JP2011053551A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1方向に並んだ第1画素電極及び第2画素電極を備えたアレイ基板と、第1画素電極及び第2画素電極に対向する対向電極を備えた対向基板と、アレイ基板と対向基板との間に保持された液晶層と、第1画素電極及び第2画素電極の各々の中間部に跨って対向し第1方向に延出する第1セグメントと、第1方向に直交する第2方向に延出するとともに第1セグメントと直交し第1画素電極と第2画素電極との間に対向する第2セグメントと、第2セグメントと同一直線上に延出するとともに第2セグメントから離間し第1画素電極及び第2画素電極の各々の上部の間に対向する第3セグメントと、第2セグメントと同一直線上に延出するとともに第2セグメントから離間し第1画素電極及び第2画素電極の各々の下部の間に対向する第4セグメントと、を含む配向制御手段と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【選択図】 図5
Description
第1方向に並んだ第1画素電極及び第2画素電極を備えたアレイ基板と、
前記第1画素電極及び前記第2画素電極に対向する対向電極を備えた対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間に保持され、前記第1画素電極及び前記第2画素電極と前記対向電極との間に電界が形成されていない状態では基板主面に対して略垂直に配向する液晶分子を含む液晶層と、
前記第1画素電極及び前記第2画素電極の各々の中間部に跨って対向し第1方向に延出する第1セグメントと、第1方向に直交する第2方向に延出するとともに前記第1セグメントと直交し前記第1画素電極と前記第2画素電極との間に対向する第2セグメントと、前記第2セグメントと同一直線上に延出するとともに前記第2セグメントから離間し前記第1画素電極及び前記第2画素電極の各々の上部の間に対向する第3セグメントと、前記第2セグメントと同一直線上に延出するとともに前記第2セグメントから離間し前記第1画素電極及び前記第2画素電極の各々の下部の間に対向する第4セグメントと、を含む配向制御手段と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置が提供される。
互いに直交する第1方向及び第2方向にマトリクス状に配置され、第1画素電極、前記第1画素電極の第1方向に隣接する第2画素電極、及び、前記第1画素電極の第2方向に並んだ第3画素電極を含む画素電極を備えたアレイ基板と、
前記画素電極に対向する対向電極を備えた対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間に保持され、前記画素電極と前記対向電極との間に電界が形成されていない状態では基板主面に対して略垂直に配向する液晶分子を含む液晶層と、
前記第1画素電極の一端側に形成されることなく前記第1画素電極の他端側と前記第2画素電極の一端側との間に跨って対向するとともに第2方向に延出し、前記第3画素電極の他端側に形成されることなく前記第3画素電極の一端側に対向するとともに第2方向に延出した配向制御手段と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置が提供される。
第1方向に並んだ第1画素電極及び第2画素電極を備えたアレイ基板と、
前記第1画素電極及び前記第2画素電極に対向する対向電極を備えた対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間に保持され、前記第1画素電極及び前記第2画素電極と前記対向電極との間に電界が形成されていない状態では基板主面に対して略垂直に配向する液晶分子を含む液晶層と、
前記第1画素電極の上部において一端側に形成されることなく他端側と前記第2画素電極の上部における一端側との間に対向するとともに第1方向に直交する第2方向に延出し、前記第1画素電極の下部において他端側に形成されることなく一端側に対向するとともに第2方向に延出し、前記第2画素電極の下部において一端側に形成されることなく他端側に対向するとともに第2方向に延出した配向制御手段と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置が提供される。
第1方向に並んだ第1画素電極及び第2画素電極を備えたアレイ基板と、
前記第1画素電極及び前記第2画素電極に対向する対向電極を備えた対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間に保持され、前記第1画素電極及び前記第2画素電極と前記対向電極との間に電界が形成されていない状態では基板主面に対して略垂直に配向する液晶分子を含む液晶層と、
前記第1画素電極及び前記第2画素電極に跨って対向し第1方向に延出する第1セグメントと、前記第1セグメントから離間するとともに前記第1画素電極に対向し第1方向及びこの第1方向に直交する第2方向に延出する十字形状の第2セグメントと、前記第1セグメントから離間するとともに前記第2画素電極に対向し第1方向及び第2方向に延出する十字形状の第3セグメントと、を備えた配向制御手段と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置が提供される。
この第1実施形態は、直線偏光を利用したノーマリーブラックの垂直配向モードに適用される構成である。
この実施例1においては、配向制御手段ALCとして対向電極ETに形成した幅10μmのスリットSLを適用する。特に、このスリットSLは、図5に示したようなパターンに形成する。アレイ基板AR及び対向基板CTの上には、垂直性を示す配向膜を70nm厚さで塗布した。アレイ基板ARと対向基板CTとの間のセルギャップは3.8μmとした。セルギャップには、メルク社製ネガ型液晶材料を注入して液晶表示パネルを作製した。
配向制御手段ALCとして、第3セグメント及び第4セグメントを省略した以外は、実施例1と同一構成の液晶表示パネルを作製した。
この第2実施形態は、第1実施形態と同様に、直線偏光を利用したノーマリーブラックの垂直配向モードに適用される構成である。なお、第1実施形態と同一の構成については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。
この実施例2においては、配向制御手段ALCとして対向電極ETに形成した幅10μmのスリットSLを適用する。特に、このスリットSLは、図7に示したようなパターンに形成する。その他は、実施例1と同一構成の液晶表示パネルを作製した。
この比較例2においては、配向制御手段ALCとして対向電極ETに形成した幅10μmのスリットSLを適用する。特に、このスリットSLは、偶数番のソース線に対向するように第2方向D2に連続的に延出した以外は、実施例2と同一構成の液晶表示パネルを作製した。
この第3実施形態は、直線偏光、あるいは、円偏光を利用したノーマリーブラックの垂直配向モードに適用される構成である。なお、第1実施形態と同一の構成については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。
この実施例3においては、配向制御手段ALCとして対向電極ETに形成した幅10μmのスリットSLを適用する。特に、このスリットSLは、図9に示したようなパターンに形成する。その他は、実施例1と同一構成の液晶表示パネルを作製した。
図10は、アクティブエリアDSPの一部の画素構成を図示している。なお、この図10では、説明に必要な構成のみを図示している。
この実施例2においては、配向制御手段ALCとして対向電極ETに形成した幅10μmのスリットSLを適用する。特に、このスリットSLは、図10に示したような第1セグメントSG1、第2セグメントSG2、及び、第3セグメントSG3を有したパターンに形成する。その他は、実施例1と同一構成の液晶表示パネルを作製した。
配向制御手段ALCとして、第1セグメントを省略した以外は、実施例2と同一構成の液晶表示パネルを作製した。
LQ…液晶層 BL…バックライトユニット PX…画素
Y…ゲート線 X…ソース線 AY…補助容量線 W…スイッチング素子
EP…画素電極 ET…対向電極 40…液晶分子
ALC…配向制御手段(SL…スリット、CP…突起)
SG1…第1セグメント SG2…第2セグメント
SG3…第3セグメント SG4…第4セグメント
SG5…第5セグメント SG6…第6セグメント
SG7…第7セグメント SG8…第8セグメント
Claims (9)
- 第1方向に並んだ第1画素電極及び第2画素電極を備えたアレイ基板と、
前記第1画素電極及び前記第2画素電極に対向する対向電極を備えた対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間に保持され、前記第1画素電極及び前記第2画素電極と前記対向電極との間に電界が形成されていない状態では基板主面に対して略垂直に配向する液晶分子を含む液晶層と、
前記第1画素電極及び前記第2画素電極の各々の中間部に跨って対向し第1方向に延出する第1セグメントと、第1方向に直交する第2方向に延出するとともに前記第1セグメントと直交し前記第1画素電極と前記第2画素電極との間に対向する第2セグメントと、前記第2セグメントと同一直線上に延出するとともに前記第2セグメントから離間し前記第1画素電極及び前記第2画素電極の各々の上部の間に対向する第3セグメントと、前記第2セグメントと同一直線上に延出するとともに前記第2セグメントから離間し前記第1画素電極及び前記第2画素電極の各々の下部の間に対向する第4セグメントと、を含む配向制御手段と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記第1セグメントの第1方向に沿った延長線上において、前記第1画素電極及び前記第2画素電極と前記対向電極とは、前記第1セグメントを介することなく対向することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 互いに直交する第1方向及び第2方向にマトリクス状に配置され、第1画素電極、前記第1画素電極の第1方向に隣接する第2画素電極、及び、前記第1画素電極の第2方向に並んだ第3画素電極を含む画素電極を備えたアレイ基板と、
前記画素電極に対向する対向電極を備えた対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間に保持され、前記画素電極と前記対向電極との間に電界が形成されていない状態では基板主面に対して略垂直に配向する液晶分子を含む液晶層と、
前記第1画素電極の一端側に形成されることなく前記第1画素電極の他端側と前記第2画素電極の一端側との間に跨って対向するとともに第2方向に延出し、前記第3画素電極の他端側に形成されることなく前記第3画素電極の一端側に対向するとともに第2方向に延出した配向制御手段と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記第1画素電極及び前記第3画素電極を含む第2方向に並んだ画素電極について、前記配向制御手段が一端側に対向する画素電極の数と、前記配向制御手段が他端側に対向する画素電極の数とが同数であることを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置。
- 第1方向に並んだ第1画素電極及び第2画素電極を備えたアレイ基板と、
前記第1画素電極及び前記第2画素電極に対向する対向電極を備えた対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間に保持され、前記第1画素電極及び前記第2画素電極と前記対向電極との間に電界が形成されていない状態では基板主面に対して略垂直に配向する液晶分子を含む液晶層と、
前記第1画素電極の上部において一端側に形成されることなく他端側と前記第2画素電極の上部における一端側との間に対向するとともに第1方向に直交する第2方向に延出し、前記第1画素電極の下部において他端側に形成されることなく一端側に対向するとともに第2方向に延出し、前記第2画素電極の下部において一端側に形成されることなく他端側に対向するとともに第2方向に延出した配向制御手段と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 - さらに、前記第1画素電極及び前記第2画素電極の各々の上部と下部との境界に重なる配線を備えたことを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。
- 第1方向に並んだ第1画素電極及び第2画素電極を備えたアレイ基板と、
前記第1画素電極及び前記第2画素電極に対向する対向電極を備えた対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間に保持され、前記第1画素電極及び前記第2画素電極と前記対向電極との間に電界が形成されていない状態では基板主面に対して略垂直に配向する液晶分子を含む液晶層と、
前記第1画素電極及び前記第2画素電極に跨って対向し第1方向に延出する第1セグメントと、前記第1セグメントから離間するとともに前記第1画素電極に対向し第1方向及びこの第1方向に直交する第2方向に延出する十字形状の第2セグメントと、前記第1セグメントから離間するとともに前記第2画素電極に対向し第1方向及び第2方向に延出する十字形状の第3セグメントと、を備えた配向制御手段と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記第2セグメント及び前記第3セグメントの第1方向に沿って延出した部分は、第1セグメントと同一直線上に位置していることを特徴とする請求項7に記載の液晶表示装置。
- 前記配向制御手段は、前記対向電極に形成されたスリット、または、前記対向基板の前記アレイ基板と対向する面に配置された突起のいずれかであることを特徴とする請求項1、3、5、7のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05232474A (ja) * | 1992-02-20 | 1993-09-10 | Nec Corp | 液晶表示素子 |
JPH0643461A (ja) * | 1992-04-30 | 1994-02-18 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 液晶表示装置 |
JP2000193976A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置 |
JP2000231110A (ja) * | 1999-02-12 | 2000-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP2001324715A (ja) * | 2000-05-17 | 2001-11-22 | Sony Corp | 液晶表示素子 |
JP2005107454A (ja) * | 2003-10-02 | 2005-04-21 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置および電子機器 |
-
2009
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05232474A (ja) * | 1992-02-20 | 1993-09-10 | Nec Corp | 液晶表示素子 |
JPH0643461A (ja) * | 1992-04-30 | 1994-02-18 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 液晶表示装置 |
JP2000193976A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置 |
JP2000231110A (ja) * | 1999-02-12 | 2000-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP2001324715A (ja) * | 2000-05-17 | 2001-11-22 | Sony Corp | 液晶表示素子 |
JP2005107454A (ja) * | 2003-10-02 | 2005-04-21 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置および電子機器 |
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