JP2011034929A - Memsスイッチ - Google Patents
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Abstract
【課題】低電圧で駆動することが可能なMEMSスイッチを提供することを目的とする。
【解決手段】アンカーと、固定電極と、信号線とが形成された基板と、アンカーに連接されたバネと、バネに連接された平行平板電極と、アンカーと平行平板電極との間で、バネに形成された接点と、平行平板電極に連接され、その端部が基板側に傾いた傾斜電極とを備え、平行平板電極及び傾斜電極と固定電極との間に電圧が印加されて、平行平板電極と傾斜電極とが基板側に向かう場合において、接点が信号線に接触することにより、電気的に接続される。
【選択図】 図3
【解決手段】アンカーと、固定電極と、信号線とが形成された基板と、アンカーに連接されたバネと、バネに連接された平行平板電極と、アンカーと平行平板電極との間で、バネに形成された接点と、平行平板電極に連接され、その端部が基板側に傾いた傾斜電極とを備え、平行平板電極及び傾斜電極と固定電極との間に電圧が印加されて、平行平板電極と傾斜電極とが基板側に向かう場合において、接点が信号線に接触することにより、電気的に接続される。
【選択図】 図3
Description
本発明は、静電気力を利用して駆動するMEMSスイッチに関する。
高周波信号をON/OFFする微細な電気機械部品として、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)スイッチが知られている。MEMSスイッチは、FET(Field Effect Transistor)やPINダイオード等の半導体スイッチと異なり、信号のON/OFFを金属接点の機械的接触により行う。このため、MEMSスイッチでは、高周波領域を含む広い周波数帯域にわたって信号の挿入損失を抑えると共に、高い信号遮断性を得ることができる。
MEMSスイッチでは、主に消費電力が小さいという利点から、静電気力を利用して接点の接触/非接触を制御する静電駆動型スイッチの開発例が多い。この機械的な接点の接触/非接触でスイッチのON/OFFを制御する場合には、ONする時には接点を強い力で押し付けて接点抵抗を小さくし、OFFする時には強い力で押し付けられていた接点を引き剥がして信号が伝わらないようにする必要がある。これを静電気力で行う場合、静電気力が電圧の二乗に比例するため、駆動電圧として20V以上を必要とするものが多く、携帯電話などの携帯機器で求められる3V以下でのスイッチ駆動を実現していない。
この駆動電圧を下げる方法としては、1)静電引力を発生させる電極面積を大きくする、2)静電引力を発生させる電極間距離を短くする、3)静電引力に対抗するスイッチの剛性を小さくする、などが考えられる。各々の方式には、それぞれ欠点が有り、電極面積を大きくする方法は、スイッチのサイズが大きくなり、サイズが小さいことも性能の一つとして要求される携帯機器への搭載では欠点となる。また、電極間距離を短くする方法は、電極間距離のばらつき影響の増大や生産での検査工程増などによるコスト増、使用時の振動などに対する信頼性の低下などの欠点が考えられる。バネの剛性を小さくした場合は、OFF時に接点を確実に引き剥がす復元力の低下により信頼性の劣化が欠点として考えられる。このような欠点に対して、特許文献1と非特許文献1には、スイッチの接点の位置をアンカーと静電電極の間のバネに形成する方法が開示されている。この方法により、電極間ギャップが広く静電引力が小さい時にはスイッチの剛性を低い状態で駆動し、電極間ギャップが狭くなり接点が接触した時にはスイッチの剛性が高くなるようにして高い復元力を発生させている。
Nishijima, et al.,"A Low-Voltage High Contact Force RF-MEMS Switch",IEEE MTT-S Digest(2004),pp. 577-580
しかし、前述の非線形のバネ剛性を有するスイッチ構造を用いた場合でも低電圧と高信頼性を両立させることは難しい。例えば、めっきの金属薄膜やポリシリコンをスイッチの材料として用いた場合、構造材料の残留応力などによるスイッチのバネ定数や電極間距離のばらつきにより、信頼性を維持するために初期の電極間距離を確保する必要が有り、低電圧化には限界がある。
本発明は、前記課題に鑑みて成されたものであり、低電圧で駆動することが可能なMEMSスイッチを提供することを目的とする。
本発明は、前記目的を達成するために、アンカーと、固定電極と、信号線とが形成された基板と、前記アンカーに連接されたバネと、前記バネに連接された平行平板電極と、前記アンカーと前記平行平板電極との間で、前記バネに形成された接点と、前記平行平板電極に連接され、その端部が前記基板側に傾いた傾斜電極とを備え、前記平行平板電極及び前記傾斜電極と前記固定電極との間に電圧が印加されて、前記平行平板電極と前記傾斜電極とが前記基板側に向かう場合において、前記接点が前記信号線に接触することにより、電気的に接続される。
また、前記アンカー,前記バネ,前記平行平板電極及び前記傾斜電極は、一体構造で形成されるとともに、単結晶シリコンで形成される。
また、前記傾斜電極は、前記固定電極との距離がゼロから連続的に変化する構造である。
本発明によれば、低電圧で駆動することが可能なMEMSスイッチを提供することができる。
(1)MEMSスイッチの構成
図1は、本発明のMEMSスイッチの上面を示す図である。
図1は、本発明のMEMSスイッチの上面を示す図である。
基板9上に信号線5と、固定電極3と、バイアス電極8,アンカー7が形成されている。基板9は、ガラス基板,化合物半導体基板などの絶縁材料で形成されている。固定電極3には、0Vが印加され、グランドとして機能している。バイアス電極8には3Vが印加され、この電圧がMEMSスイッチのON/OFFを制御する。
信号線5は、所定の距離に設置された固定電極3と合わせて、高周波伝送信号線路として機能している。信号線5は、Au,Pt,Ru,Rh,Irなどの金属で形成されている。
信号線上に流れる入力高周波信号は、バネ6に設置されている接点4と信号線5との接触によりMEMSスイッチがON/OFF動作で、出力高周波信号のON/OFFが制御される。
MEMSスイッチの上部は、傾斜電極1上に形成されたアンカー7とバネ6と平行平板電極2と傾斜電極1が一体構造をなし、単結晶シリコンによって形成されている。
バネ6は、長さ300μm,幅10μm,厚さ10μmである。また、バネ6は、アンカー7に連接されている。平行平板電極2は、長さ300μm,幅200μm,厚さ10μmである。また、平行平板電極2は、バネ6に連接されている。傾斜電極1は、長さ500μm,幅100μm,厚さ10μmであり、その端部が基板9と接触している。
単結晶シリコンは、内部残留応力がないことから、バネ定数の増加や電極間距離が拡大の問題が起きない特徴を持つ。
MEMSスイッチの接点4は、アンカー7と平行平板電極2間のバネ6の下部に形成されており、材質はAu,Pt,Ru,Rh,Irなどの金属である。
傾斜電極1の役割は、低い電圧でも大きい静電引力を得ることで、傾斜電極1の配置には制限がない。図1には、二つの傾斜電極1が平行平板電極2に連接されて、アンカー7の方に端部が位置するように配置されている。この配置の他に傾斜電極1が平行平板電極2に連接され、その端部が平行平板電極2の両側に位置し、傾斜電極1がバネ6と垂直に位置する配置も可能である。また、傾斜電極1が平行平板電極2に連接され、傾斜電極1がバネ6と平行で、傾斜電極の端部がアンカー7と反対側に位置する配置することも可能である。
図2は、図1のMEMSスイッチの側面を示す図である。
図2(a)に、図1のMEMSスイッチのOFF状態での側面図を示す。
傾斜電極1は、平行平板電極2と連接されており、固定電極3との距離がゼロから電極間距離10まで連続的に変化する構造となっている。
固定電極3は、最初Auなどの金属に形成し、その金属の上に静電容量を大きくするため、誘電薄膜が形成されている。誘電薄膜は、材質がSi3N4で、厚さが0.1μmである。上部の平行平板電極2と固定電極3との電極間距離10は、2μmである。
バイアス電極8は、アンカー7と電気的に直接に連結されており、駆動電圧が印加されるとMEMSスイッチ上部の平行平板電極2と傾斜電極1に同電位の電位が印加されることになっている。
図2(b)は、MEMSスイッチのOFF状態での図1の断面A−A′を示す図である。
接点4は、アンカー7と平行平板電極2間のバネ6の下部に形成されている。基板9上の固定電極3と上部の電極との間に電圧が印加されて、平行平板電極2と傾斜電極1とが基板9側に運動するとき、接点4が信号線5に接触することにより、電気的に接続される。
(2)MEMSスイッチの動作
図3は、図1におけるMEMSスイッチの動作を示す図である。
図3は、図1におけるMEMSスイッチの動作を示す図である。
図3(a)は、MEMSスイッチのOFF状態での側面図である。傾斜電極1は、平行平板電極2と連接されており、固定電極3との距離がゼロから電極間距離10まで連続的に変化する構造となっている。静電引力が電極間距離の二乗に反比例して大きくなるため、電圧が印加された場合、傾斜電極1の端部には強い静電引力が発生する。
例えば、電極のサイズが長さ400μm,幅400μmで、電極間距離が2μmであって、固定電極3に0.1μmのSi3N4の誘電薄膜が形成された平行平板電極に3Vの電圧を印加したとき発生する静電引力は1.5μNである。同一条件の傾斜電極の場合は、発生する静電引力は6.5μNであって、同一面積の平行平板電極より傾斜電極の方が4倍の静電引力が発生する。この結果から、MEMSスイッチに傾斜電極を採用した場合、低い電圧でも大きい静電引力を得ることができ、MEMSスイッチの低電圧駆動が可能になる。
図3(b)は、図1におけるMEMSスイッチの動作を示す図であり、動作を始めた時点での側面図である。駆動電圧が印加すると、強い静電引力が発生する傾斜電極1の端部から固定電極3と接触し始める。傾斜電極1と平行平板電極2とバネ6は連接されて、傾斜電極1が端部から接触し始めると、バネ6の変形により傾斜電極1の電極間距離10も小さくなる。従って、傾斜電極1に上々に強い静電引力が発生し、傾斜電極1全体を固定電極3に近づけることになる。
図3(c)は、図1におけるMEMSスイッチの動作を示す図であり、ON状態での側面図である。最大静電引力の発生による、傾斜電極1全体が固定電極3全体と接触している状態である。
図4は、図1におけるMEMSスイッチの動作を示す図である。
図4(a)は、図1のMEMSスイッチのOFF状態での断面A−A′を示す図である。MEMSスイッチの接点4は、バネ6の下部に形成されており、信号線5と離れていて、MEMSスイッチのOFF状態を示す。
図4(b)は、図1のMEMSスイッチが動作を始めた時点での断面A−A′を示す図である。駆動電圧が印加すると、強い静電引力が発生する傾斜電極1の端部から固定電極3と接触し始める。傾斜電極1と平行平板電極2とバネ6は連接されて、傾斜電極1が端部から接触し始めると、バネ6の変形により連接された平行平板電極2と固定電極3との距離も狭くなる。従って、平行平板電極2にも上々に強い静電引力が発生し、平行平板電極2を固定電極3に近づけることになる。
図4(c)は、図1のMEMSスイッチのON状態での断面A−A′を示す図である。最大静電引力の発生により、平行平板電極2全体が固定電極3全体と接触することで、バネ6が変形され、バネ6の下部に形成された接点4が信号線5と接触し、電気的に接続された状態である。
(3)傾斜電極の低電圧効果
図5に、従来のMEMSスイッチ200を示す。従来のMEMSスイッチ200は、本発明のMEMSスイッチ100と比べると、傾斜電極1を備えていない構造になっている。特許文献1と非特許文献1のMEMSスイッチは、この構造となっている。従来のMEMSスイッチ200の材質は、単結晶シリコンで形成されており、バネ6は、長さ300μm,幅10μm,厚さ10μmである。平行平板電極2は、長さ300μm,幅400μm,厚さ10μmである。従来のMEMSスイッチ200と本発明のMEMSスイッチ100の面積は同一であって、700×400μm2である。
図5に、従来のMEMSスイッチ200を示す。従来のMEMSスイッチ200は、本発明のMEMSスイッチ100と比べると、傾斜電極1を備えていない構造になっている。特許文献1と非特許文献1のMEMSスイッチは、この構造となっている。従来のMEMSスイッチ200の材質は、単結晶シリコンで形成されており、バネ6は、長さ300μm,幅10μm,厚さ10μmである。平行平板電極2は、長さ300μm,幅400μm,厚さ10μmである。従来のMEMSスイッチ200と本発明のMEMSスイッチ100の面積は同一であって、700×400μm2である。
図6に、本発明のMEMSスイッチ100と、従来のMEMSスイッチ200の、電極移動距離の電圧依存性を示した曲線図を示す。
両MEMSスイッチの電極間距離10を2μmにし、MEMSスイッチ上部の平行平板電極2の移動距離の比較を表している。MEMSスイッチの材質は、単結晶シリコンで、MEMSスイッチ全体のサイズは700×400μm2である。図5の従来のMEMSスイッチ構造では、駆動するのに6〜7Vが必要である。これに対して、本発明のMEMSスイッチ構造では、3Vで駆動することを確認した。同じ面積のMEMSスイッチを設計した場合、本発明の構造の傾斜電極1を採用することで、駆動電圧を1/2低減できることを確認した。
図7に、本発明の実施の形態におけるMEMSスイッチを用いたSPDT(Single Pole Double Throw)スイッチを示す。このMEMSスイッチは、複数のスイッチを使い高周波信号の経路を切り替えるスイッチとして使用される。例えば、携帯電話のバンド切替スイッチ用としてはSPDT(入力1,出力2)スイッチ,SP3T(入力1,出力3)スイッチ,SP6T(入力1,出力6)スイッチがある。
SPDTスイッチは、高周波信号線5を分岐して、分岐した先にMEMSスイッチ100A,100Bを設置することで、入力端子51に印加された高周波信号を出力端子52a又は出力端子52bに切り替える機能を有する。
本発明のMEMSスイッチは、静電電極間の距離が狭いとき、大きい静電引力が発生する原理を利用する傾斜電極を用いることで、低駆動電圧でも、大きい静電引力を得ることができる。従って、スイッチの低電圧駆動が可能になる。また静電電極の寸法が小さくでき、スイッチサイズの小型化が可能になる。
1 傾斜電極
2 平行平板電極
3 固定電極
4 接点
5 信号線
6 バネ
7 アンカー
8 バイアス電極
9 基板
10 電極間距離
51 入力端子
52a,52b 出力端子
100 本発明のMEMSスイッチ
200 従来構造のMEMSスイッチ
2 平行平板電極
3 固定電極
4 接点
5 信号線
6 バネ
7 アンカー
8 バイアス電極
9 基板
10 電極間距離
51 入力端子
52a,52b 出力端子
100 本発明のMEMSスイッチ
200 従来構造のMEMSスイッチ
Claims (3)
- アンカーと、固定電極と、信号線とが形成された基板と、
前記アンカーに連接されたバネと、
前記バネに連接された平行平板電極と、
前記アンカーと前記平行平板電極との間で、前記バネに形成された接点と、
前記平行平板電極に連接され、その端部が前記基板側に傾いた傾斜電極とを備え、
前記平行平板電極及び前記傾斜電極と前記固定電極との間に電圧が印加されて、前記平行平板電極と前記傾斜電極とが前記基板側に向かう場合において、前記接点が前記信号線に接触することにより、電気的に接続されることを特徴とするMEMSスイッチ。 - 前記アンカー,前記バネ,前記平行平板電極及び前記傾斜電極は、一体構造で形成されるとともに、単結晶シリコンで形成されたことを特徴とする請求項1に記載のMEMSスイッチ。
- 前記傾斜電極は、前記固定電極との距離がゼロから連続的に変化する構造であることを特徴とする請求項1に記載のMEMSスイッチ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009182981A JP2011034929A (ja) | 2009-08-06 | 2009-08-06 | Memsスイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009182981A JP2011034929A (ja) | 2009-08-06 | 2009-08-06 | Memsスイッチ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011034929A true JP2011034929A (ja) | 2011-02-17 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009182981A Pending JP2011034929A (ja) | 2009-08-06 | 2009-08-06 | Memsスイッチ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
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2009
- 2009-08-06 JP JP2009182981A patent/JP2011034929A/ja active Pending
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