JP2011077212A - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011077212A JP2011077212A JP2009225726A JP2009225726A JP2011077212A JP 2011077212 A JP2011077212 A JP 2011077212A JP 2009225726 A JP2009225726 A JP 2009225726A JP 2009225726 A JP2009225726 A JP 2009225726A JP 2011077212 A JP2011077212 A JP 2011077212A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- emitting device
- receiving element
- leakage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/14—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
- H01L31/147—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
- H01L31/153—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the light source or sources being controlled by the semiconductor device sensitive to radiation, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers formed in, or on, a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【課題】光源の出力光強度に損失が生じず、また、安定した制御が可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置は、所定面に光放射部が設けられ、前記光放射部から光を放射する光源と、前記所定面以外の面から漏れ出す漏れ光を受光可能に配置された受光素子と、前記受光素子により前記漏れ光を受光して得られる信号に基づいて前記光源から放射する光を制御する制御部と、を備える。
【選択図】図1
【解決手段】発光装置は、所定面に光放射部が設けられ、前記光放射部から光を放射する光源と、前記所定面以外の面から漏れ出す漏れ光を受光可能に配置された受光素子と、前記受光素子により前記漏れ光を受光して得られる信号に基づいて前記光源から放射する光を制御する制御部と、を備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、発光装置に関する。
発光ダイオードのような光源から所望の光強度の出力光を得るために、出力光の一部をフォトダイオード等の受光素子でモニタして、その受光強度に基づいて光源の出力をフィードバック制御することが行われている。光源からの出力光をモニタする構成としては、例えば、(1)光路の途中にビームスプリッタを置いて出力光の一部を取り出す構成や、(2)光路中のレンズ等の光学素子からの反射光をモニタするようにした構成が考えられる(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、(1)の構成では、光路の途中にビームスプリッタを設ける必要があるため、ビームスプリッタを設けない場合に比べて光源の出力光強度が低下してしまうという問題がある。また、(2)の構成では、光路中に存在する他の光学素子からの反射光が受光素子に入射することがあり、これにより安定した制御が行えないという問題がある。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、その目的は、光源の出力光強度に損失が生じず、また、安定した制御が可能な発光装置を提供することにある。
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、本発明の発光装置は、所定面に光放射部が設けられ、前記光放射部から光を放射する光源と、前記所定面以外の面から漏れ出す漏れ光を受光可能に配置された受光素子と、前記受光素子により前記漏れ光を受光して得られる信号に基づいて前記光源から放射する光を制御する制御部と、を備えることを特徴とする。
また、本発明は、上記の発光装置において、前記光源は、光取り出し穴が設けられたベース板上に、前記漏れ光を前記光取り出し穴から取り出せるようにして配置され、前記受光素子は、前記光取り出し穴から取り出された前記漏れ光を受光できるようにして配置されていることを特徴とする。
また、本発明は、上記の発光装置において、前記光取り出し穴は、前記受光素子に近い位置ほど穴径が大きく形成されていることを特徴とする。
また、本発明は、上記の発光装置において、前記光源の前記漏れ光が発せられる面と前記受光素子の受光面が平行であることを特徴とする。
本発明によれば、光照射部が設けられた面以外の面から漏れ出す漏れ光を受光素子で受光する構成であるので、光源の出力光強度に損失が生じることがなく、また、光源からの光を安定して制御することが可能である。
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳しく説明する。
図1は、本発明の一実施形態による発光装置の構成を示す断面図である。
図1は、本発明の一実施形態による発光装置の構成を示す断面図である。
図1において、発光ダイオード(光源)10はベース板20上に取り付けられている。この発光ダイオード10は、発光ダイオード素子11を筐体内にパッケージ化したものである。筐体は、一般的にはセラミック筐体12とガラスや樹脂等を材質とした光透過窓(光放射部)13からなる。光透過窓13はベース板20と反対の側を向いており、この光透過窓13を通して、発光ダイオード素子11から放射された光101が出射される。この光が、発光ダイオード10の主要光101である。
セラミック筐体12の底面(光透過窓13と対向する面)はベース板20の上面と接している。そして、ベース板20のセラミック筐体12と接している部分には、貫通穴(光取り出し穴)21が設けられている。貫通穴21の形状は、上面側の開口径が発光ダイオード10のセラミック筐体12の底面の径よりも小さく、下面へ向かうほど開口径が大きくなるテーパー状となっている。
セラミック筐体12の材質は、発光ダイオード素子11が放射する光の一部を透過させることが可能な材質が用いられている。セラミック筐体12を透過した光、即ち発光ダイオード10の裏面(光透過窓13の反対面)からの漏れ光102は、ベース板20の貫通穴21を通ってベース板20の下面側へ取り出される。
ベース板20の下面側であって貫通穴21の下方には、フォトダイオード(受光素子)30が設けられている。この配置により、フォトダイオード30は発光ダイオード10からの漏れ光102を受光することができる。また、貫通穴21の上側の開口は発光ダイオード10によって塞がれているので、主要光101が出射される側からの不要な反射光がフォトダイオード30へ到達することがない。また、貫通穴21が下方に向かって広がるテーパー状に形成されているため、発散する漏れ光を効率良くフォトダイオード30で受光することができる。なお、図中では明記していないが、フォトダイオード30は適宜の固定治具を用いてベース板20に取り付けられている。
このようにしてフォトダイオード30で受光した漏れ光102の強度に基づいて、不図示の制御部が、発光ダイオード素子11が放射する光の強度を制御する。これにより、発光ダイオード10からの主要光101として、所望の光強度の安定した出力光を得ることができる。
図2は、本発明の他の実施形態による発光装置の構成を示す断面図である。
図2において、ベース板20(貫通穴なし)上にフォトダイオード30が設けられ、フォトダイオード30の上に更に発光ダイオード10が設けられている。発光ダイオード10の光透過窓13は図1と同様にベース板20と反対の側を向いており、セラミック筐体12の底面とフォトダイオード30の受光面が向かい合っている。このような構成においても、図1と同様、発光ダイオード10の裏面からの漏れ光をフォトダイオード30で受光することができる。
図2において、ベース板20(貫通穴なし)上にフォトダイオード30が設けられ、フォトダイオード30の上に更に発光ダイオード10が設けられている。発光ダイオード10の光透過窓13は図1と同様にベース板20と反対の側を向いており、セラミック筐体12の底面とフォトダイオード30の受光面が向かい合っている。このような構成においても、図1と同様、発光ダイオード10の裏面からの漏れ光をフォトダイオード30で受光することができる。
図3は、図1の発光装置を用いた光計測装置の構成図である。発光ダイオード10から出射された主要光101は、レンズ41,42によって被測定物50に照射される。被測定物50からの反射光を不図示のフォトダイオードで検出することで、被測定物50の光計測を行う。
以上、図面を参照してこの発明の一実施形態について詳しく説明してきたが、具体的な構成は上述のものに限られることはなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲内において様々な設計変更等をすることが可能である。
10…発光ダイオード 11…発光ダイオード素子 12…セラミック筐体 13…光透過窓 20…ベース板 21…貫通穴 30…フォトダイオード 41,42…レンズ 50…被測定物 101…主要光 102…漏れ光
Claims (4)
- 所定面に光放射部が設けられ、前記光放射部から光を放射する光源と、
前記所定面以外の面から漏れ出す漏れ光を受光可能に配置された受光素子と、
前記受光素子により前記漏れ光を受光して得られる信号に基づいて前記光源から放射する光を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする発光装置。 - 前記光源は、光取り出し穴が設けられたベース板上に、前記漏れ光を前記光取り出し穴から取り出せるようにして配置され、
前記受光素子は、前記光取り出し穴から取り出された前記漏れ光を受光できるようにして配置されている
ことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 - 前記光取り出し穴は、前記受光素子に近い位置ほど穴径が大きく形成されていることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
- 前記光源の前記漏れ光が発せられる面と前記受光素子の受光面が平行であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1の項に記載の発光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009225726A JP2011077212A (ja) | 2009-09-30 | 2009-09-30 | 発光装置 |
PCT/JP2010/066949 WO2011040467A1 (ja) | 2009-09-30 | 2010-09-29 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009225726A JP2011077212A (ja) | 2009-09-30 | 2009-09-30 | 発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011077212A true JP2011077212A (ja) | 2011-04-14 |
Family
ID=43826281
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009225726A Pending JP2011077212A (ja) | 2009-09-30 | 2009-09-30 | 発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011077212A (ja) |
WO (1) | WO2011040467A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102461186B1 (ko) * | 2017-12-29 | 2022-11-01 | 삼성전자주식회사 | 광 센서, 이를 이용한 흡광도 측정 장치 및 방법 |
KR102515833B1 (ko) * | 2018-08-01 | 2023-03-29 | 삼성전자주식회사 | 대상체의 성분 분석 장치 및 방법과, 이미지 센서 |
WO2021137762A1 (en) * | 2019-12-30 | 2021-07-08 | Ams Sensors Asia Pte. Ltd. | A method of manufacturing a plurality of optoelectronic modules |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5394883A (en) * | 1977-01-31 | 1978-08-19 | Nec Corp | Light emission diode device |
JPH11261111A (ja) * | 1998-03-13 | 1999-09-24 | Omron Corp | モニタ機構を備えた発光装置 |
JP2003243716A (ja) * | 2002-02-13 | 2003-08-29 | Omron Corp | 光源部品 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004342968A (ja) * | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光透過キャップ |
-
2009
- 2009-09-30 JP JP2009225726A patent/JP2011077212A/ja active Pending
-
2010
- 2010-09-29 WO PCT/JP2010/066949 patent/WO2011040467A1/ja active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5394883A (en) * | 1977-01-31 | 1978-08-19 | Nec Corp | Light emission diode device |
JPH11261111A (ja) * | 1998-03-13 | 1999-09-24 | Omron Corp | モニタ機構を備えた発光装置 |
JP2003243716A (ja) * | 2002-02-13 | 2003-08-29 | Omron Corp | 光源部品 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011040467A1 (ja) | 2011-04-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5606981B2 (ja) | 光量安定化光源装置 | |
US9625372B2 (en) | Ultraviolet-based ozone sensor | |
ATE542107T1 (de) | Selbstmischende lasermessvorrichtung | |
KR20140116774A (ko) | 고체 조명장치 | |
ATE556295T1 (de) | Distanzmesseinrichtung mit einer optik mit kurzer reichweite | |
ATE554416T1 (de) | Kalibriervorrichtung und laser-scanning-mikroskop mit einer derartigen kalibriervorrichtung | |
JP2011077212A (ja) | 発光装置 | |
CN105866029A (zh) | 光学分析仪 | |
JP2016145770A5 (ja) | ||
DE602006008717D1 (de) | Optische Abtastvorrichtung und Bilderzeugungsvorrichtung damit | |
CN205015271U (zh) | 光学玻璃小球透镜透过率的测试装置 | |
TWI663384B (zh) | 試驗裝置以及發光裝置的製造方法 | |
KR101103890B1 (ko) | 광 측정장치 | |
KR101538427B1 (ko) | 분광 특성 시험용 엘이디 소켓 | |
JP2011061202A (ja) | 発光素子用試験装置 | |
KR100777570B1 (ko) | 급속열처리공정챔버의 오염측정장치 | |
JP2009098003A (ja) | 変位振動検出装置及び変位振動検出方法 | |
JP2010217084A (ja) | 蛍光温度センサ及びその故障判定方法 | |
JP2011059118A (ja) | 発光素子用検知モジュール及びこれを用いる試験装置 | |
JP5162832B2 (ja) | 変位検出装置 | |
JP5563395B2 (ja) | 特性測定方法、特性測定装置 | |
TWI479131B (zh) | 發光二極體之量測裝置 | |
JP3956315B2 (ja) | 蛍光検出装置の調整用装置、蛍光検出装置の調整方法および製造方法 | |
TWI811542B (zh) | 光電感測器、雷射樹脂熔接中的樹脂透射率的測定方法、雷射樹脂熔接方法、雷射加工裝置 | |
WO2021079574A1 (ja) | 固浸レンズユニット及び半導体検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130521 |