JP2011096386A - 高圧放電ランプ - Google Patents
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Abstract
【課題】
所定の希土類金属ハロゲン化物を含み、ひげ電圧を低下させて立ち消えなどを抑制した高効率の水銀フリーの高圧放電ランプを提供する。
【解決手段】
高圧放電ランプは、透光性気密容器1と、一対の電極2と、第1および第2の金属ハロゲン化物ならびに希ガスを含み、第2の金属ハロゲン化物はTmおよびHoの少なくとも一種のハロゲン化物とCsハロゲン化物と含み、かつTmおよびHoの少なくとも一種のハロゲン化物が15質量%以上含まれていて、希ガスは、Csハロゲン化物がCsI換算で、6質量%のときには2気圧以上、12質量%のときには0.2気圧以上、24質量%のときには0.04気圧以上、およびその他の質量%のときには上記に規定するCsI封入比率および希ガス圧を結ぶCsI封入比率−希ガス圧曲線およびその延長線によって示されるCsI封入量に対応する希ガス圧以上、の中から選択されたいずれかであるとともに、水銀を本質的に含まないで封入された放電媒体とを具備している。
【選択図】図1
所定の希土類金属ハロゲン化物を含み、ひげ電圧を低下させて立ち消えなどを抑制した高効率の水銀フリーの高圧放電ランプを提供する。
【解決手段】
高圧放電ランプは、透光性気密容器1と、一対の電極2と、第1および第2の金属ハロゲン化物ならびに希ガスを含み、第2の金属ハロゲン化物はTmおよびHoの少なくとも一種のハロゲン化物とCsハロゲン化物と含み、かつTmおよびHoの少なくとも一種のハロゲン化物が15質量%以上含まれていて、希ガスは、Csハロゲン化物がCsI換算で、6質量%のときには2気圧以上、12質量%のときには0.2気圧以上、24質量%のときには0.04気圧以上、およびその他の質量%のときには上記に規定するCsI封入比率および希ガス圧を結ぶCsI封入比率−希ガス圧曲線およびその延長線によって示されるCsI封入量に対応する希ガス圧以上、の中から選択されたいずれかであるとともに、水銀を本質的に含まないで封入された放電媒体とを具備している。
【選択図】図1
Description
本発明は、希土類金属ハロゲン化物を含み、かつ水銀を本質的に含まない高圧放電ランプに関する。
発光金属の主成分としてツリウム(Tm)およびホルミウム(Ho)の少なくとも1種のハロゲン化物を封入し、かつ水銀を本質的に含まない高圧放電ランプは既知である(例えば、特許文献1参照。)。水銀フリーの高圧放電ランプにおいて、ツリウム(Tm)およびホルミウム(Ho)の少なくとも1種を所定量封入することにより、高い発光効率とランプ電圧形成作用が同時に得られる。特許文献1に記載された発明においては、発光金属の主成分としてツリウム(Tm)およびホルミウム(Ho)の少なくとも1種のハロゲン化物を封入し、かつタリウム(Tl)ハロゲン化物を従来一般的に使用されている程度の割合以下に低減して、青色発光抑制を効果的に低減している。
また、矩形波の電圧で点灯する水銀フリーのメタルハライドランプの放電媒体として、純粋な光形成体としてTmヨウ化物または/およびHoヨウ化物にCsヨウ化物を添加した光形成体/添加物を用いるとともにZnI2などの電圧勾配形成体を用いることは既知である(特許文献2、表2および表3参照。)。この特許文献2に記載された発明において、Csヨウ化物はアーク柱の温度プロファイルへの影響を有する付加添加物として用いられている(段落0027の4.参照。)。
ところが、発光金属の主成分としてツリウム(Tm)およびホルミウム(Ho)の少なくとも1種のハロゲン化物を封入し、かつZnI2などのランプ電圧形成用ハロゲン化物とキセノン(Xe)3気圧を封入した水銀を本質的に含まない高圧放電ランプにおいては、安定器出力電圧が反転した際の再点弧時にひげ電圧と通称される再点弧電圧が著しく高くなることがある。このような場合には、ランプが立ち消えを起こすこととなり、または明るさのちらつきが発生するという問題がある。なお、上記と同様な封入物構成であるが、水銀とアルゴン(Ar)0.2気圧を封入する一般的な水銀封入タイプの高圧放電ランプにおいては、ひげ電圧は顕著に小さくなるか、または消失する傾向があり、上記のような問題は生じない。すなわち、上述の問題は、水銀フリーの高圧放電ランプ特有のものである。
また、ツリウム(Tm)およびホルミウム(Ho)のハロゲン化物は、これらと同じランタノイドに属するジスプロシウム(Dy)、ネオジム(Nd)およびプラセオジム(Pr)の各ハロゲン化物に比較すると、上述の問題が圧倒的に顕在化しやすいことが分かった。
これに対して、セリウム(Ce)は、ツリウム(Tm)またはホルミウム(Ho)のハロゲン化物を封入する場合と同じ色特性に構成したときの発光効率およびランプ電圧が低下するもののツリウム(Tm)またはホルミウム(Ho)のハロゲン化物を封入する場合に準じる効果が得られるとともに上述と同様立ち消えや明るさのちらつきの問題があり、解決が求められる。
本発明は、ツリウム(Tm)およびホルミウム(Ho)の少なくとも1種またはこれらに準じる効果が得られるセリウム(Ce)のハロゲン化物を含み、ひげ電圧を低下させてランプの立ち消えや明るさのちらつきを抑制した高効率の水銀フリーの高圧放電ランプを提供することを目的とする。
第1の発明の高圧放電ランプは、内部に放電空間を有する透光性気密容器と;透光性セラミックス気密容器の放電空間内に気密に配設された一対の電極と;主としてランプ電圧形成用の第1の金属ハロゲン化物、第1の金属ハロゲン化物を除いた主として発光用などの第2の金属ハロゲン化物、および希ガスを含み、第2の金属ハロゲン化物はツリウム(Tm)およびホルミウム(Ho)の少なくとも一種のハロゲン化物とセシウム(Cs)ハロゲン化物と含み、かつツリウム(Tm)およびホルミウム(Ho)の少なくとも一種のハロゲン化物が15質量%以上含まれていて、希ガスは、セシウム(Cs)ハロゲン化物がCsI換算で、(1)6質量%のときには2気圧以上、(2)12質量%のときには0.2気圧以上、(3)24質量%のときには0.04気圧以上、および(4)その他の質量%のときには上記(1)ないし(3)に規定するCsI封入比率および希ガス圧を結ぶCsI封入比率−希ガス圧曲線およびその延長線によって示されるCsI封入量に対応する希ガス圧以上、の中から選択されたいずれかであるとともに、水銀を本質的に含まないで透光性セラミックス気密容器の内部に封入された放電媒体と;を具備していることを特徴としている。
上記第1の発明は、ツリウム(Tm)およびホルミウム(Ho)のハロゲン化物の放電媒体としての利点を生かしながらランプの立ち消えや明るさのちらつきを抑制するセシウム(Cs)ハロゲン化物の最低限の封入量を明らかにしている。
すなわち、閾値となるCsI換算封入比率と希ガス圧の関係において、同じCsI換算量で希ガスの封入圧が高いほど、立ち消えなどの問題現象が生じにくいが、封入圧が高すぎると始動が困難となるために、メタルハライドランプで広く普及しているシステムで扱えないような高い始動パルス電圧が必要になり、実用性、汎用性が低くなる。
上記の観点から封入される希ガス圧は、キセノン(Xe)では5気圧未満、アルゴン(Ar)では3気圧未満、クリプトン(Kr)では4気圧未満であるのが好ましい。これらの希ガスの中でも、Xeは、KrやArよりランプ電圧を高くするとともに効率を高くできる傾向があるので、最適である。これに対して、Arは、XeやKrよりランプ電圧と発光効率が低くなる傾向があるものの、これらは他の設計要素、例えばランプ電圧形成体(ZnI2など)の封入量やツリウム(Tm)ハロゲン化物および/またはホルミウム(Ho)ハロゲン化物の封入量、電極間距離やランプ温度などで調整することにより実用上大きな問題がない範囲にすることが可能なので、本発明においてはXe、Krに代わりArを用いることを許容する。
本発明において、ツリウム(Tm)およびホルミウム(Ho)の少なくとも一種のハロゲン化物の封入比率を第2の金属ハロゲン化物のうち15質量%以上含むと規定しているのは、15質量%未満であると、高い発光効率とランプ電圧形成作用が同時に得られにくくなるからである。なお、好ましくはより一層高い発光効率とランプ電圧形成作用が同時に得られる31質量%以上である。なお、上限は特段限定されないが、他の金属ハロゲン化物を添加して発光の色特性を所望の白色などに調整可能な余地を保持するためには80質量%以下であるのが好ましい。
第1の発明において、セシウム(Cs)ハロゲン化物の封入比率をCsI換算で表現しているのは、例えばセシウム(Cs)ハロゲン化物の一部または全部をCsBrで封入する態様も許容されるが、この場合CsIに換算した値でセシウム(Cs)ハロゲン化物の封入比率と希ガスの封入圧の関係を規定しているという意味である。
第2の発明の高圧放電ランプは、内部に放電空間を備えた透光性セラミックス気密容器と;透光性セラミックス気密容器の放電空間内に気密に配設された一対の電極と;主としてランプ電圧形成用の第1の金属ハロゲン化物、第1の金属ハロゲン化物を除いた主として発光用などの第2の金属ハロゲン化物、および希ガスを含み、第2の金属ハロゲン化物はセリウム(Ce)ハロゲン化物およびセシウム(Cs)ハロゲン化物を含み、セリウム(Ce)ハロゲン化物が15質量%以上含まれていて、希ガスは、セシウム(Cs)ハロゲン化物がCsI換算で、(1)3質量%のときには1気圧以上、(2)6質量%のときには0.2気圧以上、(3)12質量%のときには0.04気圧以上、および(4)その他の質量%のときには上記(1)ないし(3)に規定するCsI封入比率およびガス圧を結ぶCsI封入比率−希ガス圧曲線およびその延長線によって示されるCsI封入量に対応する希ガス圧以上、の中から選択されたいずれかであるとともに、水銀を本質的に含まないで透光性セラミックス気密容器の内部に封入された放電媒体と;を具備していることを特徴としている。
第2の発明において、希ガスの種類とその封入圧の上限は、第1の発明におけるのと同じであるが、セシウム(Cs)ハロゲン化物の封入比率は第1の発明におけるのより少なくてよいという特徴がある。なお、セシウム(Cs)ハロゲン化物のCsI換算については第1の発明と同じである。
セシウム(Ce)ハロゲン化物の封入比率を第2の金属ハロゲン化物のうち15質量%以上含むと規定しているのは、15質量%未満であると、高い発光効率とランプ電圧形成作用が同時に得られにくくなるからである。なお、好ましくはより一層高い発光効率およびランプ電圧形成作用が得られる31質量%以上である。特段上限は限定されないが、他の金属ハロゲン化物を添加して発光の色特性を所望の白色などに調整可能な余地を保持するためには80質量%以下であるのが好ましい。
第1および第2の発明において、以下の態様の所望の一部または全部の採用を許容する。
1.Csハロゲン化物の全部または一部をInIに代替することができる。この態様において、InIを封入する場合はCsIの1/2質量%とする。
2.本発明の高圧放電ランプを100Hz以下の非矩形波、好ましくは正弦波の交流電圧を出力する安定器を用いて点灯する。本発明は、本態様の安定器を用いる場合に効果的である。
3.60Hz以下の銅鉄形安定器を用いて点灯する。本態様の安定器は正弦波の交流電圧を出力するので、本発明が効果的である。
4.高圧放電ランプのランプ電力が70W以上、好ましくは125W以上である。第1および第2の発明は、ランプ電力が上記の範囲内にある高圧放電ランプの場合、放電長が、上記以下の低Wの高圧放電ランプに比べて、長くなる傾向があるために立ち消えや明るさのちらつきが発生しやすいので、本発明が特に効果的である。
2.本発明の高圧放電ランプを100Hz以下の非矩形波、好ましくは正弦波の交流電圧を出力する安定器を用いて点灯する。本発明は、本態様の安定器を用いる場合に効果的である。
3.60Hz以下の銅鉄形安定器を用いて点灯する。本態様の安定器は正弦波の交流電圧を出力するので、本発明が効果的である。
4.高圧放電ランプのランプ電力が70W以上、好ましくは125W以上である。第1および第2の発明は、ランプ電力が上記の範囲内にある高圧放電ランプの場合、放電長が、上記以下の低Wの高圧放電ランプに比べて、長くなる傾向があるために立ち消えや明るさのちらつきが発生しやすいので、本発明が特に効果的である。
第1の発明によれば、ツリウム(Tm)およびホルミウム(Ho)の少なくとも1種のハロゲン化物を所定比率で封入するとともに、セシウム(Ce)ハロゲン化物の封入比率と希ガスの封入圧とを所定に相関させたことにより、高い発光効率とランプ電圧を得ながらひげ電圧を低減させてランプ立ち消えや明るさのちらつきを抑制した水銀フリーの高圧放電ランプを提供することができる。
第2の発明によれば、セリウム(Ce)ハロゲン化物を所定比率で封入するとともに、セシウム(Ce)ハロゲン化物の封入比率と希ガスの封入圧とを所定に相関させたことにより、ツリウム(Tm)、ホルミウム(Ho)のハロゲン化物におけるより低下するものの比較的高い発光効率とランプ電圧を得ながらひげ電圧を低減させてランプ立ち消えや明るさのちらつきを抑制した水銀フリーの高圧放電ランプを提供することができる。
以下、図面を参照して本発明を実施するための形態を説明する。
図1は、本発明の高圧放電ランプを実施するための第1の形態における発光管を示す断面図である。第1の形態において、高圧放電ランプは、発光管ITを具備している。発光管ITは、透光性セラミックス気密容器1、一対の電極2、2、一対の電流導入導体3、3、一対のシール部4、4および透光性セラミックス気密容器1の内部に封入された放電媒体を備えている。
透光性セラミックス気密容器1は、少なくとも主要部、好ましくは全体が放電によって発生した所望波長域の可視光を外部に導出することが可能な透光性セラミックスからなり、内部に放電空間1cが形成されている。透光性セラミックス気密容器は、最冷部温度を高く設定して、ランプ電圧を高くするとともに、発光効率を向上させることができる。また、ツリウム(Tm)などのランタノイド希土類金属ハロゲン化物を封入した場合であっても腐食の問題がない。なお、透光性セラミックスとしては、透光性アルミナ、イットリウム−アルミニウム−ガーネット(YAG)、イットリウム酸化物(YOX)と、多結晶非酸化物、例えばアルミニウム窒化物(AlN)などの多結晶または単結晶のセラミックスなどを用いることができる。
また、透光性セラミックス気密容器1は、例えば透光性多結晶アルミナセラミックスからなり、図1に示すように、包囲部1aおよび包囲部1aの両端に連通して配設された一対の小径筒部1b、1bを備えている。そして、小径筒部1bおよび包囲部1aは、鋳込み成形により一体に成形され、かつ連続した曲面を介して接続している。
包囲部1aは、その内部が適当な形状、例えば球状、楕円球状、ほぼ円柱状などの形状をなしていることを許容し、内容積について高圧放電ランプの定格ランプ電力、電極間距離などに応じてさまざまな値を選択することができる。本形態において、包囲部1aは、両端部が半球形状をなし、中間部が円筒状をなしていて、その内部に繭玉形状をなしている放電空間1cが形成されている。
一対の小径筒部1b、1bは、それぞれの内部が包囲部1a内に連通している。
一対の電極2、2は、耐火性で、導電性の金属、例えば純タングステン(W)、ドープ剤(例えばスカンジウム(Sc)、アルミニウム(Al)、カリウム(K)およびケイ素(Si)などのグループから選択された一種または複数種)を含有するドープドタングステン、酸化トリウムを含有するトリエーテッドタングステン、レニウム(Re)またはタングステン−レニウム(W−Re)合金などを用いて形成することができる。
本形態において、一対の電極2、2は、タングステンを主成分として形成され、それぞれ電極軸部2a、先端部2bおよび電極マウントサブコイル2cを備えている。電極軸部2aは、小径筒部1b、1b内に挿通されている。先端部2bは、包囲部a内に臨んでいる。電極マウントサブコイル2cは、例えばタングステンを主成分とする細線からなり、電極軸部2aの外周に巻装されている。そうして、電極マウントサブコイル2cと小径筒部1b、1bの内面との間にキャピラリーと称されるわずかな隙間が形成されている。
一対の電流導入導体3、3は、それぞれ直列に接続した封着性部分3aおよび耐ハロゲン性部分3bを備えている。封着性部分3aは、例えばニオブの棒状体からなり、後述するシール部4と協働して透光性セラミックス気密容器1を封止しているとともに、基端が透光性セラミックス気密容器1の外部に露出している。耐ハロゲン性部分3bは、例えばモリブデンの棒状体からなり、その基端が封着性部分3aの先端に突合せ溶接されて透光性セラミックス気密容器1の小径筒部1bの内部に挿入されている。また、その先端部に電極2の基端が溶接されている。なお、耐ハロゲン性部分3bの直径を電極2の電極軸部2aと同径にして電極マウントサブコイル2cを耐ハロゲン性部分3bまで延在させている。
一対のシール部4、4は、小径筒部1bと電流導入導体3とが協働して透光性セラミックス気密容器1を封止するのであれば、その材質および封止の態様が特段限定されない。例えば、小径筒部1bまたはこれと同様材質のセラミックスが融着して透光性セラミックス気密容器1を封止することで結果的にシール部4が形成される構成であってもよい。
本形態においては、一対のシール部4、4は、いずれもDy2O3−SiO2−Al2O3系のフリットガラスを加熱して溶融し、固化することにより形成されている。そうして、一対のシール部4、4は、透光性セラミックス気密容器1の小径筒部1b、1bの端面側の部分と、これに対向する電流導入導体3、3と、の間に介在して透光性セラミックス気密容器1を気密に封止していて、電流導入導体3、3のニオブ棒状体3aが透光性セラミックス気密容器1の内部に露出しないように小径筒部1b、1b内に挿入されている部分の全体を被覆している。以上の封止により、電極2を透光性セラミックス気密容器1の所定の位置に固定している。
放電媒体は、第1の金属ハロゲン化物、第2の金属ハロゲン化物および希ガスを含んでいる。
第1の金属ハロゲン化物は、主としてランプ電圧形成用の金属ハロゲン化物である。この金属ハロゲン化物は、ランプ電圧形成作用が第1の金属ハロゲン化物に比べて顕著であるという特徴がある一方で、発光量が相対的に少なくて高圧放電ランプの総発光量に対する貢献が少ないという特徴がある。
第1の金属ハロゲン化物としては、例えばマグネシウム(Mg)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、クロム(Cr)、亜鉛(Zn)、ニッケル(Ni)、マンガン(Mn)、アルミニウム(Al)、アンチモン(Sb)、ベリリウム(Be)、レニウム(Re)、ガリウム(Ga)、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)およびハフニウム(Hf)からなるグループの中から選択された1種または複数種のハロゲン化物を用いることができる。
第2の金属ハロゲン化物は、主として発光用および添加用の金属ハロゲン化物である。これらの金属ハロゲン化物は、少なくともツリウム(Tm)およびホルミウム(Ho)の少なくとも1種のハロゲン化物ならびにセシウム(Cs)ハロゲン化物を含んでいる。前者のハロゲン化物は、主として発光用である。また、後者はひげ電圧を低下させるための添加用として用いられている。なお、発光に寄与する金属とは、高圧放電ランプとしての発光に対して寄与することが明らかな金属であり、ランプ電圧形成作用の有無については問わない。
ツリウム(Tm)は、放電時に視感度特性曲線のピーク波長付近に多数の輝線スペクトルを放射し、その発光のピークが視感度曲線のピークに一致するので、発光効率を向上させるのに極めて効果的な発光金属であるとともに、水銀フリーの高圧放電ランプにおいてランプ電圧を高める作用がある。また、ホルミウム(Ho)もツリウム(Tm)に類似した性質を有している。したがって、本発明において、ツリウム(Tm)およびホルミウム(Ho)のハロゲン化物は、いずれか一方のみを用いてもよいし、両方を併用してもよい。
また、ツリウム(Tm)およびホルミウム(Ho)のハロゲン化物は、それらの合計質量が主としてランプ電圧形成用である第1の金属ハロゲン化物を除いた第2の金属ハロゲン化物の全体に対して少なくとも15質量%以上含まれているものとする。この理由は高効率で、しかも水銀フリーとしては高ランプ電圧の高圧放電ランプを得るために必要な封入量を確保するために必要だからである。このため、例えばZnI2などのランプ電圧形成用の第1の金属ハロゲン化物の封入量を例えば1/5のように少なくしても、少なくする前の封入量におけるのと同等のランプ電圧が得られる。ランプ電圧形成用第1の金属ハロゲン化物の封入量が多くなるにしたがって色偏差が増大するため、第1の金属ハロゲン化物の封入量を少なくすることによって色偏差が著しく改善される。なお、ツリウム(Tm)およびホルミウム(Ho)のハロゲン化物は、好ましくは31質量%以上である。さらに、50質量%以上であれば、より高いランプ電圧とより高い発光効率を得ることができる。なお、上記封入比率が80質量%を超えると、ツリウム(Tm)およびホルミウム(Ho)以外の金属のハロゲン化物の封入比率が相応して低下し、その結果所望の白色発光が得られなくなるので、白色発光を得る目的に対しては好ましくない。
本発明において、セシウム(Cs)ハロゲン化物は、ひげ電圧を低減させて高圧放電ランプの立ち消えを抑制するための添加用である。そのために、セシウム(Cs)ハロゲン化物の第2の金属ハロゲン化物の全体に対する封入比率は、希ガス圧との相関により決定される。すなわち、セシウム(Cs)ハロゲン化物がCsI換算で6質量%のときは希ガスが2気圧以上、同じく12質量%のときは0.2気圧以上、同じく24質量%のときは0.04気圧以上、セシウム(Cs)ハロゲン化物が上記以外の封入比率のときは上記各封入比率および希ガス圧を結ぶCsI封入比率−希ガス圧曲線およびその延長線によって示されるCsI封入量および対応する希ガス圧以上の希ガスを封入する。上記の封入条件は、所望の希ガス圧を封入する場合のひげ電圧を低下させるのに効果的なセシウム(Cs)ハロゲン化物の封入量を示していることにもなる。
第1および第2のハロゲン化物を形成するハロゲンとしては、適度の反応性を有していることからヨウ素が好適であるが、所望により臭素および塩素のいずれかでもよく、またヨウ素、臭素および塩素のうち所望の二種以上を用いてもよい。
ツリウム(Tm)およびホルミウム(Ho)以外の金属のハロゲン化物を、上記のように白色発光を得る以外に、例えば発光の色度を調整する、または発光効率を高くするなどの目的で添加することができる。発光効率は、ツリウム(Tm)およびホルミウム(Ho)の少なくとも1種のハロゲン化物封入比率が50〜70質量%の範囲のときに特に高くなる。
上記その他の金属のハロゲン化物は、多様な目的で適宜選択して添加することができるので、本発明では特段限定されない。以下、その他の金属のハロゲン化物の主な例について説明する。
1.(アルカリ金属) アルカリ金属は、全ての金属ハロゲン化物に対して60質量%、好ましくは50質量%とすれば、ランプ電圧低下の効果が得られ、さらに30質量%未満程度が最適であるが、発光特性や製造性などの諸条件が許容される場合には3質量%未満の範囲内で封入することによって、ランプ電圧の低下は最小限に抑制される一方、発光効率、ランプ寿命改善および光色調整、特に色偏差改善が可能になる。このような観点から、所要のランプ電圧を確保できる範囲内において、封入が許容される。なお、好ましくは2〜8質量%、より好ましくは3〜7質量%、なお一層好ましくは4〜6質量%である。また、アルカリ金属としては、ナトリウム(Na)およびリチウム(Li)の一種または複数種を選択的に封入することができる。
1.(アルカリ金属) アルカリ金属は、全ての金属ハロゲン化物に対して60質量%、好ましくは50質量%とすれば、ランプ電圧低下の効果が得られ、さらに30質量%未満程度が最適であるが、発光特性や製造性などの諸条件が許容される場合には3質量%未満の範囲内で封入することによって、ランプ電圧の低下は最小限に抑制される一方、発光効率、ランプ寿命改善および光色調整、特に色偏差改善が可能になる。このような観点から、所要のランプ電圧を確保できる範囲内において、封入が許容される。なお、好ましくは2〜8質量%、より好ましくは3〜7質量%、なお一層好ましくは4〜6質量%である。また、アルカリ金属としては、ナトリウム(Na)およびリチウム(Li)の一種または複数種を選択的に封入することができる。
2.(その他の希土類金属のハロゲン化物) ツリウム(Tm)およびホルミウム(Ho)以外の希土類金属のハロゲン化物としてプラセオジム(Pr)、セリウム(Ce)およびサマリウム(Sm)からなる希土類金属の一種または複数種のハロゲン化物を副成分として封入することができる。上記希土類金属は、ツリウムハロゲン化物およびホルミウムハロゲン化物に次いで発光金属として有用であり、所定量以下の封入比率で封入することが許容される。すなわち、上記希土類金属は、そのいずれも視感度特性曲線のピーク波長付近で無数の輝線スペクトルを有するため、発光効率向上に寄与することができる。
3.(インジウム(In)のハロゲン化物) インジウム(In)のハロゲン化物は、本発明においてセシウム(Cs)ハロゲン化物の代替として封入させることもできる。なお、代替する際の封入量は、セシウム(Cs)ハロゲン化物の1/2質量%とする。
次に、希ガスについて説明する。希ガスとしては、キセノン(Xe)、クリプトン(Kr)およびアルゴン(Ar)のいずれか1種または所望の複数種を混合して、前記封入圧力で用いることができる。
図2は、本発明の高圧放電ランプを実施するための第1の形態における安定点灯時のランプ電圧の波形図である。図から理解できるように、この高圧放電ランプは、ランプ電圧の立ち上がり時に現れるひげ電圧が頗る低い。このため、波高率は1.4であり、高圧放電ランプの立ち消えおよび明るさのちらつきが発生しない。なお、波高率はランプ電圧のピーク電圧/実効値により求める。試験の結果、立ち消えの発生しない波高率は1.7以下であることが分かった。
図3は、比較例における点灯時のランプ電圧の波形図である。図から理解できるように、この高圧放電ランプは、ランプ電圧の立ち上がり時に現れるひげ電圧が高い。このため、波高率は2.3であり、高圧放電ランプの立ち消えおよび明るさのちらつきが発生しやすい。
図1に示す発光管を具備している高圧放電ランプである。
透光性セラミックス気密容器:PCA製、包囲部内径9.5mm、一体成形、全長46mm、
中間部が円筒状、両端が半球状、肉厚0.8mm
電極 :W製、直径0.7mm、電極間距離7mm、
放電媒体 :TmI3-NaI 4mg(TmI3 35質量%)、ZnI2
0.2mg、
Xe 2.4気圧
使用安定器 :50Hz銅鉄形安定器(正弦波交流電圧出力)
ランプ電力 :入力100W、垂直点灯
ランプ電圧 :45V
波高率 :約1.7
発光効率 :100 lm/W
点灯状態 :立ち消え、明るさのちらつきなし。
中間部が円筒状、両端が半球状、肉厚0.8mm
電極 :W製、直径0.7mm、電極間距離7mm、
放電媒体 :TmI3-NaI 4mg(TmI3 35質量%)、ZnI2
0.2mg、
Xe 2.4気圧
使用安定器 :50Hz銅鉄形安定器(正弦波交流電圧出力)
ランプ電力 :入力100W、垂直点灯
ランプ電圧 :45V
波高率 :約1.7
発光効率 :100 lm/W
点灯状態 :立ち消え、明るさのちらつきなし。
放電媒体 :HoI3-NaI 4mg(HoI3 35質量%)、ZnI2
0.2mg、
CsI 0.24mg(6質量%)、Xe 2.4気圧
その他は実施例1と同じ。
0.2mg、
CsI 0.24mg(6質量%)、Xe 2.4気圧
その他は実施例1と同じ。
ランプ電圧 :43V
波高率 :約1.7
発光効率 :95 lm/W
点灯状態 :立ち消え、明るさのちらつきなし。
波高率 :約1.7
発光効率 :95 lm/W
点灯状態 :立ち消え、明るさのちらつきなし。
放電媒体 :TmI3-NaI 4mg(TmI3 35質量%)、ZnI2
0.2mg、
CsI 0.48mg(12質量%)、Xe
0.2気圧
その他は実施例1と同じ。
0.2mg、
CsI 0.48mg(12質量%)、Xe
0.2気圧
その他は実施例1と同じ。
ランプ電圧 :37V
波高率 :約1.7
発光効率 :85 lm/W
点灯状態 :立ち消え、明るさのちらつきなし。
[比較例1]
波高率 :約1.7
発光効率 :85 lm/W
点灯状態 :立ち消え、明るさのちらつきなし。
[比較例1]
放電媒体 :TmI3-NaI 4mg(TmI3 35質量%)、ZnI2
0.2mg、
CsI 0mg(0質量%)、Xe 2.4気圧
ランプ電力 :入力測定不能(立ち消え発生のため)、垂直点灯
ランプ電圧 :測定不能(立ち消え発生のため)
波高率 :同上
発光効率 :同上
点灯状態 :立ち消えが発生した。
[比較例2]
0.2mg、
CsI 0mg(0質量%)、Xe 2.4気圧
ランプ電力 :入力測定不能(立ち消え発生のため)、垂直点灯
ランプ電圧 :測定不能(立ち消え発生のため)
波高率 :同上
発光効率 :同上
点灯状態 :立ち消えが発生した。
[比較例2]
放電媒体 :TmI3-NaI 4mg(TmI3 35質量%)、ZnI2
0.2mg、
CsI 0.24mg(6質量%)、Xe 0.2気圧
その他は実施例1と同じ。
0.2mg、
CsI 0.24mg(6質量%)、Xe 0.2気圧
その他は実施例1と同じ。
ランプ電力 :入力測定不能(立ち消え発生のため)、垂直点灯
ランプ電圧 :測定不能(立ち消え発生のため)
波高率 :約2.7
発光効率 :測定不能(立ち消え発生のため)
点灯状態 :立ち消え頻発、明るさのちらつきあり。
[比較例3]
ランプ電圧 :測定不能(立ち消え発生のため)
波高率 :約2.7
発光効率 :測定不能(立ち消え発生のため)
点灯状態 :立ち消え頻発、明るさのちらつきあり。
[比較例3]
放電媒体 :DyI3-NaI 4mg(DyI3 35質量%)、ZnI2
0.2mg、
CsI 0.24mg(6質量%)、Xe 2.4気圧
その他は実施例1と同じ。
0.2mg、
CsI 0.24mg(6質量%)、Xe 2.4気圧
その他は実施例1と同じ。
ランプ電圧 :33V(低すぎて実用上問題あり)
波高率 :約1.3
発光効率 :72 lm/W(低すぎて実用上問題あり)
点灯状態 :立ち消え、明るさのちらつきなし。
[比較例4]
波高率 :約1.3
発光効率 :72 lm/W(低すぎて実用上問題あり)
点灯状態 :立ち消え、明るさのちらつきなし。
[比較例4]
放電媒体 :DyI3-NaI 4mg(DyI3 35質量%)、ZnI2
0.2mg、
CsI 0mg(0質量%)、Xe 2.4気圧
その他は実施例1と同じ。
0.2mg、
CsI 0mg(0質量%)、Xe 2.4気圧
その他は実施例1と同じ。
ランプ電圧 :35V(低すぎて実用上問題あり)
波高率 :約1.3
発光効率 :75 lm/W(低すぎて実用上問題あり)
点灯状態 :立ち消え、明るさのちらつきなし。
波高率 :約1.3
発光効率 :75 lm/W(低すぎて実用上問題あり)
点灯状態 :立ち消え、明るさのちらつきなし。
次に、図4および図5を参照して希ガス圧と波形率の関係について説明する。図4は、4種類の異なる仕様の放電媒体を封入した高圧放電ランプを製作して、希ガス圧と波高率の関係をグラフ化したもので、横軸がXe圧(気圧)を、縦軸が波高率を、それぞれ示している。4種類の異なる仕様の放電媒体は、金属ハロゲン化物については表1のとおりであるとともに、希ガスについてはXeを0.1、0.2、0.5、1、2、5、10、20気圧封入した高圧放電ランプをそれぞれ製作して、波高率を測定した。なお、高圧放電ランプの入力150W、PCA管壁負荷20W/cm2一定とした。
[表1]
ランプ1:TmI3-NaI(TmI3 35質量%)、ZnI2、CsI 6質量% 図中の記号◆
ランプ2:TmI3-NaI(TmI3 35質量%)、ZnI2、CsI 12質量% 図中の記号□
ランプ3:TmI3-NaI(TmI3 35質量%)、ZnI2、CsI 24質量% 図中の記号△
ランプ4:DyI3-NaI(DyI3 35質量%)、ZnI2、CsI 16質量% 図中の記号×
図4において太線により示すように、波高率が1.7以下であると、高圧放電ランプに立ち消えは発生しなかった。なお、TmI3をHoI3に代えても図4と同様の結果が得られる。
ランプ1:TmI3-NaI(TmI3 35質量%)、ZnI2、CsI 6質量% 図中の記号◆
ランプ2:TmI3-NaI(TmI3 35質量%)、ZnI2、CsI 12質量% 図中の記号□
ランプ3:TmI3-NaI(TmI3 35質量%)、ZnI2、CsI 24質量% 図中の記号△
ランプ4:DyI3-NaI(DyI3 35質量%)、ZnI2、CsI 16質量% 図中の記号×
図4において太線により示すように、波高率が1.7以下であると、高圧放電ランプに立ち消えは発生しなかった。なお、TmI3をHoI3に代えても図4と同様の結果が得られる。
図5は、波高率1.7となるセシウム(Cs)ハロゲン化物の封入比率および希ガス圧の推測値を含む図4における3値に基づいて作成した曲線Aおよび3値を結ぶ直線Bを重ねて描いたグラフである。
図中の曲線Aを閾値としてその右側領域であれば立ち消え、明るさのちらつきが発生しない。なお、CsIの封入比率(質量%)をxとし、希ガス圧(気圧)をyとして曲線Aを数式化した結果は、y=279.73x−2.8219である。
次に、図6および図7を参照して本発明を実施するための第2の形態について説明する。本形態は、発光管の構造が図1と同じであるが、第2の金属ハロゲン化物がセリウム(Ce)ハロゲン化物を含んでいる。セリウム(Ce)ハロゲン化物の第2の金属ハロゲン化物全体に対する封入比率は、第1の形態におけるツリウム(Tm)およびホルミウム(Ho)と同様に15質量%以上、好ましくは31質量%以上である。
セリウム(Ce)ハロゲン化物の場合、立ち消えや明るさのちらつきを抑制するのに必要なセリウム(Ce)ハロゲン化物の封入比率が第1の形態におけるのより少なくてよい。すなわち、3質量%のときには1気圧以上、(2)6質量%のときには0.2気圧以上、
(3)12質量%のときには0.04気圧以上、および(4)その他の質量%のときには上記(1)ないし(3)に規定するCsI封入比率およびガス圧を結ぶCsI封入比率−希ガス圧曲線およびその延長線によって示されるCsI封入量に対応する希ガス圧以上、のいずれかである。
図中の曲線Aを閾値としてその右側領域であれば立ち消え、明るさのちらつきが発生しない。なお、CsIの封入比率(質量%)をxとし、希ガス圧(気圧)をyとして曲線Aを数式化した結果は、y=279.73x−2.8219である。
次に、図6および図7を参照して本発明を実施するための第2の形態について説明する。本形態は、発光管の構造が図1と同じであるが、第2の金属ハロゲン化物がセリウム(Ce)ハロゲン化物を含んでいる。セリウム(Ce)ハロゲン化物の第2の金属ハロゲン化物全体に対する封入比率は、第1の形態におけるツリウム(Tm)およびホルミウム(Ho)と同様に15質量%以上、好ましくは31質量%以上である。
セリウム(Ce)ハロゲン化物の場合、立ち消えや明るさのちらつきを抑制するのに必要なセリウム(Ce)ハロゲン化物の封入比率が第1の形態におけるのより少なくてよい。すなわち、3質量%のときには1気圧以上、(2)6質量%のときには0.2気圧以上、
(3)12質量%のときには0.04気圧以上、および(4)その他の質量%のときには上記(1)ないし(3)に規定するCsI封入比率およびガス圧を結ぶCsI封入比率−希ガス圧曲線およびその延長線によって示されるCsI封入量に対応する希ガス圧以上、のいずれかである。
放電媒体 :CeI3-NaI 4mg(CeI3 35質量%)、ZnI2
0.4mg、
CsI 0.12mg(3質量%)、Xe 2.4気圧
その他は実施例1と同じ。
0.4mg、
CsI 0.12mg(3質量%)、Xe 2.4気圧
その他は実施例1と同じ。
ランプ電圧 :42V
波高率 :約1.6
発光効率 :103 lm/W
点灯状態 :立ち消え、明るさのちらつきなし。
波高率 :約1.6
発光効率 :103 lm/W
点灯状態 :立ち消え、明るさのちらつきなし。
放電媒体 :CeI3-NaI 4mg(CeI3 35質量%)、ZnI2
0.4mg、
CsI 0.24mg(6質量%)、Xe 0.2気圧
その他は実施例1と同じ。
0.4mg、
CsI 0.24mg(6質量%)、Xe 0.2気圧
その他は実施例1と同じ。
ランプ電圧 :37V
波高率 :約1.7
発光効率 :88 lm/W
点灯状態 :立ち消え、明るさのちらつきなし。
[比較例5]
波高率 :約1.7
発光効率 :88 lm/W
点灯状態 :立ち消え、明るさのちらつきなし。
[比較例5]
放電媒体 :CeI3-NaI 4mg(TmI3 35質量%)、ZnI2
0.4mg、
CsI 0mg(0質量%)、Xe 2.4気圧
ランプ電力 :入力測定不能(立ち消え発生のため)、垂直点灯
ランプ電圧 :測定不能(立ち消え発生のため)
波高率 :同上
発光効率 :同上
点灯状態 :立ち消えが発生した。
[比較例6]
0.4mg、
CsI 0mg(0質量%)、Xe 2.4気圧
ランプ電力 :入力測定不能(立ち消え発生のため)、垂直点灯
ランプ電圧 :測定不能(立ち消え発生のため)
波高率 :同上
発光効率 :同上
点灯状態 :立ち消えが発生した。
[比較例6]
放電媒体 :CeI3-NaI 4mg(TmI3 35質量%)、ZnI2
0.4mg、
CsI 0.12mg(3質量%)、Xe 0.2気圧
ランプ電力 :入力測定不能(立ち消え発生のため)、垂直点灯
ランプ電圧 :測定不能(立ち消え発生のため)
波高率 :同上
発光効率 :同上
点灯状態 :立ち消え頻発、明るさのちらつきあり。
[比較例7]
0.4mg、
CsI 0.12mg(3質量%)、Xe 0.2気圧
ランプ電力 :入力測定不能(立ち消え発生のため)、垂直点灯
ランプ電圧 :測定不能(立ち消え発生のため)
波高率 :同上
発光効率 :同上
点灯状態 :立ち消え頻発、明るさのちらつきあり。
[比較例7]
放電媒体 :DyI3-NaI 4mg(DyI3 35質量%)、ZnI2
0.4mg、
CsI 0.24mg(6質量%)、Xe 2.4気圧
ランプ電力 :100W、垂直点灯
ランプ電圧 :36V(低すぎて実用上問題あり)
波高率 :約1.3
発光効率 :68 lm/W(低すぎて実用上問題あり)
点灯状態 :立ち消え、明るさのちらつきなし。
[比較例8]
0.4mg、
CsI 0.24mg(6質量%)、Xe 2.4気圧
ランプ電力 :100W、垂直点灯
ランプ電圧 :36V(低すぎて実用上問題あり)
波高率 :約1.3
発光効率 :68 lm/W(低すぎて実用上問題あり)
点灯状態 :立ち消え、明るさのちらつきなし。
[比較例8]
放電媒体 :DyI3-NaI 4mg(DyI3 35質量%)、ZnI2
0.4mg、
CsI 0mg(0質量%)、Xe 2.4気圧
ランプ電力 :100W、垂直点灯
ランプ電圧 :37V(低すぎて実用上問題あり)
波高率 :約1.3
発光効率 :72 lm/W(低すぎて実用上問題あり)
点灯状態 :立ち消え、明るさのちらつきなし。
0.4mg、
CsI 0mg(0質量%)、Xe 2.4気圧
ランプ電力 :100W、垂直点灯
ランプ電圧 :37V(低すぎて実用上問題あり)
波高率 :約1.3
発光効率 :72 lm/W(低すぎて実用上問題あり)
点灯状態 :立ち消え、明るさのちらつきなし。
次に、図6および図7を参照して希ガス圧と波高率の関係について説明する。図6は、4種類の異なる仕様の放電媒体を封入した高圧放電ランプを製作して、希ガス圧と波高率の関係をグラフ化したもので、横軸が希ガス封入圧を、縦軸が波高率を、それぞれ示している。4種類の異なる仕様の放電媒体は、金属ハロゲン化物については表2のとおりであるとともに、希ガスについてはXeを0.1、0.2、0.5、1、2、5、10、20気圧封入した高圧放電ランプをそれぞれ製作して、波高率を測定した。なお、高圧放電ランプの入力150W、PCA管壁負荷20W/cm2一定とした。
[表2]
ランプ5:CeI3-NaI(CeI3 35質量%)、ZnI2、CsI 3質量% 図中の記号◆
ランプ6:CeI3-NaI(CeI3 35質量%)、ZnI2、CsI 6質量% 図中の記号□
ランプ7:Ce3-NaI(CeI3 35質量%)、ZnI2、CsI 12質量% 図中の記号△
ランプ8:DyI3-NaI(DyI3 35質量%)、ZnI2、CsI 6質量% 図中の記号×
図6において太線により示すように、波高率が1.7以下であると、高圧放電ランプに立ち消えは発生しなかった。
ランプ5:CeI3-NaI(CeI3 35質量%)、ZnI2、CsI 3質量% 図中の記号◆
ランプ6:CeI3-NaI(CeI3 35質量%)、ZnI2、CsI 6質量% 図中の記号□
ランプ7:Ce3-NaI(CeI3 35質量%)、ZnI2、CsI 12質量% 図中の記号△
ランプ8:DyI3-NaI(DyI3 35質量%)、ZnI2、CsI 6質量% 図中の記号×
図6において太線により示すように、波高率が1.7以下であると、高圧放電ランプに立ち消えは発生しなかった。
図7は、波高率1.7となるCsI封入比率および希ガス圧の推測値を含む図6における3値に基づいて作成した曲線Aおよび3値を結ぶ直線Bを重ねて描いたグラフである。
図中の曲線Aを閾値としてその右側領域であれば立ち消えや明るさのちらつきが発生しない。なお、CsIの封入比率(質量%)をxとし、希ガス圧(気圧)をyとして曲線Aを数式化した結果は、y=12.819x−2.3219である。
図中の曲線Aを閾値としてその右側領域であれば立ち消えや明るさのちらつきが発生しない。なお、CsIの封入比率(質量%)をxとし、希ガス圧(気圧)をyとして曲線Aを数式化した結果は、y=12.819x−2.3219である。
1…透光性気密容器、1a…包囲部、1b…小径筒部、1c…放電空間、2…電極、3…電流導入導体、3a…封着性部分、3b…耐ハロゲン性部分、4…シール部
Claims (2)
- 内部に放電空間を備えた透光性セラミックス気密容器と;
透光性セラミックス気密容器の放電空間内に気密に配設された一対の電極と;
主としてランプ電圧形成用の第1の金属ハロゲン化物、第1の金属ハロゲン化物を除いた主として発光用などの第2の金属ハロゲン化物、および希ガスを含み、第2の金属ハロゲン化物はツリウム(Tm)およびホルミウム(Ho)の少なくとも一種のハロゲン化物とセシウム(Cs)ハロゲン化物と含み、かつツリウム(Tm)およびホルミウム(Ho)の少なくとも一種のハロゲン化物が15質量%以上含まれていて、希ガスは、セシウム(Cs)ハロゲン化物がCsI換算で、
(1)6質量%のときには2気圧以上、
(2)12質量%のときには0.2気圧以上、
(3)24質量%のときには0.04気圧以上、
および(4)その他の質量%のときには上記(1)ないし(3)に規定するCsI封入比率および希ガス圧を結ぶCsI封入比率−希ガス圧曲線およびその延長線によって示されるCsI封入量に対応する希ガス圧以上、
の中から選択されたいずれかであるとともに、水銀を本質的に含まないで透光性セラミックス気密容器の内部に封入された放電媒体と;
を具備していることを特徴とする高圧放電ランプ。 - 内部に放電空間を備えた透光性セラミックス気密容器と;
透光性セラミックス気密容器の放電空間内に気密に配設された一対の電極と;
主としてランプ電圧形成用の第1の金属ハロゲン化物、第1の金属ハロゲン化物を除いた主として発光用などの第2の金属ハロゲン化物、および希ガスを含み、第2の金属ハロゲン化物はセリウム(Ce)ハロゲン化物およびセシウム(Cs)ハロゲン化物を含み、セリウム(Ce)ハロゲン化物が15質量%以上含まれていて、希ガスは、セシウム(Cs)ハロゲン化物がCsI換算で、
(1)3質量%のときには1気圧以上、
(2)6質量%のときには0.2気圧以上、
(3)12質量%のときには0.04気圧以上、
および(4)その他の質量%のときには上記(1)ないし(3)に規定するCsI封入比率およびガス圧を結ぶCsI封入比率−希ガス圧曲線およびその延長線によって示されるCsI封入量に対応する希ガス圧以上、
の中から選択されたいずれかであるとともに、水銀を本質的に含まないで透光性セラミックス気密容器の内部に封入された放電媒体と;
を具備していることを特徴とする高圧放電ランプ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009246421A JP2011096386A (ja) | 2009-10-27 | 2009-10-27 | 高圧放電ランプ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009246421A JP2011096386A (ja) | 2009-10-27 | 2009-10-27 | 高圧放電ランプ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011096386A true JP2011096386A (ja) | 2011-05-12 |
Family
ID=44113117
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009246421A Pending JP2011096386A (ja) | 2009-10-27 | 2009-10-27 | 高圧放電ランプ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011096386A (ja) |
-
2009
- 2009-10-27 JP JP2009246421A patent/JP2011096386A/ja active Pending
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