JP2011061163A - 管理装置、露光方法及びデバイス製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims abstract description 79
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 56
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 123
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 17
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 15
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- PMYDPQQPEAYXKD-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-n-naphthalen-2-ylnaphthalene-2-carboxamide Chemical compound C1=CC=CC2=CC(NC(=O)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3O)=CC=C21 PMYDPQQPEAYXKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000013041 optical simulation Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70608—Monitoring the unpatterned workpiece, e.g. measuring thickness, reflectivity or effects of immersion liquid on resist
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
-
- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70653—Metrology techniques
- G03F7/70666—Aerial image, i.e. measuring the image of the patterned exposure light at the image plane of the projection system
-
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
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- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
【解決手段】 露光装置を管理する管理装置は、露光処理が予約されている複数のロットのリストと、前記複数のロットの露光処理を開始する前における前記投影光学系の初期収差と、前記複数のロットそれぞれについて露光処理を実行することが可能な前記投影光学系の許容収差とを取得し、前記取得されたリストに基づいて前記露光処理が予約されている複数のロットの順番の候補を生成し、前記複数のロットそれぞれの露光処理における前記投影光学系の収差が該当するロットについての前記許容収差以下になるようにロット間の時間間隔を調整しつつ最初のロットの露光処理が開始されてから最後のロットの露光処理が終了するまでの時間を、前記生成された順番の候補ごとに算出し、当該算出された時間が最小である順番の候補を前記複数のロットを処理すべき順番として決定する。
【選択図】図2
Description
本発明は、複数のロットの基板を全て露光処理し終えるのに要する時間をより短くすることを目的とする。
図1は本発明で使用し得る基板を露光する露光装置の一例を示す図である。図1において、ビーム成形光学系2は、光源1から射出され、有効光源を形成する後段のオプティカルインテグレータ3に入射する光束の強度分布及び角度分布をコントロールする。コンデンサレンズ4は、オプティカルインテグレータ3から射出された光束を集光する。可変スリット5は走査露光後の露光面における照度を均一にする。スキャンブレード6は、ウエハ上の露光範囲を制限し、さらにレチクルステージ10及びウエハステージ13と同期して走査移動する。結像レンズ7,14は、スキャンブレード6の開口形状をレチクル9面上に転写する。レチクル9にはパターンが形成され、レチクルステージ10はレチクル9を保持し走査移動する。レチクル9のパターンは、投影光学系11を介して、ウエハ(基板)12に投影され、転写される。ウエハ12は、XYZ方向に移動可能なウエハステージ(基板ステージ)13によって保持されている。
k=kmax+(Mk(t−Δt)−kmax)exp(−Δt /K) (1)
収差の発生要因に応じて時定数K、飽和値kmax は異なり、また、その発生要因が1つで無ければ収差の変化量はその総和で表現される。これらのパラメータを露光エネルギーや照明の条件から予め算出しておき、現状の投影光学系の収差の状態を予測することができる。また、露光を停止すると時間経過に伴い、同様に式2に従って元に戻る。
k=Mk(t−Δt) exp(−Δt/K) (2)
実施例2では、露光処理が開始された後にオンラインでロットの露光処理が新たに予約された場合、管理装置22は、新たに予約されたロットと前に設定された次に処理する予定のロットとでどちらのロットを先に処理するか再計算して、処理の順番を再設定する。図8に本実施例2における処理の順番を決定するフローチャートを示す。まずロットA、次いでロットBの順で処理することが上述した実施例1の手順で決定され、今ロットAの処理が開始されているとする。そのロットA処理中にロットCの露光処理が新たに予約された(S201)。この新たな予約がなされたならば、管理装置22は、S202以降において、ロットAの後に、ロットB及びロットCのいずれを次の処理順番とするのかを決定する作業を実施する。この場合、管理装置22は、ロットCの予約が入った時点で処理が予約されているロット情報、すなわちロットBとロットCの情報をロット情報保管部24から収集する(S202)。S211〜S225は、実施例1のロットA、ロットBを各々ロットB、ロットCと置き換えて考えれば、S111〜S125と同じ内容になるので説明を省略する。これにより、新たなロットが登録されても、管理装置22が、その時点でそのロットと残っているロットとで予測処理時間を再計算し、次の処理順番を決めるので、複数のロットの基板を常に位置ずれなく効率的に露光することができる。
実施例1、2では、露光装置1台を用いて複数のロットの露光処理を実行する。近年の露光装置は、生産技術の向上により、投影光学系の収差が小さく、その性能のばらつきも小さいものが供給できるようになってきた。本実施例3は、露光装置が複数台ある時、どのロットをどの露光装置に流せばよいかを判断し、処理するものである。図9は、露光装置が複数台設置されている半導体デバイス工場に於けるリソグラフィー工程の模式図を示している。複数の露光装置51,52,53は、管理装置22に回線で接続されている。処理がオンラインで予約されているロットA、B、C、Dは、その情報が不図示の回線により、管理装置22に送られている。
なお、管理装置22は露光装置と別体として説明したが、露光装置内に上記の管理装置の機能を含めて一体として構成してもよい。
Claims (7)
- レチクルのパターンを投影光学系を介して基板に投影し基板を露光する露光装置を管理する管理装置であって、
露光処理が予約されている複数のロットのリストと、前記複数のロットの露光処理を開始する前における前記投影光学系の初期収差と、前記複数のロットそれぞれについて露光処理を実行することが可能な前記投影光学系の許容収差とを取得し、
前記取得されたリストに基づいて前記露光処理が予約されている複数のロットの順番の候補を生成し、
前記複数のロットそれぞれの露光処理における前記投影光学系の収差が該当するロットについての前記許容収差以下になるようにロット間の時間間隔を調整しつつ最初のロットの露光処理が開始されてから最後のロットの露光処理が終了するまでの時間を、前記生成された順番の候補ごとに算出し、
当該算出された時間が最小である順番の候補を前記複数のロットを処理すべき順番として決定する、
ことを特徴とする管理装置。 - 前記管理装置は、ロットの露光処理が新たに予約されたならば、前記順番の決定を新たに行う、ことを特徴とする請求項1に記載の管理装置。
- レチクルのパターンを投影光学系を介して基板に投影し基板を露光する複数の露光装置を管理する管理装置であって、
露光処理が予約されている複数のロットのリストと、前記複数のロットの露光処理を開始する前における前記複数の露光装置の投影光学系それぞれの初期収差と、前記複数のロットそれぞれについて露光処理を実行することが可能な前記投影光学系それぞれの許容収差とを取得し、
前記取得されたリストに基づいて前記露光処理が予約されている複数のロットを前記複数の露光装置に割り振り、かつ当該割り振られた露光装置ごとの処理すべきロットの順番を定めた前記複数の露光装置による処理計画の候補を生成し、
前記複数のロットそれぞれの露光処理における前記投影光学系の収差が該当するロットについての前記許容収差以下になるようにロット間の時間間隔を調整しつつ最初のロットの露光処理が開始されてから最後のロットの露光処理が終了するまでの時間を、前記生成された処理計画の候補それぞれについて露光装置ごとに算出し、
当該算出された時間が最大となる露光装置が露光処理に要する前記時間が最小である処理計画の候補を前記複数の露光装置による処理計画として決定する、
ことを特徴とする管理装置。 - 前記管理装置は、ロットの露光処理が新たに予約されたならば、前記処理計画の決定を新たに行う、ことを特徴とする請求項3に記載の管理装置。
- 請求項1又は請求項2に記載の管理装置によって決定された順番に従って、複数のロットの基板に対して露光処理を実行することを特徴とする露光方法。
- 請求項3又は請求項4に記載の管理装置によって決定された処理計画に従って、複数の露光装置を用いて複数のロットの基板に対して露光処理を実行することを特徴とする露光方法。
- デバイスを製造する方法であって、
請求項5又は請求項6に記載の露光方法により複数のロットの基板を順次露光する工程と、
前記露光された複数のロットの基板を現像する工程と、
を含むデバイス製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009212513A JP5383399B2 (ja) | 2009-09-14 | 2009-09-14 | 管理装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
TW099128097A TW201109863A (en) | 2009-09-14 | 2010-08-23 | Management apparatus, exposure method, and method of manufacturing device |
KR1020100086960A KR20110029082A (ko) | 2009-09-14 | 2010-09-06 | 관리 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
US12/880,727 US8428763B2 (en) | 2009-09-14 | 2010-09-13 | Management apparatus, exposure method, and method of manufacturing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009212513A JP5383399B2 (ja) | 2009-09-14 | 2009-09-14 | 管理装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011061163A true JP2011061163A (ja) | 2011-03-24 |
JP2011061163A5 JP2011061163A5 (ja) | 2012-10-25 |
JP5383399B2 JP5383399B2 (ja) | 2014-01-08 |
Family
ID=43730231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009212513A Expired - Fee Related JP5383399B2 (ja) | 2009-09-14 | 2009-09-14 | 管理装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8428763B2 (ja) |
JP (1) | JP5383399B2 (ja) |
KR (1) | KR20110029082A (ja) |
TW (1) | TW201109863A (ja) |
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-
2009
- 2009-09-14 JP JP2009212513A patent/JP5383399B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-08-23 TW TW099128097A patent/TW201109863A/zh unknown
- 2010-09-06 KR KR1020100086960A patent/KR20110029082A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-09-13 US US12/880,727 patent/US8428763B2/en not_active Expired - Fee Related
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JP5383399B2 (ja) | 2014-01-08 |
KR20110029082A (ko) | 2011-03-22 |
US20110063593A1 (en) | 2011-03-17 |
TW201109863A (en) | 2011-03-16 |
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