JP2011037704A - Method for manufacturing group iii nitride crystal substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、転位密度が低く、かつ製造コストが安いIII族窒化物結晶基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for producing a group III nitride crystal substrate having a low dislocation density and a low production cost.
近年、半導体レーザ、LED(Light Emitting Diode)などの光デバイス、電子デバイスなどの半導体デバイスの基板として、転位密度が低くサイズの大きなIII族窒化物結晶基板が求められている。 In recent years, a group III nitride crystal substrate having a low dislocation density and a large size has been demanded as a substrate for semiconductor devices such as semiconductor devices such as semiconductor devices, optical devices such as LEDs (Light Emitting Diodes), and electronic devices.
III族窒化物結晶基板を製造する方法としては、気相法として、結晶の成長速度を100μm/hr以上にすることができ、気相法の中で結晶成長が速いハイドライド気相成長法(Hydride Vapor Phase Epitaxy、以下HVPE法という)が有力な方法として用いられている(たとえば、非特許文献1を参照)。
As a method for producing a group III nitride crystal substrate, as a vapor phase method, a crystal growth rate can be set to 100 μm / hr or more. Vapor Phase Epitaxy (hereinafter referred to as HVPE method) is used as a powerful method (see Non-Patent
また、下地基板上にIII族窒化物結晶の薄膜を成長させる方法としては、気相法として、結晶の成長速度の制御性がよく表面が平坦な薄膜の成長に適した有機金属気相成長法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition、以下MOCVD法という)が有力な方法として用いられている(たとえば、非特許文献1を参照)。上記のような下地基板に薄膜を形成したものは、一般にテンプレートと呼ばれる。たとえば、下地基板としてのサファイア基板上にMOCVD法によりIII族窒化物結晶の薄膜を成長させたテンプレートが、III族窒化物結晶基板の代用品として用いられている。 In addition, as a method for growing a thin film of a group III nitride crystal on a base substrate, a metal-organic vapor phase growth method suitable for the growth of a thin film having a good crystal growth rate controllability and a flat surface as a vapor phase method. (Metal Organic Chemical Vapor Deposition, hereinafter referred to as MOCVD method) is used as an effective method (see, for example, Non-Patent Document 1). A substrate in which a thin film is formed on the base substrate as described above is generally called a template. For example, a template obtained by growing a group III nitride crystal thin film on a sapphire substrate as a base substrate by MOCVD is used as a substitute for the group III nitride crystal substrate.
しかし、上記HVPE法またはMOCVD法においては、いずれもIII族窒化物結晶を成長させるための下地基板が必要であり、III族窒化物結晶基板またはテンプレートのIII族窒化物結晶薄膜の転位密度は、下地基板の転位密度に依存し、また、下地基板としてIII族窒化物基板でなく、サファイア基板またはSiC基板などの異種基板を用いる場合には、格子不整合と熱膨張係数差により、III族窒化物結晶の転位密度はさらに増加する傾向にあった。 However, in the HVPE method or the MOCVD method, a base substrate for growing a group III nitride crystal is required, and the dislocation density of the group III nitride crystal substrate or the template group III nitride crystal thin film is: Depending on the dislocation density of the underlying substrate, and when using a heterogeneous substrate such as a sapphire substrate or SiC substrate instead of a group III nitride substrate as the underlying substrate, the group III nitridation is caused by lattice mismatch and a difference in thermal expansion coefficient. The dislocation density of the product crystals tended to increase further.
上記のように、HVPE法は結晶の成長が速く、MOCVD法は結晶の成長速度の制御性に優れるといった利点がそれぞれ有するが、結晶の転位密度を十分に小さくすることができない点で、III族窒化物結晶基板の実用的な製造方法ではなかった。 As described above, the HVPE method has the advantages that the crystal growth is fast and the MOCVD method has excellent controllability of the crystal growth rate, respectively. However, the dislocation density of the crystal cannot be sufficiently reduced. It was not a practical method for manufacturing a nitride crystal substrate.
これに対して、フラックス法、高窒素圧溶液法に代表される液相法においては、反応性の高いガスを用いる気相法に比べて、熱力学的に平衡状態に近い準平衡状態で結晶成長が進行するため、成長中の核発生が抑制され、一般に転位密度が低く結晶性の高いIII族窒化物結晶が得られる(たとえば、非特許文献2〜非特許文献を4参照)。
On the other hand, in the liquid phase method represented by the flux method and the high nitrogen pressure solution method, the crystallization is performed in a quasi-equilibrium state that is thermodynamically close to an equilibrium state as compared with the gas phase method using a highly reactive gas. Since the growth proceeds, the generation of nuclei during the growth is suppressed, and generally a group III nitride crystal having a low dislocation density and high crystallinity can be obtained (for example, see Non-Patent
また、液相法におけるIII族窒化物結晶以外のIII−V族結晶の例として、GaAsの基板上に自己フラックスを用いた液相法によりGaAsおよびAlGaAsの結晶層を成長させると、やはり準平衡状態で結晶成長が進行するため、下地基板よりも転位密度が低くなり、平坦な結晶層が得られている。この結晶層の転位密度の低さから、チップ化した後に電極などを形成すると耐久性の高い赤色発光素子を製造できるため、リモコンの発光部などに従来から広く利用されている。 As an example of a group III-V crystal other than a group III nitride crystal in the liquid phase method, when a crystal layer of GaAs and AlGaAs is grown on a GaAs substrate by a liquid phase method using a self-flux, it is also quasi-equilibrium. Since crystal growth proceeds in this state, the dislocation density is lower than that of the base substrate, and a flat crystal layer is obtained. Due to the low dislocation density of the crystal layer, a red light-emitting element with high durability can be manufactured by forming an electrode or the like after being formed into a chip. Therefore, it has been widely used for a light-emitting portion of a remote controller.
しかし、上記のように、III族窒化物結晶においては、上記他材料と同様に液相法により低転位化することは確認されているが(たとえば、非特許文献3および非特許文献4参照)、窒素の平衡蒸気圧が高いために、液相への窒素の溶解量が一般に少ないことから、結晶の成長速度が10μm/hr程度と遅い。また、結晶の成長が遅いにもかかわらず、高温高圧で熱力学的な準安定状態を安定的に保つのが設備的にまた技術的に困難なことから、成長速度を十分に制御できず、表面においてはウルツ鉱型の六方晶系を反映した六角形状の突起部が見られるなど、表面の平坦性が悪いという問題があった。このため、液相法によって青紫色レーザ、青色LED、白色LEDなどの光デバイス、或いは電界効果トランジスタなどの電子デバイスの基板を得ようとすることは、結晶成長に長時間を要し、さらに結晶表面を研磨などにより平坦化する工程を経る必要があり、製造コストが高くなり実用化に至っていない。
However, as described above, in the group III nitride crystal, it has been confirmed that the dislocation is reduced by the liquid phase method as in the case of the other materials (see, for example, Non-Patent
上記状況に鑑みて、本発明は、転位密度が低く、かつ製造コストが安いIII族窒化物結晶基板の製造方法を提供することを目的とする。 In view of the above situation, an object of the present invention is to provide a method for producing a group III nitride crystal substrate having a low dislocation density and a low production cost.
上記目的を達成するため、本発明は、液相法により、下地基板上に第1のIII族窒化物結晶を成長させる工程と、ハイドライド気相成長法または有機金属気相成長法により、第1のIII族窒化物結晶上に第2のIII族窒化物結晶を成長させる工程とを含み、第2のIII族窒化物結晶の転位密度が1×107個/cm2以下であり、第2のIII族窒化物結晶の表面が表面粗さRP-Vで0.5μm以下に平坦化されるIII族窒化物結晶基板の製造方法である。 In order to achieve the above object, the present invention provides a first step of growing a first group III nitride crystal on a base substrate by a liquid phase method and a first method by a hydride vapor phase growth method or a metal organic vapor phase growth method. A second group III nitride crystal is grown on the group III nitride crystal, wherein the dislocation density of the second group III nitride crystal is 1 × 10 7 pieces / cm 2 or less, This is a method for producing a group III nitride crystal substrate in which the surface of the group III nitride crystal is planarized to a surface roughness RPV of 0.5 μm or less.
上記製造方法は、成長する結晶の転位密度が低い利点と結晶の成長が遅く結晶表面の平坦性が低い欠点を有する液相法と、結晶の成長が速く結晶表面の平坦性が高いという利点と結晶の転位密度が高い欠点を有するハイドライド気相法とを組み合わせることにより、それぞれの利点である成長する結晶の転位密度が低く、結晶の成長が速いまたは結晶表面の平坦性が高いという特徴を有するIII族窒化物結晶基板の製造を可能とするものである。 The above manufacturing method has the advantage that the dislocation density of the crystal to be grown is low, the liquid phase method having the disadvantage that the crystal growth is slow and the crystal surface flatness is low, and the advantage that the crystal growth is fast and the crystal surface flatness is high. Combined with the hydride vapor phase method, which has the disadvantage of high crystal dislocation density, each has the advantages of low crystal dislocation density of growing crystal, fast crystal growth or high crystal surface flatness This makes it possible to produce a group III nitride crystal substrate.
また、本発明は、液相法により、下地基板上に第1のIII族窒化物結晶を成長させる工程と、ハイドライド気相成長法により、第1のIII族窒化物結晶上に第2のIII族窒化物結晶を成長させる工程と、第1のIII族窒化物結晶および/または第2のIII族窒化物結晶を切断またはへき開によって分割する工程とを含み、第2のIII族窒化物結晶の厚さが1600μm以上であり、第2のIII族窒化物結晶の転位密度が3×106個/cm2以下であるIII族窒化物結晶基板の製造方法である。 The present invention also includes a step of growing a first group III nitride crystal on a base substrate by a liquid phase method and a second group III on a first group III nitride crystal by a hydride vapor phase growth method. A step of growing a group nitride crystal and a step of dividing the first group III nitride crystal and / or the second group III nitride crystal by cutting or cleaving, This is a method for producing a group III nitride crystal substrate having a thickness of 1600 μm or more and a dislocation density of the second group III nitride crystal of 3 × 10 6 pieces / cm 2 or less.
本発明にかかるIII族窒化物結晶基板の製造方法において、第2のIII族窒化物結晶の厚さが3200μm以上であり、第2のIII族窒化物結晶の転位密度が4×105個/cm2以下であることが好ましい。 In the method for producing a group III nitride crystal substrate according to the present invention, the thickness of the second group III nitride crystal is 3200 μm or more, and the dislocation density of the second group III nitride crystal is 4 × 10 5 / It is preferable that it is cm 2 or less.
本発明によれば、転位密度が低く、かつ製造コストが安いIII族窒化物結晶基板の製造方法を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a method for producing a group III nitride crystal substrate having a low dislocation density and a low production cost.
本発明にかかるIII族窒化物結晶基板の製造方法は、たとえば、図1を参照して、図1(a)に示すように、液相法により下地基板1上に第1のIII族窒化物結晶2を成長させる工程と、図1(b)〜図1(d)に示すように、気相法により上記第1のIII族窒化物結晶2上に第2のIII族窒化物結晶3を成長させる工程を含む。かかる工程を含むことによって、転位密度の低い第1のIII族窒化物結晶および第2のIII族窒化物結晶が得られる。
A method for producing a group III nitride crystal substrate according to the present invention includes, for example, referring to FIG. 1, as shown in FIG. 1A, a first group III nitride is formed on a
第1のIII族窒化物結晶および第2のIII族窒化物結晶の転位密度が低くなるのは、以下の理由によるものと考えられる。まず、基板1上に液相法により第1のIII族窒化物結晶の成長を行なうと、図1および図2を参照して、第1のIII族窒化物結晶2の表面は平坦ではなく、図2(a)に示すように上面から見ると幅(W)300μm程度の多角形状で、図2(b)および図1(a)に示すように断面が高さ(H)3μm程度の台形状である1以上(通常は複数)の第1のIII族窒化物結晶の突起部2aが、基底部2b上に形成される。液相法は、気相法に比べ熱力学的に平衡状態により近い状態で結晶成長をさせる方法であるため、初期に下地基板1上に発生する結晶核が少量であり、かかる少量の結晶核から準平衡状態で成長した第1のIII族窒化物結晶2は転位密度が低くなる。ここで、第1のIII族窒化物結晶の突起部2aは、基底部2bに比べてより結晶成長が進んでいるため転位密度はさらに低くなる。
The reason why the dislocation density of the first group III nitride crystal and the second group III nitride crystal is lowered is considered to be as follows. First, when the first group III nitride crystal is grown on the
次に、上記第1のIII族窒化物結晶上に、気相法により3μm/hr程度の成長速度で第2のIII族窒化物結晶のエピタキシャル成長を行なうと、図1(b)に示すように、第1のIII族窒化物結晶2の突起部2aの斜面22上における第2のIII族窒化物結晶3の成長速度VHは、基底部2bの平面21上および突起部2aの平面21上における第2のIII族窒化物結晶3の成長速度VVより大きいため、第2のIII族窒化物結晶3は、基底部2bの平面21上および突起部2aの平面21を覆うように成長して行き、図1(b)および図1(c)に示すように第2のIII族窒化物結晶3は表面段差部33が小さくなり、図1(c)または図1(d)に示すように平坦に近い表面または平坦な表面を有する第2のIII族窒化物結晶3が得られる。ここで、上記のように、第2のIII族窒化物結晶は、転位密度が低い第1のIII族窒化物結晶の突起部2aの斜面22から成長したものが多いことから、その転位密度も低いものが得られる。また、III族窒化物結晶の表面の平坦性が向上するため、半導体デバイス用基板とするための表面研磨などの加工コストを低減することができる。
Next, when the second group III nitride crystal is epitaxially grown on the first group III nitride crystal at a growth rate of about 3 μm / hr by the vapor phase method, as shown in FIG. The growth rate V H of the second group III
本明細書においては、III族窒化物結晶基板の製造方法を説明するため、液相法で得られたIII族窒化物結晶を第1のIII族窒化物結晶と、気相法で得られたIII族窒化物結晶を第2のIII族窒化物結晶と区別して記載しているが、第2のIII族窒化物結晶は、整合性よく第1のIII族窒化物結晶上に成長していることから、ひとつのIII族窒化物結晶として用いることも可能である。 In this specification, in order to describe a method for producing a group III nitride crystal substrate, a group III nitride crystal obtained by a liquid phase method was obtained by a first group III nitride crystal and a gas phase method. Although the group III nitride crystal is described separately from the second group III nitride crystal, the second group III nitride crystal grows on the first group III nitride crystal with good consistency. Therefore, it can be used as one group III nitride crystal.
本発明にかかるIII族窒化物結晶基板の製造方法において、下地基板に特に制限はなく、III族窒化物基板、サファイア基板、SiC基板などを用いることができる。しかし、III族窒化物結晶との格子不整合および熱膨張係数の差が小さく、転位密度の低いIII族窒化物結晶の成長が容易になる観点から、本発明にかかるIII族窒化物結晶基板の製造方法において用いられる下地基板1は、図1を参照して、III族窒化物基板、またはIII族窒化物結晶を成長させる面にIII窒化物結晶層1aが形成された基板であることが好ましい。すなわち、サファイア基板またはSiC基板などの異種基板を用いる場合には、これらの基板にIII族窒化物結晶層を形成したものを下地基板とすることが好ましい。ここで、サファイア基板またはSiC基板などへのIII族窒化物結晶層の形成は、HVPE法またはMOCVD法を用いて行なうことが好ましい。
In the method for producing a group III nitride crystal substrate according to the present invention, the base substrate is not particularly limited, and a group III nitride substrate, a sapphire substrate, a SiC substrate, or the like can be used. However, from the viewpoint that the lattice mismatch with the group III nitride crystal and the difference in thermal expansion coefficient are small and the growth of the group III nitride crystal having a low dislocation density is facilitated, the group III nitride crystal substrate according to the present invention Referring to FIG. 1,
また、本発明にかかるIII族窒化物結晶基板の製造方法において、上記液相法としてフラックス法または高窒素圧溶液法を用いることが好ましい。転位密度の低い第1のIII族窒化物結晶を容易に成長させることができる。 In the method for producing a group III nitride crystal substrate according to the present invention, it is preferable to use a flux method or a high nitrogen pressure solution method as the liquid phase method. The first group III nitride crystal having a low dislocation density can be easily grown.
フラックス法とは、600〜1400℃程度の温度と0.1MPa〜10MPa程度の圧力下で、III族元素とフラックスとを含む融液に窒素を溶解させて、III族窒化物結晶の成長を行なうものである。フラックスとしては、アルカリ金属元素または遷移金属元素が用いられる。たとえば、III族元素がGaの場合はアルカリ金属元素であるNaが好ましく用いられ、III族元素がAlの場合には遷移金属元素であるFe、MnまたはCrが好ましく用いられる。また、高窒素圧溶液法は、約1500℃の高温と1GPa〜2GPa程度の高窒素圧力下で、III族元素融液(たとえばGa融液)に窒素を溶解させて、III族窒化物結晶(たとえばGaN結晶)の成長を行なうものである。 In the flux method, a group III nitride crystal is grown by dissolving nitrogen in a melt containing a group III element and a flux at a temperature of about 600 to 1400 ° C. and a pressure of about 0.1 MPa to 10 MPa. Is. As the flux, an alkali metal element or a transition metal element is used. For example, when the group III element is Ga, Na which is an alkali metal element is preferably used, and when the group III element is Al, Fe, Mn or Cr which is a transition metal element is preferably used. Further, the high nitrogen pressure solution method involves dissolving nitrogen in a group III element melt (for example, Ga melt) under a high temperature of about 1500 ° C. and a high nitrogen pressure of about 1 GPa to 2 GPa, and a group III nitride crystal ( For example, a GaN crystal) is grown.
また、本発明にかかるIII族窒化物結晶基板の製造方法において、上記気相法として、HVPE法またはMOCVD法を用いることが好ましい。低転位密度という第1のIII族窒化物結晶の特性を受け継いで、転位密度の低い第2のIII族窒化物結晶を容易に成長させることができる。 In the method for producing a group III nitride crystal substrate according to the present invention, it is preferable to use the HVPE method or the MOCVD method as the gas phase method. By inheriting the characteristics of the first group III nitride crystal having a low dislocation density, the second group III nitride crystal having a low dislocation density can be easily grown.
HVPE法は、III族元素のハロゲン化物と、アンモニア(NH3)などの窒素含有物とを気相で反応させてIII族窒化物結晶を成長させる方法であり、GaN結晶を成長させる場合には、金属Gaと塩化水素(HCl)とを反応させて生成したGaClガスとNH3ガスとを反応させる。HVPE法は、液相法ほど低転位で結晶成長させることはできないが、結晶の成長速度を100μm/hr程度まで速くすることができるため厚みの大きいIII窒化物結晶が容易に得られる。 The HVPE method is a method of growing a group III nitride crystal by reacting a halide of a group III element with a nitrogen-containing material such as ammonia (NH 3 ) in a gas phase. In the case of growing a GaN crystal, Then, GaCl gas generated by reacting metal Ga and hydrogen chloride (HCl) is reacted with NH 3 gas. In the HVPE method, crystals cannot be grown at a low dislocation as in the liquid phase method, but since the crystal growth rate can be increased to about 100 μm / hr, a thick III nitride crystal can be easily obtained.
また、MOCVD法は、III族元素を含有する有機金属化合物(たとえば、TMG(トリメチルガリウム)、TMA(トリメチルアルミニウム)など)と、NH3などの窒素含有物とを気相で反応させてIII族窒化物結晶を成長させる方法である。MOCVD法は、結晶の成長速度は3μm/hr程度と遅いが、結晶成長の制御性に優れ結晶表面を平坦に成長させ易い。 In the MOCVD method, a group III element-containing organometallic compound (eg, TMG (trimethylgallium), TMA (trimethylaluminum), etc.) and a nitrogen-containing material such as NH 3 are reacted in the gas phase to form a group III. This is a method for growing a nitride crystal. The MOCVD method has a slow crystal growth rate of about 3 μm / hr, but has excellent crystal growth controllability and allows the crystal surface to be grown flat.
特に、本発明において好ましい一のIII族窒化物結晶基板の製造方法は、図1を参照して、図1(a)に示すように液相法により基板1上に第1のIII族窒化物結晶2を成長させる工程と、図1(b)〜図1(d)に示すようにHVPE法またはMOCVD法により、第1のIII族窒化物結晶2上に第2のIII族窒化物結晶3を成長させる工程とを含むIII族窒化物結晶基板の製造方法であって、第2のIII族窒化物結晶を成長させる工程において、第2のIII族窒化物結晶の表面を、表面粗さRP-Vで0.5μm以下に平坦化することである。窒化物結晶の表面が表面粗さRP-Vで0.5μm以下に平坦化されることによって、光デバイス、電子デバイスなどの半導体デバイスの製造に適したIII族窒化物結晶が得られる。ここで、表面粗さRP-Vとは、結晶の主平面の中央部に位置する1辺1.25mmの正方形領域内の表面における凸部と凹部と間の垂直方向の最大距離と定義する。
In particular, a preferred method for producing a group III nitride crystal substrate according to the present invention is described with reference to FIG. 1, in which a first group III nitride is formed on a
上記のIII族窒化物結晶基板の製造方法により、転位密度が1×107個/cm2以下のIII族窒化物結晶基板を得ることができる。 By the above method for producing a group III nitride crystal substrate, a group III nitride crystal substrate having a dislocation density of 1 × 10 7 pieces / cm 2 or less can be obtained.
また、本発明において好ましい別のIII族窒化物結晶基板の製造方法は、図1および図3を参照して、図1(a)に示すように液相法により基板1上に第1のIII族窒化物結晶2を成長させる工程と、図1(b)〜図1(d)に示すようにHVPE法により第1のIII族窒化物結晶2上に第2のIII族窒化物結晶3を成長させる工程と、図3(a)および図3(b)に示すように第2のIII族窒化物結晶3を切断またはへき開によって分割する工程とを含む。
In addition, another preferred method for producing a group III nitride crystal substrate in the present invention is described with reference to FIG. 1 and FIG. 3, as shown in FIG. A step of growing
上述のように、HVPE法においては、結晶の成長速度を100μm/hr程度まで大きくすることができるため厚みの大きいIII窒化物結晶が容易に得られるため、厚いIII族窒化物結晶を分割することによって複数のIII族窒化物結晶基板を同時に得ることができる。ここで、分割の方法としては、切断またはへき開の方法を用いる。切断とは、電着ダイヤモンドホイールの外周刃を持つスライサーなどで機械的に結晶を分割することをいい、へき開とは結晶格子面に沿って結晶を分割することをいう。 As described above, in the HVPE method, since the crystal growth rate can be increased to about 100 μm / hr, a thick III nitride crystal can be easily obtained. Thus, a plurality of group III nitride crystal substrates can be obtained simultaneously. Here, a cutting or cleavage method is used as the dividing method. Cutting refers to mechanically dividing the crystal with a slicer having an outer peripheral edge of an electrodeposited diamond wheel, and cleaving refers to dividing the crystal along the crystal lattice plane.
上記のIII族窒化物結晶基板の製造方法により、転位密度が1×107個/cm2以下のIII族窒化物結晶基板を同時に多数枚得ることができる。 By the above method for producing a group III nitride crystal substrate, a large number of group III nitride crystal substrates having a dislocation density of 1 × 10 7 pieces / cm 2 or less can be obtained simultaneously.
なお、本発明においては、液相法によって、下地基板上に第1のIII族窒化物結晶を成長させる工程においては、下地基板の面方位は特定されることはない。すなわち、たとえば、図1を参照して、液相法により下地基板1の(0001)面上に第1のIII族窒化物結晶を成長させた後、気相法により第1のIII族窒化物結晶の(0001)面に第2のIII族窒化物結晶を成長させることもできる。また、図4を参照して、液相法により下地基板1の(1−100)面上に第1のIII族窒化物結晶を成長させた後、気相法により第1のIII族窒化物結晶の(0001)面に第2のIII族窒化物結晶を成長させることもできる。
In the present invention, the plane orientation of the base substrate is not specified in the step of growing the first group III nitride crystal on the base substrate by the liquid phase method. That is, for example, referring to FIG. 1, after the first group III nitride crystal is grown on the (0001) plane of
ここで、図4に示す本発明における好ましいまた別のIII族窒化物結晶基板の製造方法においては、図4(a)に示すように下地基板1上に第1のIII族窒化物結晶2を成長させる工程と、図4(b)に示すように第1のIII族窒化物結晶2上に第2のIII族窒化物結晶3を成長させる工程と、図4(c)に示すように第1のIII族窒化物結晶2および第2の窒化物結晶3を切断またはへき開によって分割する工程とが含まれている。
Here, in another preferable Group III nitride crystal substrate manufacturing method of the present invention shown in FIG. 4, the first Group
上記のように、本発明は、転位密度の低い結晶が得られるが結晶の成長速度が小さく結晶表面の平坦化が困難な液相法に、HVPE法またはMOCVD法などの気相法を組み合わせることにより、転位密度が低くかつ製造コストが安いIII族窒化物結晶およびその製造方法ならびにIII族窒化物結晶基板およびその製造方法を提供するものである。 As described above, the present invention combines a gas phase method such as the HVPE method or the MOCVD method with the liquid phase method in which a crystal having a low dislocation density is obtained but the crystal growth rate is small and the crystal surface is difficult to flatten. Thus, a group III nitride crystal having a low dislocation density and a low production cost and a method for producing the same, and a group III nitride crystal substrate and a method for producing the same are provided.
すなわち、上記III族窒化物結晶基板の製造方法においては、液相法および気相法によってIII族窒化物結晶の成長を2回に分けて行なうため、見かけ上は工程が増えているが、液相法によって転位密度の低減が図られ、気相法によって表面が平坦化され研磨などの表面処理が省力化されたり、III族窒化物結晶の高速成長により同時に多数のIII族窒化物結晶基板が得られるようになるため、結果として、高品質のIII族窒化物結晶基板が低コストで得られる。 That is, in the above method for producing a group III nitride crystal substrate, the growth of the group III nitride crystal is carried out in two steps by the liquid phase method and the gas phase method, so that the number of processes is apparently increased. The dislocation density is reduced by the phase method, the surface is flattened by the vapor phase method and the surface treatment such as polishing is saved, or a large number of group III nitride crystal substrates are simultaneously formed by the high-speed growth of group III nitride crystals. As a result, a high-quality group III nitride crystal substrate can be obtained at low cost.
本発明にかかるIII族窒化物結晶基板は、上記III族窒化物結晶基板の製造方法によって製造されたIII族窒化物結晶基板である。上記製造方法により、転位密度の低いIII族窒化物結晶基板が得られる。また、本発明にかかるIII族窒化物結晶基板の転位密度は1×107個/cm2以下であることが好ましい。III族窒化物結晶基板の転位密度が低いほど、基板上に転位密度の低いエピタキシャル層を形成することができ、特性のよい半導体デバイスが得られる。 The group III nitride crystal substrate according to the present invention is a group III nitride crystal substrate manufactured by the method for manufacturing a group III nitride crystal substrate. By the above manufacturing method, a group III nitride crystal substrate having a low dislocation density is obtained. The dislocation density of the group III nitride crystal substrate according to the present invention is preferably 1 × 10 7 pieces / cm 2 or less. As the dislocation density of the group III nitride crystal substrate is lower, an epitaxial layer having a lower dislocation density can be formed on the substrate, and a semiconductor device having better characteristics can be obtained.
本発明にかかるIII族窒化物半導体デバイスは、上記のIII族窒化物結晶基板を含む。転位密度が低い上記III族窒化物結晶基板を含むことにより、特性のよい半導体デバイスとなる。本III族窒化物半導体デバイスの構造には、とくに制限はないが、たとえば以下の構造を有するIII族窒化物半導体デバイスが挙げられる。 A group III nitride semiconductor device according to the present invention includes the above group III nitride crystal substrate. By including the group III nitride crystal substrate having a low dislocation density, a semiconductor device with good characteristics can be obtained. Although there is no restriction | limiting in particular in the structure of this group III nitride semiconductor device, For example, the group III nitride semiconductor device which has the following structures is mentioned.
すなわち、本発明にかかる一のIII族窒化物半導体デバイスは、図7を参照して、III族窒化物結晶基板70の一方の主面上に、エピタキシャル層としてn型GaN層71、Al0.3Ga0.7N層72、Al0.04Ga0.96N層73、Al0.08Ga0.92N層74、Al0.3Ga0.7N層75、p型GaN層76が順次形成されている。さらに、p型GaN層76上の一部にはp側電極77であるPd/Au積層電極(Au層がp型GaN層76と接触)が形成され、III族窒化物結晶基板70の他方の主面上にはn側電極78であるAl/Au積層電極(Au層がIII族窒化物結晶基板70と接触)が形成されている。本III族窒化物半導体デバイス700は、LEDとしての機能を有する。
That is, one group III nitride semiconductor device according to the present invention has an n-
本発明にかかるIII族窒化物結晶基板およびその製造方法について、実施例1〜実施例5、参考例1〜参考例2および比較例1〜比較例3によりさらに具体的に説明する。 The group III nitride crystal substrate and the method for producing the same according to the present invention will be described more specifically with reference to Examples 1 to 5, Reference Examples 1 to 2, and Comparative Examples 1 to 3.
(実施例1)
図1を参照して、フラックス法により、下地基板1として転位密度が1×108個/cm2、サイズが10mm×10mm×厚さ300μmであり、10mm×10mmの面が(0001)面であるウルツ鉱型GaN基板の(0001)面上に、第1のIII族窒化物結晶2としてのGaN結晶を成長させた。具体的には、図5に示すように、反応容器4であるアルミナ坩堝の中央部に上記GaN基板を、その(0001)面を上に向けて配置し、このアルミナ坩堝に2.0gの金属Gaと1.0gの金属Na(Naフラックス)を入れて加熱することにより、GaN基板の(0001)面上に融液7として800℃のGa−Na融液(融液面の高さは2mm)を形成し、このGa−Na融液中にN2ガスを50MPaとなるように3時間供給することにより、図2に示すように、第1のIII族窒化物結晶2として、上面から見ると六角形状で断面が台形状の突起部2aを有するGaN結晶が得られた。この第1のIII族窒化物結晶の厚さは9μm〜12μm程度であった。また、この第1のIII族窒化物結晶の転位密度を透過型電子顕微鏡により測定したところ、突起部2aの転位密度は6×105個/cm2であり、突起部2aおよび基底部2b全体の平均の転位密度は5×106個/cm2であった。また、この第1のIII族窒化物結晶の表面粗さRP-Vを接触式段差計を用いて一辺が1.25mmの正方形の範囲内で測定したところ、3μmであった。
Example 1
Referring to FIG. 1, dislocation density is 1 × 10 8 pieces / cm 2 , size is 10 mm × 10 mm × thickness 300 μm, and a surface of 10 mm × 10 mm is a (0001) plane by a flux method. A GaN crystal as the first group
次に、MOCVD法により、第1のIII族窒化物結晶2上に、第2のIII族窒化物結晶3としてのGaN結晶を成長させた。具体的には、第1のIII族窒化物結晶が成長した基板に、1100℃、101kPaで、TMGガスとNH3ガスとH2ガス(キャリアーガス)とN2ガス(キャリアーガス)と(モル比は1:2000:7000:9000)を、全ガス流量40000sccm(ここで、sccmとは標準状態(1013hPa、273℃)におけるガス流量(cm3/min)を示す)で、2時間供給することにより、第2のIII族窒化物結晶として厚さ6μmのGaN結晶を成長させて、III族窒化物結晶基板としてのGaN結晶基板を得た。ここで、第2のIII族窒化物結晶の転位密度は2×106個/cm2であり、結晶表面は表面粗さRP-Vで0.1μmにまで平坦化した。結果を表1にまとめた。
Next, a GaN crystal as the second group
(比較例1)
第1のIII族窒化物結晶を成長させる工程を行なわず、MOCVD法により、基板1としてのGaN基板(実施例1のGaN基板と同じサイズ、以下の実施例および比較例における基板のサイズはすべて同じ)に直接、第2のIII族窒化物結晶3としてのGaN結晶を成長させて、GaN結晶基板を得た。MOCVD法による成長条件は、実施例1と同様とした。ここで、得られたGaN結晶の厚さは6μm、転位密度は6×107個/cm2であった。また、このGaN結晶の表面粗さRP-Vは0.1μmであり、表面には目視で明瞭な段差は認められなかった。結果を表1にまとめた。
(Comparative Example 1)
A GaN substrate as the substrate 1 (the same size as the GaN substrate of Example 1 and the sizes of the substrates in the following examples and comparative examples are all formed by MOCVD without performing the step of growing the first group III nitride crystal. GaN crystal as the second group
(実施例2)
実施例1と同様にして、フラックス法によりGaN基板上に第1のIII族窒化物結晶としてGaN結晶を成長させた。この第1のIII族窒化物結晶の突起部の転位密度は7×105個/cm2であり、基底部および基底部全体の平均の転位密度は8×106個/cm2であった。
(Example 2)
In the same manner as in Example 1, a GaN crystal was grown as a first group III nitride crystal on the GaN substrate by a flux method. The dislocation density of the protrusions of this first group III nitride crystal was 7 × 10 5 pieces / cm 2 , and the average dislocation density of the base and the entire base was 8 × 10 6 pieces / cm 2 . .
次に、HVPE法により、第1のIII族窒化物結晶上に、第2のIII族窒化物結晶3としてのGaN結晶を成長させた。具体的には、第1のIII族窒化物結晶が成長した基板に、1030℃、101kPaで、GaClガスとNH3ガスとH2ガス(キャリアーガス)と(モル比は10:1000:7000)を、全ガス流量8010sccmで、1時間供給することにより、第2のIII族窒化物結晶として厚さ5μmのGaN結晶を成長させて、GaN結晶基板を得た。ここで、第2のIII族窒化物結晶の転位密度は7×106個/cm2であった。また、表面粗さRP-Vは0.5μmであり表面には目視で六角形状の突起が観察された。結果を表1にまとめた。
Next, a GaN crystal as the second group
(比較例2)
第1のIII族窒化物結晶を成長させる工程を行なわず、HVPE法により、基板1としてのGaN基板に直接、第2のIII窒化物結晶3としてのGaN結晶を成長させて、GaN結晶基板を得た。HVPE法による成長条件は、実施例2と同様とした。得られたGaN結晶の厚さは5μm、転位密度は8×107個/cm2であった。また、表面粗さRP-Vは0.5μmであった。結果を表1にまとめた。
(Comparative Example 2)
Without performing the step of growing the first group III nitride crystal, the GaN crystal as the second
(実施例3)
図1を参照して、下地基板1として、サイズが10mm×10mm×厚さ300μmであり、10mm×10mmの面が(0001)面であるサファイア基板の(0001)面に、III族窒化物結晶層1aであるGaN結晶層(10mm×10mmの面が(0001)面)を形成した基板を用いた他は、実施例1と同様にして、第1のIII族窒化物結晶(転位密度:突起部で6×105個/cm2、突起部および基底部全体の平均で7×106個/cm2)および第2のIII窒化物結晶(転位密度:6×106個/cm2)としてのGaN結晶を成長させてGaN結晶基板を得た。ここで、サファイア基板上へのGaN結晶層の形成は、MOCVD法を用いて行なった。具体的には、実施例1と同様の条件で1時間ガス(TMGガス、NH3ガス、H2ガス(キャリアーガス)およびN2ガス(キャリアーガス))を供給することにより、厚さが約3μm、表面粗さRP-Vが0.1μmのGaN結晶層を形成した。結果を表1にまとめた。
(Example 3)
Referring to FIG. 1, a group III nitride crystal is formed on a (0001) plane of a sapphire substrate as a
(実施例4)
図1を参照して、実施例3と同様にして、第1のIII族窒化物結晶2を成長させた。この第1の窒化物結晶の転位密度は、突起部で8×105個/cm2であり、突起部および基底部全体の平均で8×106個/cm2であった。
Example 4
Referring to FIG. 1, in the same manner as in Example 3, a first group
次に、HVPE法により、第1のIII族窒化物結晶2上に、第2のIII族窒化物結晶3としてのGaN結晶を成長させた。具体的には、第1のIII族窒化物結晶が成長した基板に、1030℃、101kPaで、GaClガスとNH3ガスとH2ガス(キャリアーガス)と(モル比は120:1000:7000)を、全ガス流量8120sccmで、15時間供給することにより、厚さ1.6mmの第2のIII族窒化物結晶が得られた。この第2のIII族窒化物結晶の(0001)面の表面粗さRP-Vは12μmであった。
Next, a GaN crystal as the second group
次に、第1のIII族窒化物結晶2および第2の窒化物結晶層3を成長させた基板1をガラス製の円板に固定し、電着ダイヤモンドホイールの厚さ200μmの外周刃を持つスライサーを用いて520μmのピッチでスライスを行ない、厚さ320μmのIII族窒化物結晶基板3a,3b,3cが3枚得られた。スライス加工後のIII族窒化物結晶基板の表面粗さRP-Vはいずれも1μmであり、さらに厚さ300μmまで研磨加工することにより、III窒化物結晶基板の表面粗さRP-Vをいずれも0.01μmとした。また、上記3つのIII族窒化物基板3a,3b,3cの転位密度はそれぞれ3×106個/cm2、8×105個/cm2、3×105個/cm2であった。このようにして、転位密度が低く表面粗さRP-Vが小さく、光デバイス、電子デバイスなどの半導体デバイス用基板として好適なIII族窒化物結晶基板を効率よく製造できた。また、結果を表1にまとめた。
Next, the
(比較例3)
第1のIII族窒化物結晶を成長させる工程を行なわず、HVPE法により、基板1としてのGaN基板に直接、第2のIII窒化物結晶3としてのGaN結晶を成長させて、GaN結晶基板を得た。HVPE法による成長条件は、成長時間を3時間とした以外は実施例4と同様とした。得られたGaN結晶の厚さは300μm、転位密度は3×107個/cm2であった。また、表面粗さRP-Vは3μmであった。結果を表1にまとめた。
(Comparative Example 3)
Without performing the step of growing the first group III nitride crystal, the GaN crystal as the second
(実施例5)
図4を参照して、フラックス法により、下地基板1として、転位密度が1×108個/cm2、サイズが2mm×10mm×厚さ300μmであり、2mm×10mmの面が(1−100)面であり、10mm×300μmの面が(0001)面であるウルツ鉱型GaN基板の(1−100)面上に、第1のIII族窒化物結晶2としてのGaN結晶を成長させた。具体的には、図6に示すように、反応容器4であるアルミナ坩堝の中央部に、一辺10mmで高さが2mmのアルミナ製の枠5と一辺9.3mmで厚さ0.3mmのアルミナ製の板6によって、下地基板1であるGaN基板の(0001)面が水平になるように保持して、このアルミナ坩堝に2.0gの金属Gaと1.0gの金属Na(Naフラックス)を入れて加熱することにより、GaN基板の(1−100)面に接するように融液7として800℃のGa−Na融液(融液面の高さは2mm)を形成し、このGa−Na融液中にN2ガスを50MPaとなるように250時間供給することにより、図4(a)を参照して、第1のIII族窒化物結晶2としてのGaN結晶が得られた。
(Example 5)
Referring to FIG. 4, dislocation density is 1 × 10 8 pieces / cm 2 , size is 2 mm × 10 mm × thickness 300 μm, and surface of 2 mm × 10 mm is (1-100) by the flux method. The GaN crystal as the first group
この第1のIII族窒化物結晶2としてのGaN結晶は、下地基板1の(1−100)面からGa−Na融液の液面に対して平行な<1−100>軸方向に10mm成長して、2mm×10mm×厚さ10mmのGaN結晶となった。このGaN結晶の転位密度を測定したところ、4×105個/cm2と低転位であった。
The GaN crystal as the first group
次に、図4(a)および図4(b)を参照して、下地基板1を実施例4で用いた外周刃のスライサーによって切断し、HVPE法により第1のIII族窒化物結晶2としてのGaN結晶の(0001)面上に、成長時間を30時間とした以外は実施例4と同様にして、第2のIII族窒化物結晶3としてのGaN結晶を成長させた。この第2のIII族窒化物結晶3であるGaN結晶の<0001>軸方向の厚さは、最も厚い部分で3.5mmであり、最も薄い部分で3.2mmであった。
Next, with reference to FIG. 4A and FIG. 4B, the
次に、図4(b)および図4(c)を参照して、第1の窒化物結晶2と第2の窒化物結晶3が一体化している窒化物結晶の(0001)面をガラス製の円板(図示せず)に密着させて、実施例4の外周刃を有するスライサーを用いてスライスおよび研磨加工を行ない、第1の窒化物結晶2および第2の窒化物結晶3から、厚さが300μmで表面粗さRP-Vが0.01μmであるIII族窒化物結晶基板2c,2d,2e,2f,3d,3e,3f,3g,3h,3iを得た。これらのIII族窒化物結晶基板の転位密度は、III族窒化物結晶基板2c,2d,2e,2fが4×105個/cm-2、III族窒化物結晶基板3d,3e,3fが2×105個/cm-2、III族窒化物結晶基板3g,3h,3iが1×105個/cm-2と低くなった。結果を表1にまとめた。
Next, referring to FIG. 4B and FIG. 4C, the (0001) plane of the nitride crystal in which the
このように、本実施例においては、下地基板の(0001)面以外の面である(1−100)面に、液相法であるフラックス法によって第1のIII族窒化物結晶としての低転位のGaN結晶を成長させることができ、この第1のIII族窒化物結晶に気相法であるHVPE法によってさらに低転位のGaN結晶を液相法に比べて速く成長させることができる。すなわち、下地基板の面方位にかかわらず、転位密度の低いIII族窒化物結晶基板を短時間で多数枚得ることができる。 Thus, in this example, the low dislocation as the first group III nitride crystal is formed on the (1-100) plane other than the (0001) plane of the base substrate by the flux method which is a liquid phase method. A GaN crystal having a lower dislocation can be grown on the first group III nitride crystal faster than the liquid phase method by the HVPE method which is a vapor phase method. That is, regardless of the plane orientation of the base substrate, a large number of group III nitride crystal substrates having a low dislocation density can be obtained in a short time.
(参考例1)
実施例1と同様にして成長させた第1のIII族窒化物結晶であるGaN結晶(転位密度:突起部で6×105個/cm2、突起部および基底部全体の平均で3×106個/cm2)上に、HVPE法により第2のIII族窒化物結晶としてAlN結晶を成長させた。すなわち、1030℃、101kPaで、AlCl3ガスとNH3ガスとH2ガス(キャリアガス)と(モル比は10:3000:8000)を、全ガス流量11010sccmで、14時間供給することにより、第2のIII族窒化物結晶として厚さ520μmのAlN結晶を成長させた。ここで、第2のIII族窒化物結晶の転位密度は6×105個/cm2であり、結晶表面の表面粗さRP-Vは4μmであった。結果を表1にまとめた。
(Reference Example 1)
GaN crystal, which is the first group III nitride crystal grown in the same manner as in Example 1 (dislocation density: 6 × 10 5 pieces / cm 2 at the protrusion, 3 × 10 on average of the protrusion and the entire base) six / cm 2) on, and the AlN crystal is grown as the second group-III nitride crystal by HVPE. That is, by supplying AlCl 3 gas, NH 3 gas, and H 2 gas (carrier gas) (molar ratio 10: 3000: 8000) at 1030 ° C. and 101 kPa at a total gas flow rate of 11010 sccm for 14 hours, An AlN crystal having a thickness of 520 μm was grown as Group III nitride crystal No. 2. Here, the dislocation density of the second group III nitride crystal was 6 × 10 5 pieces / cm 2 , and the surface roughness R PV of the crystal surface was 4 μm. The results are summarized in Table 1.
(参考例2)
実施例1と同様にして成長させた第1のIII族窒化物結晶であるGaN結晶(転位密度:突起部で5×105個/cm2、突起部および基底部全体の平均で6×106個/cm2)上に、HVPE法により第2のIII族窒化物結晶としてAl0.3Ga0.7N結晶を成長させた。すなわち、1030℃、101kPaで、GaClガスとAlCl3ガスとNH3ガスとH2ガス(キャリアガス)と(モル比は25:10:3000:8000)を、全ガス流量11035sccmで、15時間供給することにより、第2のIII族窒化物結晶として厚さ480μmのAl0.3Ga0.7N結晶を成長させた。ここで、第2のIII族窒化物結晶の転位密度は4×105個/cm2であり、結晶表面の表面粗さRP-Vは3μmであった。結果を表1にまとめた。
(Reference Example 2)
GaN crystal, which is the first group III nitride crystal grown in the same manner as in Example 1 (dislocation density: 5 × 10 5 pieces / cm 2 at the protrusion, and 6 × 10 on the average of the entire protrusion and base) 6 / cm 2 ) Al 0.3 Ga 0.7 N crystal was grown as the second group III nitride crystal by the HVPE method. That is, GaCl gas, AlCl 3 gas, NH 3 gas, and H 2 gas (carrier gas) (molar ratio 25: 10: 3000: 8000) are supplied at a total gas flow rate of 11035 sccm for 15 hours at 1030 ° C. and 101 kPa. As a result, an Al 0.3 Ga 0.7 N crystal having a thickness of 480 μm was grown as the second group III nitride crystal. Here, the dislocation density of the second group III nitride crystal was 4 × 10 5 pieces / cm 2 , and the surface roughness R PV of the crystal surface was 3 μm. The results are summarized in Table 1.
表1に明らかなように、下地基板上に液相法により第1のIII族窒化物結晶を成長させ、次いで気相法により第2のIII族窒化物結晶を成長させた場合のIII族窒化物結晶の転位密度は、基板上に直接III族窒化物結晶を成長させた場合のIII族窒化物結晶の転位密度に比べて低くでき、1×107個/cm2以下とすることができた。ここで、III族窒化物結晶として化学組成の異なる結晶を成長させた場合でも、III族窒化物結晶の転位密度を1×107個/cm2以下とすることができた。 As is apparent from Table 1, group III nitridation occurs when a first group III nitride crystal is grown on a base substrate by a liquid phase method and then a second group III nitride crystal is grown by a vapor phase method. The dislocation density of the compound crystal can be lower than the dislocation density of the group III nitride crystal when the group III nitride crystal is directly grown on the substrate, and can be 1 × 10 7 pieces / cm 2 or less. It was. Here, even when a crystal having a different chemical composition was grown as the group III nitride crystal, the dislocation density of the group III nitride crystal could be 1 × 10 7 pieces / cm 2 or less.
また、第1のIII族窒化物結晶上に、HVPE法で第2のIII族窒化物結晶を高速度で成長させて厚さの大きなIII族窒化物結晶を作製してスライスすることにより、転位密度が1×107個/cm2以下と低いIII族窒化物結晶基板を複数枚同時に得ることができた。 In addition, a second group III nitride crystal is grown on the first group III nitride crystal at a high speed by the HVPE method to produce a large group III nitride crystal and slice. A plurality of group III nitride crystal substrates having a density as low as 1 × 10 7 pieces / cm 2 or less could be obtained simultaneously.
次に、本発明にかかるIII族窒化物結晶基板の製造方法により製造されたIII族窒化物結晶基板を含むIII族窒化物半導体デバイスについて、比較例4、参考例3〜5によりさらに具体的に説明する。 Next, a group III nitride semiconductor device including a group III nitride crystal substrate manufactured by the method for manufacturing a group III nitride crystal substrate according to the present invention will be more specifically described in Comparative Example 4 and Reference Examples 3 to 5. explain.
(比較例4)
比較例3においてGaN基板に直接成長させた第2のIII窒化物結晶であるGaN結晶をGaN基板から切り離し、表面を研磨して、サイズが10mm×10mm×厚さ250μmで表面粗さPP-Vが2nm以下のGaN結晶基板(転位密度:3×107個/cm2)を得た。
(Comparative Example 4)
In Comparative Example 3, the GaN crystal, which is the second III nitride crystal directly grown on the GaN substrate, is cut off from the GaN substrate, the surface is polished, the size is 10 mm × 10 mm × thickness 250 μm, and the surface roughness P PV is A GaN crystal substrate of 2 nm or less (dislocation density: 3 × 10 7 pieces / cm 2 ) was obtained.
次に、図7を参照して、III族窒化物結晶基板70である上記GaN結晶基板の一方の主面上に、MOCVD法により、厚さ1μmのn型GaN層71、厚さ10nmのAl0.3Ga0.7N層72、厚さ3nmのAl0.04Ga0.96N層73、厚さ3nmのAl0.08Ga0.92N層74、厚さ10nmのAl0.3Ga0.7N層75、厚さp型GaN層76を順次エピタキシャル成長させた。
Next, referring to FIG. 7, an n-
次に、p型GaN層76上の一部には、p側電極77として直径80μmのPd(厚さ5nm)/Au(厚さ5nm)積層電極(Au層がp型GaN層76と接触)を形成した。また、III族窒化物結晶基板70の他方の主面上にはn側電極78としてAl(厚さ10nm)/Au(厚さ10nm)積層電極(Au層がIII族窒化物結晶基板70と接触)を形成した。
Next, a Pd (
こうして得られた半導体デバイス700であるLEDの発光ピーク波長を分光光度計により測定したところ、360nmであった。また、本比較例におけるLEDの発光ピークの相対強度を1として、以下の実施例におけるLEDの発光ピークの相対強度を求めた。
The emission peak wavelength of the LED, which was the
(参考例3)
図3を参照して、実施例4において得られた第2のIII族窒化物結晶からスライスされたIII族窒化物結晶基板3cである厚さ320μmのGaN結晶基板の表面を研磨して、サイズが10mm×10mm×厚さ250μmで表面粗さPP-Vが2nm以下GaN結晶基板(転位密度:3×105個/cm2)を得た。III族窒化物結晶基板として上記GaN結晶基板を用いて、比較例4と同様にして、III族窒化物半導体デバイスであるLEDを製造した。得られたLEDの発光ピーク波長は360nm、発光ピークの相対強度は1.2であった。
(Reference Example 3)
Referring to FIG. 3, the surface of a GaN crystal substrate having a thickness of 320 μm, which is a group III
(参考例4)
参考例1において成長させた第2のIII族窒化物結晶である厚さ520μmのAlN結晶を第1のIII窒化物結晶であるGaN結晶から切り離し、表面を研磨して、サイズが10mm×10mm×厚さ250μmで表面粗さPP-Vが2nm以下のGaN結晶基板(転位密度:6×105個/cm2)を得た。III族窒化物結晶基板として上記AlN結晶基板を用いて、比較例4と同様にして、III族窒化物半導体デバイスであるLEDを製造した。得られたLEDの発光ピーク波長は360nm、発光ピークの相対強度は1.5であった。
(Reference Example 4)
The AlN crystal having a thickness of 520 μm, which is the second group III nitride crystal grown in Reference Example 1, is cut off from the GaN crystal, which is the first III nitride crystal, and the surface is polished to obtain a size of 10 mm × 10 mm × the thickness 250μm in surface roughness P PV is less
(参考例5)
参考例2において成長させた第2のIII族窒化物結晶である厚さ480μmのAl0.3Ga0.7N結晶を第1のIII窒化物結晶であるGaN結晶から切り離し、表面を研磨して、サイズが10mm×10mm×厚さ250μmで表面粗さPP-Vが2nm以下のAl0.3Ga0.7N結晶基板(転位密度:4×105個/cm2)を得た。III族窒化物結晶基板として上記Al0.3Ga0.7N結晶基板を用いて、比較例4と同様にして、III族窒化物半導体デバイスであるLEDを製造した。得られたLEDの発光ピーク波長は360nm、発光ピークの相対強度は1.5であった。
(Reference Example 5)
A size of 480 μm thick Al 0.3 Ga 0.7 N crystal grown in Reference Example 2 that is the second group III nitride crystal is separated from the GaN crystal that is the first III nitride crystal, the surface is polished, 10 mm × 10 mm × thickness 250μm in surface roughness P PV is 2nm or less of Al 0.3 Ga 0.7 N crystal substrate: was obtained (dislocation density 4 × 10 5 cells / cm 2). Using the Al 0.3 Ga 0.7 N crystal substrate as the group III nitride crystal substrate, an LED which is a group III nitride semiconductor device was manufactured in the same manner as in Comparative Example 4. The LED obtained had an emission peak wavelength of 360 nm and an emission peak relative intensity of 1.5.
参考例3〜参考例5と比較例4とを対比すると明らかなように、下地基板上に液相法により成長させた第1のIII族窒化物結晶上に気相法により成長させた第2のIII族窒化物結晶から得られたIII族窒化物結晶基板を含むLEDの発光ピークの強度は、下地基板上に直接気相法により成長させたIII族窒化物結晶から得られたIII族窒化物結晶基板を含むLEDの発光ピークの強度よりも大きくなった。これは、第2のIII族窒化物結晶から得られたIII族窒化物結晶基板の転位密度が、下地基板上に直接気相法により成長させたIII族窒化物結晶から得られたIII族窒化物結晶基板の転位密度よりも、低くなったためと考えられる。 As is clear from comparison between Reference Example 3 to Reference Example 5 and Comparative Example 4, the second grown on the first group III nitride crystal grown on the base substrate by the liquid phase method by the vapor phase method. The intensity of the light emission peak of the LED including the group III nitride crystal substrate obtained from the group III nitride crystal of the group III nitride obtained from the group III nitride crystal grown directly on the base substrate by the vapor phase method It became larger than the intensity of the emission peak of the LED including the physical crystal substrate. This is because the dislocation density of the group III nitride crystal substrate obtained from the second group III nitride crystal is the group III nitride obtained from the group III nitride crystal grown by the vapor phase method directly on the base substrate. This is probably because the dislocation density was lower than that of the physical crystal substrate.
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明でなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内のすべての変更が含まれることが意図される。 It should be understood that the embodiments and examples disclosed herein are illustrative and non-restrictive in every respect. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
本発明は、転位密度が低く、かつ製造コストの安いIII族窒化物結晶、III族窒化物結晶基板およびそれらの製造方法、ならびにそのIII族窒化物結晶基板を含むIII族窒化物半導体デバイスに広く利用することができる。 The present invention is widely applied to a group III nitride crystal having a low dislocation density and a low production cost, a group III nitride crystal substrate and a method for producing the same, and a group III nitride semiconductor device including the group III nitride crystal substrate. Can be used.
1 基板、1a III族窒化物結晶層、2 第1のIII族窒化物結晶、2a 突起部、2b 基底部、3 第2のIII族窒化物結晶、4 反応容器、5 枠、6 板、7 融液、2c,2d,2e,2f,3a,3b,3c,3d,3e,3f,3g,3h,3i,70 III族窒化物結晶基板、21 平面、22 斜面、33 表面段差部、71 n型GaN層、72,75 Al0.3Ga0.7N層、73 Al0.04Ga0.96N層、74 Al0.08Ga0.92N層、76 p型GaN層、77 p側電極、78 n側電極、700 III族窒化物半導体デバイス。 1 substrate, 1a group III nitride crystal layer, 2 first group III nitride crystal, 2a protrusion, 2b base, 3 second group III nitride crystal, 4 reaction vessel, 5 frame, 6 plate, 7 Melt, 2c, 2d, 2e, 2f, 3a, 3b, 3c, 3d, 3e, 3f, 3g, 3h, 3i, 70 Group III nitride crystal substrate, 21 plane, 22 slope, 33 surface step, 71 n Type GaN layer, 72,75 Al 0.3 Ga 0.7 N layer, 73 Al 0.04 Ga 0.96 N layer, 74 Al 0.08 Ga 0.92 N layer, 76 p type GaN layer, 77 p side electrode, 78 n side electrode, 700 Group III nitride Semiconductor devices.
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