JP2011029346A - Hybrid integrated circuit for microwave - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、マイクロ波用ハイブリッド集積回路に係り、詳しくは、能動素子や受動素子等の回路素子から構成された複数のモジュールがそれぞれ封止される複数のキャビティを有するモジュール支持基板と、このモジュール支持基板を封止すると共に各モジュールにそれぞれ電気的接続される複数の接続端子を絶縁支持する封止容器とを備えるマイクロ波用ハイブリッド集積回路に関する。 The present invention relates to a microwave hybrid integrated circuit, and more specifically, a module support substrate having a plurality of cavities in which a plurality of modules each composed of a circuit element such as an active element and a passive element are sealed, and the module The present invention relates to a microwave hybrid integrated circuit including a sealing substrate that seals a support substrate and insulatively supports a plurality of connection terminals that are electrically connected to each module.
半導体装置の代表である集積回路(Integrated Circuit:IC)はシステム構成上、モノリシック(Monolithic)ICと、ハイブリッドIC(Hybrid Integrated Circuit、以下、単にHICとも言う)とに大別される。モノリシックICは、トランジスタ等の能動素子や、必要に応じてキャパシタ等の受動素子を1枚の半導体基板に集積して所望の機能を発揮させるように構成する。一方、HICは、個別の半導体デバイス又はIC及びそれらに付随する周辺回路等を構成する回路素子をそれぞれ回路基板に実装した複数のモジュール(以下、単にHICモジュールとも称する)を、相互に電気的接続して所望の機能を発揮させるように構成したものである。 Integrated circuits (ICs), which are representative of semiconductor devices, are broadly classified into monolithic ICs and hybrid integrated circuits (hereinafter also simply referred to as HICs) in terms of system configuration. The monolithic IC is configured such that an active element such as a transistor and a passive element such as a capacitor are integrated on a single semiconductor substrate as necessary to exhibit a desired function. On the other hand, the HIC electrically connects a plurality of modules (hereinafter also simply referred to as HIC modules) each having a circuit board on which circuit elements constituting individual semiconductor devices or ICs and peripheral circuits associated therewith are mounted. Thus, it is configured to exhibit a desired function.
ここで、HICは、各HICモジュールを高周波特性、高出力特性等の高性能を有する回路素子を用いて構成できるという自由度があるので、多機能化、高利得化が可能になるため、例えばマイクロ波領域において使用される通信機器等の電子機器に広く適用されている。 Here, since the HIC has a degree of freedom that each HIC module can be configured by using circuit elements having high performance such as high frequency characteristics and high output characteristics, it becomes possible to achieve multi-function and high gain. It is widely applied to electronic devices such as communication devices used in the microwave region.
図5は、この発明に関連する技術(以下、関連技術と言う)により作成されるHICの構成を示す平面図、また、図6は図5のB―B矢視断面図である。同HIC100は、図5及び図6に示すように、個別の半導体デバイス又はIC及びそれらに付随する周辺回路等を構成する回路素子101をそれぞれ回路基板102に実装した複数(例えば、2個)のモジュール103が、それぞれ封止される2個のキャビティ104A、104Bを有するモジュール支持基板105と、このモジュール支持基板105を封止すると共に、各モジュール103にそれぞれ電気的接続される2個の接続端子である入力端子106及び出力端子107を、それぞれ封止ガラス108を介して絶縁支持する金属パッケージ(封止容器)109とを備えている。
FIG. 5 is a plan view showing a configuration of an HIC created by a technique related to the present invention (hereinafter referred to as a related technique), and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. As shown in FIGS. 5 and 6, the
モジュール支持基板105には、3個の横壁105A〜105Cが設けられて、2個のキャビティ104A、104Bが仕切られている。また、各横壁105A〜105Cの底部にはそれぞれ貫通ライン(フィードスルーライン)110A〜110Cが設けられている。さらに、入力端子106と貫通ライン110Aの一端との間、貫通ライン110Aの他端と一の回路基板102の一端との間、一の回路基板102の他端と貫通ライン110Bの一端との間、貫通ライン110Bの他端と他の回路基板102の一端との間、他の貫通ライン110Bの他端と貫通ライン110Cの一端との間、貫通ライン110Cの他端と出力端子107との間の計6箇所にはボンディングワイヤ111が接続されている。また、各キャビティ104A、104Bの内部空間はそれぞれ絶縁性基板から成る内部カバー112A、112Bによって封止されると共に、金属パッケージ109の内部空間は金属から成る外部カバー113によって封止されている。なお、図5では内容を理解し易くするために、内部カバー112A、112B及び外部カバー113を開放した状態で示している。さらに、各内部空間にはHIC100の特性を安定に維持するために、各モジュール103の酸化を防止する窒素のような不活性ガスが充填されている。符号114は、金属パッケージ109の内部空間にモジュール支持基板105を位置決めして固定するための枠体である。
The
ところで、関連技術により作成されるHIC100では、図5及び図6から明らかなように、入力端子106と出力端子107とがともに金属パッケージ109の内部空間に配置されているので、両端子106、107間のアイソレーションが不十分であるという問題がある。このように両端子106、107間のアイソレーションが十分に確保できていない状態では、外部カバー113による金属パッケージ109の気密封止の前後で、両端子106、107間のマイクロ波信号(RF信号)の漏れ込み状態に変動が生じ、これによって特性の変化が大きくなるという不都合が生じる。加えて、両端子106、107間のアイソレーションの不十分さに基づいて、以下のような問題も発生する。すなわち、HIC100の組立時にはモジュール支持基板105に実装した各モジュール103の電気調整を行う必要があるが、これは入力端子106から出力端子107に信号を流して、出力信号を観察しながら電気調整が必要なモジュールのキャビティの内部カバーを開放した(外部カバー113も開放した)状態で行われる。あるいは、両端子106,107間には信号を流さずに、内部カバーを開放した状態で測定プローブを用いることでモジュールを調整する場合もある。例えば、キャビティ104Bのモジュール103の電気調整を行うときは、内部カバー112Bのみを開放して、モジュール103の電気調整が行われる。
By the way, in the HIC 100 produced by the related technology, as apparent from FIGS. 5 and 6, both the
しかしながら、このようないずれの調整方法においても、内部カバー112Bを開放した状態では、そのキャビティ104Bと両端子106、107間のアイソレーションも十分に確保できないので、上述の場合と同様に特性の大きな変化が避けられない。特に、利得の大きいモジュールを用いる場合は、両端子106、107及び両キャビティ104A、104B間のフィードバックによって発振が生じて、そのモジュールの機能を損なう恐れがある。また、HIC100の多機能化、高利得化を図るためには、各モジュールを分割して各構成部分のアイソレーションを確保する必要性が生ずるので、その分金属パッケージ109のサイズが大きくなって、HIC100を適用する電子機器の小型軽量化が困難になる原因にもなる。
However, in any of these adjustment methods, when the
このような観点から、金属パッケージ109内の両端子106、107間に電気的な仕切りを設けて十分なアイソレーションを確保する改善策が考えられているが、このようにすれば、金属パッケージ109の構造及び改善作業が複雑になるので、HIC100のコストアップが避けられなくなり、実用的でなくなる。
From such a point of view, an improvement measure for providing an electrical partition between both
一方、パッケージを構成する部品点数を減らすと共に組立作業の効率向上を目的としたHICが特許文献1に記載されている。図7は、特許文献1に記載のハイブリッド集積回路(HIC200)の構成を示す断面図である。特許文献1に記載のHIC200は、同図に示すように、基板201の同一面(一方の側)に、電源回路部207がパルストランス部202及び通信制御回路部203との間に電磁遮蔽用金属板211を介して搭載されて、全体が金属容器212内に収納されている。基板201の反対側には外部接続用ピン205が接続されている。
On the other hand,
また、特にマイクロ波用電子部品間に生ずる電気的干渉を除去し得るマイクロ波用電子部品間接続構造が特許文献2に開示されている。同接続構造は、一方のマイクロ波用電子部品の出力端子と他方のマイクロ波用電子部品の入力端子とが高周波伝送線路により接続してあり、同出力端子と同入力端子とを外部導体内において封じ込める導電性仕切板が設けてある。
In addition,
ところで、特許文献1に記載のHICでは、複数の接続端子が封止容器の内部空間において相互に絶縁される構成にはなっておらず、図7からも明らかなように、電磁遮蔽用金属板211が設けてあっても同接続端子に相当する両外部接続用ピン205はともに金属容器212の内部空間に配置されているので、両ピン205間のアイソレーションが不十分になるという、上述の関連技術と同様の問題点が発生する。なお、特許文献1に記載のHIC200では、同電磁遮蔽用金属板211は、電源回路部207とパルストランス部202及び通信制御回路部203との間の電磁遮蔽を行うために用いられている。また、同HIC200で示されている金属容器212は、この発明の前提となる金属パッケージ9のように複数の接続端子6A、6Bを絶縁支持するような構成にはなっておらず、図7からも明らかなように、両外部接続用ピン205の周囲は外部雰囲気と絶縁されていない。
Incidentally, in the HIC described in
また、特許文献2に記載のマイクロ波用電子部品間接続構造では、一方のマイクロ波用電子部品の出力端子と他方のマイクロ波用電子部品の入力端子とを外部導体内において封じ込める導電性仕切板を設けているが、特許文献1に記載の電磁遮蔽用仕切板211も含めて、関連技術の説明で言及したように、金属パッケージの構造及び改善作業が複雑になるので、HICのコストアップが避けられなくなり、実用的でなくなる。
Moreover, in the connection structure between the electronic components for microwaves of
この発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので、複数のモジュールにそれぞれ電気的接続される複数の接続端子を絶縁支持する封止容器を備える構成において、複数の接続端子間のアイソレーションを十分に確保することができるようにしたマイクロ波用ハイブリッド集積回路を提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and in a configuration including a sealing container that insulates and supports a plurality of connection terminals that are electrically connected to a plurality of modules, isolation between the plurality of connection terminals is achieved. An object of the present invention is to provide a microwave hybrid integrated circuit that can be sufficiently secured.
この発明は、回路素子から構成された複数のモジュールがそれぞれ封止される複数のキャビティを有するモジュール支持基板と、該モジュール支持基板を封止すると共に、前記モジュールにそれぞれ電気的接続される複数の接続端子を絶縁支持する封止容器とを備えるマイクロ波用ハイブリッド集積回路に係り、前記封止容器の内部空間において、前記複数の接続端子が、マイクロ波信号の伝導を、相互に絶縁する態様で配置されている、ことを特徴としている。 The present invention provides a module support substrate having a plurality of cavities in which a plurality of modules each composed of circuit elements are sealed, and a plurality of modules that seal the module support substrate and are electrically connected to the modules, respectively. A microwave integrated circuit including a sealing container for insulatingly supporting a connection terminal, wherein the plurality of connection terminals in the interior space of the sealing container insulate the conduction of microwave signals from each other. It is characterized by being arranged.
この発明のマイクロ波用ハイブリッド集積回路によれば、回路素子から構成された複数のモジュールがそれぞれ封止される複数のキャビティを有するモジュール支持基板と、このモジュール支持基板を封止すると共に、各モジュールにそれぞれ電気的接続される複数の接続端子を絶縁支持する封止容器とを備える構成において、複数の接続端子はそれぞれ、封止容器の内部空間において相互に絶縁されるように配置されるので、複数の接続端子間のアイソレーションを十分に確保できる。 According to the microwave hybrid integrated circuit of the present invention, a module support substrate having a plurality of cavities in which a plurality of modules each composed of circuit elements are sealed, and the module support substrate are sealed, and each module is sealed. In the configuration including a sealing container that insulates and supports a plurality of connection terminals that are electrically connected to each other, the plurality of connection terminals are arranged so as to be insulated from each other in the internal space of the sealing container. Sufficient isolation between a plurality of connection terminals can be ensured.
個別の半導体デバイス又はIC及びそれらに付随する周辺回路等を構成する回路素子1をそれぞれ回路基板2に実装した2個のモジュール3が、それぞれ封止される2個のキャビティ4A、4Bを有するモジュール支持基板5と、このモジュール支持基板5を封止すると共に、各モジュール3にそれぞれ電気的接続される2個の接続端子である入力端子6及び出力端子7を、それぞれ封止ガラス8を介して絶縁支持する金属パッケージ9とを備える構成において、入力端子6及び出力端子7はそれぞれモジュール支持基板5の対応した各キャビティ4A、4Bの内部空間にその端部が露出されるように配置されるので、両端子6、7は金属パッケージ9の内部空間において相互に絶縁される。
A module having two
図1は、この発明の実施形態であるマイクロ波用ハイブリッド集積回路の構成を示す平面図、図2は図1のA−A矢視断面図、図3(a)〜(c)は同ハイブリッド集積回路の組立方法を工程順に示す工程図、また、図4(d)、(e)は同ハイブリッド集積回路の組立方法を工程順に示す工程図である。
この実施形態のマイクロ波用ハイブリッド集積回路20は、図1及び図2に示すように、個別の半導体デバイス又はIC及びそれらに付随する周辺回路等を構成する回路素子1をそれぞれ回路基板2に実装した2個のモジュール3が、それぞれ封止される2個のキャビティ4A、4Bを有するモジュール支持基板5と、このモジュール支持基板5を封止すると共に、各モジュール3にそれぞれ電気的接続される2個の接続端子である入力端子6及び出力端子7を、それぞれ封止ガラス8を介して絶縁支持する金属パッケージ(封止容器)9とを備えている。モジュール支持基板5としては、一般に高密度配線の実現の点で優れている例えば、セラミック等から構成された多層配線基板が用いられている。
FIG. 1 is a plan view showing the configuration of a microwave hybrid integrated circuit according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 1, and FIGS. FIGS. 4D and 4E are process diagrams showing the assembly method of the hybrid integrated circuit in the order of steps.
In the microwave hybrid integrated
モジュール支持基板5には、3個の横壁5A〜5Cが設けられて、2個のキャビティ4A、4Bが仕切られている。また、各横壁5A〜5Cのうち中央の横壁5Bのみの底部に貫通ライン(フィードスルーライン)10が設けられている。ここで、後述の組立方法でも説明するように、モジュール支持基板5の底面には予め各キャビティ4A、4B内に貫通する抜け穴15が設けられて、この抜け穴15には、上述のように両端子6、7をそれぞれ封止ガラス8を介して一体に絶縁支持して、金属パッケージ9の一部となるように金属パッケージ9と気密を保持して一体化された金属凸部16がせり出ている。このような構成により、入力端子6及び出力端子7はそれぞれ、モジュール支持基板5の対応した各キャビティ4A、4Bの内部空間にその端部が露出されるように配置される。符号14は、金属パッケージ9の内部空間にモジュール支持基板5を位置決めして固定するための枠体、符号17は、各金属凸部16上に配置された中継基板である。
The
入力端子6と一の中継基板17の一端との間、一の中継基板17の他端と一の回路基板2の一端との間、一の回路基板2の他端と貫通ライン10の一端との間、貫通ライン10の他端と他の回路基板2の一端との間、他の回路基板2の他端と他の中継基板17の一端との間、他の中継基板17の他端と出力端子7との間の計6箇所にはボンディングワイヤ11が接続されている。また、各キャビティ4A、4Bの内部空間はそれぞれ絶縁性材料から成る内部カバー12A、12Bによって封止されると共に、金属パッケージ9の内部空間は金属から成る外部カバー13によって封止されている。なお、図1では内容を理解し易くするために、内部カバー12A、12B及び外部カバー13を開放した状態で示している。内部カバー12A、12Bは各キャビティ4A、4Bの本来の目的であるHICモジュール内部機能の分割を得るためのものである。一方、外部カバー13は、多層配線基板等から構成されるモジュール支持基板5を含んだ金属パッケージ9内の気密を保つためのものである。入力端子6及び出力端子7は、封止ガラス8の最適な厚み、径等によって気密が保たれており、モジュール支持基板5内の各キャビティ4A、4Bの気密を損なうことなく、HICモジュール外部とRF信号の伝達を実現させることができる。さらに、各内部空間にはHIC20の特性を安定に維持するために、各モジュール3の酸化を防止する窒素のような不活性ガスが充填されている。
Between the
上記構成のハイブリッド集積回路20において、入力端子6から入力されたRF信号は一の中継基板17を介して一のキャビティ4A内のモジュール3を構成する一の回路素子1に入力され、貫通ライン10を経由して他のキャビティ4B内に伝達される。このように伝達されたRF信号は、入力部分と同様にモジュール3を構成する他の回路素子1に入力され、他の中継基板17を介して出力端子7からモジュール3の外部へ出力される。
In the hybrid
次に、図3及び図4を参照して、この実施形態によるハイブリッド集積回路20の組立方法を工程順に説明する。
まず、図3(a)に示すように、枠体14により囲まれた金属パッケージ9の内部に位置し、かつ両端子6、7がそれぞれ封止ガラス8を介して一体に絶縁支持された金属凸部16を、気密を保持するように一体化した金属パッケージ9を用意する。金属凸部16は金属パッケージ9の形成時に切削等により一体化して形成される。
Next, the assembly method of the hybrid
First, as shown in FIG. 3 (a), a metal that is located inside a metal package 9 surrounded by a
次に、図3(b)に示すように、金属パッケージ9内に2個のキャビティ4A、4Bを有するモジュール支持基板5を接着剤等により固定する。以上により、入力端子6の端部が一のキャビティ4A内に露出すると共に、出力端子7の端部が他のキャビティ4B内に露出するようになる。続いて、モジュール支持基板5の一のキャビティ4A内に一の回路素子1及び回路基板2から成る一のモジュール3を実装するともに、他のキャビティ4B内に他の回路素子1及び回路基板2から成る他のモジュール3を実装する。さらに、金属凸部15上に中継基板17を接着剤等により固定する。
Next, as shown in FIG. 3B, the
次に、図3(c)に示すように、通常のワイヤボンディング方法により、入力端子6と一の中継基板17の一端との間、一の中継基板17の他端と一の回路基板2の一端との間、一の回路基板2の他端と貫通ライン10の一端との間、貫通ライン10の他端と他の回路基板2の一端との間、他の回路基板2の他端と他の中継基板17の一端との間、他の中継基板17の他端と出力端子7との間の計6箇所に、ボンディングワイヤ11を接続する。以上により、入力端子6と出力端子7との間に電気的経路が形成される。
Next, as shown in FIG. 3C, between the
次に、各キャビティ4A、4B内に配置されている各モジュール3の電気調整を行う。例えば、他のキャビティ4B内のモジュール3の電気調整を行うものとすると、図4(d)に示すように、一のキャビティ4A内を内部カバー12Aによって仮止めすることにより閉じて、他のキャビティ4Bのみを開放した状態で、入力端子6から出力端子7に信号を流して、出力信号を観察しながらそのモジュールの電気調整を行う。あるいは、両端子6,7間には信号を流さずに、内部カバーを開放した状態で測定プローブを用いることで調整するようにしてもよい。以上により、入力端子6と出力端子7とは同一空間に配置されていないので、両端子6、7間のアイソレーションが十分に確保された状態で電気調整を行うことができる。
Next, electrical adjustment of each
次に、図4(e)に示すように、逆に他のキャビティ4B内を内部カバー12Bによって閉じて、一のキャビティ4Aのみを開放した状態で、上述に準じてモジュールの電気調整を行う。電気調整が終了したら、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気内で両内部カバー12A、12Bを横壁5A〜5C上に半田付け等により固定して、各キャビティ4A、4Bを封止する。続いて、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気内で外部カバー13を枠体14上に溶接等により固定して金属パッケージ9を封止することにより、図1及び図2のハイブリッド集積回路20が完成する。
Next, as shown in FIG. 4 (e), the
以上のようにして組立てられたこの実施形態のハイブリッド集積回路20によれば、封止容器の内部空間において、複数の接続端子(入力端子6及び出力端子7)が、マイクロ波信号の伝導を、相互に絶縁する態様で配置されることで、両端子6,7間のアイソレーションが十分に確保できるので、外部カバー13による金属パッケージ9の気密封止の前後でも、両端子6、7間のマイクロ波信号の漏れ込み状態に変動が生じなくなり、これによって特性の変化が大きくなるという不都合は解消される。また、両端子6,7間で十分なアイソレーションが確保されることに基づいて、各モジュール3の電気調整時においても、必要なモジュールのキャビティの内部カバーを開放しても、上述の場合と同様に特性の大きな変化を回避することができる。
According to the hybrid
さらに、特に、利得の大きいモジュールを用いる場合でも、両端子6、7及び両キャビティ4A、4B間のフィードバックによって発振が生じることもなくなり、そのモジュールの機能を損なうことを防止することができる。また、HIC20の多機能化、高利得化を図る場合でも、各モジュールを分割する必要性はなくなるので、金属パッケージ9のサイズを関連技術と略同じに保つことができるため、HIC20を適用する電子機器の小型軽量化を図ることができる。
In particular, even when a module with a large gain is used, oscillation does not occur due to feedback between the
このように、この実施形態のハイブリッド集積回路20によれば、個別の半導体デバイス又はIC及びそれらに付随する周辺回路等を構成する回路素子1をそれぞれ回路基板2に実装した2個のモジュール3が、それぞれ封止される2個のキャビティ4A、4Bを有するモジュール支持基板5と、このモジュール支持基板5を封止すると共に、各モジュール3にそれぞれ電気的接続される2個の接続端子である入力端子6及び出力端子7を、それぞれ封止ガラス8を介して絶縁支持する金属パッケージ9とを備える構成において、入力端子6及び出力端子7はそれぞれモジュール支持基板5の対応した各キャビティ4A、4Bの内部空間にその端部が露出されるように配置されるので、両端子6、7は金属パッケージ9の内部空間において相互に絶縁される。
したがって、複数のモジュールにそれぞれ電気的接続される複数の接続端子を絶縁支持する封止容器を備える構成において、複数の接続端子間のアイソレーションを十分に確保することができる。また、モジュール支持基板5は多層配線基板を用いる例で説明したが、これに限らない。
As described above, according to the hybrid
Therefore, in the configuration including the sealing container that insulates and supports the plurality of connection terminals that are electrically connected to the plurality of modules, sufficient isolation between the plurality of connection terminals can be ensured. Moreover, although the module support board |
この実施形態では、一例としてモジュール支持基板5に2個のキャビティを設ける例で説明したが、このキャビティの個数は、HICの機能、目的、用途等に応じて任意に増加することができる。また、モジュール支持基板5の底面に設ける抜け穴15の位置は、モジュール支持基板5の各キャビティ4A、4B内に入力端子6及び出力端子7の端部を露出させることができるような位置であれば任意に選ぶことができる。入力端子6及び出力端子7の個数も必要に応じて任意に選択できる。
In this embodiment, an example in which two cavities are provided in the
マイクロ波領域を対象とする用途に限らず、デジタル回路を用いた用途全般にも応用可能である。特に多機能、高機能によってHICモジュールの入出力端子及びモジュール支持基板内のキャビティが増加するほど、各構成部分のアイソレーション、信号リークの低減が必要になってくるので、このような用途にこの発明を適用することにより効果が十分に発揮される。 The present invention is not limited to the use for the microwave region, but can be applied to all uses using a digital circuit. In particular, as the number of input / output terminals of the HIC module and the cavity in the module support board increase due to multiple functions and high functions, it becomes necessary to reduce the isolation and signal leakage of each component. The effect is sufficiently exerted by applying the invention.
1 回路素子
2 回路基板
3 モジュール
4A、4B キャビティ
5 モジュール支持基板
6 入力端子(接続端子)
7 出力端子(接続端子)
8 封止ガラス
9 金属パッケージ(封止容器)
10 貫通ライン
11 ボンディングワイヤ
12A、12B 内部カバー
13 外部カバー
14 枠体
15 抜け穴
16 金属凸部
17 中継基板
DESCRIPTION OF
7 Output terminal (connection terminal)
8 Sealing glass 9 Metal package (sealing container)
DESCRIPTION OF
Claims (9)
前記封止容器の内部空間において、前記複数の接続端子は、マイクロ波信号の伝導を、相互に絶縁する態様で配置されている、
ことを特徴とするマイクロ波用ハイブリッド集積回路。 A module support substrate having a plurality of cavities in which a plurality of modules each composed of circuit elements are sealed, and the module support substrate are sealed, and a plurality of connection terminals that are electrically connected to the modules are insulated. A microwave hybrid integrated circuit comprising a supporting sealing container,
In the internal space of the sealed container, the plurality of connection terminals are arranged in a manner to insulate the conduction of microwave signals from each other.
A hybrid integrated circuit for microwaves.
Priority Applications (1)
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