設備，背面出光型VCSEL的上DBR層的總反射率不能太高，亦即需要降低上DBR層的總反射率，但背面出光型VCSEL的特性卻因此受到限制。
因此，必須提供一種量測背面出光型的VCSEL的量測方式、量測 流程與磊晶片測試治具，其中不需降低上DBR層的總反射率、不需變更現有光學量測設備且不會損傷VCSEL磊晶片的磊晶結構的表面。
提供一種VCSEL的反射頻譜的量測方法，尤其是量測出反射頻譜 中的法布裡- 珀羅標準具（Fabry–Perot Etalon）。
在一實施例， VCSEL磊晶片的反射頻譜的量測方法包含有：準備 一VCSEL磊晶片，該VCSEL磊晶片具有相對的一磊晶表面與一基板表面；提供一量測設備，用以量測並產生該VCSEL磊晶片的一量測結果，該量測設備包含一測試光源，該測試光源是一寬帶光源；令該寬帶光源照射該VCSEL磊晶片，其中該寬帶光源的光線從該VCSEL磊晶片的該基板表面入射；得到該VCSEL磊晶片的該量測結果。其中，該量測結果包含一反射頻譜，且該反射頻譜包含一法布裡- 珀羅標準具波長（Fabry–Perot Etalon）。
在一實施例，提供一背面出光型VCSEL磊晶片，該背面出光型 VCSEL磊晶片包含一基板與一磊晶區，該磊晶區形成於該基板之上，該背面出光型VCSEL磊晶片具有相對的一磊晶表面與一基板表面；提供一量測設備，用以量測並產生該背面出光型VCSEL磊晶片的一量測結果，該量測設備包含一測試光源，該測試光源為一寬帶光源；將該背面出光型VCSEL磊晶片放置於一磊晶片測試治具上，且該基板表面面向該測試光源；令該量測設備對該背面出光型VCSEL磊晶片進行量測處理，其中該測試光源的光線係從該基板表面入射；得到該背面出光型VCSEL磊晶片的該量測結果。其中，該量測結果包含一反射頻譜，且該反射頻譜包含一法布裡- 珀羅標準具波長（Fabry–Perot Etalon）。
依上述的量測方式，可以在不更動現有量測設備的光學結構設計 的情形下，使背面出光型VCSEL也能被現有量測設備做反射頻譜的量測，且不污染或刮傷背面出光型VCSEL磊晶片的磊晶層，背面出光型VCSEL磊晶片的上DBR層的總反射率也能提高。尤其，背面出光型VCSEL的上DBR層的總反射率可以高於0.9999，或高於0.9990、0.9900、0.9500或0.9000。
提供一種磊晶片測試治具，用以承載一VCSEL磊晶片。
在一實施例中，一治具主體係承載該背面出光型VCSEL磊晶片， 該背面出光型VCSEL磊晶片具有一磊晶表面，該磊晶表面更包含一邊緣除外區與一非邊緣除外區，其中，該背面出光型VCSEL磊晶片藉由以該邊緣除外區靠抵於該治具主體而定位於該治具主體之上，該背面出光型VCSEL磊晶片的該非邊緣除外區不接觸於該治具主體。
所屬技術領域中具有通常知識者將理解，可以透過本發明所公開 實現的效果不限於上文具體描述的內容，並且從以上結合附圖的詳細描述中將更清楚地理解本發明的優點。
以下配合圖示及元件符號對本發明之實施方式做更詳細的說明， 俾使熟習該項技藝者在研讀本說明書後能據以實施。
如圖1所示，圖1中包含VCSEL磊晶片10與用來量測VCSEL磊晶片 的反射頻譜的量測設備（圖未示）。VCSEL磊晶片10是背面出光型的VCSEL磊晶片10。
VCSEL磊晶片10具有相對的磊晶表面10a與基板表面10b，量測設 備配置有測試光源20與信號接收裝置（圖未示）；要注意的是，圖式中只顯示出與實施例的特徵有關的組件，並不顯示出其它眾所周知的組件，以方便說明實施方式。
測試光源20與信號接收裝置通常是設置在量測設備的上側處，而 待量測物則是在量測設備的下側，也就是待量測物是定位於測試光源20與信號接收裝置的下方，因此，測試光源20是「從VCSEL磊晶片10的基板表面10b入射」。
要注意的是，量測設備的測試光源20及信號接收裝置不一定是如 圖1所示的剛好在基板上方，也可以設置在其他適當位置，原則上只要測試光源20發出的光線能直接或間接從VCSEL的基板入射即可。
前文所述的「光源從該VCSEL的基板入射」是指，光源的光線是 先通過基板才射入磊晶區。
參考圖1，VCSEL磊晶片10的結構包含基板11與磊晶區13。VCSEL 磊晶片10的製作是在基板11的一表面上透過有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD)、分子束磊晶法(MBE)或其他磊晶成長方法而磊晶成長出磊晶區13。
磊晶區13中通常包含多層磊晶層；磊晶區13中至少包含上DBR層 13a與下DBR層13b與主動區；上DBR層13a的總反射率大於下DBR層13b；較佳的，下DBR層的總反射率約小於0.9999，或者下DBR層的總反射率大致介於0.9999與0.9000之間，比如下DBR層的總反射率可以是0.9990、0.9900、0.9500或0.9000，但是下DBR層的總反射率根據VCSEL的特性還能略高於0.9999或略低於0.9000。
一典型的多層磊晶層會包含緩衝層、下DBR層、下間隔層、主動 層、上間隔層、上DBR層以及歐姆接觸層等。
在一些實施例中，測試光源20可以是寬帶光源，如白光等寬帶光 源。
本文所稱的磊晶表面是磊晶區之較遠離於基板且未與基板接觸的 一面；基板表面則是基板之較遠離於磊晶區且未與磊晶區接觸的一面；「磊晶表面10a」與「基板表面10b」可以是VCSEL磊晶片10的頂面與底面。而從圖1視角來看，「磊晶表面10a」與「基板表面10b」是VCSEL磊晶片10的底面與頂面。
參閱圖2，圖2為根據第一實施例之背面出光型的VCSEL磊晶片的 反射頻譜比較圖，其中背面出光型的VCSEL磊晶片包含N型摻雜的GaAs基板與磊晶區，其中磊晶區是磊晶成長在基板為N型摻雜的GaAs基板上。如圖2所示，圖2的測試曲線C1是代表測試光源20從磊晶表面入射時所測到的反射頻譜，測試曲線C2則是代表測試光源20從基板表面入射時所測得的反射頻譜。
如測試曲線C1所示，雖然在波長940nm附近有量測到Fabry–Perot Etalon，然而Fabry–Perot Etalon的訊號因相對較不明顯(亦即Fabry–Perot Etalon的反射率強度(reflectivity intensity)並不夠低)，因此Fabry–Perot Etalon的反射率強度與Fabry–Perot Etalon附近波長的反射率強度差距很小，導致Fabry–Perot Etalon不容易辨識。如測試曲線C2所示，大約在波長940nm附近測到Fabry–Perot Etalon，由於Fabry–Perot Etalon的訊號相對較明顯（亦即Fabry–Perot Etalon的反射率強度(reflectivity intensity)是足夠低的 ），如此Fabry–Perot Etalon的反射率強度與在Fabry–Perot Etalon附近波長的反射率強度有明顯差距，因而容易辨識Fabry–Perot Etalon。
根據圖2所示，當基板是N型摻雜的GaAs基板（N+GaAs基板）時， 且當測試光源20的光線從基板表面入射時，N+GaAs基板會吸收波長小於900nm的入射光，因此在反射頻譜中能量測到的Fabry–Perot Etalon的波長約在900nm以上。
參閱圖3，圖3為根據第二實施例之背面出光型VCSEL磊晶片的反 射頻譜比較圖，該背面出光型磊晶片也包含N型摻雜的GaAs基板與磊晶區，其中磊晶區是磊晶成長在基板為N型摻雜的GaAs基板上。此外，該背面出光型磊晶片中的上DBR層的總反射率大於圖2的上DBR層的總反射率。如圖3所示，圖3的測試曲線C3是代表測試光源20從磊晶表面入射時所測到的反射頻譜，測試曲線C4則是代表測試光源20從基板表面入射時所測得的反射頻譜。
如圖3的測試曲線C3所示，當測試光源20從磊晶表面入射時，在波 長約940nm處未測到Fabry–Perot Etalon波長；但是當測試光源20從基板表面入射時，如測試曲線C4所示，在波長約940nm處可測到明顯的Fabry–Perot Etalon波長。
根據圖3所示，當基板是N型摻雜的GaAs基板（N+GaAs基板）時， 且當光源從基板表面入射時，N+GaAs基板會吸收波長小於900nm的入射光，因此在反射頻譜中能量測到的Fabry–Perot Etalon的波長約在900nm以上。
參閱圖4，圖4為根據第三實施例之背面出光型VCSEL磊晶片的反 射頻譜比較圖。如圖4所示，該背面出光型磊晶片包含半絕緣型的GaAs基板與磊晶區，磊晶區是磊晶成長在半絕緣型的GaAs基板上，該背面出光型磊晶片中的上DBR層的總反射率相同於圖3的VCSEL磊晶片中的上DBR層的總反射率。如圖4所示，圖4的測試曲線C5是代表測試光源20從磊晶表面入射時所測到的反射頻譜，測試曲線C6則是代表測試光源20從基板表面入射時所測得的反射頻譜。
如圖4的測試曲線C5所示，當測試光源20從磊晶表面入射時，測試 曲線C5在波長約950nm處未測到Fabry–Perot Etalon波長；但當測試光源20從基板表面入射時，根據測試曲線C6所示，在波長約950nm處可測到明顯的Fabry–Perot Etalon波長。
根據圖4所示，當基板是半絕緣型的GaAs基板（SI GaAs基板）時， 且當光源從基板表面入射時，SI GaAs基板會吸收波長小於890nm的入射光，因此在反射頻譜中能量測到的Fabry–Perot Etalon的波長約在890nm以上。
進一步提供磊晶片測試治具與使用磊晶片測試治具的的量測方 法。透過磊晶片測試治具及使用磊晶片測試治具的量測方法，使現有的量測設備對背面出光型VCSEL磊晶片做完量測後能得到具有清楚可辨識的Fabry–Perot Etalon的反射頻譜。其中，背面出光型VCSEL磊晶片的上DBR層反射率可以很高。
參閱圖5，圖5為依據一實施例的VCSEL磊晶片的反射頻譜的量測 流程示意圖。首先進入步驟S10並配合圖6a所示，提供VCSEL磊晶片10，其中VCSEL磊晶片10是背面出光型的VCSEL磊晶片10。VCSEL磊晶片10包含相對的磊晶表面10a與基板表面10b；以背面出光型的VCSEL磊晶片10而言，上DBR層的總反射率大於下DBR層的總反射率；其中，下DBR層的總反射率約小於0.9999，或者下DBR層的總反射率大致介於0.9999與0.9000之間，比如下DBR層的總反射率可以是0.9990、0.9900、0.9500或0.9000，但是下DBR層的總反射率根據VCSEL的特性還能被適當調整。
接著進入步驟S20並配合圖6b所示，VCSEL磊晶片10放置於磊晶 片測試治具30上時，VCSEL磊晶片10的基板表面10b是面向測試光源20。
最後進入步驟S30並配合圖1所示，量測VCSEL磊晶片10，測試光 源20係照射VCSEL磊晶片10，且測試光源20的光線從基板表面10入射，以獲得 VCSEL磊晶片10的反射頻譜及反射頻譜中的Fabry–Perot Etalon波長。
當量測設備的測試光源20的光線是朝下投射時，背面出光型的 VCSEL磊晶片10的基板表面10b則要朝上。
在一實施例中，磊晶片測試治具可以先置放於該量測設備中，然 後將背面出光型VCSEL磊晶片放置於在量測設備中的磊晶片測試治具上，再進行步驟S30的量測處理。
在一實施例中，使磊晶片測試治具先承載背面出光型VCSEL磊晶 片，然後將承載有背面出光型VCSEL磊晶片的磊晶片測試治具送入量測設備，再進行步驟S30的量測處理。
在一實施例中，磊晶片測試治具30係以實質接觸VCSEL磊晶片10 的邊緣除外區（edge exclusion zone）方式而承置背面出光型的VCSEL磊晶片10，其中磊晶片測試治具30不接觸VCSEL磊晶片10的邊緣除外區以外的部分；藉此，避免汙染或刮傷VCSEL磊晶片10的邊緣除外區以外的部分。
磊晶片測試治具30的材質以不易對VCSEL磊晶片10造成刮傷的材 質為佳，比如鐵弗龍、塑膠、壓克力、玻璃纖維等其他類似材質。
參閱圖7，圖7為磊晶片測試治具的一實施例示意圖。如圖7所示， 磊晶片測試治具30包含治具主體31。治具主體31包含凹部311，凹部311並 具有內部空間。凹部311是在治具主體31之承載於VCSEL磊晶片10的一面所形成的，比如治具主體31的頂面31a中間區域處形成凹部311。
具凹部311（如凹槽）的治具主體31可承置背面出光型或正面出光 型的VCSEL磊晶片。當治具主體31是承置背面出光型的VCSEL磊晶片10時，由於VCSEL磊晶片10的磊晶表面10a是面向凹部311時，所以VCSEL磊晶片的磊晶表面會接觸於治具主體31。在這種情形下，磊晶表面10a是以其邊緣除外區（edge exclusion area）與治具主體31的承載面接觸，以使VCSEL磊晶片10的非邊緣除外區是對應凹部311的內部空間，因此VCSEL磊晶片10的非邊緣除外區不會接觸到治具主體，從而避免VCSEL磊晶片10的非邊緣除外區遭到汙染或刮傷。
當治具主體31是承置正面出光型的VCSEL磊晶片10時，由於 VCSEL磊晶片10是以基板表面與治具主體31接觸，基板表面的部分或整面都能直接平貼於治具主體上；治具主體的內部空間也可以讓機械手臂伸入，而從治具主體取出正面出光型的VCSEL磊晶片，或將正面出光型的VCSEL磊晶片搬移至治具主體上；此外，機械手臂等轉移裝置亦能透過搬送治具主體來間接達到移動VCSEL磊晶片的目的。
治具主體31的凹部311可以是對治具主體31透過減法工藝來形成， 比如在治具主體31的表面上開設凹槽，如圖7所式，但並不限於此。另外，凹部也可透過加法工藝（加工）來形成，比如治具主體31的表面上設置具有一定高度的支撐件（圖未式），則支撐件的表面即為上述的承載面；或者，治具主體31之對應於磊晶表面的非邊緣除外區的部份是貫通的，如具有一通孔（參圖10）或多個通孔的治具主體。
治具主體31的凹部311可以是對治具主體31透過減法工藝來形成， 比如在治具主體31的表面上開設凹槽，如圖7所式，但並不限於此。另外，凹部也可透過加法工藝（加工）來形成，比如治具主體31的表面上設置具有一定高度的支撐件（圖未式），則支撐件的表面即為上述的承載面；或者，治具主體31之對應於磊晶表面的非邊緣除外區的部份是貫通的，如具有一通孔（參圖10）或多個通孔的治具主體。
在一些實施例中，治具主體31的凹部311是呈上寬下窄狀。參閱圖 8，圖8為磊晶片測試治具的一較佳實施例示意圖，圖8所示是一種定位VCSEL磊晶片10的方式；如圖8所式，治具主體31中的凹部311概呈梯形，VCSEL磊晶片10以其外周緣而靠設於凹部311的內側壁而定位於凹部311之內。
參閱圖9，圖9為磊晶片測試治具的另一較佳實施例示意圖，圖9 所示是另一種定位VCSEL磊晶片10的方式；如圖9所式，治具主體31中的凹部311的內壁面具有弧度，比如凹部311是錐形、碗型或其他適當形狀，VCSEL磊晶片10以邊緣除外區而靠設於凹部311的內側壁而定位於凹部311之內。
在一實施例中，治具主體是厚度不超過10公分。
在一實施例中，治具主體的厚度介於0.1公分至10公分之間或0.5 公分至 10公分之間。
以上所述者僅為用以解釋本發明之較佳實施例，並非企圖據以對 本發明做任何形式上之限制，是以，凡有在相同之發明精神下所作有關本發明之任何修飾或變更，皆仍應包括在本發明意圖保護之範疇。
10:VCSEL磊晶片 11:基板 13:磊晶區 10a:磊晶表面 10b:基板表面 13a:上DBR層 13b:下DBR層 20:測試光源 30:磊晶片測試治具 31:治具主體 311:凹部 313:通孔 31a:頂面 S10~S30:步驟 C1~C6:測試曲線
圖1為依據一實施例的量測背面出光型的VCSEL磊晶片的反射頻譜的示意圖。 圖2為根據第一實施例之背面出光型的VCSEL磊晶片的反射頻譜比較圖。 圖3為根據第二實施例之背面出光型的VCSEL磊晶片的反射頻譜比較圖。 圖4為根據第三實施例之背面出光型的VCSEL磊晶片的反射頻譜比較圖。 圖5為依據一實施例的VCSEL磊晶片的反射頻譜的量測流程示意圖。 圖6a為VCSEL磊晶片的示意圖。 圖6b為磊晶片測試治具承載VCSEL磊晶片的示意圖。 圖7為磊晶片測試治具的一實施例示意圖。 圖8為磊晶片測試治具的一較佳實施例示意圖。 圖9為磊晶片測試治具的另一較佳實施例示意圖。 圖10為磊晶片測試治具的另一較佳實施例示意圖。
10:VCSEL磊晶片
11:基板
13:磊晶區
10a:磊晶表面
10b:基板表面
13a:上DBR層
13b:下DBR層
20:測試光源

Claims (21)

  1. 一種VCSEL的量測方法，包含: 準備一VCSEL磊晶片，該VCSEL磊晶片具有相對的一磊晶表面與一基板表面； 提供一量測設備，係量測並產生該VCSEL磊晶片的一量測結果，該量測設備包含一測試光源，該測試光源是一寬帶光源； 令該寬帶光源照射該VCSEL磊晶片，其中該寬帶光源的光線從該VCSEL磊晶片的該基板表面入射；以及 得到該VCSEL磊晶片的該量測結果； 其中，該量測結果包含一反射頻譜，且該反射頻譜包含一法布裡- 珀羅標準具波長。
  2. 如請求項1所述之VCSEL的量測方法，其中，該VCSEL磊晶片包含一上DBR層與一下DBR層，該上DBR層的總反射率大於該下DBR層的總反射率；該下DBR層的總反射率不大於0.9999。
  3. 如請求項1所述之VCSEL的量測方法，其中，該寬帶光源是白光。
  4. 如請求項1所述之VCSEL的量測方法，其中，該VCSEL磊晶片包含一基板，該基板是半絕緣基板。
  5. 如請求項4所述之VCSEL的量測方法，其中，該基板是GaAs基板，且該法布裡- 珀羅標準具波長大於890nm。
  6. 如請求項1所述之VCSEL的量測方法，其中，該VCSEL磊晶片包含一基板，該基板是N型或P型摻雜基板。
  7. 如請求項6所述之VCSEL的量測方法，其中，該基板是GaAs基板，且該法布裡- 珀羅標準具波長大於900nm。
  8. 一種背面出光型VCSEL的量測方法，包含： 提供一背面出光型VCSEL磊晶片，該背面出光型VCSEL磊晶片包含一基板與一磊晶區，該磊晶區形成於該基板之上，該背面出光型VCSEL磊晶片具有相對的一磊晶表面與一基板表面； 提供一量測設備，係量測並產生該背面出光型VCSEL磊晶片的一量測結果，該量測設備包含一測試光源，該測試光源為一寬帶光源； 將該背面出光型VCSEL磊晶片放置於一磊晶片測試治具上，且該基板表面面向該測試光源； 令該量測設備對該背面出光型VCSEL磊晶片進行量測處理，其中該測試光源的光線係從該基板表面入射；以及 得到該背面出光型VCSEL磊晶片的該量測結果； 其中，該量測結果包含一反射頻譜，且該反射頻譜包含一法布裡- 珀羅標準具(Fabry–Perot Etalon)波長。
  9. 如請求項8所述的一種背面出光型VCSEL的量測方法，其中，該磊晶片測試治具係透過實質接觸該背面出光型VCSEL磊晶片的邊緣而定位該背面出光型VCSEL磊晶片。
  10. 如請求項8所述的一種背面出光型VCSEL的量測方法，其中，該VCSEL磊晶片測試治具包含一治具主體，該背面出光型VCSEL磊晶片之一面為該磊晶表面，該磊晶表面更包含一邊緣除外區與一非邊緣除外區，其中，該背面出光型VCSEL磊晶片藉由該邊緣除外區靠抵於該治具主體而定位於該治具主體之上，該背面出光型VCSEL磊晶片的該非邊緣除外區不接觸於該治具主體。
  11. 如請求項8所述的一種背面出光型VCSEL的量測方法，其中，該背面出光型VCSEL磊晶片包含一上DBR層與一下DBR層， 該上DBR層的總反射率大於該下DBR層的總反射率； 該下DBR層的總反射率不大於0.9999。
  12. 如請求項8所述的一種背面出光型VCSEL的量測方法，其中，該寬帶光源是白光。
  13. 如請求項8所述的一種背面出光型VCSEL的量測方法，其中，該背面出光型VCSEL磊晶片包含一基板，該基板是半絕緣基板。
  14. 如請求項13所述的一種背面出光型VCSEL的的量測方法，其中，該基板是GaAs基板，且該法布裡- 珀羅標準具波長大於890nm。
  15. 如請求項8所述的一種背面出光型VCSEL的量測方法，其中，該背面出光型VCSEL磊晶片包含一基板，該基板是N型或P型摻雜基板。
  16. 如請求項15所述的一種背面出光型VCSEL的量測方法，其中，該基板是GaAs基板，且該法布裡- 珀羅標準具波長大於900nm。
  17. 一種VCSEL磊晶片測試治具，用以承載一背面出光型VCSEL磊晶片，包含： 一治具主體，係承載該背面出光型VCSEL磊晶片，該背面出光型VCSEL磊晶片具有一磊晶表面，該磊晶表面更包含一邊緣除外區與一非邊緣除外區，其中，該背面出光型VCSEL磊晶片藉由以該邊緣除外區靠抵於該治具主體而定位於該治具主體之上，該背面出光型VCSEL磊晶片的該非邊緣除外區不接觸於該治具主體。
  18. 如請求項17所述的磊晶片測試治具，其中，該治具主體更包含具有一內部空間的一凹部，該磊晶表面的該非邊緣除外區是對應於該凹部的該內部空間而不與該治具主體接觸。
  19. 如請求項17所述的磊晶片測試治具，其中，該治具主體至少具有一通孔，該磊晶表面的該非邊緣除外區是對應於該通孔而不與該治具主體接觸。
  20. 如請求項17所述的磊晶片測試治具，其中，該治具主體的厚度介於0.1公分至10公分之間。
  21. 如請求項17所述的磊晶片測試治具，其中，該治具主體的材質選自於由鐵氟龍、塑膠、壓克力及玻璃纖維所組成之群組之至少之一材料。
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