JP2011029666A - 塗布液組成物および薄膜形成方法 - Google Patents

塗布液組成物および薄膜形成方法 Download PDF

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Abstract

【課題】EL表示装置などで使用するための基板上に、インクジェット方式を用いて品質良好な発光層を形成するための塗布液組成物を提供する。
【解決手段】有機溶媒で発光材料を溶解した塗布液組成物であるとともに、インクジェット方式により基体上に噴出させた後、当該基体上の有機溶媒を取り除くことにより発光層4を形成するための塗布液組成物において、前記有機溶媒として、沸点が200℃以上の溶媒種を含むように構成する。
【選択図】図2

Description

本発明は、インクジェット方式を用いて、基体(たとえば動作基板)上に発光層を形成するために用いる塗布液組成物に係る。発光層を形成した基体は、たとえば有機EL(Electro Luminescence)表示装置に使用される。
有機EL表示装置では、複数の発光層をパターン形成した動作基板が用いられている。発光層の各々は、表示画面を構成する画素に対応しており、いくつかの発光層を発光させることにより、動作基板全体として様々な画像表示を実現している。
より具体的に説明するために、図1に動作基板の一例を模式的に示した。ガラス基板1上に、複数の発光層4が形成されており、発光層4は、電圧が印加されると、自ら発光する性質を有している。
さて、このような動作基板を製造するための工程の1つとして、ガラス基板上に発光層をパターン形成する工程がある。そして、発光層を形成するための方法としては、スピンコート法や、ブレード法など各種提案されているが、その中で発光材料を溶媒に溶解した塗布液組成物を微小液滴として吐出して塗布する、いわゆるインクジェット方式が、工程簡便化、コスト低減化等の面で注目を集めている。
インクジェット方式による発光層形成の工程手順は、おおよそ以下の通りである。
(1)発光材料(固体)を有機溶媒で溶解し、塗布液組成物を生成する。
(2)塗布液組成物を液滴吐出装置のヘッドからガラス基板に対し噴出する。
(3)ガラス基板に噴出した塗布液組成物に含まれる有機溶媒を蒸発させて取り除く。
このように、インクジェット方式においては、粉末状の固体である発光材料を有機溶媒で溶解し、塗布液組成物を生成する。有機溶媒としては、発光材料を溶解することができるものが用いられ、たとえば、芳香族(ベンゼン)系有機溶媒を用いればよいことが報告されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2001−288416号公報
しかしながら、芳香族系有機溶媒を用いたとしても、液滴吐出装置のヘッドのノズルつまりを頻繁に引き起こしたり、最終的に生成される発光層表面の平坦性が悪くなる問題が生じていた。ヘッドのノズルつまりは生産効率の悪化という経済的な問題につながり、発光層表面の平坦性欠如は有機EL表示装置における表示輝度や鮮明さの低下という品質的な問題につながっていた。
本発明は、このような点を考慮して行われたものであり、上述した問題が生じない、塗布液組成物、及びそれを用いた発光層の形成方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明に係る塗布液組成物は、有機溶媒で発光材料を溶解した塗布液組成物であるとともに、その塗布液組成物を基体上に噴出させた後、当該基体上の有機溶媒を取り除くことにより発光層を形成するための塗布液組成物において、前記有機溶媒は、沸点が200℃以上の溶媒種を含んでいることを特徴とする。
このような構成をとる塗布液組成物によれば、液滴吐出装置のヘッドのノズルつまりを頻繁に引き起こしたり、最終的に生成される発光層表面の平坦性が悪くなる問題は生じない。この点は、後述する具体的な評価実験により確認されている。
上述した塗布液組成物の構成において、前記有機溶媒は、芳香族系有機溶媒であるのが好ましい。
また、前記有機溶媒は、沸点が200℃以上の溶媒種を30%以上含んでいるのが好ましい。
より具体的にいえば、前記有機溶媒は、溶媒種としてシクロヘキシルベンゼン、イソプロピルビフェニルのいずれか一方または双方を30%以上含んでいるのが好ましい。
以上の点については、後述する具体的な評価実験により確認されている。
本発明に係る薄膜形成方法は、上述したいずれかの塗布液組成物を用い、インクジェット方式により基体上に噴出させた後、前記基体上の有機溶媒を取り除くことにより発光層を形成することを特徴とする。
このような方法を用いて発光層を形成することにより、形成過程において、液滴吐出装置のヘッドのノズルつまりを頻繁に引き起こしたり、最終的に生成される発光層表面の平坦性が悪くなる問題は生じない。この点は、後述する具体的な評価実験により確認されている。
ガラス基板1上に発光層4が形成された状態を示す図である。 動作基板の断面図である。 撥水化処理および親水化処理を説明するための図である。 ガラス基板1上に正孔注入層3を形成する工程の説明図である。 ガラス基板1上に正孔注入層3を形成する工程の説明図である。 ガラス基板1上に発光層4を形成する工程の説明図である。 ガラス基板1上に発光層4を形成する工程の説明図である。 ガラス基板1上に対する液滴吐出についての説明図である。 ヘッド20の斜視図である。 本実施形態に係る評価実験の内容を説明するための図である。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
A.実施形態の説明
本実施形態に係る塗布液組成物は、インクジェット方式を用いて、基板上に薄膜状の発光層を形成するために用いることを想定し、発光層を形成した基板(以下、動作基板と称する。)は有機EL表示装置で使用することを想定する。
はじめに、有機EL表示装置として動作基板を使用した場合の動作概要を説明する。
(概要)
図1は、本実施形態に係る動作基板の斜視図である。図1に示したように、ガラス基板1には、複数の発光層4がパターン形成されており、発光層4のいくつかに電圧を印加し発光させることにより、動作基板全体として種々の画像表示をすることができるようになっている。
図2は、ある1つの発光層に着目したときの断面図を模式的に示したものである。
図2に示したように、ガラス基板1上に、陽極電極(例えばITO電極)2、正孔注入層3、発光層4の各層が順番に積層された構造をとっている。なお、各層は模式的に示したものであり、相対的な厚さ等は図に示した内容とは異なる。
図2において、発光層4の上部には、さらに真空蒸着法により金属膜(図示せず)が形成され、金属膜の上部には封止ガラスが設けられる。金属膜は、電子注入、輸送および陰極として機能するために設けられる。
ITO電極2と金属膜との間に所定の電圧(3V〜10V程度)を印加すると、蛍光性化合物である発光層4が励起状態になり発光する。より具体的に説明すると、両電極間に所定電圧を印加すると、陽極電極2から正孔注入層3に対して、正孔(ホール)が注入される一方、陰極電極5から発光層4に対しては電子が注入される。そして、発光層4において正孔と電子とが結合し、この際の結合エネルギーが光エネルギーとして放射される。
以上が、動作基板を有機EL表示装置に用いた場合の動作概要である。実際には、ITO電極2に隣接してTFT(Thin Film Transistor)が配設され、TFTを用いて、各々の発光層4に流れる電流値を制御することにより、表示画像の輝度調整等が行われるが、これ以上の動作説明は、本発明と直接関係しないため省略する。
(発光層の形成過程)
つぎに、上掲図1、図2に示す動作基板を生成する過程、すなわち、ガラス基板1上に正孔注入層3や発光層4を形成する過程について、図3〜図7を用いながら説明する。
(1)ガラス基板1の表面処理
ガラス基板1の上には予め、ITO電極2をパターン形成し、バンク9を設けておく(図3参照)。ITO電極2は、のちに形成される発光層4に対して電圧を印加するために設けるものである。また、バンク9は、アクリル樹脂およびSiO2で構成され、ガラス基板1上に発光層4をパターン形成するための障壁として設けられる。すなわち、このあとの工程で、ITO電極2上であってバンク9が設けられていない部分に、正孔注入層3や発光層4が順次形成されることになる。なお、バンク径(SiO2の開口径)は40μm×150μm、高さは2μm、バンク最上部での開口は45×155μmとした。
このようなガラス基板1に対し、はじめに表面処理を行う。具体的には、酸素プラズマ処理等の親水化処理とCF4プラズマ処理等の撥水化処理を施す。
親水化処理および撥水化処理は、ITO電極2上であってバンク9が設けられていない部分に対して、このあと、インクジェット方式により正孔注入層3などを形成するために行う。すなわち、この後工程において、液滴吐出装置のヘッド20からバンク9上に塗布液が噴出したとしても(図8上図参照)、撥水化処理が施されたバンク9上には塗布液は形成されず、親水化処理されたITO電極2の部分に塗布液が形成されることとなり、ヘッド20の噴出位置精度を補正することができるのである(図8下図参照)。
なお本実施形態においては、以下の具体的条件によりプラズマ処理を行った。大気圧プラズマ処理は、大気圧下で、パワー300W,電極−基板間距離1mmの条件下で行った。酸素プラズマ処理は、酸素ガス流量80ccm(cm3)/min:1分間あたりの流量単位)、ヘリウムガス流量10slm(スタンダードリットル/min:1気圧、0℃における1分間あたりの流量単位)、テーブル搬送速度10mm/sの条件下で行った。CF4プラズマ処理は、CF4ガス流量100ccm、ヘリウムガス流量10slm、テーブル搬送速度5mm/sの条件下で行った。
(2)正孔注入層3の形成処理
正孔注入層3を形成するための水分散性材料を、液滴吐出装置のヘッド20からガラス基板1に噴出させる。この水分散性材料は、上述したように親水化処理が施されたITO電極2の部分に形成されることになる(図4参照)。水分散性材料の組成比を、以下の表1に示す。
Figure 2011029666
図9は、本実施形態における液滴吐出装置のヘッド20の形式を図示したものである。本実施形態においては、180個のノズル21が2列、千鳥状に配列されたものを用い、水分散性材料の噴出を行った。ノズル21の径は30μmである。1回あたりの水分散性材料の吐出量はヘッドあたり80pl(ピコリットル)である。
その後、真空下あるいは高温下に保持することにより、水分散性材料に含まれる有機溶媒、水などを除去し、正孔注入層3が形成される。本実施形態においては、1Torrかつ25℃の環境下を20分間保ち、その後、大気中200℃の環境下を10分保つことにより、水分散性材料に含まれる有機溶媒、水などを除去し、正孔注入層3を形成した(図5参照)。
(3)発光層4の形成処理
発光材料として用いられる発光ポリマーの一例として、赤色発光材料の化学式を[化1]に示す。
Figure 2011029666
このような発光ポリマーは粉末状の固体であるため、有機溶媒で溶解し、液体状の塗布液組成物を生成した後、液滴吐出装置のヘッド20(上掲図9)から正孔注入層3の上に噴出させる。本実施形態においては、1回あたりの塗布液組成物の吐出量はヘッドあたり80pl(ピコリットル)である。
その後、真空中(例えば1Torr)かつ40℃の環境下になるようにして20分間保持し、塗布液組成物に含まれる有機溶媒を除去する。このようにして発光層4が形成される(図7参照)。
以上が、ガラス基板1上に、発光層4を形成する工程の内容である。
この後、発光層4の上面に、真空蒸着により金属膜を形成し、金属膜の上部に封止ガラスを接着する。金属膜は正孔注入および陰極として機能する。
(発明者の着眼点について)
次に、本発明のポイントになる、発明者の着眼点を述べる。
本発明者は、発光層4の形成工程において使用する有機溶媒の可否判断をするにあたり、有機溶媒を組成する溶媒種の沸点が判断基準になるのではないかと考えた。すなわち、発光材料を溶解するために用いる有機溶媒は、最終工程において蒸発し、除去されるのは上述した通りである。そして、有機溶媒を組成する溶媒種の沸点は、蒸発過程そのものを左右するパラメータであるから、本発明者は、有機溶媒を組成する溶媒種の沸点を考慮すべきではないかと考えたのである。
以上の着眼点に基づき、本発明者は、沸点の異なる溶媒種を複数用意するとともに、いくつかの溶媒種を調合し、組成率を変えた有機溶媒を調合し、それぞれの有機溶媒を用いて発光材料を溶解して塗布液組成物を生成した。そして、塗布液組成物を用いて発光層形成して評価実験をした。なお、発明者の経験的な考えから、沸点が200℃前後の溶媒種を用意した。
以下の表2に、本発明者が用意した有機溶媒種の内容(7種類)、調合した有機溶媒の組成比(13種類)について示す。
Figure 2011029666
本発明者は、これらの13種類の有機溶媒それぞれを用いて、発光材料を溶解させ、塗布液組成物を生成するとともに、実際にインクジェット方式による発光層形成をし、有機溶媒についての可否判断を行った。本発明者は、有機溶媒の可否判断に際し、以下の2点を判断基準(評価項目)とした。以下に具体的な評価内容を説明する。
(1)ノズル抜け評価
「ノズル抜け」とは、液滴吐出装置のノズル21を介して、塗布液組成物が噴出又は吐出できなくなった状態をいう。すなわち、正常に塗布液組成物が噴出されず、発光層4ができなくなった状態をいう。
本実施形態においては、以下に述べるようにして、ノズル抜け評価を行った。
まず、液滴吐出装置のヘッド20からガラス基板1に対し、塗布液組成物の噴出を開始した時刻T1を測定する。その後、「ノズル抜け」の状態になった時刻T2を測定する。時刻1と時刻T2の差分値を演算し、これを間欠時間T3(=T2−T1)として、ノズル抜けを評価するためのパラメータとした。上述したようにヘッド20には、ノズル21が360個配列されているが(上掲図9参照)、塗布液組成物が噴出できなくなったノズル21が1つでも発生した場合に「ノズル抜け」した状態として扱った。
間欠時間T3の値は大きいほど好ましい。間欠時間T3の値が小さいということは、ノズルが乾燥して目詰まりが発生しやすい等の状態を示し、正常に塗布液組成物が噴出されず、発光層4の生成に支障を与えることになるからである。
本実施形態において、間欠時間T3は数分以上であることを許容範囲として評価した。
なお、ノズル抜けの原因としては、噴出対象となる塗布液組成物の粘性が適正でないことが挙げられるが、この粘性値の調整のために、本発明者は1,2,4-トリメチルベンゼンを溶媒種として用意した。一般に1,2,4-トリメチルベンゼンは粘性を下げる働きをするものとして使用される。
(2)平坦性評価
発光層4が生成された動作基板の断面図を図10に示す。図10において、発光層4の厚さの最大値maxと最小値minを測定し、その差分値(max−min)を膜厚差Dとして、発光層4の平坦性を評価するためのパラメータとした。
動作基板を有機EL表示装置に使用した場合に、輝度や鮮明さを担保するためには発光層4の表面は平坦であるのが好ましい。すなわち、膜厚差Dの値は小さいほど好ましい。
本実施形態において、発光層4の厚さねらいは800×10-10m(メートル)を想定し、平坦性の許容範囲は、膜厚差Dが250×10-10m(メートル)以下とした。
(実験結果)
以下の表3、表4に、それぞれの有機溶媒についての実験結果を示した。
判定結果は、間欠時間T3が数分程度あり、かつ、膜厚差Dが250×10-10m(メートル)以下である場合は「○」、そうでない場合には「×」でそれぞれ示した。
Figure 2011029666
Figure 2011029666
(実験検討)
以上のようにして得られた実験結果から、本発明者は以下の点を導き出した。
(1)ノズル抜け評価と平坦性評価の相関性について
上述した実験結果にも示されるように、ノズル抜け評価と平坦性評価とは、互いに相関性があり、一方がよい結果である場合は他方もよい結果になり、一方が悪い結果である場合は、他方も悪い結果になった。すなわち、いずれもよい評価結果になる場合(例1〜例11)か、いずれも悪い評価結果になる(例12〜13)に大別された。
(2)有機溶媒の沸点について
本発明者は、上述実験を行うにあたり、予め次のような仮説を経験的に立てた。すなわち、沸点が200度以上の有機溶媒を所定量以上用いた場合に、良好な結果が得られるのではないかという仮説である。
上掲表3、表4において、例1〜例5は、沸点が170℃の1,2,4−トリメチルベンゼンに対し、沸点が200℃以上の各種溶媒(1,2,3,4−テトラメチルベンゼン、1,4−ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン、3−イソプロピルビフェニル)を50%ずつの割合で調合した有機溶媒のケースである。
実験結果は明記していないが、沸点が170℃の1, 2,4−トリメチルベンゼン単体を有機溶媒として使用した場合は、良好な結果が得られなかった。
これに対し、上掲表3、表4に示したように、沸点が200℃以上の各種溶媒を1対1の割合で加えた場合、いずれも良好な結果を得ることができた。また、沸点が最も高い(300℃)3−イソプロピルビフェニルを使用した場合に最も結果が良好であった。
(3)有機溶媒の組成比について
上掲表3、表4において、例3、例7、例8、例12は、沸点が170℃の1,2,4−トリメチルベンゼンと、沸点が238℃のシクロヘキシルベンゼンを組成比を変えて調合したケースである。このうち、沸点の高い溶媒種であるシクロヘキシルベンゼンを30%以上組成した場合(例3、7、8)において、いずれも良好な結果が得られた。
また、上掲表3、表4において、例5、例13は、沸点が170℃の1,2,4−トリメチルベンゼンと、沸点が300℃の3−イソプロピルビフェニルを組成比を変えて調合したケースである。このうち、沸点の高い3−イソプロピルビフェニルを50%以上組成した場合(例5)において、良好な結果が得られた。
以上より、本発明者は、少なくとも30%以上、沸点が高い(200℃程度の)溶媒種を用いて有機溶媒を調合した場合に、良好な結果が得られることを導き出した。
(4)最良の有機溶媒について
上掲表3、表4において、例9、例10、例11が最も良い結果である。すなわち、間欠時間T3がより長く(10分程度)、膜厚差Dが200×10-10m(メートル)以下である点において、優れた結果といえる。
ここで、例9、例10、例11はいずれも、沸点が最も高い(300℃)3−イソプロピルビフェニルを溶媒種として使用したケース、そのうち例10、例11はシクロヘキシルベンゼンを使用したケースである。
以上より、本発明者は、溶媒種としてより好ましいのは、シクロヘキシルベンゼン、3−イソプロピルビフェニルのいずれか一方または双方を30%以上含んでいる場合であることを導き出した。
(5)まとめ
出願人は、インクジェット形式により発光層を薄膜形成する工程において使用する有機溶媒について、以下の点を提案する。
〔1〕発光材料を溶解するための有機溶媒の溶媒種として、沸点が200℃以上のものを用いる。
〔2〕より好ましくは、沸点が200℃以上の溶媒種を全体の30%以上用いる。
〔3〕より好ましくは、溶媒種としてシクロヘキシルベンゼン、イソプロピルビフェニルのいずれか一方または双方を用いる。
各提案内容の根拠は、上述した評価実験結果の示すところである。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明に係る塗布液組成物を使用することにより、インクジェット方式を用いて品質良好な発光層を形成することができる。
1……ガラス基板2……ITO電極3……正孔注入層4……発光層5……陰極9……バンク。

Claims (5)

  1. 有機溶媒で発光材料を溶解した塗布液組成物であるとともに、
    当該塗布液組成物を基体上に噴出させた後、当該基体上の有機溶媒を取り除くことにより発光層を形成するための塗布液組成物において、
    前記有機溶媒は、沸点が200℃以上の溶媒種を含んでいることを特徴とする塗布液組成物。
  2. 請求項1に記載の塗布液組成物において、
    前記有機溶媒は、芳香族系有機溶媒であること
    を特徴とする塗布液組成物。
  3. 請求項1に記載の塗布液組成物において、
    前記有機溶媒は、沸点が200℃以上の溶媒種を30%以上含んでいること
    を特徴とする塗布液組成物。
  4. 請求項1に記載の塗布液組成物において、
    前記有機溶媒は、溶媒種としてシクロヘキシルベンゼン、イソプロピルビフェニルのいずれか一方または双方を30%以上含んでいること
    を特徴とする塗布液組成物。
  5. 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の塗布液組成物を、基体上に噴出させた後、前記基体上の有機溶媒を取り除くことにより発光層を形成する薄膜形成方法。
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