JP2011025286A - Laser beam machining method, laser beam machining device, and solar panel manufacturing method - Google Patents

Laser beam machining method, laser beam machining device, and solar panel manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP2011025286A
JP2011025286A JP2009174499A JP2009174499A JP2011025286A JP 2011025286 A JP2011025286 A JP 2011025286A JP 2009174499 A JP2009174499 A JP 2009174499A JP 2009174499 A JP2009174499 A JP 2009174499A JP 2011025286 A JP2011025286 A JP 2011025286A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
laser
image
glass substrate
laser processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009174499A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5383365B2 (en
Inventor
Masaki Araki
正樹 荒木
Yuichi Shimoda
勇一 下田
Mitsuyoshi Koizumi
光義 小泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Technologies Corp
Hitachi High Tech Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Technologies Corp, Hitachi High Tech Corp filed Critical Hitachi High Technologies Corp
Priority to JP2009174499A priority Critical patent/JP5383365B2/en
Publication of JP2011025286A publication Critical patent/JP2011025286A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5383365B2 publication Critical patent/JP5383365B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser beam machining method which inspects conditions of a substrate to be carried in a laser machining place, such as fracture or bending (warpage), adjusts the posture of a glass substrate based on the results of inspection, and performs laser beam machining in an optimal state. <P>SOLUTION: In carrying the substrate in the laser machining position, the substrate is air-levitated. Accordingly, the front and back of the substrate are reversed so that the bending (warpage) of the substrate is convex downward. When the substrate is air-levitated in such a state that the bending (warpage) is convex downward, the substrate is satisfactorily levitated and does not come into contact with a stage. Since the substrate is likely to be bent in an external direction of a surface of a film formed by a film forming device before the laser beam machining, the film surface side may be located to face downward. Alternatively, a method may be adopted in which images around four corners of the substrate are acquired, the direction of bending of the substrate (either upward or downward convex) is detected based on the acquired images around the four corners, and, based on the detection results, the substrate is positioned so that the bending (warpage) of the substrate is convex downward. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、レーザ光を用いて基板上の薄膜等を加工するレーザ加工方法及びレーザ加工装置並びにソーラパネル製造方法に係り、特に基板の状態に応じてレーザ加工を行なうレーザ加工方法及びレーザ加工装置並びにソーラパネル製造方法に関する。   The present invention relates to a laser processing method, a laser processing apparatus, and a solar panel manufacturing method for processing a thin film or the like on a substrate using laser light, and in particular, a laser processing method and a laser processing apparatus for performing laser processing according to the state of a substrate. In addition, the present invention relates to a solar panel manufacturing method.

従来、ソーラパネルの製造工程では、透光性基板(ガラス基板)上に透明電極層、半導体層、金属層を順次形成し、形成後の各工程で各層をレーザ光で短冊状に加工してソーラパネルモジュールを完成している。レーザ光でスクライブ線を形成する場合、通常は定速度で移動するガラス基板上にレーザ光を照射していた。これによって、深さ及び線幅の安定したスクライブ線を形成することが可能である。このようなソーラパネル(光電変換装置)の製造方法においては、ガラス基板である基板をレーザ加工装置内に正確にアライメントしなければならない。ガラス基板をアライメントする方法については、特許文献1に記載のようなものが知られている。   Conventionally, in a solar panel manufacturing process, a transparent electrode layer, a semiconductor layer, and a metal layer are sequentially formed on a translucent substrate (glass substrate), and each layer is processed into a strip shape with laser light in each step after the formation. A solar panel module has been completed. When forming a scribe line with a laser beam, the laser beam is usually irradiated onto a glass substrate that moves at a constant speed. Thereby, it is possible to form a scribe line having a stable depth and line width. In such a method of manufacturing a solar panel (photoelectric conversion device), a substrate that is a glass substrate must be accurately aligned in the laser processing apparatus. As a method for aligning a glass substrate, a method as described in Patent Document 1 is known.

特開2001−232486号公報JP 2001-232486 A

特許文献1に記載のものは、ガラス基板を載置した状態で上下に移動する位置決めピンを用いて基板を突き当てて所定の位置に固定している。しかしながら、ソーラパネルを製造する場合、ガラス基板上の薄膜に例えば10mmピッチでスクライブ線を形成している。このスクライブ線の線幅は約30μmで、線と線の間隔は約30μmとなるような3本の線で構成されている。従って、特許文献1のような突き当てによる位置決めでは、十分な精度が得られず、線と線が重なってしまい、所望のスクライブ線を形成することが困難であった。また、従来は、ガラス基板のアライメントを行なっていたが、ガラス基板自体の欠けや曲がり(反り)については、検査していなかったので、欠けや曲がり(反り)を有するガラス基板にソーラパネルモジュールが形成されてしまうという問題があった。また、レーザ加工装置ではガラス基板の搬送にエア浮上ステージを採用している関係上、ガラス基板に上に凸となる曲がり(反り)が存在し、それがエア浮上ステージの浮上量に比較して大きいと、ガラス基板の搬送時にガラス基板の周縁部が十分に浮上しきれずに、ステージに接触することがあった。このとき、最悪の場合、ガラス基板がステージに接触した衝撃で破損するおそれもあった。   In the device described in Patent Document 1, the substrate is abutted and fixed at a predetermined position using a positioning pin that moves up and down in a state where the glass substrate is placed. However, when manufacturing a solar panel, scribe lines are formed on a thin film on a glass substrate at a pitch of 10 mm, for example. The scribe line has a line width of about 30 μm, and is composed of three lines such that the distance between the lines is about 30 μm. Therefore, in positioning by abutment as in Patent Document 1, sufficient accuracy cannot be obtained, and the lines overlap each other, making it difficult to form a desired scribe line. Conventionally, the glass substrate is aligned, but the glass substrate itself has not been inspected for chipping or bending (warping), so a solar panel module is attached to the glass substrate having chipping or bending (warping). There was a problem of being formed. In addition, because the laser processing apparatus employs an air levitation stage for transporting the glass substrate, the glass substrate has an upwardly curved bend (warp), which is compared to the flying height of the air levitation stage. If it is large, the peripheral edge of the glass substrate may not be sufficiently lifted during conveyance of the glass substrate and may contact the stage. At this time, in the worst case, the glass substrate may be damaged by the impact of contact with the stage.

本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであり、レーザ加工箇所へ搬入される基板の曲がり(反り)などの状態を検査し、それに応じてガラス基板の姿勢を調整して最適な状態でレーザ加工を行なうことのできるレーザ加工方法及びレーザ加工装置並びにソーラパネル製造方法を提供することである。   The present invention has been made in view of the above points, and inspects a state such as bending (warping) of a substrate carried into a laser processing location, and adjusts the posture of the glass substrate accordingly, thereby optimizing the state. The present invention provides a laser processing method, a laser processing apparatus, and a solar panel manufacturing method that can perform laser processing.

本発明に係るレーザ加工方法の第1の特徴は、基板に曲がり(反り)が存在する場合に、前記基板の曲がり(反り)が下に凸となるように前記基板の表裏反転を行なってから前記基板をレーザ光による加工位置にエア浮上搬入することにある。レーザ光による加工は、レーザ発生装置から出射されたレーザ光を基板の加工面に略垂直に照射することによって行なわれる。従って、基板に曲がり(反り)が存在すると正確な加工を行なうことが困難となり、ソーラパネルモジュールの品質に問題が生じる可能性がある。そこで、この発明では、基板を加工位置に搬入する際にエア浮上させているので、基板の曲がり(反り)が下に凸となるように基板の表裏反転を行なうようにした。基板の曲がり(反り)を下に凸としてエア浮上を行なうことによって、基板が十分に浮上し、ステージに接触することがなくなる。なお、加工時にエア浮上と共に吸引を行なうことで、ドミノ効果によってガラス基板の曲がり(反り)が強制され、曲がり(反り)を軽減することができ、曲がり(反り)の軽減によって、オートフォーカスの調整量を少なくすることができる。また、基板に曲がり(反り)が発生するのは、成膜装置によって形成された膜面の外側方向に曲がる傾向があることが分かっているので、予め成膜装置によって形成された膜面側が下側となるように制御してもよい。   The first feature of the laser processing method according to the present invention is that when the substrate is bent (warped), the substrate is turned upside down so that the substrate is bent downward (warped). The substrate is brought into the air floating position at the processing position by the laser beam. Processing with laser light is performed by irradiating the processing surface of the substrate substantially perpendicularly with laser light emitted from a laser generator. Therefore, if the substrate is bent (warped), it is difficult to perform accurate processing, which may cause a problem in the quality of the solar panel module. Therefore, in the present invention, since the air is floated when the substrate is carried into the processing position, the substrate is turned upside down so that the substrate is bent downward (warped). By performing air levitation with the substrate bent (warped) as a downward projection, the substrate is sufficiently lifted and does not contact the stage. In addition, by performing suction along with air levitation during processing, the bending (warping) of the glass substrate is forced by the domino effect, and the bending (warping) can be reduced. Adjustment of autofocus is achieved by reducing the bending (warping). The amount can be reduced. Further, it is known that bending (warping) of the substrate tends to bend in the outer direction of the film surface formed by the film forming apparatus, so that the film surface side previously formed by the film forming apparatus is lowered. You may control to become the side.

本発明に係るレーザ加工方法の第2の特徴は、前記第1の特徴に記載のレーザ加工方法において、前記基板の四隅付近の画像を取得し、前記画像に基づいて前記基板の曲がり(反り)の状態を検出し、検出した状態に応じて前記基板の曲がり(反り)が下に凸となるように前記基板の表裏反転を行なうことにある。これは、基板の四隅付近の画像を取得し、取得された四隅付近の画像に基づいて基板が上下いずれの方向に凸に曲がって(反って)いるかを検出することができるので、その検出結果に応じて、基板の曲がり(反り)が下に凸となるように表裏反転を行なうようにしたものである。なお、基板の四隅付近の画像を取得するカメラ手段と基板との間の相対的な位置関係は、予め設定された既知の値なので、四隅の各頂点の画像の中で各頂点の位置がずれていた場合、そのずれ量に基づいて基板の曲がり(反り)の度合を検出することも可能である。   A second feature of the laser processing method according to the present invention is that in the laser processing method according to the first feature, images near the four corners of the substrate are acquired, and the substrate is bent (warped) based on the image. This state is detected, and in accordance with the detected state, the substrate is turned upside down so that the bending (warpage) of the substrate is convex downward. This is because the image near the four corners of the substrate is acquired, and based on the acquired image near the four corners, it can be detected whether the substrate is bent in a convex or bent direction (warping). Accordingly, the substrate is turned upside down so that the bending (warping) of the substrate is convex downward. Since the relative positional relationship between the camera means for acquiring images near the four corners of the board and the board is a known value set in advance, the positions of the vertices are shifted in the images of the four corners. In such a case, it is possible to detect the degree of bending (warping) of the substrate based on the amount of deviation.

本発明に係るレーザ加工方法の第3の特徴は、前記第2の特徴に記載のレーザ加工方法において、前記基板の曲がり(反り)の状態を検出すると共に前記基板の外周縁の画像を取得し、その画像に基づいて前記基板の前記外周縁の欠けを検出することにある。これは、基板の四隅付近の画像を取得すると共に基板の外周縁の画像も取得し、その画像に基づいて基板の外周縁の欠けを検出するようにしたものである。基板の外周縁の画像を取得するためには、基板の外周縁に沿って移動する画像取得手段を設ければよい。この場合、1又は複数個の画像取得手段を基板の外周縁に沿って移動させるようにすればよい。   A third feature of the laser processing method according to the present invention is that in the laser processing method according to the second feature, a state of bending (warping) of the substrate is detected and an image of the outer peripheral edge of the substrate is acquired. In other words, the lack of the outer peripheral edge of the substrate is detected based on the image. In this method, an image of the vicinity of the four corners of the substrate is acquired and an image of the outer peripheral edge of the substrate is also acquired, and a chip on the outer peripheral edge of the substrate is detected based on the image. In order to acquire an image of the outer peripheral edge of the substrate, an image acquiring means that moves along the outer peripheral edge of the substrate may be provided. In this case, one or a plurality of image acquisition means may be moved along the outer peripheral edge of the substrate.

本発明に係るレーザ加工方法の第4の特徴は、前記第1、第2又は第3の特徴に記載のレーザ加工方法において、前記基板を前記加工位置にアライメント処理する際に、前記レーザ光による最初の加工処理が終了した時点で、前記最初の加工処理によって形成された前記基板の形状変化部分と前記基板の縁部との両方を含む箇所の画像を取得し、前記画像を前記基板のIDデータ及び表裏フラグとして記憶しておき、2回目以降の加工処理を施す際は前記IDデータ及び表裏フラグに基づいて前記アライメント処理を行なうことにある。これは、レーザ加工においては、各工程でアライメント処理が行なわれる。この発明では、レーザ光による最初の加工処理が終了した時点で、その加工処理によって形成された形状変化部分と基板の縁部の両方を含む箇所の画像を取得し、その画像を基板のIDデータ及び表裏フラグと共に記憶し、次回以降の加工処理前のアライメント処理に利用するようにしたものである。例えば、ソーラパネル製造の場合、レーザ加工によって形成されたスクライブ線と基板縁部との両方を含む箇所の画像を取得し、取得した画像に基づいてレーザ加工処理の前にアライメント処理を行なうようにした。画像の中に形状変化部分と基板縁部の両方の画像を含んでいるので、画像認識処理が容易となるという効果がある。これによって、基板上にアライメントマークを設けることなく正確にアライメントを行なうことができる。   According to a fourth aspect of the laser processing method of the present invention, in the laser processing method according to the first, second, or third feature, when the substrate is aligned at the processing position, the laser beam is used. When the first processing is completed, an image of a portion including both the shape change portion of the substrate and the edge of the substrate formed by the first processing is obtained, and the image is used as the ID of the substrate. The data and the front / back flag are stored, and the alignment process is performed based on the ID data and the front / back flag when performing the second and subsequent processing. In laser processing, alignment processing is performed in each step. In the present invention, when the first processing by the laser beam is completed, an image of a portion including both the shape change portion and the edge of the substrate formed by the processing is acquired, and the image is used as the ID data of the substrate. And the front and back flags, and are used for the alignment process before and after the next processing. For example, in the case of solar panel manufacturing, an image of a location including both the scribe line formed by laser processing and the substrate edge is acquired, and alignment processing is performed before laser processing based on the acquired image. did. Since the image includes both of the shape change portion and the substrate edge portion, there is an effect that the image recognition processing becomes easy. As a result, alignment can be performed accurately without providing alignment marks on the substrate.

本発明に係るレーザ加工装置の第1の特徴は、基板に曲がり(反り)が存在する場合に、前記基板の曲がり(反り)が下に凸となるように前記基板の表裏反転を行なってからレーザ光による加工位置にエア浮上搬入する搬入手段と、前記搬入手段によって搬入された基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された前記基板にレーザ光を照射して所定の加工処理を施すレーザ光照射手段とを備えたことにある。これは、前記レーザ加工方法の第1の特徴に記載のものを実現するレーザ加工装置の発明である。   A first feature of the laser processing apparatus according to the present invention is that when the substrate is bent (warped), the substrate is turned upside down so that the substrate is bent downward (warped). Carry-in means for floating and carrying air to a processing position by laser light, holding means for holding the substrate carried in by the carry-in means, and applying predetermined laser processing to the substrate held by the holding means And a laser beam irradiation means to be applied. This is an invention of a laser processing apparatus that realizes the first feature of the laser processing method.

本発明に係るレーザ加工装置の第2の特徴は、前記第1の特徴に記載のレーザ加工装置において、前記基板の四隅付近の画像を取得する画像取得手段と、前記画像取得手段によって取得された前記画像に基づいて前記基板の曲がり(反り)の状態を検出する検出手段と、前記検出手段によって検出された前記基板の状態に応じて前記基板の曲がり(反り)が下に凸となるように前記基板の表裏反転を行なう表裏反転手段とを備えたことにある。これは、前記レーザ加工方法の第2の特徴に記載のものを実現するレーザ加工装置の発明である。   According to a second aspect of the laser processing apparatus of the present invention, the laser processing apparatus according to the first aspect is acquired by the image acquisition unit that acquires images near the four corners of the substrate and the image acquisition unit. Detection means for detecting the state of bending (warping) of the substrate based on the image, and bending (warping) of the substrate is convex downward according to the state of the substrate detected by the detecting means. And a front / back reversing means for reversing the front / back of the substrate. This is an invention of a laser processing apparatus that realizes the second feature of the laser processing method.

本発明に係るレーザ加工装置の第3の特徴は、前記第2の特徴に記載のレーザ加工装置において、前記画像取得手段が、前記基板の四隅付近の画像を取得すると共に前記基板の外周縁の画像を取得し、前記検出手段は前記外周縁の画像に基づいて前記基板の前記外周縁の欠けを検出することにある。これは、前記レーザ加工方法の第3の特徴に記載のものを用いたレーザ加工装置の発明である。   According to a third aspect of the laser processing apparatus of the present invention, in the laser processing apparatus according to the second feature, the image acquisition unit acquires images near the four corners of the substrate and the outer peripheral edge of the substrate. An image is acquired, and the detecting means is to detect the lack of the outer peripheral edge of the substrate based on the image of the outer peripheral edge. This is an invention of a laser processing apparatus using the one described in the third feature of the laser processing method.

本発明に係るレーザ加工装置の第4の特徴は、前記第1、第2又は第3の特徴に記載のレーザ加工装置において、前記レーザ光による最初の加工処理が終了した時点で、前記最初の加工処理によって形成された前記基板の形状変化部分と前記基板の縁部との両方を含む箇所の画像を取得する第2の画像取得手段と、前記第2の画像取得手段によって取得された前記画像を前記基板のIDデータ及び表裏フラグとして記憶する記憶手段と、2回目以降の加工処理を施す際は、前記IDデータ及び表裏フラグに基づいて前記アライメント手段によるアライメント処理を制御する制御手段とを備えたことにある。これは、前記レーザ加工方法の第1、第2又は第3の特徴に記載のものを実現するレーザ加工装置の発明である。   According to a fourth aspect of the laser processing apparatus of the present invention, in the laser processing apparatus according to the first, second, or third characteristics, the first processing is completed when the first processing with the laser beam is completed. A second image acquisition means for acquiring an image of a portion including both the shape change portion of the substrate and the edge of the substrate formed by processing; and the image acquired by the second image acquisition means. Is stored as ID data and front / back flags of the substrate, and control means for controlling alignment processing by the alignment means based on the ID data and front / back flags when performing the second and subsequent processing. That is. This is an invention of a laser processing apparatus that realizes the first, second, or third feature of the laser processing method.

本発明に係るソーラパネル製造方法の特徴は、前記第1の特徴から第4の特徴までのいずれか1に記載のレーザ加工方法又は前記第1の特徴から第4の特徴までのいずれか1に記載のレーザ加工装置を用いて、ソーラパネルを製造することにある。これは、前記レーザ加工方法又はレーザ加工装置のいずれか1を用いて、ソーラパネルを製造するようにしたものである。   The solar panel manufacturing method according to the present invention is characterized in that the laser processing method according to any one of the first feature to the fourth feature or the first feature to the fourth feature is any one of the first feature to the fourth feature. A solar panel is manufactured using the laser processing apparatus described. This is to manufacture a solar panel using any one of the laser processing method or the laser processing apparatus.

本発明によれば、レーザ加工箇所へ搬入される基板の曲がり(反り)などの状態を検査し、それに応じてガラス基板の姿勢を調整して最適な状態でレーザ加工を行なうことができるという効果がある。   According to the present invention, it is possible to inspect the state such as bending (warping) of the substrate carried into the laser processing location and adjust the attitude of the glass substrate accordingly to perform laser processing in an optimum state. There is.

本発明の一実施の形態に係るレーザ加工装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the laser processing apparatus which concerns on one embodiment of this invention. スクライブ線の加工処理を行う図1の加工エリア部の詳細構成を示す図である。It is a figure which shows the detailed structure of the process area part of FIG. 1 which performs the process of a scribe line. 図2の光学系部材の詳細構成を示す図である。It is a figure which shows the detailed structure of the optical system member of FIG. 図2の第1検出光学系部材及び第2検出光学系部材の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the 1st detection optical system member of FIG. 2, and a 2nd detection optical system member. 図2の制御装置の処理の詳細を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the detail of a process of the control apparatus of FIG. 図5のパルス抜け判定手段の動作の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of operation | movement of the pulse missing determination means of FIG. 図4の高速フォトダイオードから出力される波形の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the waveform output from the high-speed photodiode of FIG. 図2の光学系部材を下側(基板側)から見た図である。It is the figure which looked at the optical system member of FIG. 2 from the lower side (board | substrate side). 光学系部材の回転量とスクライブ線のピッチ幅との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the rotation amount of an optical system member, and the pitch width of a scribe line. 図1のアライメント部に設けられる基板検出カメラシステムの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the board | substrate detection camera system provided in the alignment part of FIG. 下に凸の曲がり(反り)を有するガラス基板を図1の基板検出カメラシステムが検出する場合の一例を示す図である。It is a figure which shows an example in case the board | substrate detection camera system of FIG. 1 detects the glass substrate which has a downward convex curve (warp). 上に凸の曲がり(反り)を有するガラス基板を基板検出カメラシステムが検出する場合の一例を示す図である。It is a figure which shows an example in case a board | substrate detection camera system detects the glass substrate which has an upward convex curve (warp). 図1のアライメント部に設けられる基板検出カメラシステムの別の一例を示す図である。It is a figure which shows another example of the board | substrate detection camera system provided in the alignment part of FIG. 図1のアライメント部に設けられるアライメントカメラシステムの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the alignment camera system provided in the alignment part of FIG. 2回目以降のスクライブ処理前のアライメント部の一例をそれぞれ示す図である。It is a figure which shows an example of the alignment part before the scribing process of the 2nd time or later, respectively. 本発明に係るソーラパネル製造装置のループ方式の実施例を示す図である。It is a figure which shows the Example of the loop system of the solar panel manufacturing apparatus which concerns on this invention. 本発明に係るソーラパネル製造装置のリターン方式の別の実施例を示す図である。It is a figure which shows another Example of the return system of the solar panel manufacturing apparatus which concerns on this invention. 本発明に係るソーラパネル製造装置のダブルサイド方式の実施例を示す図である。It is a figure which shows the Example of the double side system of the solar panel manufacturing apparatus which concerns on this invention.

以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。図1は、本発明の一実施の形態に係るレーザ加工装置の概略構成を示す図である。このレーザ加工装置は、ソーラパネル製造装置のレーザ光加工処理(レーザスクライブ)工程を行なうものである。本発明に係るレーザ加工装置は、アライメント処理を行うアライメント部をレーザ加工ステーションの両側2箇所に設けて、レーザ加工処理中に同時にアライメント処理を行い、待ち時間を短縮できるように構成されたものである。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention. This laser processing apparatus performs a laser beam processing (laser scribing) process of a solar panel manufacturing apparatus. The laser processing apparatus according to the present invention is configured so that alignment sections for performing alignment processing are provided at two positions on both sides of the laser processing station, and the alignment processing can be performed simultaneously during the laser processing to shorten the waiting time. is there.

図1は、本発明に係るソーラパネル製造装置のリターン方式の一例を示す図である。この製造装置は、搬入出ロボットステーション141とレーザ加工ステーション101とから構成される。ローラコンベア121は、成膜装置(図示せず)やレーザスクライブ加工処理を行う製造装置間でガラス基板1x〜1zを順次搬送するものである。搬入出ロボットステーション141は、ローラコンベア121上を搬送される前段の成膜装置(図示せず)にて成膜されたガラス基板1xを搬入してガラス基板1mとして一時的に保持すると共にガラス基板1mの表裏を反転する表裏反転機構部143を備えており、レーザ加工処理の内容及びガラス基板1mが下に凸の曲がり(反り)となるように、ガラス基板1mを表裏反転してレーザ加工ステーション101に搬送する。このとき、搬入出ロボットステーション141は、表裏反転された又は表裏反転されなかったガラス基板1mをそのままレーザ加工ステーション101に搬送すると共に表裏反転された又は表裏反転されなかったガラス基板1mをレーザ加工ステーション101の右端位置までローラ搬送してからレーザ加工ステーション101に搬送するように構成されている。また、搬入出ロボットステーション141は、レーザ加工ステーション101で加工されたガラス基板を表裏反転機構部143で直接受取るか又はレーザ加工ステーション101の右端位置で受け取ったガラス基板1rを表裏反転機構部143までローラ搬送又はエア浮上搬送し、表裏反転機構部143でレーザ加工処理後のガラス基板を表裏反転して又は表裏反転せずにローラコンベア121に搬出する。   FIG. 1 is a diagram showing an example of a return method of a solar panel manufacturing apparatus according to the present invention. This manufacturing apparatus includes a carry-in / out robot station 141 and a laser processing station 101. The roller conveyor 121 sequentially conveys the glass substrates 1x to 1z between a film forming apparatus (not shown) and a manufacturing apparatus that performs laser scribing processing. The carry-in / out robot station 141 carries in and temporarily holds the glass substrate 1x formed by the previous film forming apparatus (not shown) conveyed on the roller conveyor 121 as a glass substrate 1m, and the glass substrate. A front / back reversing mechanism 143 for reversing the front and back of 1 m is provided, and the laser processing station in which the glass substrate 1 m is turned upside down so that the content of the laser processing and the glass substrate 1 m bend downward (warp). 101. At this time, the loading / unloading robot station 141 transports the glass substrate 1m that has been turned upside down or not turned upside down to the laser processing station 101 as well as the glass substrate 1m that has been turned upside down or not turned upside down. The roller is conveyed to the right end position of 101 and then conveyed to the laser processing station 101. The loading / unloading robot station 141 directly receives the glass substrate processed by the laser processing station 101 by the front / back reversing mechanism unit 143 or receives the glass substrate 1r received at the right end position of the laser processing station 101 up to the front / back reversing mechanism unit 143. The glass substrate after the roller processing or air levitation conveyance and laser processing by the front / back reversing mechanism unit 143 is carried out to the roller conveyor 121 with the front / back reversed or the front / back reversed.

レーザ加工ステーション101は、搬入出ロボットステーション141から搬入されたガラス基板上の薄膜にスクライブ線を形成するものであり、アライメント部102,104、グリッパ部106,108、グリッパ駆動部110、加工エリア部112を備えている。アライメント部102は、搬入出ロボットステーション141の表裏反転機構部143上のガラス基板1mを受取り、受け取ったガラス基板1nを所定の位置にアライメント処理すると共に加工エリア部112でスクライブ加工処理の施されたガラス基板1nを搬入出ロボットステーション141の表裏反転機構部143に搬出する。一方、アライメント部104は、搬入出ロボットステーション141の表裏反転機構部143で表裏反転された又は表裏反転されなかったガラス基板であって右端までローラ搬送又はエア浮上搬送されたガラス基板1rを受取り、受け取ったガラス基板を所定の位置にアライメント処理すると共に加工エリア部112でスクライブ加工処理の施されたガラス基板1qを搬入出ロボットステーション141の右端の位置に搬出する。   The laser processing station 101 forms a scribe line on the thin film on the glass substrate carried in from the carry-in / out robot station 141. The alignment units 102 and 104, the gripper units 106 and 108, the gripper driving unit 110, the processing area unit 112 is provided. The alignment unit 102 receives the glass substrate 1m on the front / back reversing mechanism unit 143 of the carry-in / out robot station 141, aligns the received glass substrate 1n to a predetermined position, and performs a scribing process in the processing area unit 112. The glass substrate 1n is carried out to the front / back reversing mechanism unit 143 of the carry-in / out robot station 141. On the other hand, the alignment unit 104 receives a glass substrate 1r that is a glass substrate that has been turned upside down or not turned upside down by the front / back reversing mechanism unit 143 of the carry-in / out robot station 141 and that has been conveyed by roller or air floating up to the right end. The received glass substrate is aligned at a predetermined position, and the glass substrate 1 q that has been subjected to the scribing process in the processing area unit 112 is carried out to the right end position of the loading / unloading robot station 141.

グリッパ部106は、アライメント部102でアライメント処理されたガラス基板1oを保持する。グリッパ部108は、アライメント部104でアライメント処理されたガラス基板1qを保持する。グリッパ駆動部110は、グリッパ部106,108に保持されたガラス基板を加工エリア部112のレーザ光に同期させてし、レーザ加工時にガラス基板1oと点線のガラス基板1pとの間を移動させる。加工エリア部112は、グリッパ部106又はグリッパ部108に保持されエア浮上搬送されたガラス基板1o,1qにレーザ光を照射して所定のスクライブ線の加工処理を行う。図1では、グリッパ部106に保持されたガラス基板1oを点線で示されたガラス基板1qの位置までエア浮上した状態で移動させながら、所定のスクライブ線加工を行う状態が示してある。   The gripper unit 106 holds the glass substrate 1 o that has been aligned by the alignment unit 102. The gripper unit 108 holds the glass substrate 1 q that has been aligned by the alignment unit 104. The gripper driving unit 110 synchronizes the glass substrate held by the gripper units 106 and 108 with the laser light of the processing area unit 112 and moves between the glass substrate 1o and the dotted glass substrate 1p during laser processing. The processing area part 112 performs processing of a predetermined scribe line by irradiating the glass substrates 1o and 1q held by the gripper part 106 or the gripper part 108 and carried by air levitation with laser light. FIG. 1 shows a state in which predetermined scribe line processing is performed while moving the glass substrate 1o held by the gripper portion 106 in a state where the glass substrate 1o is floated to the position of the glass substrate 1q indicated by a dotted line.

図1のリターン方式のソーラパネル製造装置の動作の一例を説明する。まず、前段の成膜装置からローラコンベア121を介して搬送されて来たガラス基板1xは、搬入出ロボットステーション141によって表裏反転機構部143上にガラス基板1mとして一時的に保持され、そこで表裏反転されるか又は表裏反転されない。表裏反転された又は表示反転されなかったガラス基板1mは、レーザ加工ステーション101のアライメント部102に搬送され、そこでアライメント処理される。アライメント処理されたガラス基板1nは、グリッパ部106に保持され、ガラス基板1o,1pとして加工エリア部112にエア浮上移動され、所定のスクライブ線の加工処理が行われる。一方、アライメント部102のアライメント処理時及び加工エリア部112の加工処理時に、ローラコンベア121を介して搬送されて来た次のガラス基板1yが搬入出ロボットステーション141によって表裏反転機構部143上にガラス基板1mとして一時的に保持され、そこで表裏反転されるか又は表裏反転されない。表裏反転された又は表裏反転されなかったガラス基板1mは、ガラス基板1rとして、レーザ加工ステーション101のアライメント部108に対応した右端位置までローラ搬送される。ガラス基板1rは、レーザ加工ステーション101のアライメント部108に搬送され、そこでアライメント処理される。アライメント処理されたガラス基板1qは、グリッパ部108に保持され、グリッパ部106に保持されエア浮上搬送されたガラス基板への加工処理が終了するまで待機される。   An example of the operation of the return type solar panel manufacturing apparatus of FIG. 1 will be described. First, the glass substrate 1x transported from the film forming apparatus of the previous stage via the roller conveyor 121 is temporarily held as a glass substrate 1m on the front / back reversing mechanism unit 143 by the carry-in / out robot station 141, where the front / back is reversed. Or reversed. The glass substrate 1m that has been turned upside down or not turned upside down is conveyed to the alignment unit 102 of the laser processing station 101, where it is subjected to alignment processing. The alignment-treated glass substrate 1n is held by the gripper unit 106 and is air-lifted and moved to the processing area unit 112 as the glass substrates 1o and 1p, and processing of a predetermined scribe line is performed. On the other hand, at the time of alignment processing of the alignment unit 102 and processing of the processing area unit 112, the next glass substrate 1y conveyed through the roller conveyor 121 is transferred onto the front / back reversing mechanism unit 143 by the loading / unloading robot station 141. It is temporarily held as the substrate 1m, and is turned upside down or not turned upside down. The glass substrate 1m that is turned upside down or not turned upside down is conveyed as a glass substrate 1r to a right end position corresponding to the alignment unit 108 of the laser processing station 101. The glass substrate 1r is transferred to the alignment unit 108 of the laser processing station 101, where it is aligned. The glass substrate 1q that has been subjected to the alignment process is held by the gripper unit 108, and waits until the processing of the glass substrate that has been held by the gripper unit 106 and carried by air levitation is completed.

グッリパ部106に保持されているガラス基板に対するレーザ加工処理が終了すると、グリッパ部106に保持されているガラス基板1oは、アライメント部102を介してガラス基板1nの位置から表裏反転機構部143上のガラス基板1mとして一時的に保持され、そこで表裏反転されて又は表裏反転されずに次段の成膜装置へ搬送されるために、ローラコンベア121上に搬送される。一方、グリッパ部106に保持されているガラス基板1oがアライメント部102上にガラス基板1nとしてエア浮上移動した時点で、グリッパ部108に保持されているガラス基板1qがガラス基板1o,1pとして加工エリア部112にエア浮上移動され、所定のスクライブ線の加工処理が行われる。図1のリターン方式のソーラパネル製造装置では、以上の処理を交互に繰り返すことによって、アライメント処理による待ち時間等を大幅に短縮している。また、いずれか一方のアライメント部が故障した場合でも、他方のアライメント部によって処理を続行することが可能となる。   When the laser processing on the glass substrate held by the gripper unit 106 is completed, the glass substrate 1o held by the gripper unit 106 is moved from the position of the glass substrate 1n through the alignment unit 102 to the front / back reversing mechanism unit 143. It is temporarily held as a glass substrate 1m, and is transferred onto a roller conveyor 121 in order to be transferred to the next film forming apparatus with the front and back reversed or without being reversed. On the other hand, when the glass substrate 1o held by the gripper unit 106 moves up and air as the glass substrate 1n on the alignment unit 102, the glass substrate 1q held by the gripper unit 108 becomes a processing area as the glass substrates 1o and 1p. The air levitates and moves to the section 112, and a predetermined scribe line is processed. In the return-type solar panel manufacturing apparatus of FIG. 1, the waiting time and the like due to the alignment processing are greatly reduced by alternately repeating the above processing. Further, even if any one of the alignment units fails, the process can be continued by the other alignment unit.

図2は、スクライブ線の加工処理を行う図1の加工エリア部の詳細構成を示す図である。加工エリア部は、台座10、XYテーブル20、グリッパ部106、レーザ発生装置40、光学系部材50、リニアエンコーダ70、制御装置80及び検出光学系部材等によって構成されている。台座10上には台座10のX軸方向及びY軸方向(XY平面)に沿って駆動制御されるXYテーブル20が設けられている。   FIG. 2 is a diagram showing a detailed configuration of the processing area portion of FIG. 1 that performs the processing of the scribe line. The processing area portion includes the pedestal 10, the XY table 20, the gripper portion 106, the laser generator 40, the optical system member 50, the linear encoder 70, the control device 80, the detection optical system member, and the like. An XY table 20 that is driven and controlled along the X-axis direction and the Y-axis direction (XY plane) of the pedestal 10 is provided on the pedestal 10.

XYテーブル20は、X方向及びY方向へ移動制御される。なお、XYテーブル20の駆動手段としては、ボールネジやリニアモータ等が用いられるが、これらの図示は省略してある。XYテーブル20の上側にはレーザ加工の対象となるガラス基板1がグリッパ部106によって保持されている。また、台座10の上には光学系部材50を保持しながらY軸方向にスライド駆動するスライドフレーム30が設けられている。XYテーブル20は、Z軸を回転軸としてθ方向に回転可能に構成されている。なお、スライドフレーム30によりY軸方向の移動量が十分に確保できる場合には、XYテーブル20は、X軸方向の移動だけを行なう構成であってもよい。この場合、XYテーブル20はX軸テーブルの構成でもよい。また、図2では、アライメント部102,104については図示を省略してある。   The XY table 20 is controlled to move in the X direction and the Y direction. In addition, although a ball screw, a linear motor, etc. are used as a drive means of the XY table 20, these illustration is abbreviate | omitted. On the upper side of the XY table 20, a glass substrate 1 to be laser processed is held by a gripper unit 106. A slide frame 30 that slides in the Y-axis direction while holding the optical system member 50 is provided on the base 10. The XY table 20 is configured to be rotatable in the θ direction about the Z axis. Note that when the amount of movement in the Y-axis direction can be sufficiently secured by the slide frame 30, the XY table 20 may be configured to only move in the X-axis direction. In this case, the XY table 20 may have an X-axis table configuration. In FIG. 2, the alignment units 102 and 104 are not shown.

スライドフレーム30は、台座10上の四隅に設けられた移動台に取り付けられている。スライドフレーム30は、この移動台によってY方向へ移動制御される。ベース板31と移動台との間には除振部材(図示せず)が設けられている。スライドフレーム30のベース板31には、レーザ発生装置40、光学系部材50及び制御装置80が設置されている。光学系部材50は、ミラーやレンズの組み合わせで構成され、レーザ発生装置40で発生したレーザ光を4系列に分割してXYテーブル20上のガラス基板1上に導くものである。なお、レーザ光の分割数は4系列に限るものではなく、2系列以上であればよい。   The slide frame 30 is attached to a movable table provided at four corners on the base 10. The slide frame 30 is controlled to move in the Y direction by this moving table. A vibration isolation member (not shown) is provided between the base plate 31 and the moving table. A laser generator 40, an optical system member 50, and a control device 80 are installed on the base plate 31 of the slide frame 30. The optical system member 50 is configured by a combination of a mirror and a lens, and divides the laser beam generated by the laser generator 40 into four lines and guides it onto the glass substrate 1 on the XY table 20. Note that the number of divisions of the laser light is not limited to four, but may be two or more.

リニアエンコーダ70は、XYテーブル20のX軸移動テーブルの側面に設けられたスケール部材と、グリッパ部106に取り付けられた検出部で構成される。リニアエンコーダ70の検出信号は、制御装置80に出力される。制御装置80は、リニアエンコーダ70からの検出信号に基づいてグリッパ部106のX軸方向の移動速度(移動周波数)を検出し、レーザ発生装置40の出力(レーザ周波数)を制御する。   The linear encoder 70 includes a scale member provided on the side surface of the X-axis movement table of the XY table 20 and a detection unit attached to the gripper unit 106. The detection signal of the linear encoder 70 is output to the control device 80. The control device 80 detects the moving speed (moving frequency) of the gripper unit 106 in the X-axis direction based on the detection signal from the linear encoder 70, and controls the output (laser frequency) of the laser generator 40.

光学系部材50は、図示のように、ベース板31の側面側に設けられており、ベース板31の側面に沿ってY軸方向に移動するように構成されている。光学系部材50は、先端部がZ軸を中心に回転可能となっている。レーザ発生装置40から出射されるレーザ光を光学系部材50に導くためのガルバノミラー33はベース板31上に設けられている。ガルバノミラー33は、2つのモーター(ロータリーエンコーダー)を使用してXZ2次元エリアにレーザー光を走査させるものである。ガルバノミラー33は、2軸式(X,Z)で構成され、2個のモーターと、このモータに取り付けられるミラーとで構成される。ガルバノ制御裝置331は、モータを動かすためのドライバおよび電源、これらを制御するマイクロコンピュータなどで構成される。   As illustrated, the optical system member 50 is provided on the side surface side of the base plate 31 and is configured to move in the Y-axis direction along the side surface of the base plate 31. The tip of the optical system member 50 is rotatable around the Z axis. A galvanometer mirror 33 for guiding laser light emitted from the laser generator 40 to the optical system member 50 is provided on the base plate 31. The galvanometer mirror 33 uses two motors (rotary encoders) to scan the XZ two-dimensional area with laser light. The galvanometer mirror 33 is composed of a two-axis type (X, Z), and is composed of two motors and a mirror attached to the motor. The galvano control device 331 includes a driver and a power source for moving the motor, a microcomputer for controlling them, and the like.

ミラー34,35は、光学系部材50上に設けられており、光学系部材50のスライド移動に連動するようになっている。レーザ発生装置40から出射されたレーザ光は、ガルバノミラー33によってミラー34へ向かって反射され、ミラー34に向かうレーザ光はミラー34によってミラー35に向かって反射される。ミラー35は、ミラー34からの反射レーザ光をベース板31に設けられた貫通穴を介して光学系部材50内に導く。なお、レーザ光発生装置40から出射されたレーザ光は、ベース板31に設けられた貫通穴から光学系部材50に対して上側から導入されるように構成されれば、どのような構成のものであってもよい。例えば、レーザ発生装置40を貫通穴の上側に設け、貫通穴を介して光学系部材50に直接レーザ光を導くようにしてもよい。   The mirrors 34 and 35 are provided on the optical system member 50 and are interlocked with the slide movement of the optical system member 50. The laser light emitted from the laser generator 40 is reflected toward the mirror 34 by the galvano mirror 33, and the laser light toward the mirror 34 is reflected toward the mirror 35 by the mirror 34. The mirror 35 guides the reflected laser light from the mirror 34 into the optical system member 50 through a through hole provided in the base plate 31. The laser light emitted from the laser light generating device 40 may have any configuration as long as the laser light is configured to be introduced from above into the optical system member 50 through a through hole provided in the base plate 31. It may be. For example, the laser generator 40 may be provided on the upper side of the through hole, and the laser beam may be directly guided to the optical system member 50 through the through hole.

ビームサンプラ332は、ガルバノミラー33と反射ミラー34との間の光学系部材50上に、光学系部材50のスライド移動と共に移動するように設けられている。ビームサンプラ332はレーザ光の一部(例えば、レーザ光の約1割程度又はそれ以下の光量)をサンプリングして外部に分岐出力する素子である。4分割フォトダイオード333は、ビームサンプラ332で分岐されたレーザ光の一部(サンプリングビーム)を受光面のほぼ中央付近で受光するように配置されている。4分割フォトダイオード333によって検出されたレーザ光の強度に対応した4種類の出力信号がガルバノ制御裝置331に出力される。ガルバノ制御裝置331は、4分割フォトダイオード333からの4種類の出力信号に応じてガルバノミラー33の2個のモータ33xy,33yzをリアルタイムで駆動制御する。モータ33xyは、ガルバノミラー33の反射レーザ光がベース板31の上面(XY平面)と平行な面内で回転移動するように制御し、モータ33zyは、ガルバノミラー33の反射レーザ光がベース板31の上面と直交する面(YZ平面)と平行な面内で回転移動するようにリアルタイムで制御する。   The beam sampler 332 is provided on the optical system member 50 between the galvanometer mirror 33 and the reflection mirror 34 so as to move along with the sliding movement of the optical system member 50. The beam sampler 332 is an element that samples a part of the laser beam (for example, about 10% of the laser beam or less) and branches and outputs it to the outside. The quadrant photodiode 333 is arranged so as to receive a part of the laser beam (sampling beam) branched by the beam sampler 332 in the vicinity of the center of the light receiving surface. Four types of output signals corresponding to the intensity of the laser light detected by the quadrant photodiode 333 are output to the galvano control device 331. The galvano control device 331 controls the two motors 33xy and 33yz of the galvano mirror 33 in real time according to the four types of output signals from the four-division photodiode 333. The motor 33xy controls the reflected laser beam of the galvanometer mirror 33 to rotate in a plane parallel to the upper surface (XY plane) of the base plate 31, and the motor 33zy controls the reflected laser beam of the galvanometer mirror 33 to the base plate 31. Is controlled in real time so as to rotate and move in a plane parallel to a plane (YZ plane) orthogonal to the upper surface of the.

図3は、光学系部材50の詳細構成を示す図である。実際の光学系部材50の構成は、複雑であるが、ここでは説明を簡単にするために図示を簡略化して示している。図3は、光学系部材50の内部を図2の−X軸方向から見た図である。図3に示すようにベース板31にはミラー35で反射されたレーザ光を光学系部材50内に導入するための貫通穴37を有する。この貫通穴37の直下には、ガウシアン強度分布のレーザ光をトップハット強度分布のレーザ光に変換する位相型回折光学素子(DOE:Diffractive Optical Element)500が設けられている。   FIG. 3 is a diagram illustrating a detailed configuration of the optical system member 50. Although the actual configuration of the optical system member 50 is complicated, the illustration is simplified here for the sake of simplicity. FIG. 3 is a view of the inside of the optical system member 50 as viewed from the −X axis direction of FIG. 2. As shown in FIG. 3, the base plate 31 has a through hole 37 for introducing the laser beam reflected by the mirror 35 into the optical system member 50. A phase type diffractive optical element (DOE) 500 that converts laser light having a Gaussian intensity distribution into laser light having a top hat intensity distribution is provided directly below the through hole 37.

DOE500によってトップハット強度分布のレーザ光(トップハットビーム)に変換されたレーザ光はハーフミラー511によって反射ビームと透過ビームにそれぞれ分岐され、反射ビームは右方向のハーフミラー512に向かって、透過ビームは下方向の反射ミラー524に向かって進む。ハーフミラー511で反射したビームは、ハーフミラー512によってさらに反射ビームと透過ビームに分岐され、反射ビームは下方向の反射ミラー522に向かって、透過ビームは右方向の反射ミラー521に向かって進む。ハーフミラー512を透過したビームは反射ミラー521によって反射され、下方向の集光レンズ541を介してガラス基板1に照射される。ハーフミラー512で反射したビームは、反射ミラー522,523によって反射され、下方向の集光レンズ542を介してガラス基板1に照射される。ハーフミラー511を透過したビームは、反射ミラー524によって反射され、左方向に向かって進む。反射ミラー524で反射したビームは、ハーフミラー513によって反射ビームと透過ビームに分岐され、反射ビームは下方向の反射ミラー526に向かって、透過ビームは左方向の反射ミラー528に向かって進む。ハーフミラー513で反射したビームは、反射ミラー526,527によって反射され、下方向の集光レンズ543を介してガラス基板1に照射される。ハーフミラー513を透過したビームは反射ミラー528によって反射され、下方向の集光レンズ544を介してガラス基板1に照射される。   The laser light converted into laser light having a top hat intensity distribution (top hat beam) by the DOE 500 is branched into a reflected beam and a transmitted beam by the half mirror 511, and the reflected beam is transmitted toward the right half mirror 512. Advances toward the reflective mirror 524 in the downward direction. The beam reflected by the half mirror 511 is further branched into a reflected beam and a transmitted beam by the half mirror 512, and the reflected beam travels toward the lower reflecting mirror 522, and the transmitted beam travels toward the right reflecting mirror 521. The beam that has passed through the half mirror 512 is reflected by the reflection mirror 521, and is irradiated onto the glass substrate 1 through the condensing lens 541 in the downward direction. The beam reflected by the half mirror 512 is reflected by the reflection mirrors 522 and 523 and is irradiated onto the glass substrate 1 through the condensing lens 542 in the downward direction. The beam transmitted through the half mirror 511 is reflected by the reflection mirror 524 and travels in the left direction. The beam reflected by the reflection mirror 524 is branched into a reflection beam and a transmission beam by the half mirror 513, the reflection beam proceeds toward the reflection mirror 526 in the downward direction, and the transmission beam proceeds toward the reflection mirror 528 in the left direction. The beam reflected by the half mirror 513 is reflected by the reflecting mirrors 526 and 527 and is irradiated onto the glass substrate 1 through the condensing lens 543 in the downward direction. The beam that has passed through the half mirror 513 is reflected by the reflection mirror 528, and is irradiated onto the glass substrate 1 through the condensing lens 544 in the downward direction.

DOE500によって変換されたトップハットビームは、上述のハーフミラー511〜513及び反射ミラー521〜528によって、透過・反射されて集光レンズ541〜544に導かれる。このとき、DOE500から各集光レンズ541〜544までの光路長は等しくなるように設定されている。すなわち、ハーフミラー511で反射したビームがハーフミラ512を透過して反射ミラー521で反射して集光レンズ541に到達するまでの光路長、ハーフミラー511で反射したビームがハーフミラー512、反射ミラー522,523でそれぞれ反射して集光レンズ542に到達するまでの光路長、ハーフミラー511を透過したビームが反射ミラー523、ハーフミラー513、反射ミラー526,527でそれぞれ反射して集光レンズ543に到達するまでの光路長、ハーフミラー511を透過したビームが反射ミラー523で反射してハーフミラー513を透過して反射ミラー528で反射して集光レンズ544に到達するまでの光路長は、それぞれ等しい距離である。これによって、ビームが分岐される直前にDOE500を配置しても、トップハット強度分布のレーザ光を集光レンズ541〜544に同様に導くことが可能となる。なお、図3の実施例では、光路長が完全に一致する場合について説明したが、レーザ光のトップハット強度分布を維持することが可能な範囲で光路長を若干異ならせることは可能である。   The top hat beam converted by the DOE 500 is transmitted and reflected by the above-described half mirrors 511 to 513 and the reflection mirrors 521 to 528 and guided to the condenser lenses 541 to 544. At this time, the optical path lengths from the DOE 500 to the condenser lenses 541 to 544 are set to be equal. That is, the optical path length from when the beam reflected by the half mirror 511 passes through the half mirror 512 and is reflected by the reflection mirror 521 to reach the condenser lens 541, and the beam reflected by the half mirror 511 is the half mirror 512 and the reflection mirror 522. , 523, the optical path length until reaching the condenser lens 542, and the beam transmitted through the half mirror 511 are reflected by the reflection mirror 523, the half mirror 513, the reflection mirrors 526 and 527, respectively, and enter the condenser lens 543. The optical path length until the beam reaches the condensing lens 544 is reflected by the reflection mirror 523, reflected by the reflection mirror 523, reflected by the reflection mirror 528, and reaches the condenser lens 544, respectively. Are equal distances. As a result, even if the DOE 500 is disposed immediately before the beam is branched, the laser light having the top hat intensity distribution can be similarly guided to the condenser lenses 541 to 544. In the embodiment of FIG. 3, the case where the optical path lengths are completely matched has been described. However, the optical path lengths can be slightly different as long as the top hat intensity distribution of the laser light can be maintained.

シャッター機構531〜534は、光学系部材50の各集光レンズ541〜544から出射されるレーザ光がガラス基板1から外れた場合にレーザ光の出射を遮蔽するものである。オートフォーカス用測長システム52,54は、図示していない検出光照射用レーザとオートフォーカス用フォトダイオードとから構成され、検出光照射用レーザから照射された光の中でガラス基板1の表面から反射した反射光を受光し、その反射光量に応じて光学系部材50内の集光レンズ541〜544を上下に駆動し、ガラス基板1に対する高さ(集光レンズ541〜544のフォーカス)を調整する。なお、フォーカス調整用駆動機構は図示していない。   The shutter mechanisms 531 to 534 block the emission of laser light when the laser light emitted from the condenser lenses 541 to 544 of the optical system member 50 is detached from the glass substrate 1. The autofocus length measuring systems 52 and 54 are constituted by a detection light irradiation laser and an autofocus photodiode (not shown), and from the surface of the glass substrate 1 in the light irradiated from the detection light irradiation laser. The reflected reflected light is received, and the condensing lenses 541 to 544 in the optical system member 50 are driven up and down in accordance with the amount of reflected light to adjust the height relative to the glass substrate 1 (the focus of the condensing lenses 541 to 544). To do. The focus adjustment drive mechanism is not shown.

図4は、第1検出光学系部材及び第2検出光学系部材の構成を示す模式図である。第1検出光学系部材は、集光レンズ高さ測長システム26と、フォーカス及び光軸調整用CCDカメラ28とから構成される。図4では、集光レンズ高さ測長システム26とフォーカス及び光軸調整用CCDカメラ28が重複して示されているので、符号で区別するようにしている。図3に記載のオートフォーカス用測長システム52,54によって、ガラス基板1から光学系部材50の両側下面までの高さを調整した場合、光学系部材50の下面の高さを同じにすることはできても、ガラス基板1から各集光レンズ541〜544までの高さを同じにすることができるとは限らない。そこで、この実施の形態では、XYテーブル20のX軸方向の側面のいずれか一方(図ではXYテーブル20の−X軸方向の側面)に集光レンズ高さ測長システム26を取り付け、ガラス基板1から各集光レンズ541〜544までの高さをそれぞれ測長するようにした。集光レンズ高さ測長システム26によって検出された各集光レンズ541〜544の高さに対応した信号は、制御装置80に出力される。制御装置80は、ガラス基板1から各集光レンズ541〜544までの高さが適正であるか否かの判定を行なう。集光レンズ高さ測長システム26の測長結果に応じて、各集光レンズ541〜544の配置(高さ)は調整されるようになっている。この場合、この集光レンズ541〜544の配置(高さ)の調整は、手動又は自動で行なえるように構成する。なお、集光レンズ高さ測長システム26を用いて、光学系部材50の下面の高さを測長するようにすれば、オートフォーカス用測長システム52,54を省略することが可能である。   FIG. 4 is a schematic diagram showing the configuration of the first detection optical system member and the second detection optical system member. The first detection optical system member includes a condenser lens height measurement system 26 and a focus and optical axis adjustment CCD camera 28. In FIG. 4, the condenser lens height measuring system 26 and the focus and optical axis adjusting CCD camera 28 are shown in an overlapping manner, so that they are distinguished by reference numerals. When the height from the glass substrate 1 to the lower surfaces on both sides of the optical system member 50 is adjusted by the autofocus length measuring systems 52 and 54 shown in FIG. 3, the height of the lower surface of the optical system member 50 should be the same. However, the height from the glass substrate 1 to each of the condensing lenses 541 to 544 is not necessarily the same. Therefore, in this embodiment, the condenser lens height measuring system 26 is attached to one of the side surfaces in the X-axis direction of the XY table 20 (the side surface in the −X-axis direction of the XY table 20 in the figure), and the glass substrate The height from 1 to each of the condensing lenses 541 to 544 is measured. A signal corresponding to the height of each of the condenser lenses 541 to 544 detected by the condenser lens height measuring system 26 is output to the control device 80. The control device 80 determines whether or not the height from the glass substrate 1 to each of the condenser lenses 541 to 544 is appropriate. The arrangement (height) of the condenser lenses 541 to 544 is adjusted according to the length measurement result of the condenser lens height measuring system 26. In this case, the arrangement (height) of the condenser lenses 541 to 544 can be adjusted manually or automatically. If the height of the lower surface of the optical system member 50 is measured using the condensing lens height measuring system 26, the autofocus length measuring systems 52 and 54 can be omitted. .

フォーカス及び光軸調整用CCDカメラ28は、XYテーブル20のX軸方向の側面のいずれか一方(図ではXYテーブル20の−X軸方向の側面)であって、集光レンズ高さ測長システム26の隣接する位置(近傍)に設けられている。フォーカス及び光軸調整用CCDカメラ28は、XYテーブル20と光学系部材50の各集光レンズ541〜544との位置を関連付けるものであり、XYテーブル20の上空側を視認可能に設置されている。フォーカス及び光軸調整用CCDカメラ28によって撮像された映像は、制御装置80に出力される。制御装置80は、各集光レンズ541〜544から出射されるレーザ光の光軸が適正であるか否かの判定を行なう。すなわち、フォーカス及び光軸調整用CCDカメラ28は、光学系部材50の各集光レンズ541〜544から出射するレーザ光を直接観察することができるので、これを画像化することによって、制御装置80は、各集光レンズ541〜544のフォーカス及び光軸が適正であるか否かを判断することができる。また、レーザ発生装置40、光学系部材50などのレーザ光に係わる各光学系の交換した時に、交換前と交換後の画像を取得し数値化しておくことによって、交換後のフォーカス及び光軸の調整を容易に行なうことができる。さらに、複数ヘッドの場合、各レーザ光の画像を取得して数値化することによって、バラツキを適正に調整することができる。   The focus and optical axis adjusting CCD camera 28 is one of the side surfaces in the X-axis direction of the XY table 20 (the side surface in the −X-axis direction of the XY table 20 in the figure), and is a condensing lens height measuring system. 26 adjacent positions (neighboring). The CCD camera 28 for focus and optical axis adjustment associates the positions of the XY table 20 and the respective condensing lenses 541 to 544 of the optical system member 50 and is installed so that the sky side of the XY table 20 can be seen. . The image captured by the focus and optical axis adjusting CCD camera 28 is output to the control device 80. The control device 80 determines whether or not the optical axis of the laser light emitted from each of the condenser lenses 541 to 544 is appropriate. In other words, the focus and optical axis adjusting CCD camera 28 can directly observe the laser light emitted from the respective condensing lenses 541 to 544 of the optical system member 50. By imaging this, the control device 80 Can determine whether the focus and the optical axis of each of the condenser lenses 541 to 544 are appropriate. Further, when each optical system related to the laser light such as the laser generator 40 and the optical system member 50 is replaced, the images before and after the replacement are acquired and digitized, so that the focus and optical axis after the replacement are obtained. Adjustment can be performed easily. Further, in the case of a plurality of heads, variation can be appropriately adjusted by acquiring and digitalizing images of the respective laser beams.

第2検出光学系部材は、図2に示すように、ビームサンプラ92,93、高速フォトダイオード94及び光軸検査用CCDカメラ96から構成される。ビームサンプラ92,93は、光学系部材50内に導入されるレーザ光の光路中に設けられている。この実施の形態では、レーザ発生装置40と反射ミラー33との間に設けられている。ビームサンプラ92,93はレーザ光の一部(例えば、レーザ光の約0.4割程度又はそれ以下の光量)をサンプリングして外部に分岐出力する素子である。高速フォトダイオード94は、ビームサンプラ92で分岐出力されたレーザ光の一部(サンプリングビーム)を受光面のほぼ中央付近で受光するように配置される。高速フォトダイオード94によって検出されたレーザ光の強度に対応した出力信号は、制御装置80に出力される。光軸検査用CCDカメラ96は、ビームサンプラ93で分岐出力されたレーザ光の一部(サンプリングビーム)を受光面のほぼ中央付近で受光するように配置される。光軸検査用CCDカメラ96によって撮像された映像は、制御装置80に出力される。なお、光軸検査用CCDカメラ96は、高速フォトダイオード94に照射されるレーザ光の位置を示す画像を取り込み、その画像を制御装置80に出力するようにしてもよい。   As shown in FIG. 2, the second detection optical system member includes beam samplers 92 and 93, a high-speed photodiode 94, and an optical axis inspection CCD camera 96. The beam samplers 92 and 93 are provided in the optical path of laser light introduced into the optical system member 50. In this embodiment, it is provided between the laser generator 40 and the reflection mirror 33. The beam samplers 92 and 93 are elements that sample a part of the laser beam (for example, about 0.4% or less of the laser beam) and branch out the output. The high-speed photodiode 94 is disposed so as to receive a part (sampling beam) of the laser beam branched and output by the beam sampler 92 near the center of the light receiving surface. An output signal corresponding to the intensity of the laser light detected by the high speed photodiode 94 is output to the control device 80. The optical axis inspection CCD camera 96 is arranged so as to receive a part (sampling beam) of the laser beam branched and output by the beam sampler 93 near the center of the light receiving surface. The image captured by the optical axis inspection CCD camera 96 is output to the control device 80. The optical axis inspection CCD camera 96 may capture an image indicating the position of the laser light irradiated to the high-speed photodiode 94 and output the image to the control device 80.

制御装置80は、リニアエンコーダ70からの検出信号に基づいてグリッパ部106のX軸方向の移動速度(移動周波数)を検出し、レーザ発生装置40の出力(レーザ周波数)を制御し、高速フォトダイオード94及び光軸検査用CCDカメラ96から出力される信号に基づいてレーザ発生装置40から出射されるレーザ光のパルス抜けを検出したり、レーザ光の光軸ずれ量に基づいてレーザ発生装置40の出射条件を制御したり、光学系部材50内のレーザ光を導入するための反射ミラー33〜35の配置等をフィードバック制御する。   The control device 80 detects the moving speed (moving frequency) of the gripper unit 106 in the X-axis direction based on the detection signal from the linear encoder 70, controls the output (laser frequency) of the laser generator 40, and is a high-speed photodiode. 94 and the signal output from the optical axis inspection CCD camera 96 are used to detect missing pulses of the laser light emitted from the laser generator 40, or based on the amount of optical axis deviation of the laser light. The emission conditions are controlled, and the arrangement of the reflection mirrors 33 to 35 for introducing the laser light in the optical system member 50 is feedback-controlled.

図5は、図2の制御装置80の処理の詳細を示すブロック図である。制御装置80は、分岐手段81、パルス抜け判定手段82、アラーム発生手段83、基準CCD画像記憶手段84、光軸ずれ量計測手段85、レーザコントローラ86、レンズ変位量計測手段87、レンズ高さ調整手段88、照射レーザ状態検査手段89及び照射レーザ調整手段8Aから構成される。   FIG. 5 is a block diagram showing details of processing of the control device 80 of FIG. The control device 80 includes a branching unit 81, a missing pulse determining unit 82, an alarm generating unit 83, a reference CCD image storage unit 84, an optical axis deviation measuring unit 85, a laser controller 86, a lens displacement measuring unit 87, and a lens height adjustment. It comprises means 88, irradiation laser state inspection means 89, and irradiation laser adjustment means 8A.

分岐手段81は、リニアエンコーダ70の検出信号(クロックパルス)を分岐して後段のレーザコントローラ86に出力する。パルス抜け判定手段82は、高速フォトダイオード94からのレーザ光強度に対応した出力信号(ダイオード出力)と分岐手段81から出力される検出信号(クロックパルス)とを入力し、それに基づいてレーザ光のパルス抜けを判定する。図6は、図5のパルス抜け判定手段82の動作の一例を示す図である。図6において、図6(A)は分岐手段81から出力される検出信号(クロックパルス)の一例、図6(B)は高速フォトダイオード94から出力されるレーザ光強度に対応した出力信号(ダイオード出力)の一例、図6(C)はパルス抜け判定手段82がパルス抜け検出時に出力するアラーム信号の一例をそれぞれ示す。   The branching unit 81 branches the detection signal (clock pulse) of the linear encoder 70 and outputs it to the laser controller 86 at the subsequent stage. The pulse missing determination means 82 receives an output signal (diode output) corresponding to the laser light intensity from the high-speed photodiode 94 and a detection signal (clock pulse) output from the branching means 81, and based on this, the laser light Determine missing pulses. FIG. 6 is a diagram showing an example of the operation of the missing pulse determination means 82 of FIG. 6A is an example of a detection signal (clock pulse) output from the branching means 81, and FIG. 6B is an output signal corresponding to the laser beam intensity output from the high-speed photodiode 94 (diode). FIG. 6C shows an example of an alarm signal output by the missing pulse determination means 82 when a missing pulse is detected.

図6に示すように、パルス抜け判定手段82は、分岐手段81からのクロックパルスの立ち下がり時点をトリガ信号として、ダイオード出力値が所定のしきい値Th以上であるか否かの判定を行い、ダイオード出力値がしきい値Thよりも小さい場合には、ハイレベル信号をアラーム発生手段83に出力する。アラーム発生手段83は、パルス抜け判定手段82からの信号がローレベルからハイレベルに変化した時点でパルス抜けが発生したことを示すアラームを外部に報知する。アラームの報知は、画像表示、発音等の種々の方法で行なう。アラームの発生によって、オペレータはパルス抜けが発生したことを認識することができる。また、このアラームが頻繁に発生する場合には、レーザ発生装置の性能が劣化したか又は寿命になったことを意味する。   As shown in FIG. 6, the pulse missing determining means 82 determines whether or not the diode output value is equal to or greater than a predetermined threshold value Th by using the falling edge of the clock pulse from the branching means 81 as a trigger signal. When the diode output value is smaller than the threshold value Th, a high level signal is output to the alarm generating means 83. The alarm generating unit 83 notifies the outside of the alarm indicating that a pulse missing has occurred when the signal from the pulse missing judging unit 82 changes from a low level to a high level. The alarm is notified by various methods such as image display and pronunciation. The occurrence of an alarm allows the operator to recognize that a pulse drop has occurred. If this alarm occurs frequently, it means that the performance of the laser generator has deteriorated or has reached the end of its life.

基準CCD画像記憶手段84は、図5に示すような基準CCD画像84aを記憶している。この基準CCD画像84aは、光軸検査用CCDカメラ96の受光面の中央にレーザ光が受光した状態の画像を示すものである。光軸検査用CCDカメラ96からは、図5に示すような被検査画像85aが出力される。光軸ずれ量計測手段85は、光軸検査用CCDカメラ96からの被検査画像85aを取り込み、これと基準CCD画像84aとを比較し、光軸のずれ量を計測し、そのずれ量をレーザコントローラ86に出力する。例えば、図5に示す被検査画像85aのような画像が光軸検査用CCDカメラ96から出力された場合には、光軸ずれ量計測手段85は、両者を比較して、X軸及びY軸方向のずれ量を計測し、それをレーザコントローラ86に出力する。レーザコントローラ86は、被検査画像85aと基準CCD画像84aとが一致するように、レーザ光の光軸に関係する装置、すなわちレーザ発生装置40の出射条件や光学系部材50内にレーザ光を導入するための反射ミラー33〜35の配置等をフィードバックして調整する。   The reference CCD image storage means 84 stores a reference CCD image 84a as shown in FIG. The reference CCD image 84a shows an image in a state where the laser beam is received at the center of the light receiving surface of the CCD camera 96 for optical axis inspection. The optical axis inspection CCD camera 96 outputs an inspection image 85a as shown in FIG. The optical axis deviation amount measuring means 85 captures the inspected image 85a from the optical axis inspection CCD camera 96, compares it with the reference CCD image 84a, measures the optical axis deviation amount, and calculates the deviation amount by the laser. Output to the controller 86. For example, when an image such as the inspected image 85a shown in FIG. 5 is output from the optical axis inspection CCD camera 96, the optical axis deviation measuring means 85 compares the X axis and the Y axis. The amount of direction deviation is measured and output to the laser controller 86. The laser controller 86 introduces the laser beam into a device related to the optical axis of the laser beam, that is, the emission condition of the laser generator 40 and the optical system member 50 so that the inspected image 85a and the reference CCD image 84a coincide. The arrangement and the like of the reflecting mirrors 33 to 35 are adjusted by feedback.

レンズ変位量計測手段87は、集光レンズ高さ測長システム26によって検出された各集光レンズ541〜544の高さに対応した信号を入力し、各集光レンズ541〜544の高さが許容範囲内にあるか、この許容範囲よりも大きくずれているかを判定し、大きくずれている集光レンズ541〜544の高さをどの程度調整すればよいかを示す制御信号をレンズ高さ調整手段88に出力する。レンズ高さ調整手段88は、レンズ変位量計測手段87からの制御信号に応じて各集光レンズ541〜544の配置を調整する。なお、集光レンズ541〜544の高さ調整機構が存在しない場合には、レンズ高さ調整手段88は、レンズ変位量計測手段87からの制御信号に基づいて、集光レンズ541〜544のどれをどの程度調整すればよいのか、その調整情報をオペレータに伝達(視認表示、音声発音など)するようにしてもよい。   The lens displacement amount measuring means 87 inputs a signal corresponding to the height of each of the condenser lenses 541 to 544 detected by the condenser lens height measuring system 26, and the height of each of the condenser lenses 541 to 544 is determined. It is determined whether it is within the allowable range or greatly deviated from this allowable range, and a control signal indicating how much the height of the condensing lenses 541 to 544 that are largely deviated should be adjusted is the lens height adjustment It outputs to the means 88. The lens height adjusting unit 88 adjusts the arrangement of the condenser lenses 541 to 544 in accordance with a control signal from the lens displacement amount measuring unit 87. When there is no height adjustment mechanism for the condensing lenses 541 to 544, the lens height adjusting unit 88 selects any of the condensing lenses 541 to 544 based on a control signal from the lens displacement amount measuring unit 87. The adjustment information may be transmitted to the operator (visual display, voice pronunciation, etc.).

照射レーザ状態検査手段89は、フォーカス及び光軸調整用CCDカメラ28からの画像89aを取り込み、これに基づいてフォーカス及び光軸のずれ量を計測し、そのずれ量を照射レーザ調整手段8Aに出力する。例えば、図5に示すような画像89aがフォーカス及び光軸調整用CCDカメラから出力された場合には、照射レーザ状態検査手段89は、画像89a内の円状の輪郭線89b(集光レンズ541〜544の外縁に対応した線)を基準にフォーカス円89c(画像89a内の小円)の位置を検出し、フォーカス円89cが輪郭線89bのほぼ中央に位置しているか否かに基づいて光軸のX軸及びY軸方向のずれ量を計測し、それを照射レーザ調整手段8Aに出力する。また、照射レーザ状態検査手段89は、フォーカス円89cの大きさ(面積)を計測し、それも基づいたフォーカス位置を照射レーザ調整手段8Aに出力する。照射レーザ調整手段8Aは、照射レーザ状態検査手段89からの光軸のずれ量及びフォーカス位置に対応した信号に基づいて、光学系部材50内の各ハーフミラー511〜513及び反射ミラー521〜528の配置等をフィードバックして調整する。なお、レンズ高さ調整手段88及び照射レーザ調整手段8Aを省略して、これらの機能をレーザコントローラ86に持たせるようにしてもよい。   The irradiation laser state inspection unit 89 captures the image 89a from the CCD camera 28 for focus and optical axis adjustment, measures the shift amount of the focus and the optical axis based on this, and outputs the shift amount to the irradiation laser adjustment unit 8A. To do. For example, when an image 89a as shown in FIG. 5 is output from the focus and optical axis adjusting CCD camera, the irradiation laser state inspection unit 89 uses the circular outline 89b (the condensing lens 541 in the image 89a). The line of the focus circle 89c (small circle in the image 89a) is detected on the basis of (a line corresponding to the outer edge of .about.544), and light is detected based on whether or not the focus circle 89c is located substantially at the center of the contour line 89b. The amount of deviation of the axis in the X-axis and Y-axis directions is measured and output to the irradiation laser adjusting means 8A. The irradiation laser state inspection unit 89 measures the size (area) of the focus circle 89c, and outputs the focus position based on the size (area) to the irradiation laser adjustment unit 8A. The irradiation laser adjusting unit 8A is configured to detect the half mirrors 511 to 513 and the reflection mirrors 521 to 528 in the optical system member 50 based on the signal corresponding to the optical axis shift amount and the focus position from the irradiation laser state inspection unit 89. Feed back and adjust the placement. The lens height adjusting unit 88 and the irradiation laser adjusting unit 8A may be omitted, and the laser controller 86 may have these functions.

上述の実施の形態では、レーザ加工(スクライブ加工)時に光軸ずれ量計測手段85でレーザ光の光軸ずれを、パルス抜け判定手段82でパルス抜けをそれぞれ検査する場合について説明したが、図7に示すように高速フォトダイオード94からの出力波形に基づいてレーザ光のパルス状態を検査するようにしてもよい。例えば、図7では、レーザ光のパルス幅及びパルス高さを計測し、これらに異常が発生した場合にはアラームを発生するようにしてもよい。なお、レーザ光のパルス幅は、高速フォトダイオード94からの出力波形が所定値以上になっている期間が所定の範囲にある場合を正常とし、この範囲よりも大きかったり小さい場合にはパルス幅異常と判定し、アラームを出力する。また、レーザ光のパルス高さは、高速フォトダイオード94からの出力波形の最大値が許容範囲内に存在する場合を正常とし、この許容範囲よもも大きかったり小さい場合にはパルス高さ異常と判定し、アラームを出力する。このように、レーザ光を常時サンプリングしているので、リアルタイムでパルス幅、パルス高さ(パワー)などのレーザ光の品質を管理することができる。上述のようなパルス抜けが頻発するようになったら、レーザ発生装置40の劣化あるいは寿命と判断できる。   In the above-described embodiment, the case where the optical axis misalignment measuring unit 85 inspects the optical axis misalignment of the laser beam and the missing pulse determining unit 82 inspects the missing pulse during laser processing (scribe processing) has been described. As shown in FIG. 4, the pulse state of the laser beam may be inspected based on the output waveform from the high-speed photodiode 94. For example, in FIG. 7, the pulse width and the pulse height of the laser light may be measured, and an alarm may be generated when an abnormality occurs in these. The pulse width of the laser light is normal when the period during which the output waveform from the high-speed photodiode 94 is equal to or greater than a predetermined value is within a predetermined range, and when it is larger or smaller than this range, the pulse width is abnormal. And outputs an alarm. The pulse height of the laser beam is normal when the maximum value of the output waveform from the high-speed photodiode 94 is within the allowable range, and when it is larger or smaller than this allowable range, the pulse height is abnormal. Judge and output an alarm. As described above, since the laser light is always sampled, the quality of the laser light such as the pulse width and the pulse height (power) can be managed in real time. If the above-described pulse omission occurs frequently, it can be determined that the laser generator 40 is deteriorated or has a lifetime.

図8は、図2の光学系部材を下側(基板側)から見た図である。図8は、光学系部材50とベース板31の一部を示している。図8(A)は、図2に示す光学系部材50とベース板31との位置関係を示す図であり、図に示すように、光学系部材50の端面(図の上側端部)とベース板31の端面(図の上側端部)とが一致している。図8(B)は、光学系部材50が貫通穴37の中心を回転軸としてベース板31に対して左回りに約30度回転した状態を示す図である。図8(C)は、光学系部材50が貫通穴37の中心を回転軸としてベース板31に対して左回りに約45度回転した状態を示す図である。   FIG. 8 is a view of the optical system member of FIG. 2 as viewed from the lower side (substrate side). FIG. 8 shows a part of the optical system member 50 and the base plate 31. FIG. 8A is a diagram showing the positional relationship between the optical system member 50 and the base plate 31 shown in FIG. 2, and as shown in the figure, the end surface of the optical system member 50 (upper end portion in the figure) and the base are shown. The end surface (upper end portion in the figure) of the plate 31 coincides. FIG. 8B is a view showing a state in which the optical system member 50 is rotated about 30 degrees counterclockwise with respect to the base plate 31 with the center of the through hole 37 as the rotation axis. FIG. 8C is a view showing a state in which the optical system member 50 is rotated about 45 degrees counterclockwise with respect to the base plate 31 with the center of the through hole 37 as the rotation axis.

この実施の形態に係るソーラパネル製造装置においては、光学系部材50がレーザ光の導入穴である貫通穴37の中心を回転軸として、自在に回転可能に構成されている。すなわち、分岐手段である光学系部材50は、図3の反射ミラー35からDOE500を通過してハーフミラー511に向かう垂直レーザ光の進行方向を中心軸として回転制御されている。これによって、レーザ光の分岐方向とレーザ光の基板に対する相対的な移動方向(図8の垂直方向)とのなす角度θを自在に可変制御することができる。なお、光学系部材50の回転駆動手段としては、ボールネジやリニアモータ等の既存の技術が用いられるが、これらの図示は省略する。   In the solar panel manufacturing apparatus according to this embodiment, the optical system member 50 is configured to be freely rotatable with the center of the through hole 37, which is a laser light introduction hole, as the rotation axis. That is, the rotation of the optical system member 50 that is a branching unit is controlled with the traveling direction of the vertical laser light traveling from the reflecting mirror 35 of FIG. 3 through the DOE 500 toward the half mirror 511 as the central axis. This makes it possible to variably control the angle θ formed by the laser beam branching direction and the relative movement direction of the laser beam with respect to the substrate (vertical direction in FIG. 8). In addition, although the existing techniques, such as a ball screw and a linear motor, are used as a rotational drive means of the optical system member 50, these illustration is abbreviate | omitted.

図8に示すように、レーザ光の分岐方向とレーザ光の走査方向(図8の垂直方向)とのなす角度を可変制御した場合でも、レーザ光の相対的な移動方向に対してDOE500は回転しないように構成している。すなわち、DOE500を使用することによって、レーザ光の照射形状は、図8の集光レンズ541〜544内に示したように、点線正方形のような照射形状を示すことになる。従って、光学系部材50の回転制御と共にDOE500を回転させると、集光レンズ541〜544内の点線正方形もその回転量に応じて回転するようになる。この状態でレーザ光を走査照射すると、スクライブ線の両側稜線に正方形の角が位置するようになり、稜線が波打ち形状を示すようになる。そこで、この実施の形態のように、光学系部材50を回転制御しても、DOE500は回転させないような構成とすることで、図8(B)及び図8(C)に示すように、走査方向(図8の垂直方向)と集光レンズ541〜544内の点線正方形の左右両辺とが一致し、スクライブ線の両側稜線を極めて滑らかに形成することができ、また、光学系部材50を回転させてスクライブ線のピッチを適宜制御した場合でも滑らかな稜線のスクライブ線を形成することが可能となる。なお、上述の実施の形態では、DOEをレーザ光の光路中に1つだけ設ける場合について説明したが、DOEを分岐後の各集光レンズの直前にそれぞれ設けてもよい。この場合でも、光学系部材50を回転制御しても各DOEは回転させないように構成する必要がある。DOE500は、光学系部材50とは分離した形でベース板31に直結して設けることによって、光学系部材50の回転から独立させることが可能である。   As shown in FIG. 8, even when the angle between the laser beam branching direction and the laser beam scanning direction (vertical direction in FIG. 8) is variably controlled, the DOE 500 rotates relative to the relative movement direction of the laser beam. It is configured not to. That is, by using the DOE 500, the irradiation shape of the laser light shows an irradiation shape like a dotted square as shown in the condensing lenses 541 to 544 in FIG. Therefore, when the DOE 500 is rotated together with the rotation control of the optical system member 50, the dotted squares in the condenser lenses 541 to 544 also rotate according to the rotation amount. When the laser beam is scanned and irradiated in this state, square corners are positioned on both side ridge lines of the scribe line, and the ridge line shows a wavy shape. Therefore, as shown in FIG. 8B and FIG. 8C, scanning is performed by adopting a configuration in which the DOE 500 is not rotated even if the rotation of the optical system member 50 is controlled as in this embodiment. The direction (vertical direction in FIG. 8) and the left and right sides of the dotted square in the condenser lenses 541 to 544 coincide with each other, and both sides of the scribe line can be formed very smoothly, and the optical system member 50 is rotated. Thus, even when the pitch of the scribe lines is appropriately controlled, it is possible to form a scribe line having a smooth ridge line. In the above-described embodiment, the case where only one DOE is provided in the optical path of the laser beam has been described. However, the DOE may be provided immediately before each condensing lens after branching. Even in this case, each DOE needs to be configured not to rotate even if the rotation of the optical system member 50 is controlled. The DOE 500 can be made independent of the rotation of the optical system member 50 by being directly connected to the base plate 31 in a form separated from the optical system member 50.

図9は、光学系部材の回転量とスクライブ線のピッチ幅との関係を示す図である。図9(A)は図8(A)に示すように光学系部材50が回転していない状態、図9(B)は図8(B)に示すように光学系部材50が約30度回転した状態、図9(C)は図8(C)に示すように光学系部材50が約45度回転した状態でそれぞれレーザスクライブ加工処理を行なった場合のスクライブ線の状態を示す図である。図9(A)の場合のスクライブ線のピッチをP0とすると、図9(B)の場合のピッチP30はP0×cos30°となり、図9(C)の場合のピッチP45はP0×cos45°となる。このように、この実施の形態に係るソーラパネル製造装置は、光学系部材50の回転角度を適宜調整することによって、スクライブ線のピッチ幅を所望の値に適宜可変調整することができる。   FIG. 9 is a diagram showing the relationship between the rotation amount of the optical system member and the pitch width of the scribe line. 9A shows a state where the optical system member 50 is not rotated as shown in FIG. 8A, and FIG. 9B shows a state where the optical system member 50 is rotated about 30 degrees as shown in FIG. 8B. FIG. 9C shows the state of the scribe line when the laser scribing process is performed with the optical system member 50 rotated about 45 degrees as shown in FIG. 8C. If the pitch of the scribe line in the case of FIG. 9A is P0, the pitch P30 in the case of FIG. 9B is P0 × cos 30 °, and the pitch P45 in the case of FIG. 9C is P0 × cos 45 °. Become. As described above, the solar panel manufacturing apparatus according to this embodiment can appropriately adjust the pitch width of the scribe line to a desired value by appropriately adjusting the rotation angle of the optical system member 50.

図10は、図1のアライメント部102,104に設けられる基板検出カメラシステムの一例を示す図である。図10(A)は、ガラス基板と基板検出カメラとの関係を示す側面図であり、図10(B)はその上面図である。アライメント部102,104には、基板検出カメラシステムとアライメントカメラシステムが設けられ、ガラス基板の検出とそのアライメント処理を行っている。基板検出カメラ65〜68は、エア浮上搬送されるガラス基板1がアライメント部102,104上に載置されるときに、ガラス基板1の四隅付近の画像をその上側から取得するものである。図10では、ガラス基板1がアライメント部102,104上に載置され、グリッパ部106,108に保持されてX軸方向にエア浮上移動して、レーザ加工ステーション10に投入される直前の様子を示す。図10(B)に示す画像65a〜68aは、基板検出カメラ65〜68によって取得されたガラス基板1の四隅付近の画像である。基板検出カメラ65〜68の相対的な位置関係は予め設定された既知の値なので、画像65a〜68aに示すように、曲がりや反りのないガラス基板1の四隅の各頂点は、基板検出カメラ65〜68の撮像範囲のほぼ中央付近に位置するように設定されている。従って、画像65a〜68aの中で各頂点の位置がずれていた場合、そのずれ量に基づいてガラス基板1の曲がり(反り)を検出することができるようになっている。また、画像65a〜68aに基づいてガラス基板1の四隅付近の欠けを検出することができる。なお、基板検出カメラ65〜68をガラス基板1の各辺に沿って移動させることによってガラス基板1の各辺の欠けを検出することができる。   FIG. 10 is a diagram illustrating an example of the substrate detection camera system provided in the alignment units 102 and 104 in FIG. FIG. 10A is a side view showing the relationship between the glass substrate and the substrate detection camera, and FIG. 10B is a top view thereof. The alignment units 102 and 104 are provided with a substrate detection camera system and an alignment camera system to detect a glass substrate and perform alignment processing thereof. The substrate detection cameras 65 to 68 acquire images near the four corners of the glass substrate 1 from the upper side when the glass substrate 1 that is airborne and conveyed is placed on the alignment units 102 and 104. In FIG. 10, the state immediately before the glass substrate 1 is placed on the alignment units 102 and 104, held by the gripper units 106 and 108, floats in the X-axis direction, and is introduced into the laser processing station 10. Show. Images 65 a to 68 a shown in FIG. 10B are images near the four corners of the glass substrate 1 acquired by the substrate detection cameras 65 to 68. Since the relative positional relationship between the substrate detection cameras 65 to 68 is a known value set in advance, as shown in the images 65 a to 68 a, the vertexes at the four corners of the glass substrate 1 that are not bent or warped are the substrate detection camera 65. It is set so as to be located near the center of the imaging range of .about.68. Therefore, when the positions of the vertices are deviated in the images 65a to 68a, the bending (warping) of the glass substrate 1 can be detected based on the deviation amount. Further, it is possible to detect a chip near the four corners of the glass substrate 1 based on the images 65a to 68a. Note that chipping of each side of the glass substrate 1 can be detected by moving the substrate detection cameras 65 to 68 along the respective sides of the glass substrate 1.

図11は、下に凸の曲がり(反り)を有するガラス基板を図1の基板検出カメラシステムが検出する場合の一例を示す図である。図11において、図10と同じ構成のものには同一の符号が付してあるので、その説明は省略する。図11が図10と異なる点は、エア浮上搬送されたガラス基板1fが下に凸の曲がり(反り)を有する点である。下に凸の曲がり(反り)を有するガラス基板1fがアライメント部102,104上に載置されると、基板検出カメラ65〜68にはガラス基板1fの四隅の各頂点がガラス基板1fの中心側にずれた状態の画像65b〜68bが撮像される。また、この画像65b〜68bに示すように、ガラス基板1fの四隅の各頂点付近に曲がり(反り)の大きさに応じた2本の平行な縁線が確認できるので、この場合は、ガラス基板1fは下に凸の状態でアライメント部102,104上にエア浮上した状態で載置されていることを検出することができる。   FIG. 11 is a diagram illustrating an example in which the substrate detection camera system in FIG. 1 detects a glass substrate having a downward convex curve (warpage). In FIG. 11, the same components as those in FIG. 10 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted. FIG. 11 is different from FIG. 10 in that the glass substrate 1f that is air levitated and conveyed has a downward convex curve (warp). When the glass substrate 1f having a downward convex curve (warp) is placed on the alignment units 102 and 104, the vertexes of the four corners of the glass substrate 1f are on the center side of the glass substrate 1f in the substrate detection cameras 65-68. Images 65b to 68b in a state of being shifted to are picked up. Moreover, as shown in these images 65b-68b, since two parallel edge lines according to the magnitude | size of bending (warping) can be confirmed near each vertex of the four corners of the glass substrate 1f, in this case, the glass substrate It is possible to detect that 1f is placed in a state of being air-levitated on the alignment units 102 and 104 in a convex state.

図12は、上に凸の曲がり(反り)を有するガラス基板を基板検出カメラシステムが検出する場合の一例を示す図である。図12において、図10及び図11と同じ構成のものには同一の符号が付してあるので、その説明は省略する。図12が図10及び図11と異なる点は、ガラス基板1gが上に凸の曲がり(反り)を有する点である。上に凸の曲がり(反り)を有するガラス基板1gはアライメント部102,104上でエア浮上しようとしてもエア浮上が困難であり、図12に示すようにガラス基板1gの周縁部がアライメント部102,104の表面に接触するようなぎりぎりの状態で載置される。また、基板検出カメラ65〜68には図11(B)と同じようにガラス基板1gの四隅の各頂点がガラス基板1gの中心側にずれた状態の画像65c〜68cが撮像されるが、この画像65c〜68cには、図11(B)の場合とは異なり、ガラス基板1gの四隅の各頂点付近に1本の縁線のみが確認できるだけである。従って、この場合は、ガラス基板1gは上に凸の状態でアライメント部102,104上にエア浮上できない状態で載置されていることを検出することができる。   FIG. 12 is a diagram illustrating an example in which the substrate detection camera system detects a glass substrate having an upward convex curve (warp). In FIG. 12, since the same code | symbol is attached | subjected to the same structure as FIG.10 and FIG.11, the description is abbreviate | omitted. FIG. 12 is different from FIGS. 10 and 11 in that the glass substrate 1g has an upward convex curve (warp). The glass substrate 1g having an upwardly convex bend (warpage) is difficult to air levitate even if it attempts to air levitate on the alignment portions 102 and 104, and as shown in FIG. It is mounted in a state of barely touching the surface of 104. Further, the substrate detection cameras 65 to 68 capture images 65c to 68c in a state where the four corners of the glass substrate 1g are shifted to the center side of the glass substrate 1g as in FIG. 11B. In the images 65c to 68c, unlike the case of FIG. 11B, only one edge line can be confirmed near each vertex of the four corners of the glass substrate 1g. Therefore, in this case, it is possible to detect that the glass substrate 1g is placed in a state in which the glass substrate 1g is convex upward and cannot be floated on the alignment units 102 and 104.

図13は、図1のアライメント部102,104に設けられる基板検出カメラシステムの別の一例を示す図である。図10の実施の形態では、基板検出カメラ65〜68は基板1の四隅付近の上部に設けられていたが、この実施の形態では、2台の基板検出カメラ65,68がガラス基板1の対角付近の上側に位置するようになっている。図13(A)において、ガラス基板1がアライメント部102,104上に載置された状態で、点線で示すガラス基板1がその位置から矢印のように右側に移動して実線で示すガラス基板1の位置(ガラス基板1の対角の上部に基板検出カメラ65,68が位置するような位置)に移動する。このガラス基板1の移動時に、基板検出カメラ68は、移動するガラス基板1の辺12の画像を取得する。そして、基板移動終了時には、基板検出カメラ65,68はガラス基板1の対角付近の頂点の画像(図10〜図12の画像65a〜65c,68a〜68c)を取得する。ガラス基板1が停止した状態で、今度は基板検出カメラ65,68は、図13(B)に示すように、点線矢印に沿って移動する。この基板検出カメラ65,68の移動時に、基板検出カメラ65は、ガラス基板1の辺13の画像を取得し、基板検出カメラ68は、ガラス基板1の辺14の画像を取得する。基板検出カメラ65,68の移動終了時には、基板検出カメラ65,68はガラス基板1の別の対角付近の頂点の画像(図10〜図12の画像66a〜65c,67a〜67c)を取得する。基板検出カメラ65,68が停止した状態で、今度はガラス基板1が図13(C)に示すように、点線で示すガラス基板1がその位置から矢印のように右側に移動して実線で示すガラス基板1の位置に移動する。このガラス基板1の移動時に、基板検出カメラ65は、移動するガラス基板1の辺15の画像を取得する。上述の一連の動作によって、2台の基板検出カメラ65,68を用いて、図10〜図12の場合と同様に、画像65a〜68a,65b〜68b,65c〜68cと基板1の各辺の画像を取得することができる。これによって、画像65a〜68a,65b〜68b,65c〜68cに基づいてガラス基板1の曲がり(反り)の方向や基板1の各辺の欠けを検出することができる。なお、一連の検出動作終了後に、基板検出カメラ65,68を図13(A)の初期位置に復帰させてもよいし、復帰させずに、逆の動作を行なうようにしてもよい。   FIG. 13 is a diagram illustrating another example of the substrate detection camera system provided in the alignment units 102 and 104 in FIG. In the embodiment of FIG. 10, the substrate detection cameras 65 to 68 are provided in the upper part near the four corners of the substrate 1, but in this embodiment, the two substrate detection cameras 65 and 68 are paired with the glass substrate 1. It is located above the corner. In FIG. 13A, in a state where the glass substrate 1 is placed on the alignment units 102 and 104, the glass substrate 1 indicated by the dotted line moves to the right side as indicated by the arrow from the position, and the glass substrate 1 indicated by the solid line. (Position where the substrate detection cameras 65 and 68 are positioned above the diagonal of the glass substrate 1). When the glass substrate 1 moves, the substrate detection camera 68 acquires an image of the side 12 of the moving glass substrate 1. Then, at the end of the substrate movement, the substrate detection cameras 65 and 68 acquire images of apexes near the diagonal of the glass substrate 1 (images 65a to 65c and 68a to 68c in FIGS. 10 to 12). With the glass substrate 1 stopped, the substrate detection cameras 65 and 68 move along the dotted arrows as shown in FIG. 13B. When the substrate detection cameras 65 and 68 are moved, the substrate detection camera 65 acquires an image of the side 13 of the glass substrate 1, and the substrate detection camera 68 acquires an image of the side 14 of the glass substrate 1. At the end of the movement of the substrate detection cameras 65 and 68, the substrate detection cameras 65 and 68 acquire images of vertices near another diagonal of the glass substrate 1 (images 66a to 65c and 67a to 67c in FIGS. 10 to 12). . With the substrate detection cameras 65 and 68 stopped, this time the glass substrate 1 is moved to the right as indicated by the arrow as shown by the dotted line, as shown in FIG. Move to the position of the glass substrate 1. When the glass substrate 1 moves, the substrate detection camera 65 acquires an image of the side 15 of the moving glass substrate 1. As in the case of FIGS. 10 to 12, the images 65 a to 68 a, 65 b to 68 b, 65 c to 68 c and each side of the substrate 1 are used by the above-described series of operations using the two substrate detection cameras 65 and 68. Images can be acquired. As a result, the direction of bending (warping) of the glass substrate 1 and chipping of each side of the substrate 1 can be detected based on the images 65a to 68a, 65b to 68b, and 65c to 68c. Note that the substrate detection cameras 65 and 68 may be returned to the initial positions shown in FIG. 13A after the series of detection operations, or the reverse operation may be performed without returning them.

上述のように、基板検出カメラ65〜68を用いた基板検出カメラシステムによって、アライメント部102,104上においてガラス基板が上に凸の曲がり(反り)で載置されているのか、下に凸の曲がり(反り)で載置されているのかを検出し、図12に示すように上に凸の曲がり(反り)で載置されている場合には、アライメント部102,104から表裏反転機構部143上にガラス基板を戻して、そこで表裏反転して又は表裏反転しないで、ガラス基板が下に凸の曲がり(反り)で載置されるようにする。ガラス基板が上に凸となる曲がり(反り)で載置されると、ガラス基板の搬送時にガラス基板の周縁部が十分に浮上しきれず、ステージに接触し、最悪の場合、ガラス基板がステージに接触した衝撃で破損するおそれがあるので、上述のようにガラス基板については下に凸の曲がり(反り)で載置されるようにするのが好ましい。また、ガラス基板を下に凸の曲がり(反り)で載置した場合、加工時にはエア浮上と共に吸引されるため、ドミノ効果によってガラス基板の曲がり(反り)が強制され、曲がり(反り)が軽減され、曲がり(反り)の軽減によって、オートフォーカスの調整量を少なくすることができる。従って、曲がり(反り)のあるガラス基板においては、下に凸の曲がり(反り)で載置した方が好ましい。なお、ガラス基板に曲がり(反り)が発生するのは、成膜装置によって形成された膜面の外側方向に曲がる傾向にあるので、予め成膜装置によって形成された膜面側を下側にするようにしてもよい。図11〜図13は、アライメントカメラで基板の反り状態を検出する例を上げたが、図には図示していないがアライメントカメラ65〜68のユニットに基板とアライメントカメラユニット間の距離を測定するユニットを搭載することで基板の反りを測定するようにしてもよい。   As described above, the substrate detection camera system using the substrate detection cameras 65 to 68 has the glass substrate placed on the alignment units 102 and 104 with a convex curve (warp) or a convex downward. It is detected whether it is placed with a bend (warp), and when it is placed with an upward convex bend (warp) as shown in FIG. The glass substrate is returned to the top so that the glass substrate is placed with a convex curve (warp) downward, with the front and back being reversed or not being reversed. If the glass substrate is placed with a convex curve (warp), the peripheral edge of the glass substrate cannot be sufficiently lifted when the glass substrate is transported and comes into contact with the stage. In the worst case, the glass substrate is placed on the stage. Since there exists a possibility of damaging with the impact which contacted, as mentioned above, it is preferable to make it mount by a downward convex curve (warp) about a glass substrate. In addition, if the glass substrate is placed with a convex bend (warp) downward, it is sucked together with the air levitation during processing, so the bend (warp) of the glass substrate is forced by the domino effect and the bend (warp) is reduced. By reducing the bending (warping), the amount of autofocus adjustment can be reduced. Therefore, in a glass substrate having a bend (warp), it is preferable to place the glass substrate with a downward bend (warp). Note that the glass substrate is bent (warped) because it tends to bend in the outer direction of the film surface formed by the film forming apparatus, so that the film surface side previously formed by the film forming apparatus is set downward. You may do it. FIGS. 11 to 13 show an example in which the substrate warpage state is detected by the alignment camera, but the distance between the substrate and the alignment camera unit is measured in the units of the alignment cameras 65 to 68 although not shown in the figure. You may make it measure the curvature of a board | substrate by mounting a unit.

図14は、図1のアライメント部102,104に設けられるアライメントカメラシステムの一例を示す図である。アライメントカメラシステムは、ガラス基板1の両端部(X軸方向の前後縁部)付近の画像を取得する。このアライメントカメラカステムで取得された画像は、制御装置80に出力される。制御装置80は、アライメントカメラシステムからの画像を、ガラス基板1のIDデータ及び表裏フラグと共にデータベース手段に格納し、これ以降のガラス基板1のアライメント処理に利用する。表裏フラグは基板の表を示す場合は「0」、裏を示す場合は「1」が格納される。図14は最初のスクライブ処理前のアライメント部の一例を示し、図15は、2回目以降のスクライブ処理前のアライメント部の一例をそれぞれ示す図である。まず、図14に示すようにガラス基板1を載置した状態でガラス基板1の左側端部の下側縁部を位置決めピン21に、ガラス基板1の下側端部の左側縁部を位置決めピン22に、ガラス基板1の下側端部の右側縁部を位置決めピン23に、それぞれ突き当て、ガラス基板1を所定位置に位置決めする。この状態でガラス基板1上の透明電極層にレーザ光を照射し、スクライブ処理を実行する。最初のスクライブ処理の結果、ガラス基板1上には、ピッチ約10mmでスクライブ線が形成される。   FIG. 14 is a diagram illustrating an example of an alignment camera system provided in the alignment units 102 and 104 in FIG. The alignment camera system acquires images near both ends (front and rear edges in the X-axis direction) of the glass substrate 1. An image acquired by the alignment camera system is output to the control device 80. The control device 80 stores the image from the alignment camera system in the database unit together with the ID data of the glass substrate 1 and the front and back flags, and uses them for the subsequent alignment processing of the glass substrate 1. The front / back flag stores “0” when indicating the front side of the board, and “1” when indicating the back side. FIG. 14 shows an example of the alignment unit before the first scribe process, and FIG. 15 shows an example of the alignment part before the second and subsequent scribe processes. First, as shown in FIG. 14, with the glass substrate 1 placed, the lower edge of the left end of the glass substrate 1 is used as the positioning pin 21, and the left edge of the lower end of the glass substrate 1 is used as the positioning pin. 22, the right edge of the lower end of the glass substrate 1 is abutted against the positioning pins 23 to position the glass substrate 1 at a predetermined position. In this state, the transparent electrode layer on the glass substrate 1 is irradiated with laser light, and a scribing process is executed. As a result of the initial scribing process, scribing lines are formed on the glass substrate 1 with a pitch of about 10 mm.

図14は複数のスクライブ線のうち、基板中央付近の1本のスクライブ線25を示す。このスクライブ線25の両端部付近、すなわちスクライブ線25とガラス基板1の縁部との両方を含む箇所27,29付近の画像27a,29aを前述のアライメントカメラシステムで取得する。画像27a,29aを見ると分かるように、画像の中にスクライブ線25の画像とガラス基板1の縁部の形状の画像の両方を含んでいるので、画像認識処理が容易となる。取得された画像27a,29aは制御装置80によってガラス基板1のIDデータ及び基板表裏フラグ「0」と共にデータベース手段75に順次記憶される。なお、この基板の表面に関するデータを取得後にガラス基板1の表裏を反転して同様に基板の裏面に関しても画像データを取得し、ガラス基板1のIDデータ及び基板表裏フラグ「1」と共にデータベース手段75に順次記憶する。   FIG. 14 shows one scribe line 25 near the center of the substrate among the plurality of scribe lines. Images 27a and 29a in the vicinity of both ends of the scribe line 25, that is, the positions 27 and 29 including both the scribe line 25 and the edge of the glass substrate 1, are acquired by the alignment camera system described above. As can be seen from the images 27a and 29a, since both the image of the scribe line 25 and the image of the shape of the edge of the glass substrate 1 are included in the image, the image recognition process is facilitated. The acquired images 27a and 29a are sequentially stored in the database means 75 by the control device 80 together with the ID data of the glass substrate 1 and the substrate front / back flag “0”. After acquiring the data on the front surface of the substrate, the front and back surfaces of the glass substrate 1 are reversed and the image data is also acquired on the back surface of the substrate in the same manner, and the database means 75 together with the ID data of the glass substrate 1 and the substrate front and back flag “1”. Are stored in sequence.

図14に示すように、レーザ加工によるスクライブ処理終了後に画像27a,29aの取得処理が終了すると、次は、次段の成膜装置でこの透明電極層の上に半導体層を形成する処理が行なわれる。半導体層形成処理が終了した後、ガラス基板1に対して前述と同様のレーザ光によるスクライブ処理が実行される。この2回目のスクライブ処理の前に図15に示すような方法でアライメント処理が行なわれる。   As shown in FIG. 14, when the acquisition process of the images 27a and 29a is completed after the scribing process by the laser processing is completed, a process for forming a semiconductor layer on the transparent electrode layer is performed in the next film forming apparatus. It is. After the semiconductor layer forming process is completed, the glass substrate 1 is subjected to the same scribing process using laser light as described above. Prior to the second scribing process, an alignment process is performed as shown in FIG.

図15では、基板検出カメラ65〜68を用いた基板検出カメラシステムによって、アライメント部102,104上においてガラス基板が下に凸の曲がり(反り)で載置されるようにし、次に上述のアライメント処理と同じようにガラス基板1を載置した状態でガラス基板1の左側端部の下側縁部を位置決めピン21に、ガラス基板1の下側端部の左側縁部を位置決めピン22に、ガラス基板1の下側端部の右側縁部を位置決めピン23に、それぞれ突き当て、ガラス基板1を所定位置に位置決めする。この状態で、スクライブ線25の両端部付近、すなわちスクライブ線25とガラス基板1の縁部との両方を含む箇所27,29付近の画像27b,29bをアライメントカメラシステムで取得する。一方、制御装置80は、データベース手段75からガラス基板1のIDデータ及び表裏フラグに対応した画像27a,29aを読み出す。制御装置80によって、読み出された画像27a,29aと、アライメントカメラシステムで取得された画像27b,29bとが比較され、両者が一致するように、X軸,Y軸及びθ軸が制御され、正確なアライメント処理が行なわれる。   In FIG. 15, the substrate detection camera system using the substrate detection cameras 65 to 68 causes the glass substrate to be placed on the alignment units 102 and 104 with a downward convex curve (warp), and then the alignment described above. In the state where the glass substrate 1 is placed in the same manner as the processing, the lower edge of the left end of the glass substrate 1 is used as the positioning pin 21, and the left edge of the lower end of the glass substrate 1 is used as the positioning pin 22. The right edge of the lower end of the glass substrate 1 is abutted against the positioning pins 23 to position the glass substrate 1 at a predetermined position. In this state, images 27b and 29b in the vicinity of both ends of the scribe line 25, that is, locations 27 and 29 including both the scribe line 25 and the edge of the glass substrate 1 are acquired by the alignment camera system. On the other hand, the control device 80 reads out the images 27 a and 29 a corresponding to the ID data and the front and back flags of the glass substrate 1 from the database means 75. The control device 80 compares the read images 27a and 29a with the images 27b and 29b acquired by the alignment camera system, and controls the X axis, the Y axis, and the θ axis so that they match. An accurate alignment process is performed.

図15に示すようにして、画像27a,29aと画像27b,29bの比較処理によるアライメント処理が終了すると、前回のスクライブ線25から約30μmはなれた位置でレーザ光によるスクライブ処理が実行される。このスクライブ処理が終了すると、次段の成膜装置で半導体層の上に金属層を形成する処理が行なわれる。再び、レーザ加工装置に基板が搬入され、図15と同様のアライメント処理が行なわれ、ガラス基板1に対して同様にレーザ光によるスクライブ処理が実行される。これによって、ガラス基板1には、3本のスクライブ線が形成される。   As shown in FIG. 15, when the alignment process by the comparison process of the images 27a and 29a and the images 27b and 29b is completed, the scribing process by the laser beam is executed at a position about 30 μm away from the previous scribe line 25. When this scribing process is completed, a process for forming a metal layer on the semiconductor layer is performed by the next-stage film forming apparatus. Again, the substrate is carried into the laser processing apparatus, alignment processing similar to that shown in FIG. 15 is performed, and scribing processing using laser light is similarly performed on the glass substrate 1. Thereby, three scribe lines are formed on the glass substrate 1.

図16は、本発明に係るソーラパネル製造装置のループ方式の実施例を示す図である。図16において、図1と同じ構成のものには同一の符号が付してあるので、その説明は省略する。この製造装置が図1のものと異なる点は、図1の製造装置のレーザ加工ステーション101に存在したアライメント部104が省略され、搬入出ロボットステーション142が図の右側から左側への一方向の搬送を行う点である。従って、図16の製造装置では、表裏反転機構部143に搬入されたガラス基板1mは、ガラス基板1nとしてアライメント部102でアライメント処理される。その後、ガラス基板1o,1pとして加工エリア部112で所定の加工が施される。加工後のガラス基板1qはレーザ加工ステーション101から搬入出ロボットステーション142の右端へガラス基板1rとして搬送され、そこからガラス基板1mとして表裏反転機構部143に搬送されて、そこで表裏反転されて又は表裏反転されずにローラコンベア121に搬出される。図16の製造装置では、レーザ加工中にアライメント部102でアライメント処理を行っている。グリッパ部106はレーザ加工終了後、ガラス基板を直ちに搬入出ロボットステーション142へ搬送すると、グリッパ106をアライメント部102に移動させてガラス基板を保持して、同様のレーザ加工処理を行っている。すなわち、ガラス基板は製造装置上をループ状に移動する。従って、タクトタイムは図1の場合よりも若干大きくなるが、表裏反転機構部143を1個設けるだけでよく、装置を簡略化することができる。   FIG. 16 is a diagram showing an embodiment of a loop system of the solar panel manufacturing apparatus according to the present invention. In FIG. 16, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted. The manufacturing apparatus differs from that in FIG. 1 in that the alignment unit 104 existing in the laser processing station 101 of the manufacturing apparatus in FIG. 1 is omitted, and the loading / unloading robot station 142 is transported in one direction from the right side to the left side in the figure. It is a point to do. Therefore, in the manufacturing apparatus of FIG. 16, the glass substrate 1m carried into the front / back reversing mechanism unit 143 is subjected to alignment processing by the alignment unit 102 as the glass substrate 1n. Thereafter, predetermined processing is performed in the processing area portion 112 as the glass substrates 1o and 1p. The processed glass substrate 1q is transported from the laser processing station 101 to the right end of the loading / unloading robot station 142 as a glass substrate 1r, and from there is transported as a glass substrate 1m to the front / back reversing mechanism unit 143, where the front / back is reversed or front / back. It is carried out to the roller conveyor 121 without being inverted. In the manufacturing apparatus of FIG. 16, alignment processing is performed by the alignment unit 102 during laser processing. When the gripper unit 106 immediately transports the glass substrate to the carry-in / out robot station 142 after the laser processing is completed, the gripper 106 is moved to the alignment unit 102 to hold the glass substrate and perform the same laser processing. That is, the glass substrate moves in a loop on the manufacturing apparatus. Accordingly, the tact time is slightly larger than that in the case of FIG. 1, but it is only necessary to provide one front / back reversing mechanism 143, and the apparatus can be simplified.

図17は、本発明に係るソーラパネル製造装置のリターン方式の別の実施例を示す図である。図17において、図1と同じ構成のものには同一の符号が付してあるので、その説明は省略する。この製造装置が図1のものと異なる点は、ローラコンベア121及び表裏反転機構部143に対するガラス基板の搬入出処理をハンドリングアーム方式の基板搬送ロボット146を用いるようにした点である。従って、図17の製造装置では、ローラコンベア121からガラス基板1xを表裏反転機構部143に搬入し、そこで表裏反転を行い又は表裏反転を行なわずに、ガラス基板1nとしてアライメント部102に搬送するか又は基板搬送ロボット146を用いて再度搬入出ロボットステーション144の右端へガラス基板1rとして搬送する。レーザ加工ステーション101では、図1と同様に、両サイドのアライメント部102,104でアライメント処理を行いレーザ加工処理を行なう。なお、表裏反転機構部を別途ガラス基板1rの箇所に設けてもよいし、表裏反転機構部143を省略してローラコンベア121と搬入出ロボットステーション144との間に別の表裏反転機構部を設けるようにしてもよい。   FIG. 17 is a diagram showing another embodiment of the return method of the solar panel manufacturing apparatus according to the present invention. In FIG. 17, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted. This manufacturing apparatus is different from that shown in FIG. 1 in that the handling arm type substrate transport robot 146 is used to carry in and out the glass substrate to and from the roller conveyor 121 and the front / back reversing mechanism 143. Therefore, in the manufacturing apparatus of FIG. 17, the glass substrate 1x is carried from the roller conveyor 121 to the front / back reversing mechanism unit 143, and is transferred to the alignment unit 102 as the glass substrate 1n without performing front / back reversing or front / back reversing. Alternatively, the substrate transfer robot 146 is used to transfer the glass substrate 1r to the right end of the load / unload robot station 144 again. In the laser processing station 101, as in FIG. 1, alignment processing is performed by the alignment units 102 and 104 on both sides to perform laser processing. The front / back reversing mechanism may be provided separately on the glass substrate 1r, or the front / back reversing mechanism 143 is omitted and another front / back reversing mechanism is provided between the roller conveyor 121 and the loading / unloading robot station 144. You may do it.

図18は、本発明に係るソーラパネル製造装置のダブルサイド方式の実施例を示す図である。この実施例は、図1のアライメント部102,104を備えたレーザ加工ステーション101の両側からガラス基板を搬入出するようにしたものである。図18において、図1と同じ構成のものには同一の符号が付してあるので、その説明は省略する。この製造装置が図1のものと異なる点は、レーザ加工ステーション101の両側にローラコンベア121,122が設けられ、ローラコンベア121,122に表裏反転機構部147,148が設けられている点である。従って、図18の製造装置では、両側のローラコンベア121,122からガラス基板1x1,1x2,1y1,1y2,1z1,1z2のように順番に表裏反転機構部147,148を経由してアライメント部102,104に搬入出される。レーザ加工ステーション101は、図1と同様に、両サイドのアライメント部102,104でアライメント処理されたガラス基板に対してレーザ加工処理を行なう。なお、表裏反転機構部が不要な場合は、表裏反転機構部147,148は省略してもよい。   FIG. 18 is a diagram showing an example of a double side system of the solar panel manufacturing apparatus according to the present invention. In this embodiment, glass substrates are carried in and out from both sides of the laser processing station 101 having the alignment units 102 and 104 of FIG. In FIG. 18, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted. The manufacturing apparatus is different from that shown in FIG. 1 in that roller conveyors 121 and 122 are provided on both sides of the laser processing station 101, and front and back reversing mechanisms 147 and 148 are provided on the roller conveyors 121 and 122, respectively. . Therefore, in the manufacturing apparatus of FIG. 18, the alignment units 102, 148 are sequentially passed from the roller conveyors 121, 122 on both sides to the glass substrates 1 x 1, 1 x 2, 1 y 1, 1 y 2, 1 z 1, 1 z 2 in order. It is carried in / out 104. As in FIG. 1, the laser processing station 101 performs laser processing on the glass substrates aligned by the alignment units 102 and 104 on both sides. If the front / back reversing mechanism portion is unnecessary, the front / back reversing mechanism portions 147 and 148 may be omitted.

上述の実施の形態では、最初のスクライブ処理の結果、ガラス基板1上に形成されたスクライブ線を含む画像を取得する場合について説明したが、2回目のスクライブ処理の結果、ガラス基板1上に形成された2本のスクライブ線を含む画像を取得して、それを用いてアライメント処理を行なうようにしてもよい。また、上述の実施の形態では、アライメントカメラシステムと基板検出カメラ65〜68を別々に設ける場合について説明したが、アライメントカメラシステムに図11に示すような移動機構を設けて、基板検出カメラ65〜68の機能を兼用させるようにしてもよい。   In the above-described embodiment, the case where an image including a scribe line formed on the glass substrate 1 is acquired as a result of the first scribe process has been described. However, the image is formed on the glass substrate 1 as a result of the second scribe process. An image including the two scribe lines thus obtained may be acquired, and alignment processing may be performed using the acquired image. Moreover, although the above-mentioned embodiment demonstrated the case where an alignment camera system and the board | substrate detection cameras 65-68 were provided separately, the movement mechanism as shown in FIG. 68 functions may also be used.

上述の実施の形態では、パルス抜けの発生だけを見ているが、パルス抜けが発生した箇所の座標データ(位置データ)を取得して記憶することによって、スクライブ線のリペア処理を行なうことが可能となる。
上述の実施の形態では、光軸検査用CCDカメラ96を用いてビームサンプラ93で分岐出力されたレーザ光の一部(サンプリングビーム)を直接受光して、それを画像処理することによって、光軸ずれを検査する場合について説明したが、高速フォトダイオード94の受光面の中央にレーザ光が受光した状態を示す画像を被検査画像として光軸検査用CCDカメラ96あるいは分割型フォトダイオードで取得することによって光軸ずれを検査するようにしてもよい。
上述の実施の形態では、レーザ光の光軸ずれ及びパルス抜けを検査する場合について説明したが、光軸ずれ、パルス抜け、パルス幅及びパルス高さのそれぞれを適宜組み合わせてレーザ光の状態を検査するようにしてもよい。
上述の実施の形態では、薄膜の形成されたガラス基板1の表面からレーザ光を照射して薄膜にスクライブ線(溝)を形成する場合について説明したが、ガラス基板1の裏面からレーザ光を照射して、基板表面の薄膜にスクライブ線を形成するようにしてもよい。
上述の実施の形態では、ソーラパネル製造装置を例に説明したが、本発明はELパネル製造装置、ELパネル修正装置、FPD修正装置などのレーザ加工を行なう装置にも適用可能である。
In the above-described embodiment, only the occurrence of missing pulses is observed, but by acquiring and storing the coordinate data (position data) of the location where the missing pulses have occurred, it is possible to perform a scribe line repair process. It becomes.
In the above-described embodiment, a part of the laser beam (sampling beam) branched and output by the beam sampler 93 is directly received using the CCD camera 96 for optical axis inspection, and the optical beam is processed by image processing. The case where the deviation is inspected has been described. An image showing a state where the laser beam is received at the center of the light receiving surface of the high-speed photodiode 94 is acquired as an inspection image by the CCD camera 96 for optical axis inspection or the split type photodiode. Thus, the optical axis deviation may be inspected.
In the above-described embodiment, the case of inspecting the optical axis deviation and the missing pulse of the laser beam has been described. However, the state of the laser beam is inspected by appropriately combining the optical axis deviation, the missing pulse, the pulse width, and the pulse height. You may make it do.
In the above-described embodiment, the case where the laser beam is irradiated from the surface of the glass substrate 1 on which the thin film is formed to form the scribe line (groove) in the thin film is described. However, the laser beam is irradiated from the back surface of the glass substrate 1. And you may make it form a scribe line in the thin film of the substrate surface.
In the above-described embodiment, the solar panel manufacturing apparatus has been described as an example. However, the present invention can also be applied to an apparatus that performs laser processing, such as an EL panel manufacturing apparatus, an EL panel correction apparatus, and an FPD correction apparatus.

1…ガラス基板
1f,1g,1x〜1z,1m〜1r…ガラス基板
10…レーザ加工ステーション
10a…アライメント部
10b…グリッパ部
10c…グリッパ駆動部
10d…加工エリア部
10…台座
101…レーザ加工ステーション
102,104…アライメント部
106,108…グリッパ部
110…グリッパ駆動部
112…加工エリア部
121…ローラコンベア
12,13,14,15…辺
141…搬入出ロボットステーション
143…表裏反転機構部
20…XYテーブル
30…スライドフレーム
31…ベース板
33…ガルバノミラー
331…ガルバノ制御裝置
332…ビームサンプラ
333…4分割フォトダイオード
33xy,33yz…モータ
34,35…反射ミラー
37…貫通穴
40…レーザ発生装置
50…光学系部材
500…位相型回折光学素子(DOE)
511〜513…ハーフミラー
521〜528…反射ミラー
531〜534…シャッター機構
541〜544…集光レンズ
52,54…オートフォーカス用測長システム
60…アライメントカメラ装置
65〜68…基板検出カメラ
65a〜68a,65b〜68b,65c〜68c…画像
70…リニアエンコーダ
80…制御装置
81…分岐手段
82…パルス抜け判定手段
83…アラーム発生手段
84…基準CCD画像記憶手段
85…光軸ずれ量計測手段
86…レーザコントローラ
87…レンズ変位量計測手段
88…レンズ高さ調整手段
89…照射レーザ状態検査手段
8A…照射レーザ調整手段
92,93…ビームサンプラ
94…高速フォトダイオード
96…光軸検査用CCDカメラ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Glass substrate 1f, 1g, 1x-1z, 1m-1r ... Glass substrate 10 ... Laser processing station 10a ... Alignment part 10b ... Gripper part 10c ... Gripper drive part 10d ... Processing area part 10 ... Base 101 ... Laser processing station 102 , 104 ... Alignment section 106, 108 ... Gripper section 110 ... Gripper drive section 112 ... Processing area section 121 ... Roller conveyors 12, 13, 14, 15 ... Side 141 ... Loading / unloading robot station 143 ... Front / back reversing mechanism section 20 ... XY table 30 ... Slide frame 31 ... Base plate 33 ... Galvano mirror 331 ... Galvano control device 332 ... Beam sampler 333 ... Quadrant photodiode 33xy, 33yz ... Motor 34, 35 ... Reflection mirror 37 ... Through hole 40 ... Laser generator 50 ... Optical System member 500... Phase type diffractive optical element (DOE)
511 to 513, half mirrors 521 to 528, reflection mirrors 531 to 534, shutter mechanisms 541 to 544, condensing lenses 52, 54, length measuring system 60 for autofocus, alignment camera devices 65 to 68, and substrate detection cameras 65a to 68a , 65b to 68b, 65c to 68c ... image 70 ... linear encoder 80 ... control device 81 ... branching means 82 ... pulse missing judging means 83 ... alarm generating means 84 ... reference CCD image storage means 85 ... optical axis deviation amount measuring means 86 ... Laser controller 87 ... lens displacement measuring means 88 ... lens height adjusting means 89 ... irradiation laser state inspection means 8A ... irradiation laser adjustment means 92 and 93 ... beam sampler 94 ... high-speed photodiode 96 ... CCD camera for optical axis inspection

Claims (9)

基板に曲がり(反り)が存在する場合に、前記基板の曲がり(反り)が下に凸となるように前記基板の表裏反転を行なってから前記基板をレーザ光による加工位置にエア浮上搬入することを特徴とするレーザ加工方法。   When the substrate is bent (warped), the substrate is turned upside down so that the substrate is bent downward (warped), and then the substrate is floated to the processing position by the laser beam. A laser processing method characterized by the above. 請求項1に記載のレーザ加工方法において、前記基板の四隅付近の画像を取得し、前記画像に基づいて前記基板の曲がり(反り)の状態を検出し、検出した状態に応じて前記基板の曲がり(反り)が下に凸となるように前記基板の表裏反転を行なうことを特徴とするレーザ加工方法。   2. The laser processing method according to claim 1, wherein an image in the vicinity of the four corners of the substrate is acquired, a bending (warping) state of the substrate is detected based on the image, and the bending of the substrate is detected according to the detected state. A laser processing method, wherein the substrate is turned upside down so that (warp) is convex downward. 請求項2に記載のレーザ加工方法において、前記基板の曲がり(反り)の状態を検出すると共に前記基板の外周縁の画像を取得し、その画像に基づいて前記基板の前記外周縁の欠けを検出することを特徴とするレーザ加工方法。   The laser processing method according to claim 2, wherein a state of bending (warping) of the substrate is detected, an image of the outer peripheral edge of the substrate is acquired, and a chip of the outer peripheral edge of the substrate is detected based on the image. And a laser processing method. 請求項1、2又は3に記載のレーザ加工方法において、前記基板を前記加工位置にアライメント処理する際に、前記レーザ光による最初の加工処理が終了した時点で、前記最初の加工処理によって形成された前記基板の形状変化部分と前記基板の縁部との両方を含む箇所の画像を取得し、前記画像を前記基板のIDデータ及び表裏フラグとして記憶しておき、2回目以降の加工処理を施す際は前記IDデータ及び表裏フラグに基づいて前記アライメント処理を行なうことを特徴とするレーザ加工方法。   4. The laser processing method according to claim 1, wherein when the substrate is aligned at the processing position, the first processing is completed when the first processing by the laser beam is completed. Further, an image of a portion including both the shape change portion of the substrate and the edge of the substrate is acquired, and the image is stored as ID data of the substrate and a front / back flag, and the second and subsequent processings are performed. In some cases, the alignment process is performed based on the ID data and the front and back flags. 基板に曲がり(反り)が存在する場合に、前記基板の曲がり(反り)が下に凸となるように前記基板の表裏反転を行なってからレーザ光による加工位置にエア浮上搬入する搬入手段と、
前記搬入手段によって搬入された基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された前記基板にレーザ光を照射して所定の加工処理を施すレーザ光照射手段と
を備えたことを特徴とするレーザ加工装置
When there is a bend (warp) in the substrate, carry-in means for air levitation to the processing position by the laser light after turning the substrate upside down so that the bend (warp) of the substrate is convex downward;
Holding means for holding the substrate carried in by the carry-in means;
And a laser beam irradiating means for irradiating the substrate held by the holding means with a laser beam to perform a predetermined processing.
請求項5に記載のレーザ加工装置において、前記基板の四隅付近の画像を取得する画像取得手段と、前記画像取得手段によって取得された前記画像に基づいて前記基板の曲がり(反り)の状態を検出する検出手段と、前記検出手段によって検出された前記基板の状態に応じて前記基板の曲がり(反り)が下に凸となるように前記基板の表裏反転を行なう表裏反転手段とを備えたことを特徴とするレーザ加工装置   The laser processing apparatus according to claim 5, wherein an image acquisition unit that acquires images near the four corners of the substrate, and a state of bending (warping) of the substrate is detected based on the image acquired by the image acquisition unit. And a front / back reversing means for reversing the front and back of the substrate so that the bending (warping) of the substrate is convex downward according to the state of the substrate detected by the detection means. Characteristic laser processing equipment 請求項6に記載のレーザ加工装置において、前記画像取得手段は、前記基板の四隅付近の画像を取得すると共に前記基板の外周縁の画像を取得し、前記検出手段は前記外周縁の画像に基づいて前記基板の前記外周縁の欠けを検出することを特徴とするレーザ加工装置   The laser processing apparatus according to claim 6, wherein the image acquisition unit acquires an image near the four corners of the substrate and acquires an image of an outer peripheral edge of the substrate, and the detection unit is based on the image of the outer peripheral edge. And detecting a chip in the outer peripheral edge of the substrate. 請求項5、6又は7に記載のレーザ加工装置において、前記レーザ光による最初の加工処理が終了した時点で、前記最初の加工処理によって形成された前記基板の形状変化部分と前記基板の縁部との両方を含む箇所の画像を取得する第2の画像取得手段と、
前記第2の画像取得手段によって取得された前記画像を前記基板のIDデータ及び表裏フラグとして記憶する記憶手段と、
2回目以降の加工処理を施す際は、前記IDデータ及び表裏フラグに基づいて前記アライメント手段によるアライメント処理を制御する制御手段と
を備えたことを特徴とするレーザ加工装置。
8. The laser processing apparatus according to claim 5, wherein when the first processing by the laser beam is completed, the shape change portion of the substrate and the edge of the substrate formed by the first processing. Second image acquisition means for acquiring an image of a location including both of
Storage means for storing the image acquired by the second image acquisition means as ID data and front and back flags of the substrate;
And a control means for controlling an alignment process by the alignment means based on the ID data and the front and back flags when performing the second and subsequent machining processes.
請求項1から4までのいずれか1に記載のレーザ加工方法又は請求項5から8までのいずれか1に記載のレーザ加工装置を用いて、ソーラパネルを製造することを特徴とするソーラパネル製造方法。   A solar panel is manufactured by using the laser processing method according to any one of claims 1 to 4 or the laser processing apparatus according to any one of claims 5 to 8. Method.
JP2009174499A 2009-07-27 2009-07-27 Laser processing method, laser processing apparatus, and solar panel manufacturing method Expired - Fee Related JP5383365B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009174499A JP5383365B2 (en) 2009-07-27 2009-07-27 Laser processing method, laser processing apparatus, and solar panel manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009174499A JP5383365B2 (en) 2009-07-27 2009-07-27 Laser processing method, laser processing apparatus, and solar panel manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011025286A true JP2011025286A (en) 2011-02-10
JP5383365B2 JP5383365B2 (en) 2014-01-08

Family

ID=43634646

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009174499A Expired - Fee Related JP5383365B2 (en) 2009-07-27 2009-07-27 Laser processing method, laser processing apparatus, and solar panel manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5383365B2 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014080442A1 (en) * 2012-11-21 2014-05-30 オー・エム・シー株式会社 Laser welding method and apparatus therefor
JP2015170688A (en) * 2014-03-06 2015-09-28 株式会社ダイヘン Substrate damage detection device, substrate transfer robot including the same, and substrate damage detection method
CN116819828A (en) * 2023-08-30 2023-09-29 永林电子股份有限公司 Warp-proof LED backlight plate

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001063822A (en) * 1999-08-30 2001-03-13 Watanabe Shoko:Kk Levitation conveying method
JP2005132694A (en) * 2003-10-31 2005-05-26 Japan Steel Works Ltd:The Glass cutting method
JP2006054254A (en) * 2004-08-10 2006-02-23 Kaneka Corp Method for manufacturing photoelectric converter
JP2008229724A (en) * 2002-08-30 2008-10-02 Sumitomo Heavy Ind Ltd Laser processing method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001063822A (en) * 1999-08-30 2001-03-13 Watanabe Shoko:Kk Levitation conveying method
JP2008229724A (en) * 2002-08-30 2008-10-02 Sumitomo Heavy Ind Ltd Laser processing method
JP2005132694A (en) * 2003-10-31 2005-05-26 Japan Steel Works Ltd:The Glass cutting method
JP2006054254A (en) * 2004-08-10 2006-02-23 Kaneka Corp Method for manufacturing photoelectric converter

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014080442A1 (en) * 2012-11-21 2014-05-30 オー・エム・シー株式会社 Laser welding method and apparatus therefor
JPWO2014080442A1 (en) * 2012-11-21 2017-01-05 オー・エム・シー株式会社 Laser welding method and apparatus
JP2015170688A (en) * 2014-03-06 2015-09-28 株式会社ダイヘン Substrate damage detection device, substrate transfer robot including the same, and substrate damage detection method
CN116819828A (en) * 2023-08-30 2023-09-29 永林电子股份有限公司 Warp-proof LED backlight plate
CN116819828B (en) * 2023-08-30 2023-11-07 永林电子股份有限公司 Warp-proof LED backlight plate

Also Published As

Publication number Publication date
JP5383365B2 (en) 2014-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI421141B (en) Laser processing method, laser processing device and solar panel manufacturing method
JP2011156574A (en) Focusing device for laser beam machining, laser beam machining apparatus and method for manufacturing solar panel
US7684031B2 (en) Visual inspection apparatus, visual inspection method, and peripheral edge inspection unit that can be mounted on visual inspection apparatus
JP5377086B2 (en) Laser processing method, laser processing apparatus, and solar panel manufacturing method
CN108010875B (en) Substrate calibration device and detection system
KR101080216B1 (en) Apparatus for inspecting glass edge and method for inspecting glass edge using thereof
JP2007205724A (en) Shape measuring device and measuring method of glass substrate
TW201315554A (en) Laser processing device and laser processing method
JP5383365B2 (en) Laser processing method, laser processing apparatus, and solar panel manufacturing method
JP2011177771A (en) Laser beam machining method, laser beam machining apparatus, and method for manufacturing solar panel
JP5268749B2 (en) Substrate condition inspection method, laser processing apparatus, and solar panel manufacturing method
KR102645229B1 (en) Inspection jig and inspection method
JP2012248728A (en) Die bonder and bonding method
TWI381899B (en) Laser processing method, laser processing apparatus, and solar panel manufacturing method
JP5349352B2 (en) Laser light state inspection method and apparatus, laser processing method and apparatus, and solar panel manufacturing method
JP2011177770A (en) Laser beam working system and method for manufacturing solar panel
JP5371514B2 (en) Laser light state inspection method and apparatus, and solar panel manufacturing method
JP2011067865A (en) Method and device for laser beam machining, and method for manufacturing solar panel
JP4491447B2 (en) Laser beam / ultraviolet irradiation peripheral exposure apparatus and method
JP2011161492A (en) Apparatus and method for inspecting laser beam-machined condition and apparatus and method for laser beam machining, and method of manufacturing solar panel
JP5371534B2 (en) Laser processing method, laser processing apparatus, and solar panel manufacturing method
JP2014072268A (en) Manufacturing method of solar panel, and manufacturing apparatus of solar panel
JP2011173141A (en) Laser beam machining position alignment method, laser beam machining method, laser beam machining apparatus, and method for manufacturing solar panel
JP2010264461A (en) Laser beam machining method, laser beam machining apparatus and method for manufacturing solar panel
KR101533826B1 (en) Surface defect inspection apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20111005

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130322

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130326

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130525

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131001

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131001

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees