JP2011038819A - Electronic device - Google Patents

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Masayuki Oto
正之 大戸
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic device reducing the degradation of characteristics of an electronic element stored in the inner space of a container maintained airtight. <P>SOLUTION: The electronic device is equipped with: a double ended tuning fork device 15; a pressure sensor 2 in which the double ended tuning fork device 15 is stored in the inner space 3 maintained airtight; and an extension section 18 extended, in a planar view, from the outer circumference of the pressure sensor 2 to the outside of the pressure sensor 2. The extension section 18 is formed in such a way that the thickness is thinner than the thickness of the pressure sensor 2, and is a fixing part when the pressure sensor 2 is fixed by a cantilever support. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、感圧素子などに代表される電子素子を備えた電子デバイスに関する。   The present invention relates to an electronic device including an electronic element typified by a pressure-sensitive element.

電子素子を備えた電子デバイスに関して、特許文献１には、ダイヤフラムと容器とダイヤフラムに設けられた支持部に搭載された感圧素子（電子素子）とを備えた圧力センサーが開示されている。
この圧力センサーは、被検出圧力を受圧したダイヤフラムが撓んで変位すると、その変位が支持部を介して感圧素子に伝達され、感圧素子の共振周波数が変化する構造を有している。
また、特許文献２には、ダイヤフラム領域と実装領域とを備えた半導体チップ（電子素子）の実装領域を、切り欠きを有する基板に実装する構造が開示されている（特許文献２の図２参照）。
この構造は、半導体チップの一方の端部にある実装領域が基板に実装され、半導体チップの他方の端部が実装されずにフリーとなる片持ち支持構造である。 Regarding an electronic device including an electronic element, Patent Document 1 discloses a pressure sensor including a diaphragm, a container, and a pressure-sensitive element (electronic element) mounted on a support portion provided on the diaphragm.
This pressure sensor has a structure in which when the diaphragm receiving the pressure to be detected is bent and displaced, the displacement is transmitted to the pressure sensitive element via the support portion, and the resonance frequency of the pressure sensitive element changes.
Patent Document 2 discloses a structure in which a mounting area of a semiconductor chip (electronic element) having a diaphragm area and a mounting area is mounted on a substrate having a notch (see FIG. 2 of Patent Document 2). ).
This structure is a cantilever support structure in which a mounting region at one end of a semiconductor chip is mounted on a substrate and the other end of the semiconductor chip is not mounted and is free.

特開２００７−３２７９２２号公報JP 2007-327922 A 特開２００５−２４９７９５号公報JP 2005-249795 A

通常、特許文献１のような圧力センサーは、容器の底面の両端部が外部の取り付け部などに実装される両持ち支持構造で固定されている。
このことから、圧力センサーは、容器の底面の両端部が固定される際の歪みや、周囲の温度変化によって生じる容器と外部の取り付け部との線膨張係数の違いによる熱応力の発生によって、ダイヤフラムが撓んで変位する。
この結果、圧力センサーは、このダイヤフラムの変位に伴う感圧素子の共振周波数の変化量が、本来の被検出圧力を受圧した際の共振周波数の変化量に加えられてしまうことから、検出圧力の精度が劣化する虞がある。 Usually, the pressure sensor like patent document 1 is being fixed by the both-ends support structure by which the both ends of the bottom face of a container are mounted in an external attachment part.
For this reason, the pressure sensor has a diaphragm due to distortion when the both ends of the bottom surface of the container are fixed and generation of thermal stress due to a difference in linear expansion coefficient between the container and the external mounting part caused by a change in ambient temperature. Bends and displaces.
As a result, in the pressure sensor, the amount of change in the resonance frequency of the pressure-sensitive element due to the displacement of the diaphragm is added to the amount of change in the resonance frequency when the original pressure to be detected is received. There is a possibility that accuracy may deteriorate.

この問題を改善する一つの方策としては、上記圧力センサーを特許文献２のような片持ち支持構造を用いて、容器の底面の一方の端部を外部の取り付け部に固定する構造が考えられる。
図４の圧力センサーの片持ち支持構造の一例を示す模式断面図に示すように、圧力センサー２０２の容器２３０の底面の一方の端部を外部の取り付け部２４０に接合部材２４４を介して固定する片持ち支持構造は、上述した両持ち支持構造のような、熱応力の発生によってダイヤフラム２２０が撓んで変位する問題を回避できる。 As one measure for improving this problem, a structure in which one end portion of the bottom surface of the container is fixed to an external attachment portion using a cantilever support structure as in Patent Document 2 is considered.
As shown in the schematic cross-sectional view illustrating an example of the cantilever support structure of the pressure sensor in FIG. 4, one end of the bottom surface of the container 230 of the pressure sensor 202 is fixed to the external attachment portion 240 via the joining member 244. The cantilever support structure can avoid the problem that the diaphragm 220 is bent and displaced by the generation of thermal stress, as in the above-described double-support structure.

しかしながら、この片持ち支持構造では、容器２３０の固定部２８０に発生した歪みが、容器２３０からダイヤフラム２２０へ、ダイヤフラム２２０から支持部２２３を介して感圧素子２１５へ到達し、感圧素子２１５にこの歪みに起因する応力が発生する。
この結果、圧力センサー２０２は、この感圧素子２１５の応力に起因する共振周波数の変化量が、本来の被検出圧力を受圧した際の共振周波数の変化量に加えられてしまうことから、検出圧力の精度が劣化する虞があるという問題が依然として残ることとなる。 However, in this cantilever support structure, the distortion generated in the fixing part 280 of the container 230 reaches the pressure sensitive element 215 from the container 230 to the diaphragm 220 and from the diaphragm 220 via the support part 223 to the pressure sensitive element 215. Stress due to this distortion occurs.
As a result, the pressure sensor 202 detects the detected pressure because the amount of change in the resonance frequency due to the stress of the pressure sensitive element 215 is added to the amount of change in the resonance frequency when the original pressure to be detected is received. The problem remains that there is a risk that the accuracy of the above will deteriorate.

また、一般的に、特許文献１のような圧力センサー２０２は、内部空間２０３が真空に保持されている絶対圧センサーとなっている。
この圧力センサー２０２は、図４に示すような、容器２３０の底面の一方の端部を外部の取り付け部２４０に固定する片持ち支持構造をとると、容器２３０の固定部２８０に発生した歪みが、容器２３０とダイヤフラム２２０との接合部２９０へ到達し、この歪みに起因する接合部２９０の経時的な劣化によりリークが発生する。
これにより、圧力センサー２０２は、内部空間２０３を真空に保持できなくなり、検出圧力の精度が劣化する虞がある。 In general, the pressure sensor 202 as in Patent Document 1 is an absolute pressure sensor in which the internal space 203 is held in a vacuum.
When the pressure sensor 202 has a cantilever support structure in which one end of the bottom surface of the container 230 is fixed to the external attachment part 240 as shown in FIG. 4, distortion generated in the fixing part 280 of the container 230 is generated. Then, it reaches the joint portion 290 between the container 230 and the diaphragm 220, and leakage occurs due to deterioration with time of the joint portion 290 due to this distortion.
As a result, the pressure sensor 202 cannot hold the internal space 203 in a vacuum, and the accuracy of the detected pressure may be degraded.

このリークの問題は、上記圧力センサーに限らず、積層構造のパッケージ（容器）の、気密に保持された内部空間に圧電振動片（電子素子）が収納された圧電振動子に関しても同様である。
つまり、圧電振動子は、リークによって内部空間を気密に保持できなくなることから、クリスタルインピーダンスが上昇し、周波数特性が劣化する虞がある。 The problem of this leak is not limited to the pressure sensor, but also applies to a piezoelectric vibrator in which a piezoelectric vibrating piece (electronic element) is housed in an airtightly held internal space of a stacked package (container).
That is, since the piezoelectric vibrator cannot keep the internal space airtight due to leakage, the crystal impedance may increase and the frequency characteristics may deteriorate.

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

［適用例１］本適用例にかかる電子デバイスは、電子素子と、気密に保持された内部空間に前記電子素子が収納される第１の容器と、平面視において、前記第１の容器の外周から前記第１の容器の外側へ延出された延出部とを備え、前記延出部は、厚みが前記第１の容器の厚みよりも薄く形成され、前記第１の容器が片持ち支持で固定される際の固定部であることを特徴とする。   Application Example 1 An electronic device according to this application example includes an electronic element, a first container in which the electronic element is housed in an airtightly held internal space, and an outer periphery of the first container in plan view. Extending from the first container to the outside of the first container, the extension part being thinner than the thickness of the first container, and the first container cantilevered It is a fixed part at the time of being fixed by.

この構成によれば、電子デバイスは、第１の容器の外側へ延出された延出部が、第１の容器の厚みよりも薄く形成され、第１の容器が片持ち支持で固定される際の固定部であることから、第１の容器の固定による歪みが延出部内で殆ど吸収される。
これにより、電子デバイスは、第１の容器を介して上記歪みが電子素子まで到達し難いことから、電子素子に応力が発生せず、上記歪みに起因する電子素子の特性劣化を低減できる。 According to this configuration, in the electronic device, the extending portion extending to the outside of the first container is formed thinner than the thickness of the first container, and the first container is fixed by cantilever support. Since it is a fixed part at the time, the distortion due to fixing of the first container is almost absorbed in the extension part.
As a result, the electronic device is difficult to reach the electronic element through the first container, so that no stress is generated in the electronic element, and the deterioration of the characteristics of the electronic element due to the distortion can be reduced.

また、電子デバイスは、第１の容器の固定による歪みが延出部内で殆ど吸収されることから、気密に保持された内部空間の上記歪みに起因するリークの発生を回避できる。
これにより、電子デバイスは、第１の容器の内部空間のリークに起因する電子素子の特性劣化を回避できる。 In addition, since the distortion due to the fixing of the first container is almost absorbed in the extending portion, the electronic device can avoid the occurrence of leakage due to the distortion in the airtightly held internal space.
Thereby, the electronic device can avoid the characteristic deterioration of the electronic element resulting from the leakage of the internal space of the first container.

［適用例２］上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、前記第１の容器は、複数の基板を積層してなる積層構造を有し、前記延出部は、前記積層構造の積層数よりも少ない数の層から延出されていることが好ましい。   Application Example 2 In the electronic device according to the application example described above, the first container has a stacked structure formed by stacking a plurality of substrates, and the extension portion is smaller than the number of stacked layers of the stacked structure. It is preferable to extend from several layers.

この構成によれば、電子デバイスは、延出部が積層構造の積層数よりも少ない数の層から延出されていることから、第１の容器の固定による歪みが延出部によって吸収され易い。   According to this configuration, in the electronic device, since the extension portion is extended from a number of layers smaller than the number of stacked layers in the stacked structure, distortion due to fixing of the first container is easily absorbed by the extension portion. .

［適用例３］上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、前記延出部は、１つの層から延出されていることが好ましい。   Application Example 3 In the electronic device according to the application example, it is preferable that the extension portion is extended from one layer.

この構成によれば、電子デバイスは、延出部が１つの層から延出されていることから、第１の容器の固定による歪みが延出部によってより吸収され易い。   According to this configuration, in the electronic device, since the extending portion extends from one layer, distortion due to fixing of the first container is more easily absorbed by the extending portion.

［適用例４］上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、前記延出部は、先端部が前記延出部の延出方向と交差する方向に延在されていることが好ましい。   Application Example 4 In the electronic device according to the application example described above, it is preferable that the extension portion extends in a direction in which a tip portion intersects an extension direction of the extension portion.

この構成によれば、電子デバイスは、延出部の先端部が延出部の延出方向と交差する方向に延在されていることから、例えば、先端部を２箇所で固定することで第１の容器の厚み方向の傾きを抑制できる。   According to this configuration, the electronic device extends in a direction intersecting with the extending direction of the extending portion, for example, by fixing the distal end portion at two locations. The inclination of the thickness direction of 1 container can be suppressed.

［適用例５］上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、前記第１の容器が固定される第２の容器をさらに有し、前記第２の容器は、平板部と、前記平板部から立設し前記第１の容器を囲む側壁とを備え、前記側壁には、切り欠き部が設けられ、前記第１の容器は、前記延出部が前記切り欠き部に係合され、前記第２の容器に片持ち支持で固定されていることが好ましい。   Application Example 5 In the electronic device according to the application example described above, the electronic device further includes a second container to which the first container is fixed, and the second container is erected from the flat plate portion and the flat plate portion. A side wall surrounding the first container, the side wall being provided with a notch, the extension of the first container being engaged with the notch, and the second container. It is preferable to be fixed by cantilever support.

この構成によれば、電子デバイスは、第１の容器の延出部が第２の容器の切り欠き部に係合され、第２の容器に片持ち支持で固定されていることから、第１の容器と第２の容器との位置合わせを容易に行える。   According to this configuration, the electronic device includes the first container because the extension portion of the first container is engaged with the notch portion of the second container and is fixed to the second container by cantilever support. The container can be easily aligned with the second container.

［適用例６］上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、前記第１の容器は、感圧部と該感圧部の両端に接続される一対の基部とを有する感圧素子を電子素子として収納し、前記感圧素子を囲む枠部と該枠部と前記各基部とを接続する梁部とを有する感圧素子層と、前記感圧素子層の前記各基部を支持する一対の支持部を有し、前記感圧素子層の一方の主面側を覆うダイヤフラム層と、前記感圧素子層の他方の主面側を覆うベース層とを備える圧力センサーであることが好ましい。   Application Example 6 In the electronic device according to the application example described above, the first container stores a pressure-sensitive element having a pressure-sensitive part and a pair of bases connected to both ends of the pressure-sensitive part as an electronic element. A pressure-sensitive element layer having a frame portion surrounding the pressure-sensitive element, a beam portion connecting the frame portion and the base portion, and a pair of support portions for supporting the base portions of the pressure-sensitive element layer. Preferably, the pressure sensor includes a diaphragm layer covering one main surface side of the pressure-sensitive element layer and a base layer covering the other main surface side of the pressure-sensitive element layer.

この構成によれば、電子デバイスは、第１の容器が感圧素子を収納した圧力センサーであって、上述した延出部の作用によって圧力センサーの固定による歪みが感圧素子へ到達し難いことから、上記歪みに起因する圧力センサーの特性劣化を低減できる。   According to this configuration, the electronic device is a pressure sensor in which the first container houses the pressure-sensitive element, and distortion due to the fixation of the pressure sensor is difficult to reach the pressure-sensitive element due to the action of the extending portion described above. Therefore, the characteristic deterioration of the pressure sensor due to the distortion can be reduced.

［適用例７］上記適用例６にかかる電子デバイスにおいて、前記延出部が、前記各層のいずれか１つの層から延出されていることが好ましい。   Application Example 7 In the electronic device according to Application Example 6, it is preferable that the extending portion is extended from any one of the layers.

この構成によれば、電子デバイスは、延出部が各層のいずれか１つの層から延出されていることから、圧力センサーの固定による歪みが延出部によってより吸収され易い。   According to this configuration, in the electronic device, since the extending portion extends from any one of the layers, distortion due to fixing of the pressure sensor is more easily absorbed by the extending portion.

［適用例８］上記適用例６にかかる電子デバイスにおいて、前記延出部の延出方向が、前記一対の基部を互いに結ぶ方向と交差していることが好ましい。   Application Example 8 In the electronic device according to Application Example 6, it is preferable that the extending direction of the extending portion intersects the direction connecting the pair of base portions to each other.

この構成によれば、電子デバイスは、延出部の延出方向が、一対の基部を互いに結ぶ方向と交差していることから、圧力センサーの固定による歪みの、感圧素子に対する影響を軽減することができる。   According to this configuration, since the extending direction of the extending part intersects with the direction connecting the pair of bases to each other, the electronic device reduces the influence of the distortion due to fixing of the pressure sensor on the pressure-sensitive element. be able to.

［適用例９］上記適用例６にかかる電子デバイスにおいて、前記感圧部が、前記一対の基部を互いに結ぶ方向に延びる一以上の柱状ビームを有していることが好ましい。   Application Example 9 In the electronic device according to Application Example 6, it is preferable that the pressure-sensitive portion has one or more columnar beams extending in a direction connecting the pair of bases to each other.

この構成によれば、電子デバイスは、感圧部が一対の基部を互いに結ぶ方向に延びる一以上の柱状ビームを有していることから、他の構成の感圧素子と比較して、圧力の変化を感度よく検出することができる。   According to this configuration, the electronic device has one or more columnar beams that extend in the direction in which the pressure-sensitive portion connects the pair of bases to each other. Changes can be detected with high sensitivity.

［適用例１０］上記適用例６にかかる電子デバイスにおいて、前記感圧素子を共振させる発振回路部を有するＩＣチップを、前記第１の容器または前記第２の容器に備えたことが好ましい。   Application Example 10 In the electronic device according to Application Example 6, it is preferable that an IC chip having an oscillation circuit unit that resonates the pressure-sensitive element is provided in the first container or the second container.

この構成によれば、電子デバイスは、感圧素子を共振させる発振回路部を有するＩＣチップを、第１の容器または第２の容器に備えたことから、上記歪みに起因する感圧素子の特性劣化が低減された、例えば、圧力センサーモジュールなどの電子デバイスを具現化できる。   According to this configuration, since the electronic device includes the IC chip having the oscillation circuit unit that resonates the pressure sensitive element in the first container or the second container, the characteristics of the pressure sensitive element due to the distortion described above. For example, an electronic device such as a pressure sensor module with reduced deterioration can be realized.

本実施形態の圧力センサーモジュールの概略構成を示す模式展開斜視図。The model expansion perspective view which shows schematic structure of the pressure sensor module of this embodiment. 図１の模式断面図。The schematic cross section of FIG. 延出部の変形例を示す模式平面図。The schematic plan view which shows the modification of an extension part. 圧力センサーの片持ち支持構造の一例を示す模式断面図。The schematic cross section which shows an example of the cantilever support structure of a pressure sensor.

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。
（実施形態） DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings.
(Embodiment)

図１は、本実施形態の電子デバイスとしての圧力センサーモジュールの概略構成を示す模式展開斜視図である。図２は図１の模式断面図であり、図２（ａ）は、図１のＡ−Ａ線での断面図であり、図２（ｂ）は、図１のＢ−Ｂ線での断面図である。   FIG. 1 is a schematic exploded perspective view showing a schematic configuration of a pressure sensor module as an electronic device of the present embodiment. 2 is a schematic cross-sectional view of FIG. 1, FIG. 2 (a) is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 1, and FIG. 2 (b) is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. FIG.

図１、図２に示すように、圧力センサーモジュール１は、第１の容器としての圧力センサー２と、圧力センサー２が固定される第２の容器としてのパッケージベース４０と、ＩＣチップ５０と、キャップ６０とを備えている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the pressure sensor module 1 includes a pressure sensor 2 as a first container, a package base 40 as a second container to which the pressure sensor 2 is fixed, an IC chip 50, And a cap 60.

圧力センサー２は、感圧素子層１０と、感圧素子層１０の一方の主面１１側を覆うダイヤフラム層（ダイヤフラムと同義）２０と、感圧素子層１０の他方の主面１２側を覆うベース層３０と、を備えている。
圧力センサー２は、上記各層が、平面視において輪郭が互いに重なり合うように積層されることにより、略直方体形状に形成されている。
圧力センサー２の各層は、複数個取りが可能なウエハー状の水晶基板を基材として、フォトエッチング、サンドブラストなどの加工方法により所定の形状に形成されている。 The pressure sensor 2 covers the pressure-sensitive element layer 10, a diaphragm layer (synonymous with diaphragm) 20 that covers one main surface 11 side of the pressure-sensitive element layer 10, and the other main surface 12 side of the pressure-sensitive element layer 10. A base layer 30.
The pressure sensor 2 is formed in a substantially rectangular parallelepiped shape by laminating the layers so that the outlines overlap each other in plan view.
Each layer of the pressure sensor 2 is formed in a predetermined shape by a processing method such as photo-etching or sand blasting using a wafer-shaped quartz substrate that can be taken in plural as a base material.

感圧素子層１０は、感圧部としての互いに略平行な角柱状の一対の振動片部（柱状ビーム）１３と、振動片部１３の両端に接続される一対の略矩形の基部１４とを有する感圧素子としての双音叉素子１５と、双音叉素子１５を囲む略矩形の枠部１６と、枠部１６と双音叉素子１５の各基部１４とを接続する各一対の梁部１７とを有している。なお、振動片部１３は、一対の基部１４を互いに結ぶ方向に延びている。
感圧素子層１０は、平面視において、後述する延出部１８を除いて外形形状が略矩形に形成され、各構成要素の厚みが略同一に形成されている。なお、双音叉素子１５の図示しない電極は、梁部１７を介して枠部１６に引き出されている。 The pressure-sensitive element layer 10 includes a pair of prismatic vibrating piece portions (columnar beams) 13 that are substantially parallel to each other as pressure-sensitive portions, and a pair of substantially rectangular base portions 14 that are connected to both ends of the vibrating piece portion 13. A double tuning fork element 15 as a pressure-sensitive element, a substantially rectangular frame portion 16 surrounding the double tuning fork element 15, and a pair of beam portions 17 connecting the frame portion 16 and each base portion 14 of the double tuning fork element 15. Have. The vibrating piece 13 extends in a direction connecting the pair of bases 14 to each other.
The pressure-sensitive element layer 10 is formed in a substantially rectangular outer shape in plan view except for an extended portion 18 to be described later, and the thickness of each component is substantially the same. Note that an electrode (not shown) of the double tuning fork element 15 is drawn out to the frame portion 16 via the beam portion 17.

また、感圧素子層１０は、圧力センサー２の外周としての枠部１６の外周から、圧力センサー２の外側へ延出された延出部１８を備えている。なお、延出部１８の延出方向は、一対の基部１４を互いに結ぶ方向と交差（略直交）する方向となっている。
延出部１８は、厚みが圧力センサー２の厚みよりも薄く形成され、圧力センサー２が片持ち支持でパッケージベース４０へ固定される際の固定部である。 Further, the pressure sensitive element layer 10 includes an extending portion 18 that extends from the outer periphery of the frame portion 16 as the outer periphery of the pressure sensor 2 to the outside of the pressure sensor 2. The extending direction of the extending part 18 is a direction intersecting (substantially orthogonal) with a direction connecting the pair of base parts 14 to each other.
The extending portion 18 is a fixing portion formed when the thickness is smaller than the thickness of the pressure sensor 2 and the pressure sensor 2 is fixed to the package base 40 by cantilever support.

ダイヤフラム層２０は、平面視において外形形状が略矩形に形成されている。
そして、ダイヤフラム層２０は、感圧素子層１０の一方の主面１１側を覆うように配置されている。
ダイヤフラム層２０は、可撓性を有する平板部２１と、平板部２１から突出し、双音叉素子１５の各基部１４を支持する一対の支持部２３と、平板部２１の外周にあって、平板部２１から支持部２３側に突出し、一対の支持部２３を囲む枠部２２とを一体で有している。 Diaphragm layer 20 has a substantially rectangular outer shape in plan view.
And the diaphragm layer 20 is arrange | positioned so that the one main surface 11 side of the pressure sensitive element layer 10 may be covered.
The diaphragm layer 20 includes a flat plate portion 21 having flexibility, a pair of support portions 23 protruding from the flat plate portion 21 and supporting the base portions 14 of the double tuning fork element 15, and an outer periphery of the flat plate portion 21. The frame portion 22 protrudes from the side 21 toward the support portion 23 and surrounds the pair of support portions 23.

圧力センサー２は、ダイヤフラム層２０の各支持部２３と双音叉素子１５の各基部１４とが接合されている。
これにより、圧力センサー２は、双音叉素子１５の振動片部１３と、ダイヤフラム層２０の平板部２１との間に空間が形成されている。
なお、ダイヤフラム層２０の枠部２２は、感圧素子層１０の枠部１６と接合されている。 In the pressure sensor 2, each support portion 23 of the diaphragm layer 20 and each base portion 14 of the double tuning fork element 15 are joined.
Thereby, in the pressure sensor 2, a space is formed between the vibrating piece 13 of the double tuning fork element 15 and the flat plate portion 21 of the diaphragm layer 20.
The frame portion 22 of the diaphragm layer 20 is joined to the frame portion 16 of the pressure sensitive element layer 10.

ベース層３０は、平面視において外形形状が略矩形に形成されている。ベース層３０は、双音叉素子１５との間に空間を形成するための凹部３１が、感圧素子層１０側に形成されている。
そして、ベース層３０は、感圧素子層１０の他方の主面１２側を覆うように配置され、凹部３１を囲む外周枠部３２が感圧素子層１０の枠部１６と接合されている。
なお、感圧素子層１０の梁部１７は、ダイヤフラム層２０、ベース層３０のいずれにも接合されておらず、フリーな状態になっている。 The base layer 30 has a substantially rectangular outer shape in plan view. In the base layer 30, a recess 31 for forming a space between the double tuning fork element 15 is formed on the pressure sensitive element layer 10 side.
The base layer 30 is disposed so as to cover the other main surface 12 side of the pressure-sensitive element layer 10, and the outer peripheral frame portion 32 surrounding the concave portion 31 is joined to the frame portion 16 of the pressure-sensitive element layer 10.
The beam portion 17 of the pressure-sensitive element layer 10 is not joined to either the diaphragm layer 20 or the base layer 30 and is in a free state.

なお、圧力センサー２の各層間の接合、及び双音叉素子１５の各基部１４とダイヤフラム層２０の各支持部２３との接合には、（１）低融点ガラスによる接合方法、（２）互いの接合面をプラズマ照射などにより親水化処理して表面を活性化させ、接合面同士を貼り合わせることで水素結合させるなどの直接接合方法、（３）アルコキシド、オルガノシロキシ基などを含む接合部材を用い、紫外線やプラズマ照射により接合する接合方法、（４）金錫合金被膜などの金属被膜を接合部材に用いた共晶接合方法などを用いることができる。   In addition, in joining between each layer of the pressure sensor 2 and joining each base 14 of the double tuning fork element 15 and each support part 23 of the diaphragm layer 20, (1) a joining method using low melting point glass, (2) mutual Direct bonding methods such as hydrophilizing the bonding surfaces by plasma irradiation etc. to activate the surfaces and bonding the bonding surfaces together to form hydrogen bonds, (3) using bonding members containing alkoxides, organosiloxy groups, etc. There can be used a bonding method for bonding by ultraviolet ray or plasma irradiation, and (4) a eutectic bonding method using a metal film such as a gold-tin alloy film as a bonding member.

上記の構成により、圧力センサー２は、ダイヤフラム層２０と双音叉素子１５の振動片部１３との間、及び双音叉素子１５とベース層３０との間に空間（両方の空間をあわせて内部空間３という）が形成された状態で、双音叉素子１５の各基部１４が、ダイヤフラム層２０の各支持部２３に接合されている。
これにより、圧力センサー２は、双音叉素子１５が各支持部２３間に架け渡された状態となっている。 With the above configuration, the pressure sensor 2 has a space between the diaphragm layer 20 and the vibrating piece portion 13 of the double tuning fork element 15 and between the double tuning fork element 15 and the base layer 30 (both spaces are combined into an internal space). 3) is formed, each base portion 14 of the double tuning fork element 15 is joined to each support portion 23 of the diaphragm layer 20.
Thereby, the pressure sensor 2 is in a state where the double tuning fork element 15 is bridged between the support portions 23.

以上のように構成された圧力センサー２は、内部空間３が真空状態で気密に保持され、内部空間３に電子素子としての双音叉素子１５が収納された、絶対圧を検出する圧力センサーとなっている。
なお、圧力センサー２は、延出部１８が１つの層としての感圧素子層１０から延出されている。 The pressure sensor 2 configured as described above is a pressure sensor for detecting an absolute pressure, in which the internal space 3 is kept airtight in a vacuum state, and a double tuning fork element 15 as an electronic element is housed in the internal space 3. ing.
In the pressure sensor 2, the extending portion 18 extends from the pressure-sensitive element layer 10 as one layer.

ここで、圧力センサー２の動作の概略を説明する。
圧力センサー２は、受圧したダイヤフラム層２０の平板部２１が厚み方向に撓んで変位することにより、一対の支持部２３が双音叉素子１５の一対の基部１４を互いに結ぶ方向に変位する。
この支持部２３の変位によって、双音叉素子１５が一対の基部１４を互いに結ぶ方向に伸縮し、伸縮の際に発生する応力で共振周波数が変化する。
圧力センサー２は、この共振周波数の変化を検出している。外部からの圧力は、この検出された共振周波数の変化の割合に応じて、ルックアップテーブルなどによって定められた数値に変換することで導出される。 Here, an outline of the operation of the pressure sensor 2 will be described.
The pressure sensor 2 is displaced in a direction in which the pair of support portions 23 connects the pair of base portions 14 of the double tuning fork element 15 to each other when the flat plate portion 21 of the received diaphragm layer 20 is bent and displaced in the thickness direction.
Due to the displacement of the support portion 23, the double tuning fork element 15 expands and contracts in the direction connecting the pair of base portions 14, and the resonance frequency changes due to the stress generated during the expansion and contraction.
The pressure sensor 2 detects the change in the resonance frequency. The pressure from the outside is derived by converting it into a numerical value determined by a look-up table or the like according to the detected change rate of the resonance frequency.

パッケージベース４０は、平板部４１と、平板部４１から立設し圧力センサー２を囲む側壁４２とを備えている。パッケージベース４０は、平面視において外形形状が略矩形に形成されている。
パッケージベース４０の側壁４２には、切り欠き部４３が設けられ、圧力センサー２の延出部１８が、この切り欠き部４３に係合され、接着剤、バンプなどの接合部材４４を介して片持ち支持（片持ち支持構造）で固定されている。
なお、パッケージベース４０には、水晶基板、ガラス基板、セラミック基板などが用いられている。 The package base 40 includes a flat plate portion 41 and side walls 42 that stand from the flat plate portion 41 and surround the pressure sensor 2. The package base 40 has a substantially rectangular outer shape in plan view.
The side wall 42 of the package base 40 is provided with a notch 43, and the extension 18 of the pressure sensor 2 is engaged with the notch 43, and is separated via a bonding member 44 such as an adhesive or a bump. It is fixed with a cantilever support (cantilever support structure).
For the package base 40, a quartz substrate, a glass substrate, a ceramic substrate, or the like is used.

パッケージベース４０の平板部４１には、凹部４５が形成され、双音叉素子１５を共振させる発振回路部を有するＩＣチップ５０が搭載されている。
ＩＣチップ５０は、パッド５１がバンプ５２を介してフリップチップ実装によりパッケージベース４０の内部配線４６と電気的に接続されている。
パッケージベース４０の外底面４７には、外部実装端子４８が形成されており、内部配線４６を介してＩＣチップ５０と電気的に接続されている。
また、圧力センサー２の図示しない電極は、感圧素子層１０の枠部１６から延出部１８を経由して、リード線７０などを介してパッケージベース４０の内部配線４６ａと電気的に接続されている。 A concave portion 45 is formed in the flat plate portion 41 of the package base 40, and an IC chip 50 having an oscillation circuit portion that resonates the double tuning fork element 15 is mounted thereon.
In the IC chip 50, the pads 51 are electrically connected to the internal wiring 46 of the package base 40 by flip chip mounting via the bumps 52.
An external mounting terminal 48 is formed on the outer bottom surface 47 of the package base 40 and is electrically connected to the IC chip 50 via the internal wiring 46.
Further, an electrode (not shown) of the pressure sensor 2 is electrically connected to the internal wiring 46a of the package base 40 through the lead wire 70 and the like from the frame portion 16 of the pressure-sensitive element layer 10 through the extension portion 18. ing.

これらにより、圧力センサーモジュール１は、ＩＣチップ５０に外部から入力される駆動信号によって圧力センサー２を駆動（共振）させることができる。
なお、ＩＣチップ５０は、パッド５１がワイヤーボンディングによりパッケージベース４０の内部配線４６と電気的に接続されてもよい。 As a result, the pressure sensor module 1 can drive (resonate) the pressure sensor 2 with a drive signal input from the outside to the IC chip 50.
In the IC chip 50, the pad 51 may be electrically connected to the internal wiring 46 of the package base 40 by wire bonding.

キャップ６０は、平面視において外形形状が略矩形に形成されている。キャップ６０は、圧力センサー２との間に空間を形成するための凹部６１が、圧力センサー２側に形成されている。
そして、キャップ６０は圧力センサー２を覆うように配置され、凹部６１を囲む外周枠部６２がパッケージベース４０の側壁４２と接合されている。
キャップ６０の外周枠部６２には、切り欠き部６３が複数個所に形成されている。これにより、キャップ６０とパッケージベース４０とで構成された内部空間には、揺らぎが抑制され安定した状態で外気が導入される。
なお、キャップ６０には、熱応力を抑制するために、パッケージベース４０と同様の材料を用いることが好ましい。 The cap 60 has a substantially rectangular outer shape in plan view. The cap 60 has a recess 61 on the pressure sensor 2 side for forming a space between the cap 60 and the pressure sensor 2.
The cap 60 is disposed so as to cover the pressure sensor 2, and the outer peripheral frame portion 62 surrounding the recess 61 is joined to the side wall 42 of the package base 40.
In the outer peripheral frame portion 62 of the cap 60, cutout portions 63 are formed at a plurality of locations. Thus, outside air is introduced into the internal space formed by the cap 60 and the package base 40 in a stable state with fluctuations suppressed.
The cap 60 is preferably made of the same material as the package base 40 in order to suppress thermal stress.

上述したように、本実施形態の圧力センサーモジュール１は、圧力センサー２の外側へ延出された延出部１８が、圧力センサー２の厚みよりも薄く形成され、圧力センサー２が片持ち支持でパッケージベース４０に固定される際の固定部である。
このことから、圧力センサーモジュール１は、圧力センサー２の固定による歪みが延出部１８内で殆ど吸収される。
これにより、圧力センサーモジュール１は、上記歪みが双音叉素子１５まで到達し難いことから、双音叉素子１５に応力が殆ど発生せず、上記歪みに起因する双音叉素子１５の特性劣化を低減できる。 As described above, in the pressure sensor module 1 of the present embodiment, the extending portion 18 that extends to the outside of the pressure sensor 2 is formed to be thinner than the thickness of the pressure sensor 2, and the pressure sensor 2 is cantilevered. It is a fixing part when being fixed to the package base 40.
Therefore, in the pressure sensor module 1, distortion due to the fixation of the pressure sensor 2 is almost absorbed in the extension portion 18.
Thereby, the pressure sensor module 1 hardly reaches the double tuning fork element 15 because the strain hardly reaches the double tuning fork element 15, so that almost no stress is generated in the double tuning fork element 15, and the characteristic deterioration of the double tuning fork element 15 due to the distortion can be reduced. .

また、圧力センサーモジュール１は、圧力センサー２の固定による歪みが延出部１８内で殆ど吸収されることから、気密に保持された内部空間３の上記歪みに起因する感圧素子層１０とダイヤフラム層２０との接合部からのリーク、及び感圧素子層１０とベース層３０との接合部からのリークの発生を回避できる。
これにより、圧力センサーモジュール１は、圧力センサー２の内部空間３のリークに起因する双音叉素子１５の特性劣化を回避できる。 Further, in the pressure sensor module 1, since the distortion due to the fixation of the pressure sensor 2 is almost absorbed in the extending portion 18, the pressure-sensitive element layer 10 and the diaphragm caused by the above-described distortion of the internal space 3 that is kept airtight. It is possible to avoid the occurrence of leakage from the junction with the layer 20 and leakage from the junction between the pressure-sensitive element layer 10 and the base layer 30.
Thereby, the pressure sensor module 1 can avoid the characteristic deterioration of the double tuning fork element 15 due to the leakage of the internal space 3 of the pressure sensor 2.

また、圧力センサーモジュール１は、延出部１８が圧力センサー２を構成する各層の積層数である３層よりも少ない１層（１つの層）から延出されていることから、例えば、延出部１８が２層（感圧素子層１０及びベース層３０）から延出されている場合より、圧力センサー２の固定による歪みが延出部１８によって吸収され易い。   Moreover, since the extension part 18 is extended from 1 layer (one layer) fewer than 3 layers which are the lamination | stacking number of each layer which comprises the pressure sensor 2, the pressure sensor module 1 is extended, for example The strain due to fixation of the pressure sensor 2 is more easily absorbed by the extending portion 18 than when the portion 18 is extended from two layers (the pressure-sensitive element layer 10 and the base layer 30).

また、圧力センサーモジュール１は、圧力センサー２の延出部１８がパッケージベース４０の側壁４２の切り欠き部４３に係合され、パッケージベース４０に片持ち支持で固定されていることから、圧力センサー２とパッケージベース４０との位置合わせを、容易に行うことができる。   Further, the pressure sensor module 1 has the extending portion 18 of the pressure sensor 2 engaged with the cutout portion 43 of the side wall 42 of the package base 40 and is fixed to the package base 40 by cantilever support. 2 and the package base 40 can be easily aligned.

また、圧力センサーモジュール１は、延出部１８の延出方向が、感圧素子層１０の一対の基部１４を互いに結ぶ方向と交差していることから、圧力センサー２の固定による歪みの双音叉素子１５への影響を軽減することができる。
なお、延出部１８は、延出方向が一対の基部１４を互いに結ぶ方向と同方向となる位置に設けてもよい。 Further, in the pressure sensor module 1, since the extending direction of the extending portion 18 intersects the direction connecting the pair of base portions 14 of the pressure-sensitive element layer 10, the double tuning fork of distortion due to the fixing of the pressure sensor 2 is performed. The influence on the element 15 can be reduced.
The extending portion 18 may be provided at a position where the extending direction is the same as the direction in which the pair of base portions 14 are connected to each other.

また、圧力センサーモジュール１は、感圧素子としての双音叉素子１５の振動片部１３が一対の基部１４を互いに結ぶ方向に延びる一以上の柱状ビームであることから、他の構成の感圧素子と比較して、圧力の変化を感度よく検出することができる。
なお、圧力センサーモジュール１は、双音叉素子１５に代えて、振動片部１３を１つの柱状ビームとした音叉素子としてもよい。
この場合でも、圧力センサーモジュール１は、他の構成の感圧素子と比較して、圧力の変化を感度よく検出することができる。 Further, the pressure sensor module 1 includes one or more columnar beams in which the vibrating piece 13 of the double tuning fork element 15 as a pressure sensitive element extends in a direction connecting the pair of bases 14 to each other. As compared with, pressure change can be detected with high sensitivity.
Note that the pressure sensor module 1 may be a tuning fork element in which the vibrating piece 13 is formed as one columnar beam instead of the double tuning fork element 15.
Even in this case, the pressure sensor module 1 can detect a change in pressure more sensitively than a pressure-sensitive element having another configuration.

また、圧力センサーモジュール１は、双音叉素子１５を共振させる発振回路部を有するＩＣチップ５０を、パッケージベース４０に備えたことから、上記歪みに起因する双音叉素子１５の特性劣化が低減された、圧力センサーモジュールを提供することができる。
なお、ＩＣチップ５０は、例えば、ベース層３０の凹部３１など圧力センサー２に搭載されてもよい。これによれば、圧力センサーモジュール１は、パッケージベース４０の構成を簡略化できる。 In addition, since the pressure sensor module 1 includes the IC chip 50 having the oscillation circuit unit that resonates the double tuning fork element 15 in the package base 40, the characteristic deterioration of the double tuning fork element 15 due to the distortion is reduced. A pressure sensor module can be provided.
The IC chip 50 may be mounted on the pressure sensor 2 such as the recess 31 of the base layer 30, for example. According to this, the pressure sensor module 1 can simplify the configuration of the package base 40.

なお、圧力センサーモジュール１は、延出部１８の位置を感圧素子層１０の枠部１６の辺の中央近傍ではなく、辺の端部など任意の位置にしてもよい。
また、延出部１８は、ダイヤフラム層２０またはベース層３０から延出されてもよい。
これによれば、圧力センサーモジュール１は、延出部１８がダイヤフラム層２０またはベース層３０から延出されても、延出部１８が１つの層から延出されていることから、感圧素子層１０から延出されている場合と同様の効果を奏することができる。
なお、延出部１８は、感圧素子層１０及びベース層３０の両方から延出されてもよく、感圧素子層１０及びダイヤフラム層２０の両方から延出されてもよい。
これによれば、圧力センサーモジュール１は、延出部１８の剛性が高まることから、大きな衝撃を受けた際の延出部１８の破損を低減できる。 In the pressure sensor module 1, the position of the extending portion 18 may be an arbitrary position such as an end portion of the side instead of the vicinity of the center of the side of the frame portion 16 of the pressure-sensitive element layer 10.
Further, the extending portion 18 may extend from the diaphragm layer 20 or the base layer 30.
According to this, the pressure sensor module 1 has the pressure-sensitive element because the extension portion 18 extends from one layer even if the extension portion 18 extends from the diaphragm layer 20 or the base layer 30. The same effect as when extending from the layer 10 can be obtained.
The extending portion 18 may be extended from both the pressure sensitive element layer 10 and the base layer 30, or may be extended from both the pressure sensitive element layer 10 and the diaphragm layer 20.
According to this, since the rigidity of the extension part 18 increases, the pressure sensor module 1 can reduce the damage of the extension part 18 when receiving a large impact.

なお、圧力センサーモジュール１は、パッケージベース４０に代えて、通常の実装用基板に延出部１８を介して圧力センサー２を片持ち支持で固定し、ＩＣチップ５０をその周辺に実装する実施形態でもよい。
その際、延出部１８は、図３の延出部の変形例を示す模式平面図に示すように、延出部１１８の先端部１１９が延出部１１８の延出方向と交差する方向に延在され、例えば、平面視において先端部１１９がＴ字状（逆Ｔ字状）に形成されていてもよい。
これによれば、圧力センサー１０２は、延出部１１８の先端部１１９がＴ字状（逆Ｔ字状）に形成されていることから、先端部１１９を２箇所の固定部１２０で固定でき、圧力センサー１０２の厚み方向の傾きを抑制した状態で片持ち支持構造をとることができる。 The pressure sensor module 1 is an embodiment in which, instead of the package base 40, the pressure sensor 2 is cantilevered and fixed to a normal mounting substrate via the extending portion 18, and the IC chip 50 is mounted on the periphery thereof. But you can.
At that time, the extending portion 18 is arranged in a direction in which the distal end portion 119 of the extending portion 118 intersects the extending direction of the extending portion 118, as shown in a schematic plan view showing a modification of the extending portion in FIG. For example, the tip 119 may be formed in a T shape (inverted T shape) in a plan view.
According to this, since the tip part 119 of the extension part 118 is formed in a T shape (inverse T shape), the pressure sensor 102 can fix the tip part 119 with the two fixing parts 120, The cantilever support structure can be taken in a state where the inclination of the pressure sensor 102 in the thickness direction is suppressed.

なお、上記実施形態では、圧力センサー２に感圧素子を用いたタイプを例に取り説明したが、これに限定するものではなく、ダイヤフラム方式の圧力センサーであれば、静電容量タイプなど他のタイプの圧力センサーにも適用できる。   In the above embodiment, the pressure sensor 2 is used as an example of the pressure sensor 2. However, the present invention is not limited to this, and any other pressure type sensor such as a capacitance type can be used. Applicable to any type of pressure sensor.

なお、上記実施形態では、電子デバイスとして圧力センサーモジュール１を例に取り説明したが、これに限定するものではなく、電子デバイスとして圧力センサー２を単体で、外部の取り付け部に延出部１８を介して片持ち支持で固定する形態としてもよい。   In the above-described embodiment, the pressure sensor module 1 is described as an example of the electronic device. However, the present invention is not limited to this, and the pressure sensor 2 is used alone as the electronic device, and the extending portion 18 is provided on the external attachment portion. It is good also as a form fixed by cantilever support.

また、上記実施形態の圧力センサー２に代えて、積層構造のパッケージ（積層された１０，２０，３０に相当）の気密に保持された内部空間（３に相当）に電子素子としての圧電振動片（１５に相当）を収納した圧電振動子とすることで、圧力センサーモジュール１を圧電発振器としてもよい。
なお、上記と同様に、圧電振動子を単体で外部の取り付け部に延出部（１８に相当）を介して片持ち支持で固定する形態としてもよい。
これによれば、圧電発振器及び圧電振動子は、上記圧力センサーモジュール１と同様に、固定による歪みが延出部内で殆ど吸収され、この歪みが圧電振動片などまで到達し難いことから、上記歪み及び内部空間からのリークに起因する圧電振動片の特性劣化を低減できる。 Further, in place of the pressure sensor 2 of the above-described embodiment, a piezoelectric vibrating piece as an electronic element is provided in an airtightly held internal space (corresponding to 3) of a laminated package (corresponding to laminated 10, 20, 30). By using a piezoelectric vibrator that houses (corresponding to 15), the pressure sensor module 1 may be a piezoelectric oscillator.
In the same manner as described above, the piezoelectric vibrator may be fixed to the external attachment part by a cantilever support via an extension part (equivalent to 18).
According to this, in the piezoelectric oscillator and the piezoelectric vibrator, like the pressure sensor module 1, distortion due to fixation is almost absorbed in the extension part, and this distortion hardly reaches the piezoelectric vibrating piece. And the characteristic deterioration of the piezoelectric vibrating piece due to the leak from the internal space can be reduced.

１…電子デバイスとしての圧力センサーモジュール、２…第１の容器としての圧力センサー、３…内部空間、１０…感圧素子層、１１…一方の主面、１２…他方の主面、１３…柱状ビームとしての振動片部、１４…基部、１５…感圧素子としての双音叉素子、１６…枠部、１７…梁部、１８，１１８…延出部、２０…ダイヤフラム層、２１…平板部、２２…枠部、２３…支持部、３０…ベース層、３１…凹部、３２…外周枠部、４０…第２の容器としてのパッケージベース、４１…平板部、４２…側壁、４３…切り欠き部、４４…接合部材、４５…凹部、４６，４６ａ…内部配線、４７…外底面、４８…外部実装端子、５０…ＩＣチップ、５１…パッド、５２…バンプ、６０…キャップ、６１…凹部、６２…外周枠部、６３…切り欠き部、７０…リード線、１０２…圧力センサー、１１９…先端部、１２０…固定部、２０２…圧力センサー、２０３…内部空間、２１５…感圧素子、２２０…ダイヤフラム、２２３…支持部、２３０…容器、２４０…外部の取り付け部、２４４…接合部材、２８０…固定部、２９０…接合部。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Pressure sensor module as an electronic device, 2 ... Pressure sensor as 1st container, 3 ... Internal space, 10 ... Pressure-sensitive element layer, 11 ... One main surface, 12 ... Other main surface, 13 ... Columnar shape Vibrating piece part as a beam, 14 ... base part, 15 ... a double tuning fork element as a pressure sensitive element, 16 ... a frame part, 17 ... a beam part, 18, 118 ... an extension part, 20 ... a diaphragm layer, 21 ... a flat plate part, DESCRIPTION OF SYMBOLS 22 ... Frame part, 23 ... Support part, 30 ... Base layer, 31 ... Recessed part, 32 ... Outer periphery frame part, 40 ... Package base as a 2nd container, 41 ... Flat plate part, 42 ... Side wall, 43 ... Notch part , 44 ... bonding member, 45 ... recess, 46, 46a ... internal wiring, 47 ... outer bottom surface, 48 ... external mounting terminal, 50 ... IC chip, 51 ... pad, 52 ... bump, 60 ... cap, 61 ... recess, 62 ... outer peripheral frame part, 63 ... notch part, 7 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Lead wire, 102 ... Pressure sensor, 119 ... Tip part, 120 ... Fixed part, 202 ... Pressure sensor, 203 ... Internal space, 215 ... Pressure sensitive element, 220 ... Diaphragm, 223 ... Support part, 230 ... Container, 240 ... External mounting part, 244 ... joining member, 280 ... fixing part, 290 ... joining part.

Claims (10)

電子素子と、
気密に保持された内部空間に前記電子素子が収納される第１の容器と、
平面視において、前記第１の容器の外周から前記第１の容器の外側へ延出された延出部とを備え、
前記延出部は、厚みが前記第１の容器の厚みよりも薄く形成され、前記第１の容器が片持ち支持で固定される際の固定部であることを特徴とする電子デバイス。 An electronic element;
A first container in which the electronic element is stored in an airtightly held internal space;
In plan view, an extension portion extending from the outer periphery of the first container to the outside of the first container;
The extension part is formed to be thinner than the thickness of the first container, and is a fixing part when the first container is fixed by cantilever support. 請求項１に記載の電子デバイスにおいて、前記第１の容器は、複数の基板を積層してなる積層構造を有し、
前記延出部は、前記積層構造の積層数よりも少ない数の層から延出されていることを特徴とする電子デバイス。 The electronic device according to claim 1, wherein the first container has a stacked structure formed by stacking a plurality of substrates,
The electronic device is characterized in that the extending portion extends from a number of layers smaller than the number of stacked layers of the stacked structure. 請求項２に記載の電子デバイスにおいて、前記延出部は、１つの層から延出されていることを特徴とする電子デバイス。   The electronic device according to claim 2, wherein the extension portion is extended from one layer. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子デバイスにおいて、前記延出部は、先端部が前記延出部の延出方向と交差する方向に延在されていることを特徴とする電子デバイス。   The electronic device according to any one of claims 1 to 3, wherein the extending portion has a tip portion extending in a direction intersecting with an extending direction of the extending portion. device. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子デバイスにおいて、前記第１の容器が固定される第２の容器をさらに有し、
前記第２の容器は、平板部と、前記平板部から立設し前記第１の容器を囲む側壁とを備え、
前記側壁には、切り欠き部が設けられ、
前記第１の容器は、前記延出部が前記切り欠き部に係合され、前記第２の容器に片持ち支持で固定されていることを特徴とする電子デバイス。 The electronic device according to any one of claims 1 to 4, further comprising a second container to which the first container is fixed,
The second container includes a flat plate portion and a side wall standing from the flat plate portion and surrounding the first container,
The side wall is provided with a notch,
The electronic device, wherein the first container is fixed to the second container by cantilever support, with the extended portion engaged with the notch. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子デバイスにおいて、前記第１の容器は、感圧部と該感圧部の両端に接続される一対の基部とを有する感圧素子を電子素子として収納し、
前記感圧素子を囲む枠部と該枠部と前記各基部とを接続する梁部とを有する感圧素子層と、
前記感圧素子層の前記各基部を支持する一対の支持部を有し、前記感圧素子層の一方の主面側を覆うダイヤフラム層と、
前記感圧素子層の他方の主面側を覆うベース層とを備える圧力センサーであることを特徴とする電子デバイス。 The electronic device according to any one of claims 1 to 5, wherein the first container includes a pressure-sensitive element having a pressure-sensitive part and a pair of bases connected to both ends of the pressure-sensitive part. As stowed and
A pressure-sensitive element layer having a frame part surrounding the pressure-sensitive element and a beam part connecting the frame part and the base parts;
A diaphragm layer having a pair of support portions for supporting the respective base portions of the pressure-sensitive element layer, and covering one main surface side of the pressure-sensitive element layer;
An electronic device comprising: a pressure sensor including a base layer covering the other principal surface side of the pressure sensitive element layer. 請求項６に記載の電子デバイスにおいて、前記延出部が、前記各層のいずれか１つの層から延出されていることを特徴とする電子デバイス。   The electronic device according to claim 6, wherein the extension portion extends from any one of the layers. 請求項６または７に記載の電子デバイスにおいて、前記延出部の延出方向が、前記一対の基部を互いに結ぶ方向と交差していることを特徴とする電子デバイス。   8. The electronic device according to claim 6, wherein an extending direction of the extending portion intersects a direction connecting the pair of base portions to each other. 請求項６〜８のいずれか一項に記載の電子デバイスにおいて、前記感圧部が、前記一対の基部を互いに結ぶ方向に延びる一以上の柱状ビームを有していることを特徴とする電子デバイス。   9. The electronic device according to claim 6, wherein the pressure-sensitive portion includes one or more columnar beams extending in a direction connecting the pair of bases to each other. . 請求項６〜９のいずれか一項に記載の電子デバイスにおいて、前記感圧素子を共振させる発振回路部を有するＩＣチップを、前記第１の容器または前記第２の容器に備えたことを特徴とする電子デバイス。   10. The electronic device according to claim 6, wherein an IC chip having an oscillation circuit unit that resonates the pressure-sensitive element is provided in the first container or the second container. And electronic devices.
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